KR100444513B1 - Radio Frequency Plasma Display Panel - Google Patents

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KR100444513B1
KR100444513B1 KR10-2002-0004479A KR20020004479A KR100444513B1 KR 100444513 B1 KR100444513 B1 KR 100444513B1 KR 20020004479 A KR20020004479 A KR 20020004479A KR 100444513 B1 KR100444513 B1 KR 100444513B1
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Abstract

본 발명은 격벽구조에 의한 방전셀 배치를 변경하여 발광 면적을 증가시킴으로써 발광 효율 및 휘도를 향상시킬 수 있도록 한 고주파 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것이다.The present invention relates to a high frequency plasma display panel in which light emission efficiency and luminance can be improved by changing the discharge cell arrangement by the partition structure to increase the light emitting area.

본 발명의 고주파 플라즈마 디스플레이 패널은 상부기판 상에 형성되어 고주파신호가 공급되는 고주파전극과, 상/하로 인접되게 배치되는 다수의 방전셀들이 델타형 구조로 배치되도록 형성되는 격벽과, 하부기판 상에 형성된 어드레스전극과, 상기 어드레스전극을 덮도록 상기 하부기판 전면에 형성된 제1 유전층과, 상기 어드레스전극과 직교하도록 상기 제1 유전층 상에 형성된 스캔전극과, 상기 스캔전극을 덮도록 상기 하부기판 전면에 형성된 제2 유전층과, 상기 제2 유전층 상에 형성된 보호막과, 상기 격벽 내벽에 형성된 형광체를 구비하는 것을 특징으로 한다.The high frequency plasma display panel of the present invention is formed on an upper substrate, a high frequency electrode to which a high frequency signal is supplied, a partition wall formed so that a plurality of discharge cells arranged adjacently up and down are arranged in a delta type structure, and on a lower substrate. An address electrode formed, a first dielectric layer formed on the front surface of the lower substrate to cover the address electrode, a scan electrode formed on the first dielectric layer so as to be orthogonal to the address electrode, and a front surface of the lower substrate covered the scan electrode. And a second dielectric layer formed, a protective film formed on the second dielectric layer, and a phosphor formed on the inner wall of the partition wall.

본 발명에 따른 고주파 플라즈마 디스플레이 패널에서는 방전셀 배치를 델타 구조로 변경함과 아울러 상기 방전셀 구조를 직사각형 또는 벌집형으로 구성함으로써 방전셀의 폭을 크게끔 한다. 이에 따라 고해상도 등의 고주파 플라즈마 디스플레이 패널는 유지 방전을 일으키기 위한 고주파 신호의 주파수를 낮출 수 있고, 유지 방전에 의한 발광 면적의 증가로 인하여 발광효율을 크게 향상시킬 수 있게 된다.In the high frequency plasma display panel according to the present invention, the discharge cell arrangement is changed to a delta structure and the discharge cell structure is configured to have a rectangular or honeycomb shape, thereby increasing the width of the discharge cell. Accordingly, the high-frequency plasma display panel such as a high resolution can lower the frequency of the high-frequency signal for generating sustain discharge, and can greatly improve the luminous efficiency due to the increase in the light emitting area caused by the sustain discharge.

Description

고주파 플라즈마 디스플레이 패널{Radio Frequency Plasma Display Panel}High Frequency Plasma Display Panel

본 발명은 고주파 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것으로, 특히 격벽구조에 의한 방전셀 배치를 변경하여 발광 면적을 증가시킴으로써 발광 효율 및 휘도를 향상시킬 수 있도록 한 고주파 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high frequency plasma display panel, and more particularly, to a high frequency plasma display panel in which light emission efficiency and brightness can be improved by changing a discharge cell arrangement by a partition structure to increase a light emitting area.

플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel : 이하 "PDP"라 함)은 가스방전에 의해 발생되는 자외선이 형광체를 여기시켜 형광체로부터 가시광선이 발생되는 것을 이용한 표시장치이다. PDP는 지금까지 표시수단의 주종을 이루어왔던음극선관(Cathode Ray Tube : CRT)에 비해 두께가 얇고 가벼우며 고선명 대형화면의 구현이 가능하다는 점과 넓은 시야각을 갖는다는 점등의 장점이 있다. 최근에는 종래에 개발된 교류 면방전 PDP에 비해 방전효율 및 휘도를 획기적으로 향상시킬 수 있는 고주파(Radio Frequency : 이하 "RF"라 함) PDP에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. RF PDP에서는 고주파 신호에 의해 방전셀의 방전공간 내에서 진동운동을 하는 전자가 방전가스를 연속적으로 이온화시킴으로써 거의 대부분의 방전시간동안 연속적인 방전이 이루어진다. PDP에서는 화소 단위를 이루는 방전셀들이 매트릭스 형태로 배열되어 전체 화면을 구성하게 된다.Plasma Display Panel (hereinafter referred to as "PDP") is a display device in which ultraviolet light generated by gas discharge excites a phosphor to generate visible light from the phosphor. PDP has the advantages of being thin, light, high-definition large screen, and a wide viewing angle, compared to Cathode Ray Tube (CRT), which has been the dominant display device. In recent years, research has been actively conducted on a radio frequency (“RF”) PDP that can significantly improve discharge efficiency and brightness compared to an AC surface discharge PDP developed in the past. In the RF PDP, electrons vibrating in the discharge space of the discharge cell by the high frequency signal continuously ionize the discharge gas, thereby causing continuous discharge for most of the discharge time. In the PDP, the discharge cells forming the pixel unit are arranged in a matrix to form the entire screen.

도 1은 종래기술에 따른 고주파 플라즈마 디스플레이 패널 구조를 나타내는 사시도이고, 도 2는 도 1에 도시된 고주파 플라즈마 디스플레이 패널의 방전셀 구조를 도시한 패널의 종단면도이다.1 is a perspective view illustrating a structure of a high frequency plasma display panel according to the related art, and FIG. 2 is a longitudinal cross-sectional view of a panel showing a discharge cell structure of the high frequency plasma display panel shown in FIG. 1.

도 1 및 도 2를 참조하면, RF PDP는 하부기판(16) 상에 형성된 어드레스전극(18)과, 하부기판(16) 및 어드레스전극(18) 상에 형성된 제1 유전층(20)과, 어드레스전극(18)과 직교하도록 제1 유전층(20) 상에 형성된 스캔전극(22)과, 제1 유전층(20) 및 스캔전극(22) 상에 형성된 제2 유전층(24)과, 제2 유전층(24) 상에 형성된 보호막(26)과, 각각의 방전셀들을 구분하기 위해 보호막(26) 상에 수직으로 형성된 격벽(28)과, 격벽(28)의 내벽에 도포된 형광체(30)와, 격벽(28)을 사이에 두고 하부기판(16)과 평행하게 배치된 상부기판(10)과, 스캔전극(22)과 나란한 방향으로 상부기판(10)의 배면에 형성된 고주파전극(12)과, 고주파전극(12)이 형성된 상부기판(10) 상에 형성된 상부유전층(14)과, 상부기판(10)과하부기판(16) 및 격벽(28)에 둘러싸여 형성되는 방전공간(32)을 구비한다. 또한 스캔전극(22) 및 어드레스전극(18)이 교차하는 영역의 부근에서 어드레스전극(18)에 전기적으로 접속되도록 형성됨과 아울러 스캔전극(22)과 동일한 높이로 형성된 보조전극(19)을 구비한다.1 and 2, the RF PDP includes an address electrode 18 formed on the lower substrate 16, a first dielectric layer 20 formed on the lower substrate 16 and the address electrode 18, and an address. The scan electrode 22 formed on the first dielectric layer 20 so as to be orthogonal to the electrode 18, the second dielectric layer 24 formed on the first dielectric layer 20 and the scan electrode 22, and the second dielectric layer ( A protective film 26 formed on the protective film 26, a partition wall 28 vertically formed on the protective film 26 to distinguish respective discharge cells, a phosphor 30 coated on an inner wall of the partition wall 28, and a partition wall. An upper substrate 10 disposed in parallel with the lower substrate 16 with the 28 interposed therebetween, a high frequency electrode 12 formed on the rear surface of the upper substrate 10 in a direction parallel to the scan electrode 22, and a high frequency An upper dielectric layer 14 formed on the upper substrate 10 having the electrode 12 formed thereon, and a discharge space 32 formed by surrounding the upper substrate 10, the lower substrate 16, and the partition wall 28. In addition, the auxiliary electrode 19 is formed to be electrically connected to the address electrode 18 in the vicinity of the region where the scan electrode 22 and the address electrode 18 cross each other, and has an auxiliary electrode 19 formed at the same height as the scan electrode 22. .

이로써 어드레스 방전시 어드레스전극(18)에 인가되는 데이터펄스는 보조전극(19)에도 동일하게 인가된다. 보조전극(19) 상에서는 유전층의 두께가 얇기 때문에 어드레스 방전시 유전층에서의 전압 강하가 적아서 보조전극(19)에 공급된 구동전압의 대부분이 방전공간(32)에 인가된다. 그리하여 어드레스 방전은 어드레스전극(18)에 접속된 보조전극(19)과 스캔전극(22) 간에 발생하게 된다. 이로써 어드레스 방전필드가 보조전극(19)과 스캔전극(22) 사이의 영역에서만 집중적으로 형성되기 때문에 인접한 방전셀 간의 크로스토크(Crosstalk)가 방지되고, 방전 균일성이 향상된다.As a result, the data pulse applied to the address electrode 18 during the address discharge is equally applied to the auxiliary electrode 19. Since the thickness of the dielectric layer is thin on the auxiliary electrode 19, the voltage drop in the dielectric layer during the address discharge is small, so that most of the driving voltage supplied to the auxiliary electrode 19 is applied to the discharge space 32. Thus, address discharge is generated between the auxiliary electrode 19 and the scan electrode 22 connected to the address electrode 18. As a result, since the address discharge field is intensively formed only in the region between the auxiliary electrode 19 and the scan electrode 22, crosstalk between adjacent discharge cells is prevented and discharge uniformity is improved.

어드레스전극(18)과 스캔전극(22)에는 각각 어드레스 방전을 일으키기 위한 데이터펄스와 스캔펄스가 인가된다. 제1 유전층(20)은 어드레스전극(18)과 스캔전극(22)을 절연시키는 역할을 한다. 제2 유전층(24)에는 어드레스 방전시 벽전하가 축적된다. 보호막(26)은 방전시 스퍼터링으로부터 유전층(20,24)을 보호하여 방전셀의 수명을 연장시키고, 또한 방전시 2차 전자를 발생시켜 방전효율을 향상시킨다. 하부기판(16) 상에 수직으로 형성된 격벽(28)은 각각의 방전셀을 구분하고, 인접한 방전셀들 간의 상호간섭을 억제하는 역할을 한다. 고주파전극(12)에는 고주파 유지 방전을 일으키기 위한 고주파 구동 전압이 인가된다. 형광체(30)는 유지 방전시 발생한 진공 자외선에 의해 여기되어 가시광을 발생시킨다.Data pulses and scan pulses are applied to the address electrode 18 and the scan electrode 22 to cause address discharge, respectively. The first dielectric layer 20 insulates the address electrode 18 and the scan electrode 22. In the second dielectric layer 24, wall charges are accumulated during address discharge. The protective film 26 protects the dielectric layers 20 and 24 from sputtering during discharge to extend the life of the discharge cell, and also generates secondary electrons during discharge to improve discharge efficiency. The partition wall 28 formed vertically on the lower substrate 16 serves to distinguish each discharge cell and to suppress mutual interference between adjacent discharge cells. The high frequency electrode 12 is applied with a high frequency driving voltage for causing high frequency sustain discharge. The phosphor 30 is excited by vacuum ultraviolet rays generated during sustain discharge to generate visible light.

도 3은 종래 기술에 따른 RF PDP의 방전셀 배치를 나타내는 도면이다.3 is a view showing a discharge cell arrangement of a conventional RF PDP.

도 3을 참조하면, RF PDP의 R,G,B 각 방전셀들(34a,34b,34c)은 정사각형이 3등분된 스트라이프(Stripe) 구조로 형성되며, 3등분된 각 방전셀들(34a,34b,34c)의 가로/세로의 비는 1:3의 비율로 구성된다. 이 때 각 방전셀들(34a,34b,34c)의 가로 폭(WH)은 약 300㎛ 정도로 형성되고, 세로 폭(WV)은 약 900㎛ 정도로 형성된다.Referring to FIG. 3, the R, G, and B discharge cells 34a, 34b, and 34c of the RF PDP are formed in a stripe structure in which a square is divided into three, and each of the discharge cells 34a and The ratio of width to length of 34b and 34c) is composed of a ratio of 1: 3. In this case, the horizontal width WH of each of the discharge cells 34a, 34b, and 34c is about 300 μm, and the vertical width WV is about 900 μm.

각 방전셀들(34a,34b,34c) 사이에 수직으로 형성되는 격벽(28)은 500 내지 1000㎛ 정도의 높이로 와플(Waffle) 구조로 형성된다. 또한, 고주파전극(12)과 스캔전극(22)은 R,G,B 각 방전셀들(34a,34b,34c)을 가로지르는 방향으로 배치되어 있고, 전극 폭은 소정의 크기로 적절하게 선택되어진다.The partition wall 28 formed vertically between the discharge cells 34a, 34b, and 34c is formed in a waffle structure with a height of about 500 to 1000 µm. In addition, the high frequency electrode 12 and the scan electrode 22 are arranged in a direction crossing the discharge cells 34a, 34b, 34c of R, G, and B, and the electrode width is appropriately selected to a predetermined size. Lose.

도 4(a)는 방전셀(34) 폭에 따른 고주파 방전전압 특성을 나타내는 것으로서, 방전공간의 폭이 300㎛ 이하에서는 고주파 방전전압이 급격히 증가하게 된다. 이 때 VGA(640*480) 모드 등 방전셀의 크기가 크면 방전 유지에 문제가 없으나, XGA(1024*768) 모드 등 해상도가 높아져 방전셀 즉, 화소의 크기가 1㎜ 이하로 되면 방전 전압이 급격히 증가하므로 고주파 구동이 어려워진다.4 (a) shows the characteristics of the high frequency discharge voltage according to the width of the discharge cell 34. When the width of the discharge space is 300 μm or less, the high frequency discharge voltage increases rapidly. At this time, if the size of the discharge cell such as VGA (640 * 480) mode is large, there is no problem in maintaining the discharge.However, if the resolution of the XGA (1024 * 768) mode is high and the discharge cell, that is, the pixel size is 1 mm or less, the discharge voltage is increased. It increases rapidly, making high frequency driving difficult.

도 4(b)는 고주파 전력(VF)과 고주파 방전전압의 상관관계를 나타낸 것으로서, 고주파 전력이 높게 인가할수록 고주파 방전전압도 높아진다.4 (b) shows the correlation between the high frequency power V F and the high frequency discharge voltage. The higher the high frequency power is applied, the higher the high frequency discharge voltage is.

이로써, 종래기술에 따른 RF PDP는 방전셀(34)의 폭이 300㎛ 이하로 RF 방전전압이 급격히 증가하게 되고, 이러한 RF 방전전압을 유지하기 위해서 고주파 전력을 더욱 크게 인가해야 한다. 이 때 방전에 사용되지 않는 변위 전류 성분도 같이 증가하므로 방전 외적인 전력 손실이 증가할 뿐만 아니라 구동이 어렵고 전자파(EMI) 방출의 증가 등의 문제점이 있게 된다.As a result, the RF PDP according to the related art rapidly increases the RF discharge voltage to a width of the discharge cell 34 of 300 μm or less, and in order to maintain the RF discharge voltage, a high frequency power must be applied even more. At this time, since the displacement current component not used for the discharge also increases, not only the power loss outside the discharge increases, but also the driving is difficult and there are problems such as an increase in the emission of electromagnetic waves (EMI).

따라서, 본 발명의 목적은 방전셀 배치를 델타 구조로 변경하여 방전셀의 폭을 크게 하여 고주파 구동전압을 낮춤과 아울러 발광 효율을 향상시킬 수 있도록 한 고주파 플라즈마 디스플레이 패널을 제공하는 데 있다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a high frequency plasma display panel in which the discharge cell arrangement is changed to a delta structure to increase the width of the discharge cells, thereby lowering the high frequency driving voltage and improving luminous efficiency.

도 1은 종래기술에 따른 고주파 플라즈마 디스플레이 패널 구조를 나타내는 사시도.1 is a perspective view showing a high frequency plasma display panel structure according to the prior art.

도 2는 도 1에 도시된 고주파 플라즈마 디스플레이 패널의 방전셀 구조를 도시한 패널의 종단면도.FIG. 2 is a longitudinal sectional view of the panel showing the discharge cell structure of the high frequency plasma display panel shown in FIG. 1; FIG.

도 3은 종래 기술에 따른 고주파 플라즈마 디스플레이 패널의 방전셀 배치를 나타내는 도면.3 is a view showing a discharge cell arrangement of a high frequency plasma display panel according to the prior art.

도 4는 고주파 유지방전 특성을 나타내는 도면.4 is a diagram showing a high frequency sustain discharge characteristic.

도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 고주파 플라즈마 디스플레이 패널의 방전셀 배치 및 방전면적을 나타내는 도면.5 is a view showing a discharge cell arrangement and a discharge area of the high frequency plasma display panel according to the first embodiment of the present invention;

도 6은 도 5에 도시된 고주파 플라즈마 디스플레이 패널의 방전셀의 종단면도.FIG. 6 is a longitudinal sectional view of a discharge cell of the high frequency plasma display panel shown in FIG. 5; FIG.

도 7은 도 5에 도시된 고주파 플라즈마 디스플레이 패널의 방전셀 배치에 따른 격벽 구조를 나타내는 도면.FIG. 7 is a view illustrating a barrier rib structure according to a discharge cell arrangement of the high frequency plasma display panel of FIG. 5.

도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 고주파 플라즈마 디스플레이 패널의 방전셀 배치 및 방전면적을 나타내는 도면.8 is a view showing a discharge cell arrangement and a discharge area of a high frequency plasma display panel according to a second embodiment of the present invention;

도 9는 도 8에 도시된 고주파 플라즈마 디스플레이 패널의 방전셀 배치에 따른 격벽 구조를 나타내는 도면.FIG. 9 is a view illustrating a barrier rib structure according to an arrangement of discharge cells of the high frequency plasma display panel shown in FIG. 8.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

10,40 : 상부기판 12,42 : 고주파전극10,40: upper substrate 12,42: high frequency electrode

14,20,24,44,50,54 : 유전층 16,46 : 하부기판14,20,24,44,50,54: dielectric layer 16,46: lower substrate

18,48 : 어드레스전극 19,49 : 보조전극18,48: address electrode 19,49: auxiliary electrode

22,52 : 스캔전극 26,56 : 보호막22,52: Scanning electrode 26,56: Protective film

28,58,70 : 격벽 30,60 : 형광체28,58,70: bulkhead 30,60: phosphor

32,62 : 방전공간32,62: discharge space

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 고주파 플라즈마 디스플레이 패널은 고주파 신호를 이용한 고주파방전에 의해 영상을 표시하는 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서, 상부기판 상에 형성되어 고주파신호가 공급되는 고주파전극과, 상/하로 인접되게 배치되는 다수의 방전셀들이 델타형 구조로 배치되도록 형성되는 격벽과, 하부기판 상에 형성된 어드레스전극과, 상기 어드레스전극을 덮도록 상기 하부기판 전면에 형성된 제1 유전층과, 상기 어드레스전극과 직교하도록 상기 제1 유전층 상에 형성된 스캔전극과, 상기 스캔전극을 덮도록 상기 하부기판 전면에 형성된 제2 유전층과, 상기 제2 유전층 상에 형성된 보호막과, 상기 격벽 내벽에 형성된 형광체를 구비하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the high frequency plasma display panel of the present invention is a plasma display panel for displaying an image by a high frequency discharge using a high frequency signal, the high frequency electrode is formed on the upper substrate and supplied with a high frequency signal, phase / Barrier ribs formed to have a plurality of discharge cells disposed adjacent to each other in a delta structure, an address electrode formed on a lower substrate, a first dielectric layer formed on an entire surface of the lower substrate so as to cover the address electrode, and the address electrode A scan electrode formed on the first dielectric layer to be orthogonal to the second dielectric layer, a second dielectric layer formed on the entire surface of the lower substrate so as to cover the scan electrode, a protective film formed on the second dielectric layer, and a phosphor formed on the inner wall of the partition wall; It is characterized by.

본 발명의 경우 스캔전극과 어드레스전극이 교차하는 영역에 상기 스캔전극과 동일 높이로 상기 어드레스전극에 전기적으로 접속되도록 형성되는 보조전극을 추가로 구비한다.In the present invention, an auxiliary electrode is further provided in an area where the scan electrode and the address electrode cross each other so as to be electrically connected to the address electrode at the same height as the scan electrode.

본 발명에서의 격벽은 상기 방전셀들이 직사각형으로 배치되도록 형성된다.The partition wall in the present invention is formed such that the discharge cells are arranged in a rectangular shape.

본 발명에서의 직사각형 방전셀은 상기 고주파전극의 평행 및 직교방향 폭이 4:3 비율로 형성된다.In the rectangular discharge cell of the present invention, the parallel and orthogonal widths of the high frequency electrodes are formed in a 4: 3 ratio.

본 발명에서의 격벽은 상기 방전셀들이 벌집형으로 배치도록 형성된다.In the present invention, the partition wall is formed such that the discharge cells are arranged in a honeycomb shape.

상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부도면을 참조한 실시 예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.Other objects and features of the present invention in addition to the above object will be apparent from the description of the embodiments with reference to the accompanying drawings.

이하, 도 5 내지 도 8을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 5 to 8.

도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 고주파 플라즈마 디스플레이 패널의 방전셀 배치 및 방전면적을 나타내는 도면이고, 도 6은 도 5에 도시된 고주파 플라즈마 디스플레이 패널의 방전셀의 종단면도를 나타내는 도면이다.FIG. 5 is a view showing a discharge cell arrangement and a discharge area of the high frequency plasma display panel according to the first embodiment of the present invention. FIG. 6 is a view showing a longitudinal cross-sectional view of the discharge cell of the high frequency plasma display panel shown in FIG. .

도 5 및 도 6를 참조하면, 고주파 플라즈마 디스플레이 패널은 상/하로 서로 인접되게 위치되어 있는 방전셀들(64)이 하나의 픽셀을 형성하는 델타형 구조를 갖는다. 다시 말하여, 본 발명에 따른 RF PDP는 제n(n은 1 이상의 자연수) 고주파전극라인(42a)에 위치되는 R 방전셀(64a) 및 B 방전셀(64c)과 제n+1 또는 n-1 고주파전극라인(42b)에 위치되는 G 방전셀(64b)이 하나의 픽셀을 형성한다.5 and 6, the high frequency plasma display panel has a delta structure in which discharge cells 64 positioned up and down adjacent to each other form one pixel. In other words, the RF PDP according to the present invention is characterized in that the R discharge cells 64a and B discharge cells 64c and n + 1 or n− are located in the nth (n is a natural number of 1 or more) high frequency electrode lines 42a. A G discharge cell 64b positioned at one high frequency electrode line 42b forms one pixel.

이러한 구조의 RF PDP는 하부기판(46) 상에 형성된 어드레스전극(48)과, 하부기판(46) 및 어드레스전극(48) 상에 형성된 제1 유전층(50)과, 어드레스전극(48)과 직교하도록 제1 유전층(50) 상에 형성된 스캔전극(52)과, 제1 유전층(50) 및 스캔전극(52) 상에 형성된 제2 유전층(54)과, 제2 유전층(54) 상에 형성된 보호막(56)과, 각각의 방전셀들(64)을 구분하기 위해 보호막(56) 상에 수직으로 형성된 격벽(58)과, 격벽(58)의 내벽에 도포된 형광체(60)와, 격벽(58)을 사이에 두고 하부기판(46)과 평행하게 배치된 상부기판(40)과, 스캔전극(52)과 나란한 방향으로 상부기판(40)의 배면에 형성된 고주파전극(42)과, 고주파전극(42)이 형성된 상부기판(40) 상에 형성된 상부유전층(44)과, 상부기판(40)과 하부기판(46) 및 격벽(58)에 둘러싸여 형성되는 방전공간(62)을 구비한다. 또한 스캔전극(52) 및 어드레스전극(48)이 교차하는 영역의 부근에서 어드레스전극(48)에 전기적으로 접속되도록 형성됨과 아울러 스캔전극(52)과 동일한 높이로 형성된 보조전극(49)을 구비한다.The RF PDP having such a structure is orthogonal to the address electrode 48 formed on the lower substrate 46, the first dielectric layer 50 formed on the lower substrate 46 and the address electrode 48, and the address electrode 48. The scan electrode 52 formed on the first dielectric layer 50, the second dielectric layer 54 formed on the first dielectric layer 50 and the scan electrode 52, and the passivation layer formed on the second dielectric layer 54. A partition wall 58 formed vertically on the passivation layer 56 to distinguish each of the discharge cells 64, a phosphor 60 coated on an inner wall of the partition wall 58, and a partition wall 58. ), The high substrate 40 disposed in parallel with the lower substrate 46, the high frequency electrode 42 formed on the rear surface of the upper substrate 40 in a direction parallel to the scan electrode 52, and the high frequency electrode ( An upper dielectric layer 44 formed on the upper substrate 40 having the 42 formed thereon, and a discharge space 62 formed surrounded by the upper substrate 40, the lower substrate 46, and the partition 58. In addition, the auxiliary electrode 49 is formed to be electrically connected to the address electrode 48 in the vicinity of the region where the scan electrode 52 and the address electrode 48 cross each other, and has the auxiliary electrode 49 formed at the same height as the scan electrode 52. .

이로써 어드레스 방전시 어드레스전극(48)에 인가되는 데이터펄스는 보조전극(49)에도 동일하게 인가된다. 보조전극(49) 상에서는 제1 및 제2 유전층(50,54)의 두께가 얇기 때문에 어드레스 방전시 제1 및 제2 유전층(50,54)에서의 전압 강하가 적어서 보조전극(49)에 공급된 구동전압의 대부분이 방전공간(62)에 인가된다. 그리하여 어드레스 방전은 어드레스전극(48)에 접속된 보조전극(49)과 스캔전극(52) 간에 발생하게 된다.As a result, the data pulse applied to the address electrode 48 during the address discharge is equally applied to the auxiliary electrode 49. Since the thicknesses of the first and second dielectric layers 50 and 54 are thin on the auxiliary electrode 49, the voltage drop in the first and second dielectric layers 50 and 54 during the address discharge is small and thus supplied to the auxiliary electrode 49. Most of the driving voltage is applied to the discharge space 62. Thus, address discharge is generated between the auxiliary electrode 49 and the scan electrode 52 connected to the address electrode 48.

어드레스전극(48)과 스캔전극(52)에는 각각 어드레스 방전을 일으키기 위한 데이터펄스와 스캔펄스가 인가된다. 제1 유전층(50)은 어드레스전극(48)과 스캔전극(52)을 절연시키는 역할을 한다. 제2 유전층(54)에는 어드레스 방전시 벽전하가 축적된다. 보호막(56)은 방전시 스퍼터링으로부터 제1 및 제2 유전층(50,54)을 보호하여 방전셀들(64)의 수명을 연장시키고, 또한 방전시 2차 전자를 발생시켜 방전효율을 향상시킨다. 하판 상에 수직으로 형성된 격벽(58)은 각각의 방전셀들(64)을 구분하고, 인접한 방전셀들(64) 간의 상호간섭을 억제하는 역할을 한다. 고주파전극(42)에는 고주파 유지 방전을 일으키기 위한 고주파 구동 전압이 인가된다. 형광체(60)는 유지 방전시 발생한 진공 자외선에 의해 여기되어 가시광을 발생시킨다.Data pulses and scan pulses are applied to the address electrode 48 and the scan electrode 52 to cause address discharge, respectively. The first dielectric layer 50 insulates the address electrode 48 from the scan electrode 52. In the second dielectric layer 54, wall charges are accumulated during address discharge. The passivation layer 56 protects the first and second dielectric layers 50 and 54 from sputtering during discharge to prolong the life of the discharge cells 64, and also generates secondary electrons during discharge to improve discharge efficiency. The partition wall 58 formed vertically on the lower plate divides each discharge cell 64 and serves to suppress mutual interference between adjacent discharge cells 64. The high frequency electrode 42 is applied with a high frequency driving voltage for causing high frequency sustain discharge. The phosphor 60 is excited by vacuum ultraviolet rays generated during sustain discharge to generate visible light.

또한 본 발명의 제1 실시예에 따른 RF PDP의 격벽 구조는 도 7에 도시된 바와 같이 상/하로 인접되게 배치되는 다수의 방전셀들(64)이 델타형 구조로 배치되도록 직사각형 형태로 형성된다. 이 때 형성되는 격벽(58)은 고주파전극(42) 및 스캔전극(52)과 나란하게 형성되는 다수의 제1 격벽(58a)과, 제1 격벽(58a) 들의 사이에 어드레스전극(48)과 나란하게 형성되는 제2 격벽(58b)을 구비한다.In addition, the barrier rib structure of the RF PDP according to the first embodiment of the present invention is formed in a rectangular shape such that a plurality of discharge cells 64 arranged up and down adjacently are arranged in a delta type structure as shown in FIG. 7. . The partition wall 58 formed at this time includes a plurality of first partition walls 58a formed parallel to the high frequency electrode 42 and the scan electrode 52, and an address electrode 48 between the first partition walls 58a. The second partition 58b formed in parallel is provided.

제1 격벽(58a)과 제2 격벽(58b)에 의해 형성된 직사각형 홀들(66)은 방전셀들(64)로 이용되어진다. 이때, 방전셀들(64)의 가로 및 세로 폭은 4:3의 비율로 형성된다.Rectangular holes 66 formed by the first and second partitions 58a and 58b are used as discharge cells 64. At this time, the horizontal and vertical widths of the discharge cells 64 are formed in a ratio of 4: 3.

도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 고주파 플라즈마 디스플레이 패널의 방전셀 배치 및 방전면적을 나타내는 도면이다.FIG. 8 is a diagram illustrating a discharge cell arrangement and a discharge area of a high frequency plasma display panel according to a second embodiment of the present invention.

먼저 본 발명의 제2 실시예에 따른 고주파 플라즈마 디스플레이 패널의 방전셀들의 종단면도는 도 6과 동일 구조로 형성되며, 동일 부호는 동일 구성요소로 본다.First, the longitudinal cross-sectional view of the discharge cells of the high frequency plasma display panel according to the second embodiment of the present invention is formed in the same structure as in FIG.

도 8을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 RF PDP는 고주파 플라즈마 디스플레이 패널은 상/하로 서로 인접되게 위치되어 있는 방전셀들(64)이 하나의 픽셀을 형성하는 델타형 구조를 갖는다. 다시 말하여, 본 발명에 따른 RF PDP는 제n(n은 1 이상의 자연수) 고주파전극라인(42a)에 위치되는 R 방전셀(64a) 및 B 방전셀(64c)과 제n+1 또는 n-1 고주파전극라인(42a)에 위치되는 G 방전셀(64b)이 하나의 픽셀을 형성한다. 이때 방전셀들(64) 각각은 벌집 형태로 구성된다.Referring to FIG. 8, the RF PDP according to the embodiment of the present invention has a delta structure in which discharge cells 64 positioned adjacent to each other up and down in a high frequency plasma display panel form one pixel. In other words, the RF PDP according to the present invention is characterized in that the R discharge cells 64a and B discharge cells 64c and n + 1 or n− are located in the nth (n is a natural number of 1 or more) high frequency electrode lines 42a. A G discharge cell 64b positioned at one high frequency electrode line 42a forms one pixel. At this time, each of the discharge cells 64 is configured in a honeycomb form.

상기와 같은 벌집 모양의 방전셀들(64)을 구성하기 위해 격벽(70)은 도 9에서와 같이 상/하로 인접되게 배치되는 다수의 방전셀들(64)이 델타형 구조로 배치되도록 벌집 모양으로 형성된다. 이때, 형성되는 격벽(70)은 고주파전극(42) 및 스캔전극(52)과 나란한 방향으로 물결형태로 형성되는 다수의 제1 격벽(70a)과, 제1 격벽(70a) 들의 사이에 어드레스 전극(48)과 나란하게 형성되는 제2 격벽(70b)을 구비한다.In order to form the honeycomb-shaped discharge cells 64 as described above, the partition wall 70 has a honeycomb shape such that a plurality of discharge cells 64 arranged up and down adjacent to each other are arranged in a delta structure. Is formed. In this case, the partition wall 70 formed may include a plurality of first partition walls 70a formed in a wave shape in a direction parallel to the high frequency electrode 42 and the scan electrode 52, and an address electrode between the first partition walls 70a. A second partition wall 70b formed in parallel with 48 is provided.

제1 격벽(70a)과 제2 격벽(70b)에 의해 형성된 벌집형 홀들(72)은 방전셀들(64)로 이용되어진다. 이러한 벌집형 방전셀들(64)의 가로 및 세로 폭은 약 1:1 비율로 형성된다.The honeycomb holes 72 formed by the first and second partition walls 70a and 70b are used as discharge cells 64. The width and length of the honeycomb discharge cells 64 are formed at a ratio of about 1: 1.

상기에서와 같이 RF PDP의 방전셀들(64)을 직사각형 또는 벌집형으로 구성할 경우, 방전셀들(64)의 크기는 700㎛ 정도에서도 가로/세로의 폭이 300㎛ 이상 되므로 방전전압이 급격히 증가하는 문제점이 해결된다. 이로써 본 발명에 따른 RF PDP는 유지 방전을 위한 고주파 방전전압 및 고주파 파워를 낮출 수 있게 된다. 또한 방전셀들(64)의 구조 변경에 따른 발광면적의 증가로 발광 효율도 상승하게 된다.As described above, when the discharge cells 64 of the RF PDP are configured in a rectangular or honeycomb type, the discharge cells 64 have a width of 300 μm or more even in a size of about 700 μm, so that the discharge voltage is rapidly increased. The increasing problem is solved. As a result, the RF PDP according to the present invention can lower the high frequency discharge voltage and the high frequency power for sustain discharge. In addition, the luminous efficiency is increased by increasing the light emitting area according to the structure change of the discharge cells 64.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 고주파 플라즈마 디스플레이 패널에서는 방전셀 배치를 델타 구조로 변경함과 아울러 상기 방전셀 구조를 직사각형 또는 벌집형으로 구성함으로써 방전셀의 폭을 크게끔 한다. 이에 따라 고해상도 등의 고주파 플라즈마 디스플레이 패널는 유지 방전을 일으키기 위한 고주파 신호의 주파수를 낮출 수 있고, 유지 방전에 의한 발광 면적의 증가로 인하여 발광효율을 크게 향상시킬 수 있게 된다.As described above, in the high frequency plasma display panel according to the present invention, the discharge cell arrangement is changed to a delta structure and the discharge cell structure is configured to have a rectangular or honeycomb shape, thereby increasing the width of the discharge cell. Accordingly, the high-frequency plasma display panel such as a high resolution can lower the frequency of the high-frequency signal for generating sustain discharge, and can greatly improve the luminous efficiency due to the increase in the light emitting area caused by the sustain discharge.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the technical spirit of the present invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification but should be defined by the claims.

Claims (10)

고주파 신호를 이용한 고주파방전에 의해 영상을 표시하는 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서,In a plasma display panel displaying an image by a high frequency discharge using a high frequency signal, 상부기판 상에 형성되어 고주파신호가 공급되는 고주파전극과,A high frequency electrode formed on the upper substrate and supplied with a high frequency signal; 상/하로 인접되게 배치되는 다수의 방전셀들이 델타형 구조로 배치되도록 형성되는 격벽과,A partition wall formed such that a plurality of discharge cells disposed adjacent to each other up and down are arranged in a delta type structure; 하부기판 상에 형성된 어드레스전극과,An address electrode formed on the lower substrate, 상기 어드레스전극을 덮도록 상기 하부기판 전면에 형성된 제1 유전층과,A first dielectric layer formed on an entire surface of the lower substrate to cover the address electrode; 상기 어드레스전극과 직교하도록 상기 제1 유전층 상에 형성된 스캔전극과,A scan electrode formed on the first dielectric layer to be orthogonal to the address electrode; 상기 스캔전극을 덮도록 상기 하부기판 전면에 형성된 제2 유전층과,A second dielectric layer formed on an entire surface of the lower substrate to cover the scan electrode; 상기 제2 유전층 상에 형성된 보호막과,A protective film formed on the second dielectric layer; 상기 격벽 내벽에 형성된 형광체를 구비하는 것을 특징으로 하는 고주파 플라즈마 디스플레이 패널.And a phosphor formed on the inner wall of the partition wall. 삭제delete 삭제delete 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 스캔전극과 어드레스전극이 교차하는 영역에 상기 스캔전극과 동일 높이로 상기 어드레스전극에 전기적으로 접속되도록 형성되는 보조전극을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 고주파 플라즈마 디스플레이 패널.And an auxiliary electrode formed in an area where the scan electrode and the address electrode cross each other to be electrically connected to the address electrode at the same height as the scan electrode. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 격벽은 상기 방전셀들이 직사각형으로 배치되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 고주파 플라즈마 디스플레이 패널.The barrier rib is formed so that the discharge cells are arranged in a rectangular shape. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, wherein 상기 직사각형 방전셀은 상기 고주파전극의 평행 및 직교방향 폭이 4:3 비율로 형성되는 것을 특징으로 하는 고주파 플라즈마 디스플레이 패널.The rectangular discharge cell is a high frequency plasma display panel, characterized in that the parallel and orthogonal width of the high frequency electrode is formed in a 4: 3 ratio. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 고주파전극의 직교방향 폭은 300㎛ 이상인 것을 특징으로 하는 고주파 플라즈마 디스플레이 패널.The orthogonal width of the high frequency electrode is 300㎛ or high frequency plasma display panel, characterized in that. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 격벽은 상기 방전셀들이 벌집형으로 배치도록 형성되는 것을 특징으로 하는 고주파 플라즈마 디스플레이 패널.The partition wall is a high frequency plasma display panel, characterized in that the discharge cells are formed to be arranged in a honeycomb. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 벌집형 구조의 방전셀은 상기 고주파전극과 직교방향의 폭이 300㎛ 이상인 것을 특징으로 하는 고주파 플라즈마 디스플레이 패널.And wherein the discharge cells of the honeycomb structure have a width in a direction orthogonal to the high frequency electrode of 300 µm or more. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 벌집형 구조의 방전셀은 상기 고주파전극의 평행 및 직교방향 폭이 1: 1 비율로 형성되는 것을 특징으로 하는 고주파 플라즈마 디스플레이 패널.And wherein the discharge cells of the honeycomb structure have a parallel and orthogonal width of the high frequency electrode in a ratio of 1 to 1.
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