KR100392472B1 - 감금매트릭스로서인회석을사용하여방사성요오드,특히,요오드129를컨디셔닝하는방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 감금 매트릭스로서 인회석을 이용하여 방사성 요오드, 특히 요오드 129를 컨디셔닝 또는 패키징에 관한 것이다. 요오드를 함유하는 일반식(I)의 인회석은 하기된 바와 같다:
M10(XO4)6-6x(PO4)6xI2(I)
상기식에서,
M은 Cd 또는 Pb 이고,
X는 V 또는 As 이며,
I는 컨디셔닝되는 방사성 요오드이고,
x는 0≤ x〈1 이 되는 수이다.
이러한 인회석(I)은 물리적인 벽으로 작용하는 요오드 비함유 인회석(3)으로 둘러싸일 수 있다.
요오드인회석은 예를들어 요오드화은 또는 요오드화납과 같은 요오드의 고형화합물을 일반식(II) 또는 일반식(III)의 화합물과 반응시켜 얻을 수 있다:
M3(XO4)2-2x(PO4)2x(II)
M10(XO4)6-6x(PO4)6xY2(III)
상기식에서,
M, X 및 x는 상기된 바와 같고,
Y는 OH, F, Cl 또는 O1/2이다.

Description

감금 매트릭스로서 인회석을 사용하여 방사성 요오드, 특히, 요오드 129를 컨디셔닝(conitioning)하는 방법{Process for the Conditioning of Radioactive Iodine, Particularly Iodine 129, Using an Apatite as the Confinement Matrix}
방사성 요오드는 핵 반응로로부터 조사된 연료에 존재한다. 이러한 요오드는 연료가 재생될 때 방출된다. 따라서, 개스성 요오드는 조사된 연료 용해 용액에 의해 방출된 개스에서 발생되고 미량의 요오드가 수성 유출물에서 발견된다. 요오드 129는 갑상선에 강한 친화력이 있어 인체에 유해하여, 특정 요오드 129의 방사성은 매우 낮지만, 고농도의 요오드 129는 건강에 위험할 수 있기 때문에, 요오드는 요오드의 매우 긴 붕괴 주기로 인해 장시간 동안 일정한 기간을 기준으로 저장하고 제거할 필요가 있다. 따라서 신뢰할 수 있는 매트릭스에 요오드 129를 컨디셔닝하고 저장하는 것이 극히 중요하다.
요오드 129를 트래핑(trapping)하는 현재의 방법은 요오드화은, 요오드화구리, 요오드화납 또는 요오드화바륨을 얻는 방법이다.
트랩된 요오드를 저장하기 위해 수 가지의 방법이 연구되고 숙고되어 세라믹상에 이를 저장하거나 저융점 글래스에 저장하는 방법을 얻었다. 그러나 이는 장시간 저장에 안정한 상이 아니다.
본 발명은 방사성 요오드, 특히, 요오드 129를 컨디셔닝하거나 패키징(packaging)하는 방법에 관한 것이다. 요오드 129는 1.6.107년의 붕괴주기를 지니는 β및 γ방출 분열산물이다.
도 1은 본 발명에 따른 컨디셔닝 블록의 개략도이다.
도 2는 장기간 저장동안 방사성 요오드를 고정한 요오도인회석이 형성되는 본 발명에 따른 제 1 양태의 컨디셔닝 블록을 도시하는 것이다.
도 3은 장기간 저장동안 방사성 요오드를 고정한 요오도인회석이 형성되는 본 발명에 따른 제 2 양태의 컨디셔닝 블록을 도시하는 것이다.
도 1은 일반식(I)의 요오도인회석으로 형성되며 요오드를 함유하지 않고 외부의 충격 및 스트레스에 대한 보호벽으로 작용하는 인회석층(3)에 둘러싸인 코어를 포함한다.
본 발명은 방사성 요오드, 특히, 요오드 129를 컨디셔닝하는 블록에 관한 것이고, 장시간 저장에 특히 적절한 특성을 지니는 물질을 감금 매트릭스로 사용한다.
본 발명에 따르면, 방사성 요오드 컨디셔닝 블록은 일반식(I)의 요오드인회석을 포함한다:
M10(XO4)6-6x(PO4)6xI2(I)
상기식에서,
M은 Cd 또는 Pb 이고,
X는 V 또는 As 이며,
I는 컨디셔닝되는 방사성 요오드이고,
x는 0≤ x〈1 이 되는 수이다.
이러한 블록에서, 요오드는 인회석의 구조에 화학적으로 트랩되고, 이러한 블록은 장기간 컨디셔닝에 많은 이점이 있다.
인회석은 다른 원소 및 특히 요오드와 같은 상이한 할로겐을 그들의 구조내로 집적할 수 있는 매우 주목할 만한 특성을 지닌다. 또한, 인회석은 하기된 놀라운 특성을 지니고 있다:
인회석의 구조는 화학적으로 및 열적으로 매우 안정하고, 인회석은 물에 매우 제한적으로 용해되고 이의 용해도는 온도가 증가할 경우 감소하며, 인회석의 구조는 β및 γ방사성에 견딜 수 있고, 인회석은 산소와 같은 이들의 격자 분자종에 취화(脆化)되거나 컨디셔닝 매트릭스의 다공성이 증가되지 않으면서 요오드 129의 방사성 붕괴에 의해 생성된 비-방사성 크세논을 수용할 수 있다.
천연의 플루오인회석은 다음 일반식으로 나타낸다:
Ca10(PO4)6F2
이러한 구조에서, 많은 치환체가 형성될 수 있으며, 특히 칼슘이 카드뮴, 스트론튬, 바륨, 및 납등과 같은 다양한 이가 양이온으로 치환될 수 있고, 인산이온은 바나듐산염 이온 또는 비산염 이온으로 치환될 수 있으며, F-음이온은 I-와 같은 일가 음이온으로 치환될 수 있다. I-음이온의 크기로 인해, M이 Cd 또는 Pb이고 X가 V 또는 As이며 x가 0 ≤ x〈 1인 일반식(I)에 따른 인회석에서는 F-가 I-로 치환될 수 있다.
따라서, 본 발명에 따른 블록에서, 천연 인회석의 인산염 그룹을 부피가 큰 VO4또는 AsO4그룹으로 치환시키면 격자상수가 현저하게 증가한다. 이는 인회석의 터널부에서 증가하고, 그러한 이유는 터널부가 격자 상수(a)의 값과 직접 결부되고천연 인회석에 존재하는 F-또는 Cl-이온(각각 1.33 및 1.81Å)의 이온반경 보다 매우 큰 이온반경(2.20Å)을 지니는 요오드 이온을 터널내로 유입시킬 수 있기 때문이다.
이러한 방법으로, 천연 인회석의 Ca2+양이온이 Pb와 같은 보다 큰 양이온으로 치환되는 경우 격자상수가 증가하고 터널내로 I-의 유입이 촉진된다.
Ca2+의 이온 반경보다 작은 이온반경(0.95Å)을 지니는 Cd2+의 경우에, F-또는 Cl-대신 I-을 유입시킬 가능성이 있다. 이는 Cd2+의 강한 극성 및 PO3- 4보다 큰 XO3- 4의 존재로 설명될 수 있다.
이하 기술하고 있는 바와 같이 본 발명에 따른 블록은 요오드-함유 화합물을 일반식(II)의 고체 화합물과 반응시킴으로써 제조될 수 있다:
M3(XO4)2-2x(PO4)2x(II)
상기식에서,
M, X 및 x는 상기 일반식(I)에서와 동일한 의미를 나타낸다.
본 발명에 따르면, 천연 인회석의 PO3- 4이온이 VO3- 4또는 AsO3- 4이온으로 완전히 치환되지 않는 것이 유리할 수 있고, 그러한 이유는 M이 Pb이고 X가 V이며 x가 0인 고체 화합물(II)가 블록의 제조에 유용한 온도 범위, 즉, 20 내지 800℃에서 γ상으로 존재하기 때문이다.
그러나, x가 0이고 M이 Pb이며 X가 V인 경우에 고체 화합물, 즉, 오르토바나듐산납은 120℃에서 β-γ상전이되고, 이는 본 발명의 물질, 즉, 컨디셔닝 블록의 장기간의 양호한 특성에서 1.4%용적 농도를 감소시킨다는 것이 공지되어 있다.
그러나, VO3- 4이온이 부분적으로 PO3- 4이온으로 치환되는 경우(x〉0), 상전이 온도가 낮아진다. 예를들어, x가 0.2일 경우 상전이 온도는 -50℃이다. 따라서, x가 0.2인 물질은 본 발명에 따른 블록의 제조 온도 범위에서 상전이 되지 않는다. 다음으로 주목의 대상이 대는 것은 제조동안 블록의 취화를 방지하도록 일부의 PO3- 4를 보유하는 것이다.
바람직하게는, x는 0.1 ≤x≤0.75가 되도록하고, x가 0.1 내지 0.3인 경우에 우수한 결과를 얻는다.
본 발명에 따르면, 다양한 조성을 지니며 외부의 충격 및 스트레스에 견디는 물리적인 벽을 제공하는 요오드를 함유하지 않은 하나 이상의 인회석층으로, 인회석의 구조내에 방사성 요오드를 함유하는 요오드인회석을 둘러싸게 함으로써 컨디셔닝 특성을 보다 더 개선할 수 있다.
상이한 층의 구성은 내부층 또는 층들이 요오드를 감금하게 하고 외부층 또는 층들이 외부 매체로부터의 공격을 막게하는 방법으로 변형될 수 있다.
요오드를 함유하지 않는 인회석은 그들의 특성에 따라 선택되어, 컨디셔닝이수중의 용해에 양호한 내성 및 방사선 조사 손상에 양호한 내성을 지니도록 한다. 사용될 수 있는 인회석의 예로는 포스포칼슘 플루오인회석 및 포스포실리케이트 플루오인회석(브리톨라이트: britholites)가 있다.
요오도인회석 형태로 인회석의 구조내에 요오드를 화학적으로 감금하기 위해서는, 요오드화 금속과 같은 고체상태의 요오드-함유 화함물로 출발하여, 이것을 500 내지 800℃의 온도에서 고체상태의 일반식(II)의 화합물과 반응시킬 수 있다:
M3(XO4)2-2x(PO4)2x(II)
상기식에서,
M, X 및 x는 상기된 바와 같다.
출발 요오드-함유 화합물이 PbI2또는 AgI인 경우에, 고체/고체 반응은 다음식에 따른다:
PbI2+ 3[M3(XO4)2-2x(PO4)2x→ PbM9(XO4)6-6x(PO4)6xI2
AgI+ 3[M3(XO4)2-2x(PO4)2x]→ AgM9(XO4)6-6x(PO4)6xI□
기호 □는 요오드 위치의 공극(lacuna)를 나타낸다.
본 반응은 요오드화물과 일반식(II)의 화합물의 미세한 분말을 500 내지 800℃에서 소결시킴으로써 수행될 수 있다. 소결시간은 사용되는 온도에 따라 선택될 수 있으며, 1 내지 3 시간일 수 있다. 이러한 반응은 예를들어 50 내지 200MPa(5 내지 20kbar)의 등방 또는 단축(單軸) 압력하에 압축된 분말의 혼합물로 수행하는 것이 바람직하다. 혼합물은 블록 또는 펠릿의 모양의 모울드에서 압축될 수 있다.
소결동안 압력을 가하면 분말들 사이에 보다 밀접하게 접촉되고, 블록 또는 펠릿의 형태로 혼합물을 고형화시키는 동안 요오드의 감금이 우수하며, 장기간의 저장면에서 양호한 기계적인 특성을 지니게 한다.
일반식 M3(XO4)2-2x(PO4)2x의 화합물이 종래의 방법으로 제조될 수 있다.
M이 Pb이고 x가 0인 경우, 약 700℃의 온도에서 산화납 또는 오산화바나듐 또는 산화납 및 NH4H2AsO4또는 As2O5nH2O의 혼합물을 고체/고체 반응시킴으로써 이들 화합물을 얻을 수 있다.
M이 Cd인 경우, 유사한 특성의 방법이 이용될 수 있고 산화납이 산화카드뮴으로 치환된다.
본 발명의 변형예에 따르면, 방사성 요오드가 개스상태 또는 승화될 수 있는 요오드-함유 화합물의 형태인 경우, 일반식(I)의 인회석으로부터 Y를 방사성 요오드로 치환하고 요오드를 요오드-함유 인회석 형태로 고정시키도록 인회석을 개스 함유 개스성 요오드 또는 승화될 수 있는 화합물 증기와 접촉시킴으로써 일반식(I)의 방사성 요오드를 트랩하는 요오드인회석을 얻을 수 있다:
M10(XO4)6-6x(PO4)6xY2(III)
상기식에서,
M, X 및 x는 상기된 바와 같고,
Y는 F, Cl, OH 또는 O1/2이다.
일반식(III)의 출발 인회석은, 예를들어, M이 납이고 X가 V이며 Y가 OH이고x가 0인 경우에 수성 매질중에서 질산납 및 오산화바나듐의 이중 분해에 의해 종래의 방법으로 제조될 수 있다.
본 발명에 따르면, 방사성 요오드 함유 블록은 일반식(I)의 요오도인회석의 형태로 방사성 요오드를 장시간 동안 혼입하도록 제조될 수 있다. 그러나, 또한 장시간의 저장 동안에 일반식(I)의 요오도인회석을 형성하도록 구성원을 불록내로 주의해서 분포시켜, 고체 요오드-함유 화합물의 형태로 방사성 요오드를 함유하게 하는 다른 구성으로 방사성 요오드 함유 블록을 제조할 수 있다.
본 발명의 양태에 따른 후자의 경우에 있어서, 고형의 요오드-함유 화합물의 형태로 방사성 요오드를 컨디셔닝하는 블록은 요오드-함유 화합물로부터 형성되고 일반식(II) 또는 일반식(III)의 화합물의 제 1 콤팩트된 분말층, 및 요오드를 함유하지 않는 제 2 외부층으로 둘러싸인 코어를 포함한다:
M3(XO4)2-2x(PO4)2x(II)
M10(XO4)6-6x(PO4)6xY2(III)
상기식에서,
M은 Cd 또는 Pb이고,
X는 V 또는 As이며,
Y는 OH, F, Cl 또는 O1/2이고,
x는 0≤x〈1이 되는 수이다.
본 발명의 제 2 양태에 따르면, 고형의 요오드-함유 화합물의 형태로 방사성요오드를 함유하는 블록은 일반식(II) 또는 일반식(III)중 하나의 화합물의 층으로 코팅된 요오드-함유 화합물의 과립을 포함하고, 여기서, 코팅된 과립은 요오드를 함유하지 않은 인회석의 매트릭스에 분산된다:
M3(XO4)2-2x(PO4)2x(II)
M10(XO4)6-6x(PO4)6xY2(III)
상기식에서,
M은 Cd 또는 Pb이고,
X는 V 또는 As이며,
Y는 OH, F, Cl 또는 O1/2이고,
x는 0≤x〈1이 되는 수이다.
일반적으로, 고체상태의 요오드-함유 화합물은 제 1 양태에서 AgI 또는 PbI2와 같은 요오드화 금속이다.
본 발명에 따른 블록을 제조하는데 출발물질로 사용된 요오드-함유 화합물은 개스성 유출물 공정 재가동시의 개스성 유출물로부터 요오드를 제거하는 동안에 얻은 화합물에 상응하거나, 유출물로부터 직접 제조된다.
본 발명의 그밖의 특징 및 이점은 이로 한정하는 것은 아니지만 예시된 양태에 대한 하기된 설명 및 첨부된 도면에 관한 하기된 설명으로부터 인지할 수 있을 것이다.
하기된 공정은 요오도인회석이 일반식 Pb10(VO4)6I2인 블록을 제조하는데 이용된다.
우선, 평균 결정 크기가 20㎛인 산화납 및 산화바나듐 분말을 화학양론적인 비율로 혼합하여 혼합물을 형성시키는 단계를 2회 이상 수행함으로써 일반식 Pb3(VO4)2의 오르토바나듐산납을 제조한다. 여기서 각각 혼합 및 혼합물 형성 단계는 700℃에서 열처리하고 약 6시간에 걸처 주위온도에서 분쇄함을 포함한다.
이어서,상기로부터 얻은 오르토바나듐산납 분말(평균입자 크기 1㎛)와 컨디셔닝되는 방사성 요오드를 함유한 요오드화납 분말(평균입자 크기 10㎛)을 화학양론적인 비율로 혼합한다. 이어서, 혼합물을 스테인리스강 반응로에서 1시간동안 700℃로 처리하여 코어(1)의 요오도인회석을 형성시킨다. 요오도인회석은 요오도인회석의 합성 동안 또는 합성 후에, 1MPa의 압력하에 압축하여 얻는다. 이어서 얻은 요오도인회석을 저장용기에 넣은 다음 요오도인회석과 용기 사이의 공간을 충전하는 보호벽(3)으로 둘러싼다. 이러한 보호벽(3)은 합성인회석(플루오인회석 또는 브리톨라이트) 또는 천연 인회석으로 구성된다.
도 2는 장기간 저장동안 요오도인회석을 형성하는 본 발명에 따른 컨디셔닝 블록의 제 1양태를 나타낸다. 이러한 경우에 컨디셔닝되는 방사성 요오드는 고형의 요오드-함유 화합물, 예를들어, 요오드화납 또는 요오드화은의 형태이다. 이러한 화합물은 블록의 코어(21)을 형성하고, M, X, Y 및 x가 상기된 의미를 지니는 일반식 M3(XO4)2-2x(PO4)2x또는 일반식 M10(XO4)6-6x(PO4)6xY2의 화합물의 제 1층(23) 및 보호 인회석 매트릭스를 구성하며 요오드가 없는 인회석의 제 2층(25)로 둘러싸인다. 코어(21) 및 층(23)으로 구성된 어셈블리는 예를들어 20 내지 200MPa의 압력하에 반응로에서 500 내지 800℃의 온도로 1 내지 3시간동안 소결된다.
컨디셔닝 블록은 프릿화된(fritted) 어셈블리(21,23) 및 요오드를 함유하지 않는 인회석의 제 2 층(25)를 압축(P≥1MPa), 예를들어, 20 내지 200MPa의 압력하에 반응로에서 500 내지 800℃의 온도로 1 내지 3시간동안 모두 소결시킴으로써 제조된다.
도 3은 장기간 저장동안 방사성 요오드를 고정하는 요오도인회석이 형성되는 본 발명에 따른 또다른 양태의 컨디셔닝 블록을 도시하는 것이다. 이러한 경우에, 컨디셔닝되는 방사성 요오드를 함유하는 고형의 요오드-함유 화합물의 과립(31)은M, X, Y 및 x가 상기된 의미를 지니는 일반식 M3(XO4)2-2x(PO4)2x및 일반식 M10(XO4)6-6x(PO4)6xY2중의 하나의 일반식의 층(33)으로 코팅되며, 물리적인 장벽을 형성하고 요오드를 함유하지 않는 인회석의 매트릭스에 분산된다.
이러한 블록은 하기된 방법으로 제조된다. 우선, 종래의 방법으로 고형의 요오드-함유 화합물, 예를들어, 요오드화은 또는 요오드화납의 과립을 제조한다. 이어서, 이러한 과립을 일반식 M3(XO4)2-2x(PO4)2x또는 일반식 M10(XO4)6-6x(PO4)6x의 층(33)으로 덮고, 압력하에, 및 임의적으로는 등압력하에, 도 2의 (21, 23)과 연관된 조전과 동일한 조건하에서 소결한다. 이어서, 이들을 매트릭스(35)를 형성하는 요오드-비함유 인회석분말에 분산시키고, 20 내지 200MPa에서 도 2의 블록에 대해 기재된 조건과 동일한 조건하에 가압소결시킨다.
도 2 및 도 3의 경우에 적용될 수 있는 본 발명에 따른 변형된 블록에 따르면, 일반식 M3(XO4)2-2x(PO4)2x또는 일반식 M10(XO4)6-6x(PO4)6xY2의 제 1층(23) 및 요오드-비함유 인회석의 외부층으로 둘러싸인 요오드-함유 화합물에 의해 형성된 어셈블리는 1MPa이상의 압력 하에 압축되고, 이어서, 동일한 조건, 예를들어, 압력 20 내지 200MPa, 온도 500 내지 800℃ 및 반응시간 1 내지 3 시간 하에 가압 소결된다.
이하에서는 약간의 PO4치환된 일반식 Pb10(VO4)4.8(PO4)1.2I2(x가 0.2인 경우)의 요오도인회석을 합성하여 컨디셔닝 블록의 제조하는 방법을 기술하고자 한다.
상기의 합성은 다음의 반응으로 수행한다:
3Pb3(VO4)1.69(PO4)0.4+ PbI2→
Pb10(VO4)4.8(PO4)1.2I2
제조는 PbI2코어 및 Pb3(VO4)1.6(PO4)0.4의 둘러싸거나 덮는 층으로 구성된 조성 세라믹을 25MPa하에 700℃에서 소결시킴으로써 수행한다.
이러한 조성 세라믹을 이어서 플루오인회석 Ca10(PO4)6F2층으로 덮고 25 MPa 하에 700℃에서 소결시켜 도 2의 블록의 구조와 동일한 구조를 지니는 블록을 얻는다. 이러한 경우에 참조번호 (21)은 PbI2를 나타내고, 참조번호 (23)은 Pb3(VO4)1.6(PO4)0.4를 나타내며, 참조번호 (25)는 Ca10(PO4)6F2를 나타낸다.
본 발명에 따라 얻은 블록은 매우 장기간 동안129I와 같은 방사성 요오드를 효과적이고 용이하게 저장할 수 있다.

Claims (20)

  1. 일반식(I)의 요오도인회석을 포함함을 특징으로 하여, 방사성 요오드를 컨디셔닝하는 블록:
    M10(XO4)6-6x(PO4)6xI2(I)
    상기식에서,
    M은 Cd 또는 Pb 이고,
    X는 V 또는 As 이며,
    I는 컨디셔닝되는 방사성 요오드이고,
    x는 0≤ x〈1이 되는 수이다.
  2. 제 1항에 있어서, 컨디셔닝되는 방사성 요오드를 함유하는 요오도인회석이 요오드를 함유하지 않은 하나 이상의 인회석으로 둘러싸임을 특징으로 하는 블록.
  3. 일반식(II) 또는 일반식(III)중 하나의 화합물의 컴팩트된 제 1분말층 및 요오드-비함유 인회석의 제 2외부층으로 둘러싸이고 요오드-함유 화합물로 형성된 코어를 포함하여, 고형의 요오드-함유 화합물의 형태로 방사성 요오드를 컨디셔닝하는 블록:
    M3(XO4)2-2x(PO4)2x(II)
    M10(XO4)6-6x(PO4)6xY2(III)
    상기식에서,
    M은 Cd 또는 Pb이고,
    X는 V 또는 As이며,
    Y는 OH, F, Cl 또는 O1/2이고,
    x는 0≤x〈1이 되는 수이다.
  4. 일반식(II) 또는 일반식(III)의 화합물의 층으로 덮인 요오드-함유 화합물의 과립이 요오드를 함유하지 않는 인회석의 매트릭스에 분산되도록 하여 상기 요오드-함유 화합물의 과립을 포함함을 특징으로 하여, 고형의 요오드-함유 화합물의 형태로 방사성 요오드를 컨디셔닝하는 블록:
    M3(XO4)2-2x(PO4)2x(II)
    M10(XO4)6-6x(PO4)6xY2(III)
    상기식에서,
    M은 Cd 또는 Pb이고,
    X는 V 또는 As이며,
    Y는 OH, F, Cl 또는 O1/2이고,
    x는 0≤x〈1이 되는 수이다.
  5. 제 3항 또는 제 4항에 있어서, 일반식 M3(XO4)2-2x(PO4)2x의 화합물이 Pb3(VO4)2임을 특징으로 하는 블록.
  6. (정정) 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, x가 0.1≤ x ≤0.75가 되는 수임을 특징으로 하는 블록.
  7. 제 2항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 요오드를 함유하지 않는 인회석이 포스포칼슘 플루오인회석 및 포스포실리케이트 플루오인회석으로 이루어진 군중에서 선택됨을 특징으로 하는 블록.
  8. 제 3항 또는 제 4항에 있어서, 요오드-함유 화합물이 AgI 또는 PbI2임을 특징으로 하는 블록.
  9. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 방사성 요오드가129I임을 특징으로 하는 블록.
  10. 요오드-함유 화합물을 고형의 일반식(II)의 화합물과 고체상태로 500 내지 800℃의 온도에서 반응시키는 것으로 이루어짐을 특징으로 하여, 고형의 요오드-함유 화합물의 형태로 존재하는 방사성 요오드를 컨디셔닝하는 방법:
    M3(XO4)2-2x(PO4)2x(II)
    상기식에서,
    M은 Cd 또는 Pb 이고,
    X는 V 또는 As 이며,
    x는 0≤ x〈 1 이 되는 수이다.
  11. 제 10항에 있어서, 요오드-함유 화합물이 AgI 또는 PbI2임을 특징으로 하는 방법.
  12. 블록의 코어와 일반식 M3(XO4)2-2x또는 M10(XO4)6-6x(PO4)6xY2를 가압 소결시키고, 외부층을 형성하는 요오드-비함유 인회석 분말로 소결물을 둘러싸게 하고, 소결된 어셈블리 및 외부층을 가압 소결시킴으로 이루어지는 것을 특징으로 하여, 제 3항, 제 4항, 제 6항 중 어느 한 항에 따른 방사성 요오드 컨디셔닝 블록을 제조하는 방법.
  13. 요오드-함유 화합물로 형성된 어셈블리를 1MPa 이상의 압력하에 가압하고, 일반식(II) 또는 일반식(III)의 화합물의 제 1층 및 요오드-비함유 인회석의 외부층으로 둘러싸이게 하며, 이어서, 이들 모두를 가압 소결시킴으로 이루어지는 것을특징으로 하여, 제 3항, 제 4항 및 제 6항 중 어느 한 항에 따른 방사성 요오드 컨디셔닝 블록을 제조하는 방법.
  14. 제 12항에 있어서, 소결공정이 500 내지 800℃의 온도에서 20 내지 200MPa의 압력 하에 1 내지 3시간동안 수행됨을 특징으로 하는 방법.
  15. (삭제)
  16. (정정)제 5항에 있어서,요오드를 함유하지 않는 인회석이 포스포칼슘 플루오인회석 및 포스포실리케이트 플루오인회석으로 이루어진 군중에서 선택됨을 특징으로 하는 블록.
  17. 제 5항에 있어서, 방사성 요오드가129I임을 특징으로 하는 블록.
  18. 제 6항에 있어서, 방사성 요오드가129I임을 특징으로 하는 블록.
  19. 제 7항에 있어서, 방사성 요오드가129I임을 특징으로 하는 블록.
  20. 제 8항에 있어서, 방사성 요오드가129I임을 특징으로 하는 블록.
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