KR100475746B1 - 반도체소자 제조설비의 배기 시스템 및 그 방법 - Google Patents

반도체소자 제조설비의 배기 시스템 및 그 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체소자 제조를 위하여 식각 공정 또는 화학기상증착 공정을 포함한 각 공정을 수행하는 설비로부터 배출되는 미반응 가스 또는 반응 부산물 등의 각종 가스가 배기라인을 통해 원활하게 배출될 수 있도록 하는 반도체소자 제조설비의 배기 시스템 및 그 방법에 관한 것으로서, 이에 대한 특징적인 구성은, 공정챔버와 배기덕트 사이의 배기라인 상에 유체 유동을 제어하기 위하여 적어도 하나 이상의 펌프와 제어밸브를 구비하여 이루어진 반도체소자 제조설비의 배기 시스템에 있어서, 상기 펌프와 제어밸브를 포함한 배기라인의 내부에 유동하는 유체에 대하여 노출되게 설치한 히터와; 상기 펌프와 제어밸브 및 히터를 포함하여 각각의 구동을 제어하는 제어부로 이루어진다. 이러한 구성에 의하면, 공정챔버의 내부로부터 배출되는 각종 가스는 배기라인 상에 구비한 히터에 직접적인 영향을 받아 그 증착 정도가 현저히 감소되고, 이를 통해 이를 통해 각 구성부를 포함한 제조설비의 세정 주기가 연장되어 세정 작업에 의한 제조설비의 분해와 조립의 회수를 줄임으로써 작업의 번거로움을 저감할 뿐 아니라 제소설비의 가동률과 생산성이 향상되는 효과가 있다.

Description

반도체소자 제조설비의 배기 시스템 및 그 방법{exhaust system of equipment for semiconductor device fabrication and method there of}
본 발명은 반도체소자 제조를 위하여 식각 공정 또는 화학기상증착 공정을 포함한 각 공정을 수행하는 설비로부터 배출되는 미반응 가스 또는 반응 부산물 등의 각종 가스가 배기라인을 통해 원활하게 배출될 수 있도록 하는 반도체소자 제조설비의 배기 시스템에 관한 것이다.
일반적으로 반도체소자는 웨이퍼 상에 포토리소그래피, 식각(etching), 애싱(ashing), 확산, 화학기상증착, 이온주입 및 금속증착 등의 공정을 선택적이고도 반복적으로 수행하여 적어도 하나 이상의 도전층, 반도체층, 부도체층 등을 조합되게 적층하는 과정을 통해 만들어진다.
상술한 반도체소자 제조공정 중 식각, 애싱, 확산, 화학기상증착, 금속증착 등의 공정은 웨이퍼가 놓이는 공정챔버 내부에 공정가스를 공급하고, 이들 공정가스를 플라즈마 상태로 변환시키거나 고온 분위기에 있도록 하여 웨이퍼 상에서 소망하는 반응이 이루어지도록 하는 것이다.
한편, 공정 과정의 공정챔버 내부에는, 공정 진행에 따른 폴리머 등의 반응 부산물이나 반응하지 못한 미반응 가스 등 각종 가스가 존재하고, 이들 가스들은 공정이 진행되는 과정 및 연이은 다음 공정에 대하여 공정 불량의 요인으로 작용함에 따라 정상적인 공정을 위하여 배기 과정을 거친다.
여기서, 상술한 바와 같이, 공정챔버 내부에 잔존하는 각종 가스를 배출시키기 위한 배기 시스템의 종래 기술에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 살펴보기로 한다.
종래 기술에 따른 반도체소자 제조설비의 배기 시스템은, 도 1에 도시된 바와 같이, 공정이 이루어지는 공정챔버(10)와 배기덕트(12) 사이에 배기라인(14)을 가설하고, 이 배기라인(14) 상에는 제어부(도면의 단순화를 위하여 생략함)의 제어신호에 따라 구동하여 공정챔버(10) 내에 잔존하는 각종 가스를 배기덕트(12)로 유도 및 제어하기 위한 적어도 하나 이상의 펌프(22, 24)와 제어밸브(16, 20) 등의 구성을 구비하여 이루어진다.
또한, 상술한 배기라인(14) 상의 제어밸브(16, 20) 중 공정챔버(10)에 근접하는 부위의 제어밸브(16)는, 배기라인(14)과 연통하게 연결 대응하는 관 형상의 밸브가드(16a)와, 이 밸브가드(16a)의 일측 부위에 외측에서 내측 중심 방향으로 소정 깊이로 관통하여 회전 가능한 환봉 형상의 밸브로드(16c)와, 밸브가드(16a) 내의 밸브로드(16c)에 고정된 형상으로 회전 위치에 따라 밸브가드(16a)를 통한 유체의 유동을 차단하는 밸브판(16b) 및 제어부로부터 인가되는 제어신호에 따라 밸브로드(16c)를 통한 밸브판(16b)의 회전 위치를 제어하는 구동부(16d)를 포함하여 이루어진 게이트밸브가 주로 사용되어 진다.
이러한 배기 시스템의 구성에 있어서, 공정챔버(10)에서 배기덕트(12)로 유동하는 각종 가스는 통상 공정챔버(10) 내의 가열 분위기에서 상대적으로 낮은 온도 수준의 배기라인(14)을 통과하게 됨에 따라 급격한 온도 변화로 배기라인(14) 내벽에 파우더 형태로 증착이 이루어진다. 특히 공정챔버(10)에 근접한 배기라인(14)상에 설치된 제어밸브(16) 즉, 게이트밸브의 설치 부위에는 급격한 온도 변화의 직접적인 작용에 의해 그 증착 정도가 다른 부위에 비교하여 더욱 심화된다.
이렇게 배기라인(14)과 이에 구비한 각종 펌프(22, 24) 및 제어밸브(16, 20)를 포함한 각 구성 부위에 각종 가스의 증착은 공정챔버(10) 내부에 잔존하는 각종 불필요한 가스를 배출시키기 위한 진공압의 전달을 저해하여 공정 불량을 초래할 뿐 아니라 역류하거나 비상하는 현상이 발생되면 공정챔버(10)와 그 내부에 장착되는 웨이퍼 등의 오염 또는 손상시키는 문제를 야기한다.
또한, 진공압의 전달이 비정상적으로 이루어지는 것은 작업시간을 지연시킴을 의미하고, 불필요한 각종 가스가 존재하는 상태에서 공정을 진행할 경우 공정 불량이 초래되며, 이러한 문제를 방지하기 위하여 설비의 세정 주기가 단축되며, 그에 따른 각 구성의 분해 조립의 번거로움과 작업시간의 지연에 따른 설비의 가동률과 생산성이 저하되는 문제가 있었다.
상술한 문제를 해결하기 위하여 종래의 기술 구성은, 도 1 또는 도 2에 도시된 바와 같이, 증착되는 부위의 외측에 그 부위에 대한 온도 변화의 영향을 받지 않도록 하기 위하여 전원인가에 따라 발열하는 히터(18a)를 구비한 히팅자켓(18)을 감싸는 형상으로 설치하는 구성이 있었으나 그 히터의 발열에 비교하여 그 효율이 저감되고, 또 내부에 작용하는 온도 상태를 정확하게 감지 및 제어하기 어려운 문제가 있었다.
본 발명의 목적은, 상술한 종래 기술에 따른 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 공정의 진행 과정 또는 공정 종료에 관계하여 공정챔버로부터 배출되는 각종 가스가 배기라인 상에 증착되는 것을 방지토록 하여 웨이퍼 및 공정챔버를 포함한 각 구성부의 오염 및 손상을 방지토록 하고, 세정 주기 및 각부 구성의 수명을 연장시키도록 하며, 이를 통해 작업자의 번거로움을 줄이도록 함과 동시에 제조설비의 가동률과 생산성 및 제조수율을 향상시키도록 하는 반도체소자 제조설비 배기 시스템 및 그 방법을 제공함에 있다.
또한, 배기라인 상에 각종 가스에 의한 증착 방지를 위하여 전원공급 및 그에 따른 발열효율과 안정적인 제어가 가능하도록 하는 반도체소자 제조설비의 배기시스템 및 그 방법을 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징은, 공정챔버와 배기덕트 사이의 배기라인 상에 유체 유동을 제어하기 위하여 적어도 하나 이상의 펌프와 제어밸브를 구비하여 이루어진 반도체소자 제조설비의 배기 시스템에 있어서, 상기 펌프와 제어밸브를 포함한 배기라인의 내부에 유동하는 유체에 대하여 노출되게 설치한 히터와; 상기 펌프와 제어밸브 및 히터를 포함하여 각각의 구동을 제어하는 제어부로 이루어진다.
또한, 상기 히터가 설치되는 각 부위에 절연막으로 코팅하고, 상기 히터는 상기 절연막으로 코팅된 표면에 밀착 고정되게 설치토록 함이 바람직하고, 이때 사용되는 상기 절연막으로는 세라믹, 석영, 합성수지 중 적어도 어느 하나 이상이 각각의 층으로 조합하는 것으로 함이 바람직하다.
그리고, 상기 공정챔버에 근접하는 상기 배기라인 상에 구비한 제어밸브는, 상기 배기라인과 연통하는 관 형상의 밸브가드와; 상기 밸브가드의 일측으로부터 관통하여 회전 가능한 밸브로드와; 상기 밸브가드 내의 상기 밸브로드에 고정되어 회전 위치에 따라 상기 밸브가드를 통한 유체의 유동을 차단하는 밸브판; 및 상기 제어부로부터 인가되는 제어신호에 따라 상기 밸브로드를 통한 밸브판의 회전 위치를 제어하는 구동부를 포함하여 이루어진 게이트밸브로 구성하고, 상기 히터는 상기 밸브판의 가장자리 부위가 근접 위치됨에 대응하는 상기 밸브가드 내벽 주연에 가열 부위가 절연되어 노출된 상태로 있도록 하고, 이들 가열 부위로부터 연장된 전원선 부위는 대응하는 상기 밸브가드의 측벽을 관통하여 상기 제어부로 하여금 전원인가를 제어하도록 연결시킨 구성으로 이루어질 수 있다.
이러한 제어밸브의 다른 구성은, 상기 배기라인과 연통하는 관 형상의 밸브가드와; 상기 밸브가드의 일측으로부터 관통하여 회전 가능한 밸브로드와; 상기 밸브가드 내의 상기 밸브로드에 고정되어 회전 위치에 따라 상기 밸브가드를 통한 유체의 유동을 차단하는 밸브판; 및 상기 제어부로부터 인가되는 제어신호에 따라 상기 밸브로드를 통한 밸브판의 회전 위치를 제어하는 구동부를 포함하여 이루어진 게이트밸브로 구성하고, 상기 히터는 상기 밸브판 표면에 가열 부위가 각각 절연되어 노출된 상태로 있도록 하고, 가열 부위로부터 연장된 전원선 부위는 대응하는 상기 밸브로드를 관통하여 상기 제어부로 하여금 전원인가를 제어하도록 연결시킨 구성으로 이루어질 수도 있는 것이며, 이들 각 구성 부위에 대하여 히터의 설치 관계를 조합한 것으로 형성할 수도 있는 것이다.
이러한 구성에 더하여 상기 밸브가드과 상기 밸브판 중 적어도 한 곳 이상에 상기 히터에 의한 가열 온도를 감지하여 상기 제어부에 그 신호를 인가하도록 하는 온도센서를 더 구비토록 함이 바람직하고, 이러한 온도센서의 설치는 다시 상기 펌프와 제어밸브를 포함한 배기라인 상에 상기 히터에 의한 각 부위의 온도 상태를 감지하여 상기 제어부에 그 신호를 인가하도록 하는 것으로 이루어질 수도 있다.
한편, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체소자 제조설비의 배기방법은, 공정챔버와 배기덕트 사이에 제어부에 의해 구동하는 펌프와 제어밸브를 포함한 각 구성부를 구비한 배기라인으로 이루어진 반도체소자 제조설비의 배기 시스템에 있어서, 상기 펌프와 제어밸브를 포함한 배기라인의 내부에 유동하는 유체에 대하여 노출되게 설치하여 상기 제어부에 의해 발열의 제어가 이루어지는 히터와; 상기 히터에 의한 가열 온도를 감지하는 온도센서를 구비하여, 상기 공정챔버 내에 공정을 진행하기에 앞서 상기 히터에 전원을 인가하여 가열시켜 설정 온도 상태로 유지시키는 단계와; 상기 공정챔버 내부의 공정 진행과 공정 종료에 대응하여 상기 배기라인을 통한 진공압을 전달하는 단계; 및 상기 공정챔버의 구동 정지로부터 설정시간 동안 진공압을 전달하고, 그 진공압 전달의 종료 시점에서 상기 히터의 구동을 정지시키는 단계를 포함하여 이루어진다.
이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체소자 제조설비의 배기 시스템에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체소자 제조설비의 배기 시스템 구성 중 게이트밸브에 대한 그 적용 관계를 나타낸 사시도이고, 도 4는 본 발명에 따른 반도체소자 제조설비의 배기 시스템 구성 중 유체 통로를 이루는 부위에 대한 적용 예를 나타낸 부분 절취 단면도이며, 종래와 동일한 부분에 대하여 동일한 부호를 부여하고, 그에 따른 상세한 설명은 생략하기로 한다.
본 발명에 따른 반도체소자 제조설비의 배기 시스템은, 도 1에 참조한 종래의 기술 설명에서와 같이, 공정이 이루어지는 공정챔버(10)와 배기덕트(12) 사이에 배기라인(14)이 가설되어 있고, 이 배기라인(14) 상에는 제어부(도면의 단순화를 위하여 생략함)의 제어신호에 따라 구동하여 공정챔버(10) 내에 잔존하는 각종 가스를 배기덕트(12)로 유도 및 제어하기 위한 적어도 하나 이상의 펌프(22, 24)와 제어밸브(20, 30) 등의 구성을 구비하고 있다.
또한, 상술한 배기라인(14) 상의 각 구성부위에는, 도 3 또는 도 4에 도시된 바와 같이, 공정챔버(10)로부터 배기덕트(12)로 유동하는 각종 가스 즉, 유체의 유동에 대하여 직접적으로 노출되게 설치되어 제어부의 제어에 따라 인가되는 전원에 의해 그 주위를 가열시키도록 발열하는 히터(34a, 34b, 34c)를 구비하고 있다.
이러한 히터(34a, 34b, 34c)는 그 설치 부위가 도체로 이루어진 경우 절연이 요구되고, 이에 따라 그 설치되는 부위에 대하여 절연막(46)으로 코팅하고, 상술한 히터(34a, 34b, 34c)의 발열 부위는 절연막(46)의 표면에 밀착된 상태로 있도록 함이 바람직하다. 그리고, 상술한 절연막(46)의 재질은 유동하는 유체의 증착됨을 저감시키도록 내약품성과 내식성을 갖는 것과 또 히터의 발열에 직접적인 접촉에 대하여 내열성을 갖는 것으로 함이 바람직하고, 이러한 절연막(46)의 재질로는 세라믹, 테프론(합성수지), 석영 등의 재질이 사용될 수 있다.
이러한 히터(34a, 34b, 34c)의 설치 구성 중 공정챔버(10)에 근접한 배기라인(14) 상에 설치되는 제어밸브(30)는, 종래 기술 설명에서 언급된 바와 같이, 밸브가드(32)와, 밸브로드(38)와, 밸브판(36) 및 구동부(40)를 포함하여 이루어진 게이트밸브로 구성하고, 이에 대한 히터(34a, 34b)의 설치는 밸브판(36)의 가장자리 부위와 밸브판(36)의 차단에 대응하여 근접 위치되는 밸브가드(32) 내벽 주연에 가열(발열) 부위가 절연되어 노출된 상태로 있도록 하고, 이들 가열(발열) 부위로부터 연장된 전원선 부위는 대응하는 밸브가드(32)의 측벽 또는 밸브로드(38)를 관통하여 제어부로 연결된다.
또한, 제어밸브(20, 30)나 펌프(22, 24) 등의 구성부를 제외한 유체 통로를 이루는 배기라인(14)의 관로(44) 상에는 히터(34c)를 관로(44)의 형성 방향으로 연장 설치하는 구성으로 이루어질 수 있고, 이들 관로(44) 중 굴곡된 부위 등 각종 가스의 증착 가능성이 높은 부위에는, 도 4에 도시된 바와 같이, 그 내벽에 나사 형상하고, 그 표면에 절연막을 증착 코팅한 상태에서 히터(34c)를 나사의 골 부위를 따라 촘촘하도록 배치하여 이루어질 수 있는 것이다. 이때 상술한 히터(34c)의 단부는 역시 관로(44)를 이루는 배기라인(14)의 소정 부위를 관통하여 외측으로 연장되어 상술한 제어부에 연결한 구성으로 이루어지며, 또 이들 히터(34c)는 배기라인(14)의 각 부위에 대하여 소정 간격을 이루도록 구비하여 이루어질 수도 있는 것이다.
그리고, 상술한 히터(34a, 34b, 34c)가 설치되는 각 펌프(22, 24)와 제어밸브(20, 30)를 포함한 배기라인(14) 상에는 히터(34a, 34b, 34c)에 의한 각 부위의 온도 상태를 감지하여 제어부에 그 신호를 인가하도록 하는 온도센서(42)를 그 측정이 요구되는 부위에 적어도 하나 이상 더 구비하여 이루어진다.
상술한 배기 시스템의 구성에 의하면, 공정챔버(10)에서 배기덕트(12)로 유체의 유동 통로를 이루는 각 구성부를 갖는 배기라인(14) 내부 즉, 유체에 노출되는 각 부위에 대하여 공정챔버(10)의 가열 분위기 이상의 가열 분위기를 형성하는 히터(34a, 34b, 34c)가 설치됨으로써 유동하는 유체에 대하여 온도 변화에 따른 증착 정도를 저감시키고, 특히 공정챔버(10)에 근접한 배기라인(14)상에 설치된 제어밸브(30) 즉, 게이트밸브와 같이 그 증착 가능성이 높은 부위에 대하여는 그 히터(34a, 34b)의 설치 비율 즉, 가열(발열) 정도를 더욱 높이도록 함으로써 그 증착을 예방할 수 있게 된다.
그리고, 상술한 공정의 진행 과정에서 히터(34a, 34b, 34c)는 가스의 유동에 대응하여 계속적인 발열 상태를 유지토록 함이 바람직하다. 이에 대하여 상술한 공정챔버(10)에서 공정 진행을 장시간 정지시키도록 함에 있어서 공정챔버(10) 내부에 잔존하는 각종 가스의 배출이 설정 범위 이상으로 배출된 이후 즉, 공정챔버(10)의 공정 정지로부터 설정 시간 동안 진공압을 제공하여 배기덕트(12)로의 유체 유동을 제어한 후 상술한 히터(34a, 34b, 34c)의 온도를 서서히 저감토록 함으로써 남은 잔류가스가 히터(34a, 34b, 34c)에 증착되는 것을 방지할 수 있는 것이다. 이로부터 히터(34a, 34b, 34c)의 정상적인 구동과 그 사용 수명 등 안정적인 사용이 가능하게 된다.
따라서, 공정챔버(10)에서 배기덕트(12)로 이어지는 배기라인(14) 상의 유체 유동통로를 히터(34a, 34b, 34c)로 가열시켜 그 증착을 방지토록 함과 동시에 그 온도 상태를 온도센서(42)로 감지하여 설정 온도 범위로 유지되게 함으로써 안정적인 가스 배출이 장시간 지속될 수 있는 것이다.
따라서, 본 발명에 의하면, 공정챔버로부터 배출되는 각종 가스의 증착이 있는 배기라인의 각 부위에 대하여 가열시키기 위한 히터가 가스의 유동 통로 내부에 노출되게 설치됨으로써 공정의 진행 과정 또는 공정 종료에 관계하여 공정챔버로부터 배출되는 각종 가스가 배기라인 상에 증착되는 것을 보다 효과적으로 방지하고, 이를 통한 웨이퍼 및 공정챔버를 포함하여 각 구성부의 오염 및 손상을 방지하는 효과가 있다.
또한, 증착 정도를 저감시키게 됨에 의해 각부 구성에 대한 세정 주기 및 각부 구성의 수명이 연장되며, 이를 통해 작업자의 번거로움을 줄이고, 제조설비의 가동률과 생산성 및 제조수율이 향상되는 효과가 있다.
그리고, 배기라인 상에 각종 가스에 의한 증착 방지를 위하여 전원공급 및 그에 따른 발열효율의 증대와 안정적인 제어가 이루어지는 등의 효과가 있다.
본 발명은 구체적인 실시예에 대해서만 상세히 설명하였지만 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 변형이나 변경할 수 있음은 본 발명이 속하는 분야의 당업자에게는 명백한 것이며, 그러한 변형이나 변경은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 할 것이다.
도 1은 종래 기술에 따른 반도체소자 제조설비의 배기 시스템을 개략적으로 나타낸 구성도이다.
도 2는 도 1의 배기 시스템 구성 중 게이트밸브의 구성을 나타낸 부분 절취 사시도이다.
도 3은 본 발명에 따른 반도체소자 제조설비의 배기 시스템 구성 중 게이트밸브에 대한 그 적용 관계를 나타낸 사시도이다.
도 4는 본 발명에 따른 반도체소자 제조설비의 배기 시스템 구성 중 유체 통로를 이루는 부위에 대한 적용 예를 나타낸 부분 절취 단면도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
10: 공정챔버 12: 배기덕트
14: 배기라인 16, 20, 30: 제어밸브
18: 히팅자켓 22, 24: 펌프
46: 절연막

Claims (8)

  1. (정정)
    공정챔버와 배기덕트 사이의 배기라인 상에 유체 유동을 제어하기 위하여 적어도 하나 이상의 펌프와 제어밸브를 구비하여 이루어진 반도체소자 제조설비의 배기 시스템에 있어서,
    상기 펌프와 제어밸브를 포함한 배기라인의 내부에 유동하는 유체에 대하여 노출되게 설치되어지며, 제어부의 제어에 따라 인가되는 전원에 의해 유체를 가열시키기 위하여 발열하는 히터와;
    상기 펌프와 제어밸브 및 히터를 포함하여 각각의 구동을 제어하는 제어부로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체소자 제조설비의 배기 시스템.
  2. (삭제)
  3. (삭제)
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 공정챔버에 근접하는 상기 배기라인 상에 구비한 제어밸브는, 상기 배기라인과 연통하는 관 형상의 밸브가드와; 상기 밸브가드의 일측으로부터 관통하여 회전 가능한 밸브로드와; 상기 밸브가드 내의 상기 밸브로드에 고정되어 회전 위치에 따라 상기 밸브가드를 통한 유체의 유동을 차단하는 밸브판; 및 상기 제어부로부터 인가되는 제어신호에 따라 상기 밸브로드를 통한 밸브판의 회전 위치를 제어하는 구동부를 포함하여 이루어진 게이트밸브로 구성하고, 상기 히터는 상기 밸브판의 가장자리 부위가 근접 위치됨에 대응하는 상기 밸브가드 내벽 주연에 가열 부위가 절연되어 노출된 상태로 있도록 하고, 이들 가열 부위로부터 연장된 전원선 부위는 대응하는 상기 밸브가드의 측벽을 관통하여 상기 제어부로 하여금 전원인가를 제어하도록 연결시켜 이루어짐을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조설비의 배기 시스템.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 공정챔버에 근접하는 상기 배기라인 상에 구비한 제어밸브는, 상기 배기라인과 연통하는 관 형상의 밸브가드와; 상기 밸브가드의 일측으로부터 관통하여 회전 가능한 밸브로드와; 상기 밸브가드 내의 상기 밸브로드에 고정되어 회전 위치에 따라 상기 밸브가드를 통한 유체의 유동을 차단하는 밸브판; 및 상기 제어부로부터 인가되는 제어신호에 따라 상기 밸브로드를 통한 밸브판의 회전 위치를 제어하는 구동부를 포함하여 이루어진 게이트밸브로 구성하고, 상기 히터는 상기 밸브판 표면에 가열 부위가 각각 절연되어 노출된 상태로 있도록 하고, 가열 부위로부터 연장된 전원선 부위는 대응하는 상기 밸브로드를 관통하여 상기 제어부로 하여금 전원인가를 제어하도록 연결시켜 이루어짐을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조설비의 배기 시스템.
  6. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
    상기 밸브가드과 상기 밸브판 중 적어도 한 곳 이상에 상기 히터에 의한 가열 온도를 감지하여 상기 제어부에 그 신호를 인가하도록 하는 온도센서를 더 구비하여 이루어짐을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조설비의 배기 시스템.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 히터가 설치되는 상기 펌프와 제어밸브를 포함한 배기라인 상에 상기 히터에 의한 각 부위의 온도 상태를 감지하여 상기 제어부에 그 신호를 인가하도록 하는 온도센서를 적어도 하나 이상 더 구비하여 이루어짐을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조설비의 배기 시스템.
  8. 공정챔버와 배기덕트 사이에 제어부에 의해 구동하는 펌프와 제어밸브를 포함한 각 구성부를 구비한 배기라인으로 이루어진 반도체소자 제조설비의 배기 시스템에 있어서, 상기 펌프와 제어밸브를 포함한 배기라인의 내부에 유동하는 유체에 대하여 노출되게 설치하여 상기 제어부에 의해 발열의 제어가 이루어지는 히터와; 상기 히터에 의한 가열 온도를 감지하는 온도센서를 구비하여,
    상기 공정챔버 내에 공정을 진행하기에 앞서 상기 히터에 전원을 인가하여 가열시켜 설정 온도 상태로 유지시키는 단계와;
    상기 공정챔버 내부의 공정 진행과 공정 종료에 대응하여 상기 배기라인을 통한 진공압을 전달하는 단계; 및
    상기 공정챔버의 구동 정지로부터 설정시간 동안 진공압을 전달하고, 그 진공압 전달의 종료 시점에서 상기 히터의 구동을 정지시키는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 반도체소자 제조설비의 배기방법.
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