KR100401553B1 - 미러 반사를 이용한 수평 구조형 노광장치 - Google Patents

미러 반사를 이용한 수평 구조형 노광장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100401553B1
KR100401553B1 KR10-2001-0035360A KR20010035360A KR100401553B1 KR 100401553 B1 KR100401553 B1 KR 100401553B1 KR 20010035360 A KR20010035360 A KR 20010035360A KR 100401553 B1 KR100401553 B1 KR 100401553B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
exposure apparatus
chuck
barrel
parallel light
mirror
Prior art date
Application number
KR10-2001-0035360A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20020097426A (ko
Inventor
문성욱
박종연
Original Assignee
한국과학기술연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국과학기술연구원 filed Critical 한국과학기술연구원
Priority to KR10-2001-0035360A priority Critical patent/KR100401553B1/ko
Publication of KR20020097426A publication Critical patent/KR20020097426A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100401553B1 publication Critical patent/KR100401553B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70016—Production of exposure light, i.e. light sources by discharge lamps
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70025—Production of exposure light, i.e. light sources by lasers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명은 미러 반사를 이용한 수평 구조형 노광장치에 관한 것이다. 특히, 미소기전소자(MEMS) 기술을 이용하여 3차원 미소구조체를 제조할 수 있도록 하는 평행 노광장치에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, 노광장치에 구동 전원을 공급하기 위한 전원공급장치와; 평행광 램프를 냉각시키기 위한 램프냉각장치와; 내부에 구비된 각각의 반사 미러를 통해 직진성이 높은 평행광의 출력을 얻기 위한 수직 길이를 갖는 수평 구조의 노광장치 경통과; 상기 노광장치의 경통을 통해 출력된 평행광을 이용하여 노광 공정을 진행하는 척과; 상기 척을 회전 구동을 위한 모터와; 상기 척의 진공 상태를 유지하기 위한 진공장치와; 상기 척의 회전 상태의 범위를 제어하기 위한 컴퓨터장치를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 미러 반사를 이용한 수평 구조형 노광장치가 제시된다.
따라서, 본 발명에 따르면 직진성이 높은 평행광을 얻기 위해 경통내의 미러반사를 이용하여 수평구조형 노광장치를 제공함으로서 경통내의 미러반사를 이용하기 때문에 종래의 높은 수직 구조형 노광장치를 수평 구조형 노광장치로 변형할 수 있으므로 설치 장소적인 문제를 해결할 수 있다.

Description

미러 반사를 이용한 수평 구조형 노광장치{Exposure apparatus for equatorial comformation using mirror reflection}
본 발명은 미러 반사를 이용한 수평 구조형 노광장치에 관한 것이다. 특히, 미소기전소자(Micro Electro Mechanical System; MEMS) 기술을 이용하여 3차원 미소구조체를 제조할 수 있도록 하는 평행 노광장치에 관한 것이다.
일반적으로, 미소기전소자(MEMS)를 제작하기 위한 사진공정 장비인 노광장치의 척은 수평구조를 띄고 있다. 이 때, 노광장치는 웨이퍼 상에 도포되어 있는 감광막을 리소그래피(lithography) 공정을 위해서 자외선(UV)에 평행광을 노광시키는 역할을 한다.
또한, 기존의 노광장치 보다 직진성이 높은 평행광을 얻기 위한 노광장치를 구현하기 위해서는 이론적인 결과에 의해서 비교적 높은 수직 구조를 갖게 되는 노광장치를 제작할 수 있다.
그러나, 수평 구조적 형태의 노광장치의 척은 혼 모양의 3차원 미소구조 안테나를 제작하기엔 어려운 단점이 있었다.
또한, 일반적인 미소기전소자 공정인 자외선 리소그래피 공정으로는 3차원의 미소 구조체를 제조하는 경우 표면의 균일성이 많이 저하되기 때문에 안테나의 기능을 충분히 발휘하지 못하였다.
따라서, 보편적인 실험장소에서는 평행광을 얻기 위한 특수 구조의 노광장치를 설치하기에는 장소적인 문제가 존재한다.
이에, 본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위한 것으로서 본 발명의 목적은MEMS 소자의 제작에 응용될 수 있는 직진성이 높은 평행광을 얻기 위해서 기존의 높은 수직구조형 노광장치를 경통내의 미러반사를 이용하여 새로운 수평 구조의 형태를 갖는 노광장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 종래의 수직적인 구조형 보다 설치 장소적인 문제를 해결할 수 있는 노광장치를 제공하는데 있다.
상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 기술적 사상으로써 본 발명은
노광장치에 구동 전원을 공급하기 위한 전원공급장치와;
평행광 램프를 냉각시키기 위한 램프냉각장치와;
내부에 구비된 각각의 반사 미러를 통해 직진성이 높은 평행광의 출력을 얻기 위한 수직 길이를 갖는 수평 구조의 노광장치 경통과;
상기 노광장치의 경통을 통해 출력된 평행광을 이용하여 노광 공정을 진행하는 척과;
상기 척을 회전 구동을 위한 모터와;
상기 척의 진공 상태를 유지하기 위한 진공장치와;
상기 척의 회전 상태의 범위를 제어하기 위한 컴퓨터장치를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 노광장치가 제공된다.
도 1은 본 발명에 따른 미러 반사를 이용한 수평 구조형 노광장치의 전체 구성도이다.
도 2는 도 1에 도시된 수평 구조형 노광장치에서 미러의 보정이 가능한 미러반사의 부분 상세도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
10 : 전원공급장치 20 : 램프냉각장치
30 : 노광장치의 경통 40 : 척(Chuck)
50 : 모터 60 : 진공장치
70 : 컴퓨터장치 33a,33b : 미러각도 보정기
32a,32b,32c,32d,32e,32f : 반사미러
34 : 플라이아이 렌즈(Fly eye lens)
36 : 플레이트 렌즈(Plate lens)
38 : 클리메이팅 렌즈(Cllimating lens)
이하, 본 발명의 실시예에 대한 구성 및 그 작용을 첨부한 도면을 참조하면서 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명에 따른 미러 반사를 이용한 수평 구조형 노광장치의 전체 구성도이며, 도 2는 도 1에 도시된 수평 구조형 노광장치에서 미러의 보정이 가능한 미러반사의 부분 상세도이다.
도 1을 살펴보면, 노광장치에 구동 전원을 공급하기 위한 전원공급장치(10)와; 평행광 램프를 냉각시키기 위한 램프냉각장치(20)와; 내부에 구비된 각각의 반사 미러를 통해 직진성이 높은 평행광의 출력을 얻기 위한 수직 길이를 갖는 수평 구조의 노광장치 경통(30)과; 상기 노광장치의 경통(30)을 통해 출력된 평행광을 이용하여 노광 공정을 진행하는 척(Chuck;40)과; 상기 척(40)을 회전 구동을 위한 모터(50)와; 상기 척(40)의 진공 상태를 유지하기 위한 진공장치(60)와; 상기 척(40)의 회전 범위를 제어하기 위한 컴퓨터장치(70)를 포함로 구성되어 있다.
도 2를 참조하면, 상기 램프냉각장치(20)에는 평행광을 반사시키기 위한 반사갓(22)과, 평행광 램프(24)가 구비되어 있다.
또한, 상기 램프냉각장치(20)와 연결되는 평행 노광장치의 경통(30) 내부에는 다수개의 반사미러(32a,32b,32c,32d,32e,32f)와, 플라이아이 렌즈(Fly eye lens; 34)와, 플레이트 렌즈(Plate lens; 36)와, 클리메이팅 렌즈(Cllimating lens; 38)가 각각 구비되어 있으며, 상기 경통(30)의 끝단에는 평행광의 노출 정도를 조절하는 셔터(39)가 구비되어 있다.
또한, 상기 각각의 반사미러(32a,32b,32c,32d,32e,32f)에는 미러의 각도를 보정하는 미러각도 보정기(33a,33b)가 더 구비되어 있다.
이 때, 상기 미러각도 보정기(33a,33b)에서는 노광장치의 경통(30)내 미러 반사의 보정이 용이한 형태로 구성되기 때문에 노광장치에 물리적인 충격으로 인해직진성이 높은 평행광의 오차 직선 방향을 보정할 수 있다.
또한, 상기 노광장치의 광원은 자외선(Ultraviolet) 뿐만 아니라 엑사이머 레이저(Excimer laser)를 사용할 수 있으며, 노광되는 광원의 파워(power)를 조절할 수 있다.
이상에서와 같이, 상기 노광장치의 경통(30)내 반사미러(32a,32b,32c,32d,32e,32f)를 이용하기 때문에 종래의 높은 수직 구조형 노광장치를 수평 구조형 노광장치로 변형할 수 있으므로 설치 장소적인 문제를 해결할 수 있다.
상기와 같은 미러반사를 이용한 수평 구조형 노광장치의 동작 과정을 살펴보면, 전원공급장치(10)로부터 평행 노광장치에 구동 전원이 공급되면 노광장치에서는 평행광을 발생시켜 노광장치의 경통(30)에 구비된 다수개의 반사미러(32a,32b,32c,32d,32e,32f)를 통해 평행광의 출력시킨다.
그 상태에서 노광장치의 척(40)에서는 웨이퍼 상부에 마스크가 일체된 형태로 척의 경사범위와 회전범위 내에서 저속모터(50)의 회전 구동에 의해 노광 공정을 진행하게 된다.
이상에서와 같이 본 발명은 직진성이 높은 평행광을 얻기 위해 경통내의 미러반사를 이용하여 수평구조형 노광장치를 제공함으로서 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다.
첫째, 본 발명에 따르면 경통내의 미러반사를 이용하기 때문에 종래의 높은수직 구조형 노광장치를 수평 구조형 노광장치로 변형할 수 있으므로 설치 장소적인 문제를 해결할 수 있다.
둘째, 본 발명에 따르면 경통내 미러 반사의 보정이 용이한 형태로 구성되기 때문에 노광장치에 물리적인 충격으로 인해 직진성이 높은 평행광의 오차 직선 방향을 보정할 수 있다.
셋째, 본 발명에 따르면 미러 반사형 수평구조 노광장치를 이용하여 3차원 미소구조물 제작이 가능해 진다.

Claims (5)

  1. 노광장치에 구동 전원을 공급하기 위한 전원공급장치와;
    평행광 램프를 냉각시키기 위한 램프냉각장치와;
    내부에 미러각도 보정기를 구비하는 각각의 반사 미러를 통해 직진성이 높은 평행광의 출력을 얻기 위한 수직 길이를 갖는 수평 구조의 노광장치 경통과;
    상기 노광장치의 경통을 통해 출력된 평행광을 이용하여 노광 공정을 진행하는 척과;
    상기 척을 회전 구동을 위한 모터와;
    상기 척의 진공 상태를 유지하기 위한 진공장치와;
    상기 척의 회전 상태의 범위를 제어하기 위한 컴퓨터장치를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 미러 반사를 이용한 수평 구조형 노광장치.
  2. 삭제
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 노광장치의 경통 내부에는 클리메이팅 렌즈가 장착되어 있는 것을 특징으로 하는 미러 반사를 이용한 수평 구조형 노광장치.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 노광장치의 광원은 자외선(Ultraviolet) 또는 엑사이머 레이저(Excimer laser)를 사용하는 것을 특징으로 하는 미러 반사를 이용한 수평 구조형 노광장치.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 노광장치에서 노광되는 광원의 파워(power) 세기를 조절할 수 있는 것을 특징으로 하는 미러 반사를 이용한 수평 구조형 노광장치.
KR10-2001-0035360A 2001-06-21 2001-06-21 미러 반사를 이용한 수평 구조형 노광장치 KR100401553B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2001-0035360A KR100401553B1 (ko) 2001-06-21 2001-06-21 미러 반사를 이용한 수평 구조형 노광장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2001-0035360A KR100401553B1 (ko) 2001-06-21 2001-06-21 미러 반사를 이용한 수평 구조형 노광장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20020097426A KR20020097426A (ko) 2002-12-31
KR100401553B1 true KR100401553B1 (ko) 2003-10-17

Family

ID=27710319

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2001-0035360A KR100401553B1 (ko) 2001-06-21 2001-06-21 미러 반사를 이용한 수평 구조형 노광장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100401553B1 (ko)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06349712A (ja) * 1993-06-14 1994-12-22 Nikon Corp 投影露光装置
JPH10209039A (ja) * 1997-01-27 1998-08-07 Nikon Corp 投影露光方法及び投影露光装置
KR19990029487U (ko) * 1997-12-29 1999-07-26 유무성 평행노광장치
JP2000133588A (ja) * 1998-08-18 2000-05-12 Nikon Corp 露光装置及び方法、該露光装置の製造方法並びに該露光装置を用いたデバイス製造方法
JP2001085307A (ja) * 1999-09-10 2001-03-30 Nikon Corp 光源装置及び露光装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06349712A (ja) * 1993-06-14 1994-12-22 Nikon Corp 投影露光装置
JPH10209039A (ja) * 1997-01-27 1998-08-07 Nikon Corp 投影露光方法及び投影露光装置
KR19990029487U (ko) * 1997-12-29 1999-07-26 유무성 평행노광장치
JP2000133588A (ja) * 1998-08-18 2000-05-12 Nikon Corp 露光装置及び方法、該露光装置の製造方法並びに該露光装置を用いたデバイス製造方法
JP2001085307A (ja) * 1999-09-10 2001-03-30 Nikon Corp 光源装置及び露光装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20020097426A (ko) 2002-12-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101662330B1 (ko) 조명광학계, 조명 광학 장치, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
US7196841B2 (en) Lighting system, particularly for use in extreme ultraviolet (EUV) lithography
JP4468334B2 (ja) ステージ装置、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
TWI491997B (zh) 相對於繞射光學移動光束以降低干擾圖案
US6977718B1 (en) Lithography method and system with adjustable reflector
JP2002353105A (ja) 照明光学装置，該照明光学装置を備えた露光装置，およびマイクロデバイスの製造方法
JPH08313842A (ja) 照明光学系および該光学系を備えた露光装置
CN107272347B (zh) 照射装置、光学装置、压印装置、投影装置和物品的制造方法
CN109774128A (zh) 基于dmd的光刻与打印一体化设备及其构建方法
TW200410051A (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR100401553B1 (ko) 미러 반사를 이용한 수평 구조형 노광장치
JP2005191579A (ja) 光学ユニットを製造する方法
KR101591859B1 (ko) Led 광원 노광장치
KR100250152B1 (ko) 노광장치
KR20130010956A (ko) 대면적 프로젝션 노광장치
JP7427352B2 (ja) 露光装置
KR101591852B1 (ko) 광축 얼라이너를 포함한 led 광원 노광장치
KR20020097425A (ko) 초저속 경사 회전 노광장치
JP2005252161A (ja) フォトリソグラフィーシステム及び関連方法
US6589434B2 (en) Method for manufacturing 3-D horn antenna using exposure apparatus
KR20190020139A (ko) 광학 장치, 노광 장치 및 물품의 제조 방법
JP5209579B2 (ja) リソグラフィ装置、パターン形成アレイ、及びデバイス製造方法
KR100566096B1 (ko) 노광 장치
JP2005150541A (ja) 照明光学装置、露光装置および露光方法
CN116678347A (zh) 一种微反射镜阵列角位置监测系统

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20080930

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee