KR100470828B1 - a quartz vibrator - Google Patents
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Abstract
본 발명은 수정진동자 및 수정진동자 리드의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 수정진동자의 전체적인 부품의 수를 감소시켜 소형화를 이룰 수 있도록 하고 리드의 상부면에 만 니켈 도금층이 형성되어 수정진동자의 케이스에 리드(Lid)를 매우 간편하게 접합시킬 수 있도록 한 발명에 관한 것이다.The present invention relates to a crystal oscillator and a method of manufacturing a crystal oscillator lead, and more particularly, to reduce the total number of parts of the crystal oscillator to achieve miniaturization and to form a nickel plated layer only on the upper surface of the crystal oscillator The present invention relates to a lid that can be very easily bonded to the case.
전술한 본 발명은, 세라믹 절연체(11) 사이에 전극회로(12) 들이 다층 배열된 케이스(10) 내부에 수정 진동편(30)이 수납되어 전극들과 연결되고, 케이스(10) 상부에는 금속합금 리드(20)가 접합되어 케이스(10) 내부가 밀폐되는 시스템의 수정진동자(1)에 있어서, 상기 리드(20)의 상부면에는 니켈(Ni) 도금층(20b)이 형성되고, 도금층(20b)이 형성되지 않은 리드(20)의 하부면에는 일정 두께를 갖는 접합층(21)이 형성되며, 접합층(21)은 저온의 열에 용융되는 금속합금으로 이루어진 박판이 열간 압연에 의하여 리드(20)의 하부면에 접착됨을 특징으로 하는 수정진동자에 의하여 달성될 수 있는 것이다.In the present invention described above, the crystal vibrating element 30 is accommodated in the case 10 in which the electrode circuits 12 are arranged in a multilayer manner between the ceramic insulators 11 and connected to the electrodes, and the metal is disposed on the case 10. In the crystal oscillator 1 of the system in which the alloy lead 20 is joined to seal the inside of the case 10, a nickel (Ni) plating layer 20b is formed on the upper surface of the lead 20, and the plating layer 20b is formed. ) Is formed on the lower surface of the lead 20 is not formed, the bonding layer 21 having a predetermined thickness is formed, the bonding layer 21 is a thin plate made of a metal alloy that is melted in a low temperature heat of the lead 20 by hot rolling It can be achieved by a crystal oscillator, characterized in that bonded to the lower surface of the).
Description
본 발명은 수정진동자 및 수정진동자 리드의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 수정진동자의 전체적인 부품의 수를 감소시켜 소형화를 이룰 수 있도록 하고 리드의 상부면에 만 니켈 도금층이 형성되어 수정진동자의 케이스에 리드(Lid)를 매우 간편하게 접합시킬 수 있도록 한 발명에 관한 것이다.The present invention relates to a crystal oscillator and a method of manufacturing a crystal oscillator lead, and more particularly, to reduce the total number of parts of the crystal oscillator to achieve miniaturization and to form a nickel plated layer only on the upper surface of the crystal oscillator The present invention relates to a lid that can be very easily bonded to the case.
일반적으로 수정진동자(水晶振動子)는 얇은 조각의 수정 진동편의 양면에 도체(導體) 전극을 연결하여 전기적 신호를 인가 받아 압전효과(壓電效果)에 의하여 진동되면서 안정된 주파수를 공급하는 것으로서 발진기나 필터 등으로 다양하게 사용된다.In general, a crystal oscillator connects a conductor electrode to both sides of a thin piece of crystal vibrating element and receives an electric signal to vibrate by a piezoelectric effect to supply a stable frequency. It is used variously as a filter.
이중에서도 도 1에서 도시한 바와 같이 세라믹 절연체(11) 사이에 전극회로(12) 들이 다층 배열된 케이스(10) 내부에 수정 진동편(30)이 수납되어 전극에 연결되고 케이스(10)의 상부에 코발트와 니켈의 합금인 코바(kovar)로 이루어진 리드(20)(Lid)가 접합되어 그 내부가 밀폐되는 시스템의 수정진동자(1)가 제안된 바 있었다.Among them, as shown in FIG. 1, the crystal vibrating element 30 is accommodated in the case 10 in which the electrode circuits 12 are multilayered between the ceramic insulators 11, connected to the electrodes, and the upper portion of the case 10. A crystal oscillator 1 of a system in which a lid 20 made of cobalt (kovar) of cobalt and nickel is bonded and sealed inside thereof is proposed.
그러나, 전술한 형태의 수정진동자(1)는 서로 이질감이 있는 세라믹 케이스(10) 상부에 금속 리드(20)를 접합시켜야 하는 것이므로 상당한 문제점이 발생되었다.However, since the crystal oscillator 1 of the above-described type is required to bond the metal lead 20 to the upper portion of the ceramic case 10 having a heterogeneous sense, a considerable problem has arisen.
상기 리드(20)의 재질은 철(Fe) 54%, 니켈(Ni) 29%, 코발트(Co) 17%를 함유한 페르니코계의 합금인 코바(Kovar)를 주로 사용한다. 상기 코바는 인장, 수축, 열팽창계수가 세라믹과 유사하여 세라믹과 접합시킬 때 많이 사용되는 것이나, 리드(20)를 세라믹 케이스(10)에 접합시키기 위해서는 약 800℃의 열을 가해야하고, 이때 발생되는 고열은 케이스(10)에 수납된 진동편(30)을 변형시킴에 따라 리드(20)를 케이스(10)에 직접 접합시킬 수 없었다.The material of the lead 20 is mainly made of Kovar, a perico-based alloy containing 54% of iron (Fe), 29% of nickel (Ni), and 17% of cobalt (Co). The cobar is used in bonding to ceramics because the tensile, shrinkage, and thermal expansion coefficients are similar to those of ceramics, but in order to bond the leads 20 to the ceramic case 10, heat of about 800 ° C. needs to be applied. Due to the high heat, the lead 20 could not be directly bonded to the case 10 as the vibration piece 30 housed in the case 10 was deformed.
따라서, 종래에는 세라믹 케이스(10)의 상부에 은(Ag) 도금된 링을 올려놓고, 200∼400℃의 열을 가하여 링의 도금막을 용융하여 세라믹에 접합시키는 저온 용접방법을 사용하였으나, 은도금된 링을 사용하는 경우에는 수정진동자의 조립에 사용되는 부품과 작업공정의 수가 늘어나게 되고, 비교적 고가인 은도금 링을 사용함에 따라 전체적인 제조원가가 상승될 뿐 아니라 수정진동자(1)의 전체적인 두께가 두꺼워 짐에 따라 수정진동자의 소형화 및 슬림화(slim type)에 결정적인 장애 요인이 되었다.Therefore, in the related art, a silver-plated ring is placed on the ceramic case 10, and a low-temperature welding method of melting the plated film of the ring and bonding the ceramic to the ceramic by applying heat of 200 to 400 ° C. is performed. In the case of using a ring, the number of parts and work processes used for assembling the crystal oscillator increases, and the use of a relatively expensive silver plated ring not only increases the overall manufacturing cost, but also increases the overall thickness of the crystal oscillator (1). As a result, it became a critical obstacle to the miniaturization and slimming of crystal oscillators.
따라서, 고가의 링을 사용하지 않고 도 1에서 도시한 바와 같이 리드(20)의 하부면에 저온에 용융되는 접합층(21)을 형성하여 리드(20)를 세라믹 케이스(10)에 직접 접합시키는 기술이 본인의 선출원 "수정진동자 및 수정진동자 리드의 제조방법"(특허출원 제2001-0072177호, 제2002-0023302호, 제2002-0034279호 참조)에서 제안한 바 있다.Therefore, as shown in FIG. 1 without using an expensive ring, a bonding layer 21 which is melted at low temperature is formed on the lower surface of the lid 20 to directly bond the lid 20 to the ceramic case 10. The technique has been proposed in my earlier application "Method of Manufacturing Crystal Oscillator and Crystal Oscillator Lead" (see patent applications 2001-0072177, 2002-0023302, 2002-0034279).
그러나, 본인의 선출원은 리드(20)의 외부에 니켈(Ni) 도금층(20a)이 형성되어 결국 리드(20)와 접합층(21) 사이에 니켈 도금층(20a)이 위치되는 것이므로 접합층(21)을 전기 용접하면 전류가 니켈 도금층(20a)을 통과하면서 통과 전류가 크게 형성되어 전기적 저항을 증대시키고, 이때 발생되는 전류의 충격에 의하여 세라믹 케이스(10)에 균열이 발생됨에 따라 전체적인 불량률이 높아지는 등의 폐단이 발생되었다.However, the applicant's prior application is that the nickel (Ni) plating layer 20a is formed on the outside of the lead 20 so that the nickel plating layer 20a is positioned between the lead 20 and the bonding layer 21. ), The electric current increases as the current passes through the nickel plating layer 20a, thereby increasing the electrical resistance, and as the crack occurs in the ceramic case 10 due to the impact of the generated current, the overall defect rate increases. Closure of the back occurred.
또한, 상기 니켈 도금층(20a)은 전기 용접시 용융반응에 의하여 다량의 인(P)을 함유한 가스를 발생시키고, 가스가 세라믹 케이스(10) 내부로 유입되면 진동편(30)에 치명적인 영향을 주었으며, 가스가 외부로 유출되는 경우에는 리드(20)의 접착력을 약화시킬 뿐 아니라 작업자들의 건강을 해치는 등의 문제점이 발생되었다.In addition, the nickel plating layer 20a generates a gas containing a large amount of phosphorus (P) by melting during electric welding, and when the gas is introduced into the ceramic case 10, the nickel plating layer 20a may have a fatal effect on the vibrating piece 30. In addition, when the gas is leaked to the outside, not only weakening the adhesive force of the lead 20, but also damage the health of the workers occurred.
본 발명은 상기한 문제점을 감안하여 창안한 것으로서, 그 목적은 리드의 상부면에 만 니켈 도금층이 형성되어 수정진동자의 케이스에 리드(Lid)를 매우 간편하게 접합시킬 수 있고 생산성(生産性)을 높여줄 수 있는 수정진동자를 제공함에 있는 것이다.The present invention has been made in view of the above problems, and its object is to form a nickel plated layer only on the upper surface of the lead, so that the lid can be very easily bonded to the crystal oscillator's case and the productivity is improved. It is to provide a crystal oscillator that can give.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징은, 세라믹 절연체(11) 사이에 전극회로(12) 들이 다층 배열된 케이스(10) 내부에 수정 진동편(30)이 수납되어 전극들과 연결되고, 케이스(10) 상부에는 니켈(Ni) 도금층(20b)이 형성된 금속합금 리드(20)가 금속 접합층(21)에 의하여 용융되면서 접합되어 케이스(10) 내부를 밀폐시키는 구성의 수정진동자(1)에 있어서, 상기 니켈(Ni) 도금층(20b)은 리드(20)의 상부면에만 형성되어 도금층(20b)이 형성되지 않은 리드(20)의 하부면에 금속 접합층(21)이 열간 압연에 의하여 접착되고, 상기 접합층(21)은 주석(Sn) 78∼82중량％, 아연(Zn) 9∼11중량％, 은(Ag) 9∼11중량％를 주성분으로 하는 금속합금이거나, 은(Ag) 68∼72중량％, 동(Cu) 24∼25중량％, 비스무스(Bi) 2∼4중량％, 주석(Sn) 2∼3중량％, 게르마늄(Ge) 0.02∼0.4중량％를 주성분으로 하는 금속합금 중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 수정진동자에 의하여 달성될 수 있는 것이다.Features of the present invention for achieving the above object, the crystal oscillation piece 30 is accommodated in the case 10 in which the electrode circuits 12 are arranged in a multilayer between the ceramic insulator 11 is connected to the electrodes, The crystal oscillator 1 having a structure in which a metal alloy lead 20 having a nickel (Ni) plating layer 20b formed thereon is joined while melting by the metal bonding layer 21 to seal the inside of the case 10. The nickel (Ni) plating layer 20b is formed only on the upper surface of the lead 20 so that the metal bonding layer 21 is hot-rolled on the lower surface of the lead 20 where the plating layer 20b is not formed. The bonding layer 21 is a metal alloy composed mainly of 78 to 82% by weight of tin (Sn), 9 to 11% by weight of zinc (Zn), and 9 to 11% by weight of silver (Ag), or silver (Ag). ) 68-72 wt%, copper (24-25 wt%), bismuth (Bi) 2-4 wt%, tin (Sn) 2-3 wt%, germanium (Ge) 0.02-0.4 wt% It can be achieved by a quartz oscillator, it characterized in that any one of a metal alloy.
이하, 상기한 목적을 달성하기 위한 바람직한 실시예를 첨부된 도면에 의하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, described in detail by the accompanying drawings a preferred embodiment for achieving the above object is as follows.
도 2 내지 도3에서 도시한 바와 같이, 상기 케이스(10)는 세라믹 절연체(11) 사이에 전극회로(12) 들이 다층 배열되고, 그 내부에는 수납공간이 형성된 구성으로 되어 있다. 상기 케이스(10)의 내부 바닥에 구비된 전극회로(12)에는 수정 진동편(30)이 고정되어 있고, 이 수정 진동편(30)은 양측 전극회로(12)들과 전선(31)으로 연결되어 있다.2 to 3, the case 10 has a structure in which electrode circuits 12 are arranged in a multilayer manner between ceramic insulators 11 and a storage space is formed therein. The crystal vibration piece 30 is fixed to the electrode circuit 12 provided on the inner bottom of the case 10, and the crystal vibration piece 30 is connected to both electrode circuits 12 and the wire 31. It is.
상기 케이스(10)의 개방된 상부에는 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co)의 합금인 코바(Kovar)를 얇은 판재로 가공한 리드(20)가 접합되어 케이스(10) 내부가 밀폐된 구성으로 되어 있다.An open upper portion of the case 10 is bonded with a lead 20 processed from a thin plate of Kovar, an alloy of iron (Fe), nickel (Ni), and cobalt (Co), to bond the inside of the case 10. It is in a sealed configuration.
물론, 전술한 구성의 수정진동자(1)는 이미 알려진 공지의 기술사상이다. 그러나, 본 발명에 있어서 가장 중요한 특징은 상기 리드(20)의 상부면에만 도금층(20b)이 형성되고, 도금층이 형성되지 않은 리드(20)의 하부면에 접합층(21)이 형성되어 전기 용접시 발생되는 저류의 충격을 최소화시키고, 저온의 열에 의하여 리드(20)를 케이스(10) 상부에 직접 접합시킬 수 있도록 함에 있는 것이다.Of course, the crystal oscillator 1 of the above-described configuration is a known technical idea. However, the most important feature of the present invention is that the plating layer 20b is formed only on the upper surface of the lead 20, and the bonding layer 21 is formed on the lower surface of the lead 20 on which the plating layer is not formed, thereby electric welding. It is to minimize the impact of the storage generated during the time, and to allow the lead 20 to be directly bonded to the upper case 10 by the low temperature heat.
즉, 상기 리드(20)는 금속합금으로 이루어진 얇은 금속판재의 상부면에 니켈(Ni) 도금층(20b)이 형성된 구성으로 되어 있고, 도금층이 형성되지 않은 리드(20)의 하부면에는 일정 두께를 갖는 접합층(21)이 형성되어 있다. 물론, 상기 도금층(20b)은 리드(20)의 일면에 만 도금막을 형성하는 특수 도금방법을 사용한다.That is, the lead 20 has a structure in which a nickel (Ni) plating layer 20b is formed on an upper surface of a thin metal plate made of a metal alloy, and a predetermined thickness is provided on the lower surface of the lead 20 on which the plating layer is not formed. The bonding layer 21 which has is formed. Of course, the plating layer 20b uses a special plating method of forming only a plating film on one surface of the lead 20.
상기 접합층(21)은 비교적 저온의 열(200∼400℃)에 의하여 케이스(10)의 상부에 직접 열 융착되는 금속합금으로 되어 있다. 이와 같은 구성으로 이루어진 본 고안은 니켈 도금층(20b)이 형성되지 않은 리드(20)의 하부면에 접합층(21)이 형성된 것이므로 리드(20)를 전기 용접을 하였을 때 전류가 니켈 도금층(20b)을 통과하지 않고 직접 금속합금 접합층(21)에 전기적 작용을 가하여 용접하는 것이므로 매우 효율적인 용접이 이루어지도록 할 수 있는 것이다.The bonding layer 21 is made of a metal alloy which is directly thermally fused to the upper portion of the case 10 by relatively low heat (200 to 400 ° C). The present invention having such a configuration is that the bonding layer 21 is formed on the lower surface of the lead 20 on which the nickel plating layer 20b is not formed. Thus, when the lead 20 is electrically welded, the current is applied to the nickel plating layer 20b. Since the welding by applying an electrical action directly to the metal alloy bonding layer 21 without passing through it can be made very efficient welding.
따라서, 종래의 기술에서 전류가 니켈 도금층(20a)을 통과함에 따라 발생되는 전기적 저항에 의하여 세라믹 케이스(10)에 균열이 발생되는 문제점과 니켈 도금층(20a)이 용융반응을 일으켜 인(P)을 함유한 가스를 발생시킴에 따라 진동편(30)에 치명적인 영향을 주는 문제점 및 가스가 외부로 유출되면서 리드(20)의 접착력을 약화시키거나 작업자들의 건강을 해치는 등의 제반 문제점들이 완벽하게 해소되어 수정진동자의 대외 경쟁력을 최대한 높여줄 수 있는 등의 이점이 있다.Therefore, in the related art, cracking occurs in the ceramic case 10 due to electrical resistance generated as the current passes through the nickel plating layer 20a, and the nickel plating layer 20a causes a melting reaction to cause phosphorus (P). As the gas is generated, problems that have a lethal effect on the vibrating piece 30 and problems such as weakening the adhesive force of the lid 20 or harming the health of workers as the gas is leaked to the outside are completely solved. There is an advantage such that it can maximize the external competitiveness of the crystal oscillator.
또한, 금속합금 접합층(21)에 의하여 리드(20)가 직접 세라믹 케이스(10)에 접합되는 것이므로 종래와 같이 은도금된 링을 사용할 필요 없이 리드(20)를 케이스(10) 위에 올려놓고 저온(200∼400℃)의 열을 가하면 접합층(21)이 용융되면서 케이스(10)의 상부 주연부에 견고하게 접착되는 것이므로 리드(20)의 접합 작업이 매우 편리하면서도 전체적인 두께를 얇게 하여 수정진동자의 소형화 및 슬림화를 구현할 수 있는 동시에 전체적인 제조원가를 저렴하게 유지할 수 있는 등의 이점이 있다.In addition, since the lead 20 is directly bonded to the ceramic case 10 by the metal alloy bonding layer 21, the lead 20 is placed on the case 10 without using a silver plated ring as in the related art. 200 ~ 400 ° C.), the bonding layer 21 is melted and firmly adhered to the upper periphery of the case 10. Therefore, the bonding work of the lid 20 is very convenient and the overall thickness is reduced to reduce the size of the crystal oscillator. And at the same time it is possible to implement a slimmer, the overall manufacturing cost can be maintained at a low cost.
한편, 상기 접합층(21)에 사용되는 금속합금은 다양하게 구성할 수 있으나, 주석(Sn) 78∼82중량％, 아연(Zn) 9∼11중량％, 은(Ag) 9∼11중량％를 주성분으로 하는 합금으로 되어 있다.On the other hand, the metal alloy used in the bonding layer 21 may be variously configured, but 78 to 82% by weight of tin (Sn), 9 to 11% by weight of zinc (Zn), and 9 to 11% by weight of silver (Ag). It is an alloy containing as a main component.
이와 같이 주석(Sn)을 주성분으로 아연(Zn)과 은(Ag)이 적정량 첨가된 접합층(21)은 약200∼400℃의 저온에서도 잘 용융되어 용접 특성이 우수할 뿐 아니라 융점(melting point), 젖음성(wettability) 등을 비롯하여, 기계적 특성(joint strength, hardness, creep-fatigue resistance), 전기적 특성(electrical conductivity), 열적특성(CTE, thermal conductivity) 등이 뛰어나면서도 유독성(toxicity)이 거의 없어 환경오염을 일으킬 염려가 없는 것으로서 케이스(10) 상부에 리드(20)를 견고하게 접합시킬 수 있는 동시에 접합작업이 매우 간편하여 대외 경쟁력이 높은 고품질의 수정진동자(1)를 제공할 수 있는 등의 이점이 있다.As such, the bonding layer 21 in which a suitable amount of zinc (Zn) and silver (Ag) are added as a main component of tin (Sn) is melted well even at low temperatures of about 200 to 400 ° C, so that the welding properties are excellent and the melting point is notable. ), Wettability, wet strength, hardness, creep-fatigue resistance, electrical conductivity, thermal conductivity (CTE), etc. As there is no fear of environmental pollution, the lead 20 can be firmly bonded to the upper part of the case 10, and at the same time, the joining operation is very easy, so that it can provide a high quality crystal oscillator 1 with high competitiveness. There is an advantage.
따라서, 종래와 같이 별도의 은도금된 링을 사용할 필요 없이 리드(20)를 케이스(10) 위에 올려놓고 컨베이어를 통해 이동시키면서 전극롤러를 사용하여 리드(20)를 눌러주면 전극롤러를 통해 접합층(21)에 직접 전류가 인가되어 접촉저항에 의한 접합층(21)이 가열 및 용융되면서 용접되거나, 레이져 광선을 이용하여 접합층(21)을 용접시키면 접합층(21)이 용융되면서 케이스(10)의 상부 주연부에 견고하게 접착되는 것이므로 리드(20)의 접합 작업이 매우 편리하면서도 전체적인 두께를 얇게 하여 수정진동자의 소형화 및 슬림화(slim type)를 구현할 수 있는 것이다.Therefore, as shown in the related art, the lead layer 20 is placed on the case 10 without using a separate silver plated ring, and the lead layer 20 is pressed using the electrode roller while moving through the conveyor. The current is directly applied to the 21 to weld the bonding layer 21 by the contact resistance by heating and melting, or when welding the bonding layer 21 using a laser beam, the bonding layer 21 is melted while the case 10 Since it is firmly adhered to the upper periphery of the lead 20, the bonding operation of the lead 20 is very convenient, but the overall thickness can be made thinner and slimmer (slim type) of the crystal oscillator.
한편, 상기 접합층(21)의 금속합금은 또 다르게 형성할 수도 있다. 즉, 은(Ag) 68∼72중량％, 동(Cu) 24∼25중량％, 비스무스(Bi) 2∼4중량％, 주석(Sn) 2∼3중량％, 게르마늄(Ge) 0.02∼0.4중량％를 주성분으로 하는 합금으로 구성할 수도 있다.On the other hand, the metal alloy of the bonding layer 21 may be formed differently. That is, 68-72 weight% of silver (Ag), 24-25 weight% of copper (Cu), 2-4 weight% of bismuth (Bi), 2-3 weight% of tin (Sn), 0.02-0.4 weight of germanium (Ge) It can also be comprised from the alloy which has% as a main component.
이와 같이 은(Ag)과 동(Cu)을 주성분으로 하는 접합층(21)은 760℃∼800℃의 비교적 고온에 용융되나 용접 특성이 우수할 뿐 아니라 접합강도가 매우 우수하며 피로 수명이 길고, 젖음 특성이 향상되어 산화를 방지할 수 있는 것으로서, 케이스(10)의 상부에 리드(20)를 견고하게 접합시킬 수 있는 등의 이점이 있다.As described above, the bonding layer 21 mainly composed of silver (Ag) and copper (Cu) is melted at a relatively high temperature of 760 ° C to 800 ° C, but not only has excellent welding properties but also has excellent bonding strength and long fatigue life. As the wettability is improved to prevent oxidation, the lead 20 may be firmly bonded to the upper portion of the case 10.
한편, 상기 접합층(21)을 리드(20)에 형성하는 방법은 도 4에서 도시한 바와 같이, 코바(Kovar) 재질로 이루어진 리드(20)의 상부면에 니켈(Ni) 도금층(20b)을 형성한 얇은 판상의 금속판재를 상측 릴(40)에 감겨지도록 하고, 얇은 박판의 합금으로 이루어진 접합층(21)을 하측 릴(40)에 감겨지도록 한 후 리드(20)와 접합층(21)을 아이들롤러(41)들을 통과시켜 합쳐지도록 하면서, 히터가 장치된 한쌍의 접합롤러(42)들 사이를 통과시키면서 고온으로 가압하여 도금층(20b)이 형성되지 않은 리드(20)의 하부면에 접합층(21)을 열간 압연(壓延)으로 접합시킨 후 한쌍의 가압롤러(43)들 사이를 통과시켜 일정 두께가 유지되면 프레스(44)로 펀칭하여 그 하부면에 접합층(21)이 형성된 일정 크기의 리드(20)를 제조할 수 있는 것이다.Meanwhile, as shown in FIG. 4, in the method of forming the bonding layer 21 on the lead 20, a nickel (Ni) plating layer 20b is formed on the upper surface of the lead 20 made of Kovar material. After forming the thin plate-shaped metal sheet material to be wound on the upper reel 40, the bonding layer 21 made of a thin thin alloy is wound on the lower reel 40 and then the lead 20 and the bonding layer 21. Presses at a high temperature while passing between the pair of bonding rollers 42 equipped with a heater, and joins the lower surface of the lead 20 where the plating layer 20b is not formed while passing through the idle rollers 41. After joining the layer 21 by hot rolling, and passing through a pair of pressure rollers 43 to maintain a certain thickness, it is punched with a press 44 to form a bonding layer 21 formed on the lower surface thereof. The lead 20 can be manufactured in size.
상기 접합롤러(42)들에 장치된 히터의 온도는 자동으로 조절되고, 그 온도는 접합층(21)의 융점보다 조금 낮게 형성된다. 이와 같이 접합롤러(42)들 사이를 통과하는 리드(20)와 접합층(21)을 고온으로 가압시켜 열간압연 방식을 사용하는 본 발명은 접합층(21)의 접합 작업이 매우 간편하면서도 그 생산성(生産性)을 최대한 높여줄 수 있는 등의 이점이 있다.The temperature of the heaters provided in the joining rollers 42 is automatically adjusted, and the temperature is formed slightly lower than the melting point of the joining layer 21. As described above, the present invention using the hot rolling method by pressing the lead 20 and the bonding layer 21 passing between the bonding rollers 42 to a high temperature is very simple, but the bonding operation of the bonding layer 21 is very simple and the productivity thereof. (生産 性) can be as high as possible and has the advantage.
이상에서 상술한 바와 같은 본 발명은, 니켈 도금층(20b)이 형성되지 않은 리드(20)의 하부면에 접합층(21)이 형성된 것이므로 리드(20)를 전기 용접을 하였을 때 전류가 니켈 도금층(20b)을 통과하지 않고 직접 금속합금 접합층(21)에 전기적 작용을 가하여 용접하는 것이므로 매우 효율적인 용접이 이루어지도록 할 수 있는 것으로서 종래의 기술에서 전류가 니켈 도금층(20a)을 통과함에 따라 발생되는 전기적 저항에 의하여 세라믹 케이스(10)에 균열이 발생되는 문제점과 니켈 도금층(20a)이 용융반응을 일으켜 인(P)을 함유한 가스를 발생시킴에 따라 진동편(30)에 치명적인 영향을 주는 문제점 및 가스가 외부로 유출되면서 리드(20)의 접착력을 약화시키거나 작업자들의 건강을 해치는 등의 제반 문제점들이 완벽하게 해소되어 수정진동자의 대외 경쟁력을 최대한 높여줄 수 있는 등의 이점이 있다. In the present invention as described above, since the bonding layer 21 is formed on the lower surface of the lead 20 on which the nickel plating layer 20b is not formed, when the lead 20 is subjected to electric welding, the current is applied to the nickel plating layer ( Since the welding is performed by applying an electrical action directly to the metal alloy bonding layer 21 without passing through 20b), it is possible to perform a very efficient welding. In the prior art, the electric current generated as the current passes through the nickel plating layer 20a is used. Problems that cracks occur in the ceramic case 10 due to resistance, and nickel plated layer 20a causes a melt reaction to generate a gas containing phosphorus (P), which has a fatal effect on the vibrating piece 30, and As the gas leaks to the outside, problems such as weakening the adhesive force of the lid 20 or damaging the health of workers are completely solved to maximize the external competitiveness of the crystal oscillator. There are advantages such as to give a raise.
도 1은 종래의 기술을 예시한 단면도,1 is a cross-sectional view illustrating a conventional technique,
도 2는 본 발명의 일실예를 예시한 분해사시도,2 is an exploded perspective view illustrating one example of the present invention;
도 3a와 도 3b는 본 발명에 의한 수정진동자의 접합과정을 예시한 단면도,3A and 3B are cross-sectional views illustrating a bonding process of a crystal oscillator according to the present invention;
도 4는 본 발명에 의한 수정진동자가 접합되는 과정을 예시한 개략적인 장치도.4 is a schematic diagram illustrating a process in which a crystal oscillator is bonded according to the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
1 : 수정진동자 10 : 케이스1: crystal oscillator 10: case
11 : 절연체 12 : 전극회로11 insulator 12 electrode circuit
20 : 리드 20a, 20b : 도금층20: lead 20a, 20b: plating layer
21 : 접합층 30 : 진동편21: bonding layer 30: vibrating piece
31 : 전선 40 : 릴31: wire 40: reel
41 : 아이들롤러 42 : 접합롤러41: idle roller 42: bonding roller
43 : 가압롤러 44 : 프레스43: pressure roller 44: press
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