KR100475369B1 - 탄성 표면파 장치 - Google Patents

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Abstract

평형-불평형 변환 기능을 가지며, 또한 위상 밸런스 특성이 우수한 탄성 표면파 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 구성에 따르면, 압전 기판상에, 탄성 표면파 전파 방향을 따라 형성된 복수의 IDT(105∼107)를 갖는 제 1 탄성 표면파 필터(101)와, IDT(105′∼107′)를 갖는 제 2 탄성 표면파 필터(102)가 형성되어 있고, 제 1, 제 2 탄성 표면파 필터(101, 102)의 입력 단자가 전기적으로 공통 접속점(110)에 의해 공통 접속되어 있으며, 또한 불평형 신호 단자(112)에 접속되어 있고, SAW 필터 (101, 102)의 출력 단자가 각각 제 1, 제 2 평형 신호 단자(113, 114)에 접속되어 있으며, 공통 접속점(110)과 SAW 필터 (101) 사이에 압전 기판상에 형성된 지연선(117)이 부가되어 있다.

Description

탄성 표면파 장치{Surface acoustic wave device}
본 발명은, 예를 들면 밴드 패스(band pass) 필터로서 사용되는 탄성 표면파 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 입력 단자 및 출력 단자 중 한쪽이 불평형 신호 단자인 탄성 표면파 장치에 관한 것이다.
최근, 휴대전화기의 RF단에 사용되는 탄성 표면파 필터에서는, 평형-불평형 변환 기능, 이른바 밸룬(balun) 기능을 갖는 것이 요구되고 있으며, GSM방식의 휴대전화기의 RF단 등에서 사용되어 오고 있다.
평형-불평형 변환 기능에서는, 평형측의 한 쌍의 단자의 진폭차(이하, 진폭 밸런스 특성)가 0, 위상차(이하, 위상 밸런스 특성)가 180°에 가까운 것이 요구된다.
종래의 평형-불평형 변환 기능을 갖는 탄성 표면파 장치의 일례를 도 6에 약도적으로 나타낸다.
도 6에 나타내는 탄성 표면파 장치(200)에서는, 종결합 공진자형 SAW 필터 (201, 202) 및 1포트형 SAW 공진자(203, 204)가 압전 기판상에 있어서 Al전극에 의해 형성되어 있다. SAW 필터(201, 202)의 입력측이 병렬 접속되어, 불평형 신호 단자(205)에 접속되어 있다. 또한, SAW 필터(201, 202)의 출력측에는, SAW 공진자(203, 204)가 각각 직렬로 접속되어 있으며, SAW 공진자(203, 204)는 평형 신호 단자(206, 207)에 각각 접속되어 있다.
도 6으로부터 알 수 있는 바와 같이, SAW 필터(202)에서는, 반사기에 인접하는 불평형측의 IDT(201a, 201b)가 SAW 필터(202)의 반사기에 인접하는 IDT(202a, 202b)에 대하여 반전되어 있다. 이에 따라, 평형 신호 단자(206)로부터 출력되는 신호와, 평형 신호 단자(207)로부터 출력되는 신호의 위상이 180°달라지고 있다.
도 6에 나타낸 구성에서는, SAW 필터(201)의 IDT(201a, 201b)의 복수개의 전극지 중, 중앙의 IDT(201c)에 인접하는 전극지(201d, 201e)가 불평형 신호 단자(205)에 접속되어 있다. 이에 반하여, SAW 필터(202)에서는, IDT(202a, 202b)의 복수개의 전극지 중, 중앙의 IDT(202c)에 인접하는 전극지(202d, 202e)는 접지 전위에 접속되어 있다. 따라서, SAW 필터(202)의 특성은 SAW 필터(201)의 위상을 단지 180°반전한 특성이라고는 할 수 없다. 그 때문에, 탄성 표면파 장치(200)에서는, 위상 밸런스 특성은 이상적인 180°로부터 벗어나지 않을 수 없었다.
또한, 종래의 평형-불평형 변환 기능을 갖는 탄성 표면파 장치에서는, 또한, 불평형 신호 단자로부터 한 쌍의 평형 신호 단자까지의 압전 기판상에 있어서의 배선 구조 등의 레이아웃(layout)이 불평형 신호 단자를 기준으로 하여 대칭이 아닌 경우가 있었다. 그 경우에는, 한 쌍의 평형 신호 단자까지의 경로에의 기생 용량의 크기가 다르며, 그것에 의해서도 위상 밸런스 특성이 잘 열화하였다.
본 발명의 목적은 상술한 종래 기술의 현상(現狀)을 감안하여, 평형-불평형 변환 기능을 가지며, 또한 위상 밸런스 특성이 우수한 탄성 표면파 장치를 제공하는데 있다.
제 1 발명의 넓은 국면에 따르면, 압전 기판과, 상기 압전 기판상에 배치된 적어도 1개의 IDT를 구비하며, 입력 단자 및 출력 단자 중 한쪽이 불평형 신호 단자이고, 다른쪽이 제 1, 제 2 평형 신호 단자인 탄성 표면파 장치에 있어서, 상기 불평형 신호 단자와 제 1 평형 신호 단자 사이의 경로에 있어서, 상기 불평형 신호 단자측에 지연선이 부가되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치가 제공된다. 이 경우, 바람직하게는, 상기 지연선은 압전 기판상에 형성된다.
제 2 발명의 다른 넓은 국면에 따르면, 압전 기판과, 상기 압전 기판상에 있어서 탄성 표면파 전파 방향을 따라 형성된 복수의 IDT를 갖는 제 1 탄성 표면파 필터 소자와, 압전 기판과, 상기 압전 기판상에 있어서 탄성 표면파 전파 방향을 따라 배치된 복수의 IDT를 가지며, 상기 제 1 탄성 표면파 필터 소자와는 전송 위상 특성이 약 180°다른 제 2 탄성 표면파 필터 소자를 구비하고, 상기 제 1, 제 2 탄성 표면파 필터 소자가, 각각, 입력 단자 및 출력 단자를 가지며, 제 1, 제 2 탄성 표면파 필터 소자의 입력 단자 및 출력 단자 중 한쪽의 단자가 공통 접속점에서 공통 접속되어 있고, 또한 상기 공통 접속점에 불평형 신호 단자가 접속되어 있으며, 상기 입력 단자 및 출력 단자 중 다른쪽의 단자가, 각각, 제 1, 제 2 평형 신호 단자로 되어 있고, 상기 공통 접속점과 제 1 탄성 표면파 필터 소자 사이에, 지연선이 부가되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치가 제공된다. 바람직하게는, 상기 지연선은 압전 기판상에 형성된다.
또한, 본 발명에 따르면, 상기 공통 접속점과, 상기 공통 접속점과 전기적으로 접속되어 있는 제 1 탄성 표면파 필터 소자의 IDT 사이의 신호 라인의 경로 길이가, 상기 공통 접속점과, 상기 공통 접속점과 전기적으로 접속되어 있는 제 2 탄성 표면파 필터 소자의 IDT 사이의 신호 라인의 경로 길이와 다르다.
또한, 본 발명에 따르면, 상기 지연선에 의해, 불평형 신호 단자와 제 1 평형 신호 단자 사이의 경로와, 불평형 신호 단자와 제 2 평형 신호 단자 사이의 경로에서, 입출력의 전기 신호의 위상이 0.5°∼4°다르도록 구성되어 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 상기 한 쌍의 평형 신호 단자 중 한쪽에 부가 되어 있으며, 또한 압전 기판상에 형성된 제 2 지연선이 더 구비된다. 이 경우, 바람직하게는, 상기 지연선 및 제 2 지연선에 의해, 불평형 신호 단자와 제 1 평형 신호 단자 사이의 경로와, 불평형 신호 단자와 제 2 평형 신호 단자 사이의 경로에서, 입출력의 전기 신호의 위상이 0.5°∼4°다르도록 구성된다.
본원의 제 3 발명의 넓은 국면에 따르면, 압전 기판과, 상기 압전 기판상에 있어서 탄성 표면파의 전파 방향을 따라 형성된 복수의 IDT를 갖는 제 1 탄성 표면파 필터 소자와, 압전 기판과, 상기 압전 기판상에 있어서 탄성 표면파의 전파 방향을 따라 형성된 복수의 IDT를 가지며, 상기 제 1 탄성 표면파 필터 소자와는 전송 위상 특성이 약 180°다른 제 2 탄성 표면파 필터 소자를 구비하고, 상기 제 1, 제 2 탄성 표면파 필터 소자가, 각각, 입력 단자 및 출력 단자를 가지며, 제 1, 제 2 탄성 표면파 필터 소자의 입력 단자 및 출력 단자 중 한쪽의 단자가 공통 접속점에서 공통 접속되어 있고, 또한 상기 공통 접속점에 불평형 신호 단자가 접속되어 있으며, 상기 입력 단자 및 출력 단자 중 다른쪽의 단자가, 각각, 제 1, 제 2 평형 신호 단자로 되어 있고, 상기 공통 접속점과, 상기 공통 접속점과 전기적으로 접속되어 있는 제 1 탄성 표면파 필터 소자의 IDT 사이의 신호 라인의 경로 길이가, 상기 공통 접속점과, 상기 공통 접속점과 전기적으로 접속되어 있는 제 2 탄성 표면파 필터 소자의 IDT 사이의 신호 라인의 경로 길이와 다른 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따르면, 상기 불평형 신호 단자와 제 1 평형 신호 단자 사이의 경로와, 불평형 신호 단자와 제 2 평형 신호 단자 사이의 경로에서, 입출력의 전기 신호의 위상이 0.5°∼4°다르도록, 상기 공통 접속점과, 상기 공통 접속점과 전기적으로 접속되어 있는 제 1 탄성 표면파 필터 소자의 IDT 사이의 신호 라인의 경로 길이와, 상기 공통 접속점과, 상기 공통 접속점과 전기적으로 접속되어 있는 제 2 탄성 표면파 필터 소자의 IDT 사이의 신호 라인의 경로 길이가 다르다.
또한, 본 발명에 따르면, 상기 압전 기판상에 있어서, 상기 불평형 신호 단자와 제 1 평형 신호 단자 사이의 신호 라인의 경로 길이와, 상기 불평형 신호 단자와 제 2 평형 신호 단자 사이의 신호 라인의 경로 길이가 다르며, 경로 길이 차이 L(mm)이 중심 주파수를 fc(MHz)라고 했을 때에, 417/fc＜L＜3330/fc이다.
<발명의 실시형태>
이하, 도면을 참조하면서 본 발명을 구체적으로 설명함으로써, 본 발명을 명백히 한다.
도 1은, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 탄성 표면파 장치의 모식적 평면도이다.
본 실시예에서는, 압전 기판상에 도 1에 나타낸 전극 구조가 Al전극에 의해 형성되어 있다. 압전 기판으로서는, 40±5°Y컷트 X전파 LiTaO3기판이 사용된다. 단, 압전 기판을 구성하는 압전 재료는 이것에 한정되지 않으며, 다른 컷트각의 LiTaO3기판이나 64∼72°Y컷트 X전파 LiNbO3 및 41°Y컷트 X전파 LiNbO3 등의 압전 단결정 기판이나, 압전 세라믹스 기판을 사용할 수 있다.
상기 압전 기판상에, 제 1, 제 2 종결합 공진자형 SAW 필터(101, 102)와, 1포트형 SAW 공진자(103, 104)가 형성되어 있다.
SAW 필터(101)에서는, IDT(105∼107)가 표면파 전파 방향을 따라 배치되어 있다. IDT(105∼107)가 형성되어 있는 부분의 표면파 전파 방향 양측에는, 반사기(108, 109)가 배치되어 있다.
IDT(105)와 IDT(106) 사이의 간격, 및 IDT(106)와 IDT(107) 사이의 간격에 면하는 복수개의 전극지의 피치(pitch)는 IDT의 다른 부분의 전극지의 피치보다도 작게 되어 있다. 예를 들면, 도 1의 A, A로 나타내는 부분에 배치되어 있는 복수개의 전극지의 피치는 IDT(105∼107)의 다른 부분의 전극지의 피치보다도 작게 되어 있다.
SAW 필터(102)는 SAW 필터(101)와 동일하게 구성되어 있다. 단, SAW 필터(102)의 IDT(105′) 및 IDT(107′)의 방향은 SAW 필터(101)의 IDT(105, 107)의 방향과 상하 방향에 있어서 반전되어 있다. 즉, SAW 필터(101)의 출력 신호가 SAW 필터(102)의 출력 신호와 역위상이 되도록, IDT(105′, 107′)의 방향이 IDT(105, 107)의 방향에 대하여 반전되어 있다.
SAW 공진자(103, 104)는, 각각, SAW 필터(101, 102)의 출력 단자에 직렬로 접속되어 있다.
탄성 표면파 장치(100)에서는, SAW 필터(101, 102)의 입력 단자가 공통 접속점(110)에 있어서 공통 접속되어 있으며, 공통 접속점(110)이 입력 신호 단자로서의 불평형 신호 단자(112)에 접속되어 있다.
한편, SAW 공진자(103, 104)의 출력측에, 출력 단자로서, 각각, 제 1, 제 2 평형 신호 단자(113, 114)가 접속되어 있다.
또한, 본 실시예에서는, SAW 필터(101)의 입력측과 공통 접속점(110) 사이에 지연선(117)이 삽입되어 있다. 지연선(117)이 본 발명에 있어서의 불평형 신호 단자측에 부가되는 지연선이다. 또한, 제 2 지연선(116)이 SAW 공진자(103)와 평형 신호 단자(113) 사이에 삽입되어 있다.
지연선(116, 117)은 Al전극으로 이루어지는 신호 라인을 잡아 당겨서, 전송 선로를 길게 함으로써 구성되어 있다.
본 실시예의 탄성 표면파 장치의 구체적인 설계 내용을 이하에 나타낸다. 또한, 이하에 있어서, 간격이란, 2개의 전극지의 중심간 거리를 말하는 것으로 한다.
SAW 필터(101, 102)에 있어서의 전극지 교차폭＝75㎛
SAW 필터(101, 102)에 있어서의 IDT의 전극지의 갯수 :
IDT(105)의 전극지의 갯수＝22개. 단, 22개의 전극지 중 3개의 전극지가 상술한 협피치부의 전극지.
IDT(106)의 전극지의 갯수＝33개. 단, 33개의 전극지 중, 표면파 전파 방향 양측에 배치된 각 3개의 전극지가 협피치부의 전극지.
IDT(107)의 전극지의 갯수＝22개. 단, 22개의 전극지 중, 3개의 전극지가 상술한 협피치부의 전극지.
IDT(105′, 106′, 107′)의 전극지의 갯수는 IDT(105, 106, 107)와 동일하게 되어 있다.
반사기(108, 109)의 전극지의 갯수＝120개
IDT(105∼107, 105′∼107′)의 파장(λI)＝2.1422㎛.
단, 협피치부에 있어서의 IDT의 파장은 1.9295㎛
반사기의 파장(λR)＝2.1770㎛
SAW 필터(101, 102)에 있어서의 IDT-IDT 간격＝0.4432λR
SAW 필터(101, 102)에 있어서의 IDT-반사기 간격＝0.496λR
SAW 필터(101, 102)에 있어서의 IDT의 전극지의 폭/피치＝듀티(duty)비＝0.63
SAW 공진자(103, 104)의 전극지 교차폭＝40㎛
SAW 공진자(103, 104)의 IDT의 갯수＝201개
SAW 공진자(103, 104)에 있어서의 반사기의 전극지의 갯수＝각 30개
SAW 공진자(103, 104)에 있어서의 IDT의 파장 및 반사기의 파장＝2.1096㎛
지연선(116)의 경로 길이＝350㎛
지연선(117)의 경로 길이＝350㎛
도 2∼도 4에, 상기와 같이 하여 구성된 탄성 표면파 장치의 특성을 나타낸다. 비교를 위하여, 지연선(116, 117)이 형성되지 않은 것을 제외하고는 상기 실시예와 동일하게 하여 설계된 도 6에 나타낸 종래예의 탄성 표면파 장치의 특성도 도 2∼도 4에 나타낸다. 도 2는 주파수-전송 진폭 특성을, 도 3은 주파수-진폭 밸런스 특성을, 도 4는 주파수-위상 밸런스 특성을 나타낸다. 도 2에서는, 파선은 우측의 확대 스케일로 나타내는 특성이며, 종래예 및 실시예의 특성은 거의 일치하고 있었기 때문에 겹쳐져 있다. 도 3 및 도 4에 있어서 실시예의 특성은 모두 실선으로, 종래예의 특성은 모두 파선으로 나타나 있다.
도 2 및 도 3으로부터 알 수 있는 바와 같이, 본 실시예의 탄성 표면파 장치의 주파수-전송 진폭 특성 및 주파수-진폭 밸런스 특성은 상기 종래예와 거의 차이가 없는 것을 알 수 있다.
한편, 도 4로부터 알 수 있는 바와 같이, 실시예의 탄성 표면파 장치(100)에서는, 종래예의 탄성 표면파 장치에 비하여, 위상 밸런스 특성이 통과대역 내에 있어서 크게 개선되어 있는 것을 알 수 있다. 즉, 종래예에서는, 통과대역 내에 있어서 1865MHz부근에서, 위상 밸런스 특성이 180°로부터 최대 7.2°벗어나 있는 것에 반하여, 본 실시예에서는, 상기 주파수 부근에 있어서의 위상 밸런스 특성의 어긋남은 5.8°로 매우 작게 되어 있다.
또한, 종래예에서는, 위상 밸런스 특성은 180°로부터 마이너스 방향으로 어긋나 있었던 것에 반하여, 본 실시예에서는, 통과대역 내에 전체에 걸쳐, 약 1.5°플러스 방향으로 위상 밸런스 특성이 시프트(shift)되어 있으며, 따라서 통과대역 내에 있어서 양호한 위상 밸런스 특성이 얻어지고 있다. 이것은 지연선(116, 117)의 경로 길이분만큼, 출력 신호 단자로서의 제 1 평형 신호 단자(113)로부터 출력되는 신호의 위상이 늦기 때문이다.
또한, 상기 지연선(116, 117)을 갖지 않는 종래의 탄성 표면파 장치(200)에 있어서, 통과대역 내의 대부분에 있어서 위상 밸런스 특성이 180°로부터 마이너스 방향으로 어긋나 있었기 때문에, 본 실시예에서는, 불평형 신호 단자(112)와 평형 신호 단자(113)의 신호 라인측에 지연선(116, 117)이 부가되며, 그에 따라 위상 밸런스 특성이 플러스 방향으로 시프트되어 있다.
단, 지연선이 부가되어 있지 않은 상당의 종래예에 있어서, 위상 밸런스 특성이 플러스 방향으로 어긋나 있는 경우에는, 반대로, 불평형 신호 단자(112)와 평형 신호 단자(114) 사이의 신호 라인측에 지연선을 부가하여, 마이너스 방향으로 위상 밸런스 특성을 시프트시키면 된다. 이 경우에는, 평형 신호 단자(114)가 본 발명의 제 1 평형 신호 단자가 된다.
바꿔 말하면, 본 발명은 SAW 필터(101)와 SAW 필터(102)의 구조의 차이에 의해 발생하는, SAW 필터(101)로부터 출력되는 신호의 위상과, SAW 필터(102)로부터 출력되는 신호의 위상과의 차이를, 불평형 신호 단자(112)로부터 평형 신호 단자(113)까지의 경로 길이와, 불평형 신호 단자(112)로부터 평형 신호 단자(114)까지의 경로 길이를 다르게 함으로써 조정하여, 위상 밸런스 특성을 개선한 것이다.
또한, 상술한 바와 같이, 본 실시예의 탄성 표면파 장치(100)에서는, 지연선(116, 117)은 압전 기판상에 배치되어 있다. 지연선(116, 117)은 압전 기판을 실장하는 패키지(도시하지 않음)에 구성하는 것도 가능하다. 그러나, 패키지의 설계 변경에는, 시험 제작시에 장시간을 필요로 하며, 많은 노력 및 비용을 필요로 한다. 또한, 양산(量産) 가능해진 단계에 있어서도, 패키지의 범용성이 작아지고, 또한 패키지의 비용이 높아진다.
이에 반하여, 본 실시예에서는, 압전 기판측에 지연선(116, 117)이 배치되어 있다. 따라서, 포토리소그래피 프로세스에 의해, 용이하게 또한 고정밀도로 지연선을 형성할 수 있으며, 또한 지연선의 설계 변경도 용이하다. 또한, 패키지는 공통화될 수 있기 때문에, 패키지의 범용성도 높일 수 있다.
또한, 본 실시예에서는, 평형-불평형 변환 기능을 갖는 탄성 표면파 장치에 있어서는, 평형 신호 단자(113)측에 부가된 지연선(116)과, 공통 접속점(110)측에 부가된 지연선(117)이 사용되고 있다. 이 경우, 지연선(116) 및 지연선(117)의 경로 길이의 합계로 지연 시간, 위상 밸런스 특성의 시프트량이 정해진다. 따라서, 지연선(116, 117)의 쌍방을 형성함으로써, 위상 밸런스 특성을 보다 크게 시프트시킬 수 있다. 바꿔 말하면, 필요한 길이의 지연선을 2부위에 분산할 수 있다. 따라서, 1개의 지연선당의 경로 길이를 짧게 할 수 있으며, 압전 기판상에 있어서의 한정된 스페이스에 있어서 지연선을 용이하게 배치할 수 있다.
단, 본 실시예에서는, 지연선(116)은 반드시 형성되지 않아도 되고, 지연선(117)만이 형성되어 있어도 되며, 그에 따라 상술한 바와 같이 위상 밸런스 특성을 크게 개선할 수 있다.
또한, 플립칩 공법에 의해, 탄성 표면파 장치(100)를 패키지에 실장하는 경우에는, 압전 기판상의 신호 단자(112, 113, 114)가 형성되는 부분에는, 금 등으로 이루어지는 범프가 부여된다. 이 때에, 신호 단자(112∼114)에는, 범프 본딩을 위한 큰 점유 면적이 필요해진다. 특히, 평형 신호 단자(113, 114)측에서는, 지연선(116)을 배치할 스페이스를 확보할 수 없는 경우가 있다. 그와 같은 경우, 본 실시예에 따르면, 불평형 신호 단자(112)측에서는 지연선(117)을 배치할 스페이스에 여유가 있기 때문에, 압전 기판상에 있어서, 지연선(117)을 용이하게 배치할 수 있다.
또한, 상기 실시예에서는, 지연선(117)은 공통 접속점(110)과 IDT(105, 107) 사이의 신호 경로의 일부에 형성되었으나, 다른 양태로 지연선(117)을 구성할 수도 있다. 예를 들면, 도 1에 있어서의 불평형 신호 단자(112)와 공통 접속점(110) 사이의 신호 경로 부분과, 공통 접속점(110)과 IDT(105, 107) 사이의 신호 경로 부분 사이에, 와이어를 삽입함으로써, 지연선(117)을 구성해도 된다. 즉, 불평형 신호 단자(112)에 연결되는 전극 패드와, IDT(105, 107)에 연결되는 전극 패드를 접속하는 와이어를 사용함으로써, 불평형 신호 단자(110)와, IDT(105, 107)를 접속하고, 또한 지연선을 구성해도 된다.
본 실시예가 적용되는 평형-불평형 변환 기능을 갖는 탄성 표면파 장치는, 2개의 SAW 필터가 불평형 신호 단자측에서 전기적으로 공통 접속되어 있는 형식의 것이면 특별히 한정되지 않는다. 즉, 도 1에 나타낸 구성뿐만이 아니라, 예를 들면 도 5에 나타내는 바와 같이, 종결합 공진자형 SAW 필터(101, 101A)가 2단 종속(縱續) 접속된 제 1 SAW 필터 소자와, 종결합 공진자형 SAW 필터(101′, 101A′)가 2단 종속 접속된 제 2 SAW 필터 소자를 갖는 것이어도 된다. 또한, 도 1에 나타낸 구성에 있어서, 당연한 것이지만, SAW 공진자(103, 104)는 반드시 형성하지 않아도 된다.
상술한 실시예의 탄성 표면파 장치(102)에 있어서 설명한 전극지 교차폭 등의 설계 파리미터는 필요에 따라 다르게 해도 되며, 그 경우에 있어서도 본 발명의 효과를 얻을 수 있다.
상술한 바와 같이, 불평형 신호 단자와 제 1 평형 신호 단자 사이의 신호 라인에 있어서 불평형 신호 단자측에 지연선을 부가함으로써 위상 밸런스 특성이 개선되는 효과는 지연선의 경로 길이 분만큼 신호의 위상이 늦어지는 것을 이용한 것이다. 따라서, 위상 밸런스 특성의 시프트량과, 필요한 지연선의 길이, 혹은 불평형 신호 단자(112)로부터 평형 신호 단자(113)까지의 경로 길이와, 불평형 신호 단자(112)로부터 평형 신호 단자(114)까지의 경로 길이를 다르게 하는 길이는 1 대 1로 대응한다.
다음으로, 본 발명에 있어서 특히 유효한 지연선의 길이에 대하여 설명한다.
도 4의 종래예의 주파수-위상 밸런스 특성으로부터 알 수 있는 바와 같이, 종래예에서는, 위상 밸런스 특성은 통과대역 내에 있어서 180°로부터 ±7°정도 어긋나 있다. 또한, 그 외의 구성의 탄성 표면파 장치에 있어서도, ±수도 정도의 위상 어긋남이 존재하는 것이 현실이다.
따라서, 본 발명에 따라 위상 밸런스 특성을 개선하는 경우, 위상 시프트량을 0.5°이상으로 하는 것이 바람직하며, 0.5°이상의 위상 시프트가 실현되는 경우에 위상 밸런스 특성의 개선 효과를 충분히 얻을 수 있다.
도 4로부터 알 수 있는 바와 같이, 위상 밸런스 특성의 어긋남은, 통과대역 내에 있어서 180°로부터 일정한 방향으로 어긋나는 것이 아니라, 주파수에 따라 플러스측으로 어긋나거나, 마이너스측으로 어긋난다. 예를 들면, 도 4에서는, 실시예에 있어서, 통과대역 내의 대부분의 주파수 범위에서 위상 밸런스 특성이 개선되어 있으나, 1800MHz부근에서는 위상 밸런스 특성은 플러스측으로 악화하는 경향이 있다. 이 주파수 부분이 있기 때문에, 실시예 1의 구성에 있어서, 위상 밸런스 특성을 더욱 개선하고자 하더라도, 개선할 수 있는 양은 ＋1.5°가 한도이다.
또한, 본원 발명자에 의한 검토에 따르면, 본 발명에 따라 위상 밸런스 특성을 구성하기 위해서는, 위상 시프트량은 4°이하가 되도록 지연선의 길이를 결정하는 것이 최적인 것이 확인되었다. 이것은 위상 시프트량을 너무 크게 하면, 압전 기판상에 있어서 매우 긴 지연선이 필요해지기 때문에, 저항이 증가하거나, 점유 면적이 증대하기 때문이다. 따라서, 본 발명에 의해 위상 밸런스 특성을 개선하고, 또한 저항 증가의 회피나 소형화를 도모하기 위해서는, 위상 시프트량을 0.5°∼4°의 범위로 하는 것이 바람직하다.
전기 신호의 전파 속도는 약 3×108m/초이기 때문에, SAW 필터의 중심 주파수를 fc(MHz)라고 한 경우, 중심 주파수에 있어서의 전기 신호의 1파장(λ)당의 길이는 3×108×103/(fc×106)(mm/λ)＝3×105/fc(mm/λ)가 된다.
따라서, 1°의 위상 시프트에 필요한 지연선의 길이는 3×108×103/(fc×106)/360(mm/도)＝833/fc(mm/도)가 된다.
따라서, 위상 시프트량 범위 0.5°∼4°에 대응하는 지연선의 길이 L(mm)은 417/fc＜L＜3330/fc가 된다. 즉, 이 범위의 길이의 지연선을 형성한 경우에, 본 발명이 특히 유효하다.
따라서, 예를 들면 상술한 실시예의 탄성 표면파 장치에서는, 불평형 신호 단자측에 지연선(117)만을 형성하고, 평형 신호 단자측에 제 2 지연선(116)을 형성하지 않는 경우에는, 약 700㎛의 길이의 지연선(117)을 형성함으로써, 위상 밸런스 특성을 약 1.6°시프트시킬 수 있다. 또한, 도 1에 나타낸 바와 같이, 평형 신호 단자측에도 지연선(116)을 형성한 경우에는, 지연선(117, 116)을, 각각 신호 배선의 잡아 당김을 각 350㎛ 길게 함으로써 구성하여, 마찬가지로 위상 밸런스 특성을 약 1.6°시프트시킬 수 있다.
지연선이 이상적인 마이크로 스트립 경로인 경우에는, 마이크로 스트립 경로의 형상에 의해 결정되는 실효 유전율(εe)에 의한 파장 단축 효과가 있다. 따라서, 전파 신호의 파장은 1/(εe)1/2배로 단축되게 된다. 상기 실시예에서는, 스트립 경로 폭에 비하여 압전 기판의 두께가 충분히 두껍기 때문에, 실효 유전율(εe)은 압전 기판의 비유전율(εr)의 약 반 값이 된다. 상기 실시예에서는, 압전 기판으로서 비유전율(εr)이 약 43인 LiTaO3기판이 사용되고 있으며, 따라서, 전파 신호의 파장은 1/(21.5)1/2＝0.22배, 즉 22%로 압축되게 된다. 이것은 상기 압축분만큼 위상 밸런스 특성을 시프트시키기 위하여 필요한 지연선의 길이가 짧아지는 것을 의미한다.
그러나, 상기 실시예의 결과에서는, 지연선(116, 117)의 합계의 길이를 700㎛로 함으로써, 위상 밸런스 특성이 약 1.6°시프트되고 있으며, 상기 파장 단축 효과를 고려하지 않아도 되는 결과가 얻어지고 있다. 이것은 지연선(116, 117)은 도 1에 나타나 있는 바와 같이, コ자형상의 형상을 갖기 때문에, 그리고 주변에 접지 전극이나 신호 전극이 존재하고 있기 때문에, 이론식의 전제가 적합하지 않기 때문이라고 생각된다.
상술한 바와 같이, 지연선을 형성한 경우에 상기 파장 단축 효과를 얻을 수 있는 것이라면, 지연선의 길이는 파장 단축 효과 분만큼 짧아진다. 그러나, 압전 기판상의 한정된 스페이스에 지연선을 배치한 경우에는, 상기 파장 단축 효과가 그다지 영향을 미치지 않는 것이 본원 발명자에 의해 확인되었다. 따라서, 본 발명에 의해 실제로 탄성 표면파 장치의 위상 밸런스 특성을 개선하기 위해서는, 상술한 바와 같이, 417/fc＜L＜3330/fc의 길이의 지연선을 형성하는 것이 특히 유효하다.
본 발명에 따른 탄성 표면파 장치에서는, 압전 기판상에 적어도 1개의 IDT가 배치되어 있으며, 입력 단자 및 출력 단자 중 한쪽이 불평형 신호 단자이고, 다른쪽이 제 1, 제 2 평형 신호 단자인 구성에 있어서, 불평형 신호 단자와 제 1 평형 신호 단자 사이의 경로에 있어서 불평형 신호 단자측에 지연선이 부가되어 있기 때문에, 상기 지연선의 부가에 의해 지연선이 부가되어 있는 측의 경로의 위상이 늦어져서, 위상 밸런스 특성이 개선된다. 따라서, 위상 밸런스 특성이 우수한 평형-불평형 변환 기능을 갖는 탄성 표면파 장치를 제공할 수 있다.
또한, 상기 지연선이 압전 기판상에 형성되어 있는 경우에는, 패키지측에 지연선을 구성하는 경우에 비하여, 탄성 표면파 장치의 설계가 용이해진다. 또한, 지연선을 압전 기판상에 포토리소그래피 기술 등을 사용하여 고정밀도로 또한 용이하게 형성할 수 있다. 또한, 지연선의 설계 변경도 용이해진다.
본원의 제 2 발명에서는, 제 1, 제 2 탄성 표면파 필터 소자의 입력 단자 및 출력 단자 중 한쪽의 단자가 공통 접속되어, 불평형 신호 단자에 접속되어 있으며, 다른쪽의 단자가 각각 제 1, 제 2 평형 신호 단자에 접속되어 있는 구성에 있어서, 공통 접속점과, 제 1 탄성 표면파 필터 소자의 IDT 사이의 경로에 지연선이 부가되어 있기 때문에, 상기 지연선에 의해 제 1 탄성 표면파 필터 소자측의 신호의 위상이 다른쪽의 탄성 표면파 필터 소자측의 신호의 위상에 비하여 늦어지며, 그에 따라 위상 밸런스 특성이 개선된다.
제 2 발명에 있어서도, 지연선이 압전 기판상에 형성되어 있는 경우에는, 패키지에 지연선을 구성하는 경우에 비하여, 지연선의 설계가 용이하며, 비용을 저감할 수 있다. 또한, 지연선을 포토리소그래피 기술에 의해 압전 기판상에 고정밀도로 또한 용이하게 형성할 수 있으며, 지연선의 설계 변경도 용이해진다.
제 2 발명의 특정의 국면에서는, 병렬 접속점과, 상기 공통 접속점과 전기적으로 접속되어 있는 제 1 탄성 표면파 필터 소자의 IDT 사이의 신호 라인의 경로 길이가, 공통 접속점과, 상기 공통 접속점과 전기적으로 접속되어 있는 제 2 탄성 표면파 필터 소자의 IDT 사이의 신호 라인의 경로 길이가 다르며, 이 경로 길이 차이에 의해, 상기 지연선이 구성된다.
본 발명에 있어서, 한 쌍의 평형 신호 단자 중 한쪽에, 압전 기판상에 형성된 제 2 지연선을 더 구비하는 경우에는, 본 발명에 있어서 필수의 구성으로서 형성되는 지연선에 더하여 제 2 지연선이 형성되기 때문에, 쌍방의 지연선을 분산 배치함으로써, 위상 밸런스 특성을 보다 한층 효과적으로 개선할 수 있다. 또한, 각 지연선의 길이를 짧게 할 수 있으며, 각 지연선의 배치도 용이해진다.
본 발명에 있어서, 불평형 신호 단자측에 부가된 지연선이 전기 신호의 위상을 0.5°∼4°늦추도록 구성되어 있는 경우에는, 본 발명에 따라, 탄성 표면파 장치의 위상 밸런스 특성을 효과적으로 개선할 수 있음과 동시에, 소형화를 진행시킬 수 있으며, 또한 다른 특성의 열화를 초래하기 어렵다.
또한, 지연선에 더하여 제 2 지연선이 형성되어 있는 구성에 있어서, 지연선 및 제 2 지연선이 전기 신호의 위상 0.5°∼4°다르게 하도록 구성되어 있는 경우에는, 본 발명에 따라, 탄성 표면파 장치의 위상 밸런스 특성을 효과적으로 개선할 수 있음과 동시에, 소형화를 진행시킬 수 있으며, 또한 다른 특성의 열화를 초래하기 어렵다.
제 3 발명에서는, 제 1, 제 2 탄성 표면파 필터 소자의 입력 단자 및 출력 단자 중 한쪽이 공통 접속점에서 공통 접속되어 있으며, 상기 공통 접속점에 불평형 신호 단자가 접속되어 있고, 입력 단자 및 출력 단자 중 다른쪽의 단자가, 각각, 제 1, 제 2 평형 신호 단자로 되어 있다. 그리고, 공통 접속점과, 공통 접속점과 전기적으로 접속되어 있는 제 1 탄성 표면파 필터 소자의 IDT 사이의 신호 라인의 경로 길이가, 공통 접속점과, 상기 공통 접속점과 전기적으로 접속되어 있는 제 2 탄성 표면파 필터 소자의 IDT 사이의 신호 라인의 경로 길이와 다르기 때문에, 제 1 또는 제 2 탄성 표면파 필터 소자의 신호의 위상이 제 1 또는 제 2 탄성 표면파 필터 소자의 신호의 위상에 비하여 늦어지며, 그에 따라 위상 밸런스 특성을 개선할 수 있다.
제 3 발명에 있어서, 불평형 신호 단자와 제 1 평형 신호 단자 사이의 경로와, 불평형 신호 단자와 제 2 평형 신호 단자 사이의 경로에서, 상기 공통 접속점과, 상기 공통 접속점과 전기적으로 접속되어 있는 제 1 탄성 표면파 필터 소자의 IDT 사이의 신호 라인의 경로 길이와, 공통 접속점과, 상기 공통 접속점과 전기적으로 접속되어 있는 제 2 탄성 표면파 필터 소자의 IDT 사이의 신호 라인의 경로 길이가 입출력의 전기 신호의 위상이 0.5°∼4°다르도록 다른 경우에는, 위상 밸런스 특성을 보다 한층 효과적으로 개선할 수 있음과 동시에, 소형화를 진행시킬 수 있으며, 또한 다른 특성의 열화를 초래하기 어렵다.
본 발명에 있어서는, 탄성 표면파 필터의 중심 주파수를 fc라고 했을 때에, 417/fc＜L＜3330/fc가 되도록 불평형 신호 단자와 제 1, 제 2 평형 신호 단자 사이의 경로 길이를 다르게 하도록 지연선을 구성했을 때에, 탄성 표면파 장치의 위상 밸런스 특성을 더욱 효과적으로 개선할 수 있다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 탄성 표면파 장치의 모식적 평면도이다.
도 2는 실시예 및 종래예의 탄성 표면파 장치의 전송 특성을 나타내는 도면이다.
도 3은 실시예 및 종래예의 탄성 표면파 장치의 진폭 밸런스 특성을 나타내는 도면이다.
도 4는 실시예 및 종래예의 탄성 표면파 장치의 위상 밸런스 특성을 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 탄성 표면파 장치의 변형예를 나타내는 모식적 평면도이다.
도 6은 종래의 탄성 표면파 장치의 일례를 나타내는 모식적 평면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 간단한 설명>
100 : 탄성 표면파 장치 101, 101′, 101A, 101A′: SAW 필터
103, 104 : SAW 공진자 105∼107, 105′∼107′: IDT
108, 109 : 반사기 110 : 공통 접속점
112 : 불평형 신호 단자 113, 114 : 제 1, 제 2 평형 신호 단자
116 : 제 2 지연선 117 : 지연선
150 : 탄성 표면파 장치

Claims (11)

  1. 삭제
  2. 압전 기판과, 상기 압전 기판상에 배치된 적어도 1개의 IDT를 구비하며, 입력 단자 및 출력 단자 중 한쪽이 불평형 신호 단자이고, 다른쪽이 제 1, 제 2 평형 신호 단자인 탄성 표면파 장치로서,
    상기 불평형 신호 단자와 제 1 평형 신호 단자 사이의 경로에 있어서, 상기 불평형 신호 단자측에 지연선이 부가되어 있고,
    상기 지연선은 상기 압전 기판상에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  3. 압전 기판과, 상기 압전 기판상에 있어서 탄성 표면파 전파 방향을 따라 형성된 복수의 IDT를 갖는 제 1 탄성 표면파 필터 소자와,
    압전 기판과, 상기 압전 기판상에 있어서 탄성 표면파 전파 방향을 따라 배치된 복수의 IDT를 가지며, 상기 제 1 탄성 표면파 필터 소자와는 전송 위상 특성이 약 180°다른 제 2 탄성 표면파 필터 소자를 구비하고,
    상기 제 1, 제 2 탄성 표면파 필터 소자가, 각각, 입력 단자 및 출력 단자를 가지며, 제 1, 제 2 탄성 표면파 필터 소자의 입력 단자 및 출력 단자 중 한쪽의 단자가 공통 접속점에서 공통 접속되어 있고, 또한 상기 공통 접속점에 불평형 신호 단자가 접속되어 있으며, 상기 입력 단자 및 출력 단자 중 다른쪽의 단자가, 각각, 제 1, 제 2 평형 신호 단자로 되어 있고,
    상기 공통 접속점과 제 1 탄성 표면파 필터 소자 사이에 지연선이 부가되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 지연선이 상기 압전 기판상에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  5. 제 3 항에 있어서, 상기 공통 접속점과, 상기 공통 접속점과 전기적으로 접속되어 있는 제 1 탄성 표면파 필터 소자의 IDT 사이의 신호 라인의 경로 길이가, 상기 공통 접속점과, 상기 공통 접속점과 전기적으로 접속되어 있는 제 2 탄성 표면파 필터 소자의 IDT 사이의 신호 라인의 경로 길이와 다른 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  6. 제 2 항에 있어서, 상기 지연선에 의해, 불평형 신호 단자와 제 1 평형 신호 단자 사이의 경로와, 불평형 신호 단자와 제 2 평형 신호 단자 사이의 경로에서, 입출력의 전기 신호의 위상이 0.5°∼4°다르도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  7. 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 평형 신호 단자에 부가되어 있으며, 또한 압전 기판상에 형성된 제 2 지연선을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 지연선 및 제 2 지연선에 의해, 불평형 신호 단자와 제 1 평형 신호 단자 사이의 경로와, 불평형 신호 단자와 제 2 평형 신호 단자 사이의 경로에서, 입출력의 전기 신호의 위상이 0.5°∼4°다르도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  9. 압전 기판과, 상기 압전 기판상에 있어서 탄성 표면파의 전파 방향을 따라 형성된 복수의 IDT를 갖는 제 1 탄성 표면파 필터 소자와,
    압전 기판과, 상기 압전 기판상에 있어서 탄성 표면파의 전파 방향을 따라 형성된 복수의 IDT를 가지며, 상기 제 1 탄성 표면파 필터 소자와는 전송 위상 특성이 약 180°다른 제 2 탄성 표면파 필터 소자를 구비하고,
    상기 제 1, 제 2 탄성 표면파 필터 소자가, 각각, 입력 단자 및 출력 단자를 가지며, 제 1, 제 2 탄성 표면파 필터 소자의 입력 단자 및 출력 단자 중 한쪽의 단자가 공통 접속점에서 공통 접속되어 있고, 또한 상기 공통 접속점에 불평형 신호 단자가 접속되어 있으며, 상기 입력 단자 및 출력 단자 중 다른쪽의 단자가, 각각, 제 1, 제 2 평형 신호 단자로 되어 있고,
    상기 공통 접속점과, 상기 공통 접속점과 전기적으로 접속되어 있는 제 1 탄성 표면파 필터 소자의 IDT 사이의 신호 라인의 경로 길이가, 상기 공통 접속점과, 상기 공통 접속점과 전기적으로 접속되어 있는 제 2 탄성 표면파 필터 소자의 IDT 사이의 신호 라인의 경로 길이와 다른 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 불평형 신호 단자와 제 1 평형 신호 단자 사이의 경로와, 불평형 신호 단자와 제 2 평형 신호 단자 사이의 경로에서, 입출력의 전기 신호의 위상이 0.5°∼4°다르도록, 상기 공통 접속점과, 상기 공통 접속점과 전기적으로 접속되어 있는 제 1 탄성 표면파 필터 소자의 IDT 사이의 신호 라인의 경로 길이와, 상기 공통 접속점과, 상기 공통 접속점과 전기적으로 접속되어 있는 제 2 탄성 표면파 필터 소자의 IDT 사이의 신호 라인의 경로 길이가 다른 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  11. 제 2 항에 있어서, 상기 압전 기판상에 있어서, 상기 불평형 신호 단자와 제 1 평형 신호 단자 사이의 신호 라인의 경로 길이와, 상기 불평형 신호 단자와 제 2 평형 신호 단자 사이의 신호 라인의 경로 길이가 다르며, 경로 길이 차이 L(mm)이 중심 주파수를 fc(MHz)라고 했을 때에, 417/fc＜L＜3330/fc인 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004040636A (ja) * 2002-07-05 2004-02-05 Murata Mfg Co Ltd 表面波装置
JP3931767B2 (ja) * 2002-08-29 2007-06-20 株式会社村田製作所 弾性表面波装置、通信装置
ATE556486T1 (de) * 2004-04-19 2012-05-15 Murata Manufacturing Co Filter mit elastischen wellen
JP4158818B2 (ja) * 2006-06-21 2008-10-01 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ装置及びデュプレクサ
WO2010140445A1 (ja) * 2009-06-04 2010-12-09 株式会社村田製作所 弾性波装置及びデュプレクサ

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03297211A (ja) * 1990-04-16 1991-12-27 Oki Electric Ind Co Ltd 弾性表面波フィルタ
US5148130A (en) * 1990-06-07 1992-09-15 Dietrich James L Wideband microstrip UHF balun
NO301202B1 (no) * 1995-06-28 1997-09-22 Ame Space As Tilpasningskrets
JP3186604B2 (ja) * 1996-10-09 2001-07-11 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ装置
JP3729081B2 (ja) * 2000-06-27 2005-12-21 株式会社村田製作所 弾性表面波装置
JP3414387B2 (ja) * 2001-03-09 2003-06-09 株式会社村田製作所 弾性表面波装置、通信装置

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