KR100467745B1 - 갈바노 미터의 회전자 위치 측정 시스템 - Google Patents

갈바노 미터의 회전자 위치 측정 시스템 Download PDF

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Abstract

갈바노 미터의 회전자 위치 측정 시스템에 관해 개시되어 있다. 개시된 시스템은 미러 및 상기 미러와 동축으로 연결된 회전자가 내재된 모터를 구비하는 갈바노 미터 스캐너와, 상기 미러의 회전 위치를 측정하기 위해, 상기 미러 뒷면을 향해 측정용 빔을 방출하는 제1 광원과, 상기 미러의 뒷면으로부터 반사되는 상기 측정용 빔을 센싱하여 상기 미러의 회전 위치에 관한 정보를 얻을 수 있도록 구비된 반사각 측정 센서, 상기 반사각 측정 센서로부터 얻어지는 상기 정보를 이용하여 상기 미러의 회전위치를 분석하고, 이를 바탕으로 상기 미러의 회전위치를 재 설정하기 위한 신호를 적어도 상기 갈바노 미터 스캐너에 제공하는 제어부 및 상기 반사각 측정 센서와 상기 제어부사이에 구비되어 상기 반사각 측정 센서로부터 입력되는 상기 정보를 변환하여 상기 제어부로 출력하는 신호변환유닛을 포함한다. 이러한 본 발명을 이용하면, 제작비를 줄일 수 있고, 미러의 뒷면을 이용하기 때문에, 어떠한 응용 장비에도 쉽게 적용시킬 수 있으며, 회전자와 동축으로 연결된 미러 뒷면으로부터 반사되는 광의 반사각도를 측정하기 때문에, 회전자의 회전위치를 정확히 측정할 수 있을 뿐만 아니라 온도 드리프트 및 2차원 필드의 시간에 따른 변화 등에 대한 영향을 배제할 수 있어 측정에 대한 신뢰성을 높일 수 있다.

Description

갈바노 미터의 회전자 위치 측정 시스템{System of measuring position of rotor of Galvano meter}
본 발명은 스캐너의 회전자 위치 측정 시스템 관한 것으로서, 자세하게는 갈바노 미터의 회전자 뒷면에 측정용 빔을 주사한 다음, 피드백(feedback) 과정을 통해 회전자 위치를 측정하는 시스템에 관한 것이다.
현재 레이저(Laser)를 이용한 장비 산업분야 등에서 광선의 경로를 컨트롤하는 수단으로, 회전축에 회전자로써 미러를 장착한 갈바노 미터가 널리 사용되고 있다. 이 갈바노 미터는 모터의 일종으로서, 특이한 점이 있다면, 일정한 각도범위 내에서만 움직일 수 있다는 점이다. 따라서 갈바노 미터에서는 위치정보를 얻고자 할 때 부하관성 등의 영향으로 기존의 모터등에서 널리 사용되는 타코미터(tacho meter)나 엔코더(encoder)등은 사용하기 어렵다.
도 1은 종래 기술에 의한 갈바노 미터의 회전자 위치 측정 시스템의 구성을 개략적으로 보여주는 도면으로써, 참조버호 10은 갈바노 미터 스캐너를 나타낸다. 그리고 10a 및 10b는 각각 갈바노 미터 스캐너(10)를 구성하는 모터 및 모터(10a)의 회전축에 연결된 미러(mirror)를 나타낸다. 이러한 갈마노 미터 스캐너(10)는 모터(10a)와 연결된 드라이버(20)에 의해 구동된다. 미러(10b)의 반사면과 마주하는 일 방향에 상기 반사면에 가공용 레이저 빔(L)을 조사하는 레이저(12)가 구비되어 있다. 레이저(12)에서 방출된 가공용 레이저 빔(L)은 미러(10b)의 반사면에 의해 반사되어 갈바노 미터 스캐너(10) 아래쪽으로 반사된다. 갈바노 미터 스캐너(10) 아래쪽에는 미러(10b)에 의해 반사된 가공용 빔(L')이 조사되는 타겟(14)이 마련되어 있다. 타겟(14)은 그 중심이 미러(10b)의 반사면을 관통하는 가상의 광축 상에 위치하도록 마련되어 있다. 참조번호 24는 미러(10b)에 의해 반사된 가공용 빔(L')에 의해 타겟(14) 상에 주어진 패턴이 그려지는 영역, 곧 반사된 가공용 빔(L')의 초점이 맺히는 영역인 마킹 필드(marking field)를 나타낸다. 타겟(14)의 일측에 빔 리시빙 센서(Beam receiving sensor)(16)가 연결되어 있다. 빔 리시빙 센서(16)는 광 센서 등을 이용하여 타겟(14) 상에 반사된 가공용 빔(L')이 맺히는 위치를 알아낸 후, 이를 이용하여 상기 반사된 가공용 빔(L')을 반사한 미러(10b)의 회전위치, 곧 미러(10b)와 동축으로 연결된 모터(10a)의 회전자(rotor, 미도시)의 회전 각도를 알아내기도 한다.
한편, 도면에 도시된 바와 같이, 빔 리시빙 센서(16)를 구비한 것과 동일한 목적으로 빔 리시빙 센서(16) 대신 모터(10a)와 연결되는 커패시터 센서(capacitor sensor, 18)를 구비할 수 있다. 커패시터 센서(18)는 모터의 회전자와 연결되어 회전자의 운동에 따른 용량의 변화를 측정한다. 이러한 측정을 통해서 상기 회전자가 회전된 각도를 측정하게 된다. 이것은 회전자에 연결된 미러(10b)의 회전 각도를 측정하는 결과가 된다.
다른 한편으로, 빔 리시빙 센서(16)나 커패시터 센서(18)와 동일한 목적으로 이들 대신에 타겟(14)의 상기 반사된 가공용 빔(L')이 조사되는 영역을 관측할 수 있도록 고체 촬상 소자(Charge Coupled Device) 카메라(22)가 구비될 수 있다. CCD카메라(22)는 상기 영역 상에서의 빔의 궤적을 관측하여 상기 회전자의 이상을 감지한다. 이를 통해서 상기 회전자의 회전 상태가 정상인지 아닌지를 판단할 수 잇다.
상술한 바와 같이, 종래 기술에 의한 갈바노 미터의 회전자 위치 측정 시스템은 미러(10b)와 동축으로 연결된 회전자의 위치 측정을 위해 빔 리시빙 센서(16), 커패시터 센서(18) 또는 CCD 카메라(22)를 구비한다.
그러나, 빔 리시빙 센서(16)를 구비하여 상기 회전자의 회전 위치를 측정하고자 하는 경우, 어떤 응용장비에 대해서 빔 리시빙 센서(16)는 설치가 불가능하거나 극히 어려울 수 있다. 이것은 미러(10b)로부터 반사된 가공용 빔(L')의 초점이 맺히는 마킹 필드(24)는 일반적으로 가공재료가 놓여야 하는 면이기 때문이다.
또한, 커패시터 센서(18)를 구비하여 상기 회전자의 회전 위치를 측정하고자 하는 경우, 온도 등의 영향으로 커패시터의 커패시턴스를 정확히 보장할 수 없다.
또한, CCD 카메라(22)를 구비하여 상기 회전자의 회전 위치를 측정하고자 하는 경우, 온도 드리프트(drift) 현상이나 2차원 필드(field)의 시간에 따른 변화 등으로 측정의 정확성이 낮아질 수 있다. 이와 함께 제작비가 비싸고 설치가 어려운 문제도 있다.
따라서, 본 발명이 이루고자하는 기술적 과제는 상술한 종래 기술의 문제점을 개선하기 위한 것으로서, 모터와 연결되는 별도의 센서를 구비하거나 가공용 빔을 비젼 시스템(Vision System) 등의 수단으로 검출하여 갈바노 미터의 회전자의회전 위치를 유추하는 대신, 풀 클로즈드 루프(Full closed loop) 방식을 이용한 피드백 방식이 적용된, 갈바노 미터에 달려있는 가공용 빔의 반사각을 조절하는 미러의 뒷면에 측정용 빔을 주사하여 직접 갈바노 미터 회전자의 회전위치를 파악할 수 있는 갈바노 미터의 회전자 위치 측정 시스템을 제공함에 있다.
도 1은 종래 기술에 의한 갈바노 미터의 회전자 위치 측정 시스템의 개략적 구성을 보여주는 도면이다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 실시예에 의한 갈바노 미터의 회전자 위치 측정 시스템에서 회전자의 회전각 추출 개념을 보여주는 도면들로써, 도 2는 사시도이고, 도 3은 측면도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 의한 갈바노 미터의 회전자 위치 측정 시스템의 구성을 보여주는 도면이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호설명*
40:갈바노 스캐너 42:반사각 측정 센서
44:시스템 제어부 46:모터 컨트롤러
48:신호 변화 유닛 44a:제어유닛
44b:피드백 유닛 40a:모터
40b:미러 50, 52:제1 및 제2 광원
L1:가공용 빔 L1':미러에서 반사된 가공용 빔
L2:미러 회전각 측정용 빔
L2':미러 뒷면을 통해 반사된 미러 회전각 측정용 빔
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 입사광을 입사방향과 다른 방향으로 반사시키는 반사수단 및 상기 반사수단과 동축으로 연결된 회전자가 내재된 상기 반사수단을 구동시키기 위한 구동원을 구비하는 갈바노 미터 스캐너와, 상기 반사수단의 회전 위치를 측정하기 위해 상기 반사수단 뒷면을 향해 측정용 빔을 방출하는 제1 광원과, 상기 반사수단의 뒷면으로부터 반사되는 상기 측정용 빔을 센싱하여 상기 반사수단의 회전 위치에 관한 정보를 얻을 수 있도록 구비된 반사각 측정 센서 및 상기 반사각 측정 센서로부터 얻어지는 정보를 이용하여 상기 반사수단의 회전위치를 분석하고, 이를 바탕으로 상기 반사수단의 회전위치를 재 설정하기 위한 신호를 적어도 상기 갈바노 미터 스캐너에 제공하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 갈바노 미터의 회전자 위치 측정 시스템을 제공한다.
여기서, 상기 반사각 측정 센서와 상기 제어부사이에 상기 반사각 측정 센서로부터 입력되는 상기 정보를 변환하여 상기 제어부로 출력하는 신호변환유닛이 구비되어 있다.
상기 제어부와 상기 구동원사이에 상기 제어부로부터 전송되는, 상기 구동원을 제어하기 위한 제어신호를 증폭하고 이를 이용하여 상기 구동원을 직접 제어하는 구동원 컨트롤러가 구비되어 있다.
상기 제어부는 상기 구동원 컨트롤러에 상기 제어신호를 인가하는 제어유닛 및 상기 신호변화유닛으로부터 입력되는 신호를 상기 제어유닛으로 피드백시키는 피드백 유닛을 포함한다.
상기 반사수단은 미러(mirror)이고, 상기 구동원은 상기 미러를 주어진 범위내에서 회전시키는 모터이다.
이와 같은 본 발명의 실시예에 의한 갈바노 미터의 회전자 위치 측정 시스템의 경우, 제작비를 줄일 수 있다. 그리고 미러의 뒷면을 이용하기 때문에 어떠한 응용 장비에도 쉽게 적용시킬 수 있다. 또한, 회전자와 동축으로 최종단에 연결된 미러 뒷면으로부터 반사되는 광의 반사각도를 측정하기 때문에, 회전자의 회전위치를 정확히 측정할 수 있을 뿐만 아니라 온도 드리프트 및 2차원 필드의 시간에 따른 변화 등에 대한 영향을 배제할 수 있어 측정에 대한 신뢰성을 높일 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예에 의한 갈바노 미터의 회전자 위치 측정 시스템을 첨부된 도면들을 참조하여 상세하게 설명한다. 이 과정에서 도면에 도시된 요소들의 형태나 크기 등은 명세서의 명확성을 위해 다소 과장되게 도시된 것이다.
도 2 및 도 3은 각각 본 발명의 실시예에 의한 갈바노 미터의 회전자 위치 측정 시스템에서 갈바노 미터의 회전자 위치 측정에 대한 개념을 설명하기 위한 사시도 및 측면도이다. 여기서, 참조번호 40은 갈바노 미터 스캐너를 나타낸다. 갈바노 미터 스캐너(40)는 미러(40b)와 모터(40a)를 포함한다. 미러(40b)는 입사광을 다른 방향으로 반사시키는 반사수단의 하나로써, 가공용 빔(L1)을 가공 대상이 놓인 방향으로 반사시킨다. 모터(40a)는 미러(40b)를 주어진 범위내에서 구동시키기 위한, 곧 회전시키기 위한 구동원이다. 가공용 빔(L1)은 이산화탄소 레이저(CO2 laser)와 같은 레이저 방출원으로부터 방출되는 레이저광인 것이 바람직하다. 또한, 미러(40b)의 전체 두께는 균일한 것이 바람직하나, 미러(40b)에서 가공용 빔(L1) 및 측정용 빔(L2)이 입사되는 영역이 특정 영역으로 제한되는 경우, 상기 특정 영역의 두께만 균일해도 무방하다. 측정용 빔(L2)은 헬륨-네온 레이저(He-Ne laser)나 레이저 다이오드(Laser Diode)와 같은 레이저 방출원으로부터 방출되는 레이저광인 것이 바람직하다. 모터(40a)에는 미러(40b)를 주어진 반사각으로 회전시키고 미러(40b)와 동축으로 연결된 회전자(rotor, 미도시)가 내장되어 있다. 상기 회전자의 회전 위치 또는 미러(40b)의 회전 위치(각)는 미러(40b)의 가공용 빔(L1)을 반사시키는 반사면의 뒷면에 입사되는 측정용 빔(L2)을 이용하여 측정된다. 미러(40b)의 뒷면에 입사된 측정용 빔(L2)은 미러(40b)의 뒷면에 의해 반사되어 반사각 측정 센서(42)로 입사된다. 반사각 측정 센서(42)는 미러(40b)로부터 이격된 비접촉 센서이다. 미러(40b)의 회전각에 따라 미러(40b)의 뒷면에 입사되는 측정용 빔(L2)의 반사각이 달라지므로, 반사각 측정 센서(42)로 입사되는 측정용 빔(L2')의 입사각도 달라진다. 곧, 미러(40b) 뒷면에 의해 반사된 측정용 광(L2')이 반사각 측정 센서(42)에 도달되는 위치가 달라진다. 이와 같이, 미러(40b) 뒷면에서 반사된 측정용 빔(L2')이 반사각 측정 센서(42)에 도달되는 위치와 반사된 측정용 빔(L2')의 반사각은 밀접한 관계가 있다.
예를 들어, 도 3에 도시한 바와 같이 미러(40b)가 가공용 빔(L1)에 대해 45°로 기울어져 있고, 측정용 빔(L2)이 미러(40b)의 뒷면에 가공용 빔(L1)과 평행하게 그러나 반대 방향에서 입사한다고 하면, 미러(40b) 뒷면에 입사되는 측정용 빔(L2)은 미러(40b) 뒷면에 대해 45°로 반사된다. 곧, 반사된 측정용 빔(L2')은 측정용 빔(L2)의 입사방향에 대해 위쪽으로 수직하게 꺾여 반사각 측정 센서(42)로 입사된다. 반사각 측정 센서(42) 입장에서 보면, 이러한 결과는 반사된 측정용 빔(L2')이 수직하게 입사한 것이 된다. 그러나 미러(40b)와 가공용 빔(L1)사이의 각이 45°보다 크거나 작은 경우, 미러(40b) 뒷면에서 반사되는 측정용 빔(L2)의 반사각 역시 크거나 작게 된다. 곧, 전자는 미러(40b)가 45°위치에서 왼쪽으로 더 회전된 경우로서, 측정용 빔(L2)의 반사각은 45°보다 크게 되어, 미러(40b) 뒷면에서 반사된 측정용 빔(L2')이 반사각 측정 센서(42)에 도달되는 위치는 좌측으로 이동되게 된다. 후자의 경우는 미러(40b)가 오른쪽으로 더 회전된 경우로서, 측정용 빔(L2)의 반사각은 45°보다 작게 되어, 반사된 측정용 빔(L2')이 반사각 측정 센서(42)에 도달되는 위치는 반사된 측정용 빔(L2')이 수직으로 입사되었을 때보다 우측으로 이동되게 된다.
이와 같이, 반사각 측정 센서(42)에 도달된 반사된 측정용 빔(L2')의 위치 정보(이하, 제1 정보라 함)로부터 반사된 측정용 빔(L2')의 반사각에 대한 정보(이하, 제2 정보라 함)를 얻을 수 있다. 또한 미러(40b) 뒷면으로부터 반사된 측정용 빔(L2')의 반사각은 미러(40b)의 회전각, 곧 상기 회전자의 회전각과 직접 관계가 있으므로, 상기 제2 정보로부터 미러(40b)의 회전각 또는 상기 회전자의 회전각에 대한 정보를 얻을 수 있다. 상기 제2 정보를 상기 제1 정보를 통해서 얻을 수 있으므로, 결국 상기 제1 정보를 통해서 미러(40b) 또는 상기 회전자의 회전 위치에 대한 정보(이하, 제3 정보라 함)를 얻을 수 있다.
상기 제1 내지 제3 정보는 반사각 측정 센서(42)에 새겨진 리니어 스케일(Linear Scale)의 눈금(미도시)으로부터 얻을 수 있다. 곧, 반사된 측정용 빔(L2')이 주사된 위치의 눈금을 읽어서 상기 제1 및 제2 정보를 얻을 수 있고, 이를 미러(40b)의 회전각도(상기 회전자의 회전각도)로 환산함으로써, 상기 제3 정보가 얻어진다.
한편, 상기 제1 내지 제3 정보를 얻기 위해서는 가공용 빔(L1)과 측정용 빔(L2)이 입사 방향만 반대일 뿐, 동일 선상에 있어야 한다는 사실, 동일한 평면에 존재하면서 서로 평행해야 한다는 사실 또는 각 빔이 서로 다른 평행한 평면에 존재하면서 서로 평행해야 한다는 사실이 전제되어야 한다.
계속해서, 상술한 반사각 측정 개념이 적용된 갈바노 미터의 회전자 위치 측정 시스템(이하, 시스템이라 함)에 대해 설명한다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 실시예에 의한 시스템은 상술한 갈바노 미터 스캐너(40), 시스템 전체를 제어하는 제어부(44), 갈바노 미터 스캐너(40)의 미러(40b) 뒷면으로부터 반사되는 측정용 빔(L2')을 센싱하여 상기 제1 및 제2 정보를 제공하도록 구비된 반사각 측정 센서(42), 제어부(44)로부터 주어지는 제어신호에 따라 갈바노 미터 스캐너(40)의 모터(40a)를 제어하는 모터 컨트롤러(46), 반사각 측정 센서(42)로부터 출력되는 신호를 변환하여 제어부(44)에 제공하는 신호 변환 유닛(48) 및 갈바노 미터 스캐너(40) 뒷면에 측정용 빔(L2)을 방출하는 제1 광원(50)을 포함한다. 여기에, 갈바노 미터 스캐너(40)의 미러(40b) 반사면을 향해 가공용 빔(L1)을 방출하는 제2 광원(52)이 포함될 수 있다. 제2 광원(52)은 직진성 및 단색성이 우수한 광을 방출하는 광원으로써, 예를 들면 가공에 적합한 주어진 기준에 맞는 레이저광을 방출하는 이산화탄소 레이저이다. 제1 광원(50)은 또한 제2 광원(52)과 마찬가지로 직진성 및 단색성이 우수한 광을 방출하는 광원으로써, 예를 들면 측정에 필요한 주어진 기준을 만족하는 레이저광을 방출하는 헬륨-네온 레이저(He-Ne laser) 또는 레이저 다이오드(LD)이다.
한편, 갈바노 미터 스캐너(40)를 이용한 임의 대상물을 가공하면서 갈바노 미터 스캐너(40)의 모터(40a)에 내재된 회전자의 회전 위치 혹은 미러(40b)의 회전 위치를 측정하는 경우, 제2 광원(52)이 상기 시스템을 구성하는 요소의 하나가 될 수 있으나, 그렇지 않은 경우, 상기 시스템을 구성하는 요소에서 제2 광원(52)을 배제할 수 있다.
계속해서, 시스템 전체를 제어하는 제어부(44)는 모터 컨트롤러(46)를 통해 모터(40a)를 간접적으로 제어하고 제2 광원(52)을 제어하여 가공용 빔(L1)을 제어하는 제어유닛(44a)을 포함한다. 또한, 제어부(44)는 신호변환유닛(48)으로부터 출력되는 신호를 제어유닛(44a)으로 피드백(feedback)하는 피드백 유닛(44b)을 포함한다.
제어부(44)는 제어유닛(44a)을 통해서 모터(40b)의 제어(정확하게는, 모터(40b)에 내재된 회전자의 회전위치제어)에 필요한 소정의 디지털 신호를 모터 컨트롤러(46)로 출력한다. 상기 디지털 신호는 세기가 약하기 때문에, 모터 컨트롤러(46)에 의해 증폭된다. 모터 컨트롤러(46)는 상기 증폭된 디지털 신호를 이용하여 모터(40a)를 직접 제어한다. 이러한 모터(40a) 제어를 통해서 상기 회전자의 회전 위치가 제어되고, 그 결과 상기 회전자의 회전 위치가 새로이 설정된다.
이와 같이, 반사각 측정 센서(42)로부터 얻어지는 상기 제1 및 제2 정보를 통해서 상기 회전자, 곧 그 끝에 동축으로 달린 미러(40b)의 현재 회전 위치를 알 수 있는데, 이렇게 얻어진 상기 제1 및 제2 정보는 신호변환유닛(48) 및 피드백 유닛(44b)을 거쳐 바로 제어유닛(44a)으로 입력되기 때문에, 상기 회전자의 정확한 회전 위치 설정이 빠른 시간에 이루어질 수 있다. 이것은 갈바노 미터 스캐너를 포함하는 시스템을 사용에 적합한 상태로 준비하는데 소요되는 시간, 곧 초기 셋업(setup) 시간을 줄일 수 있음을 의미한다.
또한, 상기한 바와 같이, 가공용 빔(L1)과 측정용 빔(L2)은 평행하므로, 가공용 빔(L1)이 미러(40b)의 앞면, 곧 반사면에서 반사되는 반사각과 측정용 빔(L2)이 미러(40b)의 뒷면에서 반사되는 반사각은 항상 비례하게 된다. 따라서, 측정용 빔(L2)만으로 갈바노 미터 스캐너(40)의 제어성을 검증할 수 있을 뿐만 아니라 파라미터 셋팅(parameter setting)도 할 수 있다.
상기한 설명에서 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나, 그들은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다, 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 예들 들어 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면, 미러(40b) 동작에 영향을 주지 않는 범위내에서 미러(40b) 뒷면에 직접 반사각 측정 센서(42)를 향해 광을 방출할 수 있는 광원을 구비할 수도 있을 것이다. 또한, 미러(40b)뒷면을 향해 방출되기는 하지만, 가공용 빔(L1)과 평행하지 않은 측정용 빔을 미러(40b) 뒷면에 방출하여 본 발명의 목적을 달성하려 할 수 있을 것이다. 때문에 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 의하여 정하여 질 것이 아니고 특허 청구범위에 기재된 기술적 사상에 의해 정하여져야 한다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 의한 갈바노 미터의 회전자 위치 측정 시스템은 상기 회전자와 동축으로 연결된 미러의 뒷면에 단순히 상기 측정용 빔을 조사하여 상기 회전자의 현재의 회전 위치를 측정하고 측정된 결과를 이용하여 상기 회전자의 회전 위치를 새로이 설정한다. 따라서, 제작비를 줄일 수 있을 뿐만 아니라 상기 미러의 뒷면을 이용하기 때문에, 어떠한 응용 장비에도 쉽게 적용시킬 수 있다. 또, 상기 회전자에 연결된 미러를 통해서 상기 회전자의 회전위치를 측정하기 때문에, 상기 회전자의 회전위치는 정확히 측정하면서 온도 드리프트 및 2차원 필드의 시간에 따른 변화 등에 대한 영향은 배제할 수 있어 측정에 대한 신뢰성을 높일 수 있다.

Claims (8)

  1. 입사광을 입사방향과 다른 방향으로 반사시키는 반사수단 및 상기 반사수단과 동축으로 연결된 회전자가 내재된 상기 반사수단을 구동시키기 위한 구동원을 구비하는 갈바노 미터 스캐너;
    상기 반사수단의 회전 위치를 측정하기 위해, 상기 반사수단 뒷면을 향해 측정용 빔을 방출하는 제1 광원;
    상기 반사수단의 뒷면으로부터 반사되는 상기 측정용 빔을 센싱하여 상기 반사수단의 회전 위치에 관한 정보를 얻을 수 있도록 구비된 반사각 측정 센서;
    상기 반사각 측정 센서로부터 얻어지는 상기 정보를 이용하여 상기 반사수단의 회전위치를 분석하고, 이를 바탕으로 상기 반사수단의 회전위치를 재 설정하기 위한 신호를 적어도 상기 갈바노 미터 스캐너에 제공하는 제어부; 및
    상기 반사각 측정 센서와 상기 제어부사이에 구비되어 상기 반사각 측정 센서로부터 입력되는 상기 정보를 변환하여 상기 제어부로 출력하는 신호변환유닛을 포함하는 것을 특징으로 갈바노 미터의 회전자 위치 측정 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 입사광으로 주어진 가공 조건을 만족하는 레이저광을 상기 반사수단을 향해 방출하는 제2 광원이 더 구비된 것을 특징으로 하는 갈바노 미터의 회전자 위치 측정 시스템.
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 제어부와 상기 구동원사이에 상기 제어부로부터 전송되는, 상기 구동원을 제어하기 위한 제어신호를 증폭하고 이를 이용하여 상기 구동원을 직접 제어하는 구동원 컨트롤러가 구비된 것을 특징으로 하는 갈바노 미터의 회전자 위치 측정 시스템.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 제어부는 상기 구동원 컨트롤러에 상기 제어신호를 인가하는 제어유닛 및 상기 신호변환유닛으로부터 입력되는 신호를 상기 제어유닛으로 피드백시키는 피드백 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 갈바노 미터의 회전자 위치 측정 시스템.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 제1 광원은 직진성 및 단색성이 우수한 광을 방출하는 광원으로써, 레이저광을 방출하는 헬륨-네온 레이저(He-Ne laser) 또는 레이저 다이오드(LD)인 것을 특징으로 하는 갈바노 미터의 회전자 위치 측정 시스템.
  7. 제 2 항에 있어서, 상기 제2 광원은 이산화탄소 레이저인 것을 특징으로 하는 갈바노 미터의 회전자 위치 측정 시스템.
  8. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반사수단은 미러(mirror)이고, 상기 구동원은 상기 미러를 주어진 범위내에서 회전시키는 모터인 것을 특징으로 하는 갈바노 미터의 회전자 위치 측정 시스템.
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