KR100506812B1 - 반도체 공정용 수산화암모늄 시료내의 극미량 금속 오염물 분석방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 공정용 수산화암모늄 시료내의 극미량 금속 오염물 분석방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반도체 공정용 시료내의 극미량 금속 오염물 분석방법은 건조단계, 탄화단계, 급랭단계 및 원자화단계로 이루어지는 원자흡광분광기를 이용한 금속원소의 분석방법에서 이들 각 단계들의 온도프로파일을 전처리 공정을 생략할 수 있도록 최적화시킨 것에 특징이 있다.
따라서, 통상의 원자흡광분광기의 고온흑연로 분석 프로그램의 온도프로파일을 최적화함으로써 전처리 공정을 생략하고 수산화암모늄내의 철 및 나트륨 금속 오염물을 효과적으로 분석할 수 있는 효과가 있다.
Description
본 발명은 반도체 공정용 수산화암모늄 시료내의 극미량 금속 오염물 분석방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 전처리 공정을 생략하고 반도체 공정에 사용되는 수산화암모늄 시료내에 존재하는 철 및 나트륨 금속 오염물을 원자흡광분광기를 사용하여 정성 및 정량분석할 수 있는 반도체 공정용 수산화암모늄 시료내의 극미량 금속 오염물 분석방법에 관한 것이다.
통상, 식각공정, 세정공정 등의 다수의 반도체 장치 제조공정에서는 탈이온수(Deionized water)를 포함하여 산성, 염기성 등의 성질을 가진 여러 화학물질들과 수산화암모늄(NH4OH)을 서로 혼합하여 사용하고 있다. 일반적으로 상기 수산화암모늄은 28 내지 30 중량%의 순수 수산화암모늄과 70 내지 72중량%의 탈이온수가 서로 혼합되어 있다.
이에 따라, 상기 수산화암모늄은 반도체 장치를 제조하는데 사용되는 공정용 웨이퍼와 직접적으로 접촉하므로 상기 수산화암모늄의 분석을 통해서 반도체 장치 제조공정의 공정조건들 및 공정결과들을 간접적으로 확인하는 방법이 사용되고 있다.
상기 수산화암모늄의 분석에는 탈이온수와 혼합된 일정량의 수산화암모늄에 다시 일정량의 탈이온수를 혼합하여 희석(Dilution)시키는 전처리 공정을 진행한 후 사용하고 있다.
상기 수산화암모늄의 분석에는 도1에 도시된 바와 같은 원자흡광분광기(AAS : Atomic Absoption Spectrometer)를 사용하여 상기 수산화암모늄 내부에 포함된 철(Fe) 및 나트륨(Na)의 금속오염물의 종류 및 양을 정성, 정량분석하여 왔다. 상기 원자흡광분광기에서는 각각 양자물리학의 양자론에 따라 고유의 특정파장만을 흡수하고, 흡수되는 빛의 양은 시료에 함유되어 있는 원자의 농도에 비례한다는 기본원리를 이용하여 시료를 고온 흑연로 분석 프로그램(HGA Program ; Heating Graphite Analysis)이 적용되는 고온 흑연로 내부에서 건조(Dry) 및 탄화(Ash)시키고 다시 원자화(Atomization)시킨 후, 분석대상 원자가 흡수할 수 있는 특정파장을 갖는 빛을 주사하여 상기 시료에 포함된 분석대상 원자가 빛을 흡수하는 정도를 나타내는 흡광도를 측정함으로써 시료에 포함된 금속 오염물의 종류 및 양을 정성, 정량분석하는 공정이 이루어진다.
상기 원자흡광분광기에는 도1에 도시된 바와 같이 분석하고자 하는 시료에 발광선을 주사할 수 있는 램프(10)가 구비되어 있다. 그리고, 상기 램프(10) 일측에 상기 램프(10)에서 주사된 빛을 단색화시킬 수 있는 제 1 렌즈(12)가 구비되어 있고, 상기 제 1 렌즈(12) 일측에 분석하고자 하는 시료를 드라이(Dry), 애싱(Ashing) 및 원자화(Atomize)시키는 고온흑연로(14)가 구비되어 있다.
또한, 상기 고온흑연로(14) 일측에 제 2 렌즈(16)가 구비되어 있고, 상기 제 2 렌즈(18) 일측에 디텍터(Detector : 20)가 설치되어 있다. 상기 제 2 렌즈(18)는 상기 고온흑연로(14)에서 흡수되고 남은 빛을 디텍터(20)로 보내는 역할을 수행하며, 상기 디텍터(20)는 상기 제 2 렌즈(18)를 통과한 빛을 디텍션함으로서 상기 시료에 포함된 불순물을 정성 및 정량적으로 분석할 수 있도록 되어 있다.
따라서, 시료의 매트릭스(Matrix)를 제거하는 전처리 공정을 진행한 후, 고온흑연로(14) 내부에 전처리 공정이 진행된 분석하고자 하는 시료를 투입한다.
이어서, 램프(10)에서 분석하고자 하는 불순물이 흡수할 수 있는 특정파장의 빛을 제 1 렌즈(12)를 통과하여 고온흑연로(14) 내부에 주사한다.
이에 따라, 고온흑연로(14) 내부에 투입된 시료에 포함된 불순물의 농도에 비례하는 양만큼 시료는 주사된 빛을 흡수하고 그 이외의 빛은 외부로 방출한다.
그리고, 고온흑연로(14)에서 방출된 빛은 제 2 렌즈(16)를 통과하여 디텍터(18)로 주사된다. 이에 따라, 상기 디텍터(18)에서는 시료에 흡수된 양을 제외한 빛이 디텍션됨에 따라 상기 시료에 포함된 불순물의 양을 정량분석할 수 있다.
그러나, 반도체 장치 제조공정에 사용되는 수산화암모늄의 극미량 금속 오염물을 분석할 때, 시료에 포함된 매트릭스를 제거하는 전처리 공정을 필연적으로 수행하여야 하므로 전처리 공정 진행시 시료가 주변환경에 의해서 역오염되는 문제점이 발생하였다.
또한, 전처리 공정을 진행하는데 많은 시간이 소요되는 문제점이 있었다.
본 발명의 목적은, 고온흑연로 분석 프로그램을 최적화하여 전처리 공정을 생략할 수 있는 반도체 공정용 수산화암모늄 시료내의 극미량 금속 오염물 분석방법을 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 공정용 수산화암모늄 시료내의 극미량 철(Fe) 금속 오염물 분석방법은, 건조단계(Drying Step), 탄화단계(Ashing Step), 급랭단계(Quenching Step) 및 원자화단계(Atomizing Step)로 이루어지는 원자흡광분광기를 이용한 반도체 공정용 수산화암모늄 시료내의 극미량 금속 오염물 분석방법에 있어서, 상기 건조단계가 15 내지 25 초간 110 내지 130 ℃로 가열하는 가열단계와 25 내지 35 초간의 온도유지단계로 이루어지고, 상기 탄화단계가 7 내지 13 초간 600 내지 800 ℃ 로 가열하는 가열단계와 2 내지 8 초간의 온도유지단계로 이루어지고, 상기 급랭단계가 0.5 내지 1.5 초간 15 내지 25 ℃ 로 냉각하는 냉각단계와 2 내지 8초간의 온도유지단계로 이루어지고, 상기 원자화단계가 2,000 내지 2,200 ℃로 가열하는 제 1 가열단계와 2 내지 8 초간의 제 1 온도유지단계로 이루어진 제 1 원자화단계와 0.5 내지 1.5 초간 2,500 내지 2,700 ℃로 가열하는 제 2 가열단계와 2 내지 8 초간의 제 2 온도유지단계로 이루어진 제 2 원자화단계로 구분되어 이루어짐을 특징으로 한다.
상기 건조단계, 탄화단계, 제 2 원자화단계 및 제 3 원자화단계가 수행되는 상기 원자흡광기의 고온흑연로 내부에 250 내지 350SCCM(Standard Cubic per Centimeter Minute)의 아르곤가스를 공급할 수 있다.
또한, 상기 원자화된 시료에의 흡광용 광원의 파장은 584 내지 594 ㎚로 이루어짐이 바람직하다.
그리고, 본 발명에 따른 반도체 공정용 수산화암모늄 시료내의 극미량 철(Fe) 금속 오염물 분석방법은, 건조단계(Drying Step), 탄화단계(Ashing Step), 급랭단계(Quenching Step) 및 원자화단계(Atomizing Step)로 이루어지는 원자흡광분광기를 이용한 반도체 공정용 수산화암모늄 시료내의 극미량 금속 오염물 분석방법에 있어서, 상기 건조단계가 15 내지 25 초간 110 내지 130 ℃로 가열하는 가열단계와 25 내지 35 초간의 온도유지단계로 이루어지고, 상기 탄화단계가 7 내지 13 초간 500 내지 700 ℃ 로 가열하는 제 1 가열단계와 2 내지 8 초간의 제 1 온도유지단계로 이루어지는 제 1 탄화단계와 0.5 내지 1.5 초간 1,050 내지 1,250 ℃로 가열하는 제 2 가열단계와 2 내지 8 초간의 제 2 온도유지단계로 이루어지는 제 2 탄화단계로 구분되어 이루어지고, 상기 급랭단계가 0.5 내지 1.5 초간 15 내지 25 ℃ 로 냉각하는 냉각단계와 2 지 8초간의 온도유지단계로 이루어지고, 상기 원자화단계가 2,300 내지 2,500 ℃로 가열하는 제 1 가열단계와 2 내지 8초간의 제 1 온도유지단계로 이루어진 제 1 원자화단계와 0.5 내지 1.5 초간 2,500 내지 2,700 ℃로 가열하는 제 2 가열단계와 2 내지 8 초간의 제 2 온도유지단계로 이루어진 제 2 원자화단계로 구분되어 이루어짐을 특징으로 한다.
상기 건조단계, 탄화단계, 급랭단계 및 제 1 원자화단계가 수행되는 상기 원자흡광기의 고온흑연로 내부에 250 내지 350SCCM(Standard Cubic per Centimeter Minute)의 아르곤가스를 공급할 수 있다.
또한, 상기 원자화된 시료에의 흡광용 광원의 파장은 243.3 내지 253.3 ㎚로 이루어짐이 바람직하다.
이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
본 발명에 따른 반도체 공정용 수산화암모늄 시료내의 극미량 철 금속 오염물 분석방법은 건조단계, 탄화단계, 급랭단계 및 원자화단계로 이루어지는 원자흡광분광기를 이용한 금속원소의 분석방법에서 이들 각 단계들의 온도프로파일을 전처리 공정을 생략할 수 있고, 철(Fe) 및 나트륨(Na)의 각 금속성 불순물의 종류에 따라 분석에 최적의 결과를 나타낼 수 있도록 개별적으로 조절하는 것에 특징이 있다.
먼저, 본 발명에 따른 수산화암모늄 시료내의 나트륨(Na) 금속원소의 분석방법에서의 상기 건조단계가 15 내지 25 초간 110 내지 130 ℃로 가열하는 가열단계와 25 내지 35 초간의 온도유지단계로 이루어지고, 상기 탄화단계가 7 내지 13 초간 500 내지 700 ℃ 로 가열하는 제 1 가열단계와 2 내지 8 초간의 제 1 온도유지단계로 이루어지는 제 1 탄화단계와 0.5 내지 1.5 초간 1,050 내지 1,250 ℃로 가열하는 제 2 가열단계와 2 내지 8 초간의 제 2 온도유지단계로 이루어지는 제 2 탄화단계로 구분되어 이루어지고, 상기 급랭단계가 0.5 내지 1.5 초간 15 내지 25 ℃ 로 냉각하는 냉각단계와 2 지 8초간의 온도유지단계로 이루어지고, 상기 원자화단계가 2,300 내지 2,500 ℃로 가열하는 제 1 가열단계와 2 내지 8초간의 제 1 온도유지단계로 이루어진 제 1 원자화단계와 0.5 내지 1.5 초간 2,500 내지 2,700 ℃로 가열하는 제 2 가열단계와 2 내지 8 초간의 제 2 온도유지단계로 이루어진 제 2 원자화단계로 구분되어 이루어진다.
상기 건조단계, 탄화단계 및 제 2 원자화단계가 수행되는 상기 원자흡광기의 고온흑연로 내부에 250 내지 350SCCM(Standard Cubic per Centimeter Minute)의 아르곤가스를 공급하여 고온흑연로에서 발생되는 흄(Hume)을 제거하고, 고온흑연로가 탄화되는 것을 방지한다.
그리고, 상기 원자화된 시료에의 흡광용 광원의 파장은 584 내지 594 ㎚, 바람직하게는 589 ㎚을 사용함으로서 시료에 포함된 나트륨 불순물이 흡광할 수 있도록 한다.
이하, 본 발명에 따른 반도체 공정용 수산화암모늄 시료내의 극미량 나트륨 금속 오염물 분석방법의 바람직한 실시예를 하기 표1에 나타낸다.
[표 1]
상기 표1을 참조하면, 상기 건조단계가 20 초간 120 ℃로 가열하는 가열단계와 30 초간의 온도유지단계로 이루어지고, 상기 탄화단계가 10 초간 700 ℃ 로 가열하는 가열단계와 5 초간의 온도유지단계로 이루어지고, 상기 급랭단계가 1 초간 20 ℃ 로 냉각하는 냉각단계와 5초간의 온도유지단계로 이루어지고, 상기 원자화단계가 2,100 ℃로 가열하는 제 1 가열단계와 5 초간의 제 1 온도유지단계로 이루어진 제 1 원자화단계와 1 초간 2,600 ℃로 가열하는 제 2 가열단계와 5 초간의 제 2 온도유지단계로 이루어진 제 2 원자화단계로 구분되어 이루어진다. 상기 건조단계, 탄화단계 및 제 2 원자화단계가 수행되는 상기 원자흡광기의 고온흑연로 내부에 250 내지 350SCCM의 아르곤가스를 공급한다.
그리고, 상기 원자화된 시료에의 흡광용 광원의 파장은 589 ㎚를 사용한다.
다음으로, 본 발명에 따른 수산화암모늄 시료내의 철(Fe) 금속원소의 분석방법에서의 상기 건조단계가 15 내지 25 초간 110 내지 130 ℃로 가열하는 가열단계와 25 내지 35 초간의 온도유지단계로 이루어지고, 상기 탄화단계가 7 내지 13 초간 500 내지 700 ℃ 로 가열하는 제 1 가열단계와 2 내지 8 초간의 제 1 온도유지단계로 이루어지는 제 1 탄화단계와 0.5 내지 1.5 초간 1,050 내지 1,250 ℃로 가열하는 제 2 가열단계와 2 내지 8 초간의 제 2 온도유지단계로 이루어지는 제 2 탄화단계로 구분되어 이루어지고, 상기 급랭단계가 0.5 내지 1.5 초간 15 내지 25 ℃ 로 냉각하는 냉각단계와 2 지 8초간의 온도유지단계로 이루어지고, 상기 원자화단계가 2,300 내지 2,500 ℃로 가열하는 제 1 가열단계와 2 내지 8초간의 제 1 온도유지단계로 이루어진 제 1 원자화단계와 0.5 내지 1.5 초간 2,500 내지 2,700 ℃로 가열하는 제 2 가열단계와 2 내지 8 초간의 제 2 온도유지단계로 이루어진 제 2 원자화단계로 구분되어 이루어진다.
상기 건조단계, 탄화단계, 급랭단계 및 제 2 원자화단계가 수행되는 상기 원자흡광기의 고온흑연로 내부에 250 내지 350SCCM의 아르곤가스를 공급할 수 있다.
그리고, 상기 원자화된 시료에의 흡광용 광원의 파장은 243.3 내지 253.3 ㎚, 바람직하게는 248.3㎚로 이루어진다.
이하, 본 발명에 따른 반도체 공정용 수산화암모늄 시료내의 극미량 철 금속 오염물 분석방법의 바람직한 실시예를 하기 표2에 나타낸다.
[표 2]
상기 표2를 참조하면, 상기 건조단계가 20 초간 120 ℃로 가열하는 가열단계와 30 초간의 온도유지단계로 이루어지고, 상기 탄화단계가 10 초간 600 ℃ 로 가열하는 제 1 가열단계와 5 초간의 제 1 온도유지단계로 이루어지는 제 1 탄화단계와 1 초간 1,150 ℃로 가열하는 제 2 가열단계와 5 초간의 제 2 온도유지단계로 이루어지는 제 2 탄화단계로 구분되어 이루어지고, 상기 급랭단계가 1 초간 20 ℃ 로 냉각하는 냉각단계와 5초간의 온도유지단계로 이루어지고, 상기 원자화단계가 2,400 ℃로 가열하는 제 1 가열단계와 5초간의 제 1 온도유지단계로 이루어진 제 1 원자화단계와 1 초간 2,600 ℃로 가열하는 제 2 가열단계와 5 초간의 제 2 온도유지단계로 이루어진다.
상기 건조단계, 탄화단계, 급랭단계 및 제 2 원자화단계가 수행되는 상기 원자흡광기의 고온흑연로 내부에 300 SCCM의 아르곤가스를 공급한다.
그리고, 상기 원자화된 시료에의 흡광용 광원의 파장은 248.3 ㎚로 이루어진다.
분석례1
대조군으로서 0.5ppb의 나트륨 불순물이 함유된 일정량의 수산화나트륨 표준용액을 원자흡광분광기를 사용하여 스펙트럼 분석하고, 전처리 공정이 생략된 0.5ppb의 수산화나트륨 시료를 본 발명에 따라 분석한 스펙트럼 분석한 결과를 도2의 (a) 및 (b)에 나타냈다.
도2를 참조하면, 대조군으로서의 도2의 (a)의 분석결과와 도2의 (b)의 분석결과가 서로 유사함로 본 발명에 따른 반도체 공정용 수산화나트륨 시료내의 극미량 나트륨 오염물 분석방법의 결과에 신뢰성이 있음을 알수 있다.
분석례2
대조군으로서 0.5ppb의 철 불순물이 함유된 일정량의 수산화나트륨 표준용액을 원자흡광분광기를 사용하여 스펙트럼 분석하고, 전처리 공정이 생략된 0.5ppb의 수산화나트륨 시료를 본 발명에 따라 분석한 스펙트럼 분석결과를 도3의 (a) 및 (b)에 나타냈다.
도3을 참조하면, 대조군으로서의 도3의 (a)의 결과와 도3의 (b)의 분석결과가 서로 유사함로 본 발명에 따른 반도체 공정용 수산화나트륨 시료내의 극미량 철 오염불 분석방법의 결과에 신뢰성이 있음을 알수 있다.
따라서, 본 발명에 의하면 통상의 원자흡광분광기의 고온 흑연로 분석 프로그램의 온도프로파일을 최적화함으로써 전처리공정을 생략하고 수산화암모늄 내부의 철 및 나트륨 불순물을 용이하게 정성 및 정량분석할 수 있다.
이에 따라, 종래의 전처리 공정의 진행시 시료가 주변환경에 역오염되는 것을 방지할 수 있고, 분석공정의 진행시간을 단축시킬 수 있는 효과가 있다.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.
도1은 원자흡광분광기의 개략적인 구성도이다.
도2의 a는 0.05ppb의 나트륨 불순물을 함유하는 수산화암모늄 표준용액을 원자흡광분광기에 주입하고 흡광분석한 스펙트럼이고, b는 0.05ppb의 나트륨 불순물을 함유하는 수산화암모늄 시료를 원자흡광분광기에 주입하고 흡광분석한 스펙트럼이다.
도3의 a는 0.05ppb의 철 불순물을 함유하는 수산화암모늄 표준용액을 원자흡광분광기에 주입하고 흡광분석한 스펙트럼이고, b는 0.05ppb의 철 불순물을 함유하는 수산화암모늄 시료를 원자흡광분광기에 주입하고 흡광분석한 스펙트럼이다.
※도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 램프 12 : 제 1 렌즈
14 : 고온흑연로 16 : 제 2 렌즈
18 : 디텍터
Claims (4)
- 건조단계(Drying Step), 탄화단계(Ashing Step), 급랭단계(Quenching Step) 및 원자화단계(Atomizing Step)로 이루어지는 원자흡광분광기를 이용한 반도체 공정용 수산화암모늄 시료내의 극미량 금속 오염물 분석방법에 있어서,상기 건조단계가 15 내지 25초간 110 내지 130℃로 가열하는 가열단계와 25 내지 35초간의 온도유지단계로 이루어지고, 상기 탄화단계가 7 내지 13초간 600 내지 800℃로 가열하는 가열단계와 2 내지 8초간의 온도유지단계로 이루어지고, 상기 급랭단계가 0.5 내지 1.5초간 15 내지 25℃로 냉각하는 냉각단계와 2 내지 8초간의 온도유지단계로 이루어지고, 상기 원자화단계가 2,000 내지 2,200℃로 가열하는 제 1 가열단계와 2 내지 8초간의 제1 온도유지단계로 이루어진 제1 원자화단계와 0.5 내지 1.5초간 2,500 내지 2,700℃로 가열하는 제2 가열단계와 2 내지 8초간의 제2 온도유지단계로 이루어진 제2 원자화단계로 구분되어 이루어지고, 상기 원자화된 시료에의 흡광용 광원의 파장은 584 내지 594nm로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 수산화암모늄 시료내의 극미량 나트륨(Na) 금속 오염물 분석방법.
- 제1 항에 있어서, 상기 건조단계, 탄화단계 및 제2 원자화단계가 수행되는 상기 원자흡광기의 고온흑연로 내부에 250 내지 350SCCM(Standard Cubic per Centimeter Minute)의 아르곤가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 원자흡광기를 이용한 반도체 공정용 수산화암모늄 시료내의 극미량 나트륨(Na) 금속 오염물 분석방법.
- 건조단계(Drying Step), 탄화단계(Ashing Step), 급랭단계(Quenching Step) 및 원자화단계(Atomizing Step)로 이루어지는 원자흡광분광기를 이용한 반도체 공정용 수산화암모늄 시료내의 극미량 금속 오염물 분석방법에 있어서,상기 건조단계가 15 내지 25초간 110 내지 130℃로 가열하는 가열단계와 25 내지 35초간의 온도유지단계로 이루어지고, 상기 탄화단계가 7 내지 13초간 500 내지 700℃로 가열하는 제1 가열단계와 2 내지 8초간의 제1 온도유지단계로 이루어지는 제1 탄화단계와 0.5 내지 1.5초간 1,050 내지 1,250℃로 가열하는 제2 가열단계와 2 내지 8초간의 제2 온도유지단계로 이루어지는 제2 탄화단계로 구분되어 이루어지고, 상기 급랭단계가 0.5 내지 1.5초간 15 내지 25℃ 로 냉각하는 냉각단계와 2 내지 8초간의 온도유지단계로 이루어지고, 상기 원자화단계가 2,300 내지 2,500 ℃로 가열하는 제1 가열단계와 2 내지 8초간의 제1 온도유지단계로 이루어진 제1 원자화단계와 0.5 내지 1.5초간 2,500 내지 2,700℃로 가열하는 제2 가열단계와 2 내지 8초간의 제2 온도유지단계로 이루어진 제2 원자화단계로 구분되어 이루어지고, 상기 원자화된 시료에의 흡광용 광원의 파장은 243.3 내지 253.3nm로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 수산화암모늄 시료내의 극미량 철(Fe) 금속 오염물 분석방법.
- 제3 항에 있어서, 상기 건조단계, 탄화단계, 급랭단계 및 제 2 원자화단계가 수행되는 상기 원자흡광기의 고온흑연로 내부에 250 내지 350SCCM(Standard Cubic per Centimeter Minute)의 아르곤가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 원자흡광기를 이용한 반도체 공정용 수산화암모늄 시료내의 극미량 철(Fe) 금속 오염물 분석방법.
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| KR1019980003249A KR100506812B1 (ko) | 1998-02-05 | 1998-02-05 | 반도체 공정용 수산화암모늄 시료내의 극미량 금속 오염물 분석방법 |
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|---|---|---|---|---|
| US10309937B2 (en) | 2016-02-03 | 2019-06-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for detecting impurities in ammonium hydroxide |
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1998
- 1998-02-05 KR KR1019980003249A patent/KR100506812B1/ko not_active IP Right Cessation
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