KR100467678B1 - 금속 산화물 콜로이드 형성용 조성물 및 이를 이용한 금속 산화물 콜로이드 입자의 제조방법 - Google Patents

금속 산화물 콜로이드 형성용 조성물 및 이를 이용한 금속 산화물 콜로이드 입자의 제조방법 Download PDF

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    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J13/00—Colloid chemistry, e.g. the production of colloidal materials or their solutions, not otherwise provided for; Making microcapsules or microballoons

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Abstract

본 발명은 금속 산화물 콜로이드 형성용 조성물 및 이를 이용한 금속 산화물 콜로이드 입자의 제조방법을 개시한다. 상기 금속 산화물 콜로이드 형성용 조성물은 금속 산화물 및 분산매를 포함하는데, 상기 분산매가 알콜류, 케톤류, 아민류 및 에스테르류로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 유기 용매와 분산제를 포함하고 있고, 상기 분산제가 N,N-디메틸포름아미드, N,N-디에틸아세트아미드. 포름아미드, N-브로모아세트아미드, 클로로아세트아미드, 플로로아세트아미드(floroacetamide), 아세트아미드(acetamide), N-메틸포름아미드, 아크릴아미드, 프로피온아미드, 시아노아세트아미드, 클로랄 포름아미드(chloral formamide), n-부티라미드(n-butyramide), 이소발레르아미드(isovaleramide), 시아노아미드(cyanamide), 티오포름아미드(thioformamide), 티오아세트아미드(thioacetamide) 및 디시아노디아미드(dicyanodiamide)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 유기용매에 대한 분산성이 개선된 금속 산화물 콜로이드 입자를 얻을 수 있다. 따라서, 이러한 금속 산화물 콜로이드 입자를 이용하면 백탁 현상이 없는 금속 산화막을 얻을 수 있다. 또한, 본 발명의 금속 산화물 콜로이드 입자는 유기용매에 대한 안정성이 우수하며, 저점도를 요구하는 분야를 비롯한 다양한 분야에 적용가능하다.

Description

금속 산화물 콜로이드 형성용 조성물 및 이를 이용한 금속 산화물 콜로이드 입자의 제조방법
본 발명은 금속 산화물 콜로이드 형성용 조성물 및 이를 이용하여 금속 산화물 콜로이드 입자를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하기로는 유기용매, 특히 극성 유기용매에 대한 분산성이 개선된 금속 산화물 콜로이드 형성용 조성물 및 이를 이용하여 금속 산화물 콜로이드 입자를 제조하는 방법에 관한 것이다.
산화인듐(indium oxide), 산화인듐주석(indium tin oxide: ITO), 산화주석(tin oxide), 산화안티몬주석(antimony tin oxide), 산화알루미늄아연(aluminium zinc oxide) 등과 같은 금속 산화물은 표시소자의 전원인가용 전극, 가전기기의 전자파 차폐막 형성시 등에 이용된다.
상술한 금속 산화물을 용매에 분산시키는 방법으로는, 금속 산화물 입자 표면에 전하를 부여하여 정전기적 반발력을 극대화함으로써 분산시키는 방법과 고분자 분산제를 입자 표면에 흡착시켜 고분자들의 사슬(chain) 운동에 의하여 금속 산화물 입자들이 서로 접근하는 것을 막음으로써 분산시키는 방법이 제안되었다. 그 중에서 고분자 분산제를 사용하는 후자 방법에 따르면, 금속 산화물 콜로이드 분산액의 점도가 높아져서 저점도를 요구하는 경우에는 적용이 불가능하고, 최종적으로 고분자 분산제를 제거하기 위한 고온 열처리과정을 반드시 거쳐야 한다.
따라서, 저점도의 금속 산화물 콜로이드 입자를 얻기 위해서는 상술한 전자 방법 즉, 정전기적 반발력에 의하여 금속 산화물 콜로이드 입자를 분산시키는 방법이 바람직하다.
금속(M) 산화물을 물에 부가하면 금속 산화물 표면이 수화되어 -M-OH가 형성된다. 이 때 pH가 등전위점(isoelectric point)을 기준으로 하여 산성 범위에 속하는 경우에는 -M-OH2 +가 되어 산화물 입자 표면이 양전하를 띠면서 제타전위(zeta (ξ) potential)가 양(+)의 값을 나타낸다. 반면, pH가 등전위점을 기준으로 하여 염기성 범위에 속하는 경우에는 -M-O-가 되어 음의 전하를 띠면서 제타전위가 음(-)의 값을 나타낸다. 여기에서 등전위점은 제타전위가 0이 되는 pH를 나타내며, 제타전위의 절대값이 증가할수록 분산성은 일반적으로 증가된다.
분산성을 향상시키기 위한 방법 즉, 제타전위를 높이기 위한 방법으로는, 단순히 pH를 조절하는 방법이외에, 금속 산화물 입자 표면에 큰 전하를 가지고 있는 이온들을 금속 산화물 표면에 흡착시키는 방법이 공지되어 있다. 상기 큰 전하를 띠는 이온 함유 화합물의 구체적인 예로는 폴리인산나트륨(sodium polyphosphate), 탄산나트륨 등이 있다. 이 화합물들은 큰 전하를 갖는 음이온을 가지고 있어서 산화물 입자 표면을 음전하를 띠게 한다. 그 결과, 음의 방향으로 제타전위의 절대값을 높여서 분산성을 향상시킨다. 그러나, 이 방법은 유전율이 물보다 낮은 유기용매에 대한 분산성이 저하되는 문제점이 있다. 따라서, 금속 산화물을 분산시키는 용매의 주성분이 유기용매인 경우에는 고분자 결합제를 병용해야 한다.
한편, 미국 특허 제5672427호에는 금속 산화물 입자를 알콜류(alcohols), 케톤류(ketones), 아민류(amines) 및 에스테르류(esters)중에서 선택된 하나 이상의 용매에 장시간 담갔다가 건조함으로써 금속 산화물 표면을 개질하여 분산성을 개선시키는 방법이 제안되었다.
그런데, 이 방법은 금속 산화물 분말을 용매에 담궜다가 재건조하는 과정 등으로 공정자체가 복잡하고 유기용매에 대한 금속 산화물 입자의 분산성이 만족할만한 수준에 이르지 못하여 개선의 여지가 많다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 극성 유기용매에 대한 분산성이 개선된 금속 산화물 콜로이드 형성용 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 상기 조성물을 이용하여 금속 산화물 콜로이드 입자의 제조방법을 제공하는 것이다.
상기 첫번째 과제를 이루기 위하여 본 발명에서는, 금속 산화물 및 분산매를 포함하는 금속 산화물 콜로이드 형성용 조성물에 있어서, 상기 분산매가 알콜류, 케톤류, 아민류 및 에스테르류로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 유기 용매와 분산제를 포함하고 있고, 상기 분산제가 N,N-디메틸포름아미드, N,N-디에틸아세트아미드. 포름아미드, N-브로모아세트아미드, 클로로아세트아미드, 플로로아세트아미드(floroacetamide), 아세트아미드(acetamide), N-메틸포름아미드, 아크릴아미드, 프로피온아미드, 시아노아세트아미드, 클로랄 포름아미드(chloral formamide), n-부티라미드(n-butyramide), 이소발레르아미드(isovaleramide), 시아노아미드(cyanamide), 티오포름아미드(thioformamide), 티오아세트아미드(thioacetamide) 및 디시아노디아미드(dicyanodiamide)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 금속 산화물 콜로이드 형성용 조성물을 제공한다.
본 발명의 두번째 과제는 (a) 금속 산화물에, 알콜류(alcohols), 케톤류(ketones), 아민류(amines) 및 에스테르류(esters)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 유기 용매와, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디에틸아세트아미드. 포름아미드, N-브로모아세트아미드, 클로로아세트아미드, 플로로아세트아미드(floroacetamide), 아세트아미드(acetamide), N-메틸포름아미드, 아크릴아미드, 프로피온아미드, 시아노아세트아미드, 클로랄 포름아미드(chloral formamide), n-부티라미드(n-butyramide), 이소발레르아미드(isovaleramide), 시아노아미드(cyanamide), 티오포름아미드(thioformamide), 티오아세트아미드(thioacetamide) 및 디시아노디아미드(dicyanodiamide)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 분산제를 포함하는 분산매를 부가하여 분산시키는 단계; 및
(b) 상기 분산된 결과물을 유기용매와 혼합하여 희석시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 콜로이드 입자의 제조방법에 의하여 이루어진다.
상기 (a) 단계의 금속 산화물을 분산매에 분산시키는 과정에서, 분쇄 과정을 동시에 실시한다. 그리고 이 단계에서 산을 더 부가하기도 한다. 이 때 산은 금속 산화물을 분산매에 부가한 이후 분쇄하기 이전에 부가할 수도 있고, 분쇄한 다음에 부가하는 것도 가능하다.
본 발명은 금속 산화물 콜로이드 입자 제조시, 분산성을 높이기 위하여 유기 용매와 아미드기 함유 분산제를 함께 사용한 데 그 특징이 있다. 여기에서 상기 유기용매로는 알콜류, 케톤류, 아민류 및 에스테르류중에서 선택된 하나 이상을 사용하며, 분산제로는 N,N-디메틸포름아미드, N,N-디에틸아세트아미드. 포름아미드, N-브로모아세트아미드, 클로로아세트아미드, 플로로아세트아미드(floroacetamide), 아세트아미드(acetamide), N-메틸포름아미드, 아크릴아미드, 프로피온아미드, 시아노아세트아미드, 클로랄 포름아미드(chloral formamide), n-부티라미드(n-butyramide), 이소발레르아미드(isovaleramide), 시아노아미드(cyanamide), 티오포름아미드(thioformamide), 티오아세트아미드(thioacetamide), 디시아노디아미드(dicyanodiamide) 또는 그 혼합물을 사용한다.
분산제로서 N,N-메틸포름아미드를 사용하여 상기한 특징과 관련한 본 발명의 원리를 설명하기로 한다.
금속(M) 산화물을 N,N-메틸포름아미드와 유기용매의 혼합물에 분산시키면, N,N-메틸포름아미드의 카르보닐기의 산소에 있는 비공유 전자쌍이 금속과 화학결합을 하게 된다. 여기에서 분산제로서 N,N-포름아미드대신 티오포름아미드, 티오아세트아미드 등을 사용하는 경우에는 C-S의 황에 있는 비공유전자쌍이 금속과 화학결합을 하고, 분산제로서 N,N-포름아미드대신 시안아미드, 디시아노디아미드 등을 사용하는 경우에는 C-N의 질소에 있는 비공유전자쌍이 금속과 화학결합을 한다. 그리고 나머지 분산제들도 이와 유사한 원리로 작용한다.
상기 혼합물내의 금속 산화물 입자를 분쇄하면 금속의 표면적이 증가하면서 이러한 화학결합은 더 증가하게 된다.
산을 더 부가하는 경우에는 수소 이온이 아미드기의 질소와 결합하면서 금속 산화물 입자 표면이 양전하를 띠게 된다. 그 결과, 입자간의 정전기적 반발력을 극대화하여 입자의 분산성이 개선된다.
본 발명에서 사용하는 아미드기 함유 분산제의 함량은 유기용매를 기준으로 하여 1중량% 이상인 것이 바람직하다. 분산제의 함량이 1중량% 미만인 경우에는 얻어진 금속 산화물 콜로이드 입자의 평균입경이 지나치게 커지게 된다. 그 결과 입자에 미치는 중력장의 크기가 증가하여 입자의 분산성이 저하되므로 바람직하지 못하다.
도 1은 아미드기 함유 분산제 즉, N,N-디메틸포름아미드(DMF)의 함량에 따른 콜로이드 입자의 평균입경 변화를 나타낸 도면이다. 이를 참조하면, DMF의 함량이 감소될수록 금속 산화물(ITO) 콜로이드 입자의 평균입경이 점차적으로 증가된다는 것을 알 수 있었다.
이하, 본 발명에 따른 금속 산화물 콜로이드 입자의 제조방법을 살펴보기로 한다.
먼저, 금속 산화물에, 알콜류, 케톤류, 아민류 및 에스테르류로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 극성 유기 용매와, 아미드기를 함유하고 있는 분산제를 포함하는 분산매를 부가하여 분산시킴으로써 금속 산화물 콜로이드 조성물을 제조한다. 경우에 따라서는 물을 더 부가할 수도 있다. 상기 금속 산화물 콜로이드 조성물에는 경우에 따라 결합제, 가소제 등의 첨가제를 더 부가하기도 한다. 그리고 이러한 분산과정에서 금속 산화물 입자을 분쇄하는 과정을 실시하는 것이 바람직하다.
상술한 방법에 따르면, 반응 혼합물내에 금속 산화물 콜로이드 입자가 형성된다. 경우에 따라서는 질산 등과 같은 산을 더 부가하여 반응 혼합물의 pH를 1.0∼8.0으로 조절함으로써 금속 산화물 콜로이드 입자의 형성을 촉진시키는 동시에 분산성을 향상시킨다.
산화인듐, 산화주석 등의 금속 산화물 콜로이드 입자를 이용하여 투명도전막을 형성하고자 하는 경우, 금속 산화물 콜로이드 입자의 평균입경은 수 내지 140nm. 특히 10 내지 130nm인 것이 바람직하다. 만약 콜로이드 입자의 평균입경이 140nm를 초과하는 경우에는 투명도전막이 투명성이 잃고 부옇게 되는 백탁 현상이 일어나므로 바람직하지 않다.
상술한 바와 같은 백탁현상을 막기 위해서는, 투명도전막 형성용 조성물내에서의 금속 산화물 콜로이드 입자의 함량에 따라 아미드기 함유 분산제의 함량을 적절히 조절하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 투명도전막 형성용 조성물내에서의 금속 산화물 콜로이드 입자를 20중량% 정도로 사용하는 경우에는 금속 산화물 콜로이드 입자 제조시 아미드기 함유 분산제의 함량을 유기용매를 기준으로 하여 20중량% 이상으로 조절하는 바람직하며, 금속 산화물 콜로이드 입자를 10중량% 정도로 사용하는 경우에는 금속 산화물 콜로이드 입자 제조시 아미드기 함유 분산제의 함량을 유기용매를 기준으로 하여 10중량% 이상으로 조절하는 것이 바람직하다. 이와 같이 투명도전막 형성용 조성물내에서 금속 산화물 콜로이드 입자의 함량이 줄수록 아미드기 함유 분산제의 함량을 줄여도 분산성을 양호하게 유지할 수 있다.
본 발명에 따른 금속 산화물 콜로이드 입자는 메탄올, 에탄올, 2-메톡시에탄올 등의 용매와 혼합하여 저점도의 도료를 필요하는 분야를 비롯한 분야에 적용가능하며, 결합제, 가소제 등의 첨가제를 부가하여 슬러리, 페이스트 등의 상태로 만들어 고점도 도료에도 사용할 수 있다. 구체적인 용도를 예로 들자면, 정전기 기록 페이퍼(electrostatic paper), 방전 기록 페이퍼(discharge recording paper), 정전기 방지막, 전자파 차폐막 등이 있다.
이하, 본 발명을 구체적인 실시예를 들어 설명하기로 하되, 본 발명이 하기 실시예로만 한정되는 것은 아니다.
<실시예 1>
염화인듐 4수화물(InCl3·4H2O) 40g과 염화주석 5수화물(SnCl4·5H2O) 4.16g을 물 1000㎖에 용해하였다. 여기에 2M 암모니아 수용액 500㎖를 부가하여 공침시켰다. 얻어진 침전물을 분리하여 공기 분위기에서 700℃, 2시간동안 하소한 다음, 300℃, 수소 분위기에서 2시간동안 어닐링하여 ITO 분말을 제조하였다.
상기 ITO 분말 10g, N,N-디메틸포름아미드 16g, 에탄올 24g 및 지르코니아 비드(zirconia bead) 150g을 병에 넣은 다음, 페인트 쉐이커(paint shaker)를 사용하여 2시간동안 분쇄하였다.
그 후, 상기 결과물에 질산을 부가하여 pH 3.0으로 조절하여 ITO 콜로이드 입자를 형성시켰다.
상기 결과물 10.5g에 메탄올 20g, 에탄올 40g, 2-메톡시에탄올 20g, 2-에톡시에탄올 9.5g을 부가하여 고형분이 2.1 중량%인 ITO 콜로이드 분산액을 제조하였다. 이렇게 얻어진 ITO 콜로이드 분산액을 유리기판에 코팅 및 건조하여 ITO막을 형성하였다. 이 ITO 막 상부에 실리카졸을 코팅한 다음, 200℃에서 30분동안 열처리하여 ITO막을 완성하였다.
<실시예 2>
ITO 5g, N,N-디메틸포름아미드 9g, 에탄올 36g 및 지르코니아 비드(zirconia bead) 150g을 병에 넣은 다음, 페인트 쉐이커(paint shaker)를 사용하여 2시간동안 분쇄하였다.
그 후, 상기 결과물에 질산을 부가하여 pH 3.0으로 조절하여 ITO 콜로이드 입자를 형성시켰다.
상기 결과물 10.5g에 메탄올 20g, 에탄올 40g, 2-메톡시에탄올 20g, 2-에톡시에탄올 9.5g을 부가하여 고형분이 2.1 중량%인 ITO 콜로이드 분산액을 제조하였다.이렇게 얻어진 ITO 콜로이드 분산액을 유리기판에 코팅 및 건조하여 ITO막을 형성하였다. 이 ITO 막 상부에 실리카졸을 코팅한 다음, 200℃에서 30분동안 열처리하여 ITO막을 완성하였다.
<실시예 3>
ITO 5g, N,N-디메틸포름아미드 13.5g, 에탄올 31.5g 및 지르코니아 비드(zirconia bead) 150g을 병에 넣은 다음, 페인트 쉐이커(paint shaker)를 사용하여 2시간동안 분쇄하였다.
그 후, 상기 결과물에 질산을 부가하여 pH 3.0으로 조절하여 ITO 콜로이드 입자를 형성시켰다.
상기 결과물 21g에 메탄올 18g, 에탄올 38g, 2-메톡시에탄올 18g, 2-에톡시에탄올 5g을 부가하여 고형분이 2.1 중량%인 ITO 콜로이드 분산액을 제조하였다. 이렇게 얻어진 ITO 콜로이드 분산액을 유리기판에 코팅 및 건조하여 ITO막을 형성하였다. 이 ITO 막 상부에 실리카졸을 코팅한 다음, 200℃에서 30분동안 열처리하여 ITO막을 완성하였다.
<실시예 4>
ITO 10g, N,N-디에틸아세트아미드 14g, 에탄올 26g 및 지르코니아 비드(zirconia bead) 150g을 병에 넣은 다음, 페인트 쉐이커(paint shaker)를 사용하여 2시간동안 분쇄하였다.
그 후, 상기 결과물에 질산을 부가하여 pH 3.0으로 조절하여 ITO 콜로이드 입자를 형성시켰다.
상기 결과물 10.5g에 메탄올 20g, 에탄올 40g, 2-메톡시에탄올 20g, 2-에톡시에탄올 9.5g을 부가하여 고형분이 2.1 중량%인 ITO 콜로이드 분산액을 제조하였다. 이렇게 얻어진 ITO 콜로이드 분산액을 유리기판에 코팅 및 건조하여 ITO막을 형성하였다. 이 ITO 막 상부에 실리카졸을 코팅한 다음, 200℃에서 30분동안 열처리하여 ITO막을 완성하였다.
<실시예 5>
N,N-디메틸포름아미드 대신 아세트아미드를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법에 따라 실시하여 ITO막을 완성하였다.
<실시예 6>
N,N-디메틸포름아미드 대신 시안아미드를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법에 따라 실시하여 ITO막을 완성하였다.
<실시예 7>
N,N-디메틸포름아미드 대신 클로로아세트아미드를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법에 따라 실시하여 ITO막을 완성하였다.
<실시예 8>
N,N-디메틸포름아미드 대신 티오포름아미드를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법에 따라 실시하여 ITO막을 완성하였다.
<실시예 9>
N,N-디메틸포름아미드 대신 프로피온아미드를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법에 따라 실시하여 ITO막을 완성하였다.
<비교예>
ITO 5g, 순수 45g 및 지르코니아 비드(zirconia bead) 150g을 병에 넣은 다음, 페인트 쉐이커(paint shaker)를 사용하여 2시간동안 분쇄하였다.
그 후, 상기 결과물에 질산을 부가하여 pH 3으로 조절하여 ITO 콜로이드 입자를 형성시켰다.
상기 결과물 21g에 메탄올 18g, 에탄올 38g, 2-메톡시에탄올 18g, 2-에톡시에탄올 5g을 부가하여 고형분이 2.1 중량%인 ITO 콜로이드 분산액을 제조하였다이렇게 얻어진 ITO 콜로이드 분산액을 유리기판에 코팅 및 건조하여 ITO막을 형성하였다. 이 ITO 막 상부에 실리카졸을 코팅한 다음, 200℃에서 30분동안 열처리하여 ITO막을 완성하였다.
상기 실시예 1-9 및 비교예에 따라 제조된 ITO 콜로이드 분산액의 보관안정성을 평가하였다. ITO 콜로이드 분산액의 보관안정성은 5℃에서 소정기간동안 보관하면서 그 상태를 살펴보아 양호 또는 불량으로 평가하였다.
평가 결과, 비교예에 따른 ITO 콜로이드 분산액은 5일 경과한 후, 그 상태가 변한 것으로 보아 보관안정성이 불량하였다.
반면, 실시예 1-9에 따른 ITO 콜로이드 분산액은 60일이 경과하여도 그 상태가 보존되는 것으로 보아 보관안정성이 매우 우수하다는 것을 알 수 있었다.
한편, 상기 실시예 1-9 및 비교예에 따라서 제조된 ITO 콜로이드 입자의 평균입경, ITO 막의 면저항 및 ITO 막의 백탁 현상 유무를 측정하여 하기 표 1에 나타내었다.
[표 1]
상기 표 1로부터, 실시예 1-9에 따라 제조된 ITO 콜로이드 입자의 평균입경이 비교예의 경우에 비하여 작고, 분산성이 우수하여 냉장 보관시 2개월 이상 안정한 상태를 유지하였다. 이러한 ITO 콜로이드 입자를 이용하여 제조된 ITO 막은 백탁현상이 나타나지 않았다. 반면, 비교예에 따라 제조된 ITO막은 백탁현상이 나타났다.
한편, 상기 실시예 1-9에 따라 제조된 ITO막의 면저항은 비교예의 경우와 거의 동일한 수준을 유지하였다. 여기에서 비교예의 경우가 면저항 특성이 낮은 것은 입자의 크기가 커서 접촉저항이 낮아진 것에 기인한 것이고 입자가 크기 때문에 분산성이 떨어지며 백탁현상이 나타난 것으로 보인다.
본 발명에 따르면, 극성 유기용매에 대한 분산성이 개선된 금속 산화물 콜로이드 입자를 얻을 수 있다. 따라서, 이러한 금속 산화물 콜로이드 입자를 이용하면 백탁 현상이 없는 금속 산화막을 얻을 수 있다.
또한, 본 발명의 금속 산화물 콜로이드 입자는 유기용매에 대한 안정성이 우수하며, 저점도를 요구하는 분야에도 적용가능하다.
도 1은 N,N-메틸포름아미드의 함량에 따른 금속 산화물 콜로이드 입자의 평균입경 변화를 나타낸 도면이다.

Claims (6)

  1. 금속 산화물 및 분산매를 포함하는 금속 산화물 콜로이드 형성용 조성물에 있어서,
    상기 분산매가 알콜류, 케톤류, 아민류 및 에스테르류로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 유기 용매와 분산제를 포함하고 있고,
    상기 분산제가 N,N-디메틸포름아미드, N,N-디에틸아세트아미드. 포름아미드, N-브로모아세트아미드, 클로로아세트아미드, 플로로아세트아미드(floroacetamide), 아세트아미드(acetamide), N-메틸포름아미드, 아크릴아미드, 프로피온아미드, 시아노아세트아미드, 클로랄 포름아미드(chloral formamide), n-부티라미드(n-butyramide), 이소발레르아미드(isovaleramide), 시아노아미드(cyanamide), 티오포름아미드(thioformamide), 티오아세트아미드(thioacetamide) 및 디시아노디아미드(dicyanodiamide)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 금속 산화물 콜로이드 형성용 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 산(acid)을 더 첨가하는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 콜로이드 형성용 조성물.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 분산제의 함량이 유기용매의 중량을 기준으로 하여 1중량% 이상인 것을 특징으로 하는 금속 산화물 콜로이드 형성용 조성물.
  4. (a) 금속 산화물에 알콜류, 케톤류, 아민류 및 에스테르류로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 유기 용매와, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디에틸아세트아미드. 포름아미드, N-브로모아세트아미드, 클로로아세트아미드, 플로로아세트아미드(floroacetamide), 아세트아미드(acetamide), N-메틸포름아미드, 아크릴아미드, 프로피온아미드, 시아노아세트아미드, 클로랄 포름아미드(chloral formamide), n-부티라미드(n-butyramide), 이소발레르아미드(isovaleramide), 시아노아미드(cyanamide), 티오포름아미드(thioformamide), 티오아세트아미드(thioacetamide) 및 디시아노디아미드(dicyanodiamide)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 분산제를 포함하는 분산매를 부가하여 분산시키는 단계; 및
    (b) 상기 분산된 결과물을 유기용매와 혼합하여 희석시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 콜로이드 입자의 제조방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 (a) 단계 이후에 산(acid)를 더 부가하는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 콜로이드 입자의 제조방법.
  6. 제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 분산제의 함량이 유기용매의 중량을 기준으로 하여 1중량% 이상인 것을 특징으로 하는 금속 산화물 콜로이드 입자의 제조방법.
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