JP5433455B2 - Manufacturing method of thermal fuse with resistance - Google Patents

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JP5433455B2 JP2010032077A JP2010032077A JP5433455B2 JP 5433455 B2 JP5433455 B2 JP 5433455B2 JP 2010032077 A JP2010032077 A JP 2010032077A JP 2010032077 A JP2010032077 A JP 2010032077A JP 5433455 B2 JP5433455 B2 JP 5433455B2
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Description

本発明は、電気・電子機器の保護素子である抵抗付き温度ヒューズの製造方法に関する。   The present invention relates to a method of manufacturing a thermal fuse with resistance, which is a protective element of an electric / electronic device.

従来の抵抗付き温度ヒューズとして、膜抵抗と、この膜抵抗の両側に電気接続した状態でリード導体用膜電極及びヒューズエレメント用膜電極とを配したセラミックス基板を使用したものがある。リード導体用膜電極にはリード導体が電気接続した状態で固着され、ヒューズエレメント用膜電極の両側方には一対のリード導体がそれぞれ配置されている。一対のリード導体及びヒューズエレメント用膜電極にはヒューズエレメントが跨った状態で設けられてこれら一対のリード導体及びヒューズエレメント用膜電極を電気接続している。このヒューズエレメントを含めてそのセラミックス基板全体が樹脂で塗布されて封止されている(特許文献1を参照)。   As a conventional thermal fuse with a resistor, there is one using a ceramic substrate in which a membrane resistor and a lead conductor membrane electrode and a fuse element membrane electrode are arranged in an electrically connected state on both sides of the membrane resistor. The lead conductor film electrode is fixed in a state where the lead conductor is electrically connected, and a pair of lead conductors are respectively arranged on both sides of the fuse element film electrode. The pair of lead conductors and the fuse element film electrodes are provided in a state where the fuse elements are straddled, and the pair of lead conductors and the fuse element film electrodes are electrically connected. The entire ceramic substrate including this fuse element is applied and sealed with resin (see Patent Document 1).

特開2007−87783号公報JP 2007-87783 A

上記従来の抵抗付き温度ヒューズはその製造工程において、先ずセラミックス基板のヒューズエレメント用膜電極の両側方に一対のリード導体を配設する。次に、この一対のリード導体に跨った状態でヒューズエレメントを配設することで、ヒューズエレメントを上記一対のリード導体間およびヒューズエレメント用膜電極に接続する。その後、セラミックス基板は次の工程に搬送される。
この搬送のとき速度を上げれば上げるほど上記リード導体は強く振動する。この振動が、リード導体とヒューズエレメントを接続した箇所あるいはヒューズエレメント用膜電極とヒューズエレメントを接続した箇所あるいはヒューズエレメント自体に集中的に負荷されるため、上記接続した箇所あるいヒューズエレメント自体にクラックが生じるおそれがある。
また、この抵抗付き温度ヒューズの製造工程においては、セラミックス基板全体を樹脂で塗布して封止する工程がある。この工程では、上記一対のリード導体を持ち上げることで、セラミックス基板も持ち上げる。そして、この持ち上げた状態で、セラミックス基板全体を樹脂で塗布して封止することになる。しかしながら、上記持ち上げにおいても速度を上げれば上げるほど上記リード導体は強く振動する。したがって、この場合においても、振動が、リード導体とヒューズエレメントを接続した箇所あるいはヒューズエレメント用膜電極とヒューズエレメントを接続した箇所あるいはヒューズエレメント自体に集中的に負荷され、上記接続した箇所あるいヒューズエレメント自体にクラックが生じるおそれがある。
このクラックが生じると、ヒューズエレメントの抵抗値が変わって抵抗付き温度ヒューズの動作温度が設定温度と相違してくることになる。
In the manufacturing process of the conventional thermal fuse with resistance, first, a pair of lead conductors are disposed on both sides of the fuse element film electrode of the ceramic substrate. Next, by disposing the fuse element across the pair of lead conductors, the fuse element is connected between the pair of lead conductors and the fuse element film electrode. Thereafter, the ceramic substrate is conveyed to the next step.
As the speed is increased during the conveyance, the lead conductor vibrates more strongly. This vibration is concentrated on the location where the lead conductor and the fuse element are connected, the location where the fuse element membrane electrode and the fuse element are connected, or the fuse element itself. May occur.
In addition, in the manufacturing process of this resistance thermal fuse, there is a process of coating and sealing the entire ceramic substrate with a resin. In this step, the ceramic substrate is also lifted by lifting the pair of lead conductors. In this lifted state, the entire ceramic substrate is coated with resin and sealed. However, the lead conductor vibrates more strongly as the speed is increased in the lifting. Therefore, even in this case, the vibration is concentratedly applied to the location where the lead conductor and the fuse element are connected, the location where the fuse element membrane electrode and the fuse element are connected, or the fuse element itself, and the location where the connection is made. There is a risk of cracking in the element itself.
When this crack occurs, the resistance value of the fuse element changes and the operating temperature of the temperature-equipped thermal fuse differs from the set temperature.

本願発明は、次の工程への搬送や封止工程のときにリード導体とヒューズエレメントを接続した箇所あるいはヒューズエレメント用膜電極とヒューズエレメントを接続した箇所あるいはヒューズエレメント自体にクラックが生じるのを防止することができる抵抗付き温度ヒューズの製造方法を提供することを目的とする。   The invention of the present application prevents cracks from being generated at the location where the lead conductor and the fuse element are connected, the location where the fuse element membrane electrode and the fuse element are connected, or the fuse element itself during transport to the next process or sealing process. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a thermal fuse with resistance that can be used.

請求項1に記載の発明は、膜抵抗(1)とこの膜抵抗(1)に電気接続するリード導体用膜電極(2)とが一方の片面に配設されると共に、前記膜抵抗(1)に電気接続する前記ヒューズエレメント用膜電極(3)が前記一方の片面から他方の片面にわたって配設されている絶縁基板(4)と、前記リード導体用膜電極(2)に電気接続されたリード導体(5)と、前記他方の片面に存在するヒューズエレメント用膜電極(3)の両側方に配設された一対のリード導体(6)と、前記他方の片面に存在するヒューズエレメント用膜電極(3)と前記一対のリード導体(6)とに跨って配設されてこれらヒューズエレメント用膜電極(3)と一対のリード導体(6)とを電気接続するヒューズエレメント(7)とを備えた抵抗付き温度ヒューズの製造方法であって、
前記絶縁基板(4)の一方の片面を支持基板(8)上に固着するとともに、この絶縁基板(4)と並置して前記一対のリード導体(6)を前記支持基板(8)上に固着する工程と、
前記支持基板(8)上に固着された前記絶縁基板(4)の前記他方の片面に存在するヒューズエレメント用膜電極(3)と前記一対のリード導体(6)とに跨って前記ヒューズエレメント(7)を配設して前記ヒューズエレメント用膜電極(3)と前記一対のリード導体(6)とを電気接続する工程と、
前記支持基板(8)上の前記絶縁基板(4)及び前記支持基板(8)上の前記一対のリード導体(6)の部分を絶縁封止物(9)で封止する工程と
を含むことを特徴とする。
According to the first aspect of the present invention, the membrane resistance (1) and the membrane electrode for lead conductor (2) electrically connected to the membrane resistance (1) are disposed on one side, and the membrane resistance (1 The fuse element film electrode (3) to be electrically connected to the insulating substrate (4) disposed from the one surface to the other surface and the lead conductor film electrode (2). A lead conductor (5), a pair of lead conductors (6) disposed on both sides of the fuse element film electrode (3) existing on the other one surface, and a fuse element film existing on the other one surface A fuse element (7) disposed across the electrode (3) and the pair of lead conductors (6) and electrically connecting the fuse element film electrode (3) and the pair of lead conductors (6). Thermal fuse with resistance A manufacturing method,
One side of the insulating substrate (4) is fixed on the supporting substrate (8), and the pair of lead conductors (6) are fixed on the supporting substrate (8) in parallel with the insulating substrate (4). And a process of
The fuse element (3) straddling the fuse element film electrode (3) and the pair of lead conductors (6) present on the other surface of the insulating substrate (4) fixed on the support substrate (8). 7) disposing and electrically connecting the fuse element film electrode (3) and the pair of lead conductors (6);
Sealing the insulating substrate (4) on the support substrate (8) and the pair of lead conductors (6) on the support substrate (8) with an insulating sealing material (9). It is characterized by.

請求項2に記載の発明は、前記支持基板(8)上に一対の膜電極(13)が設けられ、
前記各膜電極(13)に、前記ヒューズエレメント用膜電極(3)に電気接続される前記リード導体(6)を半田付けで固着することを特徴とする。
The invention according to claim 2 is provided with a pair of membrane electrodes (13) on the support substrate (8),
The lead conductor (6) electrically connected to the fuse element film electrode (3) is fixed to each film electrode (13) by soldering.

請求項3に記載の発明は、前記支持基板(8)上に、前記ヒューズエレメント用膜電極(3)に電気接続される前記リード導体(6)を接着剤で固着することを特徴とする。   The invention described in claim 3 is characterized in that the lead conductor (6) electrically connected to the fuse element film electrode (3) is fixed on the support substrate (8) with an adhesive.

本願請求項1に記載の発明によれば、ヒューズエレメントと接続するリード導体を支持基板上に固着させることにより、次の工程への搬送や封止工程においてリード導体が振動する場合に、そのリード導体の振動をリード導体と支持基板との固着部分で抑えることができる。このためリード導体からの振動により、リード導体とヒューズエレメントを接続した箇所あるいはヒューズエレメント用膜電極とヒューズエレメントを接続した箇所あるいはヒューズエレメント自体に負荷が集中してクラックが生じるのを防止することができる。   According to the first aspect of the present invention, when the lead conductor vibrates in the transporting or sealing process to the next process by fixing the lead conductor connected to the fuse element on the support substrate, the lead The vibration of the conductor can be suppressed at the fixed portion between the lead conductor and the support substrate. For this reason, it is possible to prevent a load from concentrating on the location where the lead conductor and the fuse element are connected, the location where the fuse element membrane electrode and the fuse element are connected, or the fuse element itself due to vibration from the lead conductor. it can.

本願請求項2に記載の発明によれば、リード導体を支持基板の膜電極に半田付けで固着させているため、スポット溶接などでリード導体を支持基板の膜電極に溶接する場合のように支持基板が変形するおそれがない。   According to the second aspect of the present invention, since the lead conductor is fixed to the membrane electrode of the support substrate by soldering, it is supported as in the case of welding the lead conductor to the membrane electrode of the support substrate by spot welding or the like. There is no risk of the substrate being deformed.

本願請求項3に記載の発明によれば、リード導体を接着剤で支持基板に固着させているため、半田付け又は溶接で固着させる場合のように支持基板に熱的ストレスを与えることがない。   According to the third aspect of the present invention, since the lead conductor is fixed to the support substrate with an adhesive, thermal stress is not applied to the support substrate as in the case of fixing by soldering or welding.

(a)は本発明の抵抗付き温度ヒューズの製造方法により製造された抵抗付き温度ヒューズの一例を示す一部切り欠きの平面図であり、(b)は(a)に示された抵抗付き温度ヒューズの側面断面図である。(A) is a partially cutaway plan view showing an example of a temperature fuse with resistance manufactured by the method of manufacturing a temperature fuse with resistance of the present invention, and (b) is a temperature with resistance shown in (a). It is side surface sectional drawing of a fuse. (a)は図1に示された抵抗付き温度ヒューズの絶縁基板の平面図であり、(b)は(a)の絶縁基板の裏側平面図である。(A) is a top view of the insulated substrate of the thermal fuse with a resistance shown by FIG. 1, (b) is a back side top view of the insulated substrate of (a). 図1に示された抵抗付き温度ヒューズの支持基板の平面図である。It is a top view of the support substrate of the thermal fuse with a resistance shown by FIG. (a)は本発明の第1実施形態である抵抗付き温度ヒューズの製造方法であってヒューズエレメントを設ける前の抵抗付き温度ヒューズの平面図であり、(b)は(a)に示された抵抗付き温度ヒューズを一対のリード導体側から示した図であり、(c)は(a)に示された抵抗付き温度ヒューズを模式的に示した断面図である。(A) It is a manufacturing method of the thermal fuse with a resistance which is 1st Embodiment of this invention, Comprising: It is a top view of the thermal fuse with a resistance before providing a fuse element, (b) was shown by (a). It is the figure which showed the temperature fuse with a resistance from a pair of lead conductor side, (c) is sectional drawing which showed typically the temperature fuse with a resistance shown by (a). (a)は本発明の第1実施形態である抵抗付き温度ヒューズの製造方法であってヒューズエレメントを設けた後の抵抗付き温度ヒューズの平面図であり、(b)は(a)に示された抵抗付き温度ヒューズを一対のリード導体側から示した図である。(A) is the manufacturing method of the resistance temperature fuse which is 1st Embodiment of this invention, Comprising: It is a top view of the resistance temperature fuse after providing a fuse element, (b) is shown by (a). FIG. 3 is a view showing a thermal fuse with resistance from a pair of lead conductors. (a)は本発明の第1実施形態である抵抗付き温度ヒューズの製造方法であって図5のヒューズエレメントの外面にフラックス塗布した後の抵抗付き温度ヒューズの平面図であり、(b)は(a)に示された抵抗付き温度ヒューズを一対のリード導体側から示した図である。(A) is the manufacturing method of the thermal fuse with a resistance which is 1st Embodiment of this invention, Comprising: It is a top view of the thermal fuse with a resistance after flux-applying to the outer surface of the fuse element of FIG. 5, (b) It is the figure which showed the thermal fuse with a resistance shown by (a) from a pair of lead conductor side. (a)は本発明の第1実施形態である抵抗付き温度ヒューズの製造方法であって図6の抵抗付き温度ヒューズに絶縁封止物を設けた後の抵抗付き温度ヒューズの平面図であり、(b)は(a)に示された抵抗付き温度ヒューズの裏側平面図であり、(c)は(a)に示された抵抗付き温度ヒューズを一対のリード導体側からを示した図であり、(d)は(a)に示された抵抗付き温度ヒューズの側面図であり、(e)は(d)に示された抵抗付き温度ヒューズの部分断面図である。FIG. 7A is a plan view of a thermal fuse with resistance according to the first embodiment of the present invention, which is a method for manufacturing a thermal fuse with resistance, after an insulating sealing material is provided on the thermal fuse with resistance of FIG. (B) is a back side plan view of the thermal fuse with resistance shown in (a), and (c) is a diagram showing the thermal fuse with resistance shown in (a) from a pair of lead conductors. (D) is a side view of the thermal fuse with resistance shown in (a), and (e) is a partial sectional view of the thermal fuse with resistance shown in (d). 本発明の抵抗付き温度ヒューズの製造方法において別例を示す平面図である。It is a top view which shows another example in the manufacturing method of the thermal fuse with a resistance of this invention.

以下、本発明に係る抵抗付き温度ヒューズの製造方法の好適な実施形態を図面に基づき説明する。   A preferred embodiment of a method for manufacturing a thermal fuse with resistance according to the present invention will be described below with reference to the drawings.

本発明の第1実施形態である抵抗付き温度ヒューズの製造方法により製造される抵抗付き温度ヒューズは、図1(a)(b)及び図2(a)(b)に示すように、膜抵抗1とこの膜抵抗1の一方の片側と電気接続するリード導体用膜電極が一方の片面(裏面)に配設されると共に、膜抵抗1の他方の片側に電気接続するヒューズエレメント用膜電極3がその裏面から他方の片面(表面)に配設された絶縁基板4とを備える。絶縁基板4のリード導体用膜電極2には膜電極10を介してリード導体5が電気接続され、絶縁基板4の表面に存在するヒューズエレメント用膜電極3の両側方には一対のリード導体6がそれぞれ配設されている。絶縁基板4の裏面は支持基板8上に固着され、この絶縁基板4と並置して、リード導体用膜電極2に電気接続されたリード導体5と、ヒューズエレメント用膜電極3に電気接続された一対のリード導体6とが支持基板8の一方の片面(表面)上に固着されている。絶縁基板4の表面に存在するヒューズエレメント用膜電極3と一対のリード導体6とにはヒューズエレメント7が跨って配設されてこれらヒューズエレメント用膜電極3と一対のリード導体6とを電気接続している。ヒューズエレメント7にはフラックス11が塗布されている。さらに、支持基板8上において、絶縁基板4、リード導体5,6、ヒューズエレメント7及びヒューズエレメント7に塗布したフラックス11は絶縁封止物9に被覆されて封止されている。 As shown in FIGS. 1A and 1B and FIGS. 2A and 2B, the thermal resistor with resistance manufactured by the method for manufacturing a thermal fuse with resistance according to the first embodiment of the present invention has a film resistance. 1 and a lead conductor membrane electrode electrically connected to one side of the membrane resistor 1 are disposed on one side (rear surface), and a fuse element membrane electrode 3 electrically connected to the other side of the membrane resistor 1 Is provided with an insulating substrate 4 disposed on the other side (front surface) from the back surface. A lead conductor 5 is electrically connected to the lead conductor membrane electrode 2 of the insulating substrate 4 via the membrane electrode 10, and a pair of lead conductors 6 are provided on both sides of the fuse element membrane electrode 3 existing on the surface of the insulating substrate 4. Are arranged respectively. The back surface of the insulating substrate 4 is fixed on the support substrate 8, juxtaposed with the insulating substrate 4, and electrically connected to the lead conductor 5 electrically connected to the lead conductor film electrode 2 and to the fuse element film electrode 3. A pair of lead conductors 6 are fixed on one side (surface) of the support substrate 8. A fuse element 7 is disposed across the fuse element film electrode 3 and the pair of lead conductors 6 existing on the surface of the insulating substrate 4 to electrically connect the fuse element film electrode 3 and the pair of lead conductors 6. doing. A flux 11 is applied to the fuse element 7. Further, on the support substrate 8, the insulating substrate 4, the lead conductors 5 and 6, the fuse element 7 and the flux 11 applied to the fuse element 7 are covered and sealed with an insulating sealing material 9.

図1(a)及び図1(b)の抵抗付き温度ヒューズの動作メカニズムは、リード導体6及びヒューズエレメント7を介して電子・電気機器に給電するようにし、この電子・電気機器に異常が発生したときリード導体5を介して膜抵抗1に電流を流して膜抵抗1を通電発熱させ、この発生熱でヒューズエレメント7を溶断して上記給電を遮断するものである。この抵抗付きヒューズは種々の分野で使用でき、例えば、リチウムイオン二次電池の電池パックにその異常を検知したときリード導体5に電流を流すためのIC制御回路と共に組み込まれ、二次電池の過充電や過放電時での充電や放電の停止に使用できる。   1 (a) and 1 (b), the operation mechanism of the thermal fuse with resistance is such that power is supplied to the electronic / electrical equipment through the lead conductor 6 and the fuse element 7, and an abnormality occurs in the electronic / electrical equipment. In this case, a current is passed through the membrane resistor 1 through the lead conductor 5 to cause the membrane resistor 1 to generate heat and the generated heat is blown to cut off the power supply. This fuse with a resistor can be used in various fields. For example, it is incorporated in a battery pack of a lithium ion secondary battery together with an IC control circuit for passing a current through the lead conductor 5 when an abnormality is detected. It can be used to stop charging and discharging during charging and overdischarge.

図1(a)及び図1(b)の抵抗付き温度ヒューズはヒューズエレメント7と一対のリード導体6とを直接に接続する構成にしているので、その電極分だけ絶縁基板4の平面寸法を縮小でき、絶縁基板4の熱容量を小さくできる。従って、膜抵抗1の通電発熱速度を速めてヒューズエレメント7の溶断を迅速化でき、動作速度を速めることができる。   1A and 1B has a structure in which the fuse element 7 and the pair of lead conductors 6 are directly connected to each other, so that the planar dimension of the insulating substrate 4 is reduced by the amount corresponding to the electrodes. In addition, the heat capacity of the insulating substrate 4 can be reduced. Accordingly, the energization heat generation rate of the membrane resistor 1 can be increased, the fusing of the fuse element 7 can be speeded up, and the operation speed can be increased.

なお、図2(a)及び図2(b)に示す絶縁基板4はこの厚みが0.3〜0.4mmの良熱伝導性のセラミックス基板である。絶縁基板4の一方の片面(裏面)上には膜抵抗1及びリード導体用膜電極2が配設されると共に、この裏面から他方の片面(表面)にわたってヒューズエレメント用膜電極3が配設されている。膜抵抗1は絶縁基板4の中間部に配設され、リード導体用膜電極2は絶縁基板4の一端側(図2(b)の上側)に配設され、ヒューズエレメント用膜電極3は絶縁基板4の他端側(図2(b)の下側)に配設されている。膜抵抗1は、この一端側がリード導体用膜電極2に重畳接合した状態で電気接続され、この他端側がヒューズエレメント用膜電極3に重畳接合した状態で電気接続されている。この膜抵抗1は、抵抗ペースト、例えば酸化ルテニウムペーストの印刷・焼付けにより設けられる。リード導体用膜電極2及びヒューズエレメント用膜電極3は、導電ペースト、例えば銀ペーストの印刷・焼付けにより設けられている。ヒューズエレメント用膜電極3は、絶縁基板4の表面においてヒューズエレメント7の中間部7aに溶接等で接合されるヒューズエレメント接続部3aと、絶縁基板4の裏面において膜抵抗1と重畳接合される膜抵抗接続部3bとを備える。ヒューズエレメント接続部3aは、膜抵抗1と逆向きに膜抵抗接続部3bから突出形成されている。このヒューズエレメント接続部3aは、その通電発熱速度を速めるため膜抵抗1及び膜抵抗接続部3bより幅狭に形成されている。膜抵抗1上にはこの膜抵抗1を保護するための保護膜12(例えばガラス焼付け膜)が設けられている。   The insulating substrate 4 shown in FIGS. 2 (a) and 2 (b) is a good thermal conductive ceramic substrate having a thickness of 0.3 to 0.4 mm. A film resistor 1 and a lead conductor film electrode 2 are disposed on one surface (back surface) of the insulating substrate 4, and a fuse element film electrode 3 is disposed from the back surface to the other surface (front surface). ing. The film resistor 1 is disposed in the middle portion of the insulating substrate 4, the lead conductor film electrode 2 is disposed on one end side (the upper side of FIG. 2B), and the fuse element film electrode 3 is insulated. It is disposed on the other end side of the substrate 4 (the lower side in FIG. 2B). The membrane resistor 1 is electrically connected in a state where one end side thereof is superimposed and joined to the lead conductor membrane electrode 2, and the other end side is electrically connected in a state where the other end side is superimposed and joined to the fuse element membrane electrode 3. This film resistor 1 is provided by printing and baking of a resistance paste, for example, ruthenium oxide paste. The lead conductor film electrode 2 and the fuse element film electrode 3 are provided by printing and baking a conductive paste, for example, a silver paste. The fuse element film electrode 3 includes a fuse element connecting portion 3a bonded to the intermediate portion 7a of the fuse element 7 on the surface of the insulating substrate 4 by welding or the like, and a film overlappingly bonded to the film resistor 1 on the back surface of the insulating substrate 4. And a resistance connecting portion 3b. The fuse element connection portion 3a is formed so as to protrude from the membrane resistance connection portion 3b in the direction opposite to the membrane resistance 1. The fuse element connecting portion 3a is formed narrower than the membrane resistor 1 and the membrane resistor connecting portion 3b in order to increase the energization heat generation rate. A protective film 12 (for example, a glass baking film) for protecting the film resistance 1 is provided on the film resistance 1.

リード導体用膜電極2に膜電極10を介して電気接続されたリード導体5は扁平状であり、例えば、銅、銅より熱抵抗の高い鉄、鉄合金等の鉄系又はニッケル等にSnメッキしたものが使用されている。ヒューズエレメント用膜電極3にヒューズエレメント7を介して電気接続された一対のリード導体6は扁平状であり、例えば銅等にSnメッキしたものが使用されている。上記リード導体5として熱抵抗の高い鉄、鉄合金等の鉄系又はニッケル等にSnメッキしたものを使用した場合、膜抵抗1のヒューズエレメント7を溶融させるべき発生熱がそのリード導体5を伝って漏洩することを防止するので、ヒューズエレメント7を迅速に溶断させることができる。   The lead conductor 5 electrically connected to the lead conductor membrane electrode 2 via the membrane electrode 10 has a flat shape, for example, Sn plating on copper, iron having higher thermal resistance than copper, iron alloys such as iron alloys, nickel or the like Is used. The pair of lead conductors 6 electrically connected to the fuse element film electrode 3 via the fuse element 7 has a flat shape, and for example, Sn plated copper or the like is used. When the lead conductor 5 is made of iron such as iron or iron alloy having a high thermal resistance or nickel plated with Sn or the like, the generated heat to melt the fuse element 7 of the film resistance 1 is transmitted through the lead conductor 5. Therefore, the fuse element 7 can be blown out quickly.

ヒューズエレメント7は、図2(a)及び図5に示すように、その中間部7aがヒューズエレメント用膜電極3のヒューズエレメント接続部3aに溶接等により接合され、その両端部7bそれぞれが一対のリード導体6と溶接等により接合されている。ヒューズエレメント7には高い曲げ剛性の組成を有する可溶合金が望ましい。このヒューズエレメント7の外面に塗布される図6のフラックス11はロジンを主成分とし、フラックス11の融点がヒューズエレメント7の融点より低いものが使用される。フラックス11の塗布にはフラックス11を加熱溶融し、この溶融フラックスを塗布・凝固させる方法を使用できる。   As shown in FIGS. 2A and 5, the fuse element 7 has an intermediate portion 7a joined to the fuse element connection portion 3a of the fuse element film electrode 3 by welding or the like, and both end portions 7b are paired with each other. The lead conductor 6 is joined by welding or the like. The fuse element 7 is preferably a fusible alloy having a high bending rigidity composition. The flux 11 of FIG. 6 applied to the outer surface of the fuse element 7 is composed mainly of rosin, and the flux 11 has a melting point lower than that of the fuse element 7. The flux 11 can be applied by heating and melting the flux 11 and applying and solidifying the molten flux.

図1・図3・図4・図5〜図7に示す支持基板8は、厚みが0.1mm前後で、かつセラミックス製の絶縁基板4より熱抵抗の高いガラスエポキシ基板である。支持基板8の熱抵抗を絶縁基板4の熱抵抗より高くすることにより、絶縁基板4の膜抵抗1のヒューズエレメント7を溶融させるべき発生熱がその支持基板8を伝って漏洩することを防止するので、ヒューズエレメント7を迅速に溶断させることができる。   The support substrate 8 shown in FIGS. 1, 3, 4, and 5 to 7 is a glass epoxy substrate having a thickness of around 0.1 mm and higher thermal resistance than the ceramic insulating substrate 4. By making the thermal resistance of the support substrate 8 higher than the thermal resistance of the insulating substrate 4, the generated heat to melt the fuse element 7 of the film resistance 1 of the insulating substrate 4 is prevented from leaking along the support substrate 8. Therefore, the fuse element 7 can be blown quickly.

支持基板8の表面は、一端側(図3の上側)に膜電極10が銅箔のエッチングにより設けられ、他端側(図3の下側)に一対の膜電極13が銅箔のエッチングにより設けられている。一対の膜電極13は、これら膜電極13間に絶縁基板4のヒューズエレメント用膜電極3を配置可能な所定間隔を空けた状態で設けられている。   As for the surface of the support substrate 8, the membrane electrode 10 is provided by etching copper foil on one end side (upper side in FIG. 3), and the pair of membrane electrodes 13 is etched on the other end side (lower side in FIG. 3). Is provided. The pair of membrane electrodes 13 are provided with a predetermined gap between the membrane electrodes 13 where the fuse element membrane electrode 3 of the insulating substrate 4 can be arranged.

絶縁封止物9は、図7に示すように、支持基板8上においてフラックス11と接触して配される保護シート9a(例えばセラミックスシート、ガラスクロスシート)と、絶縁基板4を囲むように支持基板8上の周縁に配されて保護シート9aと支持基板8との隙間を封止する硬化性樹脂(エポキシ樹脂)9bとを備えた構成にされている。硬化性樹脂9bはヒューズエレメント7の融点より低温で硬化する常温硬化性樹脂が用いられる。   As shown in FIG. 7, the insulating sealing material 9 is supported so as to surround the insulating substrate 4 and the protective sheet 9 a (for example, a ceramic sheet or a glass cloth sheet) disposed in contact with the flux 11 on the supporting substrate 8. A curable resin (epoxy resin) 9 b is disposed on the periphery of the substrate 8 and seals the gap between the protective sheet 9 a and the support substrate 8. As the curable resin 9b, a room temperature curable resin that is cured at a temperature lower than the melting point of the fuse element 7 is used.

次に、本発明の第1実施形態である図1に示された抵抗付き温度ヒューズの製造方法について図4,図5,図6及び図7を参照しながら説明する。   Next, a method of manufacturing the resistance-equipped thermal fuse shown in FIG. 1, which is the first embodiment of the present invention, will be described with reference to FIGS. 4, 5, 6, and 7. FIG.

図4(a)は、支持基板8上に、絶縁基板4、リード導体5,6を並置した状態に固着する工程における抵抗付き温度ヒューズの平面図を示し、図4(b)は図4(a)に示された抵抗付き温度ヒューズを一対のリード導体6側から示した図であり、図4(c)は図4(a)のA−A断面を模式的に示した断面図である。まず、絶縁基板4の裏面を支持基板8上に固着する。具体的には絶縁基板4の裏面に存在するリード導体用膜電極2を支持基板8上の膜電極10に半田付け又は溶接で固着する。この絶縁基板4の固着と共に、支持基板8の一端側の膜電極10に、リード導体用膜電極2に電気接続されるリード導体5の先端部を半田付け又は溶接で固着する。他方、支持基板8の他端側において絶縁基板4のヒューズエレメント用膜電極3の両側方に位置する膜電極13それぞれに、一対のリード導体6の各先端部を半田付け又は溶接で固着する。ただ、支持基板8の膜電極10,13にリード導体5,6の先端部をスポット溶接などにより溶接すると、支持基板8の変形が懸念されるので、膜電極10,13とリード導体5,6との接合は半田付けにより行うことが好ましい。   FIG. 4A shows a plan view of a thermal fuse with resistance in the process of fixing the insulating substrate 4 and the lead conductors 5 and 6 on the support substrate 8 in a juxtaposed state, and FIG. It is the figure which showed the thermal fuse with a resistance shown by a) from a pair of lead conductor 6 side, and FIG.4 (c) is sectional drawing which showed typically the AA cross section of Fig.4 (a). . First, the back surface of the insulating substrate 4 is fixed on the support substrate 8. Specifically, the lead conductor film electrode 2 existing on the back surface of the insulating substrate 4 is fixed to the film electrode 10 on the support substrate 8 by soldering or welding. Along with the fixing of the insulating substrate 4, the tip end portion of the lead conductor 5 electrically connected to the lead conductor membrane electrode 2 is fixed to the membrane electrode 10 on one end side of the support substrate 8 by soldering or welding. On the other hand, the tip ends of the pair of lead conductors 6 are fixed to each of the membrane electrodes 13 positioned on both sides of the fuse element membrane electrode 3 of the insulating substrate 4 on the other end side of the support substrate 8 by soldering or welding. However, if the tip portions of the lead conductors 5 and 6 are welded to the membrane electrodes 10 and 13 of the support substrate 8 by spot welding or the like, the support substrate 8 may be deformed. It is preferable to perform bonding with the soldering.

図5(a)は、絶縁基板4の表面に存在するヒューズエレメント用膜電極3と一対のリード導体6とに跨ってヒューズエレメント7を配設してヒューズエレメント用膜電極3と一対のリード導体6とを電気接続する工程における抵抗付き温度ヒューズの平面図を示す。図5(b)は図5(a)に示された抵抗付き温度ヒューズを一対のリード導体6側から示した図である。具体的には、ヒューズエレメント7の中間部7aを絶縁基板4の表面に存在するヒューズエレメント用膜電極3のヒューズエレメント接続部3aに溶接等で接合する。この接合と共に、ヒューズエレメント7の両端部7bそれぞれをリード導体6の各先端部に溶接等で接合する。   FIG. 5A shows a fuse element film electrode 3 and a pair of lead conductors arranged across the fuse element film electrode 3 and the pair of lead conductors 6 existing on the surface of the insulating substrate 4. 6 is a plan view of a thermal fuse with resistance in a process of electrically connecting to FIG. FIG. 5B is a view showing the thermal fuse with resistance shown in FIG. 5A from the pair of lead conductors 6 side. Specifically, the intermediate portion 7 a of the fuse element 7 is joined to the fuse element connection portion 3 a of the fuse element film electrode 3 existing on the surface of the insulating substrate 4 by welding or the like. Along with this joining, both end portions 7b of the fuse element 7 are joined to respective tip portions of the lead conductor 6 by welding or the like.

図5(a)及び図5(b)で示された抵抗付き温度ヒューズは、絶縁基板4、リード導体5,6が固着された支持基板8の表面を上向きにした状態で次の工程へと搬送される。この場合、ヒューズエレメント7と接続するリード導体6が支持基板8上に固着されているので、次の工程への搬送においてそのリード導体6が振動した場合に、リード導体6の振動をリード導体6と支持基板8との固着部分で抑えることができる。このためリード導体6から振動が伝わることにより、リード導体6とヒューズエレメント7を接続した箇所あるいはヒューズエレメント用膜電極3とヒューズエレメント7を接続した箇所あるいはヒューズエレメント7自体に負荷が集中してクラックが生じるのを防止することができる。   The resistance thermal fuse shown in FIGS. 5A and 5B proceeds to the next step with the surface of the support substrate 8 to which the insulating substrate 4 and the lead conductors 5 and 6 are fixed facing upward. Be transported. In this case, since the lead conductor 6 connected to the fuse element 7 is fixed on the support substrate 8, when the lead conductor 6 vibrates during conveyance to the next process, the vibration of the lead conductor 6 is reduced. And the support substrate 8 can be suppressed. For this reason, when vibration is transmitted from the lead conductor 6, a load concentrates on the portion where the lead conductor 6 and the fuse element 7 are connected, the portion where the fuse element membrane electrode 3 and the fuse element 7 are connected, or the fuse element 7 itself, and cracks. Can be prevented from occurring.

図6(a)は、ヒューズエレメント用膜電極3と一対のリード導体6とに跨って配設されたヒューズエレメント7にフラックス11を塗布する工程における抵抗付き温度ヒューズの平面図を示し、図6(b)に図6(a)に示された抵抗付き温度ヒューズを一対のリード導体6側から示した図である。フラックス11は、図6(a)及び図6(b)に示すようにヒューズエレメント7を被覆し、かつ支持基板8上に及ばないように塗布される。   FIG. 6A shows a plan view of a resistance temperature fuse in the step of applying a flux 11 to the fuse element 7 disposed across the fuse element film electrode 3 and the pair of lead conductors 6. FIG. 7B is a diagram showing the resistance temperature fuse shown in FIG. 6A from the pair of lead conductors 6 side. The flux 11 is applied so as to cover the fuse element 7 as shown in FIGS. 6A and 6B and not to reach the support substrate 8.

図6(a)及び図6(b)で示された抵抗付き温度ヒューズはフラックス11が塗布された後、絶縁基板4、リード導体5,6が固着された支持基板8の表面を上向きにした状態で次の工程に搬送される。この抵抗付き温度ヒューズは、ヒューズエレメント7と接続するリード導体6が支持基板8上に固着されているので、次の工程への搬送においてそのリード導体6が振動した場合に、リード導体6の振動をリード導体6と支持基板8との固着部分で抑えることができる。このためリード導体6から振動が伝わることにより、リード導体6とヒューズエレメント7を接続した箇所あるいはヒューズエレメント用膜電極3とヒューズエレメント7を接続した箇所あるいはヒューズエレメント7自体に負荷が集中してクラックが生じるのを防止することができる。   In the thermal fuse with resistance shown in FIGS. 6A and 6B, after the flux 11 is applied, the surface of the support substrate 8 to which the insulating substrate 4 and the lead conductors 5 and 6 are fixed is directed upward. It is conveyed to the next process in the state. Since the lead conductor 6 connected to the fuse element 7 is fixed on the support substrate 8 in this temperature-provided fuse, when the lead conductor 6 vibrates during conveyance to the next process, the vibration of the lead conductor 6 occurs. Can be suppressed by the fixing portion between the lead conductor 6 and the support substrate 8. For this reason, when vibration is transmitted from the lead conductor 6, a load concentrates on the portion where the lead conductor 6 and the fuse element 7 are connected, the portion where the fuse element membrane electrode 3 and the fuse element 7 are connected, or the fuse element 7 itself, and cracks. Can be prevented from occurring.

図7(a)は、ヒューズエレメント7にフラックス11を塗布した後、支持基板8上の絶縁基板4及び支持基板8上の一対のリード導体6の部分を絶縁封止物9で封止する工程における抵抗付き温度ヒューズの平面図を示す。図7(b)は図7(a)に示された抵抗付き温度ヒューズの裏側平面図であり、図7(c)は図7(a)に示された抵抗付き温度ヒューズを一対のリード導体6側から示した図である。図7(d)は図7(a)に示された抵抗付き温度ヒューズの側面図であり、図7(e)は図7(d)の部分透視図である。ここで絶縁封止物9は、保護シート9a(例えばセラミックスシート、ガラスクロスシート)と硬化性樹脂(エポキシ樹脂)9bとを備える。まず、硬化性樹脂9bを支持基板8の表面の周縁に滴下塗布してこの硬化性樹脂9bで支持基板8上の絶縁基板4及び支持基板8上のリード導体5,6の部分を囲むようにする。硬化性樹脂9bの滴下塗布はこの硬化性樹脂9bの厚み方向の長さが、支持基板8の表面からフラックス11の表面までの距離より大きくなるまで続けられる。次いで、硬化性樹脂9bの上端面に保護シート9aを載置し、保護シート9aをこの裏面がフラックス11の表面に接触するまで支持基板8に向けて押圧し、この保護シート9aと支持基板8との隙間を硬化性樹脂9bで塞いで封止する。
この封止工程は支持基板8の一方の片面(絶縁基板4、リード導体5,6が固着された表面)のみを絶縁封止物9で封止するものであるから、従来のように基板を持ち上げてこの基板全体を樹脂で塗布して封止する封止工程と比して、リード導体6が強く振動することはない。また封止工程においてリード導体6が振動した場合でも、ヒューズエレメント7と接続するリード導体6が支持基板8上に固着されているので、そのリード導体6の振動をリード導体6と支持基板8との固着部分で抑えることができる。このためリード導体6とヒューズエレメント7を接続した箇所あるいはヒューズエレメント用膜電極3とヒューズエレメント7を接続した箇所あるいはヒューズエレメント7自体に負荷が集中してクラックが生じるのを防止することができる。
FIG. 7A shows a process of sealing the insulating substrate 4 on the support substrate 8 and the pair of lead conductors 6 on the support substrate 8 with an insulating sealing material 9 after applying the flux 11 to the fuse element 7. The top view of the thermal fuse with a resistance in is shown. 7B is a plan view of the back side of the thermal fuse with resistance shown in FIG. 7A, and FIG. 7C is a pair of lead conductors with the thermal fuse with resistance shown in FIG. 7A. It is the figure shown from the 6th side. FIG. 7 (d) is a side view of the thermal fuse with resistance shown in FIG. 7 (a), and FIG. 7 (e) is a partial perspective view of FIG. 7 (d). Here, the insulating sealing material 9 includes a protective sheet 9a (for example, a ceramic sheet or a glass cloth sheet) and a curable resin (epoxy resin) 9b. First, a curable resin 9b is dropped onto the periphery of the surface of the support substrate 8, and the curable resin 9b surrounds the insulating substrate 4 on the support substrate 8 and the lead conductors 5 and 6 on the support substrate 8. To do. The dropping application of the curable resin 9b is continued until the length of the curable resin 9b in the thickness direction becomes larger than the distance from the surface of the support substrate 8 to the surface of the flux 11. Next, the protective sheet 9a is placed on the upper end surface of the curable resin 9b, and the protective sheet 9a is pressed toward the support substrate 8 until the back surface contacts the surface of the flux 11, and the protective sheet 9a and the support substrate 8 are pressed. The gap is closed with a curable resin 9b and sealed.
In this sealing step, only one side of the support substrate 8 (the surface to which the insulating substrate 4 and the lead conductors 5 and 6 are fixed) is sealed with the insulating sealing material 9, so that the substrate can be sealed as in the prior art. The lead conductor 6 does not vibrate strongly as compared with a sealing process in which the entire substrate is applied with resin and sealed. Even when the lead conductor 6 vibrates in the sealing process, the lead conductor 6 connected to the fuse element 7 is fixed on the support substrate 8, so that the vibration of the lead conductor 6 is detected by the lead conductor 6 and the support substrate 8. It can be suppressed at the fixed part. For this reason, it is possible to prevent a load from concentrating on the place where the lead conductor 6 and the fuse element 7 are connected, the place where the fuse element film electrode 3 and the fuse element 7 are connected, or the fuse element 7 itself and cracking.

図8は、本発明の抵抗付き温度ヒューズの製造方法において、支持基板8上に、絶縁基板4、リード導体5,6を並置した状態に固着する工程で製造される抵抗付き温度ヒューズの別実施例の平面図を示す。図8の抵抗付き温度ヒューズは、図4(a)の抵抗付き温度ヒューズと比して、支持基板8上の絶縁基板4、リード導体5,6の配置構成が相違する。図8に示されるように、絶縁基板4をこのヒューズエレメント用膜電極3のヒューズエレメント接続部3aが支持基板8の幅方向(図8の左右方向)の一方に向けられた状態で支持基板8上に固着する。この絶縁基板4の固着と共に、一対のリード導体6をそれぞれ支持基板8の一端側と他端側とに配設して固着し、支持基板8の他端側に配設されたリード導体6と並行してリード導体5をその支持基板8の他端側に配置して固着する。   FIG. 8 shows another embodiment of the method for manufacturing a thermal resistor with resistance according to the present invention, which is manufactured in the process of fixing the insulating substrate 4 and the lead conductors 5 and 6 on the support substrate 8 in a juxtaposed manner. An example plan view is shown. The thermal fuse with resistance of FIG. 8 differs from the thermal fuse with resistance of FIG. 4A in the arrangement configuration of the insulating substrate 4 and the lead conductors 5 and 6 on the support substrate 8. As shown in FIG. 8, the insulating substrate 4 is supported on the support substrate 8 in a state where the fuse element connecting portion 3 a of the fuse element film electrode 3 is directed to one side in the width direction of the support substrate 8 (left and right direction in FIG. 8). Stick on top. Along with the fixing of the insulating substrate 4, a pair of lead conductors 6 are disposed and fixed on one end side and the other end side of the support substrate 8, respectively, and the lead conductor 6 disposed on the other end side of the support substrate 8 In parallel, the lead conductor 5 is disposed and fixed to the other end side of the support substrate 8.

なお、上述の実施形態の抵抗付き温度ヒューズの製造方法においては、一対のリード導体6を支持基板8の膜電極13に半田付け又は溶接で固着するが、本発明はこれに限定されたものではなく、一対のリード導体6を支持基板8上に接着剤で直接固着してもよい。この場合、一対のリード導体6を半田付け又は溶接で固着させる場合のように支持基板8に熱的ストレスを与えることがない。   In the method of manufacturing a thermal fuse with resistance of the above-described embodiment, the pair of lead conductors 6 are fixed to the membrane electrode 13 of the support substrate 8 by soldering or welding, but the present invention is not limited to this. Alternatively, the pair of lead conductors 6 may be directly fixed on the support substrate 8 with an adhesive. In this case, thermal stress is not applied to the support substrate 8 unlike the case where the pair of lead conductors 6 are fixed by soldering or welding.

また、上述の実施形態の抵抗付き温度ヒューズの製造方法に使用される絶縁封止物9は保護シート9aと硬化性樹脂(エポキシ樹脂)9bとを備えた構成であるが、本発明はこれに限定されるものではない。本発明の絶縁封止物は支持基板上の絶縁基板及び支持基板上のリード導体の部分を保護するものであればよく、例えば、これら絶縁基板及びリード導体の部分を被覆するように寸法設定された絶縁ケースを使用してもよい。   Moreover, although the insulation sealing thing 9 used for the manufacturing method of the thermal fuse with a resistance of the above-mentioned embodiment is the structure provided with the protection sheet 9a and curable resin (epoxy resin) 9b, this invention is to this. It is not limited. The insulating sealing material of the present invention may be anything that protects the insulating substrate on the supporting substrate and the lead conductor portion on the supporting substrate. For example, the insulating sealing material is dimensioned to cover the insulating substrate and the lead conductor portion. An insulating case may be used.

1 膜抵抗
2 リード導体用膜電極
3 ヒューズエレメント用膜電極
4 絶縁基板
5 リード導体
6 リード導体
7 ヒューズエレメント
8 支持基板
9 絶縁封止物
13 膜電極
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Membrane resistance 2 Membrane electrode for lead conductor 3 Membrane electrode for fuse element 4 Insulating substrate 5 Lead conductor 6 Lead conductor 7 Fuse element 8 Support substrate 9 Insulating sealing material 13 Membrane electrode

Claims (3)

膜抵抗(1)とこの膜抵抗(1)に電気接続するリード導体用膜電極(2)とが一方の片面に配設されていると共に、前記膜抵抗(1)に電気接続するヒューズエレメント用膜電極(3)が前記一方の片面からこの一方の片面と反対の他方の片面にわたって配設されている絶縁基板(4)と、前記リード導体用膜電極(2)に電気接続されたリード導体(5)と、前記他方の片面に存在するヒューズエレメント用膜電極(3)の両側方に配設された一対のリード導体(6)と、前記他方の片面に存在するヒューズエレメント用膜電極(3)と前記一対のリード導体(6)とに跨って配設されてこれらヒューズエレメント用膜電極(3)と一対のリード導体(6)とを電気接続するヒューズエレメント(7)とを備えた抵抗付き温度ヒューズの製造方法であって、
前記絶縁基板(4)の一方の片面を支持基板(8)上に固着するとともに、この絶縁基板(4)と並置して前記一対のリード導体(6)を前記支持基板(8)上に固着する工程と、
前記支持基板(8)上に固着された前記絶縁基板(4)の前記他方の片面に存在するヒューズエレメント用膜電極(3)と前記一対のリード導体(6)とに跨って前記ヒューズエレメント(7)を配設して前記ヒューズエレメント用膜電極(3)と前記一対のリード導体(6)とを電気接続する工程と、
前記支持基板(8)上の前記絶縁基板(4)及び前記支持基板(8)上の前記一対のリード導体(6)の部分を絶縁封止物(9)で封止する工程と
を含むことを特徴とする抵抗付き温度ヒューズの製造方法。
A membrane resistor (1) and a lead conductor membrane electrode (2) electrically connected to the membrane resistor (1) are arranged on one side and for a fuse element electrically connected to the membrane resistor (1). An insulating substrate (4) in which the membrane electrode (3) is disposed from the one side to the other side opposite to the one side, and a lead conductor electrically connected to the lead conductor membrane electrode (2) (5), a pair of lead conductors (6) disposed on both sides of the fuse element film electrode (3) existing on the other side, and a fuse element film electrode ( 3) and a fuse element (7) disposed between the pair of lead conductors (6) and electrically connecting the fuse element film electrode (3) and the pair of lead conductors (6). Resistive thermal fuse A manufacturing method,
One side of the insulating substrate (4) is fixed on the supporting substrate (8), and the pair of lead conductors (6) are fixed on the supporting substrate (8) in parallel with the insulating substrate (4). And a process of
The fuse element (3) straddling the fuse element film electrode (3) and the pair of lead conductors (6) present on the other surface of the insulating substrate (4) fixed on the support substrate (8). 7) disposing and electrically connecting the fuse element film electrode (3) and the pair of lead conductors (6);
Sealing the insulating substrate (4) on the support substrate (8) and the pair of lead conductors (6) on the support substrate (8) with an insulating sealing material (9). A method of manufacturing a thermal fuse with a resistance.
前記支持基板(8)上に一対の膜電極(13)が設けられ、
前記膜電極(13)に、前記ヒューズエレメント用膜電極(3)に電気接続される前記リード導体(6)を半田付けで固着することを特徴とする請求項1に記載の抵抗付き温度ヒューズの製造方法。
A pair of membrane electrodes (13) is provided on the support substrate (8),
The resistance thermal fuse according to claim 1, wherein the lead conductor (6) electrically connected to the fuse element film electrode (3) is fixed to the film electrode (13) by soldering. Production method.
前記支持基板(8)上に、前記ヒューズエレメント用膜電極(3)に電気接続される前記リード導体(6)を接着剤で固着することを特徴とする請求項1に記載の抵抗付き温度ヒューズの製造方法。   The resistance thermal fuse according to claim 1, wherein the lead conductor (6) electrically connected to the fuse element film electrode (3) is fixed on the support substrate (8) with an adhesive. Manufacturing method.
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