KR20030072042A - a quartz vibrator - Google Patents

a quartz vibrator Download PDF

Info

Publication number
KR20030072042A
KR20030072042A KR1020020011574A KR20020011574A KR20030072042A KR 20030072042 A KR20030072042 A KR 20030072042A KR 1020020011574 A KR1020020011574 A KR 1020020011574A KR 20020011574 A KR20020011574 A KR 20020011574A KR 20030072042 A KR20030072042 A KR 20030072042A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
lead
bonding layer
roller
case
weight
Prior art date
Application number
KR1020020011574A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
한규진
Original Assignee
주식회사 코스텍시스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 코스텍시스 filed Critical 주식회사 코스텍시스
Priority to KR1020020011574A priority Critical patent/KR20030072042A/en
Publication of KR20030072042A publication Critical patent/KR20030072042A/en

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/17Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
    • H03H9/19Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator consisting of quartz
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/02Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/125Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/13Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
  • Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)

Abstract

PURPOSE: A quartz oscillator, a method for manufacturing quartz oscillator lid and a method for connecting a quartz oscillator lid are provided to realize a miniaturization by reducing the number of overall elements of the quartz oscillator. CONSTITUTION: A quartz oscillator includes a conjunction layer(21) having a predetermined thickness formed at a bottom surface of the lid(20), a nickel coating layer being formed on the outside thereof. The conjunction layer(21) is made of a metallic alloy fused by a heat having a predetermined temperature. The lid(20) is thermally connected to the upper portion of the case with fusing the conjunction layer(21) when the lid(20) is heated with being pressed. The quartz oscillator plate(30) is received inside of the case(10) to connect with the electrode, wherein the electrode circuit(12) is arranged in a multiple layer between the ceramic insulating material(11) and the metallic alloy lid(20) is connected in the case(10) to seal the inside of the case(10).

Description

수정진동자 및 수정진동자 리드의 제조방법 및 수정진동자 리드의 접합방법{a quartz vibrator}Manufacturing method of crystal oscillator and crystal oscillator lead and joining method of crystal oscillator lead {a quartz vibrator}

본 발명은 수정진동자 및 수정진동자 리드의 제조방법 및 수정진동자 리드의 접합방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 수정진동자의 전체적인 부품의 수를 감소시켜 소형화를 이룰 수 있도록 하고 진동자의 케이스에 열 융착되는 리드(Lid)의 접합이 매우 간편하게 이루어질 수 있도록 한 발명에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a crystal oscillator and crystal oscillator lead, and to a method for joining a crystal oscillator lead, and more particularly, to reduce the overall number of the crystal oscillator to achieve miniaturization and to be thermally fused to the case of the oscillator. The present invention relates to a connection of a lid (Lid) can be made very easily.

일반적으로 수정진동자(水晶振動子)는 얇은 조각의 수정 진동편의 양면에 도체(導體) 전극을 연결하여 전기적 신호를 인가 받아 압전효과(壓電效果)에 의해 진동되면서 안정된 주파수를 공급하는 것으로서 발진기나 필터 등으로 다양하게 사용된다.In general, a crystal oscillator connects conductor electrodes to both sides of a thin piece of crystal vibrating element and receives an electrical signal to supply a stable frequency while vibrating by a piezoelectric effect. It is used variously as a filter.

이러한, 수정진동자는 다양한 전자기기의 부품으로 광범위하게 사용되며 갈수록 소형화 및 슬림화(slim type) 되는 추세이다.Such crystal oscillators are widely used as components of various electronic devices, and are becoming more compact and slim type.

이중에서도 도 3에서 도시한 바와 같이 세라믹 절연체(11) 사이에 전극회로(12) 들이 다층 배열된 케이스(10) 내부에 수정 진동편(30)이 수납되어 전극에 연결되고 케이스(10)의 상부에 코발트와 니켈의 합금인 코바(kovar)로 이루어진 리드(20)(Lid)가 접합되어 그 내부가 밀폐되는 시스템의 수정진동자(1)가 제안된 바 있었다.As shown in FIG. 3, the crystal vibrating element 30 is accommodated in the case 10 in which the electrode circuits 12 are multilayered between the ceramic insulators 11, connected to the electrodes, and the upper portion of the case 10. A crystal oscillator 1 of a system in which a lid 20 made of cobalt (kovar) of cobalt and nickel is bonded and sealed inside thereof is proposed.

그러나, 전술한 형태의 수정진동자(1)는 서로 이질감이 있는 세라믹 케이스(10) 상부에 금속 리드(20)를 접합시켜야 하는 것이므로 상당한 문제점이 발생된다.However, since the crystal oscillator 1 of the above-described type is required to bond the metal lead 20 to the upper portion of the ceramic case 10 having a heterogeneous sense, a considerable problem occurs.

상기 리드(20)의 재질은 철(Fe) 54%, 니켈(Ni) 29%, 코발트(Co) 17%를 함유한 페르니코계의 합금인 코바(Kovar)를 주로 사용한다. 상기 코바는 인장, 수축, 열팽창계수가 세라믹과 유사하여 세라믹과 접합시킬 때 많이 사용되는 것이나, 리드(20)를 세라믹 케이스(10)에 접합시키기 위해서는 약 800℃의 열을 가해야하고, 이때 발생되는 고열은 케이스(10)에 수납된 진동편(30)을 변형시킴에 따라 리드(20)를 케이스(10)에 직접 접합시킬 수 없었다.The material of the lead 20 is mainly made of Kovar, a perico-based alloy containing 54% of iron (Fe), 29% of nickel (Ni), and 17% of cobalt (Co). The cobar is used in bonding to ceramics because the tensile, shrinkage, and thermal expansion coefficients are similar to those of ceramics, but in order to bond the leads 20 to the ceramic case 10, heat of about 800 ° C. needs to be applied. Due to the high heat, the lead 20 could not be directly bonded to the case 10 as the vibration piece 30 housed in the case 10 was deformed.

따라서, 종래에는 도 3a에서 도시한 바와 같이, 세라믹 케이스(10)의 상부에 은(Ag) 도금된 링(40)을 올려놓고, 200∼400℃의 열을 가하여 링(40)의 도금막(40a)을 용융하여 세라믹에 접합시킨 후 도 3b에서 도시한 바와 같이케이스(10) 내부에 수정 진동편(30)을 고정시키고 전선(31)을 사용하여 전극회로(12)에 연결한 후 도 3c에서 도시한 바와 같이, 링(40)의 상부에 리드(20)를 올려놓고 다시 200∼400℃의 열을 가하여 리드(20)를 링(40)에 열 융착시키는 구성으로 되어 있다.Therefore, conventionally, as shown in FIG. 3A, a silver (Ag) plated ring 40 is placed on the ceramic case 10, and the plated film of the ring 40 is applied by applying a heat of 200 to 400 ° C. After melting and bonding 40a) to the ceramic, as shown in FIG. 3b, the crystal vibrating element 30 is fixed to the inside of the case 10 and connected to the electrode circuit 12 using the wire 31. As shown in the drawing, the lid 20 is placed on the upper portion of the ring 40, and heat is further applied to the ring 40 by applying heat of 200 to 400 ° C.

이와 같이 은도금된 링(40)을 사용하는 경우에는 수정진동자의 조립에 사용되는 부품의 수와 작업공정의 수가 늘어나게 되고, 비교적 고가인 은도금 링을 사용함에 따라 전체적인 제조원가가 상승되는 등의 폐단이 발생되었다.In the case of using the silver plated ring 40 as described above, the number of parts used in the assembly of the crystal oscillator and the number of work processes increase, and the overall manufacturing cost increases due to the use of a relatively expensive silver plated ring. It became.

특히, 링(40)이 결합되는 경우에는 수정진동자(1)의 전체적인 두께가 두꺼워지는 것이므로 수정진동자의 소형화 및 슬림화에 결정적인 저해요인이 되었다. 따라서, 고가의 링을 사용하지 않고 리드를 접합시킬 수 있는 혁신적인 기술의 제안이 절실히 요구되었다.In particular, when the ring 40 is coupled, the overall thickness of the crystal oscillator 1 becomes thick, which is a determinant factor in miniaturization and slimming of the crystal oscillator. Therefore, there is an urgent need for a proposal of an innovative technique for joining leads without using expensive rings.

본 발명은 상기한 문제점을 감안하여 창안한 것으로서, 그 목적은 수정진동자의 전체적인 부품의 수를 감소시켜 소형화를 이룰 수 있도록 하고, 진동자의 케이스에 리드(Lid)를 매우 간편하게 접합시킬 수 있는 수정진동자를 제공함에 있는 것이다.The present invention has been made in view of the above problems, the object of which is to reduce the overall number of parts of the crystal oscillator to achieve miniaturization, crystal crystal oscillator that can be very easily bonded to the lid (Rid) of the vibrator case It is in providing.

상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징은, 세라믹 절연체(11) 사이에 전극회로(12) 들이 다층 배열된 케이스(10) 내부에 수정 진동편(30)이 수납되어 전극에 연결되고, 케이스(10)에는 금속합금 리드(20)가 접합되어 케이스(10) 내부가밀폐되는 시스템의 수정진동자(1)에 있어서, 그 외부면에 니켈(Ni) 도금막(20a)이 형성된 리드(20)의 하부면에는 일정 두께를 갖는 접합층(21)을 형성하되, 접합층(21)은 일정온도의 열에 의하여 용융되는 금속합금으로 이루어지고, 리드(20)를 가열·가압시키면 접합층(21)이 용융되면서 리드(20)가 케이스(10)의 상부에 열 접착됨을 특징으로 하는 수정진동자에 의하여 달성될 수 있는 것이다.Features of the present invention for achieving the above object, the crystal vibration piece 30 is accommodated in the case 10 in which the electrode circuits 12 are arranged in a multilayer between the ceramic insulator 11 is connected to the electrode, the case In the crystal oscillator 1 of the system in which the metal alloy lead 20 is joined to the case 10 and the inside of the case 10 is sealed, the lead 20 having a nickel (Ni) plating film 20a formed on an outer surface thereof. A bonding layer 21 having a predetermined thickness is formed on the lower surface of the bonding layer 21. The bonding layer 21 is formed of a metal alloy that is melted by heat at a predetermined temperature. When the lid 20 is heated and pressurized, the bonding layer 21 is formed. This can be achieved by the crystal oscillator, characterized in that the lead 20 is thermally bonded to the upper portion of the case 10 while melting.

도 1은 본 발명에 의한 수정진동자를 예시한 분해사시도,1 is an exploded perspective view illustrating a crystal oscillator according to the present invention;

도 2a와 도 2b는 본 발명에 의한 수정진동자의 결합과정을 예시한 단면도,2A and 2B are cross-sectional views illustrating a coupling process of the crystal oscillator according to the present invention;

도 3a ∼ 도 3c는 종래의 기술을 예시한 단면도,3a to 3c are cross-sectional views illustrating the prior art,

도 4는 본 발명에 의한 수정진동자의 리드를 제조하는 공정의 일실시예를 예시한 개략적인 장치도,4 is a schematic apparatus diagram illustrating one embodiment of a process for manufacturing a lead of a crystal oscillator according to the present invention;

도 5는 본 발명에 의한 수정진동자의 리드를 제조하는 공정의 다른실시예를 예시한 개략적인 장치도,5 is a schematic device diagram illustrating another embodiment of the process for manufacturing a lead of a crystal oscillator according to the present invention;

도 6은 본 발명에 의한 수정진동자의 리드가 케이스에 접합되는 것을 일실시한 사시도.Figure 6 is a perspective view of one embodiment that the lead of the crystal oscillator according to the present invention is bonded to the case.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

1 : 수정진동자 10 : 케이스1: crystal oscillator 10: case

11 : 절연체 12 : 전극회로11 insulator 12 electrode circuit

20 : 리드 20a, 40a : 도금막20: lead 20a, 40a: plating film

21 : 접합층 21a : 페이스트21: bonding layer 21a: paste

21b : 박판 30 : 진동편21b: thin plate 30: vibrating piece

31 : 전선 40 : 링31: wire 40: ring

50, 60 : 릴 51 : 아이들롤러50, 60: reel 51: idle roller

52 : 압동롤러 53 : 고무동롤러52: pressure roller 53: rubber roller

54 : 판동롤러 55 : 잉크롤러54: plate roller 55: ink roller

56 : 가압롤러 57 : 건조로56: pressure roller 57: drying furnace

58 : 프레스 61 : 접합롤러58: press 61: bonding roller

70 : 전극롤러70: electrode roller

이하, 상기한 목적을 달성하기 위한 바람직한 실시예를 첨부된 도면에 의하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, described in detail by the accompanying drawings a preferred embodiment for achieving the above object is as follows.

도 1 내지는 도 2에서 도시한 바와 같이, 상기 케이스(10)는 세라믹 절연체(11) 사이에 전극회로(12) 들이 다층 배열되고, 그 내부에는 수납공간이 형성된 구성으로 되어 있다.As shown in FIGS. 1 and 2, the case 10 has a structure in which electrode circuits 12 are arranged in a multilayer manner between ceramic insulators 11 and a storage space is formed therein.

상기 케이스(10)의 내부 바닥에 구비된 전극회로(12)에는 수정 진동편(30)이 고정되어 있고, 이 수정 진동편(30)은 양측 전극에 전선(31)으로 연결되어 있다.The crystal vibration piece 30 is fixed to the electrode circuit 12 provided on the inner bottom of the case 10, and the crystal vibration piece 30 is connected to both electrodes by an electric wire 31.

상기 케이스(10)의 개방된 상부에는 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co)의 합금인 코바(Kovar)를 얇은 판재로 가공한 리드(20)가 접합되어 케이스(10) 내부가 밀폐된 구성으로 되어 있다.An open upper portion of the case 10 is bonded with a lead 20 processed from a thin plate of Kovar, an alloy of iron (Fe), nickel (Ni), and cobalt (Co), to bond the inside of the case 10. It is in a sealed configuration.

물론, 전술한 구성의 수정진동자(1)는 이미 알려진 공지의 기술사상이다. 그러나, 본 발명에 있어서 가장 중요한 특징은 리드(20)의 일면에 접합층(21)이 구비되어 저온의 열에 의하여 케이스(10)의 상부에 직접 접합시킬 수 있도록 함에 있는 것이다.Of course, the crystal oscillator 1 of the above-described configuration is a known technical idea. However, the most important feature in the present invention is that the bonding layer 21 is provided on one surface of the lid 20 so that the bonding layer 21 can be directly bonded to the upper portion of the case 10 by low temperature heat.

즉, 리드(20)에는 니켈(Ni)이 도금되어 그 외부면에 도금막(20a)이 형성된 구성으로 되어 있고, 리드(20)의 하부면에는 일정 두께를 갖는 접합층(21)이 형성되어 있다.That is, the lead 20 is plated with nickel (Ni) to form a plating film 20a on its outer surface, and the bonding layer 21 having a predetermined thickness is formed on the lower surface of the lead 20. have.

상기 접합층(21)은 비교적 저온의 열(200∼300℃)에 의하여 케이스(10)의 상부에 직접 열 융착되는 금속합금으로 되어 있다.The bonding layer 21 is made of a metal alloy which is directly thermally fused to the upper portion of the case 10 by relatively low heat (200 to 300 ° C).

따라서, 종래와 같이 은도금된 링을 사용할 필요 없이 리드(20)를 케이스(10) 위에 올려놓고 저온(200∼300℃)의 열을 가하면 접합층(21)이 용융되면서 케이스(10)의 상부 주연부에 견고하게 접착되는 것이므로 리드(20)의 접합 작업이 매우 편리하면서도 전체적인 두께를 얇게 하여 수정진동자의 소형화 및 슬림화를 구현할 수 있는 동시에 전체적인 제조원가를 저렴하게 유지할 수 있는 등의 이점이 있다.Therefore, when the lead 20 is placed on the case 10 without applying a silver-plated ring as in the related art, and the heat of low temperature (200 to 300 ° C.) is applied, the bonding layer 21 melts and the upper peripheral portion of the case 10 is formed. Since it is firmly bonded to the lead 20, the bonding operation of the lead 20 is very convenient, and the overall thickness can be reduced to realize the miniaturization and slimming of the crystal oscillator and at the same time maintain the overall manufacturing cost at a low cost.

한편, 상기 접합층(21)은 다양하게 구성할 수 있으나, 금(Au) 77∼81중량%, 주석(Sn) 15∼17중량%, 인디움(In) 2∼4중량%, 은(Ag) 1∼3중량%, 게르마늄(Ge) 0.09∼0.11중량%를 주성분으로 하는 합금으로 되어 있다.On the other hand, the bonding layer 21 can be configured in various ways, but 77 to 81% by weight of gold (Au), 15 to 17% by weight of tin (Sn), 2 to 4% by weight of indium (In), silver (Ag) ) 1 to 3% by weight and 0.09 to 0.11% by weight of germanium (Ge).

이와 같이 금(Au)과 주석(Sn) 15∼17중량%을 주성분으로 하는 접합층(21)은 약 280℃의 저온에서도 잘 용융되어 용접 특성이 우수할 뿐 아니라 융점(melting point), 젖음성(wettability) 등을 비롯하여, 기계적 특성(joint strength, hardness, creep-fatigue resistance), 전기적 특성(electrical conductivity), 열적 특성(CTE, thermal conductivity) 등이 뛰어나면서도 유독성(toxicity)이 거의없어 환경오염을 일으킬 염려가 없는 것으로서 케이스(10) 상부에 리드(20)를 견고하게 접합시킬 수 있는 동시에 결합작업이 매우 간편하여 대와 경쟁력이 높은 고품질의 수정진동자(1)를 제공할 수 있는 등의 이점이 있다.Thus, the bonding layer 21 mainly composed of 15 to 17% by weight of gold (Au) and tin (Sn) melts well even at a low temperature of about 280 ° C, so that the welding properties are excellent, as well as the melting point and wettability ( Including wettability, mechanical strength (joint strength, hardness, creep-fatigue resistance), electrical conductivity, thermal conductivity (CTE, thermal conductivity), etc. As there is no concern, the lead 20 can be firmly bonded to the upper part of the case 10, and at the same time, the joining operation is very simple, thereby providing a high-quality crystal oscillator 1 with high competitiveness and the like. .

상기 접합층(21)은 다르게 형성할 수도 있다. 즉, 주석(Sn) 97∼99중량%, 안티몬(Sb) 0.8∼1.1중량%, 비스무스(Bi) 0.7∼0.9중량%, 동(Cu) 0.1∼0.3중량%, 인디움(In) 0.09∼0.11중량%의 합금으로 구성할 수도 있다.The bonding layer 21 may be formed differently. That is, 97 to 99 weight% of tin (Sn), 0.8 to 1.1 weight% of antimony (Sb), 0.7 to 0.9 weight% of bismuth (Bi), 0.1 to 0.3 weight% of copper (Cu), and 0.09 to 0.11 of indium (In) It can also be comprised by weight% alloy.

이와 같이 주석(Sn)을 주성분으로 하는 접합층(21)은 비용이 저렴하고 230℃∼240℃의 저온에서도 잘 용융되어 용접 특성이 우수할 뿐 아니라 젖음 특성 및 접합강도가 우수하며 피로 수명이 길다. 또한, 주석(Sn)의 함량이 높기 때문에 주석 결정상(Sn whisker)의 성장이 일어나기 쉽고, 동(Cu)이 약 0.2중량% 가량 첨가되어 피로특성이 개선될 뿐 아니라 안티몬(Sb)과 비스무스(Bi)가 소량 첨가되어 젖음 특성이 향상되고 산화를 방지할 수 있는 것으로서, 케이스(10)의 상부에 리드(20)를 견고하게 접합시킬 수 있는 동시에 결합작업이 매우 간편하면서도 비용이 저렴하여 대외경쟁력을 높여줄 수 있는 것이다.As such, the bonding layer 21 containing tin (Sn) as a main component is inexpensive and melts well even at low temperatures of 230 ° C to 240 ° C, so that the welding properties are excellent, and the wettability and bonding strength are excellent, and the fatigue life is long. . In addition, since the content of tin (Sn) is high, it is easy to grow the tin whisker, and about 0.2% by weight of copper (Cu) is added, which not only improves fatigue properties, but also antimony (Sb) and bismuth (Bi). As a small amount of) is added to improve wettability and prevent oxidation, the lead 20 can be firmly bonded to the upper portion of the case 10, and at the same time, the bonding operation is very simple and inexpensive, thereby improving external competitiveness. It can be raised.

이와 같이 접합층(21)이 비교적 저온(200∼300℃)의 열에 의하여 용융되는 경우에는 종래와 같이 별도의 은도금된 링을 사용할 필요 없이 리드(20)를 케이스(10) 위에 올려놓고 컨베이어를 통해 히터가 장착된 가열로 내부를 통과시키면 접합층(21)이 용융되면서 케이스(10)의 상부 주연부에 견고하게 접착되는 것이므로 리드(20)의 접합 작업이 매우 편리하면서도 전체적인 두께를 얇게 하여 수정진동자의 소형화 및 슬림화를 구현할 수 있는 것이다.As such, when the bonding layer 21 is melted by a relatively low temperature (200 to 300 ° C.) heat, the lid 20 is placed on the case 10 without using a separate silver plated ring as in the related art, and then through the conveyor. Passing the inside of the heating furnace equipped with a heater means that the bonding layer 21 is melted and firmly adhered to the upper periphery of the case 10. Therefore, the bonding work of the lid 20 is very convenient, but the overall thickness is thinned. Miniaturization and slimming can be realized.

한편, 상기 접합층(21)은 다르게 형성할 수도 있다. 즉, 은(Ag) 68∼72중량%, 동(Cu) 24∼25중량%, 비스무스(Bi) 2∼4중량%, 주석(Sn) 2∼3중량%, 게르마늄(Ge) 0.02∼0.4중량%의 합금으로 구성할 수도 있다.On the other hand, the bonding layer 21 may be formed differently. That is, 68-72 weight% of silver (Ag), 24-25 weight% of copper (Cu), 2-4 weight% of bismuth (Bi), 2-3 weight% of tin (Sn), 0.02-0.4 weight of germanium (Ge) It can also be comprised with% alloy.

이와 같이 은(Ag)과 동(Cu)을 주성분으로 하는 접합층(21)은 760℃∼800℃의 비교적 고온에 용융되나 용접 특성이 우수할 뿐 아니라 접합강도가 매우 우수하며 피로 수명이 길고, 젖음 특성이 향상되어 산화를 방지할 수 있는 것으로서, 케이스(10)의 상부에 리드(20)를 견고하게 접합시킬 수 있는 등의 이점이 있다.As described above, the bonding layer 21 mainly composed of silver (Ag) and copper (Cu) is melted at a relatively high temperature of 760 ° C to 800 ° C, but not only has excellent welding properties but also has excellent bonding strength and long fatigue life. As the wettability is improved to prevent oxidation, the lead 20 may be firmly bonded to the upper portion of the case 10.

상기 접합층(21)은 비교적 고온에서 용융되는 것이므로 이들의 접합방법은 도 6에서 도시한 바와 같이, 구리합금 등으로 이루어진 롤러 모양의 양측 전극 하부로 수정진동자(1)를 이동시키면 양측 전극롤러(70)들이 리드(20)의 상부면 양측에 압력을 가하고, 양측 전극롤러(70)를 통해 접합층(21)에 전류를 보내면 접촉저항이 발생되어 접합층(21)이 가열 및 용융되면서 전극롤러(70)의 가압력에 의하여 접합층(21)이 케이스(10)의 상부 양측에 열 융착되어 리드(20)의 양측면을 접합시키고, 다시 케이스(10)를 90°회전시켜 리드(20)의 또 다른 양측면을 전극롤러(70)로 접합시켜 리드(20) 전체가 접합되는 저항용접(resistance welding) 방법에 의하여 리드(20)가 케이스(10)의 상부면에 견고하게 접합되도록 되어 있다.Since the bonding layer 21 is melted at a relatively high temperature, as shown in FIG. 6, when the quartz crystal oscillator 1 is moved below the roller-shaped both electrodes made of copper alloy or the like, both electrode rollers ( When the 70 pressurizes both sides of the upper surface of the lid 20 and sends a current to the bonding layer 21 through the both electrode rollers 70, a contact resistance is generated, and the bonding layer 21 is heated and melted, thereby forming an electrode roller. By the pressing force of the 70, the bonding layer 21 is thermally fused to both sides of the upper part of the case 10 to join both sides of the lid 20, and then rotates the case 10 by 90 ° again. The other side surfaces are joined by the electrode roller 70 so that the lead 20 is firmly joined to the upper surface of the case 10 by a resistance welding method in which the entire lead 20 is joined.

이와 같은 저항용접 방법은 양측 전극롤러(70)들이 눌러주는 부위만 국부 가열되어 접합층(21)이 용융되면서 접합되는 것이므로 비교적 고온의 열을 가하더라도 세라믹 케이스(10)에 수납된 수정 진동편(30)을 변형시키지 않고 리드(20)를 케이스(10)에 직접 접합시킬 수 있는 등의 이점이 있는 동시에 비교적 고온의 열을가해야 하는 은(Ag)과 동(Cu)의 합금을 주성분으로 하는 접합층(21)의 접합에 적극 활용할 수 있는 것이다.In this resistance welding method, since only the portion pressed by both electrode rollers 70 is locally heated and the bonding layer 21 is melted and bonded, the crystal vibrating element accommodated in the ceramic case 10 is applied even when a relatively high temperature is applied. 30) It is advantageous in that the lead 20 can be directly bonded to the case 10 without deformation, and at the same time, a joining mainly composed of an alloy of silver (Ag) and copper (Cu), which requires relatively high heat It can utilize for bonding of the layer 21 actively.

한편, 상기 접합층(21)을 리드(20)의 하부면에 형성하는 방법은 금속합금을 미세한 입자의 분말화시킨 후 플럭스(flux) 용제(溶劑)와 혼합하여 일정점도를 갖는 페이스트(paste)로 성형한 후 리드(20)의 하부면에 일정두께를 갖도록 도포하여 접합층(21)을 형성할 수 있다.On the other hand, the method of forming the bonding layer 21 on the lower surface of the lead 20 is a paste having a certain viscosity by powdering a metal alloy and then mixed with a flux solvent (溶劑) After molding, the bonding layer 21 may be formed by coating the lower surface of the lead 20 to have a predetermined thickness.

이와 같은 방법은 도 4에서 도시한 바와 같이, 코바(Kovar)에 니켈(Ni) 도금을 한 얇은 판재의 리드(20)를 릴(50)에 감겨지도록 한 상태에서 리드(20)의 선단을 아이들롤러(51)를 통해 압동롤러(52)와 고무동롤러(53) 사이를 통과시키면, 합금분말이 플럭스 용제와 혼합된 페이스트(21a)가 회전되는 잉크롤러(55)에 공급되어 그 외부면에 도포되고, 잉크롤러(55)가 판동롤러(54), 판동롤러(54)가 고무동롤러(53)와 연속으로 접촉 회전되어 잉크롤러(55)에 도포된 페이스트(21a)가 판동롤러(54)를 통해 고무동롤러(53)의 외부면에 도포되면 리드(20)의 일면에 고무동롤러(53)의 페이스트(21a)가 전사되어 도포되고, 한쌍의 가압롤러(56)들 사이를 통과하면서 도포된 페이스트 층이 일정 두께를 유지하면 건조로(57)를 통과시켜 페이스트 층을 건조시킨 후 프레스(58)로 펀칭하면 그 일면에 접합층(21)이 형성된 일정 크기의 리드(20)를 얻을 수 있는 것이다.In this method, as shown in FIG. 4, the tip of the lead 20 is idled in a state in which a thin plate lead 20 coated with a nickel (Ni) on a kovar is wound around the reel 50. Passing between the pressure roller 52 and the rubber copper roller 53 through the roller 51, the alloy powder is supplied to the ink roller 55 to which the paste 21a mixed with the flux solvent is rotated to the outer surface thereof. The paste 21a applied to the ink roller 55 is coated with the ink roller 55 and the roller roller 54, and the roller roller 54 is continuously rotated in contact with the rubber roller 53. When it is applied to the outer surface of the rubber copper roller 53 through), the paste 21a of the rubber copper roller 53 is transferred and applied to one surface of the lid 20, and passes through a pair of pressure rollers 56. If the applied paste layer maintains a certain thickness while passing through the drying furnace 57, the paste layer is dried and then punched with a press 58 to It is possible to obtain a lead 20 having a predetermined size in which the bonding layer 21 is formed on the surface.

한편, 상기 접합층(21)을 리드(20)에 형성하는 방법은 도 5에서 도시한 바와 같이, 코바(Kovar)에 니켈(Ni) 도금을 한 얇은 판상의 리드(20)를 릴(50)에 감겨지도록 하고, 접합층(21)의 합금을 얇은 판재로 성형시킨 박판(21b)을 릴(60)에 감겨지도록 한 후 리드(20)와 박판(21b)을 아이들롤러(51)를 통해 한쌍의 접합롤러(61)들 사이를 통과시키면서 가열하여 리드(20)의 일면에 박판(21b)을 접합시킨 후 한쌍의 가압롤러(56)들 사이를 통과시켜 일정 두께가 유지되면 프레스(58)로 펀칭하여 그 일면에 접합층(21)이 형성된 일정 크기의 리드(20)를 얻을 수 있는 것이다.Meanwhile, in the method of forming the bonding layer 21 on the lead 20, as shown in FIG. 5, the thin plate-like lead 20 having nickel (Ni) plating on the kovar is reel 50. After winding the thin plate 21b formed of an alloy of the bonding layer 21 into a thin plate to be wound on the reel 60, the lead 20 and the thin plate 21b are paired through the idle roller 51. While passing between the bonding rollers 61 of the thin plate 21b on one surface of the lead 20 by heating, passing through a pair of pressure rollers 56 to maintain a predetermined thickness to press 58 By punching, a lead 20 having a predetermined size having a bonding layer 21 formed on one surface thereof can be obtained.

이상에서 상술한 바와 같은 본 발명은, 니켈(Ni) 도금막(20a)이 형성된 리드(20)의 일면에 일정 두께를 갖는 접합층(21)이 형성되어 저온의 열(200∼300℃)에 의하여 세라믹 케이스(10)의 상부에 접합층(21)이 직접 열 융착되는 것이므로 종래와 같이 은도금된 링을 사용할 필요 없이 리드(20)를 케이스(10) 위에 올려놓고 저온(200∼300℃)의 열을 가하기만 하면 접합층(21)이 용융되면서 케이스(10)의 상부 주연부에 견고하게 접착되는 것이므로 리드(20)의 접합 작업이 매우 편리하면서도 전체적인 두께를 얇게 형성하여 수정진동자의 소형화 및 슬림화를 구현할 수 있는 동시에 그 제조원가를 저렴하게 유지하여 수정진동자의 대외 경쟁력을 최대한 높여줄 수 있는 등의 이점이 있다.As described above, in the present invention, the bonding layer 21 having a predetermined thickness is formed on one surface of the lead 20 on which the nickel (Ni) plating film 20a is formed, and thus, the low temperature heat (200 to 300 ° C.) is formed. Since the bonding layer 21 is directly thermally fused to the upper portion of the ceramic case 10, the lead 20 is placed on the case 10 without using a silver-plated ring as in the prior art, and thus the low temperature (200 to 300 ° C.) Just by applying heat, the bonding layer 21 is melted and firmly adhered to the upper periphery of the case 10. Therefore, the bonding work of the lead 20 is very convenient and the overall thickness is formed to be thin, thereby miniaturizing and slimming the crystal oscillator. At the same time, the manufacturing cost can be maintained at a low cost, thereby enhancing the external competitiveness of the crystal oscillator.

Claims (7)

세라믹 절연체(11) 사이에 전극회로(12) 들이 다층 배열된 케이스(10) 내부에 수정 진동편(30)이 수납되어 전극에 연결되고, 케이스(10)에는 금속합금 리드(20)가 접합되어 케이스(10) 내부가 밀폐되는 시스템의 수정진동자(1)에 있어서,The crystal vibrating element 30 is accommodated in the case 10 in which the electrode circuits 12 are multilayered between the ceramic insulators 11 and connected to the electrodes, and the metal alloy lead 20 is bonded to the case 10. In the crystal oscillator 1 of the system in which the case 10 is sealed, 그 외부면에 니켈(Ni) 도금막(20a)이 형성된 리드(20)의 하부면에는 일정 두께를 갖는 접합층(21)을 형성하되, 접합층(21)은 일정온도의 열에 의하여 용융되는 금속합금으로 이루어지고, 리드(20)를 가열·가압시키면 접합층(21)이 용융되면서 리드(20)가 케이스(10)의 상부에 열 접착됨을 특징으로 하는 수정진동자.A bonding layer 21 having a predetermined thickness is formed on the lower surface of the lead 20 on which the nickel (Ni) plating film 20a is formed on the outer surface thereof, and the bonding layer 21 is melted by heat at a predetermined temperature. It is made of an alloy, the crystal oscillator, characterized in that the lead 20 is thermally bonded to the upper portion of the case 10 while the bonding layer 21 is melted when the lead 20 is heated and pressed. 제 1항에 있어서, 상기 접합층(21)은 금(Au) 77∼81중량%, 주석(Sn) 15∼17중량%, 인디움(In) 2∼4중량%, 은(Ag) 1∼3중량%, 게르마늄(Ge) 0.09∼0.11중량%를 주성분으로 하는 합금으로 구성됨을 특징으로 하는 수정진동자.According to claim 1, wherein the bonding layer 21 is 77 to 81% by weight of gold (Au), 15 to 17% by weight of tin (Sn), 2 to 4% by weight of indium (In), 1 to 1% of silver (Ag) A crystal oscillator comprising 3% by weight and an alloy containing germanium (Ge) 0.09 to 0.11% by weight as a main component. 제 1항에 있어서, 상기 접합층(21)은 주석(Sn) 97∼99중량%, 안티몬(Sb) 0.8∼1.1중량%, 비스무스(Bi) 0.7∼0.9중량%, 동(Cu) 0.1∼0.3중량%, 인디움(In) 0.09∼0.11중량%의 합금으로 구성됨을 특징으로 하는 수정진동자.According to claim 1, wherein the bonding layer 21 is 97 to 99% by weight of tin (Sn), 0.8 to 1.1% by weight of antimony (Sb), 0.7 to 0.9% by weight of bismuth (Bi), 0.1 to 0.3 of copper (Cu) A crystal oscillator, characterized by consisting of an alloy of 0.09% to 0.11% by weight of indium (In). 제 1항에 있어서, 상기 접합층(21)은 은(Ag) 68∼72중량%, 동(Cu) 24∼25중량%, 비스무스(Bi) 2∼4중량%, 주석(Sn) 2∼3중량%, 게르마늄(Ge) 0.02∼0.4중량%의 합금으로 구성됨을 특징으로 하는 수정진동자.2. The bonding layer 21 according to claim 1, wherein the bonding layer 21 is 68 to 72 wt% of silver (Ag), 24 to 25 wt% of copper (Cu), 2 to 4 wt% of bismuth (Bi), and tin (Sn) 2 to 3 A quartz crystal oscillator, characterized by consisting of an alloy of 0.02 to 0.4% by weight by weight and germanium (Ge). 코바(Kovar)에 니켈(Ni) 도금을 한 얇은 판재의 리드(20)를 릴(50)에 감겨지도록 한 상태에서 리드(20)의 선단을 아이들롤러(51)를 통해 압동롤러(52)와 고무동롤러(53) 사이를 통과시키면, 합금분말이 플럭스 용제와 혼합된 페이스트(21a)가 회전되는 잉크롤러(55)에 공급되어 그 외부면에 도포되고, 잉크롤러(55)가 판동롤러(54), 판동롤러(54)가 고무동롤러(53)와 연속으로 접촉 회전되어 잉크롤러(55)에 도포된 페이스트(21a)가 판동롤러(54)를 통해 고무동롤러(53)의 외부면에 도포되면 리드(20)의 일면에 고무동롤러(53)의 페이스트(21a)가 전사되어 도포되고, 한쌍의 가압롤러(56)들 사이를 통과하면서 도포된 페이스트 층이 일정 두께를 유지하면 건조로(57)를 통과시켜 페이스트 층을 건조시킨 후 프레스(58)로 펀칭하면 그 일면에 접합층(21)이 형성된 일정 크기의 리드(20)를 얻을 수 있도록 함을 특징으로 하는 수정진동자 리드의 제조방법.The tip of the lead 20 is pushed through the idle roller 51 through the idle roller 51 while the lead 20 of a thin plate coated with nickel (Ni) on a kovar is wound on the reel 50. When passing between the rubber copper rollers 53, the alloy powder is supplied to the ink roller 55 to which the paste 21a mixed with the flux solvent is rotated and applied to the outer surface thereof, and the ink roller 55 is the plate roller ( 54, the platen roller 54 is continuously rotated in contact with the rubber copper roller 53, the paste 21a applied to the ink roller 55 is the outer surface of the rubber copper roller 53 through the plate roller 54 When applied to the surface of the lid 20, the paste 21a of the rubber copper roller 53 is transferred and applied, and when the applied paste layer maintains a certain thickness while passing between the pair of pressure rollers 56, it is dried. After passing through the furnace 57 to dry the paste layer and punched with a press 58, a lead 20 having a predetermined size having a bonding layer 21 formed on one surface thereof. Method of producing a crystal oscillator, characterized in that the leads to achieve. 코바(Kovar)에 니켈(Ni) 도금을 한 얇은 판상의 리드(20)를 릴(50)에 감겨지도록 하고, 접합층(21)의 합금을 얇은 판재로 성형시킨 박판(21b)을 릴(60)에 감겨지도록 한 후 리드(20)와 박판(21b)을 아이들롤러(51)를 통해 한쌍의 접합롤러(61)들 사이를 통과시키면서 가열하여 리드(20)의 일면에 박판(21b)을 접합시킨 후 한쌍의 가압롤러(56)들 사이를 통과시켜 일정 두께가 유지되면 프레스(58)로 펀칭하여 그 일면에 접합층(21)이 형성된 일정 크기의 리드(20)를 얻을 수 있도록 함을 특징으로 하는 수정진동자 리드의 제조방법.The thin plate-like lead 20 coated with nickel (Ni) on a kovar is wound on the reel 50, and the thin plate 21b formed by forming the alloy of the bonding layer 21 into a thin plate is reel 60 After winding the lead 20 and the thin plate 21b between the pair of bonding rollers 61 through the idle roller 51, the thin plate 21b is bonded to one surface of the lead 20. After passing through a pair of pressure rollers 56 to maintain a predetermined thickness is punched with a press 58 to obtain a lead 20 having a predetermined size having a bonding layer 21 formed on one surface thereof. A method of manufacturing a crystal oscillator lead. 구리합금 등으로 이루어진 롤러 모양의 양측 전극 하부로 수정진동자(1)를 이동시키면 양측 전극롤러(70)들이 리드(20)의 상부면 양측에 압력을 가하고, 양측 전극롤러(70)를 통해 접합층(21)에 전류를 보내면 접촉저항이 발생되어 접합층(21)이 가열 및 용융되면서 전극롤러(70)의 가압력에 의하여 접합층(21)이 케이스(10)의 상부 양측에 열 융착되어 리드(20)의 양측면을 접합시키고, 다시 케이스(10)를 90°회전시켜 리드(20)의 또 다른 양측면을 전극롤러(70)로 접합시켜 리드(20) 전체가 접합되는 저항용접(resistance welding) 방법에 의하여 리드(20)가 케이스(10)의 상부면에 견고하게 접합됨을 특징으로 하는 수정진동자 리드의 접합방법.When the crystal oscillator 1 is moved below the roller-shaped bilateral electrodes made of copper alloy or the like, both electrode rollers 70 exert pressure on both sides of the upper surface of the lead 20, and the bonding layer is formed through the both electrode rollers 70. When a current is sent to the 21, a contact resistance is generated. As the bonding layer 21 is heated and melted, the bonding layer 21 is thermally fused to both sides of the upper part of the case 10 by the pressing force of the electrode roller 70. Both sides of the 20 are bonded together, and the case 10 is rotated 90 ° again to bond the other two sides of the lead 20 with the electrode roller 70 so that the entire lead 20 is joined. By the lead (20) is firmly bonded to the upper surface of the case (10).
KR1020020011574A 2002-03-05 2002-03-05 a quartz vibrator KR20030072042A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020020011574A KR20030072042A (en) 2002-03-05 2002-03-05 a quartz vibrator

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020020011574A KR20030072042A (en) 2002-03-05 2002-03-05 a quartz vibrator

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20030072042A true KR20030072042A (en) 2003-09-13

Family

ID=32223440

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020020011574A KR20030072042A (en) 2002-03-05 2002-03-05 a quartz vibrator

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20030072042A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100470828B1 (en) * 2002-09-19 2005-03-10 한규진 a quartz vibrator

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10150336A (en) * 1996-11-19 1998-06-02 Daishinku Co Device for manufacturing crystal vibrator
JP2001024468A (en) * 1999-07-09 2001-01-26 Toyo Commun Equip Co Ltd Electrode film structure of piezoelectric oscillator
JP2001267867A (en) * 2000-03-22 2001-09-28 Miyota Kk Method for manufacturing piezoelectric oscillator
JP2001326290A (en) * 2000-03-10 2001-11-22 Seiko Epson Corp Method for sealing package, method for manufacturing electronic element module, apparatus for sealing and package article
KR200266274Y1 (en) * 2001-11-20 2002-02-27 주식회사 코스텍시스 a quartz vibrator
JP2002064354A (en) * 2000-08-18 2002-02-28 Daishinku Corp Package for surface-mount piezoelectric vibrator and production method for the same

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10150336A (en) * 1996-11-19 1998-06-02 Daishinku Co Device for manufacturing crystal vibrator
JP2001024468A (en) * 1999-07-09 2001-01-26 Toyo Commun Equip Co Ltd Electrode film structure of piezoelectric oscillator
JP2001326290A (en) * 2000-03-10 2001-11-22 Seiko Epson Corp Method for sealing package, method for manufacturing electronic element module, apparatus for sealing and package article
JP2001267867A (en) * 2000-03-22 2001-09-28 Miyota Kk Method for manufacturing piezoelectric oscillator
JP2002064354A (en) * 2000-08-18 2002-02-28 Daishinku Corp Package for surface-mount piezoelectric vibrator and production method for the same
KR200266274Y1 (en) * 2001-11-20 2002-02-27 주식회사 코스텍시스 a quartz vibrator

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100470828B1 (en) * 2002-09-19 2005-03-10 한규진 a quartz vibrator

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR200266274Y1 (en) a quartz vibrator
KR20030072042A (en) a quartz vibrator
KR100486996B1 (en) a quartz vibrator
KR100486758B1 (en) a quartz vibrator
KR950012947B1 (en) An oscillator
KR100470828B1 (en) a quartz vibrator
KR20030085149A (en) a quartz vibrator
KR100461153B1 (en) a quartz vibrator
KR100517476B1 (en) a quartz vibrator
JP3232049B2 (en) Electronic equipment
JPS58112321A (en) Method of producing chip-shaped solid electrolytic condenser
JPH0442914A (en) Chip-type solid electrolytic capacitor and its manufacture
JP3145388B2 (en) Manufacturing method of package for storing piezoelectric vibrator
JP2007142231A (en) Electronic component package and method of manufacturing same
JP2008079167A (en) Package for crystal vibrator
KR200323239Y1 (en) a package of electron parts
KR100517477B1 (en) a package of electron parts
JP4307184B2 (en) Ceramic container and tantalum electrolytic capacitor using the same
JP2003046012A (en) Package for electronic component, electronic package component using the same and electronic apparatus
JP2017224641A (en) Resistor and heater
JPH10130881A (en) Hermetic terminal and partial plating jig and partial plating method
JP2004056193A (en) Piezoelectric vibrator and manufacturing method thereof
JPH0622092B2 (en) Substrate type thermal fuse and manufacturing method thereof
KR100543385B1 (en) A package for electron parts and manufacturing methods therefor
JPH08181358A (en) Thermoelectric transducer, its manufacture, and manufacturing equipment

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application