KR100487937B1 - 마그네트론 - Google Patents

마그네트론 Download PDF

Info

Publication number
KR100487937B1
KR100487937B1 KR10-2002-0050786A KR20020050786A KR100487937B1 KR 100487937 B1 KR100487937 B1 KR 100487937B1 KR 20020050786 A KR20020050786 A KR 20020050786A KR 100487937 B1 KR100487937 B1 KR 100487937B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
negative electrode
metal container
cathode
stem insulator
filament
Prior art date
Application number
KR10-2002-0050786A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20030019137A (ko
Inventor
무라오노리유키
하세가와세츠오
나카이사토시
오카다노리유키
미키카즈키
Original Assignee
산요덴키가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 산요덴키가부시키가이샤 filed Critical 산요덴키가부시키가이샤
Publication of KR20030019137A publication Critical patent/KR20030019137A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100487937B1 publication Critical patent/KR100487937B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J23/00Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00
    • H01J23/14Leading-in arrangements; Seals therefor
    • H01J23/15Means for preventing wave energy leakage structurally associated with tube leading-in arrangements, e.g. filters, chokes, attenuating devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/86Vessels; Containers; Vacuum locks
    • H01J29/865Vacuum locks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/24Manufacture or joining of vessels, leading-in conductors or bases
    • H01J9/32Sealing leading-in conductors
    • H01J9/323Sealing leading-in conductors into a discharge lamp or a gas-filled discharge device

Landscapes

  • Microwave Tubes (AREA)

Abstract

본 발명은 마그네트론에 관한 것으로, 스템(stem)절연체의 통형상의 금속용기의 접합부와 음극 리드(cathode lead)의 사이에서 발생하는 방전을 확실하게 방지할 수 있는 것을 과제로 한다.
양극(anode)(8)의 중심축부에 필라멘트(14)가 배치된 음극(cathode)(13)을 한 쌍의 음극 리드(17)에 의해 지지하고,상기 양극(8)의 양단에 대략 중앙에 관통구멍(19a)이 형성된 한 쌍의 자극편(19)을 배치하고, 스템 절연체(21)에 형성된 접합면(25)에 통형상 금속 용기(24)의 타단 개구부(24b)를 기밀접합시켜 상기 타단 개구부(24b)에 상기 음극 리드(17)측에 연설(延設)된 원주형의 차양부(24c)를 형성하고 상기 스템 절연체(21)의 바닥면(26a)을 상기 차양부(24c)로 덮도록 하였다.

Description

마그네트론{Magnetron}
 본 발명은 전자렌지 등에 탑재되고 마이크로파를 발생시키는 마그네트론에 관한 것이다.
 종래의 전자렌지용 마그네트론의 음극 부분은 예를 들면 일본국 특공평 7-62979호 공보(H01J 23/14, H01J 9/24, H01J 23/12)에 기재되어 있는 바와 같이 토륨(thorium) 텅스텐으로 이루어지는 필라멘트의 양단(兩端)이 각각 한 쌍의 끝머리에 고정되고 이 끝머리에는 몰리브덴(Mo)등으로 형성된 음극 리드가 고정되어 있다. 이러한 음극 리드는 스템 절연체의 관통구멍을 관통하여 외부에 연설되고 이 스템 절연체의 외주의 금속화(metalize)면에는 양극의 일단부에 고정되는 통형상 금속 용기가 납재등에 의해 납땜되어 있다.그리고 양극의 양단에는 중앙부에 관통 구멍이 형성된 한 쌍의 자극편이 배치되고 미도시 된 자석의 자력을 필라멘트 부근에 유도하도록 하고 있다.
이와 같은 구조의 마그네트론에서는 일반적으로 양극과 일체 접합되는 통형상 금속 용기는 어스(earth)전위가 되고, 이에 대해서 필라멘트,음극 리드 등으로 구성되는 음극에 마이너스 전압,예를 들면 4kV의 고전압을 인가하여 상기 음극축에 자계를 가하고, 또한 필라멘트로부터 전자를 방출시키기 위하여 전류를 보내면 전자가 선회하고 이 선회하는 전자가 양극의 고주파 전계와 동기하고 발진하여 마이크로파가 방출된다.이 발진 동작시 필라멘트의 표면에서 토륨이나 텅스텐 등의 금속물이 증발하고 있으므로 이러한 금속물이 자극편의 관통구멍을 통과하여, 스템 절연체의 바닥면에 부착하고 통형상 금속 용기의 접합면과 음극 리드와의 절연저항을 서서히 저하시키고 있었다.
그리고 누출(leakage) 트랜스를 사용하는 전자렌지에서는 필라멘트를 예열하는 경우 없이 전원을 ON으로 하면, 필라멘트로부터 전자가 방출되지 않는 초기 단계에 있어서, 마그네트론에 8∼10kV의 무(無)부하전압이 가해지기 때문에 통형상 금속용기의 접합면과 음극리드와의 절연저항이 저하되어 있으면, 스템 절연체의 바닥면을 이용하여 통형상 금속용기의 접합면과 음극 리드와의 사이에서 방전이 발생하고 서지(surge)전압을 유도하여 고압 부품을 파괴하는 문제가 있었다.
본 발명은,스템 절연체의 통형상 금속용기의 접합부와 음극 리드와의 사이에서 발생하는 방전을 확실하게 방지할 수 있는 마그네트론을 제공하는 것을 과제로 한다.
본 발명은,일단(一端)개구부가 양극에 기밀 접합되어 진공 용기의 일부를 구성하는 통형상 금속 용기와,상기 양극의 양단에 배치되고 대략 중앙으로 관통구멍이 형성된 한 쌍의 자극편과, 상기 양극의 중심축부에 필라멘트가 배치된 음극을 지지하는 한 쌍의 음극 리드와, 이 음극 리드가 관통하는 관통구멍이 형성된 스템 절연체를 구비한 마그네트론으로서,상기 통형상 금속용기의 타단(他端)개구부가 상기 스템 절연체의 주위에 형성된 접합면에 기밀 접합되고, 상기 타단 개구부에 상기 음극 리드 측에 연설(延設)된 원주형상의 차양부를 형성한 것을 특징으로 한다.
상기 구성에 의해 상기 음극에 마이너스 전압,예를 들면 4kV의 고전압을 인가하고 상기 음극 축에 자계를 부가하고 또한 상기 필라멘트로부터 전자를 방출시키기 위하여 전류를 흐르게 하면 전자가 선회하고,이 선회하는 전자가 양극의 고주파 전계와 동기하고 발진하여 마이크로파가 방출된다.
그리고 발진 동작 시, 상기 필라멘트의 표면에서 예를 들면 상기 필라멘트의 원재료 성분인 토륨이나 텅스텐 등의 금속물이 증발하여도 상기 스템 절연체의 바닥면은 상기 차양부에 의해 덮혀져 있으므로 이 바닥면에 토륨이나 텅스텐 등의 금속물이 부착하기 어려워지고, 상기 통형상 금속용기의 접합면과 상기 음극 리드 사이의 절연 저항의 저하를 억제하는 것이 가능하다. 따라서 상기 음극으로부터 전자가 방출되지 않는 초기 단계에 있어서, 상기 음극에 8∼10kV의 무부하전압이 인가되어도 상기 통형상 금속용기의 접합면과 상기 음극 리드와의 사이에서 발생하는 방전을 방지 할 수 있다.
또한, 상기 차양부의 내주위부는 상기 자극편의 관통구멍보다도 내측에 위치하는 것을 특징으로 하기 때문에, 상기 필라멘트의 표면에서 증발하는 토륨이나 텅스텐등의 금속물이 자극편의 관통구멍을 통하여 침입하여도, 상기 차양부가 상기 자극편의 중앙구멍의 내측으로 돌출하여 상기 스템 절연체의 바닥면을 덮고 있고, 적어도 상기 관통구멍보다 외측의 바닥면에는 금속물이 부착할수 없게 되기 때문에 상기 통형상 금속용기의 접합면과 상기 음극 리드와의 사이에서 발생하는 방전을 방지할 수 있다.
또한, 상기 스템 절연체는 상기 접합면과 상기 음극 리드와의 사이에 오목부를 형성한 것을 특징으로 하기 때문에 상기 통형상 금속 용기의 접합면과 상기 음극 리드와의 연면 거리(creepage distance for insulation)가 길어지게 되어 절연 저항이 증가하고, 상기 통형상 금속용기의 접합면과 상기 음극 리드와의 사이에서 발생하는 방전을 방지할 수 있다.
또한, 일단 개구부가 양극에 기밀 접합되고 진공용기의 일부를 구성하는 통형상 금속 용기와, 상기 양극의 양단에 배치되고 대략 중앙에 관통구멍이 형성된 한 쌍의 자극편과 상기 양극의 중심축부에 필라멘트가 배치된 음극을 지지하는 한 쌍의 음극 리드와 상기 음극 리드가 관통하는 관통구멍이 형성된 스템 절연체를 구비한 마그네트론으로서, 상기 통형상 금속용기의 타단 개구부가 상기 스템 절연체의 주위에 형성된 접합면에 기밀접합 되고 상기 접합면과 상기 음극 리드와의 사이에 오목부를 형성하고 상기 통형상 금속용기의 타단 개구부에 상기 오목부에 개입하는 절곡부(折曲部)를 형성한 것을 특징으로 한다.
상기 구성에 의해 필라멘트의 표면에서 토륨이나 텅스텐 등의 금속물이 증발해도 상기 절곡부가 상기 오목부의 벽면을 덮고 있기 때문에 이 벽면에 토륨이나 텅스텐 등의 금속물이 부착하기 어려워지고, 상기 통형상 금속용기의 접합면과 상기 음극 리드 사이의 절연저항의 저하를 억제하는 것이 가능하다. 따라서 상기 음극으로부터 전자가 방출되지 않는 초기 단계에 있어서, 상기 음극에 8∼10kV 의 무(無)부하전압이 인가되어도 상기 통형상 금속용기의 접합면과 상기 음극 리드와의 사이에서 발생하는 방전을 방지할 수 있다.
또한, 상기 절곡부를 상기 오목부 바닥면까지 근접한 것을 특징으로 하기 때문에 상기 절곡부가 상기 오목부 벽면 전체를 덮고 있고 금속물이 벽면에 부착하는 경우 없이 상기 통형상 금속 용기의 접합면과 상기 음극 리드와의 사이에서 발생하는 방전을 확실하게 방지할 수 있다.
본 발명의 제1의 실시예에 관하여 도면에 의거하여 상세히 기술한다.
도 1 은 본 발명의 제1의 실시예를 나타내는 마그네트론의 요부 종 단면도이고,도 2 는 본 발명의 제1의 실시예를 나타내는 마그네트론의 요부 종단면도이고,도 3 은 본 발명의 제1의 실시예를 나타내는 마그네트론의 요부 횡면도이고, 도 4 는 본 발명의 제1의 실시예를 나타내는 마그네트론의 스템 절연체의 상면도이고,도 5 는 스템 절연체의 다른 실시 형태를 나타내는 도이다.
1 은 요크(yoke)(2)와 방열핀(3)으로 덮혀진 2극 진공관인 마그네트론의 본체부이다.
4는 잡음을 억제하기 위한 콘덴서(5)와 초크코일(choke coil)(6)이 내장된 케이스로 이 케이스(4)의 개구부는 잡음이 외부에 누설되지 않도록 덮개(7)가 밀착하여 장착되어 있다.
8은 마그네트론의 양극으로 이 양극(8)은 무산소동(無酸素銅)으로 형성되고, 상기 본체부(1)의 진공벽의 일부를 구성하는 양극 원통(9)과 이 양극 원통(9)의 내주에 방사형으로 설치된 짝수매의 베인(Vane)(10)과 이 베인(10)을 1장마다 소직경(小徑)(내측)의 내 스트랩 링(11)과 대직경(大徑)(외측)의 외 스트랩 링(12)으로 접속하고 안정된 π 모드로 발진하도록 구성되어 있다.
13은 토륨이 약 1%로 잔여부가 텅스텐으로 형성된 필라멘트(14)의 양단을 첫머리(15) 및 끝머리(16)에 의해 끼워(狹持)진 음극으로 이 음극(13)은 한 쌍의 음극 리드(17)로 지지되어 있다.
18은 상기 양극(8)의 상하에 배치되는 원고리형상의 영구자석이다.
19는 중앙부에 관통구멍(19a)이 형성된 자극편으로 이 자극편(19)은 상기 영구 자석(18)의 아래 방향으로 배치되고, 상기 베인(10)의 선단과 상기 음극(13)과의 사이의 작용 공간에 상기 영구자석(18)의 자계를 집중시키도록 하고 있다.
20은 금속 합금 등으로 이루어지는 외부단자로 이 외부단자(20)는 상기 음극 리드(17)를 끼워 관통(揷通)하고 다음에 기술하는 스템 절연체(21)에 납땜으로 기밀 접합되고, 상기 외부단자(20)로부터의 급전에 의해 상기 필라멘트(14)로부터 열전자가 방사된다.이 때의 상기 필라멘트(14)의 온도는 약 1800℃의 고온으로 이루어져 있기 때문에 동작시에는 상기 필라멘트(14)의 표면에서 토륨이나 텅스텐 등의 금속물이 증발하고 있다.
21은 알루미나 세라믹 등으로 이루어지는 고내열성의 스템 절연체로 이 스템 절연체에 형성된 한 쌍의 관통구멍(21a)에는 상기 음극 리드(17)가 끼워져 관통하고 있다.
21b는 상기 스템 절연체(21)의 주변부에 경사 모양으로 형성된 절결부로 이 절결부(21b)를 검지센서(22)로 검지시켜서 상기 외부 단자(20)가 위치 결정되도록 되어있다. 이 구성에 의해, 상기 외부단자(20)의 위치결정을 비접촉으로 행할 수 있기 때문에 외부단자에 접촉하여 위치 결정을 행하는 작업에 비하여 트러블 발생시 상기 외부단자(20)에 이상한 힘이 가해져 상기 외부단자(20)를 변형시키는 경우가 없어지기 때문에 상기 외부단자(20)로의 급전을 확실하게 행할 수 있다.또한 상기 검지 센서(22)로 검지시키기 위해서는 상기 절결부(21b)의 구성 이외에 도 5 에 도시되는 바와 같은 상기 스템 절연체(21)의 주변부에 홈(23)을 형성하여도 상관없다.
24는 일단 개구부(24a)를 상기 양극(8)에 접합하고 타단 개구부 (24b)를 상기 스템 절연체(21)의 주위에 형성된 접합면(25)에 납땜으로 접합하여 기밀 접합되어 있는 통형상 금속 용기이다.그리고 상기 타단 개구부(24b)에는 상기 음극 리드(17)측에 연설(延設)된 원주형상의 차양부(24c)가 형성되고 이 차양부(24c)의 내주변부를 상기 자극편(19)의 관통구멍(19a)보다도 내측으로 튀어나오도록 하고 있다.이 구성에 의해 상기 필라멘트(14)의 표면에서 토륨이나 텅스텐 등의 금속물이 증발하여 상기 관통구멍(19a)으로부터 침입하여도 상기 차양부(24c)가 다음에 기술하는 오목부(26)의 바닥면(26a)을 덮고 있기 때문에 이 바닥면(26a)에 토륨이나 텅스텐등의 금속물이 부착하기 어려워지고 절연 저항의 저하를 억제하도록 이루고 있다.
26은 상기 통형상 금속용기(24)의 접합면(25)과 상기 음극 리드(17)와의 사이에 형성된 원형상의 오목부로 이 오목부(26)에 의해 상기 통형상 금속용기(24)의 접합면(25)과 상기 음극 리드(17)와의 연면 거리가 길어지고 상기 통형상 금속용기(24)의 접합면(25)과 상기 음극 리드(17)와의 사이에서 발생하는 방전을 억제할 수 있도록 하고 있다.
상기 기술하는 구성에 의해 상기 음극(13)에 마이너스 전압,예를 들면 4kV의 고전압을 인가하고 또한, 상기 외부단자(20)로부터 상기 필라멘트(14)에 약10A의 전류가 흐르도록 급전하면 상기 영구자석(18)으로부터의 자계에 의해 상기 필라멘트(14)로부터 방출되는 전자가 선회하고 이 선회하는 전자가 상기 양극(8)의 고주파 전계와 동기하여 발진하고 마이크로파가 방출된다.
그리고 동작시에 있어서 상기 필라멘트(14)의 표면에서 토륨이나 텅스텐 등의 금속물이 증발하여도 상기 차양부(24c)가 상기 스템 절연체(21)의 바닥면(26a)을 덮고 있기 때문에 이 바닥면(26a)에 토륨이나 텅스텐 등의 금속물이 부착하기 어려워지고, 상기 통형상 금속용기(24)의 접합면(25)과 상기 음극 리드(17)사이의 절연저항의 저하를 억제 할 수 있다. 따라서 상기 음극(13)으로부터 전자가 방출되지 않는 초기 단계에 있어서, 상기 음극(13)에 8∼10kV의 무부하 전압이 인가되어도 상기 바닥면(26a)을 이용하여 상기 통형상 금속용기(24)의 접합면(25)과 상기 음극 리드(17)와의 사이에서 발생하는 방전을 방지 할 수 있다.
또한, 상기 필라멘트(14)의 표면에서 증발하는 토륨이나 텅스텐 등의 금속물이 상기 자극편(19)의 관통구멍(19a)을 통하여 침입하여도 상기 차양부(24c)의 내주변부가 상기 관통구멍(19a)의 내측으로 돌출하여 상기 스템 절연체(21)의 바닥면(21a)을 덮고 있기 때문에 적어도 상기 관통구멍(19a)보다 외측의 바닥면(21a)에는 금속물이 부착되는 경우가 없어지고, 상기 통형상 금속용기(24)의 접합면(25)과 상기 음극 리드(17)와의 사이에서 발생하는 방전을 방지 할 수 있다.
또한,상기 스템 절연체(20)는 상기 접합면(25)과 상기 음극 리드(17)와의 사이에 상기 오목부(26)가 형성되어 있기 때문에, 상기 통형상 금속용기(24)의 접합면(25)과 상기 음극 리드(17)와의 연면 거리가 길어져 절연 저항이 증가하고 상기 통형상 금속용기(24)의 접합면(25)과 상기 음극 리드(17)와의 사이에서 발생하는 방전을 보다 확실하게 방지 할 수 있다.
다음으로, 본 발명의 제 2 의 실시예에 관하여 도면에 기초하여 설명한다. 또한 상기 기술한 제 1 실시예와 동일 구성에 관해서는 동일 번호를 부여하고 설명을 생략한다.
도 6 은 본 발명의 제 2 의 실시예에 있어서의 요부 종단면도이다.
27은 일단 개구부(27a)를 상기 양극(8)에 접합하고, 타단 개구부(27b)를 상기 스템 절연체(21)의 주위에 형성된 접합면(25)에 납땜으로 접합하여 기밀 접합되어 있는 통형상 금속용기이다.
27c는 상기 통형상 금속용기(27)로 형성되고 상기 타단 개구부(27b)로부터 상기 오목부(26)의 바닥면(26a)에 근접하여 접어 굽혀진 절곡부로 이 절곡부(27c)는 상기 오목부(26)의 벽면(26b)전체를 덮도록 형성되어 있다.이 구성에 의해 상기 필라멘트(14)의 표면에서 토륨이나 텅스텐 등의 금속물이 증발하고 있어도, 상기 절곡부(27c)가 상기 오목부(26)의 벽면(26b)전체를 덮고 있으므로 이 벽면(26b)에 토륨이나 텅스텐 등의 금속물이 부착이 없어지고, 상기 통형상 금속용기(27)의 접합면(25)과 상기 음극 리드(17)사이의 절연저항의 저하를 억제하도록 되어 있다.
상기 구성에 의해 동작시에 있어서, 상기 필라멘트(14)의 표면에서 토륨이나 텅스텐 등의 금속물이 증발하여도 상기 절곡부(27c)가 상기 오목부(26)의 벽면(26b)을 덮고 있으므로 이 벽면(26b)에 토륨이나 텅스텐 등의 금속물이 부착하기 어려워지고 절연저항의 저하를 억제 할 수 있다. 따라서 상기 음극(13)으로부터 전자가 방출되지 않는 초기 단계에 있어서, 상기 음극(13)에 8∼10kV의 무부하전압이 인가되어도 상기 통형상 금속용기(27)의 접합면(25)과 상기 음극 리드(17)와의 사이에서 발생하는 방전을 방지 할 수 있다.
또한, 상기 절곡부(27c)를 상기 오목부(26)의 바닥면(26a)까지 근접하고 있기 때문에 상기 오목부(26)의 벽면(26b) 전체가 상기 절곡부(27c)에 의해 덮혀지기 때문에,상기 벽면(26b)에 금속물의 부착이 없어지고 상기 통형상 금속용기(27)의 접합면(25)과 상기 음극 리드(17)와의 사이에서 발생하는 방전을 확실하게 방지 할 수 있다.
본 발명의 청구항 1에 의하면 양극의 양단에 배치되고 대략 중앙에 관통구멍이 형성된 한 쌍의 자극편과, 상기 양극의 중심축부에 필라멘트가 배치된 음극을 지지하는 한 쌍의 음극 리드와 이 음극 리드가 관통하는 관통구멍이 형성된 스템 절연체를 구비하고, 상기 통형상 금속용기의 타단 개구부가 상기 스템 절연체의 주위에 형성된 접합면에 기밀 접합되고, 상기 타단 개구부에 상기 음극 리드 측에 연설된 원주형상의 차양부를 형성하였기 때문에 상기 필라멘트의 표면으로부터 토륨이나 텅스텐 등의 금속물이 증발하여도 상기 스템 절연체의 바닥면은 상기 차양부에 의해 덮혀져 있고, 이 바닥면에 토륨이나 텅스텐 등의 금속물이 부착하기 어려워지고,절연저항의 저하가 억제된다. 따라서 상기 음극에서 전자가 방출되지 않는 초기 단계에 있어서, 상기 음극에 8∼10kV의 무부하전압이 인가되어도 상기 통형상 금속용기의 접합면과 상기 음극 리드와의 사이에서 발생하는 방전을 방지 할 수 있는 등의 효과를 이룬다.
본 발명의 청구항 2에 의하면 상기 차양부의 내주변부는 상기 자극편의 관통구멍보다도 내측에 위치하기 때문에, 상기 필라멘트의 표면에서 증발하는 토륨이나 텅스텐 등의 금속물이 자극편의 관통구멍을 통하여 침입하여도 상기 차양부가 상기 자극편의 관통구멍의 내측에 돌출하여 상기 스템 절연체의 바닥면을 덮고 있고 적어도 상기 관통구멍보다 외측의 바닥면에는 금속물이 부착하는 경우가 없기 때문에, 상기 통형상 금속용기의 접합면과 상기 음극 리드와의 사이에서 발생하는 방전을 방지 할 수 있는 등의 효과를 이룬다.
본 발명의 청구항 3에 의하면 상기 스템 절연체는 상기 접합면과 상기 음극 리드와의 사이에 오목부를 형성하였기 때문에 상기 통형상 금속용기의 접합면과 상기 음극 리드와의 연면 거리가 길어져 절연저항이 증가하고 상기 통형상 금속용기의 접합면과 상기 음극 리드와의 사이에서 발생하는 방전을 확실하게 방지 할 수 있는 등의 효과를 이룬다.
본 발명의 청구항 4에 의하면 양극의 양단에 배치되고 대략 중앙에 관통구멍이 형성된 한 쌍의 자극편과, 상기 양극의 중심축부에 필라멘트가 배치된 음극을 지지하는 한 쌍의 음극 리드와, 이 음극 리드가 관통하는 관통구멍이 형성된 스템 절연체를 구비하고 상기 통형상 금속 용기의 타단 개구부가 상기 스템 절연체의 주위에 형성된 접합면에 기밀 접합되고, 상기 접합면과 상기 음극 리드와의 사이에 오목부를 형성하고, 상기 통형상 금속용기의 타단 개구부를 상기 오목부에 개입하는 절곡부를 형성하였기 때문에 상기 필라멘트의 표면에서 토륨이나 텅스텐등의 금속물이 증발하여도, 상기 오목부의 벽면은 상기 절곡부에 의해 덮혀져 있고, 이 벽면에 토륨이나 텅스텐 등의 금속물이 부착하기 어려워지고 절연저항의 저하가 억제된다. 따라서 상기 음극으로부터 전자가 방출되지 않는 초기 단계에 있어서, 상기 음극에 8∼10kV의 무부하 전압이 인가되어도 상기 통형상 금속용기의 접합면과 상기 음극 리드와의 사이에서 발생하는 방전을 방지 할 수 있는 등의 효과를 이룬다.
본 발명의 청구항 5에 의하면 상기 절곡부를 상기 오목부의 바닥면까지 근접하였기 때문에 상기 오목부의 벽면 전체가 상기 절곡부에 의해 덮혀 져 있고, 금속물이 벽면으로 부착하는 경우가 없어지기 때문에 상기 통형상 금속용기의 접합면과 상기 음극 리드와의 사이에서 발생하는 방전을 확실하게 방지 할 수 있는 등의 효과를 이룬다.
 도 1 은 본 발명의 제1의 실시예를 나타내는 마그네트론의 요부 종단면도이다.
도 2 는 본 발명의 제1의 실시예를 나타내는 마그네트론의 요부 종단면도이다.
도 3 은 본 발명의 제1의 실시예를 나타내는 마그네트론의 요부 횡 면도이다.
도 4 는 본 발명의 제1의 실시예를 나타내는 마그네트론의 스템 절연체의 상면도이다.
도 5 는 스템 절연체의 다른 실시 형태를 나타내는 도이다.
도 6은 본 발명의 제2의 실시예에 있어서의 요부종단면도이다.
  * 주요 부위를 나타내는 도면부호의 설명 *
24a : 일단(一端) 개구부 5 : 양극(anode)
24 : 통형상 금속 용기 19a : 자극편(磁極片)의 관통구멍
19 : 자극편 14 : 필라멘트
13 : 음극(cathode ) 17 : 음극 리드(cathode lead )
21 : 스템(stem) 절연체     24b : 타단(他端) 개구부
25 : 접합면   24c : 차양부
26 : 오목부 27c : 절곡부(折曲部)

Claims (5)

  1. 일단 개구부가 양극에 기밀 접합되고 진공용기의 일부를 구성하는 통형상 금속용기와,
    상기 양극의 양단에 배치되고 대략 중앙에 관통구멍이 형성된 한 쌍의 자극편과,
    상기 양극의 중심축부에 필라멘트가 배치된 음극을 지지하는 한 쌍의 음극 리드와, 이 음극 리드가 관통하는 관통구멍이 형성된 스템 절연체를 구비한 마그네트론으로서,
    상기 통형상 금속용기의 타단 개구부가 상기 스템 절연체의 주위에 형성된 접합면에 기밀 접합되고,
    상기 타단 개구부에 상기 음극 리드 측으로 연설된 원주형상의 차양부를 형성하며,
    상기 차양부의 내주변부는 상기 자극편의 관통구멍보다 내측에 위치하는 것을 특징으로 하는 마그네트론.
  2. 제 1 항에 있어서, 
    상기 스템 절연체는 상기 접합면과 상기 음극 리드와의 사이에 오목부를 형성한 것을 특징으로 하는 마그네트론.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
KR10-2002-0050786A 2001-08-31 2002-08-27 마그네트론 KR100487937B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2001-00262940 2001-08-31
JP2001262940A JP2003077401A (ja) 2001-08-31 2001-08-31 マグネトロン

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20030019137A KR20030019137A (ko) 2003-03-06
KR100487937B1 true KR100487937B1 (ko) 2005-05-06

Family

ID=19089768

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2002-0050786A KR100487937B1 (ko) 2001-08-31 2002-08-27 마그네트론

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2003077401A (ko)
KR (1) KR100487937B1 (ko)
CN (1) CN1187783C (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2447977B (en) * 2007-03-30 2011-08-10 E2V Tech Magnetrons
GB0721556D0 (en) * 2007-11-02 2007-12-12 Siemens Magnet Technology Ltd Current leadthrough for cryostat
CN104619059B (zh) * 2014-12-19 2016-04-13 西南交通大学 磁控管阴极电缆微波泄漏防护装置
CN111952136A (zh) * 2019-05-17 2020-11-17 核工业西南物理研究院 高功率微波真空管阴极和灯丝连接器

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56107451A (en) * 1980-01-30 1981-08-26 Nec Home Electronics Ltd Stem for magnetron
JPS6298537A (ja) * 1985-10-25 1987-05-08 Toshiba Corp 電子レンジ用マグネトロン
JPH0432133A (ja) * 1990-05-25 1992-02-04 Hitachi Ltd マグネトロンの陰極支持構体
JPH08138564A (ja) * 1994-11-01 1996-05-31 Sanyo Electric Co Ltd マグネトロン

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56107451A (en) * 1980-01-30 1981-08-26 Nec Home Electronics Ltd Stem for magnetron
JPS6298537A (ja) * 1985-10-25 1987-05-08 Toshiba Corp 電子レンジ用マグネトロン
JPH0432133A (ja) * 1990-05-25 1992-02-04 Hitachi Ltd マグネトロンの陰極支持構体
JPH08138564A (ja) * 1994-11-01 1996-05-31 Sanyo Electric Co Ltd マグネトロン

Also Published As

Publication number Publication date
CN1404092A (zh) 2003-03-19
CN1187783C (zh) 2005-02-02
JP2003077401A (ja) 2003-03-14
KR20030019137A (ko) 2003-03-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0187033B1 (en) Magnetron with a ceramic stem having a cathode support structure
US5508583A (en) Cathode support structure for magnetron
KR100487937B1 (ko) 마그네트론
EP1804269A2 (en) Magnetron
KR100210065B1 (ko) 마그네트론의 캐소드구조
US5621269A (en) Cathode assembly of a magnetron
KR100269478B1 (ko) 마그네트론의 폴피스구조
KR100231037B1 (ko) 마그네트론
US4325003A (en) Magnetron
KR0136192Y1 (ko) 마그네트론의 음극지지구조체
KR100490606B1 (ko) 마그네트론
JPH06196362A (ja) マグネトロン用貫通コンデンサ
KR100269477B1 (ko) 마그네트론의 출력부구조
KR200152142Y1 (ko) 마그네트론의 베인
KR0168178B1 (ko) 마그네트론의 양극구조
KR0125459Y1 (ko) 마그네트론의 양극부 구조
JPS6298537A (ja) 電子レンジ用マグネトロン
JP2003068220A (ja) マグネトロン
JP2003016952A (ja) マグネトロン
KR940008587Y1 (ko) 마그네트론 음극부의 에프세라믹
KR200169605Y1 (ko) 마그네트론
JPS6323868Y2 (ko)
KR19990001149A (ko) 고주파 발진장치의 필라멘트 체결방법
JP2005093327A (ja) マグネトロン装置及びその製造方法
JPH0423371B2 (ko)

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee