KR100442300B1 - 음극선관용 음극 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 내부에 히터가 설치되어 있는 음극슬리브와, 상기 음극슬리브에 의해 지지되며 음극슬리브 상단에 형성된 기체금속과, 상기 기체금속에 의해 지지되며 기체금속 위에 형성된 열전자방출층을 포함하여 형성되는 음극구조체에 있어서, 상기 열전자방출층은 알칼리토류 금속 산화물과 산화이트리움이 도핑된 산화토륨(Y2O3doped ThO2)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 음극선관용 음극에 관한 것으로, 자유바륨의 생성 및 소멸이 안정적으로 수행됨으로써 음극의 수명 열화를 방지하는 음극선관용 음극을 제공한다.

Description

음극선관용 음극{Cathode for Cathode Ray Tube}
본 발명은 음극선관용 음극에 관한 것으로, 보다 구체적으로 고전류밀도 및 장수명을 갖는 음극선관용 음극에 관한 것이다.
일반적으로, 음극선관은 도 1과 같이 형광막이 부착된 패널(1), 패널 내면에 결합된 새도우 마스크(shadow mask)(4) 및 후방으로 깔대기 모양의 네크관(3)을 갖는 펀넬(2)을 포함하여 구성되며, 상기 네크관(3)에는 음극(10)이 내장되어 있는 전자총(5)이 있어 음극(10)으로부터 방출되는 열전자가 집속되어 전자빔이 형성되고, 그 전자빔이 네크부의 외부에 부착된 편향 요크(6)의 자계에 의해 제어되고 새도우 마스크(4)에 의해 색선별이 이루어져 형광막 스크린의 소정의 위치에 충돌되어 형광체를 발광시킴으로써 화상을 표시하는 디스플레이이다.
또한, 상기 음극(10)은 도 2와 같이, 열전자 방출층(Emission Layer)(12), 기체금속(Base Metal)(14), 히터(Heater)(16), 슬리브(Sleeve)(19), 및 지지체(Holder)(18)로 구성되어 있다.
이때, 상기 열전자 방출층(12)의 전자방출물질로는 산화바륨(BaO), 산화스트론튬(SrO), 산화칼슘(Ca0)등의 산화물이 이용되는데, 이와 같은 물질들은 흡습성(Hygroscopic) 물질이므로 물과 빠르게 반응하여 수산화바륨(Ba(OH)2), 수산화스트론튬(Sr(OH)2), 수산화칼슘(Ca(OH)2) 등의 물질로 변화하게 되며, 이러한 수산화물은 계속해서 결정수(Crystallization water)를 흡수하여 열전자방출에 필요한 기공(Porosity)을 감소시키게 된다.
따라서, 실제 음극의 제조에 있어서는 흡습성 물질이 아닌 탄산바륨(BaCO3), 탄산스트론튬(SrCO3), 및 탄산칼슘(CaCO3)등의 알칼리토류 금속 탄산염을 산화물로 변화시키는 방법을 사용하는데, 이하 전자방출층을 중심으로 종래의 음극선관용 음극의 제조방법을 설명한다.
우선, 니켈을 주성분으로 미량의 마그네슘(Mg), 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 텅스텐(W) 등의 환원제가 함유되어 있는 기체금속(14)위에 탄산바륨(BaCO3), 탄산스트론튬(SrCO3), 및 탄산칼슘(CaCO3)등의 알칼리토류 금속 탄산염을 스프레이 코팅한후, 약 900℃ 내지 1000℃의 고온으로 가열하여 활성화시킨다.
상기 활성화 공정에 의해 탄산염은 하기 반응식 1과 같이 산화물과 이산화탄소로 분해되며, 이때, 이산화탄소는 배기되거나(Pumped), 또는 게터(Getter)에 흡착 제거된다.
(Ba, Sr, Ca)CO2-----→ (Ba, Sr, Ca)CO3
상기 활성화 공정 후, 약 800℃ 내지 1050℃의 고온으로 가열함과 동시에 안정한 전자방출을 위해 적당한 전기장을 인가시키는 에이징(Aging) 공정을 수행한다.
상기 에이징 공정은 음극표면에 자유바륨(Free Ba)을 형성하고 안정적인 최적의 전자방출 환경을 만들어주기 위한 것으로, 이와 같은 에이징 공정으로 산화바륨(BaO)이 기체금속 내의 미량의 마그네슘(Mg), 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 또는 텅스텐(W)등의 환원제에 의해 환원되어 방출전자의 발생원인 자유바륨이 형성된다.
하기 반응식 2는 환원제 중 마그네슘(Mg)과 산화바륨(BaO)의 반응예를 보여주는 것이다.
BaO + Mg -------→Ba + MgO
이와 같은 에이징 공정 중 하기 반응식 3과 같이 전기분해 작용에 의해 산화바륨이 곧바로 바륨과 산소로 분해되기도 한다.
BaO -------→Ba + O
이와 같이 활성화공정과 에이징공정을 거쳐 음극선관의 음극이 제조되게 되는데, 상기 에이징 공정중에 형성되는 산소(O)는 음극 표면의 증발과 이온충격 등의 원인으로 진공 중으로 제거되어 결국 음극 내에는 바륨(Ba)의 양이 과잉되어 자유바륨으로 존재할 수 있게 되고 이는 상대적으로 양전하로서 전자를 내어놓기 좋으므로 방출전자의 발생원이 되는 것이다.
이와 같은 방출전자의 형성과정을 보다 상세히 살펴보면 다음과 같다.
결함반응식(Defect Reaction)의 경우에서, 자유바륨은 산소 공격자점(Vacancy)과 동등의 의미를 갖는다. 즉, 자유바륨의 형성은 산소 공격자점의 형성을 수반하며 이 과정에서 전자가 형성되는 것이다. 보다 구체적으로, 산소는 하기 공격자점 형성 반응에 의해 방출이 가능한 자유전자를 형성한다.
O2(g) + V.. 0+ 2e'
위 반응식은 "결함반응식"이라 칭해지는 것으로, 세라믹 재료처럼 이온결합으로 구성된 고체내에서 전기적/화학적 평형을 논할 때 사용된다. 여기서, 우측의 표기처럼 결함의 형태와 전기적 성질을 표기하는 것을 "크로거-빙크(Kroger-Vink)표기법"이라 하며, 통상 위첨자는 전기적 성질을, 아래첨자는 결함의 형태를 의미한다.
결국, 위 반응식에서 알 수 있듯이, 산소자리에 있어야 할 산소(OX O)가 전술한 에이징 공정 중 진공 또는 반응에 의해서 제거되면(O2(g)), 산소 공격자점(V.. 0)이 형성되며, 이는 전기적으로 양성이므로 전기적 평형을 이루기 위해 이에 대응되는 전자(e')가 형성된다. 따라서, 산소의 제거가 많을수록 전자의 형성이 많아지게 된다. 여기서, 물론 전자의 공급원은 실제 전자를 보유하고 있는 자유바륨이다.
그러나, 이와 같이 종래의 음극선관의 음극 제조공정에 있어서, 상기 에이징 공정 중 산화바륨과 환원제의 화학반응에 의해 바륨 이외에 산화마그네슘과 같은 고저항의 부산물이 형성되어 전자방출층과 기체금속의 경계면에 중간층을 형성하게 된다. 이와 같은 부산물은 수명 동작 동안 성장하여 전자방출층의 줄열(Joule heating)의 발생 원인이 되어 전자방출층에서 자유바륨을 증발시키는 문제점이 발생된다.
또한, 음극은 약 1000℃의 고온에서 동작하므로 입자간에 점진적인 소결(sintering)이 진행되어 입자의 조대화(coarsing)가 일어나게 되어, 전자방출층의 전기전도도가 감소되고 전자의 기공 전도도(Pore conductivity)가 감소되어 수명 열화를 야기하게 된다.
또한, 고온에서 음극이 동작시 바륨(Ba) 또는 산화바륨(BaO)이 증발될 수 있고, 잔류기체에 의한 화학반응에 의해 열화 손실이 발생될 수 있어, 결국 자유바륨(Ba)이 쉽게 소멸되는 문제점이 발생된다.
상기 문제점을 해결하기 의해, 전자방출층에 특정의 첨가물질을 추가하여 음극을 제조하는 방법이 제안되었다.
미국 특허 제5075589호에는 산화바륨(BaO), 산화스트론튬(SrO)을 포함하는 전자방출층 내에, 산화이트리움(Y2O3), 산화스칸디움(Sc2O3), 또는 희토류금속산화물(예로, 산화유로피움(Eu2O3))의 미세입자를 첨가하여 음극의 전자방출 특성을 개선하는 방법이 개시되어 있다.
또한, 대한민국 특허 제97-51633호에는 마그네슘, 실리콘, 지르콘, 망간, 텅스텐, 또는 토륨(Th)이 적어도 1종 포함된 활성화 금속 또는 그 산화물 및 산화바륨을 주성분으로 하고, 산화스트론튬, 산화칼슘, 산화스칸디움, 또는 산화알루미늄이 적어도 1종 함유된 전자방출층을 구비한 음극구조체가 개시되어 있다.
그러나, 상기 방법들은 어느 정도 자유바륨의 소결 및 증발을 억제하는 효과가 인정되기는 하지만 아직 미흡하다.
결국, 음극의 수명 열화의 발생은 자유바륨의 생성 및 소멸과 관련되는 것으로서, 장수명 및 고전류밀도를 갖는 음극의 제조를 위해서는 자유바륨의 생성 및 소멸 메커니즘을 제어하고, 입자의 소결과 중간층을 억제하는 방안이 요구된다 하겠다.
본 발명은 상기 문제점을 감안하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 자유바륨의 생성 및 소멸이 안정적으로 수행됨으로써 음극의 수명 열화를 방지하는 음극선관용 음극을 제공하는 것이다.
도 1은 일반적인 음극선관의 개략적인 단면도이다.
도 2는 종래의 음극선관용 음극의 개략적 단면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 음극선관용 음극의 개략적 단면도이다.
도 4는 본 발명에 따른 음극선관용 음극을 구성하는 전자방출층을 보여주는 모식도이다.
도 5는 본 발명에 따른 산화이트리움의 도핑농도에 따른 이온전도도를 나타내는 그래프이다.
도 6은 본 발명에 따른 산화이트리움이 도핑된 산화토륨을 X-선 광전자분광법(XRF)에 의해 분석한 결과를 도시한 그래프이다.
도 7 내지 도 11은 본 발명과 종래기술에 따른 음극선관용 음극의 특성을 비교하기 위해 수행한 시험결과에 관한 것으로서, 각각
도 7은 동작시간 동안 최대음극전류의 상대치를 도시한 그래프이고,
도 8은 전자방출물질에 첨가되는 첨가물질의 함량에 따른 평균고장도달시간(MTTF)을 보여주는 그래프이고,
도 9는 피독특성을 보여주기 위한 그래프이고,
도 10은 최대음극전류와 바륨(Ba) 함량의 관련성을 알아보기 위한 오제전자현미경(Auger Electron Spectroscopy : AES) 분석결과이고,
도 11은 동작시간에 따른 표면의 바륨 및 산소 함량 변화를 오제전자현미경으로 분석한 결과를 도시한 그래프이다.
도 12a 및 도 12b는 각각 종래 기술 및 본 발명에 따른 음극선관용 음극의 메커니즘을 도시한 것이다.
도 13은 바륨과 토륨의 물질특성을 비교한 것이다.
<도면의 주요부에 대한 설명>
120 : 열전자방출층
200 : 알칼리토류 금속 산화물
300 : 산화이트리움이 도핑된 산화토륨
본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해서, 알칼리토류 금속 산화물과 산화이트리움이 도핑된 산화토륨(Y2O3doped ThO2)으로 이루어진 열전자방출층을 구비한 음극선관용 음극을 제공한다.
즉, 본 발명은 산화이트리움이 도핑된 산화토륨을 음극선관용 음극의 열전자방출층에 첨가함으로써, 음극의 고전류밀도 및 장수명을 실현한 것이다.
일반적으로 세라믹재료 중에 이온전도도가 매우 높은 물질들을 쾌속이온전도체(Fast Ion Conductor) 또는 고체전해질(Solid Electrolyte)로 칭하는데, 그 중 특히 산소가 빠르게 전도될 수 있는 물질을 산소이온전도체(Oxygen Ion Conductor)라 명명한다.
이와 같은 산소이온전도체는 결함(Defect)의 수가 도핑(doping)의 농도에 의해 잘 제어되는데, 그 원리를 일반적으로 산소이온전도체로 잘 알려진 산화칼슘(CaO)을 도핑한 산화지르코늄(ZrO2)을 예로 들어 설명하기로 한다.
하기 반응식 5와 같이, 산화지르코늄에 1몰의 산화칼슘을 도핑하면, 산화지르코늄 내에 1몰의 산소 공격자점이 형성된다.
결국, 위 반응식 5에서 알 수 있듯이, 산화지르코늄 내에 산화칼슘을 도핑하면, 칼슘(Ca)이 지르코늄 자리에 들어가 치환되면서 원자결합수가 1개인 지르코늄(Zr) 자리에 원자결합수가 2인 칼슘이 들어가므로, 원자결합수가 1개 과잉되게 된다.
이때 과잉된 원자결합수 1개는 산소가 결합될 자리이지만 이전에 평형을 이루던 산소는 하나이므로, 원자결합수 1개는 결합에 참여하지 못하고 비어있게 되며, 이와 같은 빈자리가 산소 공격자점(Vacancy)이 된다. 따라서, 상기 산소 공격자점이 산소원자의 이동통로가 되어 산소가 빠르게 전도될 수 있는 것이다.
한편, 자유바륨의 형성은, 전술한 바와 같이, 산소 공격자점의 형성을 수반하게 되며 이 과정에서 전자가 형성되게 된다. 이와 같은 메커니즘을 고려할 때, 산소이온전도체를 열전자방출층에 첨가할 경우 산소의 이동통로가 되는 산소 공격자점이 보다 많이 형성되게 되어 산소의 이동과 산소의 제거가 훨씬 원활하게 되어, 방출전자의 전류밀도가 향상되게 된다.
또한, 이와 같은 산소의 이동과 제거는 수명 동작 동안 지속적으로 발생되게 되어 음극의 전자방출이 지속적이고 안정적으로 수행되게 된다.
본 발명은 이와 같은 산소이온전도체 물질 중 산화이트리움이 도핑된 산화토륨을 음극선관용 음극의 전자방출층에 첨가한 것으로, 그 도핑 반응식은 하기 반응식 6과 같다.
여기서, 본 발명에 적용된 산화토륨(ThO2)과 산화이트리움(Y2O3)은 피독저항이 뛰어난 물질이므로, 산화바륨이 음극선관의 내부에 잔류하는 잔류기체와 화학반응을 일으켜 열화 손실되는 것도 방지하게 된다.
이하, 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 음극선관용 음극의 개략적 단면도로서, 본 발명의 일 실시예에 따른 음극선관용 음극은 도 3과 같이 내부에 히터(160)가 설치되어 있는 음극슬리브(190)와, 상기 음극슬리브(190)에 의해 지지되며 음극슬리브(190) 상단에 형성된 기체금속(140)과, 상기 기체금속(140)에 의해 지지되며 기체금속(140) 위에 형성된 열전자방출층(120)을 포함하여 형성되는 음극선관용 음극에 있어서, 상기 열전자방출층(120)은 알칼리토류 금속 산화물과 산화이트리움이 도핑된 산화토륨(Y2O3doped ThO2)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 음극선관용 음극에 관한 것이다.
이때, 상기 히터(160)는 열발생원으로서 텅스텐(W)이 주성분인 열저항선에 알루미나(Al2O3)가 절연층으로 코팅되어 형성될 수 있고, 상기 음극슬리브(190)는 상기 히터(160)로부터 상기 기체금속(140)에 열을 전달하는 것으로서 니켈-크롬(Ni-Cr)을 주성분으로 하여 형성될 수 있다.
상기 기체금속(140)은 상기 열전자방출층(120)의 환원을 돕는 것으로 니켈(Ni)을 주성분으로 하고, 마그네슘(Mg), 실리콘(Si) 등의 환원제가 미량 함유되어 형성될 수 있다. 또한, 상기 슬리브(190)를 지지하는 것으로 슬리브(190) 하부에 지지체(180)가 형성된다.
상기 전자방출층(120)은 도 4와 같이, 알칼리토류 금속 산화물(200)에 산화이트리움이 도핑된 산화토륨(300)이 골고루 분산되어 있으며, 이때, 상기 알칼리토류 금속 산화물(200)은 산화바륨(BaO)을 주성분으로 하며, 산화스트론튬(SrO), 산화칼슘(CaO), 산화스칸디움(Sc2O3) 및 산화알루미늄(Al2O3)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 물질이 함유된 것이 바람직하고, 상기 산화이트리움이 도핑된 산화토륨(300)의 입자는 0.5 내지 2.5㎛의 입도를 갖는 것이 바람직하다.
또한, 상기 산화이트리움이 도핑된 산화토륨에서 산화이트리움의 도핑 농도는 10원자% 이내인 것이 바람직하다.
도 5는 산화이트리움의 도핑농도에 따른 이온전도도를 나타내는 그래프로서, 이온전도도가 높을수록 산소 제거가 용이하여 방출전자형성이 용이하게 된다. 도 5를 통해, 도핑 농도가 10원자%를 초과하게 되면 도핑이 되지 않은 경우와 같은 10[ohm ×cm]-5이하로 이온전도도가 떨어짐을 알 수 있다. 보다 바람직한 산화이트리움의 도핑농도는 2 내지 6원자%이다.
이와 같은 알칼리토류 금속산화물과 산화이트리움이 도핑된 산화토륨으로 이루어진 전자방출층은 다음과 같은 방법에 의해서 제조된다.
먼저, 극미량의 질산이트리움(Y(NO3)3)을 질산토륨(Th(NO3)4)에 넣고 고르게 분산 첨가되도록 약 24시간 동안 혼합한다.
그 후, 상기 혼합물을 알칼리토류 질산염((Ba, Sr, Ca)(NO3)2)에 소정의 알콜및 첨가제와 함께 넣어 현탁액으로 만든다. 상기 현탁액으로 이미 형성된 기체금속 위에 전자방출층을 형성한다. 이때, 전자방출층의 평균밀도는 약 0.95mg/mm3, 부피는 약 0.59mm3(높이 0.07mm, 직경 1.64mm)로 하는 것이 바람직하다.
그 후, 활성화 및 에이징 공정을 수행하면 탄산염을 거쳐 산화물 형태로 변환되어 전자방출층이 완성된다.
하기 반응식 7은 활성화 및 에이징 공정이 수행되는 동안 질산이트리움이 도핑된 질산 토륨이 산화이트리움이 도핑된 산화 토륨으로 변환되는 과정을 보여주는 것이다.
1. Y(NO3)3도핑된 Th(NO3)4+ 2Na2CO3→Y2(CO3)3도핑된 Th(CO3)2+ 4NaNO(제거)
2. Y(CO3)3도핑된 Th(CO3)2→Y2O3도핑된 ThO2+ 2CO2(제거)
이와 같이 제조된 전자방출층을 구성하는, 산화이트리움이 도핑된 산화 토륨에서 산화이트리움이 원하는 대로 도핑되었는지 여부는 X-선 광전자분광법(XRF)에 의해 확인할 수 있다.
X-선 광전자분광법(XRF)은 고체표면과 계면의 구성원소나 화학결합 상태를 밝혀내는 전자 분광법의 하나로서, 금속, 촉매, 반도체소자재료, 세라믹스, 박막, 고분자피막 등의 연구에 널리 이용되며, 특히 물질 내부의 특정 원소의 결합에너지는 화학적 환경에 따라 다르므로, 다시 말하면 원자의 화학결합 상태가 다르면 결합에너지 값은 보통 수 eV가 변화하므로, 이 변화된 값으로 화학결합 상태와 원자가전자의 상태를 확인할 수 있는 것이다.
도 6은 산화이트리움이 도핑된 산화토륨을 X-선 광전자분광법(XRF)에 의해 분석한 결과를 도시한 그래프로서, 도 6에서와 같이, 산화토륨(ThO2) 내의 토륨(Th)은 피크가 (A)에서 나오는 반면, 산화토륨 내에 미량의 산화이트리움(Y2O3)이 도핑되어 있으면 토륨의 피크는 (B)에서 나온다. 따라서, 상기 방법에 의해 산화토륨에 산화이트리움의 도핑 유무를 쉽게 확인할 수 있다.
상기 X-선 광전자분광법(XRF) 이외에 이차이온질량분광분석기(SIMS)를 이용하여 판단하는 것도 가능하다.
본 발명자는 상기 방법에 의해 제조된 전자방출층을 구비한 음극선관용 음극(이하, '본 발명'이라 칭함)의 성능 향상 여부를 확인하기 위해서, 알칼리토류 금속 산화물로만 구성된 전자방출층을 구비한 음극선관용 음극(이하 '종래기술 1'이라 칭함), 및 알칼리토류금속 산화물에 토륨(Th)이 첨가된 전자방출층을 구비한 음극선관용 음극(이하 '종래기술 2'이라 칭함)과 대비하는 다양한 시험을 수행하였다.
도 7 내지 도 11은 그 결과를 나타내는 그래프로서 이하 설명한다.
도 7은 동작시간 동안 최대음극전류의 상대치를 도시한 그래프로서, 도 7에서 알 수 있듯이, 본 발명(c)은 종래 기술 1(a)과 종래 기술 2(b)에 비해서 최대음극전류가 클 뿐 아니라, 동작시간이 경과됨에 따라 그 감소량도 작음을 알 수 있다.
도 8은 전자방출물질에 첨가되는 첨가물질의 함량에 따른 평균고장도달시간(MTTF)을 보여주는 그래프이다.
평균고장도달시간이란 최대음극전류 변화가 초기값의 50%에 해당될 때의 시간을 의미하는 것으로 당연히 그 시간이 길면 유리하다 하겠다.
도 8에 알 수 있듯이, 종래 기술 2(b)의 경우는 첨가물질 토륨의 함량이 약 0.04중량%에서 최대 30000시간 가량 되며, 본 발명(c)의 경우는 첨가물질인 산화이트리움이 도핑된 산화토륨의 함량이 약 0.02중량%에서 최대 40000시간 가량 되었다.
또한, 본 발명(c)의 경우 산화이트리움이 도핑된 산화토륨의 함량이 0.01 내지 0.10 중량%의 범위에서 종래 기술 2(b)보다 평균고장도달시간이 긴 것을 알 수 있으므로, 그 함량 범위가 바람직하다. 보다 바람직하게는 최대 시간을 갖는 0.02중량%이다.
도 9는 피독특성을 보여주기 위한 그래프로서, 방출전류가 피독된 후 피독 시점으로부터 회복되는 시간을 살펴보면 피독에 대한 저항 정도를 알 수 있다.
도 9에서 알 수 있듯이, 산화이트리움(Y2O3) 보다는 산화토륨(ThO2)의 경우가 회복이 빠르고, 그 보다는 산화이트리움이 도핑된 산화토륨(Y2O3도핑 ThO2)의 경우가 빠르다. 방출전류가 포화의 약 80% 정도로 회복되는 시간은 산화이트리움이 15분, 산화토륨이 13분, 산화이트리움이 도핑된 산화토륨이 6분이다.
결국, 이와 같이 회복이 빠르다는 것은 피독에 대한 저항이 높음을 의미하며, 따라서 산화이트리움이 도핑된 산화토륨이 적용되는 본 발명의 경우 알칼리토류 금속 산화물(특히, 산화바륨)이 음극선관 내의 잔류기체와 화학반응하여 열화 손실되는 것이 감소되어 고전류밀도 및 장수명을 실현할 수 있다.
도 10은 최대음극전류와 바륨(Ba) 함량의 관련성을 알아보기 위한 오제전자현미경(Auger Electron Spectroscopy : AES) 분석결과이다.
오제전자현미경에 의한 분석은 수십 나노미터 크기로 집속된 전자빔을 재료의 표면에 입사시켜 방출되는 오제 전자의 에너지를 측정함으로써 재료 표면을 구성하는 원소의 종류 및 양을 분석하는 방법이다.
도 10에서, 동작시간에 따라 변하는 최대음극전류의 변화량은 결국 동작시간에 따라 변하는 표면의 바륨의 변화량과 동일한 양상을 가짐을 알 수 있는데, 이는 표면의 바륨의 양이 전자방출량을 결정짓기 때문이다.
이와 같은 점을 고려할 때, 본 발명이 종래 기술 2 보다 동작시간에 따른 표면의 바륨량이 많다는 것은 결국 본 발명이 종래 기술 2 보다 고전류밀도 및 장수명화 되었음을 의미하는 것이다.
도 11은 동작시간에 따른 표면의 바륨 및 산소 함량 변화를 오제전자현미경으로 분석한 결과를 도시한 그래프이다.
전술한 바와 같이, 산소의 제거가 많을수록 자유바륨의 형성이 많아져 결국 방출전자가 많아지게 된다.
도 11에와 같이, 종래 기술 2의 경우는 동작 시간에 따라 표면의 산소량이 계속 증가되는 반면, 본 발명의 경우는 동작 시간에 따라 표면의 산소량이 거의 동일하게 유지된다. 결국, 본 발명의 경우는 산소의 제거가 수명 동작 동안 지속적으로 발생하여 음극의 전자방출원을 안정적으로 형성함을 의미한다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 음극선관용 음극은 종래 기술에 따른 음극선관용 음극보다 그 수명 성능이 향상됨을 알 수 있는데, 이는 도 12a 및 도 12b에 도시된 메커니즘을 보면 명확히 알 수 있다.
도 12a 및 도 12b는 각각 종래 기술 1 및 본 발명에 따른 음극선관용 음극의 메커니즘을 도시한 것으로서, 종래의 경우는 수명 동작 동안 바륨의 증발량이 많으며 소결이 진행되어 결정이 조대화 되는 반면, 본 발명의 경우는 수명 동작 동안 높은 산소이온전도도에 의해 산소의 제거가 용이하여 음극의 전자방출원이 안정적으로 형성되며, 바륨의 증발량이 적고 소결이 적게 일어난다.
이와 같이, 본 발명의 경우에 바륨의 소결이 적게 일어나는 이유는 도 13과 같이 토륨의 융해열, 증발열, 및 열전도도가 높기 때문이다.
상기 구성에 의한 본 발명에 따른 음극선관용 음극은 산화이트리움이 도핑된 산화토륨을 전자방출층에 소량으로 첨가함으로써, 다량의 산소 공격자점에 의한 높은 산소이온전도도에 의해 전자방출층 내에 산소의 제거를 도와 자유바륨의 형성을 촉진하며, 주요 첨가물질인 토륨의 높은 융해열, 증발열, 및 열전도도에 의해 바륨의 증발을 억제하고, 이와 같은 이유로 전자방출층 내의 입자 소결을 적게하여 입자 조대화를 억제하게 된다.
상기 작용에 의해 결국, 고전류밀도 및 장수명의 음극선관용 음극을 실현할 수 있게 된다.

Claims (5)

  1. 내부에 히터가 설치되어 있는 음극슬리브와, 상기 음극슬리브에 의해 지지되며 음극슬리브 상단에 형성된 기체금속과, 상기 기체금속 위에 형성된 열전자방출층을 포함하여 형성되는 음극구조체에 있어서,
    상기 열전자방출층은 알칼리토류 금속 산화물과 산화이트리움이 도핑된 산화토륨(Y2O3doped ThO2)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 음극선관용 음극.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 알칼리토류 금속 산화물은 산화스트론튬(SrO), 산화칼슘(CaO), 산화스칸디움(Sc2O3) 및 산화알루미늄(Al2O3)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 물질과, 산화바륨(BaO)을 포함하는 것을 특징으로 하는 음극선관용 음극.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 산화이트리움이 도핑된 산화토륨(Y2O3doped ThO2) 입자는 0.5 내지 2.5㎛의 입도를 갖는 것을 특징으로 하는 음극선관용 음극.
  4. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 산화이트리움이 도핑된 산화토륨(Y2O3doped ThO2)에서 산화이트리움의도핑 농도는 10원자% 이내인 것을 특징으로 하는 음극선광용 음극.
  5. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 열전자방출층에서 산화이트리움이 도핑된 산화토륨(Y2O3doped ThO2)의 함유량은 0.01 내지 0.10 중량%인 것을 특징으로 하는 음극선관용 음극.
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