KR100451490B1 - 디램의 손상방지회로 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 디램의 손상방지회로에 관한 것으로, 종래에는 패드의 형성후 또는 웨이퍼상에 보호막의 형성후 식각공정시 불균일한 플라즈마에 의해 입력버퍼의 게이트산화막에 손상이 가해짐으로써, 디램의 특성이 열화되는 문제점이 있었다. 이와같은 문제점을 감안한 본 발명은 디램에 전원을 인가하는 입력패드와; 그 입력패드의 출력을 입력받아 정전기와 같은 순간적인 고전압에 의해 생성되는 전류가 디램에 인가되는 것을 방지하는 이에스디부와; 그 이에스디부의 출력을 입력받아 버퍼링하여 디램에 인가하는 입력버퍼로 구성되는 디램의 손상방지회로에 있어서, 상기 이에스디부의 출력을 퓨즈를 통해 플레이트전극에 입력받고 스토리지전극이 접지된 다수의 셀커패시터와; 공정이 완료된 후, 상기 커패시터의 플레이트전극에 전압을 인가하여 특성을 테스트하고, 입력패드와의 전압차를 통해 퓨즈를 절단하는 플레이트테스트패드를 더 포함하여 구성되는 디램의 손상방지회로를 제공함으로써, 패드의 형성후 또는 웨이퍼상에 보호막의 형성후 식각공정시 불균일한 플라즈마에 의해 입력버퍼의 게이트산화막이 손상되는 것을 방지하여 디램의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

Description

디램의 손상방지회로
본 발명은 디램(DRAM)의 손상방지회로에 관한 것으로, 특히 불균일한 플라즈마공정시 발생되는 전하(charge)에 의해 입력버퍼부의 게이트산화막이 손상되는 것을 방지하기에 적당하도록 한 디램의 손상방지회로에 관한 것이다.
종래 디램의 손상방지회로를 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도1은 종래 디램의 손상방지회로를 보인 회로구성도로서, 이에 도시한 바와같이 디램에 전원을 인가하는 입력패드(1)와; 그 입력패드(1)의 출력을 입력받아 정전기와 같은 순간적인 고전압에 의해 생성되는 전류가 디램에 인가되는 것을 방지하는 이에스디부(ESD : electro-static discharge),(2)와; 그 이에스디부(2)의 출력을 입력받아 버퍼링하여 디램에 인가하는 입력버퍼(3)로 구성되며, 상기 입력버퍼(3)는 전원전압(VCC)과 접지사이에 직렬접속된 피모스트랜지스터(PM1)와 엔모스트랜지스터(NM1)의 게이트를 공통접속하여 상기 이에스디부(2)의 출력을 입력받고, 드레인을 공통접속하여 그 접속점으로부터 출력신호를 출력하도록 구성된다.
한편, 종래 디램의 1개 셀을 구현한 웨이퍼의 단면도는 도2에 도시하였다. 이때, '3'는 입력버퍼(3)를 구현한 영역이고, 'Q'는 셀트랜지스터를 구현한 영역이며, 'C'는 셀커패시터를 구현한 영역이다. 그리고, 미설명부호 '10'은 셀커패시터의 플레이트전극에 전압을 인가하여 특성을 테스트하는 플레이트테스트패드이다. 이하, 상기한 바와같은 종래 디램의 손상방지회로의 동작을 설명한다.
먼저, 입력패드(1)로부터 순간적인 고전압이 인가되면, 이에스디부(2)는 그 고전압에 의해 생성되는 전류를 내부의 전류패스를 통해 방출하여 입력버퍼(3)로 출력되지 않게 한다.
그리고, 입력패드(1)로부터 일정한 전압이 인가되면, 이는 이에스디부(2)를 통해 입력버퍼(3)에서 버퍼링된 후, 디램의 워드라인과 비트라인이 선택된 셀커패시터(C)에 충전된다.
그러나, 상기한 바와같은 종래 디램의 손상방지회로는 패드의 형성후 또는 웨이퍼상에 보호막의 형성후 식각공정시 불균일한 플라즈마에 의해 입력버퍼의 게이트산화막에 손상이 가해짐으로써, 디램의 특성이 열화되는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기한 바와같은 문제점을 해결하기 위하여 창안한 것으로, 본 발명의 목적은 식각공정시 불균일한 플라즈마에 의해 입력버퍼의 게이트산화막이 손상되는 것을 방지할 수 있는 디램의 손상방지회로를 제공하는데 있다.
상기한 바와같은 본 발명의 목적은 디램에 전원을 인가하는 입력패드와; 그 입력패드의 출력을 입력받아 정전기와 같은 순간적인 고전압에 의해 생성되는 전류가 디램에 인가되는 것을 방지하는 이에스디부와; 그 이에스디부의 출력을 입력받아 버퍼링하여 디램에 인가하는 입력버퍼로 구성되는 디램의 손상방지회로에 있어서, 상기 이에스디부의 출력을 퓨즈를 통해 플레이트전극에 입력받고 스토리지전극이 접지된 다수의 셀커패시터와; 공정이 완료된 후, 상기 커패시터의 플레이트전극에 전압을 인가하여 특성을 테스트하고, 입력패드와의 전압차를 통해 퓨즈를 절단하는 플레이트테스트패드를 더 포함하여 구성함으로써 달성되는 것으로, 본 발명에 의한 디램의 손상방지회로를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도3은 본 발명의 일 실시예를 보인 회로구성도로서, 이에 도시한 바와같이 디램에 전원을 인가하는 입력패드(1)와; 그 입력패드(1)의 출력을 입력받아 정전기와 같은 순간적인 고전압에 의해 생성되는 전류가 디램에 인가되는 것을 방지하는 이에스디부(2)와; 그 이에스디부(2)의 출력을 입력받아 버퍼링하여 디램에 인가하는 입력버퍼(3)와; 상기 이에스디부(2)의 출력을 퓨즈(FU1)를 통해 플레이트전극에 각기 입력받고 스토리지전극이 각기 접지된 셀커패시터(C1∼Cn)와; 공정이 완료된 후, 상기 셀커패시터(C1∼Cn)의 플레이트전극에 전압을 인가하여 특성을 테스트하고, 입력패드(1)와의 전압차를 이용하여 퓨즈(FU1)를 절단하는 플레이트테스트패드(10)로 구성되며, 상기 입력버퍼(3)는 전원전압(VCC)과 접지사이에 직렬접속된 피모스트랜지스터(PM1)와 엔모스트랜지스터(NM1)의 게이트를 공통접속하여 상기 이에스디부(2)의 출력을 입력받고, 드레인을 공통접속하여 그 접속점으로부터 출력신호를 출력하도록 구성된다.
한편, 본 발명에 의한 디램의 1개 셀을 구현한 웨이퍼의 단면도는 도4에 도시하였다. 이때, '3'는 입력버퍼(3)를 구현한 영역이고, 'Q'는 셀트랜지스터를 구현한 영역이며, 'C'는 셀커패시터(C1)를 구현한 영역이다. 그리고, '10'은 공정이 완료된 후, 셀커패시터(C1)의 플레이트전극에 전압을 인가하여 특성을 테스트하고, 상기 입력패드(1)와의 전압차를 이용하여 퓨즈(FU1)를 절단하는 플레이트테스트패드(10)이다. 이하, 상기한 바와같은 본 발명의 일 실시예에 대한 동작을 설명한다.
먼저, 입력패드(1)로부터 인가되는 순간적인 고전압은 이에스디부(2)를 통해 입력버퍼(3)로 출력되지 않게 하고, 입력패드(1)를 통해 인가되는 일정한 전압을 워드라인과 비트라인이 선택된 디램의 셀커패시터(C1∼Cn)에 충전시키는 동작은 종래와 동일하다.
한편, 패드의 형성후 또는 웨이퍼상에 보호막의 형성후 식각공정시 불균일한 플라즈마에 의해 발생하는 전하(charge)는 퓨즈(FU1)를 통해 병렬접속된 셀커패시터(C1∼Cn)에 유도된다. 이후, 공정이 완료되면 플레이트테스트패드(10)에 전압을 인가하여 셀커패시터(C1∼Cn)의 플레이트전극을 테스트함과 아울러 상기 입력패드(10)와의 전압차를 이용하여 퓨즈(FU1)를 절단하거나, 레이저를 이용하여 물리적으로 절단한다.
상기한 바와같은 본 발명에 의한 디램의 손상방지회로는 패드의 형성후 또는 웨이퍼상에 보호막의 형성후 식각공정시 불균일한 플라즈마에 의해 입력버퍼의 게이트산화막이 손상되는 것을 방지하여 디램의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
도1은 종래 디램의 손상방지회로를 보인 회로구성도.
도2는 종래 디램의 1개 셀을 구현한 웨이퍼의 단면도.
도3은 본 발명의 일 실시예를 보인 회로구성도.
도4는 본 발명에 의한 디램의 1개 셀을 구현한 웨이퍼의 단면도.
***도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명***
1:입력패드 2:이에스디부
3:입력버퍼 10:플레이트테스트패드
FU1:퓨즈 C1∼Cn:셀커패시터
VCC:전원전압 PM1:피모스트랜지스터
NM1:엔모스트랜지스터

Claims (1)

  1. 디램에 전원을 인가하는 입력패드와; 그 입력패드의 출력을 입력받아 정전기와 같은 순간적인 고전압에 의해 생성되는 전류가 디램에 인가되는 것을 방지하는 이에스디부와; 그 이에스디부의 출력을 입력받아 버퍼링하여 디램에 인가하는 입력버퍼로 구성되는 디램의 손상방지회로에 있어서, 상기 이에스디부의 출력을 퓨즈를 통해 플레이트전극에 입력받고 스토리지전극이 접지된 다수의 셀커패시터와; 공정이 완료된 후, 상기 커패시터의 플레이트전극에 전압을 인가하여 특성을 테스트하고, 입력패드와의 전압차를 통해 퓨즈를 절단하는 플레이트테스트패드를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 디램의 손상방지회로.
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