KR100458521B1 - The fabrication apparatus and method of reverse angle structure - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 웨이퍼를 지지하는 시편홀더를 경사지게 구성하고 플라즈마 건식식각을 통해 역경사 구조물을 제작하는 플라즈마 식각방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a plasma etching method for fabricating an inclined structure of a specimen holder for supporting a semiconductor wafer and fabricating an inclined structure through plasma dry etching.
본 발명에 따르면, 진공도를 갖는 분위기상태에서 전력을 인가하고 반응가스를 혼입하여 실리콘 반도체를 식각하는 방법에 있어서, 시편을 올려놓는 반응판(10)의 상부에는 소정의 두께로 형성되어 있고 상부면의 중심에서 테두리부를 향해 점점 높아지게 경사진 경사면을 갖는 시편홀더(20)를 결합하고, 시편홀더(20)의 상부면에 식각하고자 하는 실리콘 반도체(22)를 안치한 후, 진공도는 100-200mtorr, 반응가스인 SiCl4와 아르곤 가스의 혼합비는 1:5 내지 1:20 그리고 인가전력은 100-300Watt인 상태에서 식각하여, 실리콘 반도체(22)의 식각면의 한 쪽은 역 메사식각의 형상이고 다른 쪽은 메사식각의 형상을 갖게 식각되어 역경사 구조를 갖는 것을 특징으로 한다.According to the present invention, in a method of etching a silicon semiconductor by applying electric power and mixing reaction gas in an atmosphere having a vacuum degree, the reaction plate 10 on which the specimen is placed is formed to have a predetermined thickness and has an upper surface. After combining the specimen holder 20 having the inclined surface gradually inclined toward the edge at the center of the, and placing the silicon semiconductor 22 to be etched on the upper surface of the specimen holder 20, the vacuum degree is 100-200mtorr, reaction The mixing ratio of SiCl 4 , which is a gas, and argon gas is 1: 5 to 1:20 and the applied power is 100-300 Watt, so that one side of the etching surface of the silicon semiconductor 22 has the shape of reverse mesa etching and the other side. Is etched to have a mesa-etched shape and has a reverse slope structure.
Description
본 발명은 플라즈마 식각장치에 관한 것이며, 특히, 실리콘 반도체를 플라즈마 건식식각하여 역경사 구조물을 만드는 플라즈마 식각장치에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 실리콘 반도체를 플라즈마 건식식각하여 역경사 구조물을 만드는 식각방법에 관한 것이기도 하다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plasma etching apparatus, and more particularly, to a plasma etching apparatus for plasma dry etching a silicon semiconductor to form an inclined structure. The present invention also relates to an etching method for forming a reverse slope structure by plasma-drying a silicon semiconductor.
화학약품을 사용하여 반도체 웨이퍼를 경사 식각하는 방법은 이미 널리 알려져 있으며, 그 대표적인 약품으로는 KOH 용액을 이용한다. 그러나, 화학약품을 이용하는 식각방법은 일정 방위성을 갖는 반도체 웨이퍼를 결정방향에 따라 실리콘이 식각되기 때문에 경면 경사면을 만들기는 사실상 어렵다. 또한, 화학약품을 이용하는 식각방법은 실리콘의 결정방향성 식각이므로 역으로 형성된 메사식각은 불가능하다고 볼 수 있다. 여기서, 메사식각이란 일정한 경사면이나 각을 가진 구조로 식각하는 것을 의미한다.Background Art A method of diagonally etching a semiconductor wafer using chemicals is well known, and a typical chemical is KOH solution. However, in the etching method using chemicals, it is virtually difficult to make a mirror slope because silicon is etched along a crystal direction of a semiconductor wafer having a certain orientation. In addition, since the etching method using chemicals is a crystal directional etching of silicon, the mesa etching formed in the reverse direction is impossible. Here, mesa etching means etching with a structure having a predetermined slope or angle.
플라즈마 건식식각 방법을 이용한 실리콘 식각에 있어서, 사용하는 반응가스가 최적의 공정조건을 만족한다면, 건식식각은 물리적, 화학적 반응에 의해 실리콘 표면을 식각한다. 여기서, 식각하고자 하는 부분은 식각저지막으로 덮혀진 나머지 부분과 다르게 빠르게 식각되며, 식각속도에 따라 식각되는 면이 경면이 되거나 표면이 거칠은 면으로 나타난다. 그러나, 식각의 경과는 표면에서 안으로 좁혀지는(역사다리꼴 형상) 메사식각 형상으로 진행되며, 이러한 메사식각 형상 때문에 쉽게 역경사 구조물을 얻을 수가 없다. 여기서, 역경사 구조란 역 메사식각의 형상, 또는 한 쪽은 역 메사식각이고 다른 쪽은 메사식각의 형상을 갖는 것을 의미한다(도 2 참조).In silicon etching using the plasma dry etching method, if the reaction gas used satisfies the optimum process conditions, dry etching etches the silicon surface by physical and chemical reactions. Here, the portion to be etched is rapidly etched differently from the remaining portion covered with the etch stop layer, and the etched surface becomes a mirror surface or a rough surface according to the etching speed. However, the progress of the etching proceeds to a mesa etching shape that is narrowed inward from the surface (inverted trapezoidal shape), and such mesa etching shape makes it difficult to obtain a reverse slope structure easily. In this case, the reverse inclination structure means that the shape of the reverse mesa etching, or the reverse mesa etching on one side and the shape of the mesa etching on the other side (see FIG. 2).
또한, 플라즈마 건식식각은 화학적 반응과 플라즈마 특성상 물리적 식각이 동반된다. 여기서, 종래의 플라즈마 식각은 플라즈마를 안정화시키기 위해서 플라즈마 외부로 전자와 이온이 빠져나가는 것을 일정하게 하는 플라즈마 시스(PlasmaSheath - 전자의 움직임은 둔화시키고 이온의 움직임은 활성화시킴)로부터 에너지를 얻은 이온들이 반응 시편홀더에 대해서 수직방향으로 방향성을 가지고 시편에 도달하여 이등방성 식각을 유도하기 때문에 역경사 구조를 얻을 수가 없다.In addition, the plasma dry etching is accompanied by physical etching due to chemical reactions and plasma characteristics. Here, conventional plasma etching reacts with ions derived from energy from the plasma sheath (slowing the movement of electrons and activating the movements of ions) to keep electrons and ions out of the plasma to stabilize the plasma. The inclined structure cannot be obtained because the specimens are oriented in a direction perpendicular to the specimen holder to induce anisotropic etching.
따라서, 본 발명은 앞서 설명한 바와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 반도체 웨이퍼를 지지하는 시편홀더를 경사지게 구성하고 플라즈마 건식식각을 통해 역경사 구조물을 제작하는 플라즈마 식각장치 및 방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the problems of the prior art as described above, to provide a plasma etching apparatus and method for constructing the inclined specimen holder for supporting a semiconductor wafer and manufacturing the inclined structure through plasma dry etching. Its purpose is to.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 역경사 구조물을 제작하는 플라즈마 식각장치의 개략도이고,1 is a schematic diagram of a plasma etching apparatus for manufacturing a reverse slope structure according to an embodiment of the present invention,
도 2는 실리콘 반도체의 메사식각 형상과 역경사 구조형상을 각각 도시한 도면이다.2 is a diagram illustrating mesa etching shapes and reverse slope structures of silicon semiconductors, respectively.
♠ 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ♠♠ Explanation of symbols on the main parts of the drawing ♠
10 : 반응판 20 : 시편홀더10: reaction plate 20: specimen holder
21 : 유동로 22 : 실리콘 반도체21 flow path 22 silicon semiconductor
23 : 식각저지막 24 : 플라즈마 시스23: etching stop film 24: plasma sheath
25 : 반응라디칼25: reaction radical
위와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따르면, 챔버, 진공장치, 가스주입장치, RF소스 및 전원공급장치를 포함하는 플라즈마 식각장치에 있어서, 상기 챔버내에 위치하는 반응판의 상부에는 시편을 올려놓을 수 있으며 중심에서 테두리부를 향해 점점 높아지도록 경사진 경사면을 갖는 시편홀더가 결합되고, 상기 시편홀더의 내부에는 상기 시편홀더의 상부면을 냉각시키는 냉각수가 유동하는 유동로가 형성되는 것을 특징으로 한다.According to the present invention for achieving the above object, in the plasma etching apparatus including a chamber, a vacuum device, a gas injection device, an RF source and a power supply device, the specimen is placed on top of the reaction plate located in the chamber. A specimen holder having an inclined surface inclined so as to gradually increase from the center toward the edge portion is coupled, and a flow path through which the coolant flows to cool the upper surface of the specimen holder is formed inside the specimen holder.
또한, 본 발명에 따르면, 실리콘 반도체를 올려놓을 수 있으며 중심에서 테두리부를 향해 점점 높아지도록 경사진 경사면을 갖는 홀더가 결합된 반응판을 구비한 챔버, 진공장치, 가스주입장치, RF소스 및 전원공급장치를 포함하는 플라즈마 식각장치를 이용하여 상기 홀더의 경사면에 안치된 실리콘 반도체를 식각하는 방법에 있어서, 진공도는 100-200mtorr, 반응가스인 SiCl4와 아르곤 가스의 혼합비는 1:5 내지 1:20, 그리고 인가전력은 100-300Watt인 상태에서 식각하는 것을 특징으로 한다.In addition, according to the present invention, a chamber having a reaction plate coupled with a holder, on which a silicon semiconductor can be placed and having an inclined surface that is inclined gradually higher from the center toward the edge, a vacuum device, a gas injection device, an RF source, and a power supply In the method of etching the silicon semiconductor deposited on the inclined surface of the holder using a plasma etching apparatus comprising a device, the vacuum degree is 100-200mtorr, the mixing ratio of the reaction gas SiCl 4 and argon gas 1: 5 to 1:20 And, the applied power is characterized in that the etching in the state of 100-300Watt.
아래에서, 본 발명에 따른 역경사 구조물을 제작하는 플라즈마 식각장치 및 방법의 양호한 실시예를 첨부한 도면을 참조로 하여 상세히 설명하겠다.In the following, with reference to the accompanying drawings a preferred embodiment of the plasma etching apparatus and method for producing a reverse slope structure according to the present invention will be described in detail.
도면에서, 도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 역경사 구조물을 제작하는 플라즈마 식각장치의 개략도이고, 도 2는 실리콘 반도체의 메사식각 형상과 역경사 구조형상을 각각 도시한 도면이다.1 is a schematic diagram of a plasma etching apparatus for manufacturing a reverse slope structure according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a view showing a mesa etching shape and a reverse slope structure of the silicon semiconductor, respectively.
본 발명의 플라즈마 식각장치는 시편을 올려놓는 반응판(10)의 상부에 경사지게 형성된 시편홀더(20)를 결합하고, 이런 시편홀더(20)의 내부를 따라 냉각수가 유동할 수 있는 유동로(21)를 형성한다는 것을 제외하고는 통상적으로 사용되고 있는 종래의 플라즈마 식각장치와 동일하게 구성되어 있다. 즉, 본 발명의 플라즈마 식각장치는, 챔버, 진공장치, 가스주입장치, RF소스 및 전원공급장치 등으로 구성된 종래의 플라즈마 식각장치에 시편홀더(20)와 유동로(21)를 형성한 것이다. 이 때, 시편홀더(20)는 챔버내에 위치하는 반응판(10)의 상부에 결합된다.Plasma etching apparatus of the present invention combines the specimen holder 20 is formed obliquely on the reaction plate 10 on which the specimen is placed, the flow path 21 through which the coolant can flow along the inside of the specimen holder 20 Except for forming a), it is configured in the same manner as a conventional plasma etching apparatus that is commonly used. That is, in the plasma etching apparatus of the present invention, the specimen holder 20 and the flow path 21 are formed in a conventional plasma etching apparatus including a chamber, a vacuum apparatus, a gas injection apparatus, an RF source, a power supply apparatus, and the like. At this time, the specimen holder 20 is coupled to the upper portion of the reaction plate 10 located in the chamber.
본 발명의 시편홀더(20)는 도 1에 도시된 바와 같이 소정의 두께를 갖는 원판 형상으로서, 그 상부면 중심에서 원주방향을 향해 소정의 각도(α : 30, 45, 60)로 경사지게 형성되는 데, 경사각(α)은 30。 ∼ 60。 인 것이 가장 양호하다. 즉, 상부면의 중심은 낮고 원주방향(테두리부)을 향할수록 높아지도록 형성되어 있다. 상기 시편홀더(20)는 소정의 두께를 갖는 네각판 형상으로 형성될 수도 있다.The specimen holder 20 of the present invention is a disk shape having a predetermined thickness as shown in Figure 1, is formed to be inclined at a predetermined angle (α: 30, 45, 60) toward the circumferential direction from the center of the upper surface However, the inclination angle α is most preferably 30 ° to 60 °. That is, the center of the upper surface is formed to be lower and higher toward the circumferential direction (border). The specimen holder 20 may be formed in a square plate shape having a predetermined thickness.
이런 시편홀더(20)의 내부에는 유체가 유동할 수 있는 유동로(21)가 형성되는 데, 이런 유동로(21)는 반응판(10)에 공급되는 유체공급라인과 연결되어 있다. 그러나, 유동로(21)는 별도의 유체공급라인과 연결되어 냉각수를 공급받을 수도 있다. 이렇게 형성된 유동로(21)에는 냉각수가 공급되며, 이 냉각수에 의해 시편홀더(20)의 상부면이 가열되지 않게 된다. 즉, 유동로(21)를 따라 냉각수가 연속적으로 순환하면서 시편홀더(20)의 상부면이 가열되지 않게 되는 것이다.A flow passage 21 through which fluid flows is formed in the specimen holder 20, and the flow passage 21 is connected to a fluid supply line supplied to the reaction plate 10. However, the flow path 21 may be connected to a separate fluid supply line to receive coolant. Cooling water is supplied to the flow path 21 thus formed, and the upper surface of the specimen holder 20 is not heated by the cooling water. That is, while the cooling water continuously circulates along the flow path 21, the upper surface of the specimen holder 20 is not heated.
아래에서는, 앞서 설명한 바와 같이 구성된 본 발명의 플라즈마 식각장치를 사용하여 실리콘 반도체(22)를 식각하는 방법을 설명하겠다.Hereinafter, a method of etching the silicon semiconductor 22 using the plasma etching apparatus of the present invention configured as described above will be described.
반응가스로는 SiCl4와 아르곤 가스를 사용하고, 주어진 인가전력과 시간, 반응가스의 공급은 종래의 플라즈마 건식식각과 거의 동일한 조건에서 실시한다. 그리고, 플라즈마 건식식각에 의한 물리적 식각이 식각저지막을 국부적으로 식각할 수 있으므로 이를 방지하기 위해서 실리콘 산화물을 식각저지막(23)으로 사용한다. 이 때, 시편홀더(20)에 의한 국부적인 물리적, 화학적 식각반응을 최소로 하기 위해서 시편홀더(20)의 내부에 위치하는 유동로(21)를 따라 순환하는 냉각수를 공급하여 물리적인 식각을 최대로 하고, 상대적으로 화학반응을 돕는 열적 에너지를 낮출 수 있도록 한다.As the reaction gas, SiCl 4 and argon gas are used, and given the applied power and time, the supply of the reaction gas is performed under almost the same conditions as the conventional plasma dry etching. In addition, since the physical etching by the plasma dry etching may locally etch the etch stop layer, silicon oxide is used as the etch stop layer 23 to prevent this. At this time, in order to minimize the local physical and chemical etching reaction by the specimen holder 20, the cooling water circulated along the flow path 21 located inside the specimen holder 20 is supplied to maximize the physical etching. It is possible to lower the thermal energy which helps the chemical reaction relatively.
즉, 시편홀더(20)를 감싸고 있는 플라즈마 시스(24)로부터 반응성 가스가 시스에 의한 전계방향으로 식각저지막(23)이 없는 부분인 실리콘 반도체(22)의 표면을 일정한 전계에너지를 가진 반응라디칼(25)로 물리, 화학적 방법으로 식각한다. 이 때, 건식식각에 의한 식각율은 플라즈마 시스(24)와 시편홀더(20)의 구조에 의해 제한을 받는다. 즉, 시편홀더(20)의 경사각과 냉각효과에 의해 역경사 식각이 가능해진다. 그래서, 시편홀더(20)의 경사각(α)을 30, 45, 그리고 60°로 하여, 역 메사식각 실험을 하였다. 이와 같은 본 발명에 의해 실리콘 반도체(22)를 식각할 경우에는 도 2에 도시된 바와 같이 한 쪽은 역 메사식각이고 다른 쪽은 메사식각의 형상을 갖게 된다.That is, a reactive radical having a constant electric field energy is formed on the surface of the silicon semiconductor 22, which is a portion where the reactive gas does not have the etch stop layer 23 in the electric field direction by the sheath, from the plasma sheath 24 surrounding the specimen holder 20. Etch by (25) by physical and chemical methods. At this time, the etching rate by the dry etching is limited by the structure of the plasma sheath 24 and the specimen holder 20. That is, reverse slope etching is possible due to the inclination angle and the cooling effect of the specimen holder 20. Thus, reverse mesa etching experiments were performed with the inclination angle α of the specimen holder 20 as 30, 45, and 60 °. In the case of etching the silicon semiconductor 22 according to the present invention as described above, one side has an inverted mesa etch and the other has a mesa etched shape.
아래에서는, 더욱 구체적인 실험예를 통해 본 발명의 식각방법에 대해 설명하도록 하겠다.In the following, the etching method of the present invention will be described through more specific experimental examples.
먼저, 본 발명의 시편홀더(20)를 반응판(10)의 상부에 결합하고, 이렇게 결합된 시편홀더(20)의 상부면에 실리콘 반도체(22)를 위치한 후, 공정 진공도를 50-400mtorr로 실리콘 반도체(22)를 식각하였다. 이 때, 식각 반응가스로는 SiCl4와 아르곤을 1:1 내지 1: 30으로 혼합하여 사용하였고, 인가전력은 50-400Watt로 하였다. 식각시간은 10분으로 하여 식각공정을 수행하였다.First, the specimen holder 20 of the present invention is coupled to the upper portion of the reaction plate 10, the silicon semiconductor 22 is placed on the upper surface of the specimen holder 20 is thus combined, and then the process vacuum degree to 50-400mtorr The silicon semiconductor 22 was etched. In this case, as the etching reaction gas, SiCl 4 and argon were mixed in a ratio of 1: 1 to 1:30, and an applied power was 50-400 Watts. The etching time was 10 minutes to perform the etching process.
이와 같은 조건에서 실험한 결과, 표 1, 표 2 및 표 3에 나타난 바와 같은 실험결과를 확인하였다.As a result of the experiment under these conditions, the experimental results as shown in Table 1, Table 2 and Table 3 were confirmed.
상기 표 1에서 알 수 있듯이, 공정 진공도가 크면 클수록 역메사 각도가 감소하고 식각이 넓게 일어남을 알 수 있다. 이것은 공정 진공도가 크면 클수록 플라즈마 반응 중에서 화학반응이 우세하게 진행되어 측면을 넓게 식각함을 의미한다. 한편, 표 2에서 알 수 있듯이, 플라즈마 반응에 참여하는 반응가스의 비에 대해서는 SiCl4가스보다는 아르곤 가스에 민감하여 아르곤 가스가 증가할수록 역경사 식각이 강하게 일어남을 알 수 있다. 이것은 아르곤 이온은 화학반응보다는 주어진 인가전력에 의한 시스 전계로부터 방향성 에너지를 가지고 반응에 주도적으로 참여한 결과로 볼 수 있다. 그리고, 표 3에서 알 수 있듯이, 인가전력에 의한 역 경사구조의 형성은 인가전력이 너무 낮으면 비방향성 식각이 주로 일어나 원하는 역메사 구조를 얻기가 힘들고, 에너지가 너무 높으면 역메사 식각이 너무 일어나며 또한 식각저지막(23)인 실리콘 산화물를 식각시켜 원하는 역경사 식각이 어려운 것으로 나타났다.As can be seen in Table 1, the larger the process vacuum degree, the lower the reverse mesa angle and the etching can be seen that wider. This means that the larger the process vacuum, the more chemically the chemical reaction proceeds in the plasma reaction and the side is etched widely. On the other hand, as can be seen in Table 2, the ratio of the reaction gas participating in the plasma reaction is more sensitive to argon gas than SiCl 4 gas, it can be seen that the reverse slope etching occurs more strongly as the argon gas increases. This is because argon ions dominate the reaction with directional energy from the cis electric field due to the applied applied power rather than chemical reaction. And, as can be seen in Table 3, the formation of the reverse inclined structure by the applied power is difficult to obtain the desired reverse mesa structure because the non-directional etching occurs mainly when the applied power is too low, reverse mesa etching occurs too high energy In addition, it was found that the desired reverse slope etching is difficult by etching the silicon oxide, which is the etch stop layer 23.
표 1 내지 표 3에서 알 수 있듯이, 본 발명의 역경사 구조물을 제작하기 위해서는, 진공도는 100-200mtorr, SiCl4와 아르곤 가스의 혼합비는 1:5 내지 1:20 그리고 인가전력은 100-300Watt로 하는 것이 양호한 역경사 구조물을 제작할 수 있음을 확인하였다.As can be seen from Table 1 to Table 3, in order to fabricate the reverse slope structure of the present invention, the vacuum degree is 100-200mtorr, the mixing ratio of SiCl 4 and argon gas is 1: 5 to 1:20 and the applied power is 100-300Watt It was confirmed that it is possible to produce a good reverse slope structure.
앞서 상세히 설명한 바와 같이 본 발명의 역경사 구조물을 제작하는 플라즈마 식각장치 및 방법은 반도체 웨이퍼를 지지하는 시편홀더를 경사지게 구성하고 플라즈마 건식식각을 통해 역경사 구조물을 제작하는 효과가 있다.As described in detail above, the plasma etching apparatus and method for manufacturing the reverse inclination structure of the present invention have an effect of inclining the specimen holder for supporting the semiconductor wafer and manufacturing the reverse inclination structure through plasma dry etching.
이상에서 본 발명의 역경사 구조물을 제작하는 플라즈마 식각장치 및 방법에 대한 기술사항을 첨부도면과 함께 서술하였지만 이는 본 발명의 가장 양호한 실시예를 예시적으로 설명한 것이지 본 발명을 한정하는 것은 아니다.The technical details of the plasma etching apparatus and method for manufacturing the reverse slope structure of the present invention have been described above with the accompanying drawings, but the exemplary embodiments of the present invention have been described by way of example and are not intended to limit the present invention.
또한, 이 기술분야의 통상의 지식을 가진 자이면 누구나 본 발명의 기술사상의 범주를 이탈하지 않는 범위내에서 다양한 변형 및 모방이 가능함은 명백한 사실이다.In addition, it is obvious that any person skilled in the art can make various modifications and imitations without departing from the scope of the technical idea of the present invention.
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Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2000-0060337A KR100458521B1 (en) | 2000-10-13 | 2000-10-13 | The fabrication apparatus and method of reverse angle structure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2000-0060337A KR100458521B1 (en) | 2000-10-13 | 2000-10-13 | The fabrication apparatus and method of reverse angle structure |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20020029714A KR20020029714A (en) | 2002-04-19 |
| KR100458521B1 true KR100458521B1 (en) | 2004-12-03 |
Family
ID=19693373
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-2000-0060337A KR100458521B1 (en) | 2000-10-13 | 2000-10-13 | The fabrication apparatus and method of reverse angle structure |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100458521B1 (en) |
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2000
- 2000-10-13 KR KR10-2000-0060337A patent/KR100458521B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20020029714A (en) | 2002-04-19 |
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