KR100394923B1 - 어레이 기판의 검사 방법 - Google Patents
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Abstract
전압값이 다른 2종류의 오프 전압 Vgs에서 각각 ASW1∼n을 비도통 상태로 하고, 보조 용량(13)에 기입한 테스트용 신호를 소정 시간 유지한 후, 각각 기입한 테스트용 신호를 판독하여 두개의 테스트용 신호로부터 얻어진 신호 파형을 비교한다. 이 비교 결과를 이용하여, 어레이 기판의 제조 단계에서 오프 리크(off leak) 불량의 유무나, 다른 불량과의 구별을 용이하게 행할 수 있다.
Description
본 발명은 주로 액티브 매트릭스형의 액정 표시 장치에 이용되는 어레이 기판의 검사 방법에 관한 것으로, 자세하게는 어레이 기판 상에 TFT(Thin Film Transistor)로 형성된 아날로그 스위치의 불량을 검출하는 기술에 관한 것이다.
최근, 화소마다 스위치 소자를 배치한 AM(액티브 매트릭스)형 액정 표시 장치가 노트형 PC나 휴대형 정보 단말의 디스플레이로서 보급되고 있다. 특히, 스위치 소자로서 p-Si(폴리실리콘) TFT를 이용한 것은 어레이 기판 상에 화소부 이외에 구동 회로를 집적할 수 있기 때문에, 배선의 용이화, 장치의 소형화에 유리하게 되어 있다.
어레이 기판 상에 집적되는 구동 회로 중, 신호선 구동 회로는 시프트 레지스터, 제어 회로, 버퍼 회로, 아날로그 스위치(이하, ASW), 비디오 버스 등으로 구성되어 있다. 이 중 ASW는 극성 반전 구동을 위해, 1개의 신호선에 극성이 다른 화상 신호를 1수평 주사 기간 또는 1프레임 기간마다 샘플링하기 때문에, n-ch TFT와 p-ch TFT를 조합한 C-MOS가 이용되고 있다.
그런데, 상기한 바와 같은 TFT에서는 오프 상태(비도통)라도 드레인∼소스 간에는 약간의 전류가 흐르고 있다(이하, 오프 리크라고 함). 통상의 프레임 주파수에서는 화소에 기입된 화상 신호의 전압이 오프 리크에 의해 저하되기 전에 다음의 기입이 행해지기 때문에, 표시에 영향을 주는 일은 거의 없다. 그러나, 트랜지스터 특성의 변동에 의해 누설되는 전류가 많아지면, 화소에 기입된 화상 신호의 전압이 1프레임 기간 내에 크게 저하되어 표시에 필요한 전압을 유지할 수 없게 된다(이하, 오프 리크 불량이라고 함). 이 결과, 예를 들면 검은색(또는 이것에 준한 색)을 표시했을 때, 오프 리크 불량의 ASW를 통하여 화상 신호가 기입된 세로 일렬의 화소만 색이 엷어져서, 이것이 선 결함으로서 인식되게 된다.
이러한 선 결함은 액정 패널로서 완성된 후에 점등 검사를 행함으로써 발견할 수 있지만, 이 단계에서는 이미 많은 패널이 라인 상을 흐르고 있기 때문에, 동일 선 결함을 갖는 제품을 다수 제조하게 되어 수율의 저하를 초래하게 된다. 또한 액정 패널로서 완성시키기 위한 공정이나 부품이 불필요해져 제조 비용이 상승한다. 이와 같이, 액정 패널로서 완성된 단계에서는 ASW의 오프 리크 불량에 의한 선 결함에 대하여 대책을 취하는 일이 어렵고, 어레이 기판의 제조 단계에서 조기에 발견하는 것이 바람직하다고 할 수 있다.
그래서, 화상 표시를 행할 수 없는 어레이 기판의 단계에서, 실제로 화상 표시를 행했을 때와 등가적인 검사를 행할 수 있는 어레이 테스터로 불리는 검사 장치가 이용되고 있다. 이 어레이 테스터에서는 ASW의 오프 리크 불량 외에, 화소 부분의 선 결함이나 점 결함, 드라이버 검사로서 주사선/신호선 구동 회로의 소비 전류나 시프트 레지스터의 동작 등의 검사를 행할 수 있다. ASW의 오프 리크 불량은 각 화소에 접속된 보조 용량에 테스트용 신호를 기입하고, 1화면분의 기입이 종료된 후에 이 테스트용 신호를 재차 판독하여, 이 신호 파형과 기대치로서 설정된 신호 파형을 비교함으로써 판정하는 방법이 널리 알려져 있다.
그러나, ASW의 오프 리크 불량에 의한 전류 누설은 미소한 것이기 때문에, 테스트용 신호 파형의 미묘한 차가 측정 오차나 노이즈와 혼동되어 파형 비교에 의한 판정이 어렵다고 하는 문제점이 있었다. 또한, 가령 불량 판정을 할 수 있다고 해도, 그것이 오프 리크 불량에 의한 것인지, 혹은 배선의 쇼트나 단선 등의 다른 결함에 의한 것인지를 구별하는 것이 어렵다고 하는 문제점이 있었다. 이와 같이, 종래의 어레이 테스터에 의한 검사에서는 어레이 기판의 단계에서 ASW의 오프 리크 불량에 의한 선 결함인지의 여부를 특정하는 것은 어렵고, 선 결함을 갖는 패널이라인 상을 흐르기 전에 적절한 대책을 취하는 것이나, 제조 비용의 상승을 피하는 것은 곤란하였다.
본 발명은 어레이 기판의 단계에서 ASW의 오프 리크 불량을 용이하게 검출할 수 있는 어레이 기판의 검사 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
도 1은 실시예에 관한 어레이 기판의 검사 방법을 적용하는 어레이 기판의 회로 구성을 나타내는 회로도.
도 2는 도 1에 도시한 어레이 기판 상에 형성되어 있는 p-ch TFT에 있어서의 Vgs와 Ids와의 관계를 나타내는 설명도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10: 어레이 기판
11 : 스위치 소자
12 : 화상 전극
13 : 보조 용량
14 : 보조 용량선
100 : 화소부
110 : 주사선 구동 회로
111 : 시프트 레지스터
112 : 버퍼
120 : 신호선 구동 회로
121 : 시프트 레지스터
122 : 제어 회로/버퍼
123 : 비디오 버스
125 : p-ch TFT
126 : n-ch TFT
130, 131 : 입출력 단자
140 : 어레이 테스터
141 : 테스트용 신호 발생부
142 : 테스트용 신호 판정부
143 : 전원 전압 출력부
G1∼n : 주사선
D1∼n : 신호선
ASW1∼n : 아날로그 스위치
본 발명의 적절한 실시예로서 어레이 기판의 검사 방법을 어레이 기판에 대하여 사용하는 것이다. 이 어레이 기판은 상호 교차하는 복수 라인의 신호선 및 복수 라인의 주사선과, 이들 양선의 각 교차부에 배치된 화소 전극, 상기 화소 전극과 전기적으로 접속된 보조 용량과, 상기 주사선으로부터 공급되는 게이트 신호에 의해 상기 신호선과 상기 화소 전극 간을 도통시켜 상기 신호선에 공급된 화상 신호를 상기 화소 전극 및 보조 용량에 기입하는 스위치 소자를 포함하는 화소부와, 화상 신호를 공급하는 비디오 버스와, 상기 비디오 버스와 상기 신호선 간을 도통시켜 상기 비디오 버스에 공급된 화상 신호를 상기 신호선에 공급하는 ASW와, 상기 ASW의 도통, 비도통을 제어하는 제어 회로를 포함하는 신호선 구동 회로와, 상기 주사선에 게이트 신호를 공급하는 주사선 구동 회로를 구비한 것이다. 그리고, 이 어레이 기판의 검사 방법은 아날로그 스위치를 선택 신호에 의해 도통시켜 상기 비디오 버스에 공급된 테스트용 신호를 신호선으로부터 보조 용량에 기입하고, 아날로그 스위치를 소정의 전압으로 설정한 비선택 신호에 의해 비도통으로 하여 소정 시간 유지한 후, 보조 용량에 기입된 테스트용 신호를 신호선을 통하여 판독하는 검사 단계를 복수회 실시하고, 각 검사 단계에서의 상기 아날로그 스위치의비선택 신호의 전압을 다르게 한 것을 특징으로 한다.
이러한 본 발명의 어레이 기판의 검사 방법에 있어서, ASW를 오프 상태로 하는 비선택 신호의 전압(오프 전압 Vgs)을 시프트하면, ASW를 오프 상태로 하였을 때 드레인∼소스 간에 흐르는 전류(누설 전류)의 양도 시프트된다. 예를 들면, p-ch TFT에 있어서, 어떤 종류의 특성 불량이 발생했을 때, 오프 전압 Vgs=0V인 경우에는 누설 전류의 양은 정상시와 오프 리크 불량 발생시에는 큰 차가 없지만, 오프 전압 Vgs=-1V가 되면, 누설 전류의 양은 정상시와 오프 리크 불량 발생시에 큰 차가 생긴다.
즉, ASW에 오프 리크 불량이 발생하고 있는 경우에는 오프 전압을 -1V로 하였을 때의 누설 전류가 보다 커지기 때문에, 신호 파형에 노이즈가 섞여 있어도 불량 검출이 용이해진다. 또한 동일 보조 용량으로부터 판독된 2회의 테스트용 신호의 크기의 차이로부터 오프 리크 불량과 다른 결함과의 구별도 용이해진다.
또, 신호 파형의 평가를 용이하게 하는 전압 설정은 발생하는 불량의 종류나 정도, 장소에 따라 다르다.
본 발명의 기타 목적 및 특징은 첨부 도면을 참조한 이하의 실시예를 통해 명백해질 것이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한다.
본 발명의 추가적인 목적 및 장점은 아래의 상세한 설명에 의해 명백해질 것이다.
<제1 실시예>
이하에서는 본 발명에 관한 어레이 기판의 검사 방법을 AM형 액정 표시 장치에 적용한 경우의 실시예에 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 관한 어레이 기판의 검사 방법을 적용한 어레이 기판의 회로 구성도이다.
어레이 기판(10) 상에는 화소부(100), 주사선 구동 회로(110), 신호선 구동 회로(120), 입출력 단자(130, 131) 등이 형성되어 있다.
화소부(100)에는 주사선 G1, G2 … Gn 및 신호선 D1, D2 … Dm이 상호 교차되도록 배치되어 있고, 이들 양선의 교차부에는 p-Si TFT로 구성된 스위치 소자(11)가 배치되어 있다.
이 스위치 소자(11)의 게이트 전극은 1수평 라인마다 공통적으로 주사선 G1, G2 … Gn에 접속되고, 또한 소스 전극은 1수직 라인마다 신호선 D1, D2 … Dm에 접속되어 있다.
또한 드레인 전극은 화소 전극(12)에 접속됨과 동시에, 이 화소 전극(12)과 전기적으로 접속되어 배치된 보조 용량(13)에 접속되어 있다.
이 보조 용량(13)은 보조 용량선(14)에 접속되고, 도시하지 않은 외부 구동 회로로부터 보조 용량 전압이 공급된다. 후술하는 어레이 테스터(140)를 사용한 검사에서는 전원 전압 출력부(143)로부터 일정한 전위가 입출력 단자(131)를 통해 공급된다.
또, 도 1은 액정 패널로서 조립하기 전의 어레이 기판 상에서의 구성을 나타낸 것이기 때문에, 화소 전극(12)과 대향 배치되는 대향 전극 및 이들 전극 간에충전되는 액정층 등은 도시되어 있지 않다.
주사선 구동 회로(110)는 시프트 레지스터(111), 버퍼(112)로 구성되어 있다. 시프트 레지스터(111)는 도시하지 않은 외부 구동 회로로부터 입출력 단자(130)를 통하여 공급되는 수직의 스타트 신호나 클럭 신호(이하, 수직/수평을 포함해서 논리 신호라고 함)에 기초하여, 주사선 G1, G2 … Gn에 1수평 주사 기간 마다 게이트 신호를 출력한다.
후술하는 어레이 테스터(140)를 사용한 검사에서는 테스트용 신호 발생부(141)로부터 시프트 레지스터(111)로 논리 신호가 공급되는 것 외에, 전원 전압 출력부(143)로부터는 주사선 구동 회로(110)를 구동하기 위한 전원 전압이 공급된다.
신호선 구동 회로(120)는 시프트 레지스터(121), 제어 회로/버퍼(122), 비디오 버스(123) 및 ASW1, 2 …n으로 구성되어 있다.
시프트 레지스터(121)는 도시하지 않은 외부 구동 회로로부터 입출력 단자(130)를 통하여 공급되는 논리 신호에 기초하여, 제어 회로/버퍼(122)의 동작 타이밍을 제어한다.
제어 회로/버퍼(122)는 시프트 레지스터(121)에 의해 제어되어 각 ASW에 선택 신호/비선택 신호를 출력한다. 선택 신호/비선택 신호의 전압은 후술하는 전원 전압 출력부(143)로부터 공급되는 전원 전압에 따라서 설정된다.
그리고, 이 선택 신호/비선택 신호에 의해 ASW1, 2 …n이 온/오프 동작함으로써, 비디오 버스(123)에 공급된 화상 신호가 신호선 D1, D2 … Dm에 샘플링된다.
여기서, 신호선 D1, D2 … Dm에 샘플링되는 화상 신호는 1프레임마다 인접하는 행 또는 열, 혹은 화소마다 극성을 반전시키는 소위 극성 반전 구동이 행해지고 있다. 이 때문에, ASW1, 2 … n은 각각 p-ch TFT(125)와 n-ch TFT(126)를 조합한 C-MOS로 구성되어 있다.
또한, 비디오 버스(123)는 정극성의 화상 신호와 부극성의 화상 신호가 각각 별개의 경로로 공급되도록 배선되어 있다. 이에 따라, 예를 들면 홀수 프레임에서는 신호선 D1에 접속되는 p-ch TFT(125)를 통해 정극성의 화상 신호가 신호선 D1에 샘플링되며, 동시에, 인접하는 신호선 D2에 접속되는 n-ch TFT(126)를 통해 부극성의 화상 신호가 신호선 D2에 샘플링된다. 다음에 짝수 프레임에서는 신호선 D1에 접속되는 n-ch TFT(126)를 통해 부극성의 화상 신호가 신호선 D1에 샘플링되며, 동시에, 인접하는 신호선 D2에 접속되는 p-ch TFT(125)를 통해 정극성의 화상 신호가 신호선 D2에 샘플링된다. 이 전환은 제어 회로/버퍼(122)로부터의 선택 신호에 의해 ASW1, 2 … n을 제어함으로써 실현되고 있다.
여기서, p-ch TFT(125)는 Low 레벨의 선택 신호에서 온 상태가 되고, High 레벨의 비선택 신호에서 오프 상태가 되는 것으로 하고, 또한 n-ch TFT(126)는 High 레벨의 선택 신호에서 온 상태가 되고, Low 레벨의 비선택 신호에서 오프 상태가 되는 것으로 한다.
후술하는 어레이 테스터(140)를 사용한 검사에서는 테스트용 신호 발생부(141)로부터 시프트 레지스터(111)로 논리 신호가 공급되는 것 외에, 테스트용 신호 발생부(141)로부터 비디오 버스(123)에는 테스트용의 화상 신호가 공급되고, 또 전원 전압 출력부(143)로부터는 신호선 구동 회로(120)를 구동하기 위한 전원 전압이 공급된다.
어레이 테스터(140)는 어레이 기판(10)의 외부 회로로서 준비되는 회로이고, 테스트용 신호 발생부(141), 테스트용 신호 측정부(142) 및 전원 전압 출력부(143)에 의해 구성되어 있다.
테스트용 신호 발생부(141)는 비디오 버스(123)에 테스트용의 화상 신호(이하, 테스트용 신호라고 함)를 공급함과 동시에, 주사선 구동 회로(110) 및 신호선 구동 회로(120)에 각각 논리 신호를 공급한다. 이들 신호는 입출력 단자(130)를 통하여 공급된다.
테스트용 신호 측정부(142)는 화소부(100)의 보조 용량(13)에 기입된 테스트용 신호를 판독하고, 그 신호 파형을 측정한다. 테스트용 신호의 기입은 후술하는 바와 같이 2회 행해진다. 테스트용 신호 측정부(142)에서는 측정된 신호 파형을 외부 회로로 출력한다. 또한, 테스트용 신호 측정부(142)는 주사선 구동 회로(110)나 신호선 구동 회로(120)의 소비 전류나 시프트 레지스터 동작에 있어서의 신호 파형의 크기를 측정하고, 마찬가지로 도시하지 않은 외부 장치로 출력한다.
전원 전압 출력부(143)는 주사선 구동 회로(110)나 신호선 구동 회로(120)에 대하여 그 구동에 필요한 전원 전압을 공급하는 것 외에, 보조 용량선(14)에 보조 용량 전압을 공급한다. 또한, 테스트용 신호 발생부(141)나 테스트용 신호 측정부(142)의 전원 전압도 공급하고 있다. 이들 전원 전압은 입출력 단자(130,131)를 통하여 공급된다.
다음에, 상기한 바와 같이 구성된 어레이 기판(10)에 있어서, ASW1, 2 … n에 있어서의 오프 리크 불량 검사 방법에 대하여 설명한다.
우선, 전원 전압 출력부(143)로부터 주사선 구동 회로(110)나 신호선 구동 회로(120) 등에 필요한 전원 전압을 공급한다. 여기서, 테스트용 신호의 제1회째의 기입에서는, 신호선 구동 회로(120)에는 통상 검사의 경우와 동일 전원 전압(이하, 표준 전원 전압이라고 함)으로서 10V를 공급한다.
또한, 테스트용 신호 발생부(141)로부터 비디오 버스(123)에 테스트용 신호를 공급함과 동시에, 주사선 구동 회로(110)나 신호선 구동 회로(120)에 논리 신호를 공급한다.
이러한 전원 전압이나 논리 신호의 공급에 의해, 각 구동 회로는 다음과 같이 동작한다. 여기서는 간단한 예로서, 주사선 G1에 접속된 1수평 라인 상의 보조 용량(13)에 테스트용 신호를 기입하는 경우를 예로 설명한다. 덧붙여서 말하면, 실제의 검사에서는 다른 점 결함 등의 검사도 동시에 행하기 때문에, 모든 화소로의 기입을 행한다.
주사선 구동 회로(110)로부터 주사선 G1로 게이트 신호가 출력되면, 1수평 라인 상의 스위치 소자(11)가 1수평 주사 기간만큼 온 상태가 된다. 그 동안에 제어 선택 회로/버퍼(122)로부터는 선택 신호가 출력되고, ASW1, 2 … n이 순서대로 온 상태가 된다. 이 결과, 비디오 버스(123)에 공급된 테스트용 신호는 ASW1, 2 … n을 통하여 신호선 D1, D2 … Dm에 순서대로 샘플링된다.
그리고, 신호선 D1, D2 … Dm에 샘플링된 테스트용 신호는 온 상태가 된 스위치 소자(11)를 통해 보조 용량(13)에 기입된다. 제어 회로/버퍼(122)로부터 출력된 선택 신호는 소정 시간 후에 비선택 신호로 시프트된다. ASW1, 2 … n이 오프 상태가 되면, 신호선 D1, D2 … Dm과 비디오 버스(123) 간은 비도통 상태가 된다.
다음에, 1프레임 기간(또는 1수평 주사 기간)이 경과한 시점에서, 주사선 구동 회로(110)로부터 주사선 G1로 게이트 신호가 출력되면, 1수평 라인 상의 스위치 소자(11)가 다시 온 상태가 된다. 그 동안에 제어 회로/버퍼(122)로부터는 선택 신호가 출력되고, ASW1, 2 … n이 순서대로 온 상태가 된다. 이 결과, 1수평 라인 상의 보조 용량(13)에 충전되어 있던 테스트용 신호가 신호선 D1, D2 … Dm, ASW1, 2 …n 및 비디오 버스(123)를 통하여 판독되고, 테스트용 신호 측정부(142)로 출력된다. 테스트용 신호 측정부(142)에서는 판독된 신호 파형의 크기를 측정하고, 그 신호 파형을 도시하지 않은 외부 회로로 출력한다.
계속해서, 제2회째의 기입 및 판독을 행한다. 그 동안, 신호선 구동 회로(120)에 앞의 표준 전원 전압보다도 낮은 전원 전압을 공급한다. 예를 들면, 표준 전원 전압이 10V이면, 제2회째의 기입에는 9V의 전원 전압을 공급한다. 이 결과, 신호선 구동 회로(120)로부터 출력되는 비선택 신호의 전압 진폭도 작아진다. p-ch TFT를 예로 설명하면, 표준 전원 전압이 10V일 때의 비선택 신호의 전압(게이트∼소스 간 전압)이 0V라고 하면, 전원 전압을 9V로 하였을 때의 비선택 신호의 전압은 -1V가 된다.
여기서, 신호선 구동 회로(120)의 전원 전압과, ASW의 트랜지스터 특성에 대하여 설명한다.
도 2는 p-ch TFT에 있어서의 게이트∼소스 간 전압 Vgs(오프 전압)와 드레인∼소스 간 전류 Ids와의 관계를 나타내는 설명도이다. 파선은 정상시의 특성을, 또한 실선은 오프 리크 불량이 발생하고 있는 경우의 특성을 나타내고 있다.
오프 전압 Vgs가 0V인 경우, 드레인∼소스 간에 흐르는 전류, 즉 ASW가 오프 상태일 때 누설 전류는 도 2 중 A로 나타낸 바와 같이 정상시와 오프 리크 불량 발생시에는 큰 차가 없다. 그러나, 오프 전압 Vgs가 -1V가 되면, 누설 전류는 도 2 중 B로 나타낸 바와 같이 정상시와 오프 리크 불량 발생시에 큰 차가 생긴다.
즉, ASW에 오프 리크 불량이 발생하고 있는 경우에는 오프 전압 Vgs를 -1V로 했을 때 누설 전류가 커지기 때문에, 신호 파형에 노이즈가 섞여 있어도 불량 검출이 용이해진다.
또한 동일 보조 용량으로부터 판독된 2회의 테스트용 신호의 크기의 차이로부터 오프 리크 불량과 다른 결함과의 구별도 용이해진다. 또, 신호 파형의 평가를 용이하게 하는 전압 설정은 발생하는 불량의 종류나 정도, 장소에 따라 다르다.
이 실시예의 검사 방법에서는 신호선 구동 회로(120)에 표준 전원 전압(10V)과 그것보다도 낮은 전원 전압(9V)을 공급하여 각각 기입된 화상 신호를 판독하고, 두개의 화상 신호로부터 얻어진 신호 파형의 차가 허용 범위 내에 있을 때는 정상 또는 다른 불량으로 판정하고, 그렇지 않은 경우에는 오프 리크 불량으로 판정한다.
이 판정에는 도시하지 않은 외부 회로 상에 준비된 판정 시스템에 의해 행할 수 있다. 이 판정 시스템으로서는, 예를 들면, 신호 파형을 디지털 신호로 변환하고, 컴퓨터 상에서 비교·판정하는 시스템이 생각된다.
이 실시예의 어레이 기판의 검사 방법에 따르면, ASW에 오프 리크 불량이 발생하고 있는 경우에는 비선택 전압을 최적으로 설정함으로써 신호 파형에 노이즈가 섞여 있어도 불량 검출이 용이해진다.
또한 동일 보조 용량으로부터 판독된 2회의 테스트용 신호의 크기의 차이로부터 오프 리크 불량과 다른 결함과의 구별도 용이해진다.
또, 신호 파형의 평가를 용이하게 하는 전압 설정은 발생하는 불량의 종류나 정도, 장소에 따라 다르다. 따라서, 선 결함을 갖는 패널이 라인 상을 흐르기 전에 적절한 대책을 취할 수 있어 수율을 대폭적으로 향상시킬 수 있다. 또한 액정 패널로서 완성시키기 위한 공정이나 부품의 낭비를 피하여 제조 비용을 억제할 수 있다.
덧붙여서 말하면, 상기 실시예에 있어서, 비선택 신호의 전압을 -1V로 했을 때의 테스트용 신호를 판독한 것만으로는 그것이 ASW의 오프 리크 불량에 의한 것인지 혹은 다른 결함에 의한 것인지를 판단할 수 없다.
오프 리크 불량을 판별하기 위해서는, 이 실시예에서 설명한 바와 같이, 신호선 구동 회로(120)에 표준 전원 전압과 그것보다도 낮은 전원 전압 두개를 공급하고, 비선택 신호의 전압을 변화시킴과 동시에 그 때 기입된 두개의 테스트용 신호를 판독하여 비교할 필요가 있다.
단, 전원 전압을 지나치게 낮게 설정하면, 신호선 구동 회로 그 자체를 구동할 수 없게 될 우려가 있다. 조건에 따라 다르지만, 대개 표준 전원 전압의 10% 정도 낮은 전압으로 설정하는 것이 바람직하다.
또, 도 1에 도시한 실시예의 신호선 구동 회로(120)에 공급하는 전원 전압 및 ASW의 오프 전압 Vgs의 값은 일례를 나타낸 것이고, 다른 전압값으로 동작하도록 구성된 신호선 구동 회로나 ASW에도 적용할 수 있는 것은 물론이다.
또한, 신호선 구동 회로(120)에 있어서의 비디오 버스(123)나 ASW의 배선 구조, 회로 구성도 그 구동 방법에 따라 여러 가지로 다르다. 본 발명은 ASW를 갖는 신호선 구동 회로 일반에 적용 가능하고, 이 실시예의 구성은 그 일례를 나타낸 것에 지나지 않는다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 관한 어레이 기판의 검사 방법은 전압값이 다른 2종류의 오프 전압으로 각각 ASW를 비도통 상태로 하고, 보조 용량에 기입된 테스트용 신호를 소정 시간 유지한 후, 각각 기입한 테스트용 신호를 판독하고, 두개의 테스트용 신호로부터 얻어진 신호 파형을 비교하여 오프 리크 불량의 유무를 판정하도록 한 것이다.
이와 같이, 누설 전류가 커지도록 비선택 전압을 설정함으로써, ASW의 오프 리크 불량의 검출이 용이해진다. 또한, 전압값이 다른 2종류의 오프 전압으로 각각 ASW를 비도통 상태로 한 경우에는 동일 보조 용량으로부터 판독된 두개의 테스트용 신호의 크기의 차이도 현저해진다.
따라서, 신호 파형에 노이즈가 섞여 있어도 신호 파형의 비교가 용이해지고, 또한 오프 리크 불량과 다른 결함과의 구별도 용이해지기 때문에, 어레이 기판 단계에서 ASW의 오프 리크 불량을 용이하게 검출할 수 있다.
또, 이번 개시된 실시예는 모든 점에서 예시이며 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 본 발명의 범위는 상기한 설명이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 설명되며, 특허 청구의 범위와 균등의 의미 및 범위 내에서의 모든 변경이 포함되는 것이 의도된다.
Claims (8)
- 상호 교차하는 복수 라인의 신호선 및 복수 라인의 주사선,이들 양선의 각 교차부에 배치된 화소 전극,상기 화소 전극과 전기적으로 접속된 보조 용량, 및상기 주사선으로부터 공급되는 게이트 신호에 의해 상기 신호선과 상기 화소 전극 간을 도통시켜 상기 신호선에 공급된 화상 신호를 상기 화소 전극 및 보조 용량에 기입하는 스위치 소자를 포함하는 화소부와;화상 신호를 공급하는 비디오 버스,상기 비디오 버스와 상기 신호선 간을 도통시켜 상기 비디오 버스에 공급된 화상 신호를 상기 신호선에 공급하는 아날로그 스위치, 및상기 아날로그 스위치의 도통, 비도통을 제어하는 제어 회로를 포함하는 신호선 구동 회로와;상기 주사선에 게이트 신호를 공급하는 주사선 구동 회로를 포함한 어레이 기판의 검사 방법에 있어서,상기 아날로그 스위치를 선택 신호에 의해 도통시켜 상기 비디오 버스에 공급된 테스트용 신호를 상기 신호선으로부터 상기 보조 용량에 기입하고, 상기 아날로그 스위치를 소정의 전압으로 설정한 비선택 신호에 의해 비도통으로 하여 소정 시간 유지한 후, 상기 보조 용량에 기입된 테스트용 신호를 상기 신호선을 통하여 판독하는 검사 단계를 복수회 실시하고, 각 검사 단계에서의 상기 아날로그 스위치의 비선택 신호의 전압을 다르게 한 것을 특징으로 하는 어레이 기판의 검사 방법.
- 제1항에 있어서,상기 각 검사 단계에서 판독된 테스트용 신호의 비교로부터 상기 아날로그 스위치의 불량을 검출하는 것을 특징으로 하는 어레이 기판의 검사 방법.
- 제1항에 있어서,상기 비선택 신호의 전압은 상기 신호선 구동 회로에 공급되는 전원 전압에 따라서 설정되는 것을 특징으로 하는 어레이 기판의 검사 방법.
- 제2항에 있어서,상기 비선택 신호의 전압은 상기 신호선 구동 회로에 공급되는 전원 전압에 따라서 설정되는 것을 특징으로 하는 어레이 기판의 검사 방법.
- 제1항에 있어서,n-ch TFT와 p-ch TFT를 조합한 C-MOS로 구성되는 상기 아날로그 스위치를 포함하는 신호선 구동 회로를 포함한 어레이 기판에 대하여 검사를 행하는 것을 특징으로 하는 어레이 기판의 검사 방법.
- 제2항에 있어서,n-ch TFT와 p-ch TFT를 조합한 C-MOS로 구성되는 상기 아날로그 스위치를 포함하는 신호선 구동 회로를 포함한 어레이 기판에 대하여 검사를 행하는 것을 특징으로 하는 어레이 기판의 검사 방법.
- 제3항에 있어서,n-ch TFT와 p-ch TFT를 조합한 C-MOS로 구성되는 상기 아날로그 스위치를 포함하는 신호선 구동 회로를 포함한 어레이 기판에 대하여 검사를 행하는 것을 특징으로 하는 어레이 기판의 검사 방법.
- 제4항에 있어서,n-ch TFT와 p-ch TFT를 조합한 C-MOS로 구성되는 상기 아날로그 스위치를 포함하는 신호선 구동 회로를 포함한 어레이 기판에 대하여 검사를 행하는 것을 특징으로 하는 어레이 기판의 검사 방법.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000-153057 | 2000-05-24 | ||
JP2000153057A JP2001330639A (ja) | 2000-05-24 | 2000-05-24 | アレイ基板の検査方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20020014985A KR20020014985A (ko) | 2002-02-27 |
KR100394923B1 true KR100394923B1 (ko) | 2003-08-19 |
Family
ID=18658389
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR10-2001-0028641A KR100394923B1 (ko) | 2000-05-24 | 2001-05-24 | 어레이 기판의 검사 방법 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6630840B2 (ko) |
JP (1) | JP2001330639A (ko) |
KR (1) | KR100394923B1 (ko) |
TW (1) | TW573127B (ko) |
Families Citing this family (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100724745B1 (ko) * | 2000-09-30 | 2007-06-04 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자 및 그 검사방법 |
JP2003050380A (ja) * | 2001-08-07 | 2003-02-21 | Toshiba Corp | アレイ基板の検査方法 |
US7088052B2 (en) | 2001-09-07 | 2006-08-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of driving the same |
JP2003194662A (ja) * | 2001-12-27 | 2003-07-09 | Nihon Tetra Pak Kk | シール状態検査装置 |
US6911781B2 (en) * | 2002-04-23 | 2005-06-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and production system of the same |
JP3527726B2 (ja) * | 2002-05-21 | 2004-05-17 | ウインテスト株式会社 | アクティブマトリクス基板の検査方法及び検査装置 |
DE10227332A1 (de) * | 2002-06-19 | 2004-01-15 | Akt Electron Beam Technology Gmbh | Ansteuervorrichtung mit verbesserten Testeneigenschaften |
KR100491560B1 (ko) * | 2003-05-06 | 2005-05-27 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자의 검사방법 및 장치 |
WO2004109374A1 (ja) * | 2003-06-04 | 2004-12-16 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | アレイ基板の検査方法およびアレイ基板の検査装置 |
US7053645B2 (en) * | 2003-06-06 | 2006-05-30 | Yieldboost Tech, Inc. | System and method for detecting defects in a thin-film-transistor array |
US20040249608A1 (en) * | 2003-06-06 | 2004-12-09 | Yieldboost Tech, Inc. | System and method for detecting defects in a thin-film-transistor array |
TW594655B (en) * | 2003-07-11 | 2004-06-21 | Toppoly Optoelectronics Corp | Testing circuit and method thereof for a flat panel display |
TWI220696B (en) * | 2003-09-12 | 2004-09-01 | Toppoly Optoelectronics Corp | Testing device and its operation method of the flat-panel display |
US6833717B1 (en) | 2004-02-12 | 2004-12-21 | Applied Materials, Inc. | Electron beam test system with integrated substrate transfer module |
US7355418B2 (en) | 2004-02-12 | 2008-04-08 | Applied Materials, Inc. | Configurable prober for TFT LCD array test |
US20060038554A1 (en) * | 2004-02-12 | 2006-02-23 | Applied Materials, Inc. | Electron beam test system stage |
US7319335B2 (en) | 2004-02-12 | 2008-01-15 | Applied Materials, Inc. | Configurable prober for TFT LCD array testing |
KR101034923B1 (ko) * | 2004-05-31 | 2011-05-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 오토 프로브 검사장비 및 이를 이용한 검사방법 |
US7038484B2 (en) * | 2004-08-06 | 2006-05-02 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | Display device |
US7535238B2 (en) | 2005-04-29 | 2009-05-19 | Applied Materials, Inc. | In-line electron beam test system |
JP2007121422A (ja) * | 2005-10-25 | 2007-05-17 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 液晶表示装置の検査方法 |
US7394276B2 (en) * | 2006-01-17 | 2008-07-01 | International Business Machines Corporation | Active cancellation matrix for process parameter measurements |
KR101337459B1 (ko) * | 2006-02-03 | 2013-12-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시장치 및 그 표시장치를 구비한 전자기기 |
KR100759688B1 (ko) * | 2006-04-07 | 2007-09-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 원장단위 검사가 가능한 유기전계발광 표시장치 및모기판과 그 검사방법 |
US7786742B2 (en) | 2006-05-31 | 2010-08-31 | Applied Materials, Inc. | Prober for electronic device testing on large area substrates |
US7423446B2 (en) * | 2006-08-03 | 2008-09-09 | International Business Machines Corporation | Characterization array and method for determining threshold voltage variation |
CN101589338B (zh) | 2007-01-25 | 2014-09-10 | 东阳特克尼卡株式会社 | Tft液晶面板的物理性质测量方法及tft液晶面板的物理性质测量装置 |
US8862426B2 (en) * | 2007-12-20 | 2014-10-14 | International Business Machines Corporation | Method and test system for fast determination of parameter variation statistics |
JP5428299B2 (ja) * | 2008-03-18 | 2014-02-26 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
US7868640B2 (en) * | 2008-04-02 | 2011-01-11 | International Business Machines Corporation | Array-based early threshold voltage recovery characterization measurement |
CN101719352B (zh) * | 2008-10-09 | 2012-07-25 | 北京京东方光电科技有限公司 | 液晶盒成盒后检测装置和方法 |
US20120120129A1 (en) * | 2010-11-11 | 2012-05-17 | Novatek Microelectronics Corp. | Display controller driver and method for testing the same |
CN110299110B (zh) * | 2019-06-28 | 2020-10-02 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 栅极驱动电路的驱动方法及栅极驱动电路、显示装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5113134A (en) * | 1991-02-28 | 1992-05-12 | Thomson, S.A. | Integrated test circuit for display devices such as LCD's |
JP2792634B2 (ja) * | 1991-06-28 | 1998-09-03 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板の検査方法 |
US5377030A (en) * | 1992-03-30 | 1994-12-27 | Sony Corporation | Method for testing active matrix liquid crystal by measuring voltage due to charge in a supplemental capacitor |
GB9219836D0 (en) * | 1992-09-18 | 1992-10-28 | Philips Electronics Uk Ltd | Electronic drive circuits for active matrix devices,and a method of self-tasting and programming such circuits |
TW329002B (en) * | 1996-06-05 | 1998-04-01 | Zenshin Test Co | Apparatus and method for inspecting a LCD substrate |
US6265889B1 (en) * | 1997-09-30 | 2001-07-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor test circuit and a method for testing a semiconductor liquid crystal display circuit |
-
2000
- 2000-05-24 JP JP2000153057A patent/JP2001330639A/ja active Pending
-
2001
- 2001-05-22 US US09/861,523 patent/US6630840B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-05-23 TW TW90112432A patent/TW573127B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-05-24 KR KR10-2001-0028641A patent/KR100394923B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20020014985A (ko) | 2002-02-27 |
JP2001330639A (ja) | 2001-11-30 |
TW573127B (en) | 2004-01-21 |
US6630840B2 (en) | 2003-10-07 |
US20010052788A1 (en) | 2001-12-20 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
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