KR100392406B1

KR100392406B1 - Semiconductor testing device and method

Info

Publication number: KR100392406B1
Application number: KR10-1999-0008989A
Authority: KR
Inventors: 후까야후또시; 마루야마시게유끼
Original assignee: 후지쯔 가부시끼가이샤
Priority date: 1998-09-17
Filing date: 1999-03-17
Publication date: 2003-07-22
Also published as: TW412820B; KR20000022596A; JP3730418B2; JP2000091051A

Abstract

본 발명은 구상접속단자를 가진 반도체 칩 및 반도체 장치(이하, 총칭하여 반도체 장치라 함)에 대해 시험을 행할 때에 사용하는 반도체 시험장치에 대하여, 고밀도화 및 저코스트화를 함께 실현하는 것이 과제이다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to simultaneously realize a high density and a low cost for a semiconductor test device used when testing a semiconductor chip having a spherical connection terminal and a semiconductor device (hereinafter collectively referred to as a semiconductor device).

상기 과제를 실현하기 위해 본 발명에 따르면, 범프(21)를 가진 반도체 장치(20)에 대해 시험을 행하는 반도체 시험장치를 탈착(脫着)가능한 콘택터(11)와 배선기판(15A)으로 구성한다. 그리고, 콘택터(contactor)(11)를, 범프(21)와의 대응 위치에 개구부(14)가 형성된 단층의 절연기판(13)과, 범프(21)가 접속되는 접속부(24A) 및 이 접속부(24A)가 개구부(14)의 내부에 위치하도록 절연기판(13)에 설치되는 접촉부(12A)를 갖는 구성으로 한다. 또, 배선기판(15A)을, 접촉부(12A)가 접속되는 내부접속전극(17)과, 외부접속전극(18)과, 각 전극(17,18)을 전기적으로 접속하는 인터포저(interposer)(19)를 구비하는 구성으로 한다.In order to realize the above object, according to the present invention, the semiconductor test apparatus for testing the semiconductor device 20 having the bumps 21 is composed of a detachable contactor 11 and a wiring board 15A. . The contactor 11 is connected to a single-layer insulating substrate 13 having an opening 14 formed at a position corresponding to the bump 21, a connection portion 24A to which the bump 21 is connected, and this connection portion 24A. ) Is provided with a contact portion 12A provided on the insulating substrate 13 so as to be positioned inside the opening 14. In addition, an interposer for electrically connecting the wiring board 15A to the internal connection electrode 17 to which the contact portion 12A is connected, the external connection electrode 18, and the electrodes 17 and 18 ( It is set as the structure provided with 19).

Description

Semiconductor test apparatus and method {SEMICONDUCTOR TESTING DEVICE AND METHOD}

본 발명은 반도체 시험장치에 관한 것으로, 특히 구상(球狀)접속단자를 가진 반도체 칩 및 반도체 장치 (이하, 총칭하여 반도체 장치라 함)에 대하여 시험을 행할 때 사용하는 반도체 시험장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor test apparatus, and more particularly, to a semiconductor chip having a spherical connection terminal and a semiconductor test apparatus for use when testing a semiconductor device (hereinafter collectively referred to as a semiconductor device).

최근, 구상전극단자(범프)를 가진 반도체 장치에 대하여도 더욱 고집적화·고밀도화가 진행되고 있고, 이에 따라 반도체 장치의 범프 사이즈, 피치(pitch)도 미세화가 진행하고 있다. 이 때문에, 반도체 장치의 미세화된 단자에 대해서 접촉가능한 정밀도가 높은 콘택터의 실현과, 미세 단자에의 안정한 전기적 접촉을 유지하는 것이 매우 중요한 과제로 되었다.In recent years, semiconductor devices having spherical electrode terminals (bumps) are also increasingly integrated and densified, and accordingly, the bump sizes and pitches of semiconductor devices are being refined. For this reason, it has become a very important problem to realize a contactor with high accuracy which can be contacted with the miniaturized terminal of the semiconductor device and to maintain stable electrical contact to the fine terminal.

또, 반도체 장치의 협(狹)피치화가 진행됨에 따라, 반도체 장치의 단자로부터의 배선의 다층화가 필요하게 되고, 이들 과제가 미세 피치 콘택터의 고코스트화를 야기하고 있다.In addition, as the narrow pitch of the semiconductor device progresses, multilayering of the wiring from the terminal of the semiconductor device becomes necessary, and these problems cause high cost of the fine pitch contactor.

일반적으로, 반도체 시험장치는 반도체 장치와의 전기적 접속에 사용되는 콘택터를 갖고 있다. 종래의 반도체 시험장치에 설치되어 있는 콘택터는 대략 스프링의 힘에 의해 반도체 장치의 전극과 접촉하는 소위 포고핀 타입(pogo pin type)의 것과, 예를 들어 도금 등에 의해 구상접속단자(범프)와 접속되는 구면 전극을 얇은 절연막으로 형성한 막 타입(membrane type)의 것으로 분류된다.In general, a semiconductor test apparatus has a contactor used for electrical connection with a semiconductor device. The contactor provided in the conventional semiconductor test apparatus is of a so-called pogo pin type which is in contact with the electrode of the semiconductor device by a spring force, and is connected to a spherical connection terminal (bump) by, for example, plating. The spherical electrode is classified into a membrane type in which a thin insulating film is formed.

도1(a)은 포고핀 타입의 반도체 시험장치(1A)를 나타내고 있다. 이 반도체 시험장치(1A)는 한 쌍의 기판(2a, 2b) 사이에 코일 스프링(3)이 설치되어 있고, 이 코일 스프링(3)의 탄성력을 이용하여 포고핀(4)을 올리고 내리며, 반도체 장치에 설치된 범프(도시안됨)와 접촉하는 구성으로 되어 있다.Fig. 1 (a) shows a pogo pin type semiconductor test apparatus 1A. In this semiconductor test apparatus 1A, a coil spring 3 is provided between a pair of substrates 2a and 2b, and the pogo pin 4 is raised and lowered by using the elastic force of the coil spring 3, and the semiconductor It is configured to be in contact with a bump (not shown) installed in the apparatus.

그러나, 포고핀 타입의 반도체 시험장치(1A)는 코일 스프링(3)을 설치하기 때문에, 고밀도화에 대응할 수 없다. 따라서, 도1(b)에 나타내는 막 타입의 반도체 시험장치(1B)가 개발되었다.However, since the pogo pin type semiconductor test apparatus 1A provides the coil spring 3, it cannot cope with high density. Therefore, the film type semiconductor test apparatus 1B shown in Fig. 1B has been developed.

이 막 타입의 반도체 시험장치(1B)는 얇은 절연기판(5A)에 구면 전극(6A)(이하, 막전극이라 함)을 도금 형성한 구성의 콘택터를 갖고 있고, 이 막전극을 반도체 장치의 범프(도시되지 않음)에 접속하여 시험을 행하는 구성으로 되어 있다.This film type semiconductor test apparatus 1B has a contactor formed by plating a spherical electrode 6A (hereinafter referred to as a membrane electrode) on a thin insulating substrate 5A, and the membrane electrode is bumped into a semiconductor device. It connects to (not shown), and it is set as the structure which performs a test.

또, 절연기판(5A)의 상면에 막전극(6A)과 접속하는 배선(8A)이 형성되어 있고, 이 배선(8A)에 의해 막전극(6A)은 절연기판(5A)의 외주 위치까지 전기적으로 인출되는 구성으로 되어 있다. 또, 콘택터의 하부에는 탄성판(9A)이 설치되어 있고, 반도체 장치의 범프에 높이 편차가 존재하여도, 탄성판(9A)이 탄성 변형함으로써 확실히 전기적 접속을 꾀할 수 있도록 구성되어 있다.Moreover, the wiring 8A which connects with the membrane electrode 6A is formed in the upper surface of the insulated substrate 5A, and by this wiring 8A, the membrane electrode 6A is electrically connected to the outer peripheral position of the insulating substrate 5A. It is configured to be drawn out. Moreover, 9 A of elastic plates are provided in the lower part of the contactor, and even if there exists a height deviation in the bump of a semiconductor device, it is comprised so that an electrical connection can be made reliably by elastic deformation of 9 A of elastic plates.

그렇지만, 막 타입의 반도체 시험장치(1B)에서는 배선(8A)의 배치를 절연기판(5A)의 상면에서만 행하는 구성으로 되어 있기 때문에, 전극피치의 미세화가 진행됨에 따라 배선(8A)의 배치 면적을 확보할 수 없는 문제점이 새로 발생하였다.However, in the film type semiconductor test apparatus 1B, the arrangement of the wiring 8A is performed only on the upper surface of the insulating substrate 5A. As the electrode pitch becomes finer, the arrangement area of the wiring 8A is increased. There is a new problem that cannot be secured.

즉, 배선(8A)의 배치를 절연기판(5A)의 상면에서만 행하는 구성으로는 고밀도화를 실현하려고 한 경우, 인접하는 막전극(6A) 사이의 피치는 좁게 되고, 또한 배선(8A)의 개수는 증대하기 때문에, 도2에 나타내는 것처럼, 인접하는 막전극(6A) 사이에 다수의 배선(8A)을 설치할 필요가 생긴다. 동일 도면에 나타내는 예에서는 막전극(6A-1)과 막전극(6A-2) 사이에 3개의 배선이 설치된 구성을 하고 있다. 그렇지만, 협피치화된 한 쌍의 막전극(6A-1,6A-2) 사이에 설치할 수 있는 배선(8A)의 개수에는 자체적으로 한계가 있다.In other words, when the arrangement of the wiring 8A is performed only on the upper surface of the insulating substrate 5A, when the densification is to be achieved, the pitch between the adjacent film electrodes 6A becomes narrow, and the number of wirings 8A As a result, as shown in Fig. 2, it is necessary to provide a plurality of wirings 8A between the adjacent membrane electrodes 6A. In the example shown in the same figure, three wirings are provided between the membrane electrode 6A-1 and the membrane electrode 6A-2. However, the number of wirings 8A that can be provided between the pair of narrow-pitched film electrodes 6A-1 and 6A-2 has its own limit.

따라서, 도3에 나타내는 반도체 시험장치(1C)처럼, 콘택터를 다층화하는 것이 고려된다. 동일 도면에 나타내는 반도체 시험장치(1C)는 3층의 절연기판(5B)을 적층한 구조로 되어 있고, 각 절연기판(5B)에는 배선(8B)이 형성되어 있다. 또, 콘택터의 하부에는 범프 높이의 편차를 흡수하는 탄성판(9B)이 설치되어 있다.Therefore, as in the semiconductor test apparatus 1C shown in Fig. 3, multilayering of the contactor is considered. The semiconductor test apparatus 1C shown in the same drawing has a structure in which three insulating substrates 5B are laminated, and a wiring 8B is formed on each insulating substrate 5B. Moreover, the elastic plate 9B which absorbs the variation of bump height is provided in the lower part of a contactor.

이 구성에 따르면, 각 절연기판(5B)의 각각에 배선(8B)이 형성된 구성이기 때문에 배선(8B)의 배치의 자유도를 향상시킬 수 있어, 배선간 피치를 넓힐 수 있다. 따라서, 막전극(6B)을 협피치화하여도, 각 배선(8B) 사이의 거리를 넓게 설정할 수 있기 때문에, 반도체 장치의 고밀도화에 대응할 수 있다.According to this configuration, since the wiring 8B is formed on each of the insulating substrates 5B, the degree of freedom in arranging the wiring 8B can be improved, and the pitch between the wirings can be widened. Therefore, even if the film electrode 6B is narrowed in pitch, the distance between the respective wirings 8B can be set wide, thereby making it possible to cope with the higher density of the semiconductor device.

그렇지만, 복수의 절연기판(5B) 및 막전극(6B)을 적층하여 콘택터를 제조하는 기술은 매우 어려운 기술로 개발이 곤란하고, 또 설사 제작할 수 있어도 매우 고가로 된다는 문제점이 있었다.However, a technique of manufacturing a contactor by laminating a plurality of insulating substrates 5B and a membrane electrode 6B is a very difficult technique, and has a problem that development is difficult, and even if it can be manufactured, it becomes very expensive.

또, 통상 막 타입의 반도체 시험장치(1C)에서는 막전극(6B)은 범프와의 접속에 의해 열화(땜납 전이, 이물 부착 등)한다든지, 혹은 손상된 때는 콘택터의 교환을 행하고 있지만, 상기와 같이 콘택터가 고가이면, 시험 코스트가 매우 높아져 버린다.In addition, in the film type semiconductor test apparatus 1C, the membrane electrode 6B is deteriorated (solder transition, foreign matter adhesion, etc.) or damaged when connected to the bump, or the contactor is replaced when the contactor is damaged. If the contactor is expensive, the test cost will be very high.

이들 문제점에 대응하기 위해, 콘택터를 1층~2층(양면)으로 함과 동시에, 그 하부에 이방성 도전고무를 설치하고 콘택터와 접속시키는 방법도 고려할 수 있지만, 이방성 도전고무는 매우 고가인 동시에 미세 피치에는 한계가 있고, 내구성도 부족한 등의 문제가 있었다.In order to cope with these problems, it is possible to consider a method in which the contactor is made of one or two layers (both sides) and an anisotropic conductive rubber is connected to the lower part and connected to the contactor, but the anisotropic conductive rubber is very expensive and fine. Pitch has a limit and there existed a problem, such as lack of durability.

본 발명은 상기와 같은 점을 감안하여 이루어진 것으로, 고밀도화 및 저코스트화를 함께 실현할 수 있는 반도체 시험장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.This invention is made | formed in view of the above, and an object of this invention is to provide the semiconductor test apparatus which can implement | achieve a high density and a low cost simultaneously.

도1은 종래의 일례인 반도체 시험장치를 설명하기 위한 도면(그의 1).BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The figure for demonstrating the semiconductor test apparatus which is a conventional example (1).

도2는 종래의 일례인 반도체 시험장치를 설명하기 위한 도면(그의 2).Fig. 2 is a view for explaining a semiconductor test apparatus which is a conventional example (2 thereof).

도3은 종래의 일례인 반도체 시험장치를 설명하기 위한 도면(그의 3).3 is a view for explaining a semiconductor test apparatus which is a conventional example (3 thereof).

도4는 본 발명의 제1 실시예인 반도체 시험장치를 설명하기 위한 단면도(그의 1).Fig. 4 is a cross-sectional view (1) thereof for explaining the semiconductor test apparatus according to the first embodiment of the present invention.

도5는 본 발명의 제1 실시예인 반도체 시험장치를 설명하기 위한 단면도(그의 2).Fig. 5 is a sectional view (2 thereof) for explaining the semiconductor test apparatus according to the first embodiment of the present invention.

도6은 본 발명의 제2 실시예인 반도체 시험장치를 설명하기 위한 단면도.6 is a cross-sectional view for explaining a semiconductor test apparatus according to a second embodiment of the present invention.

도7은 본 발명의 제3 실시예인 반도체 시험장치를 설명하기 위한 단면도.Fig. 7 is a cross-sectional view for explaining a semiconductor test apparatus as a third embodiment of the present invention.

도8은 본 발명의 제4 실시예인 반도체 시험장치를 설명하기 위한 단면도.Fig. 8 is a cross-sectional view for explaining a semiconductor test apparatus as a fourth embodiment of the present invention.

도9는 본 발명의 제5 실시예인 반도체 시험장치를 설명하기 위한 단면도.Fig. 9 is a sectional view for explaining a semiconductor test apparatus as a fifth embodiment of the present invention.

도10은 본 발명의 제6 실시예인 반도체 시험장치를 설명하기 위한 단면도.Fig. 10 is a sectional view for explaining a semiconductor test device as a sixth embodiment of the present invention.

도11은 접촉부의 제1 및 제2 변형예를 설명하기 위한 도면.Fig. 11 is a view for explaining the first and second modifications of the contact portion.

도12는 접촉부의 제3 변형예를 설명하기 위한 도면.12 is a diagram for explaining a third modification example of the contact portion;

도13은 접촉부의 제4 변형예를 설명하기 위한 도면.13 is a view for explaining a fourth modification of the contact portion;

도14는 접촉부의 제5 변형예를 설명하기 위한 도면.14 is a diagram for explaining a fifth modification example of the contact portion;

도15는 접촉부의 제6 변형예를 설명하기 위한 도면.15 is a diagram for explaining a sixth modification example of the contact portion;

도16은 접촉부의 제7 변형예를 설명하기 위한 도면.16 is a view for explaining a seventh modification of the contact portion;

도17은 접촉부의 제8 변형예를 설명하기 위한 도면.17 is a view for explaining an eighth modification of the contact portion;

도18은 접촉부의 제9 변형예를 설명하기 위한 도면.18 is a view for explaining a ninth modification of the contact portion;

도19는 접촉부의 제10 변형예를 설명하기 위한 도면.19 is a view for explaining a tenth modification example of the contact portion;

도20은 접촉부의 제11 변형예를 설명하기 위한 도면.20 is a view for explaining an eleventh modification of the contact portion;

도21은 접촉부의 제12 변형예를 설명하기 위한 도면.21 is a view for explaining a twelfth modification of the contact portion;

도22는 접촉부의 제13 변형예를 설명하기 위한 도면.22 is a view for explaining a thirteenth modification of the contact portion;

도23은 본 발명의 제7 실시예인 반도체 시험장치를 설명하기 위한 단면도.Fig. 23 is a cross-sectional view for explaining a semiconductor test apparatus as a seventh embodiment of the present invention.

도24는 본 발명의 제8 실시예인 반도체 시험장치를 설명하기 위한 단면도.Fig. 24 is a sectional view for explaining a semiconductor test apparatus as an eighth embodiment of the present invention.

도25는 본 발명의 제9 실시예인 반도체 시험장치를 설명하기 위한 단면도.Fig. 25 is a sectional view for explaining a semiconductor test device as a ninth embodiment of the present invention.

도26은 본 발명의 제10 실시예인 반도체 시험장치를 설명하기 위한 단면도.Fig. 26 is a sectional view for explaining a semiconductor test apparatus as a tenth embodiment of the present invention.

도27은 본 발명의 제11 실시예인 반도체 시험장치를 설명하기 위한 단면도.Fig. 27 is a sectional view for explaining a semiconductor test device as an eleventh embodiment of the present invention.

(부호의 설명)(Explanation of the sign)

10A~10R 반도체 시험장치10A ~ 10R Semiconductor Test Equipment

13 절연기판13 Insulation Board

14 개구부14 opening

15A,15B 배선기판15A, 15B Wiring Board

16,16A,16B 절연층16,16A, 16B insulation layer

17 내부접속전극17 Internal connection electrode

18 외부접속전극18 External connection electrode

19 인터포저(interposer)19 interposer

19A~29A 내부배선19A ~ 29A Internal Wiring

20 반도체 장치20 semiconductor devices

21 범프(bump)21 bump

22 연출부(延出部)22 Director

23A~23C 돌기부23A ~ 23C protrusion

24A~24L 접속부24A to 24L connection

25 선단부25 tip

26A~26C 슬릿(slit)26A to 26C slit

27A, 27B 거친면27A, 27B Rough Side

29 제1 위치결정구멍29 1st positioning hole

30 제2 위치결정구멍30 2nd positioning hole

31 위치결정핀31 positioning pin

32 위치결정구멍32 positioning hole

33 위치결정돌기33 Positioning protrusion

34 비접속부34 Unconnected

35 콘택터 배선막35 contactor wiring film

36 쓰루홀(through-hole) 전극36 Through-hole Electrode

37 하면 배선막37 Bottom wiring film

38 전자부품38 Electronic Components

상기의 과제를 해결하기 위해 본 발명에서는 다음에 설명하는 각 수단을 강구한 것을 특징으로 한다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM In order to solve the said subject, this invention is characterized by taking each means described next.

특허청구범위 제1항 기재의 발명은The invention described in claim 1

접속단자를 가진 반도체 장치에 대하여 시험을 행하는 반도체 시험장치에 있어서,In a semiconductor test apparatus for testing a semiconductor device having a connection terminal,

상기 접속단자와 대응하는 위치에 개구부가 형성된 단층의 절연기판과, 상기 접속단자가 접속되는 접속부가 형성됨과 동시에 이 접속부가 상기 개구부의 내부에 위치하도록 상기 절연기판에 형성되는 접촉부를 구비하는 콘택터; 및A contactor having a single layer insulating substrate having an opening formed at a position corresponding to the connecting terminal, and a contact portion formed at the insulating substrate such that the connecting portion is formed and the connecting portion is located inside the opening; And

상기 반도체 장치의 장착면이 되는 상면에 상기 콘택터가 탈착 가능하게 탑재되는 구성으로 되어 있고, 상기 상면에 형성되어 상기 접촉부와 전기적으로 접속되는 제1 접속전극, 하면에 형성되어 외부에 접속되는 제2 접속전극, 및 상기 제1 및 제2 접속전극을 전기적으로 접속하는 인터포저를 구비하는 배선기판을 포함하며,상기 반도체 장치가 상기 콘택터에 장착될 때, 최초로 상기 접속단자에 상기 접촉부의 접속부가 접촉하고, 그 후 상기 접촉부의 접속부가 변형되어 그 선단부가 상기 제 1 접속전극에 전기적으로 접속되는 것을 특징으로 하는 반도체 시험장치이다.The contactor is detachably mounted on an upper surface serving as a mounting surface of the semiconductor device, a first connection electrode formed on the upper surface and electrically connected to the contact portion, and a second formed on the lower surface and connected to the outside A wiring board having a connection electrode and an interposer for electrically connecting the first and second connection electrodes, wherein when the semiconductor device is mounted on the contactor, a contact portion of the contact portion contacts the connection terminal for the first time. After that, the contact portion of the contact portion is deformed, and the tip portion thereof is electrically connected to the first connection electrode.

또, 제2항 기재의 발명은Moreover, invention of Claim 2 is

제1항에 있어서, 상기 접촉부를, 상기 접속단자가 접속될 때에 이 접속단자의 표면에 형성되어 있는 산화막을 파괴할 수 있는 두께 또는 경도를 가지도록 구성한 것을 특징으로 하는 반도체 시험장치이다.The semiconductor test apparatus according to claim 1, wherein the contact portion is configured to have a thickness or hardness that can destroy an oxide film formed on the surface of the connection terminal when the connection terminal is connected.

또, 제3항 기재의 발명은Moreover, invention of Claim 3 is

제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 절연기판에 상기 접촉부와 대향하도록 상기 개구부 내로 연출된 연출부를 형성하고, 이 연출부가 상기 접촉부를 부분적으로 지지하는 구성으로 한 것을 특징으로 하는 반도체 시험장치이다.The semiconductor test apparatus according to claim 1 or 2, wherein a directing portion directed into the opening is formed in the insulating substrate so as to face the contact portion, and the extending portion partially supports the contact portion. .

또, 제4항 기재의 발명은Moreover, invention of Claim 4 is

제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 개구부 내에 상기 접촉부와 접속하는 돌기부를 형성하고, 상기 접속단자가 접속할 때에 상기 접촉부가 상기 돌기부를 지점으로 하여 변위하는 구성으로 한 것을 특징으로 하는 반도체 시험장치이다.The semiconductor test apparatus according to claim 1 or 2, wherein a protrusion is formed in the opening to connect with the contact portion, and the contact portion is displaced with the protrusion as a point when the connection terminal is connected. to be.

또, 제5항 기재의 발명은Moreover, invention of Claim 5 is

제4항에 있어서, 상기 돌기부를 탄성체에 의해 형성한 것을 특징으로 하는 반도체 시험장치이다.The semiconductor test apparatus according to claim 4, wherein the protrusion is formed of an elastic body.

또, 제6항 기재의 발명은Moreover, invention of Claim 6 is

제4항에 있어서, 상기 돌기부를 도전성 재료에 의해 형성한 것을 특징으로 하는 반도체 시험장치이다.The semiconductor test apparatus according to claim 4, wherein the protrusion is formed of a conductive material.

또, 제7항 기재의 발명은Moreover, invention of Claim 7 is

제4항에 있어서, 상기 돌기부의 형상을 구(球)형상으로 한 것을 특징으로 하는 반도체 시험장치이다.The semiconductor test apparatus according to claim 4, wherein the shape of the protrusion is spherical.

또, 제8항 기재의 발명은Moreover, invention of Claim 8 is

제4항에 있어서, 상기 돌기부의 형상을 환상(環狀)으로 한 것을 특징으로 하는 반도체 시험장치이다.The semiconductor test apparatus according to claim 4, wherein the shape of the protrusions is annular.

또, 제9항 기재의 발명은Moreover, invention of Claim 9 is

제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 접촉부의 선단부에 선예부를 형성한 것을 특징으로 하는 반도체 시험장치이다.The semiconductor test apparatus according to claim 1 or 2, wherein a sharp portion is formed at the tip of the contact portion.

또, 제10항 기재의 발명은Moreover, invention of Claim 10 is

제1항 또는 제2항에 있어서, 적어도 상기 접촉부의 표면 또는 상기 제1 접속전극과 접하는 부분의 일방에 거친면을 형성한 것을 특징으로 하는 반도체 시험장치이다.The semiconductor test apparatus according to claim 1 or 2, wherein a rough surface is formed on at least one of a surface of the contact portion or a portion in contact with the first connection electrode.

또, 제11항 기재의 발명은Moreover, invention of Claim 11 is

제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 접속전극의 적어도 상기 접촉부와 접하는 부분에 거친면을 형성한 것을 특징으로 하는 반도체 시험장치이다.The semiconductor test apparatus according to claim 1 or 2, wherein a rough surface is formed on at least a portion of the first connection electrode in contact with the contact portion.

또, 제12항 기재의 발명은Moreover, invention of Claim 12 is

제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 콘택터의 상기 배선기판에의 장착 시에, 상기 콘택터와 상기 배선기판의 위치결정을 행하는 위치결정기구를 설치한 것을 특징으로 하는 반도체 시험장치이다.The semiconductor test apparatus according to claim 1 or 2, wherein a positioning mechanism for positioning the contactor and the wiring board is provided when the contactor is mounted on the wiring board.

또, 제13항 기재의 발명은Moreover, invention of Claim 13 is

제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 콘택터에, 상기 접속단자와 전기적 접속이 필요 없는 위치에 상기 개구부만이 존재하는 비접속부를 설치한 것을 특징으로 하는 반도체 시험장치이다.The semiconductor test apparatus according to claim 1 or 2, wherein the contactor is provided with a non-connection portion in which only the opening portion exists at a position where electrical connection with the connection terminal is not necessary.

또, 제14항 기재의 발명은In addition, the invention described in claim 14

제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 접촉부의 선단부의 방향을, 상기 콘택터와 상기 반도체 장치와의 열팽창 차에 기인하여 발생하는 상기 접속단자와 상기 접촉부와의 상대적 변위방향에 기하여 설정한 것을 특징으로 하는 반도체 시험장치이다.The direction of the tip portion of the contact portion is set based on a relative displacement direction between the contact terminal and the contact portion generated due to a difference in thermal expansion between the contactor and the semiconductor device. It is a semiconductor test apparatus.

또, 제15항 기재의 발명은Moreover, invention of Claim 15 is

제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 접촉부의 상기 접속단자가 접촉하는 부위에 슬릿을 형성한 것을 특징으로 하는 반도체 시험장치이다.The semiconductor test apparatus according to claim 1 or 2, wherein a slit is formed at a portion of the contact portion in contact with the connection terminal.

또, 제16항 기재의 발명은In addition, the invention described in claim 16

제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 배선기판은 다층 기판인 것을 특징으로 하는 반도체 시험장치이다.The semiconductor test apparatus according to claim 1 or 2, wherein the wiring board is a multilayer board.

또, 제17항 기재의 발명은In addition, the invention described in claim 17 is

제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 절연기판을 유연한 절연성 수지박막으로 형성함과 동시에, 상기 접촉부를 가소성을 가진 도전성 금속층에 의해 형성한 것을 특징으로 하는 반도체 시험장치이다.The semiconductor test apparatus according to claim 1 or 2, wherein the insulating substrate is formed of a flexible insulating resin thin film and the contact portion is formed of a conductive metal layer having plasticity.

상기 각 수단은 다음과 같이 작용한다Each of the above means works as follows.

제1항 기재의 발명에 따르면,According to the invention of claim 1,

절연기판의 접속단자와 대향하는 위치에 접촉부와 개구부가 배치되고, 또 그의 아래에 반도체 장치로부터의 전기신호를 통과시키기 위한 배선기판이 설치된 구성으로 된다. 이 때문에, 반도체 장치가 콘택터에 장착되면, 접속단자는 접촉부에 접속되고, 이 접속단자는 접촉부를 거쳐 배선기판에 형성된 제1 접속전극과 전기적으로 접속된다.The contact portion and the opening portion are disposed at positions facing the connection terminals of the insulating substrate, and a wiring substrate for passing electric signals from the semiconductor device is provided below. Therefore, when the semiconductor device is mounted on the contactor, the connection terminal is connected to the contact portion, and the connection terminal is electrically connected to the first connection electrode formed on the wiring board via the contact portion.

또, 제1 접속전극은 배선기판에 설치된 인터포저를 거쳐 외부접속단자로 되는 제2 접속전극에 인출되기 때문에, 인터포저를 적절히 구성함으로써, 제1 접속전극을 제2 접속전극으로 인출하는 배선경로를 임의로 설정할 수 있다.In addition, since the first connection electrode is drawn out to the second connection electrode serving as an external connection terminal via an interposer provided on the wiring board, the wiring path for drawing the first connection electrode to the second connection electrode by appropriately configuring the interposer. Can be set arbitrarily.

이와 같이, 접촉부로부터 제2 접속전극에 이르는 배선의 경로를 콘택터가 아니고 배선기판측에서 행하는 구성으로 함으로써, 콘택터를 다층화할 필요는 없어지고, 따라서 콘택터의 단층화를 실현할 수 있다. 이에 의해, 콘택터의 코스트 저감화를 꾀할 수 있고, 따라서 반복 시험을 행함으로써 접촉부에 열화가 발생하고, 이에 따라 콘택터의 교환이 필요하게 되어도, 저코스트로 교환을 행할 수 있게 되어, 유지 보수에 필요한 비용의 절감을 꾀할 수 있다.In this way, by setting the path of the wiring from the contact portion to the second connection electrode on the wiring board side instead of the contactor, it is not necessary to multilayer the contactor, thereby realizing the multilayering of the contactor. As a result, the cost of the contactor can be reduced, and thus, deterioration occurs in the contact portion by performing a repeated test, so that even if the contactor needs to be replaced, the exchange can be carried out at a low cost, and thus the cost required for maintenance. Can be reduced.

또, 콘택터에 설치된 접촉부는 그대로 반도체 장치로부터의 전기신호를 절연기판 아래의 배선기판에 흘리기 때문에, 접속단자의 협피치화가 진행되어도 선 길이를 짧게 할 수 있고, 또한 배선배치의 단순화를 꾀할 수 있기 때문에, 고속인 전기적 시험에 대응할 수 있다.In addition, since the contact portion provided in the contactor flows the electrical signal from the semiconductor device directly to the wiring board under the insulating board, the wire length can be shortened even when the narrowing of the connection terminal proceeds, and the wiring arrangement can be simplified. Therefore, it is possible to cope with a high-speed electrical test.

또, 제2항 기재의 발명에 따르면,Moreover, according to invention of Claim 2,

접촉부를, 접속단자가 접속할 때에 접속단자의 표면에 형성되어 있는 산화막을 파괴할 수 있는 두께 또는 경도를 갖도록 구성함으로써, 반도체 장치가 콘택터에 장착되어 접속단자가 접촉부 상을 수평방향으로 슬라이드 동작할 때, 접촉부는 접속단자를 파괴하여 접속단자의 표면에 형성된 산화막을 부순다. 이 산화막은 절연성을 가지고 있기 때문에, 상기 파괴처리가 행해지는 구성으로 함으로써, 시험중에 안정한 접촉상태를 유지할 수 있게 된다.When the contact portion has a thickness or hardness that can destroy the oxide film formed on the surface of the contact terminal when the connection terminal is connected, the semiconductor device is mounted on the contactor so that the connection terminal slides on the contact portion in the horizontal direction. The contact portion breaks the connection terminal and breaks the oxide film formed on the surface of the connection terminal. Since the oxide film has insulation property, it is possible to maintain a stable contact state during the test by having a structure in which the destruction treatment is performed.

또, 제3항 기재의 발명에 따르면,Moreover, according to invention of Claim 3,

절연기판에 접촉부와 대향하도록 개구부 내에 연출된 연출부를 형성하고, 이 연출부가 접촉부를 부분적으로 지지하는 구성으로 함으로써, 이 연출부의 길이를 조정하는 것에 의해, 접속단자가 압접하여 발생하는 접촉부의 반력을 조정할 수 있게 된다.By forming a stretched portion arranged in the opening on the insulating substrate so as to face the contact portion, and having the stretched portion partially support the contact portion, by adjusting the length of the stretched portion, the reaction force of the contact portion generated by the pressure-contacting connection terminal is adjusted. You can adjust it.

즉, 연출부를 길게 함으로써 접촉부는 휘기 어렵게 되고, 접속단자가 압접하여 발생하는 반력은 커지고, 역으로 연출부를 짧게 한 경우에는 반력이 작아진다. 따라서, 반도체 장치가 콘택터에 장착된 때에, 접촉부와 접속단자와의 사이에 발생하는 접촉압력을 적당한 값으로 조정할 수 있게 되고, 접촉부와 접속단자를 양호한 상태로 접속시킬 수 있다.That is, by making the extension part long, the contact part becomes difficult to bend, and the reaction force generated when the connection terminal is pressed is increased, and conversely, when the extension part is shortened, the reaction force becomes small. Therefore, when the semiconductor device is mounted on the contactor, the contact pressure generated between the contact portion and the connection terminal can be adjusted to an appropriate value, and the contact portion and the connection terminal can be connected in a good state.

또, 제4항 기재의 발명에 따르면,Moreover, according to invention of Claim 4,

개구부 내에 접촉부와 접하는 돌기부를 형성함으로써, 접속시에 접촉부가 접속단자에 압압(押壓)되어 변위할 때, 접촉부는 어느 정도의 높이로 돌기부와 서로 접하고, 이것을 지점으로 하여 변위한다. 따라서, 돌기부의 높이 및 설치위치를 조정함으로써, 접속단자와의 적정한 접속에 필요한 접촉압력을 접촉부에 발생시킬 수 있어, 안정한 전기적 접속을 실현할 수 있다.By forming a projection contacting the contact portion in the opening, when the contact portion is pressed against the connecting terminal and displaced at the time of connection, the contact portion is brought into contact with the projection portion to a certain height and is displaced with this as a point. Therefore, by adjusting the height and the installation position of the projection, the contact pressure necessary for proper connection with the connection terminal can be generated in the contact portion, and stable electrical connection can be realized.

또, 제5항 기재의 발명에 따르면,Moreover, according to invention of Claim 5,

돌기부를 탄성체를 사용하여 형성함으로써, 돌기부의 경도를 조정하여, 접속단자와의 적정한 접속에 필요한 접촉압력을 접촉부에 발생시킬 수 있어, 안정한 전기적 접속을 실현할 수 있다.By forming the protruding portion using an elastic body, the hardness of the protruding portion can be adjusted to generate a contact pressure necessary for proper connection with the connecting terminal, thereby achieving stable electrical connection.

또, 제6항 기재의 발명에 따르면,Moreover, according to invention of Claim 6,

돌기부를 도전성재료를 사용하여 형성함으로써, 접촉부와 제1 접속전극과의 전기적 접속을 접촉부의 선단부 뿐만아니라, 돌기부에서도 행할 수 있다. 따라서, 접촉부와 제1 접속전극과의 전기적 접속을 확실히 행할 수 있다.By forming the protrusions using a conductive material, electrical connection between the contact portion and the first connection electrode can be performed not only at the tip end portion of the contact portion but also at the protrusion portion. Therefore, the electrical connection between the contact portion and the first connection electrode can be reliably performed.

또, 제7항 및 제8항 기재의 발명에 따르면,Moreover, according to invention of Claim 7 and 8,

돌기부의 형상을 구형상 또는 환상으로 함으로써, 돌기부를 개구부 내에 설치하기 용이하게 할 수 있다.By making the shape of the projection part spherical or annular, the projection part can be easily installed in the opening part.

또, 제9항 기재의 발명에 따르면,Moreover, according to invention of Claim 9,

접촉부의 선단부에 선예부를 형성함으로써, 접촉부의 선단부가 제1 접속전극에 접촉할 때, 제1 접속전극 상에 형성된 산화막을 부수기 때문에, 접촉부와 제1 접속단자와의 안정한 전기적 접속을 얻을 수 있게 된다.By forming the sharp portion at the tip of the contact portion, when the tip portion of the contact portion contacts the first connection electrode, the oxide film formed on the first connection electrode is broken, so that stable electrical connection between the contact portion and the first connection terminal can be obtained. .

또, 제10항 기재의 발명에 따르면,Moreover, according to invention of Claim 10,

적어도 접촉부의 표면 또는 접속전극과 접하는 부분의 일방에 거친면을 형성함으로써, 접촉부의 표면에 거친면을 형성한 경우에는 접속단자가 접속될 때에 접속단자 표면에 형성된 산화막을 거친면에 의해 파괴할 수 있어, 접촉부와 접속단자와의 안정한 전기적 접속을 얻을 수 있다.By forming a rough surface on at least one surface of the contact portion or a portion in contact with the connection electrode, when the rough surface is formed on the contact portion, the oxide film formed on the surface of the contact terminal can be destroyed by the rough surface when the contact terminal is connected. Therefore, stable electrical connection between the contact portion and the connection terminal can be obtained.

또, 접촉부의 제1 접속전극과 접하는 부분에 거친면을 형성한 경우에는 접촉부가 제1 접속전극과 접촉할 때에, 제1 접속전극 표면에 형성된 산화막을 거친면에 의해 파괴할 수 있어, 접촉부와 제1 접속전극과의 안정한 전기적 접속을 얻을 수 있다.In the case where the rough surface is formed at the portion in contact with the first connecting electrode of the contact portion, when the contact portion is in contact with the first connecting electrode, the oxide film formed on the surface of the first connecting electrode can be destroyed by the rough surface. A stable electrical connection with the first connection electrode can be obtained.

또, 제11항 기재의 발명에 따르면,Moreover, according to invention of Claim 11,

제1 접속전극의 적어도 접촉부와 접하는 부분에 거친면을 형성함으로써, 접촉부가 제1 접속전극과 접촉할 때에, 접촉부 표면에 형성된 산화막을 거친면에 의해 파괴할 수 있어, 접촉부와 제1 접속전극과의 안정한 전기적 접속을 얻을 수 있다.By forming the rough surface at least in contact with the contact portion of the first connection electrode, when the contact portion is in contact with the first connection electrode, the oxide film formed on the surface of the contact portion can be destroyed by the rough surface, so that the contact portion and the first connection electrode and A stable electrical connection can be obtained.

또, 제12항 기재의 발명에 따르면,Moreover, according to invention of Claim 12,

콘택터의 배선기판에의 장착시에, 콘택터와 배선기판과의 위치결정을 행하는 위치결정기구를 설치함으로써, 배선기판에 설치된 제1 접속전극과 콘택터에 설치된 개구부 및 접촉부와의 위치결정을 용이하고 확실하게 행할 수 있다.By providing a positioning mechanism for positioning the contactor and the wiring board when the contactor is mounted on the wiring board, positioning of the first connection electrode provided on the wiring board and the openings and contacts provided in the contactor can be easily and reliably established. I can do it.

또, 제13항 기재의 발명에 따르면,Moreover, according to invention of Claim 13,

콘택터에 접속단자와 전기적 접속이 필요 없는 위치에 개구부만이 존재하는 비접속부를 설치함으로써, 이 비접속부에서의 접속단자의 변형발생을 방지할 수 있다. 또, 비접속부에 있어서는 콘택터에 의한 반력은 발생하지 않기 때문에, 장착시에 콘택터를 향하여 반도체 장치에 인가하는 압압력을 경감할 수 있다.By providing a non-connection portion in which only an opening portion is provided at a position where electrical connection with the connection terminal is not necessary, the deformation of the connection terminal at this non-connection portion can be prevented. In addition, since the reaction force by a contactor does not generate | occur | produce in a non-connection part, the pressurization force applied to a semiconductor device toward a contactor at the time of mounting can be reduced.

또, 제14항 기재의 발명에 따르면,Moreover, according to invention of Claim 14,

접촉부의 선단부의 방향을, 콘택터와 반도체 장치와의 열팽창에 기인하여 발생하는 접속단자와 접촉부와의 상대적 변위방향에 기해 설정함으로써, 상기 상대적 변위에 의해 접속단자가 접촉부로부터 이탈하지 않도록 접촉부의 선단부의 방향을 설정할 수 있게 된다. 이에 의해, 접속단자가 콘택부로부터 떨어지는 것을 방지할 수 있어, 안정한 접속을 유지할 수 있다.By setting the direction of the tip portion of the contact portion based on the relative displacement direction between the contact portion and the contact portion generated due to thermal expansion between the contactor and the semiconductor device, the tip portion of the contact portion is prevented from being detached from the contact portion by the relative displacement. You can set the direction. As a result, the connection terminal can be prevented from falling off from the contact portion, and stable connection can be maintained.

또, 제15항 기재의 발명에 따르면,Moreover, according to invention of Claim 15,

접촉부의 접속단자기 접촉하는 부위에 슬릿을 형성함으로써, 접속단자가 접촉부에 접속할 때, 접속단자의 저부는 슬릿 내에 삽입되기 때문에, 단자 저부에 변형이 발생하는 것을 억제할 수 있다.By forming a slit in the contact portion of the contact portion of the contact portion, when the connection terminal is connected to the contact portion, the bottom portion of the connection terminal is inserted into the slit, so that deformation of the terminal bottom portion can be suppressed.

또, 접속단자와 접촉부와의 접촉면적이 증대하기 때문에, 접속단자와 접촉부의 전기적 접속을 보다 확실하게 행할 수 있다.In addition, since the contact area between the connecting terminal and the contact portion increases, the electrical connection between the connecting terminal and the contact portion can be performed more reliably.

또, 제16항 기재의 발명에 따르면,Moreover, according to invention of Claim 16,

배선기판을 다층 기판으로 함으로써, 보다 세밀한 피치에서의 콘택터를 실현할 수 있고, 또 고속시험에도 대응할 수 있게 된다.By using the wiring board as a multilayer board, a contactor at a finer pitch can be realized and a high-speed test can also be supported.

또, 제17항 기재의 발명처럼,Moreover, like the invention of claim 17,

절연기판을 유연한 절연성 수지박막으로 형성함과 동시에, 접촉부를 가요성을 가진 도전성 금속층에 의해 형성하는 구성으로 해도 좋다.The insulating substrate may be formed of a flexible insulating resin thin film, and the contact portion may be formed of a flexible conductive metal layer.

다음에, 본 발명의 실시형태에 관하여 도면을 참조하여 설명하다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Next, embodiment of this invention is described with reference to drawings.

도4 및 도5는 본 발명의 제1 실시예인 반도체 시험장치(10A)를 나타내고 있다. 도4는 반도체 시험장치(10A)의 구성 및 동작을 설명하기 위한 도면이고, 또 도5는 콘택터(11)와 배선기판(15A)을 분리한 상태를 나타내는 도면이다.4 and 5 show a semiconductor test apparatus 10A as a first embodiment of the present invention. 4 is a view for explaining the configuration and operation of the semiconductor test apparatus 10A, and FIG. 5 is a view showing a state in which the contactor 11 and the wiring board 15A are separated.

각 도에 나타낸 것처럼, 반도체 시험장치(10A)는 대략 콘택터(11)와 배선기판(15A)으로 구성되어 있다. 이 반도체 시험장치(10A)는 반도체 장치(20A)가 장착되고, 반도체 장치(20)에 설치되어 있는 구상접속단자(21)(이하, 범프라 함)와 전기적으로 접속하여 소정의 시험을 행하는데 사용되는 것이다.As shown in each figure, the semiconductor test apparatus 10A is substantially composed of a contactor 11 and a wiring board 15A. The semiconductor test apparatus 10A is equipped with a semiconductor device 20A and electrically connected to a spherical connection terminal 21 (hereinafter referred to as bumper) provided in the semiconductor device 20 to perform a predetermined test. It is used.

콘택터(11)는 대략 접촉부(12A)와 절연기판(13)으로 구성되어 있다. 접촉부(12A)는 설편상의 부재이고, 예를 들면 구리(Cu) 또는 구리합금 등의 탄성 변형 가능한 도전성 금속막으로 구성되어 있다. 또, 이 형성위치는 반도체 장치(20)에 설치된 범프(21)의 위치와 대향하는 위치에 설정되어 있다.The contactor 11 is composed of approximately the contact portion 12A and the insulating substrate 13. The contact portion 12A is a tongue-like member, and is composed of an electrically conductive metal film that can be elastically deformed, for example, copper (Cu) or a copper alloy. Moreover, this formation position is set in the position which opposes the position of the bump 21 provided in the semiconductor device 20. As shown in FIG.

이 접촉부(12A)의 일단부는 후술하는 절연기판(13)에 고정됨과 동시에, 타단부는 절연기판(13)에 형성되어 있는 개구부(14) 내에 연출된 구성으로 되어 있다. 이 때문에, 접촉부(12)는 개구부(14) 내에서 외팔보(cantilever) 형상으로 지지된 구성으로 되어 있고, 그의 대략 중앙부분이 범프(21)가 접속되는 접속부(24A)로 되어 있다.One end of the contact portion 12A is fixed to the insulating substrate 13, which will be described later, and the other end is formed in the opening 14 formed in the insulating substrate 13. For this reason, the contact part 12 is the structure supported by the cantilever shape in the opening part 14, and the substantially center part is the connection part 24A which the bump 21 is connected.

절연기판(13)은 단층의 기판으로, 예를 들면, 폴리이미드(PI)등의 절연수지로 이루어진 시트형상의 수지기판이다. 상기 접촉부(12A)는 그 절연기판(13)의 상부에 형성되어 있고, 따라서 접촉부(12A)는 절연기판(13)에 지지된 구성으로 되어 있다. 또, 절연기판(13)의 접촉부(12)와 대향하는 위치에는 상기와 같이 개구부(14)가 형성되어 있다. 또, 절연성기판(13) 상의 접촉부(12A)의 형성은 유연성 기판의 제조기술 등을 응용할 수 있기 때문에, 용이하고 저코스트로 행할 수 있다.The insulating substrate 13 is a single layer substrate, for example, a sheet-shaped resin substrate made of insulating resin such as polyimide (PI). The contact portion 12A is formed above the insulating substrate 13, and thus the contact portion 12A has a configuration supported by the insulating substrate 13. In addition, the opening 14 is formed in the position which opposes the contact part 12 of the insulated substrate 13 as mentioned above. In addition, the formation of the contact portion 12A on the insulating substrate 13 can be performed easily and at low cost since the manufacturing technique of the flexible substrate can be applied.

한편, 배선기판(15A)은 다층배선기판구조로 되어 있고, 복수층(본 실시예에서는 2층)의 절연층(16A,16B)과, 이 절연층(16A,16B)에 형성된 내부접속전극(17)(제1 접속전극), 외부접속전극(18)(제2 접속전극) 및 인터포저(19) 등으로 구성되어 있다.On the other hand, the wiring board 15A has a multi-layer wiring board structure, and includes insulating layers 16A and 16B of plural layers (two layers in this embodiment) and internal connection electrodes formed on the insulating layers 16A and 16B. 17) (the first connection electrode), the external connection electrode 18 (the second connection electrode), the interposer 19 and the like.

절연층(16A,16B)은 예를 들어 유리·에폭시 등의 절연장료로 형성되어 있다. 또, 내부접속전극(17), 외부접속전극(18) 및 인터포저(19)는 예컨대 도금기술을 사용하여 절연층(16A,16B)에 형성되어 있고, 그 재질로서는 예컨대 구리(Cu)를 사용하고 있다.The insulating layers 16A and 16B are made of insulating materials such as glass and epoxy, for example. In addition, the internal connection electrode 17, the external connection electrode 18, and the interposer 19 are formed in the insulating layers 16A and 16B using, for example, a plating technique, and for example, copper (Cu) is used as the material. Doing.

내부접속전극(17)은 배선기판(15A)의 콘택터(11)가 장착되는 면(이하, 상면이라 함)에 형성되어 있고, 그 형성위치는 상기한 콘택터(11)에 설치된 접촉부(12A)와 대향하는 위치에 설정되어 있다. 따라서, 콘택터(11)가 배선기판(15A)에 장착된 상태에 있어서, 내부접속전극(17)은 개구부(14)를 거쳐 접촉부(12A)와 대향한 상태로 된다.The internal connection electrode 17 is formed on the surface (hereinafter referred to as an upper surface) on which the contactor 11 of the wiring board 15A is mounted, and the formation position thereof is the contact portion 12A provided in the contactor 11 described above. It is set in the opposite position. Therefore, in the state where the contactor 11 is mounted on the wiring board 15A, the internal connection electrode 17 faces the contact portion 12A via the opening 14.

외부접속전극(18)은 배선기판(15A)의 콘택터(11)가 장착되는 상면에 대해 반대측의 면(이하, 하면이라 함)에 형성되어 있다. 이 외부접속전극(18)은 반도체 시험장치(10A)를 반도체 장치(20)에 대해 동작을 행하는 반도체 테스터 등에 접속하는 전극이다.The external connection electrode 18 is formed on a surface opposite to the upper surface on which the contactor 11 of the wiring board 15A is mounted (hereinafter referred to as a lower surface). The external connection electrode 18 is an electrode that connects the semiconductor test apparatus 10A to a semiconductor tester or the like that operates on the semiconductor device 20.

인터포저(19)는 상기한 내부접속전극(17)과 외부접속전극(18)을 전기적으로 접속하는 기능을 수행하는 것이다. 이 인터포저(19)는 복수의 내부배선(19A~19C)으로 구성되어 있다. 이와 같이, 내부접속전극(17)과 외부접속전극(18)을 인터포저(19)를 사용하여 접속함으로써, 내부접속전극(17)의 형성위치와 외부접속전극(18)의 형성위치를 각각 자유도를 갖고 임의로 설정할 수 있다.The interposer 19 serves to electrically connect the internal connection electrode 17 and the external connection electrode 18 to each other. The interposer 19 is composed of a plurality of internal wirings 19A to 19C. In this way, the internal connection electrode 17 and the external connection electrode 18 are connected by using the interposer 19, whereby the formation position of the internal connection electrode 17 and the formation position of the external connection electrode 18 are respectively free. Can be set arbitrarily.

다음으로, 상기와 같이 구성된 반도체 시험장치(10A)의 시험 시의 동작에 관하여 설명한다. 도4a는 반도체 시험장치(10A)에 반도체 장치(20)가 장착되기 전의 상태를 나타내고 있다. 본 실시예에서는 접촉부(12A)가 외팔보(cantilever) 형상의 구성으로 되어 있기 때문에, 반도체 장치(20)의 장착전의 상태에서는 접촉부(12A)는 개구부(14)의 상부에 대략 직선상으로 연출된 상태로 되어 있다(이하, 도4(a)에 나타내는 상태를 장착전의 상태라 함).Next, operation | movement at the time of the test of the semiconductor test apparatus 10A comprised as mentioned above is demonstrated. 4A shows a state before the semiconductor device 20 is mounted in the semiconductor test apparatus 10A. In this embodiment, since the contact portion 12A has a cantilever configuration, the contact portion 12A is substantially straight in the upper portion of the opening 14 in the state before the semiconductor device 20 is mounted. (Hereinafter, the state shown in Fig. 4A is referred to as a state before mounting).

이 장착전의 상태에 있는 반도체 시험장치(10A)에 반도체 장치(20)가 장착되면, 이 장착 동작에 수반하여 범프(21)는 개구부(14) 내에 삽입된다. 이에 따라, 탄성재료로 이루어진 외팔보형상의 접촉부(12A)는 도4b에 나타내는 것처럼 탄성 변형하고, 접촉부(12A)의 선단부(25)는 배선기판(15A)의 내부접속전극(17)에 서로 접한다. 이에 의해, 범프(21)는 접촉부(12A), 내부접속전극(17) 및 인터포저(19)를 거쳐 외부접속전극(18)과 전기적으로 접속된 구성으로 된다.When the semiconductor device 20 is mounted on the semiconductor test apparatus 10A in the state before the mounting, the bump 21 is inserted into the opening 14 in accordance with this mounting operation. Accordingly, the cantilever-shaped contact portion 12A made of an elastic material elastically deforms as shown in Fig. 4B, and the tip portion 25 of the contact portion 12A is in contact with the internal connection electrode 17 of the wiring board 15A. As a result, the bump 21 is electrically connected to the external connection electrode 18 via the contact portion 12A, the internal connection electrode 17 and the interposer 19.

또, 복수 설치되는 각 접촉부(12A)는 각각 독립한 구성으로 되어 있기 때문에, 범프(21)가 삽입된 때, 각 접촉부(12A)는 독립하여 상하 동작한다. 이 때문에, 반도체 장치(20)에 설치된 범프(21)의 높이에 편차가 존재해도, 각 접촉부(12A)는 개개의 범프(21)의 높이에 따라 변형되기 때문에, 접촉부(12A)와 내부접속전극(17)을 안정하게 접속시킬 수 있다.Moreover, since each contact part 12A provided in multiple numbers is independent structure, when the bump 21 is inserted, each contact part 12A operates up and down independently. For this reason, even if there exists a deviation in the height of the bump 21 provided in the semiconductor device 20, since each contact part 12A deforms according to the height of each bump 21, the contact part 12A and the internal connection electrode (17) can be connected stably.

상기와 같이 본 실시예에서는, 접촉부(12A)가 접속되는 내부접속전극(17)이 배선기판(15A)에 설치된 인터포저(19)를 거쳐 외부접속단자(18)로 인출되기 때문에, 인터포저(19)를 적절히 구성함으로써, 내부접속전극(17)을 외부접속단자(18)로 인출하는 배선경로를 임의로 설정할 수 있게 된다.As described above, in the present embodiment, since the internal connection electrode 17 to which the contact portion 12A is connected is led to the external connection terminal 18 via the interposer 19 provided on the wiring board 15A, the interposer ( By properly configuring 19, the wiring path for drawing the internal connection electrode 17 to the external connection terminal 18 can be arbitrarily set.

이와 같이, 접촉부(12A)로부터 외부접속단자(18)에 이르는 배선의 경로를 콘택터(11)가 아니라 배선기판(15A)측에서 행하는 구성으로 함으로써, 콘택터(11)를 다층화할 필요는 없게 되고, 따라서 콘택터(11)의 단층화를 실현할 수 있어, 콘택터(11)의 코스트저감을 꾀할 수 있다.In this way, the path of the wiring from the contact portion 12A to the external connection terminal 18 is set not to the contactor 11 but to the wiring substrate 15A side, thereby eliminating the need for the contactor 11 to be multilayered. Therefore, the contactor 11 can be made to be monolayer, and the cost of the contactor 11 can be reduced.

또, 배선기판(15A)은 전자기기의 배선기판으로서 일반적으로 사용되고 있는 유리·에폭시 기판을 사용할 수 있기 때문에, 배선기판(15A)의 코스트도 낮게 억제할 수 있다. 이에 의해, 반도체 시험장치(10A)의 코스트저감을 꾀할 수 있다.In addition, since the wiring board 15A can use the glass-epoxy board generally used as a wiring board of an electronic device, the cost of the wiring board 15A can also be kept low. As a result, cost reduction of the semiconductor test apparatus 10A can be achieved.

또, 상기와 같이 콘택터(11)에 설치된 접촉부(12A)는 반도체 장치(20)로부터의 전기신호를 그대로 배선기판(15A)에 흘리는 구성으로 하고 있기 때문에, 범프(21)의 협피치화가 진행되어도, 종래와 같이 한쌍의 막전극(6A-1,6A-2) 사이에 배선(8A)을 설치할 필요는 없게 된다(도2참조). 이 때문에, 본 실시예의 구성에 의하면, 내부접속전극(17)과 외부접속전극(18)과의 사이의 배선길이를 짧게 할 수 있고, 또한 배선배치의 단순화를 꾀할 수 있기 때문에, 고속인 전기적 시험에 대응할 수 있게 된다.In addition, since the contact portion 12A provided in the contactor 11 is configured to flow the electrical signal from the semiconductor device 20 directly to the wiring board 15A as described above, even if the bump 21 is narrowed in size. As in the prior art, it is not necessary to provide the wiring 8A between the pair of membrane electrodes 6A-1 and 6A-2 (see Fig. 2). For this reason, according to the structure of this embodiment, since the wiring length between the internal connection electrode 17 and the external connection electrode 18 can be shortened, and wiring arrangement can be simplified, high speed electrical test is carried out. It can respond to.

또, 본 실시예에 관한 반도체 시험장치(10A)는 도5에 나타낸 바와 같이, 콘택터(11)는 배선기판(15A)에 대하여 탈착가능한 구성으로 되어 있다. 이것은 반도체 시험장치(10A)를 사용하여 다수의 반도체 장치(20)에 대해 반복하여 시험을 행함으로써 접촉부(12A)에 열화가 발생한 경우, 콘택터(11)를 교환함으로써 반도체 장치(20)에 대한 시험의 신뢰성을 유지하기 위함이다.In the semiconductor test apparatus 10A according to the present embodiment, as shown in Fig. 5, the contactor 11 is detachable with respect to the wiring board 15A. This is a test for the semiconductor device 20 by replacing the contactor 11 when deterioration occurs in the contact portion 12A by repeatedly testing the plurality of semiconductor devices 20 using the semiconductor test device 10A. This is to maintain the reliability.

그렇지만, 본 실시예에서는 상기와 같이 콘택터(11)의 저코스트화를 꾀하고 있기 때문에, 콘택터(11)의 교환이 필요하게 되어도, 저코스트로 교환을 행할 수 있게 되어, 유지·보수에 필요한 비용의 절감을 꾀할 수 있다.However, in the present embodiment, since the contactor 11 is reduced as described above, even if the contactor 11 needs to be replaced, the contactor 11 can be replaced with a low cost, and thus the cost required for maintenance and repair. Can be reduced.

이어서, 본 발명의 제2 실시예에 관하여 설명한다.Next, a second embodiment of the present invention will be described.

도6은 본 발명의 제2 실시예인 반도체 시험장치(10B)를 나타내고 있다. 또, 도6에서, 도4 및 도5에 나타낸 제1 실시예에 관한 반도체 시험장치(10A)와 동일한 구성에 관하여는 동일부호를 부여하고 그 설명을 생략한다. 또, 다음에 설명하는 각 실시예(제3 내지 제11 실시예)에 관하여도 같다.6 shows a semiconductor test apparatus 10B which is a second embodiment of the present invention. In Fig. 6, the same components as those of the semiconductor test apparatus 10A according to the first embodiment shown in Figs. 4 and 5 are denoted by the same reference numerals and the description thereof will be omitted. Moreover, each Example (3rd-11th Example) demonstrated next is the same.

본 실시예에 관한 반도체 시험장치(10B)는 범프(21)가 접속할 때에 이 범프(21)의 표면에 형성되어 있는 산화막을 파괴할 수 있는 두께 또는 경도를 가지도록 접촉부(12B)를 구성한 것을 특징으로 한다.The semiconductor test apparatus 10B according to the present embodiment has a contact portion 12B configured to have a thickness or hardness that can destroy an oxide film formed on the surface of the bump 21 when the bump 21 is connected. It is done.

주지된 바와 같이, 범프(21)가 땜납으로 형성되어 있는 경우에는 그 표면에 산화막이 형성됨이 알려져 있다. 이 산화막은 절연성이 있기 때문에, 산화막이 형성된 채로는 접촉부(12B)와의 전기적 접속성이 열화하여 버린다.As is well known, when the bump 21 is formed of solder, it is known that an oxide film is formed on the surface thereof. Since the oxide film is insulative, the electrical connection with the contact portion 12B is deteriorated while the oxide film is formed.

그렇지만, 본 실시예처럼 접촉부(12B)의 두께 또는 경도를 높여, 범프(21)의 표면에 형성된 산화막을 파괴할 수 있도록 구성함으로써, 반도체 장치(20)가 콘택터(11)에 장착되어 범프(21)가 접촉부(12B) 상을 수평방향으로 슬라이드 동작할 때, 접촉부(12B)는 범프(21)를 파괴하여 산화막을 파괴할 수 있다.However, the semiconductor device 20 is attached to the contactor 11 so that the oxide film formed on the surface of the bump 21 can be destroyed by increasing the thickness or hardness of the contact portion 12B as in the present embodiment, so that the bump 21 ) Slides on the contact portion 12B in the horizontal direction, the contact portion 12B can destroy the bump 21 and destroy the oxide film.

따라서, 접촉부(12B)와 범프(21)와의 전기적 접속성을 향상시킬 수 있게 되고, 시험중에 안정한 접촉상태를 유지할 수 있다. 또, 접촉부(12B)의 구체적인 구성예로서는 재료로서 구리(Cu)를 사용한 경우에는 그의 두께를 15㎛~200㎛정도로 함으로써, 산화막을 파괴할 수 있다.Therefore, the electrical connection between the contact portion 12B and the bump 21 can be improved, and a stable contact state can be maintained during the test. Moreover, as a specific structural example of the contact part 12B, when copper (Cu) is used as a material, an oxide film can be destroyed by making the thickness into about 15 micrometers-about 200 micrometers.

이어서, 본 발명의 제3 실시예에 관하여 설명한다.Next, a third embodiment of the present invention will be described.

도7은 본 발명의 제3 실시예인 반도체 시험장치(10C)를 나타내고 있다. 본 실시예에 관한 반도체 시험장치(10C)는 개구부(14)에 연출부(22)를 형성한 것을 특징으로 한다. 구체적으로는 도7(b)에 나타낸 것처럼, 연출부(22)는 개구부(14)의 내주연으로부터 도면 중앙에 화살표(L)로 나타낸 치수만큼, 개구부(14)의 내부를 향해 연출된 구성으로 되어 있다.Fig. 7 shows a semiconductor test apparatus 10C as a third embodiment of the present invention. The semiconductor test apparatus 10C according to the present embodiment is characterized in that the extension section 22 is formed in the opening portion 14. Specifically, as shown in Fig. 7 (b), the extension section 22 is configured to be directed toward the inside of the opening 14 by the dimension indicated by the arrow L in the center of the drawing from the inner circumference of the opening 14. have.

이 연출부(22)는 절연기판(13)에 일체적으로 형성되어 있고, 또 그의 형성위치는 접촉부(12A)와 대향하는 위치로 선정되어 있다. 따라서, 이 연출부(22)에 의해, 접촉부(12A)는 부분적으로 지지된 구성으로 된다.This lead portion 22 is formed integrally with the insulating substrate 13, and its formation position is selected to be a position facing the contact portion 12A. Therefore, the contact portion 12A is partially supported by the directing portion 22.

이와 같이, 접촉부(12A)를 부분적으로 지지하는 연출부(22)를 설치함으로써, 범프(21)의 압접에 의해 접촉부(12A)에 발생하는 반력을 조정할 수 있게 된다. 이 반력의 조정은 연출부(22)의 길이(L)를 조정함으로써 가능하고, 연출부(22)를 길게 한 경우에는 접촉부(12A)는 휘기 어렵게 되어 반력은 커지고, 역으로 연출부(22)를 짧게 한 경우에는 반력은 작아진다.Thus, by providing the extension part 22 which partially supports the contact part 12A, the reaction force which generate | occur | produces in the contact part 12A by the pressure welding of the bump 21 can be adjusted. This reaction force can be adjusted by adjusting the length L of the directing part 22. When the extending part 22 is made long, the contact part 12A becomes difficult to bend, and the reaction force becomes large, conversely, the shortening the directing part 22 is performed. In this case, the reaction force becomes small.

이와 같이 본 실시예에 따르면, 반도체 장치(20)가 콘택터(11)에 장착된 때 접촉부(12A)와 범프(21)와의 사이에 발생하는 접촉압력을 적당한 값으로 조정할 수 있게 되어, 접촉부(12A)와 범프(21)를 양호한 상태로 접속할 수 있다.As described above, according to the present embodiment, the contact pressure generated between the contact portion 12A and the bump 21 when the semiconductor device 20 is mounted on the contactor 11 can be adjusted to an appropriate value. ) And the bump 21 can be connected in a good state.

이어서, 본 발명의 제4 실시예에 관하여 설명한다.Next, a fourth embodiment of the present invention will be described.

도 8은 본 발명의 제4 실시예인 반도체 시험장치(10D)를 나타내고 있다. 본 실시예에 관한 반도체 시험장치(10D)는 개구부(14) 내에 접촉부(12A)와 접하는 돌기부(23A)를 형성한 것을 특징으로 한다.8 shows a semiconductor test apparatus 10D which is a fourth embodiment of the present invention. The semiconductor test apparatus 10D according to the present embodiment is characterized in that the projection portion 23A is formed in the opening portion 14 in contact with the contact portion 12A.

이와 같이, 개구부(14) 내에 돌기부(23A)를 형성함으로써, 접속시에 접촉부(12A)가 범프(21)에 압압되어 변위할 때, 접촉부(12A)는 어느 정도의 높이(돌기부(23A)의 높이)에서 돌기부(23A)와 서로 접하고, 이것을 지점으로 하여 변위한다. 따라서, 돌기부(23A)의 높이 및 설치위치를 조정함으로써, 접촉부(12A)가 범프(21)에 부여하는 접촉압력을 조정할 수 있게 된다. 이로써, 접촉부(12A)와 범프(21)와의 전기적 접속에 최적인 접촉압력을 실현할 수 있게 되고, 접촉부(12A)와 범프(21)를 양호한 상태로 접속할 수 있다.In this way, by forming the projections 23A in the openings 14, when the contact portions 12A are pressed against the bumps 21 and displaced at the time of connection, the contact portions 12A have a certain height (the projections 23A). Height) in contact with the protruding portion 23A, and displaces it as a point. Therefore, by adjusting the height and the installation position of the protrusion 23A, the contact pressure applied to the bump 21 by the contact portion 12A can be adjusted. As a result, the contact pressure optimum for the electrical connection between the contact portion 12A and the bump 21 can be realized, and the contact portion 12A and the bump 21 can be connected in a good state.

이 돌기부(23A)는 전도성금속(예를 들면, 팔라듐, 니켈 등), 수지(예를 들어, 폴리이미드, 에폭시 등), 또는 탄성체(예를 들어, 카본 등을 혼합한 도전성의 고무, 스폰지 등)에 의해 형성하는 것도 가능하다.The protrusion 23A may be a conductive metal (for example, palladium, nickel, etc.), a resin (for example, polyimide, epoxy, etc.), or an elastic body (for example, conductive rubber, sponge, etc. mixed with carbon, etc.). It is also possible to form by.

돌기부(23A)를 도전성 재료에 의해 형성한 경우에는 접촉부(12A)와 내부접속전극(17)과의 전기적 접속을, 접촉부(12A)의 선단부(25)뿐만 아니라 돌기부(23A)에서도 행할 수 있기 때문에, 접촉부(12A)와 내부접속전극(17)과의 전기적 접속을 확실하게 행할 수 있다.In the case where the protrusion 23A is formed of a conductive material, the electrical connection between the contact portion 12A and the internal connection electrode 17 can be performed not only at the tip portion 25 of the contact portion 12A but also at the protrusion 23A. The electrical connection between the contact portion 12A and the internal connection electrode 17 can be reliably performed.

또, 돌기부(23A)를 탄성체에 의해 형성한 경우에는 돌기부(23A)의 경도를 조정함으로써, 범프와 접촉부(12A)와의 사이에 적정한 접촉압력을 발생시킬 수 있어,안정한 전기적 접속을 실현할 수 있다.In addition, when the protrusion 23A is formed of an elastic body, by adjusting the hardness of the protrusion 23A, an appropriate contact pressure can be generated between the bump and the contact portion 12A, and stable electrical connection can be realized.

또, 범프(21)가 압접된 때, 접촉부(12A)가 발생시키는 반력에 더해, 돌기부(23A) 자체가 탄성 변형함으로써 발생하는 탄성 복원력이 반력으로서 범프(21)에 인가된다. 이 때문에, 접촉부(12A)가 발생시키는 반력만으로는 충분한 접촉압력을 얻을 수 없는 경우라도, 본 실시예의 구성에 의하면 돌기부(23A)에 의해 적정한 접속에 필요한 접촉압력을 확실히 발생시킬 수 있게 되어, 안정한 전기적 접속을 실현할 수 있다.In addition to the reaction force generated by the contact portion 12A when the bump 21 is press-contacted, an elastic restoring force generated by the elastic deformation of the protrusion 23A itself is applied to the bump 21 as a reaction force. Therefore, even when a sufficient contact pressure cannot be obtained only by the reaction force generated by the contact portion 12A, according to the configuration of the present embodiment, the contact portion 23A can reliably generate the contact pressure necessary for proper connection, thereby ensuring stable electrical Connection can be realized.

또, 접촉압력의 조정에 관해서는 돌기부(23A)의 재료의 경도나 높이를 적절히 조정함으로써, 약 경도 H_RC10~100의 범위에서 조정할 수 있다.Further, by appropriately adjusting the hardness and the height of the material of the projections (23A) with respect to the adjustment of the contact pressure it can be adjusted in the range of about C10 hardness H _R ~ 100.

한편, 돌기부(23A)를 형성하는 방법으로서는 금속에 의해 돌기부(23A)를 형성하는 경우에는 예를 들어 도금법이나 와이어본딩법 등을 사용할 수 있다. 또, 수지에 의해 돌기부(23A)를 형성하는 경우에는, 예를 들어 폿팅법 등을 사용할 수 있다.On the other hand, as the method of forming the protrusions 23A, when the protrusions 23A are formed of metal, for example, a plating method or a wire bonding method can be used. In addition, when forming the projection part 23A by resin, the potting method etc. can be used, for example.

도금법에 의해 돌기부(23A)를 형성한 경우에는 협피치의 패턴형성이나 다핀화된 반도체 장치(20)에 적용할 때, 돌기부(23A)를 접착 등으로 각각 형성하는 구성에 비해 정밀도가 높은 제조가 가능해진다.In the case where the protrusions 23A are formed by the plating method, when the protrusions 23A are formed in a narrow pitch pattern or when applied to the multi-pinned semiconductor device 20, the manufacturing precision of the protrusions 23A is higher than that of the structure in which the protrusions 23A are formed by adhesion or the like. It becomes possible.

또, 와이어본딩법에 의해 돌기부(23A)를 형성한 경우에는 기존의 와이어본딩을 사용할 수 있기 때문에, 돌기부(23A)를 싼 값으로 형성할 수 있다. 또, 소량생산에도 유연하게 대응할 수 있다.Moreover, when 23 A of protrusions are formed by the wire bonding method, since existing wire bonding can be used, 23 A of protrusions can be formed at low price. Moreover, it can respond flexibly to small quantity production.

또, 폿팅법에 의해 돌기부(23A)를 형성한 경우에는 역시 간단한 설비로 돌기부(23A)를 형성할 수 있기 때문에 코스트의 저감을 꾀할 수 있고, 또 소량생산에도 유연하게 대응할 수 있게 된다.In addition, in the case where the protrusion 23A is formed by the potting method, the protrusion 23A can be formed by simple equipment, so that the cost can be reduced, and the small amount of production can be flexibly coped.

이어서, 본 발명의 제5 및 제6 실시예에 관하여 설명한다.Next, the fifth and sixth embodiments of the present invention will be described.

도9는 본 발명의 제5 실시예인 반도체 시험장치(10E)를 나타내고 있고, 또 도10은 본 발명의 제6 실시예인 반도체 시험장치(10F)를 나타내고 있다. 반도체 시험장치(10E)는 구형상을 한 돌기부(23B)를 사용한 것을 특징으로 하고 있고, 반도체 시험장치(10F)는 환상형상을 한 돌기부(23C)(예를 들어, O링)를 사용한 것을 특징으로 하고 있다.9 shows a semiconductor test apparatus 10E as a fifth embodiment of the present invention, and FIG. 10 shows a semiconductor test apparatus 10F as a sixth embodiment of the present invention. The semiconductor test apparatus 10E is characterized by using a spherical projection 23B, and the semiconductor test apparatus 10F is characterized by using an annular projection 23C (for example, an O-ring). I am doing it.

돌기부(23B,23C)의 형상을 구형상 또는 환상형상으로 함으로써, 돌기부(23B,23C)를 개구부(14) 내에 용이하게 설치할 수 있다. 또, 돌기부(23B) 및 돌기부(23C)는 제4 실시예의 돌기부(23A)와 동등한 기능을 하고, 또, 그의 재질 및 특성에 관해서도 동일한 것을 적용할 수 있다.By making the shape of the projections 23B and 23C into a spherical or annular shape, the projections 23B and 23C can be easily installed in the opening 14. The projections 23B and 23C have the same functions as the projections 23A of the fourth embodiment, and the same can be applied to the materials and properties thereof.

여기서, 접촉부의 형상에 주목한다. 상기한 제1 내지 제6 실시예에서는 접촉부(12A,12B)의 형상을 단지 설편상의 형상으로 했지만, 접촉부는 내부접속전극(17)과 전기적으로 접속하는 것으로, 그의 형상을 적절히 구성함으로써, 접촉부와 내부접속전극(17)과의 전기적 접속을 향상시킬 수 있다. 이하, 접촉부의 형상의 변형예에 관해 설명한다.Here, attention is paid to the shape of the contact portion. In the first to sixth embodiments described above, the contact portions 12A and 12B are merely tongue-shaped, but the contact portions are electrically connected to the internal connection electrodes 17. The electrical connection with the internal connection electrode 17 can be improved. Hereinafter, the modification of the shape of a contact part is demonstrated.

도11은 제1 및 제2 변형예인 접촉부(12C,12D)를 나타내고 있다. 이 도11에 나타내는 각 변형예에 관한 접촉부(12C,12D)는 어느 것이나 그의 선단부에 선예부를 형성함으로써, 내부접속전극(17)과의 접속성을 향상시킨 것이다.Fig. 11 shows contact portions 12C and 12D as first and second modifications. All of the contact portions 12C and 12D according to each of the modifications shown in FIG. 11 form a sharpness portion at the tip thereof, thereby improving connectivity with the internal connection electrode 17.

도11a에 나타내는 접촉부(12C)는 그의 선단부로서 절단단부(25A)를 형성한 것을 특징으로 하는 것이다. 이와 같이, 접촉부(12C)의 선단부에 절단단부(25A)를 형성하여 날카롭게 함으로써, 접속시에 있어서, 절단단부(27A)가 내부접속단자(17)를 푹 찌른다든지 또는 슬라이드함으로써, 내부접속단자(17)의 표면에 형성된 산화막을 파괴할 수 있다. 따라서, 접촉부(12A)와 내부접속단자(17)와의 안정한 접속이 가능하게 된다. 또, 절단단부(27A)는 예를 들면 에칭 등을 사용하여 형성할 수 있다.The contact portion 12C shown in Fig. 11A is provided with a cut end portion 25A as its tip portion. In this manner, the cutting end portion 25A is formed and sharpened at the tip end portion of the contact portion 12C so that the cutting end portion 27A pokes or slides the internal connection terminal 17 during connection. The oxide film formed on the surface of 17) can be destroyed. Therefore, stable connection between the contact portion 12A and the internal connection terminal 17 is possible. The cut end 27A can be formed using, for example, etching.

또, 도11b에 나타내는 접촉부(12D)는 그의 선단부에 선예부로서 톱니부(25B)를 형성한 것을 특징으로 하는 것이다. 이와 같이, 접촉부(12D)의 선단부에 톱니부(25B)를 형성하여 다수의 절단단부를 가진 구성으로 함으로써, 내부접속단자(17)에 대해 복수 개소에서 산화막을 파괴할 수 있어, 접촉부(12D)와 내부접속단자(17)와의 보다 안정한 접속이 가능해진다. 또, 이 톱니부(25B)도 에칭 등을 사용하여 형성할 수 있다.Moreover, the contact part 12D shown in FIG. 11B is provided with the tooth part 25B as a sharp part in the front-end | tip part. It is characterized by the above-mentioned. Thus, by forming the tooth part 25B in the front end part of the contact part 12D, and having a structure with many cut | disconnected end parts, an oxide film can be destroyed in multiple places with respect to the internal connection terminal 17, and the contact part 12D is carried out. And more stable connection with the internal connection terminal 17 are attained. Moreover, this tooth part 25B can also be formed using an etching etc.

이어서, 도12 내지 도22를 사용하여 제3 내지 제13 변형예인 접촉부(12E~12P)에 관해 설명한다. 또, 도12 내지 도21에 있어서, (a)는 각 접촉부(12E~12N)의 측단면도를 나타내고, (b)는 각 접촉부(12E~12N)의 요부저면도를 나타내고 있다. 접촉부의 제3~제12 변형예의 각각이 설치된 콘택터를 배선기판(15A) 상에 설치하는 때에는, 도12a에 나타내는 것처럼, 스페이서(70)를 접촉부가 설치된 콘택터와 내부접속단자(17)가 설치된 배선기판(15A)과의 사이에 설치한다. 범프(21)가 개구부(14)에 삽입되면, 접촉부의 접속부가 변형되어, 도시하는 바와 같이, 내부접속단자(17)에 접속한다. 간략화하기 위해 도13~21의 (a)에서 스페이서(70), 내부접속단자(17) 및 절연체층(16A,16B)의 도시를 생략한다.Next, the contact parts 12E to 12P as the third to thirteenth modifications will be described with reference to FIGS. 12 to 22. 12 to 21, (a) shows a side cross-sectional view of each contact portion 12E to 12N, and (b) shows a recessed bottom view of each contact portion 12E to 12N. When the contactors provided with each of the third to twelfth modifications of the contact portion are provided on the wiring board 15A, as shown in FIG. 12A, the spacer 70 is provided with the contactor provided with the contact portion and the wiring provided with the internal connection terminal 17. It is provided between the board | substrate 15A. When the bump 21 is inserted into the opening portion 14, the contact portion of the contact portion is deformed and connected to the internal connection terminal 17 as shown. For the sake of simplicity, the illustration of the spacer 70, the internal connection terminal 17 and the insulator layers 16A and 16B is omitted in FIGS.

도12는 제3 변형예인 접촉부(12E)를 나타내고 있다. 본 변형예에서는 접촉부(12E)를 한 쌍의 외팔보부(56)에 의해 구성한 것을 특징으로 하는 것이다. 구체적으로는 접촉부(12E)의 접속부(24B)에는 환상부(54)가 형성되어 있고, 도12b에 나타낸 것처럼, 이 환상부(56)가 대향하는 위치로부터, 중앙부분을 향하여 한 쌍의 외팔보부(56)가 연출된 구성으로 되어 있다.12 shows a contact portion 12E as a third modification. In this modification, the contact portion 12E is constituted by a pair of cantilever portions 56. Specifically, the annular portion 54 is formed in the connecting portion 24B of the contact portion 12E, and as shown in FIG. 12B, a pair of cantilevered portions from the position where the annular portion 56 faces to the center portion. (56) is directed.

본 변형예의 구성에 의하면, 시험시에 있어서 외팔보부(56)는 범프(21)의 양측 2개소에서 접촉할 때, 범프(21)를 안정한 상태로 유지할 수 있다. 또, 2개의 외팔보부(56)에서 범프(21)를 유지하기 때문에, 접속부(24B)의 강도를 높일 수 있어, 접속부(24B)에 변형 등이 발생하는 것을 방지할 수 있다.According to the structure of this modification, the cantilever part 56 can hold | maintain the bump 21 in a stable state at the time of a test when the cantilever part 56 contacts two places on both sides of the bump 21. In addition, since the bumps 21 are held by the two cantilever portions 56, the strength of the connecting portion 24B can be increased, and deformations and the like can be prevented from occurring in the connecting portion 24B.

도13은 제4 변형예인 접촉부(12F)를 나타내고 있다. 본 변형예에서는 접속부(24C)를 두갈래식 외팔보부(58)에 의해 구성한 것이 특징이다. 본 변형예의 구성에 의하면, 접속부(24C)는 변형이 용이하게 되어, 범프(21)의 높이 편차를 유효하게 흡수할 수 있다.Fig. 13 shows a contact portion 12F as a fourth modification. In this modification, the connection part 24C is comprised by the bifurcation cantilever part 58. It is characterized by the above-mentioned. According to the structure of this modification, the connection part 24C becomes easy to deform | transform and can absorb the height deviation of the bump 21 effectively.

단, 접속부(24C)가 변형이 용이하게 됨으로써, 접촉부(12F)의 재료를 구리(Cu)로 한 경우에는 소성 변형이 발생할 염려가 있다. 따라서, 본 변형예의 구성에서는 접촉부(12F)의 재질로서는 스프링재로서 도전성이 높은 재질을 선정하는 것이 바람직하다.However, since the connection portion 24C is easily deformed, plastic deformation may occur when the material of the contact portion 12F is made of copper (Cu). Therefore, in the structure of this modification, as a material of the contact part 12F, it is preferable to select a material with high electroconductivity as a spring material.

도14는 제5 변형예인 접촉부(12G)를 나타내고 있다. 앞서 설명한 접촉부(12A~12F)의 구조는 전부 외팔보형상의 구조로 되어 있었다. 이에 반해, 본 변형예에 관한 접촉부(12G)는 그의 구조를 양팔보형상의 구조로 한 것이 특징이다.Fig. 14 shows a contact portion 12G as a fifth modification. The structures of the contact portions 12A to 12F described above were all cantilevered. On the contrary, the contact portion 12G according to the present modification is characterized in that its structure is a double-beamed structure.

즉, 접속부(24D)는 양단지지보부(60)를 갖고 있고, 이 양단지지보부(60)의 양단부는 환상부(54)에 일체적으로 접속된 구성으로 되어 있다. 이와 같이, 접속부(24D)를 양단이 지지된 양팔보부(60)에 의해 구성함으로써, 접속부(24D)의 기계적인 강도를 높일 수 있어, 경시적인 사용에 의해 접속부(24E)가 열화하는 것을 방지할 수 있다.That is, the connection part 24D has the both ends support part 60, and the both ends of this end support part 60 are integrally connected to the annular part 54. As shown in FIG. In this way, by constructing the connecting portion 24D by the double-armed portions 60 supported at both ends, the mechanical strength of the connecting portion 24D can be increased, and the deterioration of the connecting portion 24E can be prevented by use over time. Can be.

도15는 제6 변형예인 접촉부(12H)를 나타내고 있다. 본 변형예에 관한 접촉부(12H)는 접속부(24E)의 중앙부분에 홈부(63)(슬릿)를 형성하고, 이에 의해 한 쌍의 양단지지부보부(62)를 형성한 것이 특징이다. 이와 같이, 한 쌍의 양단지지부보부(62)에 의해 접속부(24E)를 형성함으로써, 양팔보부(62)의 변형량을 크게 할 수 있어, 범프(21)의 높이 편차를 유효하게 흡수할 수 있다.Fig. 15 shows a contact portion 12H as a sixth modification. The contact portion 12H according to the present modification is characterized in that the groove portion 63 (slit) is formed in the center portion of the connecting portion 24E, whereby a pair of both end support portions 62 are formed. In this way, by forming the connection portion 24E by the pair of both end support portions 62, the amount of deformation of the two braces 62 can be increased, and the height deviation of the bumps 21 can be effectively absorbed. .

또, 한 쌍의 양팔보부(62) 사이에 홈부(63)가 존재하기 때문에, 장착상태에 있어서 범프(21)의 하선단부는 홈부(63) 내에 위치하게 된다. 따라서, 범프(21)가 접속부(24E) 상에서 이동할 수 있게 되어, 접촉부(12H)(콘택터(11))와 범프(21)(반도체 장치(20))와의 위치결정성을 향상시킬 수 있다.In addition, since the groove portion 63 exists between the pair of brace arms 62, the lower end portion of the bump 21 is positioned in the groove portion 63 in a mounted state. Therefore, bump 21 can move on connection part 24E, and the positioning property of contact part 12H (contactor 11) and bump 21 (semiconductor apparatus 20) can be improved.

도16은 제7 변형예인 접촉부(12I)를 나타내고 있다. 본 변형예에 관한 접촉부(12I)는 접속부(12F)에 직선상의 슬릿(26A)을 형성함으로써, 접속부(12F)를 변형 가능한 구성으로 한 것이 특징이다.Fig. 16 shows a contact portion 12I as a seventh modification. The contact portion 12I according to the present modification is characterized in that the connection portion 12F can be deformed by forming a straight slit 26A in the connection portion 12F.

본 변형예에 설치된 접속부(12F)는 제6 변형예에 설치된 접속부(24E)에 비해 변형량은 적어지지만, 기계적 강도는 향상된다. 따라서, 범프(21)의 재질(예를 들면, 범프(21)가 땜납이라든가, 혹은 금이라든가 등)에 의해, 적절히 슬릿(26A,63)의 형상을 선정하는 것이 효과가 있다.Although the connection part 12F provided in this modification is small compared with the connection part 24E provided in the 6th modification, mechanical strength improves. Therefore, it is effective to select the shapes of the slits 26A and 63 appropriately according to the material of the bump 21 (for example, whether the bump 21 is solder or gold).

도17은 제8 변형예인 접촉부(12J)를 나타내고 있다. 본 변형예에서는 접속부(24G)에 형성되는 슬릿(26B)을 원형상으로 함과 동시에, 접속부(24G)의 중앙위치에 설치한 것이 특징이다. 이러한 구성으로 함으로써, 제7 변형예와 마찬가지로 접속부(24G)의 변형량을 조정할 수 있다. 또, 슬릿(26B)은 접속부(24G)의 중심위치이자 원통상이기 때문에, 범프(21)는 항상 접속부(24G)의 중심위치에 위치하게 되고, 따라서 접촉부(12J)(콘택터(11))와 범프(21)(반도체 장치(20))와의 위치결정성을 향상시킬 수 있다.17 shows a contact portion 12J as an eighth modification. In the present modification, the slit 26B formed in the connecting portion 24G is circular and is provided at the center position of the connecting portion 24G. By setting it as such a structure, the deformation amount of the connection part 24G can be adjusted similarly to 7th modification. In addition, since the slit 26B is the center position and the cylindrical shape of the connection part 24G, the bump 21 will always be located in the center position of the connection part 24G, and therefore, the contact part 12J (contactor 11) and Positioning with the bump 21 (semiconductor device 20) can be improved.

도18은 제9 변형예인 접촉부(12K)를 나타내고 있다. 본 변형예에서는 접속부(24H)에 소경의 원형슬릿(26C)을 다수개 형성한 것이 특징이다. 이와 같이, 접속부(24H)에 다수의 원형슬릿(26C)을 형성함으로써, 상기한 각 실시예와 마찬가지로 접속부(24H)를 변형시킬 수 있고, 또 그의 변형량은 원형슬릿(26C)의 수 및 직경치수로 조정할 수 있다.18 shows a contact portion 12K as a ninth modification. In the present modification, a plurality of small diameter circular slits 26C are formed in the connecting portion 24H. In this way, by forming a plurality of circular slits 26C in the connecting portion 24H, the connecting portion 24H can be deformed in the same manner as in the above-described embodiments, and the amount of deformation is the number and diameter of the circular slits 26C. Can be adjusted.

또, 본 실시예와 같이 원형슬릿(26C)을 다수개 형성함으로써, 범프(21)가 접속부(24H)에 압압된 때, 각 슬릿(26C)의 연부가 보다 많이 범프(21)에 서로 접하여 침투한 상태로 되어, 범프(21)와 접속부(24H)와의 전기적 접속성을 향상시킬 수 있다.Also, by forming a plurality of circular slits 26C as in the present embodiment, when the bump 21 is pressed against the connecting portion 24H, the edges of the respective slits 26C are more in contact with the bump 21 to penetrate each other. In this state, the electrical connection between the bump 21 and the connecting portion 24H can be improved.

도19는 제10 변형예인 접촉부(12L)를 나타내고 있다. 상기한 각 변형예에서는 접속부(24B~24H)를 접촉부(12E~12K)와 일체로 형성한 구성으로 되어 있었다. 이에 반해 본 변형예에서는 접속부(24I)를 접촉부(12L)와는 별개의 구성으로 한 것이 특징이다.Fig. 19 shows a contact portion 12L as a tenth modification. In each of the modifications described above, the connection portions 24B to 24H were formed integrally with the contact portions 12E to 12K. On the other hand, in this modification, the connection part 24I is characterized by having a structure separate from the contact part 12L.

이와 같이, 접속부(24I)와 접촉부(12L)를 별개의 구성으로 함으로써, 각각 의 재질을 별개로 선정할 수 있고, 따라서 접속부(24I)의 기능 및 접촉부(12L)의 기능에 최적인 재질을 선정할 수 있게 된다. 도19에 나타내는 접촉부(12L)는 접속부(24I)의 변형량을 크게 설정하기 때문에, 호일상 전극(64)에 의해 접속부(24I)를 구성한 예를 나타내고 있다. 또, 구체적인 재료로서는 접촉부(12L)로서는 구리(Cu)를 사용하고, 또 호일상 전극(64)으로서는 알루미늄을 사용하고 있다.Thus, by making the connection part 24I and the contact part 12L into separate structures, each material can be selected separately, and therefore the material which is optimal for the function of the connection part 24I and the function of the contact part 12L is selected. You can do it. Since the contact part 12L shown in FIG. 19 sets the deformation amount of the connection part 24I large, the example which comprised the connection part 24I by the foil-shaped electrode 64 is shown. As a specific material, copper (Cu) is used as the contact portion 12L, and aluminum is used as the foil-shaped electrode 64.

도20은 제11 변형예인 접촉부(12M)를 나타내고 있다. 본 변형예에서는 상기한 제10 변형예와 마찬가지로, 접속부(24J)를 접촉부(12M)와 별개의 구성으로 하고 있다. 또 본 변형예에서는 접속부(24J)를 도시한 것처럼, 외팔보형상 와이어(66)에 의해 구성한 것이 특징이다.20 shows a contact portion 12M as an eleventh modification. In the present modification, like the tenth modification described above, the connecting portion 24J is configured to be separate from the contact portion 12M. Moreover, in this modification, as shown in the connection part 24J, it is the thing comprised by the cantilever shape wire 66.

이 외팔보형상 와이어(66)는 와이어본딩 기술을 사용하여 형성한다. 구체적으로는 접촉부(12M)의 개구부(14) 근방에 와이어본딩장치를 사용하여 와이어본딩하고, 이어서 와이어를 소정량 인출한 후에 이것을 단절한다. 이 상태는 도20(a)에 파선으로 나타낸 상태이다.This cantilevered wire 66 is formed using a wire bonding technique. Specifically, wire bonding is performed using a wire bonding apparatus in the vicinity of the opening portion 14 of the contact portion 12M, and then a predetermined amount of wire is taken out, and then this is disconnected. This state is shown by a broken line in Fig. 20A.

그다음, 이 와이어를 개구부(14) 측에 절곡형성함으로써, 외팔보형상 와이어(66)를 형성한다. 이와 같이, 와이어본딩기술을 사용하여 접속부(24J)를 형성함으로써, 접속부(24J)를 용이하고 효율 좋게 형성함과 동시에, 저코스트화를 꾀할 수 있다. 또, 본 변형예에서는 접속부(24J)의 일단부만이 고정되고 타단부가 자유단으로 되어 외팔보형상 와이어(66)로 되어 있기 때문에 비교적 변형량이 크고, 따라서 범프(21)의 높이 편차가 큰 경우에도 충분히 대응할 수 있다.Next, the cantilever-shaped wire 66 is formed by bending this wire on the opening 14 side. Thus, by forming the connection part 24J using a wire bonding technique, the connection part 24J can be formed easily and efficiently, and low cost can be attained. In this modification, since only one end of the connecting portion 24J is fixed, and the other end is a free end to form a cantilever-shaped wire 66, the deformation amount is relatively large, and therefore the height variation of the bump 21 is large. Can cope with enough.

도21은 제12 변형예인 접촉부(12N)를 나타내고 있다. 본 변형예에서도, 상기한 제11 변형예와 마찬가지로, 접속부(24K)를 와이어에 의해 형성하고 있다. 그렇지만, 상기한 제11 변형예에서는 접속부(24J)를 외팔보형상 와이어(66)에 의해 구성한 것에 반해, 본 변형예에서는 접속부(24K)를 양팔보형상 와이어(68)에 의해 구성한 것이 특징이다.21 shows a contact portion 12N as a twelfth modification. Also in this modification, the connection part 24K is formed of the wire similarly to the 11th modification mentioned above. However, in the eleventh modification described above, the connection portion 24J is configured by the cantilevered wire 66, whereas in the present modification, the connection portion 24K is constituted by the double-braced wire 68.

이 양팔보형상 와이어(68)도 와이어본딩기술을 사용하여 형성되어 있고, 구체적으로는 접촉부(12N)를 구성하는 프레임부(54)의 개구부(14) 근방에 먼저 1차 본딩을 행하고, 이어서 이것을 대향하는 측의 프레임부(54)에 2차 본딩을 행한다. 이것에 의해, 양팔보형상 와이어(68)는 그의 양단이 프레임부(54)에 고정된 구성으로 된다. 이 구성으로 함으로써, 제1 변형예에서 나타낸 외팔보형상 와이어(66)에 대해 기계적 강도를 향상시킬 수 있다.This double-braced wire 68 is also formed using a wire bonding technique. Specifically, first bonding is performed in the vicinity of the opening portion 14 of the frame portion 54 constituting the contact portion 12N. Secondary bonding is performed to the frame portion 54 on the opposite side. As a result, the two-armed wire 68 has a structure in which both ends thereof are fixed to the frame portion 54. By setting it as this structure, mechanical strength can be improved with respect to the cantilever wire 66 shown by the 1st modification.

또, 본 변형예에서는 양팔보형상 와이어(68)를 1본만 사용한 구성으로 했지만, 양팔보형상 와이어(68)를 2본 사용하고, 이것이 十자 형상으로 교차하도록 설치한 구성으로 해도 좋다. 이 구성으로 함으로써, 상기한 효과에 더하여 범프(21)의 이동을 규제할 수 있기 때문에, 접촉부(콘택터(11))와 범프(21)(반도체 장치(20))와의 위치결정성을 향상시킬 수 있다.In addition, in this modified example, although the structure which used only one arm | belt-shaped wire 68 was used, it is good also as a structure which used two arm | belt-shaped wires 68 and provided so that it may cross | cross in a cross shape. In this configuration, the movement of the bump 21 can be regulated in addition to the above-described effects, so that the positioning of the contact portion (contactor 11) and the bump 21 (semiconductor device 20) can be improved. have.

도22는 제13 변형예인 접촉부(12P)를 나타내고 있다. 본 변형예에서는 접촉부(12P)의 표면(범프(21)가 접촉하는 면) 및 내부접속전극(17)과 접하는 부분(배면)의 양쪽에 거친면(27A)을 형성함과 동시에, 내부접속전극(17)의 표면에도 거친면(27B)을 형성한 것이 특징이다. 이 거친면(27A, 27B)의 형성방법으로서는 도금조건을 변화시켜 미소돌기를 형성한다든지, 블라스트(blast)에 의해 작은 입자를 충돌시켜 접촉부표면을 거칠게 한다든지, 거친면을 가진 부재에 의해 스탬핑(stamping)하는 등의 형성방법을 생각 할 수 있다.22 shows a contact portion 12P as a thirteenth modification. In this modification, the rough surfaces 27A are formed on both the surface of the contact portion 12P (the surface on which the bumps 21 are in contact) and the portion (back surface) in contact with the internal connection electrodes 17, and at the same time, the internal connection electrodes are provided. The rough surface 27B is formed also in the surface of (17). As the method for forming the rough surfaces 27A and 27B, the micro-projections are formed by changing the plating conditions, small particles are collided by blast to roughen the contact surface, or stamped by the member having the rough surface. It is possible to think of a forming method such as stamping.

본 변형예에 의하면, 접촉부(12P)의 표면에 거친면(27A)을 형성한 경우에는 범프(21)가 접속되는 때에 범프(21)의 표면에 형성된 산화막을 거친면(27A)에 의해 파괴할 수 있어, 접촉부(12P)와 범프(21)와의 안정한 전기적 접속을 얻을 수 있다.According to this modification, when the rough surface 27A is formed on the surface of the contact portion 12P, the oxide film formed on the surface of the bump 21 is destroyed by the rough surface 27A when the bump 21 is connected. This makes it possible to obtain stable electrical connection between the contact portion 12P and the bump 21.

또, 접촉부(12P)의 내부접속전극(17)과 접하는 부분(배면)에 거친면(27A)을 형성한 경우에는 접촉부(12P)가 내부접속전극(17)과 접촉할 때에, 내부접속전극(17)의 표면에 형성된 산화막을 거친면에 의해 파괴할 수 있어, 접촉부(12P)와 내부접속전극(17)과의 안정한 전기적 접속을 얻을 수 있다.In the case where the rough surface 27A is formed in the portion (back) of the contact portion 12P in contact with the internal connection electrode 17, when the contact portion 12P contacts the internal connection electrode 17, the internal connection electrode ( The oxide film formed on the surface of 17) can be broken by the rough surface, and stable electrical connection between the contact portion 12P and the internal connection electrode 17 can be obtained.

또, 내부접속전극(17)에 거친면(27B)을 형성함으로써, 접촉부(12P)가 내부접속전극(17)과 접촉할 때, 접촉부(12P)의 표면에 산화막이 존재하여도, 이 산화막을 거친면(27B)에 의해 파괴할 수 있어, 접촉부(12P)와 내부접속전극(17)과의 안정한 전기적 접속을 얻을 수 있다.Also, by forming the rough surface 27B on the internal connection electrode 17, when the contact portion 12P is in contact with the internal connection electrode 17, even if an oxide film is present on the surface of the contact portion 12P, the oxide film is formed. It can be broken by the rough surface 27B, and stable electrical connection between the contact portion 12P and the internal connection electrode 17 can be obtained.

또, 상기한 각 거친면(27A, 27B)의 거친 정도로서는 예를 들면 평균거칠기를0.1~100㎛정도로 했을 때에 효과가 컸다.Moreover, as roughness of each rough surface 27A, 27B mentioned above, when the average roughness was made into about 0.1-100 micrometers, the effect was large.

또, 상기 제13 변형예에서는 접촉부(12P)의 표면 및 배면 양쪽에 거친면(27A)을 형성한 구성을 나타냈지만, 어느 한 쪽에만 형성한 구성으로 해도 좋다. 또, 상기 제13 변형예에서는 내부접속전극(17)의 전면에 거친면(27B)을 형성한 구성을 나타냈지만, 접촉부(12P)가 접속되는 영역에만 거친면(27B)을 형성하는 구성으로 해도 좋다.Moreover, although the structure which provided the rough surface 27A on both the surface and back surface of the contact part 12P was shown in the said 13th modification, you may make it the structure formed only in either side. In the thirteenth modification, the structure in which the rough surface 27B is formed on the entire surface of the internal connection electrode 17 is shown, but the rough surface 27B is formed only in the region where the contact portion 12P is connected. good.

이어서, 본 발명의 제7 및 제8 실시예에 관하여 설명한다.Next, the seventh and eighth embodiments of the present invention will be described.

도23은 제7 실시예인 반도체 시험장치(10G)를 나타내고 있고, 도24는 제8 실시예인 반도체 시험장치(10H)를 나타내고 있다. 각 실시예에서는 콘택터(11)를 배선기판(15A)에 장착할 때, 콘택터(11)와 배선기판(15A)과의 위치결정을 행하는 위치결정기구를 설치한 것이 특징이다.FIG. 23 shows a semiconductor test device 10G as a seventh embodiment, and FIG. 24 shows a semiconductor test device 10H as an eighth embodiment. In each embodiment, the positioning mechanism for positioning the contactor 11 and the wiring board 15A when the contactor 11 is mounted on the wiring board 15A is provided.

즉, 도5를 사용하여 설명한 것처럼, 본 발명에 관한 반도체 시험장치는 콘택터(11)가 배선기판(15A)에 대해 탈착가능한 구성으로 되어 있어, 접촉부가 열화하여도 콘택터(11)를 교환함으로써, 항상 안정한 시험을 실시할 수 있다. 이 콘택터(11)의 교환시에는 접촉부와 내부접속전극(17)을 정밀도 좋게 위치결정할 필요가 있다. 즉, 콘택터(11)를 배선기판(15A)에 대해, 정밀도 좋게 장착할 필요가 있다. 이 때문에, 제7 및 제8 실시예에 관한 반도체 시험장치(10G,10H)에서는 콘택터(11)와 배선기판(15A)의 위치결정을 행하는 위치결정기구를 설치한 구성으로 하고 있다.That is, as described with reference to Fig. 5, in the semiconductor testing apparatus according to the present invention, the contactor 11 is detachable from the wiring board 15A, and the contactor 11 is replaced even if the contact portion deteriorates. A stable test can always be carried out. When the contactor 11 is replaced, it is necessary to accurately position the contact portion and the internal connection electrode 17. That is, it is necessary to mount the contactor 11 with respect to the wiring board 15A with high accuracy. For this reason, in the semiconductor test apparatuses 10G and 10H of the seventh and eighth embodiments, the positioning mechanism for positioning the contactor 11 and the wiring board 15A is provided.

도23에 나타내는 반도체 시험장치(10G)에서는 콘택터(11)를 구성하는 절연기판(13)에 형성된 제1 위치결정구멍(29)과, 배선기판(15A)에 형성된 제2 위치결정구멍(30)과, 이 각 위치결정구멍(29,30)과 맞물리는 위치결정핀(31)에 의해 위치결정기구를 구성하고 있다. 그리고, 위치결정핀(31)을 각 위치결정구멍(29,30)과 맞물리도록 관통시킴으로써, 콘택터(11)(접촉부(12A))와 배선기판(15A)(내부접속전극 (17))의 위치결정을 행하는 구성으로 되어 있다.In the semiconductor test apparatus 10G shown in FIG. 23, the first positioning holes 29 formed in the insulating substrate 13 constituting the contactor 11 and the second positioning holes 30 formed in the wiring board 15A are formed. And the positioning pins 31 engaged with the respective positioning holes 29 and 30 to form the positioning mechanism. The position of the contactor 11 (contact portion 12A) and the wiring board 15A (internal connection electrode 17) is caused by passing the positioning pin 31 into engagement with the positioning holes 29 and 30. It is a structure which makes a decision.

도24에 나타내는 반도체 시험장치(10H)에서는 콘택터(11)를 구성하는 절연기판(13)에 형성된 위치결정구멍(32)과, 배선기판(15A)의 상면에 형성된 위치결정돌기(33)에 의해 위치결정기구를 구성하고 있다. 그리고, 위치결정돌기(33)를 위치결정구멍(32)과 맞물리게 함으로써, 콘택터(11)(접촉부(12A))와 배선기판(15A)(내부접속전극(17))의 위치결정을 행하는 구성으로 되어 있다.In the semiconductor test apparatus 10H shown in FIG. 24, the positioning holes 32 formed in the insulating substrate 13 constituting the contactor 11 and the positioning projections 33 formed on the upper surface of the wiring substrate 15A are provided. The positioning mechanism is configured. Then, the positioning projection 33 is engaged with the positioning hole 32, thereby positioning the contactor 11 (contact portion 12A) and the wiring board 15A (internal connection electrode 17). It is.

상기한 각 실시예에 관한 반도체 시험장치(10G,10H)에 의하면, 단지 위치결정핀(31)을 각 위치결정구멍(29, 30)에 맞물리게 하는 처리에 의해, 또 단지 위치결정돌기(33)를 위치결정구멍(32)에 맞물리게 하는 것만으로, 콘택터(11)와 배선기판(15A)의 위치결정을 행할 수 있다. 따라서, 간단한 구성 및 간단한 조작으로 접촉부(12A)와 내부접속전극(17)의 위치결정을 확실히 행할 수 있다.According to the semiconductor test apparatuses 10G and 10H according to the above-described embodiments, only the positioning projection 33 is further processed by the process of engaging the positioning pins 31 with the positioning holes 29 and 30. Can be made to position the contactor 11 and the wiring board 15A by simply engaging the positioning hole 32 with each other. Therefore, the positioning of the contact portion 12A and the internal connection electrode 17 can be reliably performed with a simple configuration and simple operation.

또, 상기한 위치결정구멍(29, 30, 32)의 형성방법으로서는 드릴링(drilling)이나 펀칭(punching)을 사용하는 방법, 또 에칭(etching)이나 레이저를 사용하는 형성방법을 채용할 수 있다. 또, 상기한 위치결정처리보다도 더욱 정밀도가 높은 위치결정처리를 행할 필요가 있는 경우에는 위치결정기구를 카메라, 화상인식수단 등에 의해 구성하고, 화상인식에 의해 위치결정처리를 행할 수도 있다.As the method for forming the positioning holes 29, 30, 32, a method of using drilling or punching, or a method of using etching or a laser can be employed. In addition, when it is necessary to perform positioning processing with higher precision than the above-described positioning processing, the positioning mechanism may be constituted by a camera, image recognition means, or the like, and positioning processing may be performed by image recognition.

이어서, 본 발명의 제9 실시예에 관해 설명한다.Next, a ninth embodiment of the present invention will be described.

도25는 제9 실시예인 반도체 시험장치(10I)를 나타내고 있다. 본 실시예에서는 콘택터(11)에 범프(21)와 전기적 접속이 불필요한 위치에 개구부(14)만이 존재하는 즉 접촉부(12A)가 형성되어 있지 않은 비접속부(34)를 설치한 것이 특징이다.25 shows a semiconductor test apparatus 10I as a ninth embodiment. The present embodiment is characterized in that the contactor 11 is provided with a non-connection portion 34 in which only the opening 14 exists, that is, the contact portion 12A is not formed, at a position where electrical connection with the bump 21 is unnecessary.

즉, 반도체 시험장치(10I)에 장착되는 반도체 장치(20)는 다수의 범프(21)를 가진 구성으로 되어 있지만, 주지된 바와 같이 이 반도체 시험장치(20)에 대해서 시험을 실시하는 경우, 반드시 전체 범프(21)에 대해서 시험신호를 수수할 필요는 없다(이하, 시험신호를 수수할 필요가 없는 범프를 특히 접속불요범프(21A)라 함).That is, the semiconductor device 20 mounted on the semiconductor test device 10I has a configuration having a plurality of bumps 21, but as is well known, when the semiconductor test device 20 is tested, It is not necessary to receive the test signal for the entire bump 21 (hereinafter, the bump that does not need to receive the test signal is particularly referred to as connection unnecessary bump 21A).

따라서, 본 실시예에서는 접속불요범프(21A)와 대향하는 위치에는 접촉부(12A)를 갖지 않은 비접속부(34)를 설치하고, 접속불요범프(21A)가 접촉부(12A)와 접촉하지 않도록 구성하였다. 이와 같이 비접속부(34)를 설치함으로써, 반도체 장치(20)를 반도체 시험장치(10I)에 장착한 때, 접속불요범프(21A)는 개구부(14) 내에서 콘택터(11)와 접촉하지 않고, 단지 위치하는 것일 뿐인 상태로 된다.Therefore, in this embodiment, the non-connection part 34 which does not have the contact part 12A is provided in the position which opposes the connection unnecessary bump 21A, and it is comprised so that the connection unnecessary bump 21A may not contact the contact part 12A. . By providing the non-connection portion 34 in this manner, when the semiconductor device 20 is mounted on the semiconductor test apparatus 10I, the connection unnecessary bump 21A does not contact the contactor 11 in the opening portion 14, It is just a state of being located.

이 때문에, 비접속부(34)에 있어서 범프(21)가 변형하는 것을 방지할 수 있다. 또, 비접속부(34)에 있어서는 접촉부(12A)에 의한 반력은 발생하지 않기 때문에, 장착시에 있어서 반도체 장치(20)를 반도체 시험장치(10I)를 향해 압압하는 압압력을 경감할 수 있어, 장착작업의 용이화를 꾀할 수 있다.For this reason, deformation of the bump 21 in the non-connection part 34 can be prevented. Moreover, since the reaction force by the contact part 12A does not generate | occur | produce in the non-connection part 34, the pressurization force which presses the semiconductor device 20 toward the semiconductor test apparatus 10I at the time of mounting can be reduced, The installation work can be facilitated.

이어서, 본 발명의 제10 실시예에 관해서 설명한다.Next, a tenth embodiment of the present invention will be described.

도26은 제10 실시예인 반도체 시험장치(10J)의 일부를 확대하여 나타낸 평면도이다. 동도면에 나타낸 것처럼 본 실시예에 관한 반도체 시험장치(10J)는 각 접촉부(12A)의 방향이, 반도체 장치가 반도체 시험장치(10J)에 장착된 상태에 있어서의 그의 중심위치(반도체 장치의 중심위치)에 대해 법선방향을 향하도록 구성되어 있다.FIG. 26 is an enlarged plan view of a portion of a semiconductor test apparatus 10J as a tenth embodiment. As shown in the drawing, the semiconductor test apparatus 10J according to the present embodiment has its center position in the state where the contact portions 12A are mounted on the semiconductor test apparatus 10J (the center of the semiconductor device). Position toward the normal direction.

즉, 도면에 나타낸 접촉부(12A-1)를 예로 들어 설명하면, 반도체 장치의 중심위치로부터 접촉부(12A-1)의 중심위치까지의 선분(X)을 그린 경우, 접촉부(12A-1)의 연장방향(선단부(25)의 방향)은 도면의 화살표(Y)로 표시하는 방향으로 되도록 구성되어 있다. 이 도면의 화살표(Y)로 나타내는 방향은 선분(X)에 대해 직각 방향으로 된다. 이것에 의해, 각 접촉부(12A)는 반도체 장치의 중심위치를 중심으로 하여 원을 그리도록 배치된 구성으로 된다.In other words, the contact portion 12A-1 shown in the drawing will be described as an example. When the line segment X is drawn from the center position of the semiconductor device to the center position of the contact portion 12A-1, the contact portion 12A-1 is extended. The direction (direction of the tip part 25) is comprised so that it may become a direction shown by the arrow Y of a figure. The direction shown by the arrow Y of this figure becomes a direction orthogonal to the line segment X. As shown in FIG. As a result, each contact portion 12A is arranged to draw a circle around the center position of the semiconductor device.

그런데, 콘택터(11)와 반도체 장치(20)는 각각 고유의 열팽창률을 갖고 있고, 콘택터(11)의 열팽창률과 반도체 장치(20)의 열팽창률은 다르다. 따라서, 예를 들어 번인(burn in) 등의 가열을 수반하는 시험을 실시한 경우, 콘택터(11)와 반도체 장치(20) 사이에서 열팽창 차가 발생한다. 이 열팽창 차가 발생하면, 반도체 장치(20)에 설치된 범프(21)와, 콘택터(11)에 설치된 접촉부(12A)와의 사이에 상대적인 변위가 발생한다.By the way, the contactor 11 and the semiconductor device 20 have intrinsic thermal expansion rates, respectively, and the thermal expansion rate of the contactor 11 and the thermal expansion rate of the semiconductor device 20 differ. Thus, for example, when a test involving heating such as burn in is performed, a difference in thermal expansion occurs between the contactor 11 and the semiconductor device 20. When this thermal expansion difference occurs, relative displacement occurs between the bump 21 provided in the semiconductor device 20 and the contact portion 12A provided in the contactor 11.

그렇지만, 상기한 본 실시예의 구성으로 함으로써, 상기 열팽창 차에 기인하여 범프(21)와 접촉부(12A)와의 사이에 발생하는 상대적 변위방향은 선분X의 연장방향으로 된다. 이에 의해, 범프(21)와 접촉부(12A)가 상대적으로 변위하여도, 상기한 접촉압력을 일정하게 유지할 수 있다. 그것은 이 경우, 상대적 변위의 방향은 접촉부(12A)의 폭을 따르고 있기 때문이다. 그 결과, 예를 들어 상대적 변위기 발생하여도 상기 접촉압력은 변화하지 않는다. 이 때문에, 각 접촉부(12A)의 방향, 즉 접촉부(12A)의 선단(25)이 향하는 방향이 도26에 나타낸 화살표Y로 표시되는 방향인 구성에 의해, 안정한 전기적 접속을 유지할 수 있다.However, by setting it as the structure of this embodiment mentioned above, the relative displacement direction which arises between the bump 21 and the contact part 12A due to the said thermal expansion difference becomes the extension direction of line segment X. Thereby, even if bump 21 and the contact part 12A displace relatively, the said contact pressure can be kept constant. This is because the direction of relative displacement follows the width of the contact portion 12A in this case. As a result, the contact pressure does not change even when a relative displacement is generated, for example. For this reason, stable electrical connection can be maintained by the structure which the direction of each contact part 12A, ie, the direction which the tip 25 of the contact part 12A faces is a direction shown by the arrow Y shown in FIG.

접촉부가 연장하는 방향, 즉 접촉부(12A)의 선단(25)이 향하는 방향을 도26에 나타내는 선분X에 따른 방향으로 하는 것도 가능하고, 이 경우 범프(21)가 접촉부(12A)로부터 벗어나는 것을 방지할 수 있다. 이것은 이 경우 범프(21)와 접촉부(12A)와의 사이에 발생하는 상대적 변위방향은 도4(b)에 나타내는 Y1, Y2방향이기 때문이다. 이 방향은 접촉부(12A)의 길이방향이기 때문에, 범프(21)는 접촉부(12A)로부터 벗어나기 어렵다. 이 때문에, 각 접촉부(12A)의 방향, 즉 접촉부(12A)의 선단(25)이 향하는 방향이 도26에 나타낸 선분X가 연장하는 방향인 구성에 의해, 안정한 전기적 접속을 유지할 수 있다.It is also possible to set the direction in which the contact portion extends, that is, the direction in which the tip 25 of the contact portion 12A is directed along the line segment X shown in Fig. 26, in which case the bump 21 is prevented from deviating from the contact portion 12A. can do. This is because the relative displacement direction generated between the bump 21 and the contact portion 12A in this case is the Y1 and Y2 directions shown in Fig. 4B. Since this direction is the longitudinal direction of the contact part 12A, the bump 21 is hard to escape from the contact part 12A. For this reason, a stable electrical connection can be maintained by the structure which the direction of each contact part 12A, ie, the direction which the front-end | tip 25 of the contact part 12A faces is a direction in which the line segment X shown in FIG. 26 extends.

이어서, 본 발명의 제11 실시예에 관해서 설명한다.Next, an eleventh embodiment of the present invention will be described.

도27은 제11 실시예인 반도체 시험장치(10K)를 나타내고 있다. 본 실시예에서는 단층의 배선기판(15B)을 사용함과 동시에, 접촉부(12R)를 미리 내부접속전극(17)에 접속하여 두는 구성을 한 것이 특징이다.27 shows a semiconductor test apparatus 10K as an eleventh embodiment. In this embodiment, a single layer wiring board 15B is used and the contact portion 12R is connected to the internal connection electrode 17 in advance.

상기한 것처럼, 최근에는 반도체 장치(20)의 고속화가 진행되고, 이에 따라 시험시에 사용하는 신호도 고속화하고 있다. 또, 이에 따라 외란의 침입에 대한 방어도 중요하게 되어, 반도체 장치(20)의 시험시에 사용하는 반도체테스터의 일부회로를 반도체 시험장치(10K)에 설치하고 있다. 도27에 나타내는 전자부품(38)은 이반도체테스터의 일부를 구성하는 회로를 구성하는 것이다.As mentioned above, in recent years, the speed of the semiconductor device 20 advances, and accordingly, the signal used at the time of a test is also speeded up. In addition, defense against invasion of disturbance is also important, and some circuits of the semiconductor tester used at the time of testing the semiconductor device 20 are provided in the semiconductor test apparatus 10K. The electronic component 38 shown in FIG. 27 constitutes a circuit that forms part of the semiconductor tester.

이 전자부품(38)의 설치장소로서는 콘택터(11) 또는 배선기판(15B)을 생각 할 수 있다. 그렇지만, 막기판인 콘택터(11)에 전자부품(38)을 설치하는 것은 매우 곤란하고, 또 설치코스트가 높아진다. 또, 절연기판(13) 상에 접촉부(12A) 이외에도 배선을 형성할 필요가 생겨, 종래의 반도체 시험장치와 마찬가지의 문제점(고밀도화에 대응할 수 없다)이 생긴다.As the installation place of this electronic component 38, a contactor 11 or a wiring board 15B can be considered. However, it is very difficult to install the electronic component 38 in the contactor 11 which is a membrane board, and the installation cost is high. In addition, it is necessary to form wiring on the insulating substrate 13 in addition to the contact portion 12A, which causes the same problems as the conventional semiconductor test apparatus (which cannot cope with higher density).

따라서, 본 실시예에서는 배선기판(15B)에 전자부품(38)을 설치하였다. 또, 시험신호의 고속화 및 외란의 침입방지를 꾀하기 위해서는 범프(21)로부터 외부접속전극(18)에 이르는 인터포저의 배선길이를 가능한 한 짧게 할 필요가 있다. 이 때문에, 본 실시예에서는 배선기판(15B)으로서 단층 기판을 사용하고 배선길이를 짧게 하도록 구성하고 있다. 이에 의해, 내부접속전극(17)과 외부접속전극(18)과의 전기적 접속은 절연조(16)에 쓰루홀 전극(36)을 형성하여 행하고 있다.Therefore, in this embodiment, the electronic component 38 is provided on the wiring board 15B. In addition, in order to speed up the test signal and prevent intrusion of disturbance, the wiring length of the interposer from the bump 21 to the external connection electrode 18 should be as short as possible. For this reason, in this embodiment, a single layer board is used as the wiring board 15B and the wiring length is shortened. Thus, the electrical connection between the internal connection electrode 17 and the external connection electrode 18 is performed by forming the through hole electrode 36 in the insulator 16.

한편, 접촉부(12R)를 미리 내부접속전극(17)에 접속하여 두는 구성으로 함으로써, 범프(21)가 삽입될 때마다 접촉부가 가요변위하는 일은 없게 된다. 따라서, 특히 접촉부와 개구부(14)의 주연과의 서로 맞닿는 위치에 있어서, 취약성 피로가 발생하는 것을 방지할 수 있어, 콘택터(11)의 수명을 늘일 수 있다.On the other hand, when the contact portion 12R is connected to the internal connection electrode 17 in advance, the contact portion is not flexiblely displaced every time the bump 21 is inserted. Therefore, especially in the position where the contact part and the periphery of the opening part 14 contact | connect each other, generation | occurrence | production of fragile fatigue can be prevented and the life of the contactor 11 can be extended.

또, 상기한 각 실시예에서는 구상접속단자로서는 땜납범프(21)를 예로 들어 설명했지만, 구상접속단자는 땜납범프에 한정되지 않고, 다른 재료(예를 들어, 금, 구리등)로 되는 구상접속단자를 사용하는 것도 가능하다. 또, 구상이외의 단자(예를 들어, 스터드범프 등)에 관해서도, 본 발명을 이용할 수 있다.Incidentally, in each of the above embodiments, the solder bumps 21 are used as the spherical connection terminals. However, the spherical connection terminals are not limited to solder bumps, but spherical connections made of other materials (for example, gold, copper, etc.). It is also possible to use terminals. Moreover, this invention can also be used also regarding terminals other than spherical shape (for example, stud bump etc.).

또, 상기한 각 실시예에서는 배선기판으로서 유리·에폭시기판을 예로 들어 설명하였지만, 배선기판은 유리·에폭시 등의 수지기판에 한정되지 않고, 세라믹기판 등의 다른 구성으로 한 기판을 이용할 수도 있다.In each of the above-described embodiments, glass and epoxy substrates have been described as examples of wiring substrates. However, the wiring substrate is not limited to resin substrates such as glass and epoxy, but substrates having other configurations such as ceramic substrates may be used.

상술한 것처럼 본 발명에 의하면, 다음에 기술하는 각 종 효과를 실현할 수 있다.As described above, according to the present invention, various effects described below can be realized.

청구항1 기재의 발명에 의하면, 콘택터의 단층화를 실현할 수 있기 때문에 콘택터의 코스트저감을 꾀할 수 있어, 유지 보수시에 콘택터의 교환을 저코스트로 행할 수 있다.According to the invention of claim 1, since the contactor can be made to be monolayer, cost reduction of the contactor can be achieved, and the contactor can be replaced at low cost during maintenance.

또, 콘택터에 설치된 접촉부는 그대로 반도체 장치로부터의 전기신호를 절연기판 아래의 배선기판에 흘리기 때문에, 접속단자의 협피치화가 진행되어도 선길이를 짧게 할 수 있고, 또한 배선배치의 단순화를 꾀할 수 있기 때문에, 빠른 전기적 시험에 대응할 수 있다.In addition, since the contact portion provided in the contactor flows the electrical signal from the semiconductor device directly to the wiring board under the insulating board, the wire length can be shortened even when the narrowing of the connection terminal proceeds, and the wiring arrangement can be simplified. Therefore, it can respond to a quick electrical test.

또, 청구항2 기재의 발명에 의하면, 반도체 장치가 콘택터에 장착될 때, 접촉부는 접속단자를 파괴하여 접속단자 표면에 형성된 산화막을 파괴할 수 있기 때문에, 접촉부와 접속단자와의 안정한 접속상태를 유지할 수 있게 된다.Further, according to the invention of claim 2, when the semiconductor device is mounted on the contactor, the contact portion can destroy the connection terminal and destroy the oxide film formed on the surface of the connection terminal, thereby maintaining a stable connection state between the contact portion and the connection terminal. It becomes possible.

또, 청구항3 기재의 발명에 의하면, 연출부의 길이를 조정함으로써 접촉부와 접속단자와의 사이에 발생하는 접촉압력을 적당한 값으로 조정할 수 있게 되고, 접촉부와 접속단자를 양호한 상태에서 접속시킬 수 있다.Further, according to the invention of claim 3, by adjusting the length of the extension portion, the contact pressure generated between the contact portion and the connection terminal can be adjusted to an appropriate value, and the contact portion and the connection terminal can be connected in a good state.

또, 청구항4 기재의 발명에 의하면, 접속시에 접촉부는 어느 정도의 높이에서 돌기부와 서로 접하고 이것을 지점으로 하여 변위하기 때문에, 돌기부의 높이 및 설치위치를 조정함으로써, 접속단자와의 적정한 접속에 필요한 접촉압력을 접촉부에 발생시킬 수 있어, 안정한 전기적 접속을 실현할 수 있다.In addition, according to the invention of claim 4, the contact portions contact each other at a certain height at the time of connection, and are displaced with this as a point. Thus, by adjusting the height and the installation position of the projections, it is necessary for proper connection with the connection terminals. Contact pressure can be generated in the contact portion, and stable electrical connection can be realized.

또, 청구항5 기재의 발명에 의하면, 돌기부의 경도를 조정함으로써, 접속단자와의 적정한 접속에 필요한 접촉압력을 접촉부에 발생시킬 수 있어, 안정한 전기적 접속을 실현할 수 있다.Further, according to the invention of claim 5, by adjusting the hardness of the projection, the contact pressure necessary for proper connection with the connecting terminal can be generated in the contact portion, and stable electrical connection can be realized.

또, 접속단자가 압접된 때, 접촉부가 갖는 탄성력에 의해 발생하는 반력에 더해, 돌기부가 탄성 변형함에 의해서도 반력이 발생하기 때문에, 접속단자와의 적정한 접속에 필요한 접촉압력을 확실히 발생시킬 수 있어, 안정한 전기적 접속을 실현할 수 있다.In addition, when the connection terminal is press-contacted, in addition to the reaction force generated by the elastic force of the contact portion, reaction force is generated even when the protrusion is elastically deformed, so that the contact pressure necessary for proper connection with the connection terminal can be reliably generated. Stable electrical connection can be realized.

또, 청구항6 기재의 발명에 의하면, 접촉부와 제1 접속전극과의 전기적 접속을 접촉부의 선단부뿐 만아니라, 돌기부에서도 행할 수 있기 때문에, 접촉부와 제1 접속전극과의 전기적 접속을 확실히 행할 수 있다.According to the invention of claim 6, the electrical connection between the contact portion and the first connection electrode can be performed not only at the tip end portion of the contact portion, but also at the projection portion, so that the electrical connection between the contact portion and the first connection electrode can be reliably performed. .

또, 청구항7 및 8 기재의 발명에 의하면, 돌기부의 형상을 구(球)형상 또는 환상(環狀)으로 함으로써, 돌기부를 개구부 내에 설치하는 것이 용이해진다.Moreover, according to invention of Claim 7 and 8, it becomes easy to provide a projection part in an opening part by making the shape of a projection part spherical shape or an annular shape.

또, 청구항9 기재의 발명에 의하면, 접촉부의 선단부가 제1 접속전극에 접촉할 때, 제1 접속전극 상에 형성된 산화막을 부수기 때문에, 접촉부와 제1 접속단자와의 안정한 전기적 접속을 얻을 수 있게 된다.Further, according to the invention of claim 9, when the tip portion of the contact portion contacts the first connection electrode, the oxide film formed on the first connection electrode is broken, so that stable electrical connection between the contact portion and the first connection terminal can be obtained. do.

또, 청구항10 기재의 발명에 의하면, 접촉부의 표면에 거친면을 형성한 경우에는 접속단자가 접속될 때에 접속단자의 표면에 형성된 산화막을 거친면에 의해 파괴할 수 있어, 접촉부와 접속단자와의 안정한 전기적 접속을 얻을 수 있다.According to the invention of claim 10, when the rough surface is formed on the surface of the contact portion, the oxide film formed on the surface of the contact terminal can be destroyed by the rough surface when the connection terminal is connected, A stable electrical connection can be obtained.

또, 접촉부의 제1 접속전극과 서로 접하는 부분에 거친면을 형성한 경우에는 접촉부가 제1 접속전극과 접촉할 때에, 제1 접속전극의 표면에 형성된 산화막을 거친면에 의해 파괴할 수 있어, 접촉부와 제1 접속전극과의 안정한 전기적 접속을 얻을 수 있다.In addition, in the case where the rough surface is formed in a portion in contact with the first connecting electrode of the contact portion, when the contact portion contacts the first connecting electrode, the oxide film formed on the surface of the first connecting electrode can be destroyed by the rough surface. A stable electrical connection between the contact portion and the first connection electrode can be obtained.

또, 청구항11 기재의 발명에 의하면, 접촉부가 제1 접속전극과 접촉할 때에, 접촉부표면에 형성된 산화막을 거친면에 의해 파괴할 수 있어, 접촉부와 제1 접속전극과의 안정한 전기적 접속을 얻을 수 있다.According to the invention of claim 11, when the contact portion is in contact with the first connection electrode, the oxide film formed on the surface of the contact portion can be destroyed by the rough surface, so that stable electrical connection between the contact portion and the first connection electrode can be obtained. have.

또, 청구항12 기재의 발명에 의하면, 배선기판에 설치된 제1 접속전극과 콘택터에 설치된 개구부 및 접촉부의 위치결정을 용이하고 확실하게 행할 수 있다.According to the invention of claim 12, the positioning of the first connection electrode provided on the wiring board and the opening portion and the contact portion provided on the contactor can be performed easily and reliably.

또, 청구항13 기재의 발명에 의하면, 콘택터에 접속단자와 전기적 접속이 불필요한 위치에 개구부만이 존재하는 비접속부를 설치함으로써, 이 비접속부에서의 접속단자의 변형발생을 방지할 수 있다.In addition, according to the invention of claim 13, by providing a non-connection portion in which only an opening portion exists in a position where electrical connection with the connection terminal is unnecessary, the occurrence of deformation of the connection terminal in the non-connection portion can be prevented.

또, 비접속부에서는 접촉부에 의한 반력은 발생하지 않기 때문에, 장착시에 콘택터를 향해 반도체 장치에 인가하는 압압력을 경감할 수 있다.Moreover, since the reaction force by the contact part does not generate | occur | produce in a non-connection part, the pressurization force applied to a semiconductor device toward a contactor at the time of mounting can be reduced.

또, 청구항14 기재의 발명에 의하면, 접속단자가 접촉부로부터 이탈하지 않도록 접촉부의 선단부의 방향을 설정할 수 있게 되고, 이것에 의해 접속단자가 접촉부로부터 벗어나는 것을 방지할 수 있어 안정한 접속을 유지할 수 있다.According to the invention of claim 14, the direction of the tip of the contact portion can be set so that the connection terminal does not leave the contact portion, thereby preventing the connection terminal from deviating from the contact portion and maintaining a stable connection.

또, 청구항15 기재의 발명에 의하면, 접촉부의 접속단자가 접촉하는 부위에 슬릿을 형성함으로써, 접속단자가 접촉부에 접속할 때, 접속단자의 저부는 슬릿 내에 삽입되기 때문에, 단자 저부에 변형이 발생하는 것을 억제할 수 있다.Further, according to the invention of claim 15, when the connection terminal is connected to the contact portion by forming a slit at a portion where the connection terminal of the contact portion contacts, the bottom of the connection terminal is inserted into the slit, so that deformation occurs at the terminal bottom. Can be suppressed.

또, 접속전극과 접촉부와의 접촉면적 이 증대하기 때문에, 접속단자와 접촉부의 전기적 접속을 보다 확실히 행할 수 있다.In addition, since the contact area between the connecting electrode and the contact portion increases, electrical connection between the connecting terminal and the contact portion can be performed more reliably.

또, 청구항16 기재의 발명에 의하면, 배선기판을 다층 기판으로 함으로써, 보다 세밀한 피치의 콘택터를 실현할 수 있게 되고, 또 고속시험에도 대응할 수 있게 된다.Further, according to the invention of claim 16, by making the wiring board a multilayer board, it is possible to realize a contactor with a finer pitch and also to cope with a high speed test.

Claims

In a semiconductor test apparatus for testing a semiconductor device having a connection terminal,

A contactor having a single-layered insulating substrate having an opening formed at a position corresponding to the connection terminal, and a contact portion formed on the insulating substrate so that the connection portion is formed and the connection portion is located inside the opening portion; And

The contactor is detachably mounted on an upper surface serving as a mounting surface of the semiconductor device, and a first connection electrode formed on the upper surface and electrically connected to the contact portion, and a second formed on the lower surface and connected to the outside A wiring board having a connecting electrode and an interposer for electrically connecting the first and second connecting electrodes,

When the semiconductor device is mounted on the contactor, the connecting portion of the contact portion first contacts the connecting terminal, and then the connecting portion of the contact portion is deformed so that its tip portion is electrically connected to the first connecting electrode. Semiconductor test equipment.

The semiconductor test apparatus according to claim 1, wherein the contact portion is configured to have a thickness or hardness that can destroy an oxide film formed on the surface of the connection terminal when the connection terminal is connected.

3. The semiconductor test apparatus according to claim 1 or 2, wherein a directing portion directed into the opening is formed in the insulating substrate so as to face the contact portion, and the extending portion partially supports the contact portion.

The semiconductor test apparatus according to claim 1 or 2, wherein a protrusion is formed in the opening to contact the contact portion, and the contact portion is displaced with the protrusion as a point when the connection terminal is connected.

The semiconductor test apparatus according to claim 4, wherein the protrusion is formed of an elastic body.

The semiconductor test apparatus according to claim 4, wherein the protrusion is formed of a conductive material.

5. The semiconductor test apparatus according to claim 4, wherein the protrusions have a spherical shape.

The semiconductor test apparatus according to claim 4, wherein the shape of the protrusions is annular.

The semiconductor test apparatus according to claim 1 or 2, wherein a sharp portion is formed at the tip of the contact portion.

The semiconductor test apparatus according to claim 1 or 2, wherein a rough surface is formed on at least one of a surface of the contact portion or a portion in contact with the first connection electrode.

The semiconductor test apparatus according to claim 1 or 2, wherein a rough surface is formed on at least a portion of the first connection electrode in contact with the contact portion.

The semiconductor test apparatus according to claim 1 or 2, wherein a positioning mechanism for positioning the contactor and the wiring board is provided when the contactor is mounted on the wiring board.

The semiconductor test apparatus according to claim 1 or 2, wherein the contactor is provided with a non-connection portion in which only the opening portion exists at a position where electrical connection with the connection terminal is not necessary.

The direction of the tip part of the said contact part was set based on the relative displacement direction of the said contact terminal and the said contact part generate | occur | produced due to the thermal expansion difference between the said contactor and the said semiconductor device. A semiconductor test apparatus characterized by the above-mentioned.

The semiconductor test apparatus according to claim 1 or 2, wherein a slit is formed at a portion of the contact portion in contact with the connection terminal.

The semiconductor test apparatus according to claim 1 or 2, wherein the wiring board is a multilayer board.

The semiconductor test apparatus according to claim 1 or 2, wherein the insulating substrate is formed of a flexible insulating resin thin film and the contact portion is formed of a flexible conductive metal layer.

As a test method for a semiconductor device having a connection terminal,

A contactor is detachably mounted on an upper surface serving as a mounting surface of the semiconductor device, the first connecting electrode formed on the upper surface and electrically connected to the contactor, and a second connection formed on the lower surface and connected to the outside On a wiring board having an electrode and an interposer for electrically connecting the first and second connection electrodes, a single layer insulating substrate having an opening formed at a position corresponding to the connection terminal and a connection portion to which the connection terminal is connected are formed. And a contactor having a contact portion formed on the insulating substrate such that the connection portion is located inside the opening portion.

The semiconductor device is mounted to the contactor mounted on the wiring board such that the connection terminal is connected to the contact portion of the contact portion of the contactor.

And testing the semiconductor device through the second connection electrode, the interposer and the first connection electrode of the wiring board, the contact portion of the contactor and the connection terminal.