KR100453885B1 - Voltage drop circuit for testing chip, especially including floating prevention circuit to prevent erroneous operation and current consumption - Google Patents
Voltage drop circuit for testing chip, especially including floating prevention circuit to prevent erroneous operation and current consumption Download PDFInfo
- Publication number
- KR100453885B1 KR100453885B1 KR1019970037639A KR19970037639A KR100453885B1 KR 100453885 B1 KR100453885 B1 KR 100453885B1 KR 1019970037639 A KR1019970037639 A KR 1019970037639A KR 19970037639 A KR19970037639 A KR 19970037639A KR 100453885 B1 KR100453885 B1 KR 100453885B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- voltage drop
- chip
- circuit
- test
- unit
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/317—Testing of digital circuits
- G01R31/3181—Functional testing
- G01R31/3183—Generation of test inputs, e.g. test vectors, patterns or sequences
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
- G01R31/2607—Circuits therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
Abstract
Description
본 발명은 칩 테스트를 위한 전압강하회로에 관한 것으로서, 구체적으로는 고전압 강하를 이용하여 반도체 칩을 소정의 테스트모드로 설정되게 하는 전압강하회로에 관한 것이다.The present invention relates to a voltage drop circuit for a chip test, and more particularly, to a voltage drop circuit for setting a semiconductor chip to a predetermined test mode by using a high voltage drop.
반도체 칩의 생산시 완성된 반도체 칩을 테스트하기 위한 과정이 있다. 이 테스트 과정에서는 반도체 칩이 정상적으로 동작되는가를 테스트하게 된다. 종래에는 이러한 테스트 과정을 반도체 칩에 진행시키기 위해 반도체 칩에 별도의 핀을 구비하였었다. 이렇게 별도로 구비된 테스트 핀을 이용하여 해당 반도체 칩을 테스트 모드로 설정하고 해당되는 테스트를 수행하였었다. 그러나 이와 같이 테스트를 위한 별도의 핀을 구비하는 것은 실재적으로 최종 사용자에게는 불필요한 요소이다. 또한 반도체 칩에 별도의 테스트 핀을 구비하는 것은 그에 해당하는 생산비가 증가되는 문제점을 가지고 있었다. 더욱이 현재에는 가능한 반도체 칩의 핀 수를 감소하려는 추세에 있어서 이는 불필요한 부분이 되었다.There is a process for testing a completed semiconductor chip in the production of semiconductor chips. In this test, the semiconductor chip is tested for normal operation. In the past, a separate pin was provided on the semiconductor chip in order to perform the test process on the semiconductor chip. Using the test pins provided separately, the semiconductor chip was set to the test mode and the corresponding test was performed. However, having a separate pin for testing like this is practically unnecessary for the end user. In addition, the provision of a separate test pin on the semiconductor chip had a problem that the corresponding production cost increases. Moreover, this has become unnecessary because of the current trend to reduce the number of pins available in semiconductor chips.
한편, 종래의 이러한 문제점을 극복하기 위한 방법으로 반도체 칩에 구비되는 리셋 핀(reset pin)을 테스트 핀으로 겸용하는 방법이 제안되어 사용되고 있다. 이러한 리셋 핀을 테스트 핀으로 겸용하는 방법은 정상적으로 리셋을 수행하도록 하는 전압 레벨 보다 높은 고전압을 리셋 핀에 인가하면 해당 반도체 칩이 테스트 모드로 진입하여 해당 테스트가 가능하게 되는 방법이다. 이러한 리셋 핀을 테스트 핀으로 겸용하는 방법을 구현하기 위해 반도체 칩에 테스트모드 진입회로를 내장한다.Meanwhile, as a method for overcoming such a conventional problem, a method of using a reset pin provided in a semiconductor chip as a test pin has been proposed and used. The method of using the reset pin as a test pin is a method in which the semiconductor chip enters the test mode and enables the test when a high voltage higher than the voltage level for normally performing the reset is applied to the reset pin. A test mode entry circuit is embedded in a semiconductor chip to implement a method of using the reset pin as a test pin.
도 1은 종래의 일 예의 테스트모드 진입회로의 회로도이다.1 is a circuit diagram of a conventional test mode entry circuit.
도 1을 참조하여, 종래의 테스트모드 진입회로는 리셋 단자를 통해 입력된 고전압(예컨대, 12V)의 테스트신호를 해당되는 전압 레벨(예컨대, 5V)로 강하(drop)하기 위한 전압강하부(110)와, 이를 반도체 칩의 내부 회로의 해당 부분으로 제공하는 버퍼(120)를 포함하여 구성된다.Referring to FIG. 1, the conventional test mode entry circuit may include a
이상과 같이 종래의 고전압 강하를 활용한 테스트모드 진입회로는 고전압의 인가가 없을 때 상기 전압강하부(110)의 출력단 노드 N110이 플로팅(floating)되어 전류 소모가 발생되며, 오동작이 발생 될 수 있었다.As described above, in the test mode entry circuit utilizing the high voltage drop, the output node N110 of the
좀더 구체적으로, 테스트 후 정상 동작으로 판명된 반도체 칩을 사용자가 사용할 때에 그 소비 전류가 기준치 이상으로 발생하는 경우가 생길 수 있다. 이러한 경우, 정상 동작 상태에서 테스트 모드로 진입하는 문제가 발생되었다.More specifically, when a user uses a semiconductor chip that is found to be in normal operation after testing, the current consumption may be higher than a reference value. In this case, a problem of entering the test mode in a normal operation state has occurred.
또한 칩의 동작이 정지되는 기능을 구비한 칩의 경우도 문제점이 발생된다. 즉, 해당 칩이 정지된 상태에서 전류 소모는 통상 수 μA 정도인데 테스트모드 진입회로에 의해 많은 전류가 소모되는 문제점이 있었다.Problems also arise in the case of a chip having a function of stopping the operation of the chip. In other words, the current consumption in the state in which the chip is stopped is about several μA, but a large current is consumed by the test mode entry circuit.
따라서, 본 발명의 목적은 상술한 제반 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로서 고전압의 입력이 없는 경우 해당 노드가 플로팅되어 전류가 소모되는 것을 방지하고, 반도체 칩의 동작정지시에 전류 경로를 차단하여 정지 시에 발생되는 전류의 소모를 방지하는 칩 테스트를 위한 전압강하회로를 제공하는데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to solve the above-mentioned problems, and when there is no input of a high voltage, the node is prevented from being floated and the current is consumed, and the current path is stopped when the semiconductor chip is stopped. The present invention provides a voltage drop circuit for chip test that prevents current consumption generated at the time.
도 1은 종래의 일 예의 칩 테스트를 위한 전압강하회로의 회로도,1 is a circuit diagram of a voltage drop circuit for a conventional chip test;
도 2는 본 발명의 실시예예 따른 칩 테스트를 위한 전압강하회로의 회로도.2 is a circuit diagram of a voltage drop circuit for chip testing according to an embodiment of the present invention.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *
110, 210 : 전압강하부 220 : 테스트신호출력부110, 210: voltage drop unit 220: test signal output unit
230 : 플로팅방지부 240 : 소비전류차단부230: Floating prevention unit 240: Current consumption blocking unit
상술한 바와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 의하면, 반도체 칩의 동작 상태를 테스트하기 위한 칩 테스트를 위한 전압강하회로는 : 칩의 테스트를 수행하기 위한 테스트 모드로 설정하기 위해 입력된 소정의 고전압신호를 소정의 전압레벨로 강하하여 출력하는 전압강하부와; 상기 전압강하부의 출력에 응답하여 칩 내부로 테스트 신호를 제공하는 테스트신호출력부와; 칩의 정상 동작시 해당 노드가 플로팅되는 것을 방지하는 플로팅방지부와; 칩의 동작 정지 시에 회로의 소비전류를 차단시키기 위한 소비전류차단부를 포함한다.According to a feature of the present invention for achieving the object of the present invention as described above, the voltage drop circuit for the chip test for testing the operating state of the semiconductor chip: to set to the test mode for performing the test of the chip A voltage drop unit for dropping and outputting the input high voltage signal to a predetermined voltage level; A test signal output unit configured to provide a test signal into a chip in response to an output of the voltage drop unit; A floating prevention unit for preventing a corresponding node from floating during normal operation of the chip; And a current consumption blocking unit for cutting off the current consumption of the circuit when the chip stops operating.
이 실시예에 있어서, 상기 전압강하부는 직렬로 구성된 복수개의 트랜지스터로 구성된다.In this embodiment, the voltage drop section is composed of a plurality of transistors configured in series.
이 실시예에 있어서, 상기 테스트신호출력부는 상기 전압강하부의 강하된 전압의 출력에 응답하여 턴-온 되는 트랜지스터와; 상기 트랜지스터가 턴-온되면 상기 테스트신호를 출력하는 버퍼를 포함한다.The test signal output unit may include: a transistor turned on in response to the output of the voltage drop of the voltage drop unit; And a buffer for outputting the test signal when the transistor is turned on.
이 실시예에 있어서, 상기 플로팅방지부는 상기 전압강하부의 출력단과 전원전압단 사이에 구성된 제1 트랜지스터와; 상기 테스트신호출력부와 전원전압단 사이에 병렬로 구성된 제2 및 제3 트랜지스터를 포함한다.In one embodiment, the floating prevention unit comprises: a first transistor configured between an output terminal of the voltage drop unit and a power supply voltage terminal; And second and third transistors configured in parallel between the test signal output unit and the power supply voltage terminal.
이 실시예에 있어서, 리셋단자로부터 입력되는 신호를 반전하여 상기 제1 및 제2 트랜지스터의 베이스단자에 인가하는 인버터를 포함한다.In this embodiment, the inverter includes an inverter for inverting a signal input from the reset terminal and applying the inverted signal to the base terminals of the first and second transistors.
이 실시예에 있어서, 상기 소비전류차단부는 전원전압간에 직렬로 구성되고, 소정의 정지신호의 입력에 응답하여 턴-온/턴-오프 되는 제1 및 제2 도전형트랜지스터를 포함한다.In this embodiment, the current consumption blocking unit includes first and second conductive transistors configured in series between power supply voltages and turned on / off in response to input of a predetermined stop signal.
이상과 같은 본 발명에 의하면, 정상 동작시에 상기 플로팅방지부에 의해 플로팅이 방지되어 정상적으로 동작되며, 플로팅에 따른 전류소비도 차단된다. 그리고 해당 칩의 동작이 정지되면, 상기 소비전류차단부에 의해 전압강하회로의 전류 소비를 차단한다.According to the present invention as described above, the floating prevention is prevented by the floating prevention unit in the normal operation is normally operated, the current consumption due to the floating is also blocked. When the operation of the chip is stopped, the current consumption blocker cuts off the current consumption of the voltage drop circuit.
(실시예)(Example)
이하 본 발명에 따른 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 발명의 실시예예 따른 칩 테스트를 위한 전압강하회로의 회로도이다.2 is a circuit diagram of a voltage drop circuit for chip test according to an embodiment of the present invention.
도 2에 도시된바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 칩 테스트를 위한 전압강하회로는 입력된 고전압을 소정의 전압 레벨로 강하하는 전압강하부(210)와, 전압강하부(210)의 출력에 응답하여 칩 내부로 테스트 신호(TEST)를 제공하며 회로의 턴-온(turn-on) 전압 레벨을 조절하여 리셋 핀의 입력 고전압 레벨을 결정하는 테스트신호출력부(220)와, 고전압 입력이 없는 경우 해당 노드(N210)가 플로팅되는 것을 방지하는 플로팅방지부(230)와, 해당 반도체 칩의 동작 정지시에 전압강하회로의 소비전류를 감소시키기 위한 소비전류차단부(240)를 포함하여 구성된다.As shown in FIG. 2, the voltage drop circuit for chip test according to the embodiment of the present invention includes a
도 2를 참조하여, 상기 전압강하부(210)는 입력되는 고전압을 소정의 전압레벨로 강하하기 위한 트랜지스터 Q211, Q212, Q213을 직렬로 구성된다. 이때 트랜지스터의 개수는 입력전압에 대하여 적절한 출력전압이 나타나도록 적절한 수의 트랜지스터를 사용한다. 하기 표 1에 상기 전압강하부(210)의 입력전압의 변화에 따른 출력전압의 변화의 예를 표시하였다.Referring to FIG. 2, the
상기 테스트신호출력부(220)는 트랜지스터 Q221과 인버터(221)로 구성되며, 턴-온 전압 레벨을 조절하여 리셋단자의 고전압의 입력레벨을 결정한다. 상기 소비전류차단부(240)는 제1 및 제2 도전형트랜지스터 Q241, Q242로 구성되며, 반도체 칩의 동작 정지시에 정지신호(STOP)의 입력에 응답하여 전압강하회로의 불필요한 전류의 소비를 방지한다. 그리고 상기 플로팅방지부(230)는 인버터(232)와 제1 내지 제3 트랜지스터 Q231, Q232, Q233으로 구성되고, 정상 동작시에 노드 N210이 플로팅되는 것을 방지하여 해당 칩의 오동작을 방지하며, 이에 따른 전류의 소비를 차단한다.The test
이상과 같은 본 발명에 의하면, 종래의 칩 테스트를 위한 전압강하회로에 있어서 해당 노드의 플로팅으로 인한 오동작 및 전류 소비를 방지하여 정상 동작시에 플로팅을 방지하여 정상적으로 동작이 가능하며, 플로팅에 따른 전류소비도 차단된다. 또한 해당 칩의 동작정지시에도 불필요한 전류 소비를 차단하는 효과가 있다.According to the present invention as described above, in the voltage drop circuit for the conventional chip test to prevent the malfunction and current consumption due to the floating of the node, it is possible to operate normally by preventing the floating during normal operation, the current according to the floating Consumption is also cut off. In addition, there is an effect of blocking unnecessary current consumption even when the chip is stopped.
Claims (6)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019970037639A KR100453885B1 (en) | 1997-08-06 | 1997-08-06 | Voltage drop circuit for testing chip, especially including floating prevention circuit to prevent erroneous operation and current consumption |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019970037639A KR100453885B1 (en) | 1997-08-06 | 1997-08-06 | Voltage drop circuit for testing chip, especially including floating prevention circuit to prevent erroneous operation and current consumption |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR19990015508A KR19990015508A (en) | 1999-03-05 |
KR100453885B1 true KR100453885B1 (en) | 2005-01-17 |
Family
ID=37372255
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019970037639A KR100453885B1 (en) | 1997-08-06 | 1997-08-06 | Voltage drop circuit for testing chip, especially including floating prevention circuit to prevent erroneous operation and current consumption |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100453885B1 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100464451B1 (en) * | 2002-02-20 | 2005-01-03 | 삼성전자주식회사 | Circuit for reducing leakage current of processor |
KR101547480B1 (en) * | 2014-08-20 | 2015-08-26 | 유상우 | Apparatus for driving LED |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR900015142A (en) * | 1989-03-08 | 1990-10-26 | 시기 모리야 | Semiconductor integrated circuit device |
JPH05119127A (en) * | 1991-10-25 | 1993-05-18 | Toshiba Corp | Semiconductor integrated circuit |
JPH07134158A (en) * | 1993-11-10 | 1995-05-23 | Nec Eng Ltd | Output buffer circuit for mos semiconductor integrated circuit |
KR0138233B1 (en) * | 1994-12-16 | 1998-06-15 | 김광호 | Test circuit for micro-controller |
KR0183112B1 (en) * | 1994-11-10 | 1999-04-15 | 김광호 | Adjusting circuit for ic operation setting and its control method |
-
1997
- 1997-08-06 KR KR1019970037639A patent/KR100453885B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR900015142A (en) * | 1989-03-08 | 1990-10-26 | 시기 모리야 | Semiconductor integrated circuit device |
JPH05119127A (en) * | 1991-10-25 | 1993-05-18 | Toshiba Corp | Semiconductor integrated circuit |
JPH07134158A (en) * | 1993-11-10 | 1995-05-23 | Nec Eng Ltd | Output buffer circuit for mos semiconductor integrated circuit |
KR0183112B1 (en) * | 1994-11-10 | 1999-04-15 | 김광호 | Adjusting circuit for ic operation setting and its control method |
KR0138233B1 (en) * | 1994-12-16 | 1998-06-15 | 김광호 | Test circuit for micro-controller |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR19990015508A (en) | 1999-03-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6031778A (en) | Semiconductor integrated circuit | |
KR910000738B1 (en) | Semiconductor integrated circuit adapted to carry out operation test | |
US6380798B1 (en) | Semiconductor integrated circuit apparatus | |
EP0171495A1 (en) | MOS transistor circuit with breakdown protection | |
US6765404B2 (en) | On-chip substrate regulator test mode | |
US4948995A (en) | Disenabling circuit for power-on event | |
US5512844A (en) | Output circuit with high output voltage protection means | |
US20060220726A1 (en) | System, method and program product for well-bias set point adjustment | |
US6882203B2 (en) | Latch circuit for holding detection state of a signal | |
KR100453885B1 (en) | Voltage drop circuit for testing chip, especially including floating prevention circuit to prevent erroneous operation and current consumption | |
KR970010627B1 (en) | A zero power dissipation laser fuse signature circuit for redundancy in vlsi design | |
US4980792A (en) | BiCMOS power transition circuit | |
US6738280B2 (en) | Read only memory | |
US5661689A (en) | Semiconductor device incorporating fuse-type roll call circuit | |
US20010050576A1 (en) | On-chip substrate regulator test mode | |
US6262622B1 (en) | Breakdown-free high voltage input circuitry | |
JP3170583B2 (en) | Semiconductor integrated circuit testing method and apparatus | |
KR100335452B1 (en) | A programmable buffer circuit and a mask rom device having the same | |
KR20050021033A (en) | Negative drop voltage generator for use in semiconductor memory device and control method for generating negative drop voltage | |
KR100358139B1 (en) | Mask rom | |
KR0165500B1 (en) | Fault cell identifying circuit for static random access memory | |
KR0177772B1 (en) | Label defining circuit for unused i/o pin | |
KR100248794B1 (en) | Semiconductor memory device for cell screen of defect cell | |
KR100429425B1 (en) | Electrostatic discharge protection circuit | |
KR20000045279A (en) | Repair circuit of semiconductor memory device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |