JP2002246493A - Package for electronic component and its manufacturing method - Google Patents
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- Welding Or Cutting Using Electron Beams (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明が属する技術分野】本発明は、電子部品を気密封
止する電子部品用パッケージ及びその製造方法に関する
ものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electronic component package for hermetically sealing an electronic component and a method for manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】水晶振動子、水晶フィルタ、水晶発振器
等の水晶応用製品、半導体製品、等の電子部品はパッケ
ージに気密封止されている。電子部品をセラミック、ガ
ラス、金属、樹脂、等の容器に収納し、セラミック、ガ
ラス、金属、樹脂、等の蓋を樹脂による封止、半田によ
る封止、低融点ガラスによる封止、抵抗溶接による封
止、レーザまたは電子ビームによる封止、等の封止方法
が提案されて実施されている。レーザまたは電子ビーム
による封止方法は、単層のメタライズ層を形成して該メ
タライズ層にＮｉメッキを施したセラミック基体及びコ
バール等の金属に金属ロー材を貼り付けた金属蓋体を重
ね合わせ、金属蓋体の上部からレーザまたは電子ビーム
を照射してメッキ層と金属蓋体を溶融接合する方法であ
る。2. Description of the Related Art Crystal parts, such as crystal oscillators, crystal filters, and crystal oscillators, and electronic components such as semiconductor products are hermetically sealed in a package. The electronic components are housed in a container of ceramic, glass, metal, resin, etc., and the lid of ceramic, glass, metal, resin, etc. is sealed with resin, sealed with solder, sealed with low melting point glass, and resistance welded Sealing methods such as sealing, sealing with a laser or an electron beam, and the like have been proposed and implemented. The sealing method using a laser or an electron beam forms a single-layer metallized layer, and superimposes a metal base such as a ceramic substrate and a metal such as Kovar, which are Ni-plated on the metallized layer, In this method, a plating layer and a metal lid are melt-bonded by irradiating a laser or an electron beam from above the metal lid.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
電子ビームまたはレーザによる封止方法は、表面にタン
グステン、モリブデン・マンガン、等のメタライズ層が
５〜４０μｍ程の厚みで形成されていて、更に該メタラ
イズ層にはニッケルなどのメッキが０．５〜１５μm程
の厚みで施されたセラミック基材、コバール等の金属板
に接合金属層（１５μm厚の銀ろう等）を圧延手法等で
形成した金属蓋体（一般には、クラッド材と称され
る。）、メタライズ層が形成されたセラミック基体及び
金属蓋体をメタライズ層及び接合金属層が接合するよう
に配置し、金属蓋体側から電子ビームまたはレーザを照
射して金属板、接合金属層、メッキ層を高エネルギーで
溶融して溶融接合する方法である。このようなクラッド
材を用いた金属蓋体の溶融接合では、高エネルギーの集
中による発熱によりセラミック部分にクラックが発生す
ること、メタライズ層、メッキ層、等での剥離が発生す
ること、で気密封止性に問題が生ずることがある。However, in the conventional sealing method using an electron beam or a laser, a metallized layer of tungsten, molybdenum / manganese, or the like is formed on the surface to a thickness of about 5 to 40 μm. The metallized layer is made of a ceramic base material plated with nickel or the like to a thickness of about 0.5 to 15 μm, or a metal formed by rolling a joining metal layer (15 μm thick silver braze or the like) on a metal plate such as Kovar. A cover (generally referred to as a clad material), a ceramic base on which a metallized layer is formed, and a metal cover are arranged so that the metallized layer and the bonding metal layer are bonded to each other. And melts the metal plate, the bonding metal layer, and the plating layer with high energy to perform fusion bonding. In the fusion bonding of a metal lid using such a clad material, cracks occur in the ceramic part due to heat generated by high energy concentration, and peeling occurs in the metallized layer, plating layer, etc. In some cases, a problem may occur in the stopping performance.
【０００４】[0004]
【課題を解決するための手段】本発明は、開口部が形成
されたパッケージに電子部品を収納し、該パッケージの
開口周縁部及び蓋体とを溶着してなる電子部品用パッケ
ージにおいて、セラミック製の開口周縁部に階段状に複
数段のメタライズ層を形成し、該メタライズ層に金属メ
ッキを施してメタライズ・メッキ層とした電子部品用パ
ッケージ及びその製造方法である。更に、金属製の蓋体
及び該メタライズ・メッキ層を電子ビーム又はレーザの
照射により溶着する電子部品用パッケージである。蓋体
及びメタライズ・メッキ層を電子ビーム又はレーザの照
射により発熱して溶着するときこの集中発熱によるサー
マルショックを複数段の該メタライズ・メッキ層が緩和
し、セラミック部分のクラックの発生を防ぎ、並びに／
又はメタライズ層、メッキ層、等での剥離の発生を防
ぐ、などの問題解決作用により気密封止性に優れた電子
部品用パッケージ及びその製造方法を提供することがで
きる。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention relates to a package for an electronic component, wherein an electronic component is housed in a package having an opening formed therein, and the periphery of the opening of the package and a lid are welded. And a method for manufacturing an electronic component package in which a plurality of metallized layers are formed in a stepwise manner at the periphery of an opening, and the metallized layers are metal-plated to form metallized plated layers. Further, the present invention is an electronic component package in which a metal lid and the metallized plating layer are welded by irradiation with an electron beam or a laser. When the lid and the metallized plating layer are heated and welded by irradiation of an electron beam or a laser and welded, the thermal shock due to the concentrated heat is relieved by the metallized plating layers in a plurality of stages, preventing cracks in the ceramic portion, and /
Alternatively, it is possible to provide an electronic component package having excellent hermetic sealing properties by a problem solving effect such as preventing occurrence of peeling in a metallized layer, a plating layer, and the like, and a method of manufacturing the same.
【０００５】[0005]
【発明の実施の形態】本発明に係る電子部品用パッケー
ジ及びその製造方法は、電子部品収納用の凹状の開口部
３が形成され、該開口部の周囲をセラミックによる開口
周縁部４が取り囲み、該開口周縁部の上面部ぐるりに階
段状に複数段のメタライズ層５が形成され更にメッキ処
理が施されたメタライズ・メッキ層６を形成したセラミ
ック製基体１である。更に、メタライズ・メッキ層６及
び金属製の蓋体２を相対配置して電子ビーム８又はレー
ザ８の照射でメタライズ・メッキ層６及び蓋体２を溶着
して気密封止したものである。以下において図１、図
２、図３により更に詳述する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In a package for an electronic component and a method of manufacturing the same according to the present invention, a concave opening 3 for accommodating an electronic component is formed, and an opening peripheral portion 4 made of ceramic surrounds the opening. The ceramic substrate 1 has a plurality of metallized layers 5 formed in steps around the upper surface of the periphery of the opening, and a metallized plated layer 6 formed by plating. Further, the metallized plating layer 6 and the lid 2 are disposed relative to each other, and the metallized plating layer 6 and the lid 2 are welded by irradiation with an electron beam 8 or a laser 8 and hermetically sealed. This will be described in more detail below with reference to FIGS.
【０００６】セラミック製基体１は、一般の方法で製作
されたセラミック製の開口部を形成した箱状の容器であ
り、開口周縁部４の上面ぐるりにメタライズ層５を形成
したものである。セラミック製作の一般の方法とは、粉
末プレスによる方法、積層による方法などであり特に限
定するものではない。例えば、積層による方法は、アル
ミナによるグリーンシート（ドクターブレード方法など
で製作したシート）を複数枚用いて各々のシートに必要
に応じて孔を明け、導体層を形成し、開口部を形成し、
所望の複数枚のセラミックグリーンシートを積み重ねて
加熱プレス積層し、開口周縁部４の上面部にタングステ
ンペーストを複数回塗布して階段状に複数段のメタライ
ズ層５を形成し、セラミック製基体を後で個別のパッケ
ージに分割するためのブレイク溝１０をセラミックグリ
ーンシート表面（片面または両面）に形成し、水素混合
の不活性ガス雰囲気で焼結し、金属メッキを施して製作
する方法である。The ceramic base 1 is a box-shaped container having a ceramic opening formed by a general method, in which a metallized layer 5 is formed around the upper surface of the opening peripheral portion 4. The general method of manufacturing a ceramic is a method by powder pressing, a method by lamination, and the like, and is not particularly limited. For example, the lamination method uses a plurality of green sheets made of alumina (sheets manufactured by a doctor blade method or the like), pierces each sheet as necessary, forms a conductor layer, forms an opening,
A plurality of desired ceramic green sheets are stacked and heated and pressed, and a tungsten paste is applied a plurality of times to the upper surface of the opening peripheral portion 4 to form a plurality of metallized layers 5 in a stepwise manner. In this method, a break groove 10 for dividing into individual packages is formed on the surface (one or both surfaces) of the ceramic green sheet, sintered in an inert gas atmosphere containing hydrogen, and subjected to metal plating.
【０００７】メタライズ層５は、メタライズの材料を特
に限定するものでなく、同時焼成、後焼成で形成しても
よく、５〜４０μmの厚みであることが好ましく、更に
好ましくは１０〜２５μmの厚みである。前記の説明
は、セラミック焼成と同時にタングステンのメタライズ
層を形成する同時焼成方法である。後焼成方法は、焼結
したセラミック体にモリブデン・マンガン、銀系の導
体、等のメタライズ層を形成して焼成する方法である。[0007] The metallization layer 5 is not particularly limited to a metallization material, and may be formed by simultaneous firing and post-firing, and preferably has a thickness of 5 to 40 µm, more preferably 10 to 25 µm. It is. The above description is a simultaneous firing method in which a tungsten metallized layer is formed simultaneously with ceramic firing. The post-firing method is a method in which a metallized layer of molybdenum / manganese, a silver-based conductor, or the like is formed on a sintered ceramic body and fired.
【０００８】メタライズ層５にメッキを施す。例えば
０．１〜１０μmのＮｉメッキを施して不活性ガス雰囲
気で加熱してシンタリングを行いメタライズ層とメッキ
層の密着性を高める。更に金メッキを施してＮｉの酸化
を防止することが好ましい。以後、メッキ層も含めてメ
タライズ・メッキ層６と言う。The metallization layer 5 is plated. For example, Ni plating of 0.1 to 10 μm is performed, and sintering is performed by heating in an inert gas atmosphere to improve the adhesion between the metallized layer and the plated layer. Further, it is preferable to apply gold plating to prevent oxidation of Ni. Hereinafter, the metallized plating layer 6 including the plating layer will be referred to.
【０００９】階段状に形成された複数段のメタライズ・
メッキ層６は電子ビーム又はレーザで溶着したとき高エ
ネルギーで部分溶融してサーマルショックが発生しても
メタライズ・メッキ層が緩衝材となりクラックの発生を
防ぐ、またメタライズ層、メッキ層、等での剥離の発生
を防ぐ、またメタライズ・メッキ層及び蓋体との溶着性
もよく、気密封止性により優れる。[0009] A plurality of metallization steps formed in a step shape
The plating layer 6 is partially melted with high energy when welded by an electron beam or a laser, and even if a thermal shock occurs, the metallized plating layer serves as a buffer material to prevent the occurrence of cracks. It prevents peeling, has good weldability with the metallized plating layer and the lid, and is excellent in hermetic sealing.
【００１０】金属製の蓋体２は板材である。蓋体の板状
の母材は、コバール、隣青銅、等の金属であり特に限定
するものではない。厚さは、０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍ
であることが好ましい。コストの面からは常用されてい
るコバールが好ましい。母材が腐食して後々に電子部品
の上に付着して特性が劣化することを防ぐためにまたは
溶着するときにメタライズ・メッキ層との密着性向上の
ために、蓋材にＮｉなどのメッキを施すことが好まし
い。The metal lid 2 is a plate. The plate-shaped base material of the lid is a metal such as Kovar or bronze, and is not particularly limited. The thickness is 0.05mm ~ 0.5mm
It is preferred that Kovar, which is commonly used, is preferred in terms of cost. To prevent the base material from being corroded and subsequently adhering to the electronic components and deteriorating the characteristics, or to improve the adhesion with the metallized plating layer when welding, cover plates with Ni or other plating. It is preferable to apply.
【００１１】セラミック製基材１の開口部３に電子部品
（半導体製品、水晶応用製品、個別部品、等）を搭載す
る。搭載の詳細は省略する。Electronic components (semiconductor products, quartz crystal products, individual components, etc.) are mounted in the openings 3 of the ceramic base material 1. Details of mounting are omitted.
【００１２】封着装置内でセラミック製基体１のメタラ
イズ・メッキ層６が形成されている側に金属製の蓋体２
を配置して蓋体側から電子ビーム８又はレーザ８を照射
し蓋体及びメタライズ・メッキ層を溶着して溶着接合部
９で気密封止する。レーザ封着装置を使用する場合は、
装置内を不活性ガス雰囲気または真空雰囲気状態にして
蓋体側からプログラムに従ってレーザを照射して蓋体及
びメタライズ・メッキ層を溶着する。レーザは、Ｃ
Ｏ２、ＹＡＧ、等が好ましい。電子ビーム封着装置を使
用する場合は、真空雰囲気状態または不活性ガス雰囲気
にして蓋体側からプログラムに従って電子ビームを照射
して蓋体及びメタライズ・メッキ層を溶着する。電子ビ
ームがガス雰囲気中に照射されるとガス分子の影響を受
けて散乱するためビーム径が広がりエネルギー密度が低
下することにより溶込みが減少する現象が起きるためエ
ネルギーめんから真空雰囲気が好ましいが、反面、ガス
雰囲気の場合には溶着金属の幅が広がるので組み立て許
容が大きくなり溶着封止が容易となり作業面からすると
好ましい。電子ビーム装置とレーザ装置を比較した場
合、エネルギー効率がよい電子ビーム装置を使用するこ
とが好ましい。A metal cover 2 is provided on the side of the ceramic substrate 1 on which the metallized / plated layer 6 is formed in the sealing device.
And irradiating an electron beam 8 or a laser 8 from the lid side to weld the lid and the metallized / plated layer and hermetically seal it with a welded joint 9. When using a laser sealing device,
The inside of the apparatus is set to an inert gas atmosphere or a vacuum atmosphere, and a laser is irradiated from the lid side according to a program to weld the lid and the metallized / plated layer. Laser is C
O 2 , YAG, and the like are preferred. When an electron beam sealing device is used, the lid and the metallized plating layer are welded by irradiating an electron beam according to a program from the lid in a vacuum atmosphere or an inert gas atmosphere. When the electron beam is irradiated in a gas atmosphere, the electron beam is scattered under the influence of gas molecules, so that the beam diameter expands and the energy density decreases. On the other hand, in the case of a gas atmosphere, the width of the weld metal is widened, so that the assembly tolerance is increased, and the welding sealing is facilitated. When comparing an electron beam device and a laser device, it is preferable to use an electron beam device having good energy efficiency.
【００１３】セラミック製基体１及び蓋体２を溶着封止
するために装置内に配置する方法は、特に限定するもの
ではない。例えば、焼結したセラミック製基体１にメタ
ライズ・メッキ層６を形成した後にブレイク溝に従って
個別のパッケージに分割し、分割した個別のパッケージ
及び個別の蓋体を配置して溶着封止する方法である。他
の例として、メタライズ・メッキ層６が形成された多数
個のパッケージの集団であるシート状のセラミック製基
体１及び蓋体となる金属板を配置して各々のパッケージ
の封着部分に電子ビーム又はレーザを照射して溶着封止
し、不要となる部分の金属板をエッチング除去し、保護
用のメッキを施し、セラミック製基体のブレイク溝に沿
って分割する方法である。The method for arranging the ceramic base 1 and the lid 2 in the apparatus for welding and sealing is not particularly limited. For example, there is a method in which a metallized plating layer 6 is formed on a sintered ceramic substrate 1 and then divided into individual packages according to the break grooves, and the divided individual packages and individual lids are arranged and sealed by welding. . As another example, a sheet-shaped ceramic base 1 which is a group of a large number of packages having a metallized / plated layer 6 formed thereon and a metal plate serving as a lid are arranged, and an electron beam is applied to a sealing portion of each package. Alternatively, it is a method of irradiating a laser to weld and seal, etching away an unnecessary portion of the metal plate, plating for protection, and dividing along a break groove of the ceramic base.
【００１４】[0014]
【実施例】本発明に係る電子部品用パッケージ及びその
製造方法の実施例を示す。尚、本発明に係る電子部品用
パッケージ及びその製造方法は、以下の実施例に限定さ
れるものでない。An embodiment of an electronic component package and a method of manufacturing the same according to the present invention will be described. The electronic component package and the method of manufacturing the same according to the present invention are not limited to the following embodiments.
【００１５】（実施例１）９４％アルミナによる各種厚
さのセラミックグリーンシートをドクターブレード方法
で作成した。厚さ０．３ｍｍのグリーンシートＡに電極
取り出し用の孔を明け、導電性ペースト（タングステ
ン）を印刷してスルホール電極、配線電極を形成した。
このスルホール電極は、後に形成されるブレイク溝によ
り分割される位置にある。厚さ０．２ｍｍのグリーンシ
ートＢに部品搭載部の角穴を明け、電極用の孔を明け、
導電性ペーストを印刷してスルホール電極、配線電極を
形成した。厚さ０．４ｍｍのグリーンシートＣに部品搭
載用の開口部３となる角穴を明けた。グリーンシート
Ａ、グリーンシートＢおよびグリーンシートＣを位置合
わせ配置し、加熱・加圧して３層構造の積層体を形成し
た。該積層体の開口部周辺の開口周縁部４の上面ぐるり
に帯状のメタライズ層となるタングステンによるペース
トを印刷塗布して乾燥し、更に、狭幅の帯状にタングス
テンペーストをメタライズ層の上部に印刷塗布して乾燥
し、更に、より狭幅の帯状にタングステンペーストをメ
タライズ層の上部に印刷塗布して乾燥し、階段状である
三段のメタライズ層を形成した。メタライズ層を形成し
た該積層体は、多くの個別パッケージが形成されている
のでメタライズ層側の片面から０．３ｍｍの深さに分割
のためのブレイク溝１０を縦横複数本形成した。この積
層体を水素付加の窒素雰囲気炉で１６５０度Ｃの温度で
焼結してメタライズ層の厚みが約２０μmであるセラミ
ック製基体１を作製した。更に、厚みがほぼ８μmの
（無電解Ｎｉメッキ）電解Ｎｉメッキをメタライズ層お
よび配線電極に施した。開口周縁部に形成されたメタラ
イズ層５にメッキ処理したメタライズ層をメタライズ・
メッキ層６という。Example 1 Ceramic green sheets of various thicknesses made of 94% alumina were prepared by a doctor blade method. A hole for taking out an electrode was formed in a green sheet A having a thickness of 0.3 mm, and a conductive paste (tungsten) was printed to form a through-hole electrode and a wiring electrode.
This through-hole electrode is located at a position divided by a break groove to be formed later. Drill a square hole in the component mounting part on a 0.2 mm thick green sheet B, drill a hole for an electrode,
The conductive paste was printed to form through-hole electrodes and wiring electrodes. A square hole to be an opening 3 for mounting a component was formed in a green sheet C having a thickness of 0.4 mm. Green sheet A, green sheet B and green sheet C were aligned and arranged, and heated and pressed to form a laminate having a three-layer structure. A paste of tungsten as a band-shaped metallization layer is printed and coated around the upper surface of the opening peripheral portion 4 around the opening of the laminate, and dried. Then, a tungsten paste was printed and applied to the upper part of the metallized layer in a narrower band, and then dried to form a three-step metallized layer having a step shape. Since a large number of individual packages were formed on the laminate having the metallized layer formed thereon, a plurality of vertical and horizontal break grooves 10 were formed for division at a depth of 0.3 mm from one surface on the metallized layer side. This laminate was sintered in a hydrogen atmosphere in a nitrogen atmosphere furnace at a temperature of 1650 ° C. to produce a ceramic substrate 1 having a metallized layer thickness of about 20 μm. Further, electrolytic Ni plating having a thickness of about 8 μm (electroless Ni plating) was applied to the metallized layer and the wiring electrodes. The metallized layer 5 formed on the periphery of the opening is metallized by plating.
It is called a plating layer 6.
【００１６】図２のセラミック製基体の開口部３に導電
性接着剤を用いて水晶振動子７を搭載固定した。A quartz oscillator 7 was mounted and fixed to the opening 3 of the ceramic base shown in FIG. 2 using a conductive adhesive.
【００１７】電子ビーム封着装置に水晶振動子が搭載さ
れたセラミック製基体１を配置固定し、該セラミック製
基体のメタライズ・メッキ層６の側に蓋体として表面に
Ｎｉメッキが施された厚さ０．１ｍｍのコバールの板２
を配置（図２）・接触させ、該コバールの板を上から押
さえて、真空雰囲気で電子ビームを照射し、セラミック
製基体の各々開口周縁部のぐるりにある階段状で複数段
のメタライズ・メッキ層６とコバールの板２を溶着し
た。（図１）A ceramic substrate 1 on which a crystal oscillator is mounted is placed and fixed in an electron beam sealing device, and a thickness of Ni-plated surface as a lid is provided on the metallized plating layer 6 side of the ceramic substrate. 0.1mm Kovar plate 2
Arranged (Fig. 2), contacted, pressed down the Kovar plate from above, irradiated with electron beam in a vacuum atmosphere, stepped metallization plating in multiple steps around each opening edge of ceramic substrate The layer 6 and the Kovar plate 2 were welded. (Fig. 1)
【００１８】コバールを溶着したセラミック製基体のコ
バールの表面にフォトレジストフィルムを貼付、パター
ンフィルムで露光し、ブレイク溝に相当する部分を除去
するように現像を施し、更に、フォトレジストから露出
したコバール部分をエッチングし、ブレイク溝が目視で
きるようにコバールを除去した。セラミック製基体にあ
らかじめ形成されているブレイク溝に沿って分割して部
品搭載の電子部品パッケージによる水晶振動子を製作し
た。（図１の電子ビーム８がない状態）A photoresist film is adhered to the surface of Kovar on a ceramic substrate to which Kovar is welded, exposed with a pattern film, developed to remove portions corresponding to break grooves, and further exposed to Kovar exposed from the photoresist. The portion was etched, and Kovar was removed so that the break grooves could be visually observed. A quartz resonator was manufactured by dividing a component along a break groove previously formed on a ceramic base and using an electronic component package on which components were mounted. (Without electron beam 8 in FIG. 1)
【００１９】このように製作された電子部品用パッケー
ジは、コバール２およびメタライズ・メッキ層６が電子
ビームの照射により溶着されているため水晶振動子の温
度を上昇させることなく、階段状に形成された複数段の
メタライズ・メッキ層がサーマルショックを吸収してク
ラックの発生がなく、メタライズ層、メッキ層、および
コバールでの剥離が発生しない気密封止性に優れたもの
である。The electronic component package manufactured in this manner is formed in a step-like manner without increasing the temperature of the crystal unit because the Kovar 2 and the metallized plating layer 6 are welded by irradiation with an electron beam. In addition, the metallized / plated layers of multiple stages absorb thermal shock, do not cause cracks, and have excellent hermetic sealing properties that do not cause peeling in the metalized layers, plated layers, and Kovar.
【００２０】（実施例２）電子ビームの代わりにレーザ
を照射して溶着封止する以外は実施例１と略同様にし
た。レーザ封着装置にセラミック製基体および蓋体を配
置・接触させ、窒素置換雰囲気でレーザ照射して蓋体の
コバールとメタライズ・メッキ層を溶着して気密封止し
た。(Example 2) The procedure was substantially the same as that of Example 1 except that welding and sealing were performed by irradiating a laser beam instead of an electron beam. The ceramic base and the lid were placed and brought into contact with the laser sealing device, and laser irradiation was performed in a nitrogen-substituted atmosphere to weld the Kovar of the lid and the metallized plating layer to hermetically seal them.
【００２１】このように製作された電子部品用パッケー
ジは、コバールおよびメタライズ・メッキ層がレーザの
照射により封着されているため水晶振動子の温度を上昇
させることなく、複数段のメタライズ・メッキ層がサー
マルショックを吸収したクラックの発生がなく、メタラ
イズ層、メッキ層、及びコバールでの剥離が発生しない
気密封止性に優れたものである。The electronic component package manufactured in this manner has a plurality of metallized plating layers without raising the temperature of the crystal oscillator because the Kovar and metallized plating layers are sealed by laser irradiation. Is excellent in hermetic sealing without cracking due to absorption of thermal shock and without peeling at the metallized layer, plated layer and Kovar.
【００２２】[0022]
【発明の効果】セラミック製の開口周縁部に階段状に複
数段のメタライズ層を形成し、該メタライズ層に金属メ
ッキを施してメタライズ・メッキ層としたセラミック製
基体の電子部品用パッケージ及びその製造方法であり、
並びに金属製の蓋体を接触配置し電子ビーム又はレーザ
の照射により蓋体及びメタライズ・メッキ層を溶着する
電子部品用パッケージであり、内部に搭載された電子部
品の温度を上昇させることなく、セラミック製基体に形
成された複数段のメタライズ・メッキ層がサーマルショ
ックの緩衝材として作用するためクラックの発生がな
く、メタライズ層、メッキ層、等での剥離の発生がない
気密封止性に優れた電子部品用パッケージ及びその製造
方法を提供することができる。According to the present invention, a ceramic base electronic component package having a metallized plating layer formed by forming a plurality of metallized layers in a stepwise manner at the periphery of an opening made of ceramic and applying metal plating to the metallized layer, and its manufacture. Method
And a package for electronic components in which a metal lid is placed in contact and the lid and a metallized plating layer are welded by irradiation with an electron beam or a laser, without increasing the temperature of the electronic components mounted inside the package. Since the metallized / plated layers formed on the base made of multiple layers act as a buffer for thermal shock, there is no cracking, and there is no peeling in the metallized layer, plated layer, etc. An electronic component package and a method for manufacturing the same can be provided.
【００２３】[0023]
【図１】本発明に係る電子部品用パッケージ及びその製
造方法による電子部品を搭載し、セラミック製基体及び
金属製の蓋体を電子ビームまたはレーザにより溶着して
気密封止した電子部品用パッケージの一実施態様を示す
断面視図である。FIG. 1 shows an electronic component package in which an electronic component package according to the present invention and an electronic component manufactured by the method for manufacturing the electronic component package are mounted, and a ceramic base and a metal lid are welded by an electron beam or a laser and hermetically sealed. It is sectional drawing which shows one Embodiment.
【図２】本発明に係る電子部品用パッケージ及びその製
造方法による溶着前の電子部品を搭載したセラミック製
基体（多数個取りの２個部分のみを記載した）、金属製
の蓋体を相対配置したイメージ断面視図である。FIG. 2 is a view showing a relative arrangement of a ceramic base (only two multi-cavities are shown) mounted with an electronic component before welding by an electronic component package and a method of manufacturing the electronic component according to the present invention, and a metal lid. FIG.
【図３】本発明に係る電子部品用パッケージ及びその製
造方法によるセラミック製基体の開口部側よりの図であ
る。FIG. 3 is a diagram of an electronic component package according to the present invention and a ceramic base formed by a method of manufacturing the same, as viewed from the opening side.
【００２４】[0024]
１ セラミック製基体 ２ 蓋体 ３ 開口部 ４ 開口周縁部 ５ メタライズ層 ６ メタライズ・メッキ層 ７ 電子部品 ８ 電子ビーム ８ レーザ ９ 溶着接合部 １０ブレイク溝 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Ceramic base 2 Lid 3 Opening 4 Opening edge 5 Metallized layer 6 Metallized plating layer 7 Electronic component 8 Electron beam 8 Laser 9 Welding joint 10 Break groove
Claims (2)
品を収納し、該パッケージの開口周縁部及び蓋体とを溶
着してなる電子部品用パッケージにおいて、セラミック
製の開口周縁部に階段状に複数段のメタライズ層を形成
し、該メタライズ層に金属メッキを施してメタライズ・
メッキ層としたことを特徴とする電子部品用パッケージ
及びその製造方法。An electronic component package in which an electronic component is housed in a package having an opening formed therein and is welded to a peripheral portion of the opening of the package and a lid is provided in a stepwise manner on a peripheral portion of the ceramic opening. Forming a plurality of metallized layers, metallizing the metallized layers
An electronic component package comprising a plated layer and a method of manufacturing the same.
を電子ビーム又はレーザの照射により溶着することを特
徴とする請求項１に記載の電子部品用パッケージ。2. The electronic component package according to claim 1, wherein the metallized plating layer and the metal lid are welded by irradiation with an electron beam or a laser.
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Cited By (9)
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|---|---|---|---|---|
| JP2007095812A (en) * | 2005-09-27 | 2007-04-12 | Pioneer Electronic Corp | Housing for electronic component, laser welding apparatus, and laser welding method |
| US7241966B2 (en) * | 2004-09-02 | 2007-07-10 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Wafer level package fabrication method using laser illumination |
| JP2007184545A (en) * | 2005-12-06 | 2007-07-19 | Yamaha Corp | Semiconductor unit, semiconductor device and method for manufacturing the same |
| JP2009065205A (en) * | 2003-10-30 | 2009-03-26 | Kyocera Corp | Method of manufacturing electronic apparatus |
| JP2009105422A (en) * | 2003-10-30 | 2009-05-14 | Kyocera Corp | Method for manufacturing electronic device |
| JP2010177674A (en) * | 2010-02-09 | 2010-08-12 | Kyocera Corp | Method of manufacturing electronic device |
| US8344489B2 (en) | 2005-12-06 | 2013-01-01 | Yamaha Corporation | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| CN110587103A (en) * | 2019-09-27 | 2019-12-20 | 中国航空制造技术研究院 | Welding method of ultrahigh-strength steel multi-cavity structure based on stress discrete distribution |
| CN113725085A (en) * | 2021-08-31 | 2021-11-30 | 深圳技术大学 | Assembly process method of packaging part and packaging part |
-
2001
- 2001-02-21 JP JP2001045183A patent/JP3765729B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009065205A (en) * | 2003-10-30 | 2009-03-26 | Kyocera Corp | Method of manufacturing electronic apparatus |
| JP2009105422A (en) * | 2003-10-30 | 2009-05-14 | Kyocera Corp | Method for manufacturing electronic device |
| US7241966B2 (en) * | 2004-09-02 | 2007-07-10 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Wafer level package fabrication method using laser illumination |
| JP2007095812A (en) * | 2005-09-27 | 2007-04-12 | Pioneer Electronic Corp | Housing for electronic component, laser welding apparatus, and laser welding method |
| JP2007184545A (en) * | 2005-12-06 | 2007-07-19 | Yamaha Corp | Semiconductor unit, semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US8344489B2 (en) | 2005-12-06 | 2013-01-01 | Yamaha Corporation | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2010177674A (en) * | 2010-02-09 | 2010-08-12 | Kyocera Corp | Method of manufacturing electronic device |
| CN110587103A (en) * | 2019-09-27 | 2019-12-20 | 中国航空制造技术研究院 | Welding method of ultrahigh-strength steel multi-cavity structure based on stress discrete distribution |
| CN110587103B (en) * | 2019-09-27 | 2021-05-11 | 中国航空制造技术研究院 | Welding method of ultrahigh-strength steel multi-cavity structure based on stress discrete distribution |
| CN113725085A (en) * | 2021-08-31 | 2021-11-30 | 深圳技术大学 | Assembly process method of packaging part and packaging part |
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