KR100488955B1 - 박막 트랜지스터 어레이 및 그 제조 방법 - Google Patents
박막 트랜지스터 어레이 및 그 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100488955B1 KR100488955B1 KR10-2002-0002225A KR20020002225A KR100488955B1 KR 100488955 B1 KR100488955 B1 KR 100488955B1 KR 20020002225 A KR20020002225 A KR 20020002225A KR 100488955 B1 KR100488955 B1 KR 100488955B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- electrode
- layer
- film transistor
- thin film
- external connection
- Prior art date
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 49
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 44
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 38
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 38
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 37
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims abstract description 30
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims abstract description 30
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 7
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 5
- 230000035515 penetration Effects 0.000 abstract description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- -1 Polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010047571 Visual impairment Diseases 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133305—Flexible substrates, e.g. plastics, organic film
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133553—Reflecting elements
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
- G02F1/13452—Conductors connecting driver circuitry and terminals of panels
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
본 발명은 박막 트랜지스터 어레이 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 공정의 증가없이 플라스틱 기판의 보호막을 형성하여 제조 공정 중에 화학 용액이나 플라즈마 등으로부터 기판을 보호하고 제조 후에 수분 및 산소의 침투를 막기 위한 것이다. 이를 위하여 본 발명은 반사 전극의 요철을 형성하기 위하여 기존에 이미 사용되고 있는 수지층을 기존의 비활성층과 함께 플라스틱 기판의 보호막으로 사용한다. 수지 보호막은 플라스틱 기판의 전후면 전체에 수지를 도포한 후 반사 전극부에 도포된 수지에 요철 구조를 형성하고 나머지 부위의 수지를 일정 정도 남겨 놓음으로써 형성될 수 있다.
Description
본 발명은 박막 트랜지스터(thin film transistor; TFT) 어레이 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 플라스틱 기판을 사용하는 반사형 액정 디스플레이(liquid crystal display; LCD)용 박막 트랜지스터 어레이의 구조 및 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반사형 액정 디스플레이용 박막 트랜지스터 어레이에 사용되는 플라스틱 기판은 화학 용액이나 플라즈마 등에 취약하고 수분이나 산소 등을 침투시키는 성질이 크다. 따라서, 제조 공정 중에 화학 용액이나 플라즈마 등으로부터 기판을 보호하고 제조 후에 수분 및 산소의 침투를 막기 위한 보호막의 형성이 필요하다.
이를 위하여, 종래에는 플라스틱 기판의 전후면 전체에 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막 등의 절연막을 형성하고 나서 박막 트랜지스터 어레이를 제조하는 방식이 사용되어 왔다. 그러나, 이러한 방식은 일반적인 유리 기판을 사용하는 경우보다 그 공정이 복잡하고 생산성이 저하되는 문제가 있다.
따라서, 본 발명은 상술한 종래기술에서의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 공정의 증가없이 보호막을 형성하여 생산성을 개선하고 재료 절감 및 설비 운용 효율을 향상시킬 수 있는 박막 트랜지스터 어레이 및 그 제조 방법을 제공하기 위한 것이다.
이러한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 반사 전극의 요철을 형성하기 위하여 기존에 이미 사용되고 있는 수지층을 기존의 비활성층과 함께 플라스틱 기판의 보호막으로 사용하는 박막 트랜지스터 어레이 및 그 제조 방법을 제공한다.
본 발명에 따른 박막 트랜지스터 어레이는, 박막 트랜지스터부와 반사 전극부와 외부 회로부를 포함하는 반사형 액정디스플레이용 박막 트랜지스터 어레이에 있어서, 플라스틱 기판; 상기 플라스틱 기판의 전후면 전체에 형성되고, 반사 전극부에서 요철 구조를 이루는 수지 보호막; 상기 박막 트랜지스터부에서의 수지 보호막 상에 형성된 게이트 전극; 상기 반사 전극부에서의 수지 보호막 상에 형성된 반사 전극; 상기 외부 회로부에서의 수지 보호막 상에 형성되는 제1 외부 연결 전극; 상기 게이트 전극과 반사 전극 및 제1 외부 연결 전극이 형성된 플라스틱 기판 전면의 수지 보호막 상에 형성된 게이트 절연막; 상기 박막 트랜지스터부에서의 게이트 절연막 상에 순차적으로 형성된 활성층과 오믹층 및 소스/드레인 전극; 상기 외부 회로부에서의 게이트 절연막 상에 형성된 제2 외부 연결 전극; 상기 단계까지의 기판 결과물 상에 형성된 비활성층; 상기 소스/드레인 전극과 반사 전극을 각각 노출시키도록 형성된 제1 컨택 홀과 제1 및 제2 외부 연결 전극들을 각각 노출시키도록 형성된 제2 컨택 홀; 및 상기 비활성층 상에 제1 컨택 홀을 통하여 소스/드레인 전극과 반사 전극을 연결시키도록 형성된 제1 연결 패턴과 제2 컨택 홀을 통하여 제1 외부 연결 전극과 제2 외부 연결 전극을 연결시키도록 형성된 제2 연결 패턴을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 어레이의 제조 방법은, 박막 트랜지스터부와 반사 전극부 및 외부 회로부를 포함하는 반사형 액정 디스플레이용 박막 트랜지스터 어레이의 제조 방법에 있어서, 플라스틱 기판을 준비하는 단계; 상기 플라스틱 기판의 전후면 전체 상에 반사 전극부에서 요철 구조를 갖는 수지 보호막을 형성하는 단계; 상기 수지 보호막 상에 금속층을 증착하고 패터닝하여 박막 트랜지스터부 상에 게이트 전극을 형성하고 외부 회로부 상에 제1 외부 연결 전극을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극 및 제1 외부 연결 전극이 형성된 플라스틱 기판 상의 수지 보호막의 전면 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 상기 박막 트랜지스터부의 게이트 절연막 상에 순차적으로 활성층과 오믹층을 형성하는 단계; 상기 활성층과 오믹층이 형성된 결과물 상에 금속층을 증착하고 패터닝하여 상기 오믹층 상에 소스/드레인 전극을 형성하고 외부 회로부의 게이트 절연막 상에 제2 외부 연결 전극을 형성하는 단계; 상기 단계까지의 기판 결과물 상에 비활성층을 형성하는 단계; 상기 비활성층과 게이트 절연막을 식각하여 소스/드레인 전극 및 반사 전극을 각각 노출시키는 제1 컨택 홀과 제1 외부 연결 전극 및 제2 외부 연결 전극을 각각 노출시키는 제2 컨택 홀을 형성하는 단계; 및 상기 비활성층 상에 금속층을 증착하고 패터닝하여 제1 컨택 홀을 통해 소스/드레인 전극과 반사 전극을 연결시키는 제1 연결 패턴 및 제2 컨택 홀을 통해 제1 외부 연결 전극과 제2 외부 연결 전극을 연결시키는 제2 연결 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. (실시예)
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하도록 한다. 첨부 도면에서 각 층 또는 막은 도면의 명확한 이해를 돕기 위해 다소 과장되거나 개략적으로 도시되었음을 밝혀둔다.
도 1 내지 도 8은 본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터 어레이 및 그 제조 방법을 나타내는 단면도이다. 이하, 박막 트랜지스터 어레이의 제조 방법을 위주로 설명이 이루어질 것이나, 그 설명으로부터 박막 트랜지스터 어레이의 구조 또한 명확해질 것이다.
먼저, 도 1을 참조하면, 박막 트랜지스터부(이하, TFT부)와 반사 전극부와 외부 회로부가 동시에 형성될 플라스틱 기판(10)을 준비한다. 플라스틱 기판(10)의 재질로는 예를 들어 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리이미드(polyimide), 폴리에테르설폰(polyethersulphone; PES), 폴리아크릴레이트(polyacrylate; PAR), 폴리에틸렌나프텔레이트(polyethylenenaphthelate; PEN), 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate; PET) 등이 사용될 수 있다.
이어서, 도 2에 도시된 바와 같이, 플라스틱 기판(10)의 전후면 전체에 수지(12, resin)를 도포한다. 이 때 도포된 수지(12)는 제조 공정 도중에 화학 용액이나 플라즈마 등에 의하여 플라스틱 기판(10)이 손상되는 것을 방지하는 보호막을 형성하기 위한 것이다.
이어서, 도 3에 도시된 바와 같이, 수지 보호막(12a)을 형성한다. 수지 보호막(12a)은 회색 색조 마스킹(gray tone masking) 등의 방법을 사용하여 반사 전극부에 도포된 수지에 요철 구조를 형성하고 나머지 부위의 수지도 일정 정도 남겨 놓음으로써 형성된다. 이렇게 해서 형성된 수지층이 공정 중에 플라스틱 기판(10)의 보호막(12a)이 되는 것이다. 반사 전극부에 형성되는 요철 구조는 반사 각도의 조절을 위한 것으로서, 일반적으로 반사형 액정 디스플레이를 만들기 위해서 수지 등으로 요철 구조를 만들고 그 위에 반사 전극을 형성하여 반사 각도를 조절한다. 이와 같이, 기존에 반사 전극부의 요철 구조를 만들기 위해 사용되는 수지를 플라스틱 기판(10) 전체에 형성하여 보호막(12a)으로 이용한다.
이어서, 도 4에 도시된 바와 같이, 수지 보호막(12a) 위에 게이트 전극(14a)과 반사 전극(14b)과 제1 외부 연결 전극(14c)을 동시에 형성한다. 즉, 수지 보호막(12a) 위에 게이트 라인을 위한 금속층을 증착하고 패터닝하여 각각의 전극(14a, 14b, 14c)을 동시에 형성한다. 이 때, 게이트 전극(14a)은 TFT부에 형성하며, 반사 전극(14b)은 반사 전극부에, 제1 외부 연결 전극(14c)은 외부 회로부에 각각 형성한다.
이어서, 도 5에 도시된 바와 같이, 게이트 절연막(16)과 활성층(18)과 오믹층(20)을 순차적으로 형성한다. 게이트 절연막(16)은 기판 전면에 증착하며, 활성층(18)과 오믹층(20)은 TFT부에만 형성되도록 기판 전면에 증착한 후 패터닝한다. 활성층(18)은 비정질(amorphous) 실리콘으로 이루어지며, 오믹층(20)은 오믹 접촉(ohmic contact)을 만들어 전류의 흐름을 보다 원활하게 해 주기 위해 도핑된 비정질 실리콘으로 이루어진다.
이어서, 도 6에 도시된 바와 같이, 소스/드레인 전극(22a)과 제2 외부 연결 전극(22b)을 형성한다. 즉, 데이터 라인을 위한 금속층을 증착한 후 패터닝하여 TFT부에 소스/드레인 전극(22a)을 외부 회로부에 제2 외부 연결 전극(22b)을 형성한다. 소스/드레인 전극(22a)을 형성할 때 그 하부의 오믹층(20)도 일부 식각하여 제거한다.
이어서, 도 7에 도시된 바와 같이, 비활성층(24)과 컨택 홀(26a, 26b)을 형성한다. 비활성층(24, passivation)은 기판 전후면 전체에 형성하며, 박막 트랜지스터 어레이 제조 후 산소 및 수분의 침투를 방지하는 최종 보호막으로 사용한다. 컨택 홀(26a, 26b)은 비활성층(24)과 게이트 절연막(16)의 일부를 식각하여 형성한 것으로서, 제1 컨택 홀(26a)은 소스/드레인 전극(22a)의 일부와 반사 전극(14b)의 일부를 노출시키며, 제2 컨택 홀(26b)은 외부 연결 전극(14c, 22b) 각각의 일부를 노출시킨다.
이어서, 도 8에 도시된 바와 같이, 연결 패턴(28a, 28b)을 형성한다. 연결 패턴(28a, 28b)은 비활성층(24) 위에 금속층을 증착한 후 패터닝하여 형성하며, 제1 연결 패턴(28a)은 제1 컨택 홀(26a)을 통하여 소스/드레인 전극(22a)과 반사 전극(14b)을 전기적으로 연결시키며, 제2 연결 패턴(28b)은 제2 컨택 홀(26b)을 통하여 외부 연결 전극(14c, 22b)을 서로 연결시킨다.
이상 설명한 본 발명의 실시예에 있어서 몇가지 변형이 가능하다.
예를 들어, 도 7에 도시된 바와 같이 컨택 홀(26a, 26b)을 형성하는 단계에서 반사 전극(14b) 위에 있는 게이트 절연막(16)과 비활성층(24)을 제거할 수 있다. 이렇게 하면, 반사 전극(14b)과 액정(도시되지 않음)이 직접 접촉하게 되어 잔상 등에 유리하게 작용할 수 있다. 이 경우 반사 전극(14b)이 최종 보호막의 일부가 된다.
또한, 비활성층(24)을 형성하는 단계에서 기판 전면부에만 비활성층(24)을 형성하여 제조 공정을 좀더 단순화시킬 수도 있다. 이렇게 하면, 기판 후면부에는 수지 보호막(12a)만 남게 되어 수분과 산소 등의 침투에 대한 보호 기능이 다소 저하될 수도 있으나, 기판 전면부에서 수지층(12a)과 비활성층(24)이 각각 보호막의 역할을 수행하고 기판 후면부에서 수지층(12a)이 보호막의 역할을 수행하므로 별다른 문제를 야기시키지는 않을 것이다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 어레이와 그 제조 방법은 기판의 종류에 상관없이 일반적인 반사형 액정 디스플레이의 제조에 반드시 필요한 수지층과 비활성층을 이용하여 플라스틱 기판의 보호막을 형성하기 때문에 보호막으로 사용하기 위하여 추가로 절연막을 형성할 필요가 없다. 따라서, 공정 증가없이 보호막을 형성하는 것이 가능하므로 생산성을 향상시킬 수 있고 재료 절감 및 설비 운용 효율의 향상이 가능해진다.
본 명세서와 도면에는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 개시하였으며, 비록 특정 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명의 기술 내용을 쉽게 설명하고 발명의 이해를 돕기 위한 일반적인 의미에서 사용된 것이지, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시예 외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형예들이 실시 가능하다는 것은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이다.
도 1 내지 도 8은 본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터 어레이 및 그 제조 방법을 나타내는 단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10: 플라스틱 기판 12: 수지
12a: 수지 보호막 14a: 게이트 전극
14b: 반사 전극 14c: 외부 연결 전극
16: 게이트 절연막 18: 활성층
20: 오믹층 22a: 소스/드레인 전극
22b: 외부 연결 전극 24: 비활성층
26a, 26b: 컨택 홀 28a, 28b: 연결 패턴
Claims (6)
- 박막 트랜지스터부와 반사 전극부와 외부 회로부를 포함하는 반사형 액정디스플레이용 박막 트랜지스터 어레이에 있어서,플라스틱 기판;상기 플라스틱 기판의 전후면 전체에 형성되고, 반사 전극부에서 요철 구조를 이루는 수지 보호막;상기 박막 트랜지스터부에서의 수지 보호막 상에 형성된 게이트 전극;상기 반사 전극부에서의 수지 보호막 상에 형성된 반사 전극;상기 외부 회로부에서의 수지 보호막 상에 형성되는 제1 외부 연결 전극;상기 게이트 전극과 반사 전극 및 제1 외부 연결 전극이 형성된 플라스틱 기판 전면의 수지 보호막 상에 형성된 게이트 절연막;상기 박막 트랜지스터부에서의 게이트 절연막 상에 순차적으로 형성된 활성층과 오믹층 및 소스/드레인 전극;상기 외부 회로부에서의 게이트 절연막 상에 형성된 제2 외부 연결 전극;상기 단계까지의 기판 결과물 상에 형성된 비활성층;상기 소스/드레인 전극과 반사 전극을 각각 노출시키도록 형성된 제1 컨택 홀과 제1 및 제2 외부 연결 전극들을 각각 노출시키도록 형성된 제2 컨택 홀; 및상기 비활성층 상에 제1 컨택 홀을 통하여 소스/드레인 전극과 반사 전극을 연결시키도록 형성된 제1 연결 패턴과 제2 컨택 홀을 통하여 제1 외부 연결 전극과 제2 외부 연결 전극을 연결시키도록 형성된 제2 연결 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이.
- 제 1 항에 있어서, 상기 비활성층은 플라스틱 기판의 전후면 전체에 형성되거나, 또는, 전면 상에만 형성된 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이.
- 제 1 항에 있어서, 상기 게이트 절연막과 비활성층은 반사 전극 상부를 제외한 나머지 플라스틱 기판 상부에 형성된 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이.
- 박막 트랜지스터부와 반사 전극부 및 외부 회로부를 포함하는 반사형 액정 디스플레이용 박막 트랜지스터 어레이의 제조 방법에 있어서,플라스틱 기판을 준비하는 단계;상기 플라스틱 기판의 전후면 전체 상에 반사 전극부에서 요철 구조를 갖는 수지 보호막을 형성하는 단계;상기 수지 보호막 상에 금속층을 증착하고 패터닝하여 박막 트랜지스터부 상에 게이트 전극을 형성하고 외부회로부 상에 제1 외부 연결 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극 및 제1 외부 연결 전극이 형성된 플라스틱 기판 상의 수지 보호막의 전면 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 박막 트랜지스터부의 게이트 절연막 상에 순차적으로 활성층과 오믹층을 형성하는 단계;상기 활성층과 오믹층이 형성된 결과물 상에 금속층을 증착하고 패터닝하여 상기 오믹층 상에 소스/드레인 전극을 형성하고 외부 회로부의 게이트 절연막 상에 제2 외부 연결 전극을 형성하는 단계;상기 단계까지의 기판 결과물 상에 비활성층을 형성하는 단계;상기 비활성층과 게이트 절연막을 식각하여 소스/드레인 전극 및 반사 전극을 각각 노출시키는 제1 컨택 홀과 제1 외부 연결 전극 및 제2 외부 연결 전극을 각각 노출시키는 제2 컨택 홀을 형성하는 단계; 및상기 비활성층 상에 금속층을 증착하고 패터닝하여 제1 컨택 홀을 통해 소스/드레인 전극과 반사 전극을 연결시키는 제1 연결 패턴 및 제2 컨택 홀을 통해 제1 외부 연결 전극과 제2 외부 연결 전극을 연결시키는 제2 연결 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이의 제조 방법.
- 제 4 항에 있어서, 상기 제1 컨택 홀과 상기 제2 컨택 홀을 형성하는 단계는 상기 반사 전극 위에 있는 게이트 절연막과 비활성층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이의 제조 방법.
- 제 4 항에 있어서, 상기 비활성층을 형성하는 단계는플라스틱 기판의 전후면 전체 상에 형성하거나, 또는, 전면 상에만 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이의 제조 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2002-0002225A KR100488955B1 (ko) | 2002-01-15 | 2002-01-15 | 박막 트랜지스터 어레이 및 그 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2002-0002225A KR100488955B1 (ko) | 2002-01-15 | 2002-01-15 | 박막 트랜지스터 어레이 및 그 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20030061585A KR20030061585A (ko) | 2003-07-22 |
| KR100488955B1 true KR100488955B1 (ko) | 2005-05-11 |
Family
ID=32218063
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-2002-0002225A KR100488955B1 (ko) | 2002-01-15 | 2002-01-15 | 박막 트랜지스터 어레이 및 그 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100488955B1 (ko) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101108774B1 (ko) * | 2005-03-30 | 2012-02-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| CN106292043B (zh) * | 2015-05-29 | 2019-10-25 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 电连接结构及阵列基板 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08186267A (ja) * | 1994-12-27 | 1996-07-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法および電気光学装置 |
| JPH10261803A (ja) * | 1997-03-18 | 1998-09-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
| JPH10270711A (ja) * | 1997-03-25 | 1998-10-09 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 薄膜トランジスタ |
| KR20010002981A (ko) * | 1999-06-19 | 2001-01-15 | 구본준 | 수소화 비정질실리콘 박막트랜지스터의 저온 제조방법 |
-
2002
- 2002-01-15 KR KR10-2002-0002225A patent/KR100488955B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08186267A (ja) * | 1994-12-27 | 1996-07-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法および電気光学装置 |
| JPH10261803A (ja) * | 1997-03-18 | 1998-09-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
| JPH10270711A (ja) * | 1997-03-25 | 1998-10-09 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 薄膜トランジスタ |
| KR20010002981A (ko) * | 1999-06-19 | 2001-01-15 | 구본준 | 수소화 비정질실리콘 박막트랜지스터의 저온 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20030061585A (ko) | 2003-07-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100456151B1 (ko) | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법 | |
| KR100583311B1 (ko) | 액정표시패널 및 그 제조 방법 | |
| KR100598737B1 (ko) | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법 | |
| US7527989B2 (en) | Method for fabricating liquid crystal display panel | |
| JP4422648B2 (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
| US10192905B2 (en) | Array substrates and the manufacturing methods thereof, and display devices | |
| US7907228B2 (en) | TFT LCD structure and the manufacturing method thereof | |
| EP2743984B1 (en) | Array substrate and the method for manufacturing the same, and liquid crystal display device | |
| KR100421480B1 (ko) | 유기절연막의 표면처리 방법 및 그를 이용한박막트랜지스터 기판 제조방법 | |
| US20070031642A1 (en) | Adhesive tape for a flexible display device and method of manufacturing a flexible display device using the same | |
| US20110303920A1 (en) | Thin film transistor having a copper signal line and method of manufacturing the same | |
| KR20050122654A (ko) | 박막트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조방법 | |
| US9268182B2 (en) | Color filter substrate, TFT array substrate, manufacturing method of the same, and liquid crystal display panel | |
| JPH04257826A (ja) | アクティブマトリクス基板の製造方法 | |
| KR100488955B1 (ko) | 박막 트랜지스터 어레이 및 그 제조 방법 | |
| KR100769162B1 (ko) | 액정표시소자 및 그 제조방법 | |
| US7116389B2 (en) | Liquid crystal display device and method of manufacturing the same | |
| KR101097675B1 (ko) | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 | |
| KR100599958B1 (ko) | 고개구율 및 고투과율 액정표시장치의 제조방법 | |
| KR20080101534A (ko) | 플렉서블 액정표시패널의 제조방법 | |
| KR100621858B1 (ko) | 액정표시소자의 제조방법 | |
| KR100304918B1 (ko) | 액정표시장치용 박막트랜지스터 기판의 제조방법 | |
| KR20020080866A (ko) | 박막 트랜지스터 액정표시장치의 제조방법 | |
| KR100687347B1 (ko) | 컬러 필터 집적 방식 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법 | |
| KR20080046442A (ko) | 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130417 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140421 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150416 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160418 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170417 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180424 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190502 Year of fee payment: 15 |