KR100429515B1 - Fabrication method for optical communication elements with mushroom type plating layer - Google Patents
Fabrication method for optical communication elements with mushroom type plating layer Download PDFInfo
- Publication number
- KR100429515B1 KR100429515B1 KR10-2001-0085810A KR20010085810A KR100429515B1 KR 100429515 B1 KR100429515 B1 KR 100429515B1 KR 20010085810 A KR20010085810 A KR 20010085810A KR 100429515 B1 KR100429515 B1 KR 100429515B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- plating
- forming
- optical communication
- photoresist layer
- Prior art date
Links
- 238000007747 plating Methods 0.000 title claims abstract description 62
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 36
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 235000001674 Agaricus brunnescens Nutrition 0.000 title claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 28
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 45
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 39
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910002065 alloy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
Abstract
본 발명은 광통신 소자 제작 방법에 있어서, 반도체 기판 상에 도금을 실시하기 위한 금속층을 형성하는 제1 금속층 형성단계; 상기 제1 금속층 상에 포토레지스트 층을 형성하고, 상기 포토레지스트 층의 소정 부분을 식각하여 관통홀을 형성하는 사진 식각 단계; 상기 관통홀을 통해 노출된 제1 금속층에 도금을 실시하여 상기 포토레지스트 층보다 두꺼운 버섯형상의 도금층을 형성하는 도금 단계; 상기 도금층 및 포토레지스트 층 상에 제2 금속층을 형성하는 제2 금속층 형성 단계; 상기 포토레지스트 층을 제거하므로써, 상기 포토레지스트 층에 증착된 제2 금속층을 함께 상기 반도체 기판으로부터 제거하는 리프트-오프 단계를 포함하는 버섯형상의 도금층을 구비한 광통신 소자 제작 방법을 개시한다. 상기와 같은 광통신 소자 제작 방법은 도금층 및 제2 금속층 형성을 위한 별도의 포토레지스트 층 형성을 실시하지 않고, 도금층 형성을 위한 포토레지스트 층을 제2 금속층 형성에 이용한 다음 리프트 오프 공정을 실시하므로써, 포토레지스트 층을 한번만 형성하여 공정 시간이 단축되고 자재 절감의 효과를 얻을 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method for fabricating an optical communication device, comprising: forming a metal layer for plating on a semiconductor substrate; A photolithography step of forming a photoresist layer on the first metal layer and forming a through hole by etching a predetermined portion of the photoresist layer; A plating step of plating the first metal layer exposed through the through hole to form a mushroom plating layer thicker than the photoresist layer; A second metal layer forming step of forming a second metal layer on the plating layer and the photoresist layer; Disclosed is a method of fabricating an optical communication device having a mushroom-like plating layer comprising a lift-off step of removing a second metal layer deposited on the photoresist layer together from the semiconductor substrate by removing the photoresist layer. In the optical communication device fabrication method as described above, the photoresist layer for forming the plating layer is used for forming the second metal layer without performing a separate photoresist layer for forming the plating layer and the second metal layer. By forming the resist layer only once, the process time can be shortened and material savings can be obtained.
Description
본 발명은 광통신 소자 제작 방법에 관한 것으로서, 특히 광통신 소자의 전극을 형성하는 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing an optical communication element, and more particularly, to a method for forming an electrode of an optical communication element.
광통신은 전기신호를 광신호로 변환하여 송신하고, 수신된 광신호를 다시 전기신호로 변환하여 통신이 이루어진다. 이때, 송신측 및 수신측에는 각각 레이저 다이오드(LD;laser diode), 포토 다이오드(photo diode) 등과 같은 광통신 소자를이용하여 전기신호를 광신호로 혹은 그 역으로 변환하는 광전변환기를 구성하게 된다. 이때, 광통신 소자는 전기적으로 연결되는 반도체 기판을 포함한다. 따라서, 반도체 기판은 통전성 메탈 등으로 이루어진 전극을 구비해야 한다. 전극이 구비된 반도체 기판은 와이어 본딩(wire bonding) 또는 플립 칩 본딩(flip chip bonding) 공정을 통해 전기적 연결이 이루어진다. 이때, 반도체 기판의 전극 연결 공정에서 반도체 기판에 외력이 가해져 반도체 기판이 손상되는 것을 방지하기 위하여, 반도체 기판 상에 완충층을 형성하고 본딩 패드(bonding pad)와 같은 연결부재를 결합하게 된다. 상기 완충층은 일반적으로 금도금을 이용한 금층(Au-layer)을 형성한다.Optical communication converts an electrical signal into an optical signal and transmits it, and converts the received optical signal into an electrical signal to perform communication. In this case, a photoelectric converter converting an electric signal into an optical signal or vice versa by using an optical communication element such as a laser diode (LD), a photo diode, or the like, is configured on the transmitting side and the receiving side, respectively. In this case, the optical communication device includes a semiconductor substrate electrically connected. Therefore, the semiconductor substrate should have an electrode made of an electrically conductive metal or the like. The semiconductor substrate provided with the electrode is electrically connected through a wire bonding or flip chip bonding process. In this case, in order to prevent the semiconductor substrate from being damaged by external force applied to the semiconductor substrate during the electrode connecting process, a buffer layer is formed on the semiconductor substrate and a connection member such as a bonding pad is bonded. The buffer layer generally forms an Au layer using gold plating.
도 1a 내지 도 1i는 종래의 광통신 소자 제작 방법을 설명하기 위한 도면으로 특히, 광통신 소자의 완충층이 형성되는 과정을 나타내는 도면이다.1A to 1I are views for explaining a conventional optical communication device fabrication method, and in particular, a view showing a process of forming a buffer layer of an optical communication device.
우선 도 1a는 반도체 기판(11)을 나타낸 것으로, 도시되지는 않지만 광통신 소자의 기능에 따라 다수의 박막층들로 이루어진 기판이다.First, FIG. 1A illustrates a semiconductor substrate 11, which is not illustrated but is a substrate composed of a plurality of thin film layers depending on the function of an optical communication device.
상기 반도체 기판(11) 금 도금을 위한 씨드층(seed-layer)(12)을 도 1b에 도시된 바와 같이 형성한다. 상기 씨드층(12)은 금속 증착방법을 이용하여 적층된다.A seed layer 12 for gold plating of the semiconductor substrate 11 is formed as shown in FIG. 1B. The seed layer 12 is laminated using a metal deposition method.
다음으로 도 1c 및 도 1d에 도시된 바와 같이, 상기 씨드층(12) 상에 포토레지스트 층(13a)을 형성하고, 소정 부분을 사진 식각 방법을 이용하여 관통홀(13b)을 형성한다.Next, as shown in FIGS. 1C and 1D, the photoresist layer 13a is formed on the seed layer 12, and the through hole 13b is formed in a predetermined portion using a photolithography method.
상기 관통홀(13b)을 통해 노출된 씨드층(12) 상에 금 도금을 실시하여 도 1e와 같이 도금층(14)을 형성한다. 상기 도금층(14)는 광통신 소자의 완충층이 된다.Gold plating is performed on the seed layer 12 exposed through the through hole 13b to form a plating layer 14 as shown in FIG. 1E. The plating layer 14 becomes a buffer layer of the optical communication element.
상기 도금층(14)이 완전히 형성되면 도 1f와 같이 포토레지스트 층(13a)을 제거하고, 도 1g와 같이 돌출부(15b)를 가지는 포토레지스트 층(15a)을 상기 씨드층(12) 상에 형성한다. 상기 포토레지스트 층(15a)는 상기 도금층(14)의 상면보다 더 높게 형성되고, 상기 돌출부(15b)는 상기 도금층(14) 상으로 돌출된다.When the plating layer 14 is completely formed, the photoresist layer 13a is removed as shown in FIG. 1F, and the photoresist layer 15a having the protrusion 15b is formed on the seed layer 12 as shown in FIG. 1G. . The photoresist layer 15a is formed higher than the top surface of the plating layer 14, and the protrusion 15b protrudes onto the plating layer 14.
상기 돌출부(15b)를 가지는 포토레지스트 층(15a) 상에 금속 증착 공정을 실시하여, 도 1h와 같이 상기 도금층(14) 및 포토레지스트 층(15a) 상에 각각 금속막(16)을 형성한다. 상기 도금층(14) 상에 형성된 금속막(16)은 상기 반도체 기판의 전기적 접속을 위한 본딩 패드 역할을 하게 된다.A metal deposition process is performed on the photoresist layer 15a having the protrusion 15b to form a metal film 16 on the plating layer 14 and the photoresist layer 15a as shown in FIG. 1H. The metal film 16 formed on the plating layer 14 serves as a bonding pad for electrical connection of the semiconductor substrate.
다음으로, 도 1i와 같이, 리프트-오프(lift-off) 공정을 실시하여 상기 포토레지스트 층(15a) 및 상기 포토레지스트 층(15a) 상에 형성된 금속막(16a)을 제거하여 광통신 소자의 전극(17)을 완성하게 된다.Next, as shown in FIG. 1I, a lift-off process is performed to remove the photoresist layer 15a and the metal film 16a formed on the photoresist layer 15a, thereby removing the electrodes of the optical communication device. You complete (17).
그러나, 종래의 광통신 소자의 완충층 형성 방법은, 도금층을 형성하기 위한 포토레지스트 층과, 금속층 형성 후 불필요한 금속층을 제거하기 위한 포토레지스트 층을 각각 형성하여, 공정이 복잡할 뿐만 아니라, 두 차례에 걸쳐 포토레지스트 층을 형성하므로 생산 원가가 상승하게 되며, 광통신 소자 제작 중 불량율이 증가하는 문제점이 있다.However, in the conventional buffer layer forming method of the optical communication device, the photoresist layer for forming the plating layer and the photoresist layer for removing the unnecessary metal layer after forming the metal layer are respectively formed, and the process is not only complicated but also twice. Since the photoresist layer is formed, the production cost increases, and there is a problem that the defective rate increases during fabrication of the optical communication device.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명의 목적은 광통신 소자 제작 공정을 간소화하고, 생산 원가를 절감할 수 있는 광통신 소자 제작 방법을 제공함에 있다.In order to solve the above problems, an object of the present invention is to provide an optical communication device manufacturing method that can simplify the optical communication device manufacturing process, and reduce the production cost.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 광통신 소자 제작 방법에 있어서, 반도체 기판 상에 도금을 실시하기 위한 금속층을 형성하는 제1 금속층 형성단계; 상기 제1 금속층 상에 포토레지스트 층을 형성하고, 상기 포토레지스트 층의 소정 부분을 식각하여 관통홀을 형성하는 사진 식각 단계; 상기 관통홀을 통해 노출된 제1 금속층에 도금을 실시하여 상기 포토레지스트 층보다 두꺼운 버섯형상의 도금층을 형성하는 도금 단계; 상기 도금층 및 포토레지스트 층 상에 제2 금속층을 형성하는 제2 금속층 형성 단계; 상기 포토레지스트 층을 제거하므로써, 상기 포토레지스트 층에 증착된 제2 금속층을 함께 상기 반도체 기판으로부터 제거하는 리프트-오프 단계를 포함하는 버섯형상의 도금층을 구비한 광통신 소자 제작 방법을 개시한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a method for manufacturing an optical communication device, comprising: forming a metal layer for plating on a semiconductor substrate; A photolithography step of forming a photoresist layer on the first metal layer and forming a through hole by etching a predetermined portion of the photoresist layer; A plating step of plating the first metal layer exposed through the through hole to form a mushroom plating layer thicker than the photoresist layer; A second metal layer forming step of forming a second metal layer on the plating layer and the photoresist layer; Disclosed is a method of fabricating an optical communication device having a mushroom-like plating layer comprising a lift-off step of removing a second metal layer deposited on the photoresist layer together from the semiconductor substrate by removing the photoresist layer.
도 1a 내지 도 1i는 종래의 광통신 소자 제작 방법을 설명하기 위한 도면,1A to 1I are views for explaining a conventional optical communication device manufacturing method,
도 2a 내지 도 2g는 본 발명의 바람직한 실시예에 다른 광통신 소자 제작 방법을 설명하기 위한 도면.2A to 2G are views for explaining a method for manufacturing an optical communication device according to a preferred embodiment of the present invention.
도 3a 및 도 3b는 도 2a 내지 도 2g에 도시된 광통신 소자 제작 방법을 통해 형성된 도금층을 확대한 사진.3A and 3B are enlarged photographs of plating layers formed through the optical communication device manufacturing method illustrated in FIGS. 2A to 2G.
이하 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다. 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following description of the present invention, if it is determined that the detailed description of the related known function or configuration may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.
도 2a 내지 도 2g는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 광통신 소자 제작 방법을 설명하기 위한 도면으로서, 특히 광통신 소자의 완충층 및 전극을 형성하는 과정을 나타내는 도면이다.2A to 2G are views for explaining an optical communication device fabrication method according to a preferred embodiment of the present invention, and in particular, a process for forming a buffer layer and an electrode of the optical communication device.
도 2a는 반도체 기판(21)을 준비하는 단계를 나타내는 도면이다. 상기 반도체 기판(21)은 광통신 소자 중 레이저 다이오드(LD;laser diode) 또는 포토 다이오드(photo diode)와 같이 전기 신호를 광신호로 또는 그 역으로 변환하는 소자를 구성하는 기판으로서, 포토 다이오드를 예를 들어 설명하면, 상기 반도체 기판(21)은 다수의 박막층들로 이루어지며, 하부면에 하부 전극과 무반사 코팅을 이용한 수광층을 형성한 베이스기판과, 상기 베이스기판의 상부면에 형성되며, 상기 수광층을 통해 입사된 광에 의해 여기된 전자-전공 쌍이 내부 전기장에 의해 분리됨에 따라 캐리어를 생성하는 흡수층과; 상기 흡수층 상에 적층되며, 내부 전기장에 의해 생성된 상기 캐리어가 이온화 충돌을 통해 새로운 전자-정공 쌍을 생성하는 증폭층과; 상기 증폭층 상에 적층되며, 소정의 관통홀이 형성된 절연층과; 상기 관통홀과 접하는 상기 증폭층 및 상기 흡수층 일부에 소정의 도펀트가 확산된 확산영역으로 구성된다. 상기와 같은 반도체 기판(21)의 층별 구성은 도면에 도시되지는 않는다.2A is a diagram illustrating a step of preparing the semiconductor substrate 21. The semiconductor substrate 21 is a substrate constituting a device for converting an electrical signal into an optical signal or vice versa, such as a laser diode (LD) or a photo diode among optical communication devices. For example, the semiconductor substrate 21 includes a base substrate formed of a plurality of thin film layers, a light receiving layer formed on the bottom surface of the bottom electrode and an antireflective coating, and formed on an upper surface of the base substrate. An absorbing layer generating a carrier as the electron-electron pair excited by light incident through the light receiving layer is separated by an internal electric field; An amplification layer stacked on the absorbing layer, wherein the carrier generated by an internal electric field generates new electron-hole pairs through ionization collisions; An insulating layer stacked on the amplification layer and having a predetermined through hole formed therein; And a diffusion region in which a predetermined dopant is diffused into a portion of the amplification layer and the absorption layer that is in contact with the through hole. The layered configuration of the semiconductor substrate 21 as described above is not shown in the figure.
상기와 같이 준비된 반도체 기판(21) 상에 도 2b에 도시된 바와 같이, 제1 금속층(22)을 증착한다. 이는 상기 반도체 기판(21) 상에 하기 도금층(24)을 형성하기 위한 것으로서, 상기 반도체 기판(21) 상에 상기 제1 금속층(22)을 형성하므로써 도금이 용이하게 진행된다.As illustrated in FIG. 2B, the first metal layer 22 is deposited on the semiconductor substrate 21 prepared as described above. This is for forming the following plating layer 24 on the semiconductor substrate 21. Plating proceeds easily by forming the first metal layer 22 on the semiconductor substrate 21.
상기 반도체 기판(21) 상에 제1 금속층(22) 증착이 완료되면, 도 2c 및 도 2d와 같이 포토레지스트 층(23a)을 형성하고, 상기 포토레지스트 층(23a)의 소정 부분을 사진 식각(photo lithography) 방법으로 식각하여 관통홀(23b)를 형성한다. 이때, 상기 포토레지스트 층(23a)의 두께는 하기 형성할 도금층(24)의 두께보다 적어도 2㎛이상 얇게 형성한다. 이는 하기 도금층(24)의 형상을 버섯 모양으로 형성하기 위함이다. 통상적인 도금층의 두께를 본 발명에 적용하자면, 상기 포토레지스트 층(23a)의 두께는 1.5㎛가 적절하며, 하기 도금층(24)은 4㎛로 형성된다.When the deposition of the first metal layer 22 on the semiconductor substrate 21 is completed, the photoresist layer 23a is formed, as shown in FIGS. 2C and 2D, and a predetermined portion of the photoresist layer 23a is photo-etched ( The through hole 23b is formed by etching by photo lithography. In this case, the thickness of the photoresist layer 23a is formed to be at least 2 μm thinner than the thickness of the plating layer 24 to be formed below. This is to form the shape of the following plating layer 24 to the mushroom shape. In order to apply the thickness of the conventional plating layer to the present invention, the thickness of the photoresist layer 23a is appropriately 1.5 탆, and the following plating layer 24 is formed at 4 탆.
상기 관통홀(23b)을 통해 노출되는 상기 제1 금속층(22)상에 도금을 실시하여 도 2e와 같이 도금층(24)을 형성한다. 도금 재료로는 금 또는 금과 주석의 합금 금속 등 도금이 가능한 모든 소재를 이용할 수 있으나, 도금 재료의 선정은 광통신 소자 제작 공정 중 특히 플립 칩 본딩 공정에서 반도체 기판에 가해지는 외력을 충분히 완화시킬 수 있는 재료이어야 한다. 상기 도금층(24)은 상기 관통홀(23b) 내에서 도금되는 상태에서는 상기 관통홀(23b)의 형상에 따라 도금이 진행되지만, 상기 도금층(24)의 두께가 상기 포토레지스트 층(23a) 보다 두꺼워지기 시작하면, 도금의 등방성 성질에 의해 상기 관통홀(23b) 외부에서 상기 도금층(24)은 상기 관통홀(23b)보다 그 크기가 더 커져 버섯형상을 가지게 된다.Plating is performed on the first metal layer 22 exposed through the through hole 23b to form a plating layer 24 as shown in FIG. 2E. As the plating material, any material capable of plating such as gold or alloy metal of gold and tin can be used, but the selection of the plating material can sufficiently alleviate the external force applied to the semiconductor substrate during the optical communication device fabrication process, especially in the flip chip bonding process. Material must be present. In the state in which the plating layer 24 is plated in the through hole 23b, plating is performed according to the shape of the through hole 23b, but the thickness of the plating layer 24 is thicker than that of the photoresist layer 23a. When it starts to lose, the plating layer 24 is larger in size than the through hole 23b due to the isotropic property of the plating, and thus has a mushroom shape.
상기 도금층(24)이 완성되면, 도 2f에 도시된 바와 같이, 제2 금속층 증착(25a, 25b)을 실시하게 된다. 한편, 상기 도금층(24)이 버섯모양으로 형성되므로 상기 도금층의(24) 상부에서 바라보았을 때, 상기 도금층(24)에 의해 일부 가려지는 상기 포토레지스트 층(24a)에는 증착 공정의 특성상 금속층이 형성되지 않는다. 상기 제2 금속층(25a, 25b) 증착 후, 상기 포토레지스트 층(23a)을 제거하는 리프트-오프 공정을 실시하여 상기 포토레지스트 층(23a) 상의 제2 금속층(25a)도 함께 제거한다. 따라서, 도 2g에 도시된 바와 같이, 상기 제2 금속층(25a, 25b)은 상기 도금층(24) 상의 제2 금속층(25b)만 남게 된다. 상기 도금층(24) 상에 증착된제2 금속층(25b)은 상기 반도체 기판(21)의 전기적 접속을 위한 본딩 패드 역할을 하게 된다.When the plating layer 24 is completed, as illustrated in FIG. 2F, second metal layer depositions 25a and 25b are performed. On the other hand, since the plating layer 24 is formed in a mushroom shape, when viewed from the top of the plating layer 24, a metal layer is formed on the photoresist layer 24a partially covered by the plating layer 24 due to the nature of the deposition process. It doesn't work. After the deposition of the second metal layers 25a and 25b, a lift-off process of removing the photoresist layer 23a may be performed to remove the second metal layer 25a on the photoresist layer 23a. Thus, as shown in FIG. 2G, only the second metal layer 25b on the plating layer 24 remains in the second metal layers 25a and 25b. The second metal layer 25b deposited on the plating layer 24 serves as a bonding pad for electrical connection of the semiconductor substrate 21.
도 3a 및 도 3b는 상기 과정을 통해 제작된 광통신 소자의 도금층(24)을 나타내는 사진이다. 도 3a 및 도 3b에 도시된 바와 같이, 상기 과정을 통해 제작된 광통신 소자의 도금층(24)의 하부(30a)는 포토레지스트 층(23a)에 형성된 관통홀(23b) 형상에 의해 그 형태가 결정되며, 상부(30b)는 상기 관통홀(23b)의 형상에 제한되지 않고 측면으로도 도금층(24)이 성장하여 버섯형상을 갖게 된다.3A and 3B are photographs showing the plating layer 24 of the optical communication device manufactured through the above process. 3A and 3B, the shape of the lower portion 30a of the plating layer 24 of the optical communication device manufactured through the above process is determined by the shape of the through hole 23b formed in the photoresist layer 23a. The upper portion 30b is not limited to the shape of the through hole 23b, and the plating layer 24 grows on the side surface to have a mushroom shape.
이상 본 발명의 바람직한 실시예를 통해 설명한 바와 같이, 본 발명은 도금을 통해 형성되는 광통신 소자의 완충층을 버섯 모양으로 형성하며, 완충층 상에 본딩 패드를 형성하기 위한 포토레지스트 도포 과정을 별도로 실시할 필요가 없다.As described above through the preferred embodiment of the present invention, the present invention is to form a buffer layer of the optical communication element formed through plating in a mushroom shape, and it is necessary to perform a separate photoresist coating process for forming a bonding pad on the buffer layer There is no.
한편, 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시예에 관해서 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도내에서 여러가지 변형이 가능함은 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 자명하다 할 것이다.On the other hand, in the detailed description of the present invention has been described with respect to specific embodiments, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications are possible without departing from the scope of the present invention.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 광통신 소자 제작 방법은, 반도체 기판 상에 도금층을 형성하기 위한 포토레지스트 층을 기 설정된 도금층의 두께보다 얇게 형성하고, 상기 포토레지스트 층 상부까지 버섯모양의 도금층을 형성하므로써, 도금층 상에 본딩 패드 형성을 위한 금속층 증착을 별도의 포토레지스트 층 없이 실시할 수 있게 되었다. 따라서, 종래에 두 번에 걸친 포토레지스트 층 형성 공정이 한 번으로 줄어들게 되어 공정 시간 단축 및 자재 절감의 효과를 얻게 되었다.As described above, in the optical communication device fabrication method according to the present invention, a photoresist layer for forming a plating layer on the semiconductor substrate is formed thinner than a predetermined thickness of the plating layer, and a mushroom-like plating layer is formed up to the photoresist layer. As a result, metal layer deposition for bonding pad formation on the plating layer can be performed without a separate photoresist layer. Therefore, the conventional two-step photoresist layer forming process is reduced to one time, thereby reducing the process time and material savings.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2001-0085810A KR100429515B1 (en) | 2001-12-27 | 2001-12-27 | Fabrication method for optical communication elements with mushroom type plating layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2001-0085810A KR100429515B1 (en) | 2001-12-27 | 2001-12-27 | Fabrication method for optical communication elements with mushroom type plating layer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20030055740A KR20030055740A (en) | 2003-07-04 |
| KR100429515B1 true KR100429515B1 (en) | 2004-05-03 |
Family
ID=32213994
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-2001-0085810A KR100429515B1 (en) | 2001-12-27 | 2001-12-27 | Fabrication method for optical communication elements with mushroom type plating layer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100429515B1 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101661948B1 (en) | 2014-04-08 | 2016-10-04 | 엘지전자 주식회사 | Solar cell and method for manufacturing the same |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56142634A (en) * | 1980-04-07 | 1981-11-07 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor element |
| JPS59222970A (en) * | 1983-06-01 | 1984-12-14 | Toshiba Corp | P-i-n diode pellet |
| JPS618976A (en) * | 1984-06-23 | 1986-01-16 | Mitsubishi Electric Corp | Method for forming gate electrode of field effect transistor |
| JPH04217323A (en) * | 1990-12-19 | 1992-08-07 | Fuji Electric Co Ltd | Manufacture of bump electrode for semiconductor device |
| JPH0951093A (en) * | 1995-08-09 | 1997-02-18 | Denso Corp | Manufacture of field effect transistor |
| KR20000039191A (en) * | 1998-12-11 | 2000-07-05 | 이계철 | Fabrication method of compound semiconductor device having gate electrode of stairs type |
-
2001
- 2001-12-27 KR KR10-2001-0085810A patent/KR100429515B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56142634A (en) * | 1980-04-07 | 1981-11-07 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor element |
| JPS59222970A (en) * | 1983-06-01 | 1984-12-14 | Toshiba Corp | P-i-n diode pellet |
| JPS618976A (en) * | 1984-06-23 | 1986-01-16 | Mitsubishi Electric Corp | Method for forming gate electrode of field effect transistor |
| JPH04217323A (en) * | 1990-12-19 | 1992-08-07 | Fuji Electric Co Ltd | Manufacture of bump electrode for semiconductor device |
| JPH0951093A (en) * | 1995-08-09 | 1997-02-18 | Denso Corp | Manufacture of field effect transistor |
| KR20000039191A (en) * | 1998-12-11 | 2000-07-05 | 이계철 | Fabrication method of compound semiconductor device having gate electrode of stairs type |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20030055740A (en) | 2003-07-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN100442614C (en) | Semiconductor light emitting element and manufacturing method thereof | |
| US6818464B2 (en) | Double-sided etching technique for providing a semiconductor structure with through-holes, and a feed-through metalization process for sealing the through-holes | |
| US7981727B2 (en) | Electronic device wafer level scale packages and fabrication methods thereof | |
| TW201143044A (en) | Wafer level compliant packages for rear-face illuminated solid state image sensors | |
| US6841814B2 (en) | Photodiode for ultra high speed optical communication and fabrication method therefor | |
| TW201508882A (en) | Electronic device package and fabrication method thereof | |
| JP2006100435A (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| CN101276807B (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| EP0121402B1 (en) | A semiconductor component and method of manufacture | |
| JP4291521B2 (en) | Semiconductor light receiving element, semiconductor light receiving device, semiconductor device, optical module, and optical transmission device | |
| US10249673B2 (en) | Rear-face illuminated solid state image sensors | |
| US20020110950A1 (en) | Method of fabricating a light receiving device | |
| KR100429515B1 (en) | Fabrication method for optical communication elements with mushroom type plating layer | |
| KR20040015283A (en) | Topside active optical device apparatus and method | |
| TW201123540A (en) | Optoelectronic component with a semiconductor body, an insulation layer and a planar conductive structure and method for its production | |
| JP2952906B2 (en) | Photodiode | |
| JP2008047836A (en) | Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device | |
| KR102338179B1 (en) | Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same | |
| JP4122649B2 (en) | Manufacturing method of Si carrier | |
| JPH06268151A (en) | Semiconductor device | |
| KR20220099025A (en) | Semiconductor light emitting device | |
| JPH0537005A (en) | Photodetector and manufacture thereof | |
| JP3049800B2 (en) | Method for forming bump electrode of semiconductor light receiving element | |
| JP2009206187A (en) | Light-emitting device and method of manufacturing the same | |
| JP5177977B2 (en) | Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120329 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130328 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |