JPH1131673A - Apparatus and method for cleaning substrate - Google Patents

Apparatus and method for cleaning substrate

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JPH1131673A
JPH1131673A JP9184701A JP18470197A JPH1131673A JP H1131673 A JPH1131673 A JP H1131673A JP 9184701 A JP9184701 A JP 9184701A JP 18470197 A JP18470197 A JP 18470197A JP H1131673 A JPH1131673 A JP H1131673A
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JP
Japan
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substrate
rotation holding
cooling medium
holding unit
pure water
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JP9184701A
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Japanese (ja)
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Takeshi Matsuka
毅 松家
Sanenobu Matsunaga
実信 松永
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an apparatus and a method for the cleaning of a substrate, in which particles on the substrate can be surely removed. SOLUTION: A substrate W is sucked and held onto a turning and holding part 1, which sucks and holds the outer circumferential part on the rear of the substrate W, it surface is spin-coated with pure water, and a thin pure-water film is formed. Liquid nitrogen is discharged to the rear of the turning and holding part 1 from a cooling nozzle 16, the substrate W is cooled indirectly, the water film is frozen, and an ice film is formed. High-pressure pure water is discharged from a pure-water supply nozzle 12, the ice film which contains particles is exfoliated from the substrate W, so as to be removed. The particles are removed from the substrate, together with the ice film.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ、液
晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用基板等の基板
を洗浄する基板洗浄装置および基板洗浄方法に関する。
The present invention relates to a substrate cleaning apparatus and a substrate cleaning method for cleaning substrates such as semiconductor wafers, glass substrates for liquid crystal display devices, and photomask substrates.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体ウエハや液晶表示装置用ガラス基
板等の基板の表面に付着した塵埃等のパーティクルを洗
浄する方法として、ブラシスクラブ法と呼ばれる方法が
一般に採用されている。この方法は、基板支持台上に基
板を載置して回転させ、基板の表面に洗浄水を供給しな
がらナイロン等のブラシで基板の表面を擦ってパーティ
クルを除去するものである。
2. Description of the Related Art As a method of cleaning particles such as dust adhering to the surface of a substrate such as a semiconductor wafer or a glass substrate for a liquid crystal display device, a method called a brush scrub method is generally adopted. In this method, a substrate is placed on a substrate support and rotated, and particles are removed by rubbing the surface of the substrate with a brush such as nylon while supplying cleaning water to the surface of the substrate.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ブラシスクラブ法は、例えば半導体ウエハの酸化膜上に
付着したパーティクルを除去する場合、ブラシと酸化膜
との摩擦により静電気が生じ、この静電気により一旦は
除去されたパーティクルが半導体ウエハ上に再付着して
しまうという不都合がある。
However, in the brush scrubbing method described above, for example, when particles attached to an oxide film on a semiconductor wafer are removed, static electricity is generated due to friction between the brush and the oxide film, and the static electricity is temporarily generated by the static electricity. However, there is an inconvenience that the removed particles adhere to the semiconductor wafer again.

【0004】また、ブラシと酸化膜との摩擦により生じ
た静電気によりブラシにもパーティクルが付着する。そ
して、パーティクルが付着したブラシを使用して次の半
導体ウエハの表面洗浄を行うと、ブラシのパーティクル
が半導体ウエハに付着して半導体ウエハを汚染するとい
う不都合もある。
[0004] Particles also adhere to the brush due to static electricity generated by friction between the brush and the oxide film. If the next cleaning of the surface of the semiconductor wafer is performed using the brush to which the particles adhere, there is also a disadvantage that the particles of the brush adhere to the semiconductor wafer and contaminate the semiconductor wafer.

【0005】さらに、半導体ウエハとの摩擦によりブラ
シの毛等から塵埃が発生し、ブラシ自体がパーティクル
の発生源になるという不都合も生じる。
[0005] Further, dust is generated from the bristles of the brush due to friction with the semiconductor wafer, and the brush itself becomes a source of particles.

【0006】さらには、ブラシスクラブ法の場合には
0.2μm程度の比較的大きなパーティクルの除去は容
易であるが、0.1μm以下の微細なパーティクルにつ
いてはパーティクルがブラシの隙間を素通りするために
その除去が困難になる。
Further, in the case of the brush scrub method, it is easy to remove relatively large particles of about 0.2 μm. However, fine particles of 0.1 μm or less are required to pass through the gap of the brush. Its removal becomes difficult.

【0007】一方、ブラシスクラブ法に代わる方法とし
て、氷の微粒子や炭酸ガス等の微粒子を基板表面に吹き
つけて、その衝突による運動エネルギを利用してパーテ
ィクルを粉砕、除去する方法が提案されている。しかし
ながら、この方法では氷や炭酸ガス等の温度や圧力の制
御が必要となり、そのための設備が大型化する。また、
微粒子が基板表面に衝突することにより基板にダメージ
が発生する。
On the other hand, as an alternative to the brush scrub method, a method has been proposed in which fine particles such as ice fine particles and carbon dioxide gas are sprayed on a substrate surface, and particles are crushed and removed by utilizing kinetic energy due to the collision. I have. However, in this method, it is necessary to control the temperature and pressure of ice, carbon dioxide, and the like, and the equipment for that purpose becomes large. Also,
The substrate is damaged by the collision of the fine particles with the substrate surface.

【0008】本発明の目的は、基板上のパーティクルを
確実に除去することが可能な基板洗浄装置および基板洗
浄方法を提供することである。
An object of the present invention is to provide a substrate cleaning apparatus and a substrate cleaning method capable of reliably removing particles on a substrate.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段および発明の効果】第1の
発明に係る基板洗浄装置は、基板を保持して回転駆動さ
れる回転保持部と、回転保持部を氷点下に冷却する冷却
手段と、冷却された回転保持部上の基板の表面に形成さ
れる氷膜を除去する除去手段とを備えたものである。
Means for Solving the Problems and Effects of the Invention A substrate cleaning apparatus according to a first aspect of the present invention comprises: a rotation holding unit that holds a substrate and is driven to rotate; a cooling unit that cools the rotation holding unit below freezing; Removing means for removing an ice film formed on the surface of the substrate on the cooled rotation holding unit.

【0010】第1の発明に係る基板洗浄装置において
は、冷却手段が回転保持部を氷点下に冷却することによ
り回転保持部上の基板が間接的に冷却され、パーティク
ルが付着した基板の表面に氷膜が形成される。そして、
除去手段によって氷膜を除去することによりパーティク
ルが氷膜とともに基板表面から除去される。これによ
り、微細なパーティクルも氷膜とともに基板表面から除
去され、基板の表面を清浄な状態に洗浄することができ
る。
In the substrate cleaning apparatus according to the first aspect of the present invention, the cooling means cools the spin holder to below freezing, whereby the substrate on the spin holder is indirectly cooled, and the surface of the substrate to which particles adhere is ice A film is formed. And
Particles are removed from the substrate surface together with the ice film by removing the ice film by the removing means. Thereby, fine particles are also removed from the substrate surface together with the ice film, and the substrate surface can be cleaned in a clean state.

【0011】第2の発明に係る基板洗浄装置は、第1の
発明に係る基板洗浄装置の構成において、冷却手段が、
回転保持部に氷点下の冷却媒体を吐出する冷却媒体吐出
ノズルを含むものである。
A substrate cleaning apparatus according to a second aspect of the present invention is the substrate cleaning apparatus according to the first aspect, wherein the cooling means comprises:
The rotation holding unit includes a cooling medium discharge nozzle that discharges a cooling medium below freezing.

【0012】冷却媒体吐出ノズルから氷点下の冷却媒体
を回転保持部に吐出することにより回転保持部が氷点下
に冷却される。これにより、回転保持部上の基板が間接
的に氷点下に冷却され、その表面にパーティクルを包み
込むように氷膜が形成される。したがって、氷膜を基板
から除去することによりパーティクルを基板表面から除
去することができる。
By discharging the cooling medium below the freezing point from the cooling medium discharge nozzle to the rotation holding section, the rotation holding section is cooled below the freezing point. As a result, the substrate on the rotation holding unit is indirectly cooled to a temperature below the freezing point, and an ice film is formed so as to enclose particles on the surface thereof. Therefore, particles can be removed from the substrate surface by removing the ice film from the substrate.

【0013】第3の発明に係る基板洗浄装置は、第2の
発明に係る基板洗浄装置の構成において、回転保持部が
水平姿勢で基板を回転させるものであり、冷却媒体吐出
ノズルは、回転保持部の下方に移動可能に設けられたも
のである。
A substrate cleaning apparatus according to a third aspect of the present invention is the substrate cleaning apparatus according to the second aspect of the present invention, wherein the rotation holding section rotates the substrate in a horizontal posture, and the cooling medium discharge nozzle rotates and holds the rotation. It is provided movably below the section.

【0014】冷却媒体吐出ノズルを移動させて回転保持
部に冷却媒体を吐出することにより回転保持部全体を迅
速に氷点下に冷却することができる。これにより、基板
の表面に氷膜を迅速にかつ均一に形成することができ
る。
By moving the cooling medium discharge nozzle to discharge the cooling medium to the rotation holding unit, the entire rotation holding unit can be rapidly cooled to below freezing. Thus, an ice film can be quickly and uniformly formed on the surface of the substrate.

【0015】第4の発明に係る基板洗浄装置は、第2ま
たは第3の発明に係る基板洗浄装置の構成において、冷
却手段の冷却媒体吐出ノズルから吐出する冷却媒体を貯
蔵する貯蔵部と、回転保持部の周囲を取り囲み、排出口
が設けられたカップと、回転保持部に吐出された冷却媒
体をカップの排出口から回収して貯蔵部に導く回収管路
と、回収管路中に設けられ、冷却媒体の温度を氷点下に
再調整する温度調整部とをさらに備えたものである。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the substrate cleaning apparatus according to the second or third aspect of the present invention, wherein the storage unit for storing the cooling medium discharged from the cooling medium discharge nozzle of the cooling means; A cup surrounding the holding portion and provided with a discharge port, a recovery conduit for collecting the cooling medium discharged to the rotation holding portion from the discharge port of the cup and guiding the cooling medium to the storage portion, and provided in the recovery conduit. And a temperature adjusting unit for adjusting the temperature of the cooling medium to a temperature below freezing.

【0016】この場合、回転保持部に吐出された冷却媒
体は回収管路を通り温度調整部において氷点下に温度調
整された後、貯蔵部に回収され、さらに繰り返して使用
される。これにより、冷却媒体を経済的にかつ効率的に
利用して回転保持部の冷却を行うことができる。
In this case, the cooling medium discharged to the rotation holding unit passes through a recovery pipe, is adjusted to a temperature below freezing in the temperature adjustment unit, is collected in the storage unit, and is used repeatedly. Thus, the rotation holding unit can be cooled by using the cooling medium economically and efficiently.

【0017】第5の発明に係る基板洗浄装置は、第1〜
第4のいずれかの発明に係る基板洗浄装置の構成におい
て、回転保持部に保持された基板の表面に氷膜を形成す
るための水分を供給する水分供給手段をさらに備えたも
のである。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a substrate cleaning apparatus comprising:
In the configuration of the substrate cleaning apparatus according to any one of the fourth aspects of the present invention, the substrate cleaning apparatus further includes a water supply unit that supplies water for forming an ice film on the surface of the substrate held by the rotation holding unit.

【0018】水分供給手段により基板の表面に水分が供
給される。冷却手段は回転保持部を介して基板を間接的
に冷却し、供給された水分を凍結して氷膜を形成するこ
とができる。そして、氷膜を除去することにより基板の
表面のパーティクルを氷膜とともに除去し、基板の表面
を洗浄することができる。
Water is supplied to the surface of the substrate by the water supply means. The cooling unit indirectly cools the substrate via the rotation holding unit, and freezes the supplied moisture to form an ice film. Then, by removing the ice film, particles on the surface of the substrate are removed together with the ice film, and the surface of the substrate can be washed.

【0019】第6の発明に係る基板洗浄装置は、第5の
発明に係る基板洗浄装置の構成において、水分供給手段
が、基板の表面に純水を供給する純水供給ノズルを含む
ものである。
According to a sixth aspect of the present invention, in the substrate cleaning apparatus according to the fifth aspect, the water supply means includes a pure water supply nozzle for supplying pure water to the surface of the substrate.

【0020】これにより、基板の表面の純水を冷却する
ことにより氷膜を形成し、この氷膜を除去して基板の表
面を洗浄することができる。
Thus, an ice film is formed by cooling the pure water on the surface of the substrate, and the surface of the substrate can be cleaned by removing the ice film.

【0021】第7の発明に係る基板洗浄装置は、第1〜
第6のいずれかの発明に係る基板洗浄装置の構成におい
て、除去手段が、氷膜に液体を吐出する液体吐出ノズル
を含むものである。
According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a substrate cleaning apparatus comprising:
In the configuration of the substrate cleaning apparatus according to any one of the sixth inventions, the removing unit includes a liquid discharge nozzle that discharges a liquid onto the ice film.

【0022】液体吐出ノズルが氷膜に対して液体を吐出
すると、液体の衝突圧により氷膜が基板の表面から剥離
され外方に除去される。これにより、パーティクルを含
む氷膜を除去して基板の表面を清浄にすることができ
る。
When the liquid discharge nozzle discharges the liquid to the ice film, the ice film is peeled off from the surface of the substrate by the collision pressure of the liquid and removed outward. Thereby, the surface of the substrate can be cleaned by removing the ice film containing particles.

【0023】第8の発明に係る基板洗浄装置は、第1〜
第7のいずれかの発明に係る基板洗浄装置の構成におい
て、回転保持部が、水平姿勢で回転駆動される円板状部
材と、円板状部材の表面に設けられ、基板の裏面の周縁
部を吸引保持する吸引保持部とを含むものである。
The substrate cleaning apparatus according to the eighth invention comprises
In the configuration of the substrate cleaning apparatus according to any one of the seventh inventions, the rotation holding unit is provided on a surface of the disk-shaped member that is driven to rotate in a horizontal posture, and a peripheral edge of a back surface of the substrate. And a suction holding unit for suction holding.

【0024】この場合、円板状部材が基板の裏面に近接
配置され、吸引保持部により基板の裏面周縁部が保持さ
れる。回転保持部が冷却手段により冷却されると、基板
は吸引保持部を通してあるいは円板状部材の表面から間
接的に冷却され、基板の表面に氷膜が形成される。特
に、冷却媒体吐出ノズルから冷却媒体を吐出する場合に
は、冷却媒体が円板状部材に吐出され、基板に直接吐出
することが防止される。これにより、基板に結露が生じ
ることが防止される。
In this case, the disk-shaped member is arranged close to the back surface of the substrate, and the peripheral portion of the back surface of the substrate is held by the suction holding unit. When the rotation holding unit is cooled by the cooling means, the substrate is cooled through the suction holding unit or indirectly from the surface of the disk-shaped member, and an ice film is formed on the surface of the substrate. In particular, when the cooling medium is discharged from the cooling medium discharge nozzle, the cooling medium is discharged to the disk-shaped member and is prevented from being directly discharged to the substrate. This prevents condensation from occurring on the substrate.

【0025】第9の発明に係る基板洗浄方法は、回転保
持部に保持された基板の表面を洗浄する基板洗浄方法で
あって、回転保持部を氷点下に冷却して基板の表面に氷
膜を形成する工程と、氷膜を基板から除去する工程とを
備えたものである。
According to a ninth aspect of the present invention, there is provided a substrate cleaning method for cleaning a surface of a substrate held by a spin holder, wherein the spin holder is cooled below freezing to form an ice film on the surface of the substrate. The method includes a step of forming and a step of removing the ice film from the substrate.

【0026】第9の発明に係る基板洗浄方法において
は、回転保持部を冷却することにより基板を氷点下に冷
却して基板の表面に氷膜を形成する。氷膜は基板上のパ
ーティクルを含んで形成される。そして、この氷膜を基
板から除去することによりすべてのパーティクルを氷膜
とともに基板の表面から除去して基板の表面を清浄な状
態にすることができる。これにより、基板にダメージを
与えることなくすべてパーティクルを基板の表面から除
去することができる。
In the substrate cleaning method according to the ninth aspect, the substrate is cooled below the freezing point by cooling the rotation holding unit, and an ice film is formed on the surface of the substrate. The ice film is formed including particles on the substrate. Then, by removing the ice film from the substrate, all particles are removed from the surface of the substrate together with the ice film, and the surface of the substrate can be cleaned. Thus, all particles can be removed from the surface of the substrate without damaging the substrate.

【0027】第10の発明に係る基板洗浄方法は、第9
の発明に係る基板洗浄方法の構成において、回転保持部
に冷却媒体を吐出することによって回転保持部に保持さ
れた基板を間接的に冷却するものである。
According to a tenth aspect of the present invention, there is provided a substrate cleaning method comprising:
In the configuration of the substrate cleaning method according to the invention, the cooling medium is discharged to the rotation holding section to indirectly cool the substrate held by the rotation holding section.

【0028】これにより、基板に直接冷却媒体が吐出さ
れることにより基板に結露が生じることが防止され、基
板の表面に均一に氷膜を形成することができる。
As a result, dew condensation on the substrate due to the discharge of the cooling medium directly to the substrate is prevented, and an ice film can be uniformly formed on the surface of the substrate.

【0029】第11の発明に係る基板洗浄方法は、第1
0の発明に係る基板洗浄方法の構成において、回転保持
部に冷却媒体を吐出する前に、基板の表面に純水を供給
して基板の表面に純水の膜を形成するものである。
[0029] The substrate cleaning method according to the eleventh aspect of the present invention comprises the following steps:
In the configuration of the substrate cleaning method according to the present invention, pure water is supplied to the surface of the substrate to form a film of pure water on the surface of the substrate before discharging the cooling medium to the rotation holding unit.

【0030】基板の表面に純水の膜を形成することによ
りパーティクルの周囲を純水で包み込むことができる。
そして、この状態で回転保持部を冷却することにより純
水の膜を凍結してパーティクルを含む均一な氷膜を形成
することができる。
By forming a pure water film on the surface of the substrate, the periphery of the particles can be covered with pure water.
Then, by cooling the rotation holding unit in this state, the pure water film is frozen, and a uniform ice film containing particles can be formed.

【0031】第12の発明に係る基板洗浄方法は、第9
〜第11のいずれかの発明に係る基板洗浄方法の構成に
おいて、氷膜を除去する工程が、氷膜の表面に液体を吐
出して氷膜を基板の表面から除去するものである。
According to a twelfth aspect of the present invention, there is provided a substrate cleaning method comprising the steps of:
In the configuration of the substrate cleaning method according to any one of the first to eleventh aspects, the step of removing the ice film includes discharging a liquid onto the surface of the ice film to remove the ice film from the surface of the substrate.

【0032】氷膜に液体を吐出すると、液体の衝突圧に
より氷膜が基板の表面から剥離され外方に除去される。
これにより、パーティクルを含む氷膜が基板の表面から
除去され、基板の表面が清浄な状態に洗浄される。
When the liquid is discharged onto the ice film, the ice film is peeled off from the surface of the substrate by the collision pressure of the liquid and removed outward.
Thereby, the ice film containing particles is removed from the surface of the substrate, and the surface of the substrate is cleaned in a clean state.

【0033】第13の発明に係る基板洗浄方法は、第1
2の発明に係る基板洗浄方法の構成において、液体が高
圧の純水であるものである。
According to a thirteenth aspect of the present invention, there is provided a substrate cleaning method comprising:
In the configuration of the substrate cleaning method according to the second aspect, the liquid is high-pressure pure water.

【0034】高圧の純水を氷膜に吐出することにより基
板の表面から瞬時に氷膜を除去することができる。
By discharging high-pressure pure water onto the ice film, the ice film can be instantaneously removed from the surface of the substrate.

【0035】[0035]

【発明の実施の形態】図1は、本発明の実施例における
基板洗浄装置の概略断面図である。また、図2は図1の
基板洗浄装置における回転保持部の一部切欠き平面図、
図3は図2のX−X線断面図である。
FIG. 1 is a schematic sectional view of a substrate cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a partially cutaway plan view of a rotation holding unit in the substrate cleaning apparatus of FIG.
FIG. 3 is a sectional view taken along line XX of FIG.

【0036】図1において、基板洗浄装置は、基板Wを
水平姿勢で保持して回転する回転保持部1を備える。回
転保持部1はモータ3の回転軸2の先端に取り付けら
れ、鉛直軸の周りで回転駆動される。回転軸2は内部に
中空部4を有し、スリーブ5内に挿入されている。
In FIG. 1, the substrate cleaning apparatus includes a rotation holder 1 which holds and rotates the substrate W in a horizontal posture. The rotation holding unit 1 is attached to the tip of the rotation shaft 2 of the motor 3 and is driven to rotate around a vertical axis. The rotating shaft 2 has a hollow portion 4 inside, and is inserted into a sleeve 5.

【0037】回転保持部1は円板状部材6からなる。円
板状部材6の裏面中心部には円筒状の軸取り付け部6a
が設けられ、この軸取り付け部6aにモータ3の回転軸
2が嵌合している。また、円板状部材6の表面外周部に
は環状に突出した吸引保持部7が形成されている。
The rotation holding unit 1 is made up of a disc-shaped member 6. A cylindrical shaft mounting portion 6a is provided at the center of the back surface of the disk-shaped member 6.
The rotating shaft 2 of the motor 3 is fitted to the shaft mounting portion 6a. Further, a suction holding portion 7 projecting annularly is formed on the outer peripheral portion of the surface of the disk-shaped member 6.

【0038】図2に示すように、円板状部材6の内部に
は、中心部から外周部に延びる複数の放射状通路8が形
成されている。複数の放射状通路8はモータ3の回転軸
2の中空部4に連通している。
As shown in FIG. 2, a plurality of radial passages 8 extending from the center to the outer periphery are formed inside the disk-shaped member 6. The plurality of radial passages 8 communicate with the hollow portion 4 of the rotating shaft 2 of the motor 3.

【0039】吸引保持部7には環状吸引口9が形成され
ている。環状吸引口9は放射状通路8に連通している。
吸引保持部7は円板状部材6の表面から突出しており、
これにより基板Wの裏面の周縁部を支持する。
The suction holding section 7 has an annular suction port 9 formed therein. The annular suction port 9 communicates with the radial passage 8.
The suction holding portion 7 protrudes from the surface of the disk-shaped member 6,
This supports the peripheral edge of the back surface of the substrate W.

【0040】モータ3の回転軸2内の中空部4は、真空
ポンプ等の吸引手段(図示せず)に接続され、その吸引
手段により回転軸2内の中空部4、円板状部材6内の放
射状通路8および吸引保持部7の環状吸引口9を通して
基板Wの裏面の周縁部が吸引される。これにより、基板
Wの周縁部が吸引保持部7に吸着保持される。なお、環
状吸引口9は基板Wの直線切欠部やノッチ部に干渉しな
い程度に基板Wの外周縁から内側の部分を吸引保持す
る。
The hollow portion 4 in the rotating shaft 2 of the motor 3 is connected to a suction means (not shown) such as a vacuum pump, and the hollow portion 4 in the rotating shaft 2 and the disk-shaped member 6 are connected by the suction means. The peripheral edge of the back surface of the substrate W is sucked through the radial passage 8 and the annular suction port 9 of the suction holding unit 7. Thus, the peripheral portion of the substrate W is suction-held by the suction holding section 7. The annular suction port 9 sucks and holds a portion inside the outer peripheral edge of the substrate W so as not to interfere with the linear notch or the notch of the substrate W.

【0041】回転保持部1に保持された基板Wの周囲を
取り囲むように飛散防止用のカップ11が設けられてい
る。このカップ11の上部側には開口部が設けられ、下
部には排液口14および複数の排気口(図示せず)が設
けられている。
A scattering prevention cup 11 is provided so as to surround the periphery of the substrate W held by the rotation holding unit 1. An opening is provided on the upper side of the cup 11, and a drainage port 14 and a plurality of exhaust ports (not shown) are provided on a lower part.

【0042】また、カップ11の側面には孔部11aが
設けられ、この孔部11aを通して冷却媒体を円板状部
材6の裏面に吐出する冷却ノズル16が円板状部材6の
下方に配設されている。この冷却ノズル16は、エアシ
リンダ17により矢印Rで示すように円板状部材6の半
径方向に移動可能に設けられている。なお、冷却ノズル
16を移動させるために、エアシリンダ17の代わりに
モータを用いてもよい。
A hole 11a is provided on the side surface of the cup 11, and a cooling nozzle 16 for discharging a cooling medium to the back surface of the disk-shaped member 6 through the hole 11a is provided below the disk-shaped member 6. Have been. The cooling nozzle 16 is provided so as to be movable in the radial direction of the disk-shaped member 6 by an air cylinder 17 as shown by an arrow R. Note that a motor may be used instead of the air cylinder 17 to move the cooling nozzle 16.

【0043】冷却ノズル16には、冷却媒体貯蔵タンク
18からフィルタ19、開閉弁15を通して冷却媒体が
供給される。冷却媒体としては、液体窒素あるいは極低
温の窒素ガスが用いられる。冷却媒体貯蔵タンク18か
ら冷却用ノズル16に至る管路には保冷材が設けられて
おり、これにより管路内を通る冷却媒体の温度上昇を防
止している。また、フィルタ19は、冷却媒体中に生じ
るパーティクルが冷却ノズル16から吐出されて円板状
部材6に付着することを防止する。冷却ノズル16は、
円板状部材6の裏面全体を迅速に冷却するために複数個
設けてもよく、あるいはノズル口をスリット状に形成し
てもよい。
The cooling medium is supplied to the cooling nozzle 16 from a cooling medium storage tank 18 through a filter 19 and an on-off valve 15. As the cooling medium, liquid nitrogen or cryogenic nitrogen gas is used. A cooling material is provided in a pipe from the cooling medium storage tank 18 to the cooling nozzle 16, thereby preventing the temperature of the cooling medium passing through the pipe from rising. Further, the filter 19 prevents particles generated in the cooling medium from being discharged from the cooling nozzle 16 and adhering to the disk-shaped member 6. The cooling nozzle 16 is
A plurality may be provided to quickly cool the entire back surface of the disk-shaped member 6, or a nozzle opening may be formed in a slit shape.

【0044】カップ11の排液口14に導かれた冷却媒
体は回収管路22を通り低温化処理部21に導かれる。
低温下処理部21は回収した冷却媒体を極低温に再処理
し、冷却媒体貯蔵タンク18に供給する。これにより、
冷却媒体の回収経路が構成される。
The cooling medium guided to the drain port 14 of the cup 11 is guided to the low-temperature processing section 21 through the recovery pipe 22.
The low-temperature processing unit 21 reprocesses the collected cooling medium to an extremely low temperature and supplies it to the cooling medium storage tank 18. This allows
A recovery path for the cooling medium is configured.

【0045】カップ11の外部には、回転保持部1上の
基板Wに純水を供給する純水供給ノズル12が配置され
ている。純水供給ノズル12はカップ11の外部の待機
位置と回転保持部1上の所定位置との間を移動可能に構
成されており、基板Wの表面に純水を吐出する。
Outside the cup 11, a pure water supply nozzle 12 for supplying pure water to the substrate W on the rotation holding unit 1 is arranged. The pure water supply nozzle 12 is configured to be movable between a standby position outside the cup 11 and a predetermined position on the rotation holding unit 1, and discharges pure water to the surface of the substrate W.

【0046】さらに、カップ11の外部には、基板Wの
表面を洗浄するためのブラシアーム(図示せず)が配置
されている。ブラシアームはカップ11外部の待機位置
と回転保持部1上の所定位置との間を移動可能に設けら
れている。
Further, a brush arm (not shown) for cleaning the surface of the substrate W is disposed outside the cup 11. The brush arm is provided movably between a standby position outside the cup 11 and a predetermined position on the rotation holding unit 1.

【0047】制御部20は、モータ3の回転数、開閉弁
13による純水供給ノズル12からの純水の吐出タイミ
ング、エアシリンダ17による冷却ノズル16の移動、
開閉弁15による冷却ノズル16からの冷却媒体の吐出
タイミングを制御する。
The control unit 20 controls the number of rotations of the motor 3, the timing of discharging pure water from the pure water supply nozzle 12 by the on-off valve 13, the movement of the cooling nozzle 16 by the air cylinder 17,
The discharge timing of the cooling medium from the cooling nozzle 16 by the on-off valve 15 is controlled.

【0048】図2および図3に示すように、円板状部材
6には複数の貫通孔13が設けられている。各貫通孔1
3の上面には、ゴム等の伸縮性材料からなる閉塞用シー
ト部材15が取り付けられている。各貫通孔13の下方
におけるカップ11の底面には、開閉自在な蓋を有する
孔が設けられている。
As shown in FIGS. 2 and 3, the disc-shaped member 6 is provided with a plurality of through holes 13. Each through hole 1
A closing sheet member 15 made of a stretchable material such as rubber is attached to the upper surface of 3. A hole having a lid that can be opened and closed is provided on the bottom surface of the cup 11 below each through hole 13.

【0049】カップ11の孔の下方には、昇降ピン14
が昇降自在に設けられている。基板Wの搬入時および搬
出時には、昇降ピン14が上昇し、カップ11の孔(図
示せず)および円板状部材6の貫通孔13を貫通して基
板Wの裏面に当接する。このとき、閉塞用シート部材1
5が伸縮性を有するので、昇降ピン14が閉塞用シート
部材15を伸長させて基板Wを上方に持ち上げることが
できる。この閉塞用シート部材15により、パーティク
ルが円板状部材6の貫通孔13を通して基板Wの裏面に
付着することが防止される。
Below the hole of the cup 11, a lifting pin 14 is provided.
Are provided so as to be movable up and down. When the substrate W is loaded and unloaded, the elevating pins 14 move up and pass through holes (not shown) of the cup 11 and through holes 13 of the disc-shaped member 6 to contact the back surface of the substrate W. At this time, the closing sheet member 1
Since the member 5 has elasticity, the lifting pins 14 can extend the closing sheet member 15 to lift the substrate W upward. The closing sheet member 15 prevents particles from adhering to the back surface of the substrate W through the through holes 13 of the disk-shaped member 6.

【0050】ここで、冷却ノズル16が本発明の冷却手
段および冷却媒体吐出ノズルに相当し、冷却媒体貯留タ
ンク18が貯蔵部に相当し、回収管路22が回収管路に
相当し、冷温化処理部21が温度調整部に相当する。ま
た、純水供給ノズル12が本発明の除去手段、水分供給
手段および純水供給ノズルに相当する。
Here, the cooling nozzle 16 corresponds to the cooling means and the cooling medium discharge nozzle of the present invention, the cooling medium storage tank 18 corresponds to the storage section, the recovery pipe 22 corresponds to the recovery pipe, The processing unit 21 corresponds to a temperature adjustment unit. Further, the pure water supply nozzle 12 corresponds to the removing unit, the water supply unit, and the pure water supply nozzle of the present invention.

【0051】次に、基板洗浄装置の洗浄動作について説
明する。図4は基板洗浄装置の洗浄動作を示すフローチ
ャートであり、(a)は主に回転保持部1の動作を示
し、(b)は主に基板の洗浄動作を示している。また、
図6は、基板の洗浄状態の模式図である。
Next, the cleaning operation of the substrate cleaning apparatus will be described. FIGS. 4A and 4B are flowcharts showing the cleaning operation of the substrate cleaning apparatus. FIG. 4A mainly shows the operation of the rotation holding unit 1, and FIG. 4B mainly shows the substrate cleaning operation. Also,
FIG. 6 is a schematic diagram of the state of cleaning the substrate.

【0052】まず、基板Wが外部に設けられた基板搬送
装置により回転保持部1に搬送され(ステップS1)、
回転保持部1の吸引保持部7により基板Wの裏面の外周
部が吸着保持される。図6(a)に示すように、搬送さ
れた基板Wの表面上にはパーティクル25が付着してい
るものとする。(ステップS2)。
First, the substrate W is transferred to the rotation holding unit 1 by a substrate transfer device provided outside (step S1).
The outer peripheral portion of the back surface of the substrate W is suction-held by the suction holding portion 7 of the rotation holding portion 1. As shown in FIG. 6A, it is assumed that particles 25 adhere to the surface of the transferred substrate W. (Step S2).

【0053】次に、モータ3が低速回転を行い、回転保
持部1および基板Wが低速で回転される(ステップS
3)。
Next, the motor 3 rotates at a low speed, and the rotation holding unit 1 and the substrate W are rotated at a low speed (step S).
3).

【0054】純水供給ノズル12が回転保持部1上に移
動され、基板Wの表面に純水が一定量吐出される(ステ
ップS4,S5)。図6(b)に示すように、基板W上
に吐出された純水は、基板Wの回転によって全面に薄く
引き伸ばされ、パーティクル25を含む純水膜26が形
成される(ステップS6)。
The pure water supply nozzle 12 is moved onto the rotation holding unit 1, and a fixed amount of pure water is discharged onto the surface of the substrate W (Steps S4 and S5). As shown in FIG. 6B, the pure water discharged onto the substrate W is thinly stretched over the entire surface by the rotation of the substrate W, and a pure water film 26 including the particles 25 is formed (Step S6).

【0055】この状態で開閉弁15が開放され、冷却ノ
ズル16から冷却媒体27が円板状部材6の裏面に吐出
される(ステップS7)。これにより、円板状部材6お
よび基板Wが急速に氷点下に冷却され、基板Wの表面の
純水膜26が凍結し、図6(b)に示すように、薄い氷
膜28が形成される。氷膜28は膜厚が厚くなる程、基
板Wの表面からの剥離が困難となる。このため、氷膜2
8を比較的薄く形成することが好ましい(ステップS
8)。氷膜28が形成されると、開閉弁15を閉じ、冷
却媒体27の供給を停止する(ステップS9)。
In this state, the on-off valve 15 is opened, and the cooling medium 27 is discharged from the cooling nozzle 16 to the back surface of the disk-shaped member 6 (Step S7). As a result, the disk-shaped member 6 and the substrate W are rapidly cooled below the freezing point, the pure water film 26 on the surface of the substrate W is frozen, and a thin ice film 28 is formed as shown in FIG. . As the thickness of the ice film 28 increases, it becomes more difficult to separate the ice film 28 from the surface of the substrate W. Therefore, the ice film 2
8 is preferably formed relatively thin (step S
8). When the ice film 28 is formed, the on-off valve 15 is closed, and the supply of the cooling medium 27 is stopped (Step S9).

【0056】次に、モータ3の回転数を上昇し、基板W
を高速で回転させる(ステップS10)。そして、高速
で回転している基板Wの表面に純水供給ノズル12から
純水29を噴出し(ステップS11)、氷膜28を基板
Wの表面から瞬間的に剥離させる。純水は基板Wの中心
部から外周部側に向かい高圧で噴出することが望まし
い。これにより、パーティクル25を含む氷膜28が基
板Wの表面から剥離され、基板外方へ飛散される。純水
の温度は、零度に近い低温であることが好ましい。温度
が高い場合には、氷膜28が溶け易くなり、パーティク
ル25を基板Wの表面から完全に除去することが困難に
なるからである(ステップS12)。
Next, the number of rotations of the motor 3 is increased and the substrate W
Is rotated at a high speed (step S10). Then, pure water 29 is ejected from the pure water supply nozzle 12 to the surface of the substrate W rotating at high speed (step S11), and the ice film 28 is instantaneously peeled off from the surface of the substrate W. It is desirable that the pure water be jetted at a high pressure from the center of the substrate W toward the outer periphery. As a result, the ice film 28 including the particles 25 is separated from the surface of the substrate W and scattered outside the substrate. The temperature of the pure water is preferably a low temperature close to zero degrees. If the temperature is high, the ice film 28 is easily melted, and it becomes difficult to completely remove the particles 25 from the surface of the substrate W (step S12).

【0057】氷膜28が基板Wの表面から除去される
と、モータ3の回転数を低下し、基板Wを低速回転する
(ステップS13)。この際、純水供給ノズル12から
は、引き続き純水が基板Wの表面に供給される。そし
て、ブラシアームを基板W上に移動させてブラシスクラ
ブ洗浄により基板Wの表面を洗浄する。なお、このブラ
シスクラブ洗浄に代えて、高圧水による基板洗浄、ある
いはメガソニック洗浄と呼ばれる超音波洗浄等を行って
もよい。また、基板Wの表面が清浄であれば、この洗浄
工程を省略してもよい(ステップS14)。
When the ice film 28 is removed from the surface of the substrate W, the rotation speed of the motor 3 is reduced, and the substrate W is rotated at a low speed (step S13). At this time, pure water is continuously supplied from the pure water supply nozzle 12 to the surface of the substrate W. Then, the brush arm is moved onto the substrate W, and the surface of the substrate W is cleaned by brush scrub cleaning. Note that, instead of the brush scrub cleaning, substrate cleaning using high-pressure water, ultrasonic cleaning called megasonic cleaning, or the like may be performed. If the surface of the substrate W is clean, this cleaning step may be omitted (Step S14).

【0058】次に、モータ3の回転数を上昇し、基板W
を高速回転する(ステップS15)。同時に基板Wの表
面への純水の供給を停止し、基板Wの高速回転により、
振り切り乾燥を行う(ステップS16)。
Next, the number of rotations of the motor 3 is increased and the substrate W
Is rotated at high speed (step S15). At the same time, the supply of pure water to the surface of the substrate W is stopped, and the high-speed rotation of the substrate W
Shaking off drying is performed (step S16).

【0059】基板Wの乾燥が終了すると、モータ3を停
止し(ステップS17)、さらに基板Wの吸着を解除す
る(ステップS18)。そして、洗浄済の基板Wを外部
に搬出する(ステップS19)。
When the drying of the substrate W is completed, the motor 3 is stopped (step S17), and the suction of the substrate W is released (step S18). Then, the cleaned substrate W is carried out to the outside (step S19).

【0060】以上の工程により、基板W上のパーティク
ル25が除去され、基板Wの表面が清浄にされる。
Through the above steps, the particles 25 on the substrate W are removed, and the surface of the substrate W is cleaned.

【0061】なお、上記のステップS11,12に示す
氷膜28の除去工程では、純水に代えてアルコールを氷
膜28に噴出してもよい。例えば、融点の低いメタノー
ルを−20℃まで冷却して吐出してもよい。これによ
り、氷膜28を溶かすことなく基板Wの表面から剥離す
ることができる。
In the step of removing the ice film 28 shown in steps S11 and S12, alcohol may be jetted onto the ice film 28 instead of pure water. For example, methanol having a low melting point may be cooled to −20 ° C. and discharged. Thus, the ice film 28 can be separated from the surface of the substrate W without melting.

【0062】なお、上記の基板洗浄工程において、カッ
プ11からの排気量は、通常のブラシスクラブ処理の場
合に比べて大きくすることが望ましい。これにより、回
転保持部1に吐出される冷却媒体がカップ11外に漏洩
することを防止することができる。
In the above-described substrate cleaning step, it is desirable that the exhaust amount from the cup 11 is made larger than that in the case of the usual brush scrub processing. Thereby, it is possible to prevent the cooling medium discharged to the rotation holding unit 1 from leaking out of the cup 11.

【0063】さらに、上記の基板洗浄処理では、基板W
の裏面には回転保持部1の円板状部材6が近接してい
る。このため、冷却媒体が直接基板Wの裏面に吹き掛け
られることが防止され、基板Wに結露が生じることが防
止されるとともに、基板W表面から剥離される氷膜28
が基板Wの裏面に回り込んで付着することが防止され
る。
Further, in the above substrate cleaning process, the substrate W
The disk-shaped member 6 of the rotation holding unit 1 is close to the back surface of the disk. For this reason, the cooling medium is prevented from being sprayed directly on the back surface of the substrate W, dew formation is prevented on the substrate W, and the ice film 28 separated from the surface of the substrate W is prevented.
Is prevented from wrapping around and adhering to the back surface of the substrate W.

【0064】なお、回転保持部1としては、図1〜図3
に示す基板Wの裏面外周部を吸着保持するもののみなら
ず、基板Wの裏面中央部を吸着保持する従来の吸引式の
回転保持部(吸引式スピンチャック)や基板Wの外周端
縁をピン状部材で支持するメカ式の回転保持部(メカ式
スピンチャック)等を用いてもよい。この場合には、冷
却ノズル16から吐出される冷却媒体は回転保持部にの
み吐出されるように調整される。
The rotation holding unit 1 is shown in FIGS.
In addition to the one that holds the outer peripheral portion of the rear surface of the substrate W by suction, the conventional suction-type rotation holding unit (suction type spin chuck) that suctions and holds the central portion of the rear surface of the substrate W, For example, a mechanical rotation holding unit (mechanical spin chuck) supported by a shape member may be used. In this case, the cooling medium discharged from the cooling nozzle 16 is adjusted so as to be discharged only to the rotation holding unit.

【0065】図5は基板洗浄処理の他の例を示すフロー
チャートである。図5に示す基板洗浄工程は、図4に示
す基板洗浄工程に対し、回転保持部1の冷却開始のタイ
ミングが異なり、他の工程は同一である。そこで、図5
においては、同一の工程には図4と同一のステップ番号
を付加し、再度の説明を省略する。
FIG. 5 is a flowchart showing another example of the substrate cleaning process. The substrate cleaning step shown in FIG. 5 differs from the substrate cleaning step shown in FIG. 4 in the timing of starting cooling of the rotation holding unit 1, and the other steps are the same. Therefore, FIG.
In, the same steps are denoted by the same step numbers as in FIG. 4, and description thereof will not be repeated.

【0066】ステップS4において、低速で回転されて
いる基板Wの表面に純水供給ノズル12から純水の吐出
を開始する。そして、純水を供給している間に、冷却ノ
ズル16から冷却媒体を回転保持部1の裏面に吐出し、
回転保持部1および基板Wの冷却処理を開始する(ステ
ップS20)。その後、純水が基板Wの全面に引き伸ば
された状態で純水の吐出を停止する(ステップS2
5)。これにより、基板Wの表面に薄い氷膜28が形成
される(ステップS8)。
In step S4, discharge of pure water from the pure water supply nozzle 12 to the surface of the substrate W rotating at a low speed is started. Then, while supplying pure water, a cooling medium is discharged from the cooling nozzle 16 to the back surface of the rotation holding unit 1,
The cooling process of the rotation holding unit 1 and the substrate W is started (Step S20). Thereafter, the discharge of the pure water is stopped in a state where the pure water is spread over the entire surface of the substrate W (step S2).
5). Thus, a thin ice film 28 is formed on the surface of the substrate W (Step S8).

【0067】このように、純水を吐出しつつ回転保持部
1の冷却処理を開始しても基板Wの全面に氷膜28を形
成することができる。さらに、これ以降の処理は図4に
示す場合と同様である。
As described above, the ice film 28 can be formed on the entire surface of the substrate W even when the cooling process of the rotation holding unit 1 is started while discharging pure water. Further, the subsequent processing is the same as the case shown in FIG.

【0068】なお、上記の実施例において、図4(b)
のステップS4〜S6および図5(b)のステップS
4,S5に示す純水膜26の形成工程は省略してもよ
い。すなわち、基板Wの周囲の雰囲気中には水分が含ま
れている。このため、冷却媒体27により回転保持部1
を冷却することにより、雰囲気中の水分が基板Wの表面
に氷結して氷膜28を形成することも可能である。
In the above embodiment, FIG.
Steps S4 to S6 and step S in FIG.
4 and the step of forming the pure water film 26 shown in S5 may be omitted. That is, the atmosphere around the substrate W contains moisture. Therefore, the rotation holding unit 1 is cooled by the cooling medium 27.
Is cooled, moisture in the atmosphere freezes on the surface of the substrate W to form an ice film 28.

【0069】また、上記の純水を吐出する工程(図4
(b)および図5(b)のステップS4)に代えて、ミ
ストを含んだ空気を基板Wの表面に吹きつけてもよい。
これにより、基板Wの表面にミスト分が付着する。そし
て、これを冷却することにより基板Wの表面に氷膜28
を形成することができる。
Further, the step of discharging the above pure water (FIG. 4)
Instead of (b) and step S4) of FIG. 5B, air containing mist may be blown to the surface of the substrate W.
Thereby, the mist adheres to the surface of the substrate W. Then, by cooling this, the ice film 28 is formed on the surface of the substrate W.
Can be formed.

【0070】なお、上記実施例においては、純水供給ノ
ズル12を用いて純水膜26の形成、氷膜28の除去お
よびブラシスクラブ洗浄を行う例について説明したが、
それぞれ異なるノズルを用いて純水あるいはアルコール
等の他の液体を供給してもよい。
In the above embodiment, an example in which the pure water supply nozzle 12 is used to form the pure water film 26, remove the ice film 28, and perform brush scrub cleaning has been described.
Different liquids such as pure water or alcohol may be supplied using different nozzles.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施例における基板洗浄装置の概略断
面図である。
FIG. 1 is a schematic sectional view of a substrate cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1の基板洗浄装置における回転保持部の一部
切欠き平面図である。
FIG. 2 is a partially cutaway plan view of a rotation holding unit in the substrate cleaning apparatus of FIG.

【図3】図2のX−X線断面図である。FIG. 3 is a sectional view taken along line XX of FIG. 2;

【図4】基板洗浄装置の洗浄動作を示すフローチャート
である。
FIG. 4 is a flowchart illustrating a cleaning operation of the substrate cleaning apparatus.

【図5】基板洗浄装置の洗浄動作の他の例を示すフロー
チャートである。
FIG. 5 is a flowchart illustrating another example of the cleaning operation of the substrate cleaning apparatus.

【図6】基板の洗浄状態の模式図である。FIG. 6 is a schematic diagram of a state of cleaning the substrate.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 回転保持部 2 回転軸 3 モータ 6 円板状部材 7 吸引保持部 11 カップ 11a 孔部 12 純水供給ノズル 14 排液口 16 冷却ノズル 17 シリンダ 18 冷却媒体貯蔵タンク 21 低温化処理部 22 回収管路 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Rotation holding part 2 Rotating shaft 3 Motor 6 Disc-shaped member 7 Suction holding part 11 Cup 11a Hole 12 Pure water supply nozzle 14 Drainage port 16 Cooling nozzle 17 Cylinder 18 Cooling medium storage tank 21 Low temperature processing part 22 Recovery pipe Road

Claims (13)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板を保持して回転駆動される回転保持
部と、 前記回転保持部を氷点下に冷却する冷却手段と、 冷却された前記回転保持部上の前記基板の表面に形成さ
れる氷膜を除去する除去手段とを備えたことを特徴とす
る基板洗浄装置。
A rotating unit configured to hold and rotate the substrate; a cooling unit configured to cool the rotating unit to below freezing; and ice formed on a surface of the substrate on the cooled rotating unit. A substrate cleaning apparatus, comprising: a removing unit that removes a film.
【請求項2】 前記冷却手段は、前記回転保持部に氷点
下の冷却媒体を吐出する冷却媒体吐出ノズルを含むこと
を特徴とする請求項1記載の基板洗浄装置。
2. The substrate cleaning apparatus according to claim 1, wherein the cooling unit includes a cooling medium discharge nozzle for discharging a sub-zero cooling medium to the rotation holding unit.
【請求項3】 前記回転保持部は水平姿勢で基板を回転
させるものであり、前記冷却媒体吐出ノズルは、前記回
転保持部の下方に移動可能に設けられたことを特徴とす
る請求項2記載の基板洗浄装置。
3. The rotation holding section for rotating a substrate in a horizontal posture, and the cooling medium discharge nozzle is provided movably below the rotation holding section. Substrate cleaning equipment.
【請求項4】 前記冷却手段の前記冷却媒体吐出ノズル
から吐出する冷却媒体を貯蔵する貯蔵部と、 前記回転保持部の周囲を取り囲み、排出口が設けられた
カップと、 前記回転保持部に吐出された前記冷却媒体を前記カップ
の前記排出口から回収して前記貯蔵部に導く回収管路
と、 前記回収管路中に設けられ、前記冷却媒体の温度を氷点
下に再調整する温度調整部とをさらに備えたことを特徴
とする請求項2または3に記載の基板洗浄装置。
4. A storage section for storing a cooling medium discharged from the cooling medium discharge nozzle of the cooling means, a cup surrounding the rotation holding section and provided with a discharge port, and discharging to the rotation holding section. A recovery pipe for recovering the cooling medium from the outlet of the cup and guiding the cooling medium to the storage section, and a temperature adjustment section provided in the recovery pipe, for re-adjusting the temperature of the cooling medium to below freezing. The substrate cleaning apparatus according to claim 2, further comprising:
【請求項5】 前記回転保持部に保持された前記基板の
表面に前記氷膜を形成するための水分を供給する水分供
給手段をさらに備えたことを特徴とする請求項1〜4の
いずれかに記載の基板洗浄装置。
5. The apparatus according to claim 1, further comprising a water supply unit for supplying water for forming the ice film on a surface of the substrate held by the rotation holding unit. A substrate cleaning apparatus according to claim 1.
【請求項6】 前記水分供給手段は、前記基板の表面に
純水を供給する純水供給ノズルを含むことを特徴とする
請求項5記載の基板洗浄装置。
6. The substrate cleaning apparatus according to claim 5, wherein said water supply means includes a pure water supply nozzle for supplying pure water to a surface of said substrate.
【請求項7】 前記除去手段は、前記氷膜に液体を吐出
する液体吐出ノズルを含むことを特徴とする請求項1〜
6のいずれかに記載の基板洗浄装置。
7. The apparatus according to claim 1, wherein said removing means includes a liquid discharge nozzle for discharging a liquid to said ice film.
7. The substrate cleaning apparatus according to any one of 6.
【請求項8】 前記回転保持部は、 水平姿勢で回転駆動される円板状部材と、 前記円板状部材の表面に設けられ、前記基板の裏面の周
縁部を吸引保持する吸引保持部とを含むことを特徴とす
る請求項1〜7のいずれかに記載の基板洗浄装置。
8. A disk-shaped member that is driven to rotate in a horizontal posture, a suction holding unit that is provided on a surface of the disk-shaped member, and suction-holds a peripheral edge of a back surface of the substrate. The substrate cleaning apparatus according to any one of claims 1 to 7, further comprising:
【請求項9】 回転保持部に保持された基板の表面を洗
浄する基板洗浄方法であって、 回転保持部を氷点下に冷却して基板の表面に氷膜を形成
する工程と、 前記氷膜を前記基板から除去する工程とを備えたことを
特徴とする基板洗浄方法。
9. A substrate cleaning method for cleaning a surface of a substrate held by a rotation holding unit, comprising: a step of cooling the rotation holding unit below freezing to form an ice film on the surface of the substrate; Removing the substrate from the substrate.
【請求項10】 前記氷膜を形成する工程は、 前記回転保持部に冷却媒体を吐出することによって前記
回転保持部に保持された基板を間接的に冷却することを
特徴とする請求項9記載の基板洗浄方法。
10. The method according to claim 9, wherein the step of forming the ice film indirectly cools the substrate held by the rotation holding unit by discharging a cooling medium to the rotation holding unit. Substrate cleaning method.
【請求項11】 前記回転保持部に冷却媒体を吐出する
前に、前記基板の表面に純水を供給して前記基板の表面
に純水の膜を形成することを特徴とする請求項10記載
の基板洗浄方法。
11. A pure water film is formed on the surface of the substrate by supplying pure water to the surface of the substrate before discharging the cooling medium to the rotation holding unit. Substrate cleaning method.
【請求項12】 前記氷膜を除去する工程は、 前記氷膜の表面に液体を吐出して氷膜を前記基板の表面
から除去することを特徴とする請求項9〜11のいずれ
かに記載の基板洗浄方法。
12. The method according to claim 9, wherein in the step of removing the ice film, a liquid is discharged to a surface of the ice film to remove the ice film from a surface of the substrate. Substrate cleaning method.
【請求項13】 前記液体が高圧の純水であることを特
徴とする請求項12記載の基板洗浄方法。
13. The method according to claim 12, wherein the liquid is high-pressure pure water.
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