KR100433847B1 - 스토리지 노드 형성 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기존의 타원형의 패턴에 비해 슬로프가 적어 깊은 식각이 가능하도록 하는 직사각형의 스토리지 노드 패턴을 형성하기 위해 1차로 포토레지스트를 이용하여 스토리지 노드의 장축에 해당하는 부분을 형성한 후 2차로 스토리지 노드의 단축에 해당하는 부분을 형성하는 이중 노광에 의해 직사각형의 패턴으로 스토리지 노드를 형성함으로써 캐패시터의 정전용량을 확보할 수 있는 이점이 있다.

Description

스토리지 노드 형성 방법{METHOD FOR FORMING OF STORAGENODE}
본 발명은 기존의 타원형의 패턴에 비해 슬로프가 적어 깊은 식각이 가능하도록 하는 직사각형의 스토리지 노드 패턴을 형성하기 위해 1차로 포토레지스트를이용하여 스토리지 노드의 장축에 해당하는 부분을 형성한 후 2차로 스토리지 노드의 단축에 해당하는 부분을 형성하는 이중 노광에 의해 직사각형의 패턴으로 스토리지 노드를 형성하는 스토리지 노드 형성 방법에 관한 것이다.
일반적으로 디램(DRAM) 등과 같은 반도체 메모리 소자의 집적도가 증가됨에따라 메모리 셀(Memory Cell)이 차지하는 면적은 급격하게 축소되는 실정이다. 그러나 소자의 동작을 위해서는 단위 메모리 셀당 일정량 이상의 정전용량(Capacitance)이 반드시 확보되어야 하기 때문에 메모리 셀의 동작에 필요한 정전 용량은 그대로 유지시키면서 캐패시터가 차지하는 면적을 최소화시키기 위한 고도 의 공정기술 개발과 소자의 신뢰성 확보가 큰 문제점으로 대두된다.
도1a 내지 도1b는 종래 기술에 의한 스토리지 노드 패턴을 나타낸 단면도이다.
먼저 도1a에 도시된 바와 같이 종래의 기술에 의한 슬로프진 타원형의 제 1 포토 레지스트를 이용하면 도1b에 도시된 바와 같은 스토리지 노드 패턴이 형성된다.
그런데 이러한 패턴은 소자의 고집적화로 패턴이 미세화되면서 패터닝이 어려워지고 장축 확보가 어려워 원하는 캐패시터의 정전용량 확보가 어려운 문제가 있었다.
또한, 면적확보가 어려워 식각 깊이를 조절하여 캐패시터 정전용량을 확보하려는 기술을 사용하고 있으나 포토레지스트 패턴의 미세화에 따른 패턴의 균일도나공정 마진의 확보가 어려운 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 창작된 것으로서, 본 발명의 목적은 기존의 타원형의 패턴에 비해 슬로프가 적어 깊은 식각이 가능하도록 하는 직사각형의 스토리지 노드 패턴을 형성하기 위해 1차로 포토레지스트를 이용하여 스토리지 노드의 장축에 해당하는 부분을 형성한 후 2차로 스토리지 노드의 단축에 해당하는 부분을 형성하는 이중 노광에 의한 스토리지 노드 형성 방법을 제공하는 것이다.
도1a 내지 도1b는 종래 기술에 의한 스토리지 노드 패턴을 나타낸 단면도이다.
도2는 본 발명에 의한 스토리지 노드를 패터닝 하기 위한 포토레지스트 패턴들이다.
도3a 내지 도3b는 본 발명에 의한 스토리지 노드를 나타낸 단면도들이다.
- 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 -
10 : 네거티브 포토 레지스트 20 : 포지티브포토레지스트
30 : 제 1 포토레지스트 패턴 40 : 제 2 포토레지스트 패턴
상기와 같은 목적을 실현하기 위한 본 발명은 포토레지스트를 이용한 스토리지 노드 형성방법에 있어서, 스토리지 노드의 장축을 형성하기 위해 네거티브 포토레지스트 패턴을 이용한 노광 공정을 하는 단계와, 상기 네거티브 포토 레지스트 패턴 상부에 스토리지 노드 단축을 형성하기 위한 포지티브 포토 레지스트 패턴을 형성한 후 노광하여 직사각형 패턴의 스토리지 노드를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 스토리지 노드 형성 방법에 관한 것이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다. 또한 본 실시예는 본 발명의 권리범위를 한정하는 것은 아니고, 단지 예시로 제시된 것이며 종래 구성과 동일한 부분은 동일한 부호 및 명칭을 사용한다.
도2는 본 발명에 의한 스토리지 노드를 패터닝 하기 위한 포토레지스트 패턴들로, 도2의 (가)는 스토리지 노드 장축에 해당하는 부분을 패턴닝하기 위한 네커티브 포토 레지스터의 제 1 레지스트 패턴이고, (나)는 스토리지 노드의 단축에 해당하는 부분을 패터닝하기 위한 포지티브 포토 레지스트의 제 2 레지스트 패턴, (다)는 제 1 레지스트 패턴과 제 2 레지스트 패턴을 서로 교차하여 이중 노광을 하기 위한 스토리지 노드 형성용 레지스트 패턴을 나타낸 것이다.
이때, 장축용 패턴인 제 1 레지스트 패턴은 상대적으로 큰 패턴을 네거티브 포토레지스트로 형성하는데 이는 네거티브 포토레지스트가 세정에 이용되는 용매 예를 들어 솔벤트등에 반응해도 녹아내리지 않기 때문에 사용된다. 또한, 제 2 레지스트 패턴은 장축용 제 1 레지스트 패턴에 비해 미세하게 형성한다.
도3a 내지 도3b는 본 발명에 의한 스토리지 노드를 나타낸 단면도들이다.
도3a에 도시된 바와 같이 상기 도2에 나타난 레지스트 패턴들을 이용하여 직사각형의 슬로프가 작은 제 2 포토 레지스트 패턴으로 패터닝 하면 도3b에 도시된 바와 같이 바닥 부분의 CD(Critical dimension)가 확보되는 스토리지 노드가 형성이 된다.
상기한 바와 같이 본 발명은 기존의 타원형의 패턴에 비해 슬로프가 적어 깊은 식각이 가능하도록 하는 직사각형의 스토리지 노드 패턴을 형성하기 위해 1차로포토레지스트를 이용하여 스토리지 노드의 장축에 해당하는 부분을 형성한 후 2차로 스토리지 노드의 단축에 해당하는 부분을 형성하는 이중 노광에 의해 직사각형의 패턴으로 스토리지 노드를 형성함으로써 기존의 타원형 보다 식각시 높이를 높일 수 있어 캐패시터의 정전 용량을 증가시켜 반도체 소자의 신뢰성을 확보할 수 있는 이점이 있다.

Claims (2)

  1. 포토레지스트를 이용한 스토리지 노드 형성방법에 있어서,
    스토리지 노드의 장축을 형성하기 위해 네거티브 포토레지스트 패턴을 이용한 노광 공정을 하는 단계와,
    상기 네거티브 포토 레지스트 패턴 상부에 스토리지 노드 단축을 형성하기 위한 포지티브 포토 레지스트 패턴을 형성한 후 노광하여 직사각형 패턴의 스토리지 노드를 형성하는 단계를
    포함하는 것을 특징으로 하는 스토리지 노드 형성 방법.
  2. 삭제
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