KR100401144B1 - Air nozzle mounted in the die attaching machine for preventing electro static discharge - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 칩 부착장비의 정전기 방지용 에어노즐에 관한 것으로서, 반도체 칩 부착 장비의 웨이퍼 테이블에서 근접된 위치에 음이온과 양이온을 발생시키는 에어노즐을 설치하여, 웨이퍼 상태에서 소잉된 반도체 칩이 웨이퍼 마운트 테입으로부터 떼어지면서 발생하는 정전기를 중화시켜 제거할 수 있도록 한 반도체 칩 부착장비의 정전기 방지용 에어노즐을 제공하고자 한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an antistatic air nozzle of a semiconductor chip attaching equipment, wherein an air nozzle for generating anion and cation is installed at a position proximate to a wafer table of a semiconductor chip attaching equipment, and the semiconductor chip sawed in a wafer state is mounted on a wafer. An object of the present invention is to provide an anti-static air nozzle of a semiconductor chip attachment device capable of neutralizing and removing static electricity generated from peeling off a tape.
Description
본 발명은 반도체 칩 부착 장치의 정전기 방지용 에어노즐에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 웨이퍼 상태에서 소잉된 개개의 칩을 픽업할 때 발생되는 정전기를 중화시켜 제거할 수 있도록 한 반도체 칩 부착 장치의 정전기 방지용 에어노즐에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an antistatic air nozzle of a semiconductor chip attaching device, and more particularly, to an electrostatic prevention of a semiconductor chip attaching device capable of neutralizing and removing static electricity generated when picking up individual chips that have been consumed in a wafer state. It relates to an air nozzle.
통상적으로 반도체 패키지의 제조공정은 웨이퍼를 개개의 칩으로 소잉하는 공정과, 부재의 칩탑재영역에 상기 개개의 칩을 픽업하여 부착하는 공정과, 상기 부재의 본딩영역과 상기 반도체 칩의 본딩패드간을 와이어로 본딩하는 공정과, 상기 반도체 칩과 와이어등을 외부로부터 보호하기 위하여 수지로 몰딩하는 공정등으로 이루어진다.In general, a semiconductor package manufacturing process includes a step of sawing a wafer into individual chips, a process of picking up and attaching the individual chips to a chip mounting region of a member, and a bonding region of the member and a bonding pad of the semiconductor chip. To a wire, and a step of molding with a resin to protect the semiconductor chip and the wire from the outside.
상기 반도체 칩을 부착하는 공정을 보다 상세하게 설명하면, 첨부한 도 5에 도시한 바와 같이 웨이퍼 테이블상의 웨이퍼 마운트 테입에 개개의 칩으로 소잉된 웨이퍼가 부착된 상태에서, 저면 중앙에 진공홀이 형성된 픽업 툴이 상기 웨이퍼 상태에서 소잉된 개개의 칩을 진공으로 흡착하여 픽업하는 단계와, 상기 픽업 툴이 부재의 칩탑재영역으로 이동하여 반도체 칩을 부착하는 단계로 이루어진다.Referring to the process of attaching the semiconductor chip in more detail, as shown in FIG. 5, a vacuum hole is formed in the center of the bottom surface in the state where the wafer sawed by individual chips is attached to the wafer mount tape on the wafer table. The pick-up tool includes picking up and picking up individual chips sucked from the wafer state by vacuum, and the pick-up tool moves to the chip mounting region of the member to attach the semiconductor chips.
이때, 상기 픽업 툴이 반도체 칩을 픽업하는 순간, 즉 반도체 칩이 웨이퍼마운트 테입으로부터 떼어지는 순간에 정전기가 발생하게 되는데, 이때 발생된 정전기는 반도체 칩으로 대전(帶電)되어 반도체 칩의 회로에 영향을 미치게 되는 문제점이 있었다.At this time, static electricity is generated when the pickup tool picks up the semiconductor chip, that is, when the semiconductor chip is removed from the wafer mount tape, and the generated static electricity is charged to the semiconductor chip to affect the circuit of the semiconductor chip. There was a problem going crazy.
일반적으로, 정전기는 서로 다른 물질이 상호 운동을 할때에 그 접촉면에서 발생하게 되는 것으로 알려져 있는 바, "공간의 모든 장소에서 전하의 이동이 전혀 없는 전기"라고 정의할 수 있으며, 좀 더 확장된 해석으로는 "전하의 공간적 이동이 적고, 그것에 의해 자계의 효과가 전계에 비해 무시할 수 있을 만큼의 적은 전기"라고 확장시켜 말할 수 있다.In general, static electricity is known to occur at the contact surface when different materials move together, which can be defined as "electricity with no charge transfer in all places of space." The analysis can be expanded to say that "there is less spatial movement of charges, thereby allowing the effect of the magnetic field to be negligible compared to the electric field."
이에, 웨이퍼 상태에서 소잉된 반도체 칩이 웨이퍼 마운트 테입으로부터 떼어지는 순간에, 반도체 칩의 후면과 웨이퍼 마운트 테입간에 정전기가 발생하여 반도체 칩의 회로에 치명적인 영향을 미칠 수 있게 된다.Thus, at the moment when the semiconductor chip consumed in the wafer state is detached from the wafer mount tape, static electricity is generated between the rear surface of the semiconductor chip and the wafer mount tape, which may have a fatal effect on the circuit of the semiconductor chip.
한편, 상기 정전기를 제거하는 기술을 제전이라 하고, 제거하는 장치를 제전기라 하는데, 제전기에서 필요한 이온을 발생시켜 대전물체쪽으로 향하게 하면, 대전물체의 표면의 전하는 그와 반대극성을 갖는 이온을 흡착하여 중화시키게 된다.On the other hand, the technique of removing the static electricity is called an antistatic, and the device for removing is called an electrostatic charge. When the ions generated in the electrostatic charge are generated and directed toward the charged object, the charge on the surface of the charged object adsorbs ions having opposite polarities. To neutralize.
좀 더 상세하게는, 제전기에 의하여 발생된 이온의 이동은 제전기와 대전물체의 사이에 이온 전류가 흐르는 것을 말하며, 이온 전류가 크면 단시간내에 정전기가 제거되는 것으로 알려져 있다.More specifically, the movement of ions generated by the static eliminator means that an ionic current flows between the static eliminator and the charged object, and it is known that static electricity is removed within a short time when the ion current is large.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 점을 감안하여 안출한 것으로서, 반도체 칩 부착 장비의 웨이퍼 테이블에서 근접된 위치에 음이온과 양이온을 발생시키는 에어 노즐을 설치하여, 웨이퍼 상태에서 소잉된 반도체 칩이 웨이퍼 마운트 테입으로부터 떼어지는 순간에 발생하는 정전기를 제거할 수 있도록 한 반도체 칩 부착장비의 정전기 방지용 에어노즐을 제공하는데 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention has been made in view of the above, and an air nozzle for generating negative ions and positive ions is provided at a position proximate to the wafer table of the semiconductor chip attachment equipment, and the semiconductor chip sawed in the wafer state is wafer mounted. An object of the present invention is to provide an anti-static air nozzle of a semiconductor chip attachment device capable of removing static electricity generated at the moment of detaching from a tape.
도 1은 본 발명에 따른 정전기 방지용 에어노즐을 나타내는 사시도,1 is a perspective view showing an antistatic air nozzle according to the present invention;
도 2는 본 발명에 따른 정전기 방지용 에어노즐을 나타내는 정면도,2 is a front view showing an antistatic air nozzle according to the present invention;
도 3은 본 발명에 따른 정전기 방지용 에어노즐을 나타내는 평면도,3 is a plan view showing an antistatic air nozzle according to the present invention;
도 4는 본 발명에 따른 정전기 방지용 에어노즐을 나타내는 측면도,4 is a side view showing an antistatic air nozzle according to the present invention;
도 5는 본 발명에 따른 정전기 방지용 에어노즐이 반도체 칩 부착 장비에 설치된 상태를 나타내는 개략도,5 is a schematic view showing a state in which an antistatic air nozzle according to the present invention is installed in a semiconductor chip attachment equipment
도 6은 본 발명에 따른 정전기 방지용 에어노즐의 작동 시스템을 나타내는 설명도.6 is an explanatory view showing an operating system of the antistatic air nozzle according to the present invention;
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
10 : 에어노즐 12 : 이온 및 에어 출구공간10: air nozzle 12: ion and air outlet space
14 : 케이스 16 : 에어공급구14 case 16 air supply port
18 : 이온발생용 니들 20 : 보조공기홀18: ion generating needle 20: auxiliary air hole
22 : 웨이퍼 테이블 24 : 브라켓22: wafer table 24: bracket
26 : 직류형 이온제공 콘트롤러 28 : 에어공급수단26: DC type ion providing controller 28: air supply means
30 : 웨이퍼 마운트 테입30: wafer mount tape
이하 첨부도면을 참조로 본 발명을 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명은:The present invention for achieving the above object is:
전면에 오목한 에어 및 이온 출구공간(12)이 형성되고, 후면에서 상기 에어및 이온 출구공간(12)의 안쪽면까지 에어공급구(16)가 관통되어 형성된 케이스(14)와; 직류형 이온 제공 콘트롤러와 연결되며, 상기 케이스(14)의 후면 양쪽으로부터 상기 에어 및 이온 출구공간(12)의 안쪽면 양쪽까지 관통되게 삽입된 이온발생용 니들(18)로 구성된 에어 노즐(10)을 반도체 칩 부착장비의 웨이퍼 테이블(22) 위쪽에 브라켓(24)을 사용하여 설치한 것을 특징으로 한다.A case 14 having a concave air and ion outlet space 12 formed at a front surface thereof, and an air supply port 16 penetrating from the rear side to an inner surface of the air and ion outlet space 12; An air nozzle 10 which is connected to a direct current type ion providing controller and is composed of ion generating needles 18 inserted through both rear surfaces of the case 14 and both sides of the inner side of the air and ion outlet space 12. Is installed on the wafer table 22 of the semiconductor chip attachment equipment by using the bracket 24.
상기 에어 노즐(10)의 에어 및 이온 출구공간(12)의 양측면에는 음,양 이온의 균형적 발산을 위한 보조공기홀(20)이 관통되어 형성된 것을 특징으로 한다.Both sides of the air and ion outlet space 12 of the air nozzle 10 is characterized in that the auxiliary air hole 20 for the balanced divergence of negative and positive ions are formed through.
상기 에어 노즐(10)은 에어 및 이온 출구공간(12)이 상기 소잉된 상태의 웨이퍼가 놓여 있는 웨이퍼 테이블(22)과 5cm에서 10cm 거리를 유지하도록 설치된 것을 특징으로 한다.The air nozzle 10 is characterized in that the air and ion outlet space 12 is installed so as to maintain a distance of 5 cm to 10 cm from the wafer table 22 on which the sawed state is placed.
여기서 본 발명을 실시예로서, 첨부한 도면을 참조로 더욱 상세하게 설명하면 다음과 같다.Herein, the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.
첨부한 도 1 내지 도 4는 본 발명에 따른 반도체 칩 부착 장비의 정전기 방지용 에어 노즐을 나타내는 도면으로서, 도면부호 14는 케이스를 나타낸다.1 to 4 are views illustrating an antistatic air nozzle of a semiconductor chip attachment device according to the present invention, and reference numeral 14 denotes a case.
상기 케이스(14)는 육면체의 플라스틱 재질로 된 구조물로서, 전면에는 에어 및 이온 출구공간(12)이 오목하게 형성되어 있고, 후면 중앙으로부터 상기 에어 및 이온 출구공간(12)의 안쪽면 중앙까지 에어공급구(16)가 관통되어 형성되어 있다.The case 14 is made of a hexahedron plastic material, and the air and ion outlet space 12 is concave on the front surface, and the air is moved from the rear center to the center of the inner side of the air and ion outlet space 12. The supply port 16 penetrates and is formed.
특히, 상기 에어 및 이온 출구공간(12)의 양측면에는 보조공기홀(20)이 관통되어 형성되어 있다.In particular, the auxiliary air hole 20 is formed through both sides of the air and ion outlet space 12.
또한, 상기 케이스(14)의 후면 양쪽으로부터 상기 에어 및 이온 출구공간(12)의 안쪽면 양쪽까지 이온발생용 니들(18)이 관통되어 삽입되는 바, 그 앞단 끝은 상기 에어 및 이온 출구공간(12)의 안쪽면에서 일정 길이로 돌출된 상태로 위치된다.In addition, the ion generating needle 18 penetrates from both sides of the rear surface of the case 14 to both sides of the inner surface of the air and ion outlet space 12, and the front end thereof is the air and ion outlet space ( 12) is located in the state protruding to a certain length from the inner side.
한편, 상기 이온 발생용 니들(18)의 후단은 직류형 이온제공 콘트롤러(26)와 케이블로 연결되어지고, 상기 케이스(14) 후면에 형성된 에어공급구(16)에는 에어공급수단(28)과 연결된 튜브가 끼워지게 된다.On the other hand, the rear end of the ion generating needle 18 is connected to the DC-type ion providing controller 26 by a cable, the air supply port 16 formed in the rear of the case 14 and the air supply means 28 and The connected tube is fitted.
상기와 같은 구조로 이루어진 에어 노즐(10)은 반도체 칩 부착장비에 설치되는데, 그 설치위치는 첨부한 도 5에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 테이블(22)의 웨이퍼 마운트 테입(30)에 부착된 웨이퍼로부터 위쪽으로 5cm에서 10cm정도의 거리로떨어진 위치에 설치하게 된다.The air nozzle 10 having the structure as described above is installed in the semiconductor chip attachment equipment, the installation position is a wafer attached to the wafer mount tape 30 of the wafer table 22, as shown in FIG. It will be installed at a distance of 5cm to 10cm upwards.
더욱 상세하게는, 상기 웨이퍼 테이블(22)에서 소잉된 반도체 칩을 픽업툴이 픽업하는 위치로 이온을 불어줄 수 있도록, 웨이퍼 테이블(22)상의 카메라가 설치된 위치에 상기 에어노즐(10)을 브라켓(24)을 사용하여 설치하는 것이 바람직하다.More specifically, the air nozzle 10 is bracketed at a position where a camera on the wafer table 22 is installed so that ions can be blown to the position where the pick-up tool picks up the semiconductor chip consumed from the wafer table 22. It is preferable to install using (24).
여기서, 본 발명의 반도체 칩 부착 장비의 정전기 방지용 에어노즐의 작동상태를 도 5내지 6을 참조로 설명하면 다음과 같다.Here, the operational state of the anti-static air nozzle of the semiconductor chip attachment equipment of the present invention will be described with reference to FIGS.
상기 반도체 칩 부착 장비에는 웨이퍼 마운트 테입(30)이 부착된 웨이퍼 테이블(22)이 설치되어 있는 바, 소잉된 상태의 웨이퍼가 웨이퍼 마운트 테입(30)에 부착되어진다.The wafer chip 22 to which the wafer mount tape 30 is attached is installed in the semiconductor chip attachment equipment, and the wafer in the sawed state is attached to the wafer mount tape 30.
이때, 상기 웨이퍼 마운트 테입(30)로부터 소잉된 반도체 칩을 진공홀을 갖는 픽업 툴(미도시됨)로 흡착하여 떼어내게 되는 바, 상기 반도체 칩의 후면과 상기 웨이퍼 마운트 테입간에 정전기가 발생하게 된다.At this time, the semiconductor chip sucked from the wafer mount tape 30 is sucked and removed by a pickup tool having a vacuum hole (not shown), and thus static electricity is generated between the rear surface of the semiconductor chip and the wafer mount tape. .
상기와 동시에, 상기 직류형 이온제공 콘트롤러(26)의 작동에 의하여 상기 에어 노즐(10)의 양쪽 이온발생용 니들(18)로부터 음이온과 양이온이 발생하여 상기 에어 및 이온 출구공간(12)으로 제공되어진다.At the same time, anion and cation are generated from both ion generating needles 18 of the air nozzle 10 by the operation of the direct current type ion providing controller 26 and provided to the air and ion outlet space 12. It is done.
따라서, 상기 에어 및 이온 출구공간(12)으로 제공된 음이온과 양이온은 상기 에어공급구(16)로 제공되는 공기의 흐름을 타고, 상기 웨이퍼 마운트 테입(30)으로부터 반도체 칩이 떼어지는 위치로 공급되어, 반도체 칩과 웨이퍼 마운트 테입(30)간에 발생하는 정전기를 중화시켜 제거하게 된다.Therefore, the negative ions and positive ions provided to the air and ion outlet spaces 12 are supplied to the position where the semiconductor chip is removed from the wafer mount tape 30 through the flow of air provided to the air supply port 16. In addition, the static electricity generated between the semiconductor chip and the wafer mount tape 30 is neutralized and removed.
즉, 대전물체인 반도체 칩 표면의 전하는 그와 반대극성을 갖으며 제공된양이온 또는 음이온을 흡착함으로써, 정전기가 용이하게 중화되어 제거된다.In other words, the charge on the surface of the semiconductor chip, which is the charged object, has the opposite polarity, and the static electricity is easily neutralized and removed by adsorbing the provided cation or anion.
한편, 상기 에어노즐(10)의 에어 및 이온 출구공간(12)에 제공된 양이온과 음이온은 서로 평형을 이룬 상태를 유지하며 웨이퍼 테이블(22)쪽으로 분사되어야 하는 바, 상기 에어노즐(10)의 크기 즉, 에어 및 이온 출구공간(12)의 공간이 협소하여 음이온과 양이온의 균형이 잘 이루어지지 않지만, 상기 에어 및 이온 출구공간(12)의 양측면에 형성된 보조공기홀(20)로부터 유입된 주변공기에 의하여 양이온과 음이온은 서로 균형을 이루며 분사위치로 용이하게 분사되어진다.On the other hand, the positive and negative ions provided in the air and ion outlet space 12 of the air nozzle 10 should be injected toward the wafer table 22 while being in balance with each other, the size of the air nozzle 10 That is, although the space of the air and ion outlet space 12 is narrow, the balance between the anions and the cations is not well achieved, but the ambient air introduced from the auxiliary air holes 20 formed on both sides of the air and ion outlet space 12. By the positive and negative ions are balanced with each other and easily injected to the injection position.
이상에서 본 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 칩 부착 장비의 정전기 방지용 에어노즐에 의하면, 개개의 칩으로 소잉된 놓여 있는 웨이퍼 테이블 위쪽에 정전기 방지용 에어노즐을 근접 설치하여, 웨이퍼 테이블상으로 음이온과 양이온을 균형적으로 발산시킬 수 있도록 함으로써, 웨이퍼 마운트 테입과 반도체 칩간에 발생하는 정전기를 중화시켜 제거할 수 있는 효과가 있다.As described above, according to the antistatic air nozzle of the apparatus for attaching a semiconductor chip according to the present invention, an antistatic air nozzle is placed close to the top of a wafer table laid by individual chips, and anion and cation are placed on the wafer table. By making it possible to dissipate in a balanced manner, there is an effect of neutralizing and removing static electricity generated between the wafer mount tape and the semiconductor chip.
이에, 정전기에 의한 반도체 칩의 회로 손상을 방지할 수 있게 된다.As a result, it is possible to prevent circuit damage of the semiconductor chip due to static electricity.
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