KR100390823B1 - Method for fabricating image sensor having different depth of photodiodes in each different color pixel - Google Patents
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Abstract
본 발명은 서로 다른 색의 픽셀내에 각기 다른 깊이의 포토다이오드를 구비하여 색 변별력을 향상시킬 수 있는 이미지센서 제조 방법에 관한 것으로, 서로 다른 색의 픽셀내에 각기 다른 깊이의 포토다이오드를 구비하여 색 변별력을 향상시킬 수 있는 이미지 센서를 제조하기 위하여, 본 발명의 일실시예에서는 픽셀의 색에 따라 각기 다른 에너지로 이온을 주입하여 각기 다른 깊이의 포토다이오드를 형성하는 방법을 제시하며, 본 발명의 다른 실시예에서는 포토다이오드가 형성되는 반도체 기판에 픽셀의 색에 따라 각기 다른 두께의 산화막을 형성하고 동시에 같은 에너지로 이온을 주입함으로써 각기 다른 깊이의 포토다이오드를 형성하는 방법을 제시한다.The present invention relates to a method of manufacturing an image sensor capable of improving color discrimination power by providing photodiodes of different depths in pixels of different colors, and comprising photodiode of different depths in pixels of different colors. In order to manufacture an image sensor capable of improving the efficiency, an embodiment of the present invention provides a method of forming photodiodes having different depths by implanting ions with different energies according to the color of a pixel. The embodiment provides a method of forming photodiodes having different depths by forming oxide films having different thicknesses according to the color of a pixel and implanting ions at the same energy in the semiconductor substrate on which the photodiodes are formed.
Description
본 발명은 이미지 센서 제조 분야에 관한 것으로, 특히 서로 다른 색의 픽셀 내에 각기 다른 깊이의 포토다이오드를 구비하는 이미지 센서 제조 방법에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to the field of image sensor manufacturing, and more particularly, to an image sensor manufacturing method having photodiodes of different depths in pixels of different colors.
이미지 센서(image sensor)는 1차원 또는 2차원 이상의 광학 정보를 전기신호로 변환하는 장치이다. 이미지 센서의 종류는 크게 나누어 촬상관과 고체 촬상 소자로 분류된다. 촬상관은 텔레비전을 중심으로 하여 화상처리기술을 구사한 계측, 제어, 인식 등에서 널리 상용되며 응용 기술이 발전되었다. 시판되는 고체 이미지 센서는 MOS(metal-oxide-semiconductor)형과 CCD(charge coupled device)형의 2종류가 있다.An image sensor is an apparatus that converts optical information of one or two dimensions or more into an electrical signal. The types of image sensors are broadly classified into imaging tubes and solid-state imaging devices. Imaging tubes are widely used in measurement, control, and recognition using image processing technology centering on televisions, and applied technologies have been developed. There are two types of commercially available solid-state image sensors, a metal-oxide-semiconductor (MOS) type and a charge coupled device (CCD) type.
CMOS 이미지 센서는 CMOS 제조 기술을 이용하여 광학적 이미지를 전기적신호로 변환시키는 소자로서, 픽셀수 만큼 MOS트랜지스터를 만들고 이것을 이용하여 차례차례 출력을 검출하는 스위칭 방식을 채용하고 있다. CMOS 이미지 센서는, 종래 이미지센서로 널리 사용되고 있는 CCD 이미지센서에 비하여 구동 방식이 간편하고 다양한 스캐닝 방식의 구현이 가능하며, 신호처리 회로를 단일칩에 집적할 수 있어 제품의 소형화가 가능할 뿐만 아니라, 호환성의 CMOS 기술을 사용하므로 제조 단가를 낮출 수 있고, 전력 소모 또한 크게 낮다는 장점을 지니고 있다.CMOS image sensor is a device that converts an optical image into an electrical signal using CMOS fabrication technology, and employs a switching method that makes MOS transistors as many as the number of pixels and uses them to sequentially detect the output. The CMOS image sensor is simpler to drive than the CCD image sensor, which is widely used as a conventional image sensor, and can realize various scanning methods, and can integrate a signal processing circuit into a single chip, thereby miniaturizing the product. The use of compatible CMOS technology reduces manufacturing costs and significantly lowers power consumption.
도 1은 4개의 트랜지스터와 2개의 캐패시턴스 구조로 이루어지는 CMOS 이미지센서의 단위픽셀을 보이는 회로도로서, 광감지 수단인 포토다이오드(PD)와 4개의 NMOS트랜지스터로 구성되는 CMOS 이미지센서의 단위픽셀을 보이고 있다. 4개의 NMOS트랜지스터 중 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)는 포토다이오드(PD)에서 생성된 광전하를 플로팅 확산영역(FD)으로 전송하는 신호를 전달하고, 리셋 트랜지스터(Rx)는 플로팅 확산영역(FD)을 공급전압(VDD) 레벨로 리셋시키는 신호를 전달하고, 드라이브 트랜지스터(Dx)는 소스팔로워(Source Follower)로서 역할하며, 셀렉트 트랜지스터(Sx)는 픽셀 데이터 인에이블(pixel data enable) 신호를 인가받아 픽셀 데이터 신호를 출력으로 전송하는 역할을 한다.FIG. 1 is a circuit diagram showing a unit pixel of a CMOS image sensor composed of four transistors and two capacitance structures, and a unit pixel of a CMOS image sensor composed of a photodiode (PD) and four NMOS transistors. . Of the four NMOS transistors, the transfer transistor Tx transmits a signal for transferring the photocharge generated in the photodiode PD to the floating diffusion region FD, and the reset transistor Rx supplies the floating diffusion region FD. The drive transistor Dx serves as a source follower, and the select transistor Sx receives a pixel data enable signal and receives a pixel to reset the voltage to the voltage V DD level. It is responsible for transmitting the data signal to the output.
이와 같이 구성된 이미지센서 단위픽셀에 대한 동작은 다음과 같이 이루어진다. 처음에는 리셋 트랜지스터(Rx), 트랜스퍼 트랜지스터(Tx) 및 셀렉트 트랜지스터(Sx)를 온(on)시켜 단위픽셀을 리셋시킨다. 이때 포토다이오드(PD)는 공핍되기 시작하여 전하축적(carrier charging)이 발생하고, 플로팅 확산영역은 공급전압( VDD)까지 전하축전된다. 그리고 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)를 오프시키고 셀렉트 트랜지스터(Sx)를 온시킨 다음 리셋트랜지스터(Rx)를 오프시킨다. 이와 같은 동작 상태에서 단위픽셀 출력단(SO)으로부터 출력전압 V1을 읽어 버퍼에 저장시키고 난 후, 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)를 온시켜 빛의 세기에 따라 변화된 캐패시턴스 Cp의 캐리어들을 캐패시턴스 Cf로 이동시킨 다음, 다시 출력단(Out)에서 출력전압 V2를 읽어들여 V1 - V2에 대한 아날로그 데이터를 디지털 데이터로 변경시키므로 단위픽셀에 대한 한 동작주기가 완료된다.Operation of the image sensor unit pixel configured as described above is performed as follows. Initially, the reset pixel Rx, the transfer transistor Tx, and the select transistor Sx are turned on to reset the unit pixel. At this time, the photodiode PD starts to deplete to generate charge charging, and the floating diffusion region is charged to the supply voltage VDD. The transfer transistor Tx is turned off, the select transistor Sx is turned on, and the reset transistor Rx is turned off. In such an operating state, the output voltage V1 is read from the unit pixel output terminal SO and stored in the buffer, and then the carrier transistor Tx is turned on to move the carriers of the capacitance Cp changed according to the light intensity to the capacitance Cf. The output voltage V2 is read again from the output terminal, and the analog data for V1-V2 is converted into digital data, thereby completing one operation cycle for the unit pixel.
도 2는 종래 기술에 따른 이미지 센서 제조 공정 단면도로서, p형 반도체 기판(20) 상에 형성된 p형 에피택셜층(epitaxial layer, 21) 내에 각 픽셀간을 분리하기 위한 소자분리막(22)을 형성하고, 게이트 전극(23)을 형성한 다음 게이트 전극(23) 일단의 반도체 기판(20) 내에 포토다이오드를 형성하기 위한 이온주입 마스크로서 포토레지스트 패턴(PR)을 형성하고, 이온주입 공정을 실시하는 것을 보이고 있다. 도 2에서 미설명 도면부호 '24'는 센싱노드 영역을 나타낸다.FIG. 2 is a cross-sectional view of a manufacturing process of an image sensor according to the related art, in which a device isolation film 22 is formed in a p-type epitaxial layer 21 formed on a p-type semiconductor substrate 20 to separate each pixel. After forming the gate electrode 23, a photoresist pattern PR is formed as an ion implantation mask for forming a photodiode in the semiconductor substrate 20 of one end of the gate electrode 23, and an ion implantation process is performed. Is showing. In FIG. 2, reference numeral 24 denotes a sensing node region.
종래 이미지 센서에서는 포토다이오드 형성을 위한 이온주입 공정시 레드(R), 그린(G), 블루(B) 각 색의 구분없이 동일한 에너지로 불순물을 이온주입하여 포토다이오드를 형성한다. 그에 따라, 파장에 따리 실리콘 기판상의 침투 깊이가 달라지는 레드, 그린, 블루 삼원색의 분리를 오로지 칼라필터에만 의존하게 되어 만족할 만한 색 변별력을 확보하는데 제한이 있다. 한편, 칼라필터의 색 변별력이 완벽하지 않아 실제 사물과 이미지 센서를 통해 구현되는 영상 사이에 색 특성의 차이를 보이게 되고 고화질의 칼라특성을 필요로 하는 이미지 센서에는 그 적용이 어려운 문제점이 있다.In the conventional image sensor, during the ion implantation process for forming the photodiode, photodiodes are formed by ion implanting impurities with the same energy without distinguishing each of red (R), green (G), and blue (B) colors. Accordingly, the separation of the three primary colors of red, green, and blue that vary in penetration depth on the silicon substrate depending on the wavelength depends solely on the color filter, thereby limiting a satisfactory color discrimination ability. On the other hand, since the color discrimination power of the color filter is not perfect, the difference between the color characteristics between the real object and the image implemented through the image sensor is shown, and it is difficult to apply to an image sensor requiring high quality color characteristics.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명은, 서로 다른 색의 픽셀내에 각기 다른 깊이의 포토다이오드를 구비하여 색 변별력을 향상시킬 수 있는 이미지 센서 제조 방법을 제공하는데 목적이 있다.An object of the present invention is to provide a method of manufacturing an image sensor capable of improving color discrimination by providing photodiodes of different depths in pixels of different colors.
도 1은 종래 기술에 따른 CMOS 이미지 센서의 단위 픽셀 구조를 개략적으로 보이는 회로도,1 is a circuit diagram schematically showing a unit pixel structure of a CMOS image sensor according to the prior art;
도 2는 종래 기술에 따른 이미지 센서 제조 공정 단면도,2 is a cross-sectional view of an image sensor manufacturing process according to the prior art,
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 일실시예에 따른 이미지 센서 제조 공정 단면도,3A to 3D are cross-sectional views of an image sensor manufacturing process according to an embodiment of the present invention;
도 4a 내지 도 4b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 이미지 센서 제조 공정 단면도,4A to 4B are cross-sectional views of an image sensor manufacturing process according to another embodiment of the present invention;
도 5는 파장에 따른 흡수계수와 투과깊이 변화를 보이는 그래프.5 is a graph showing changes in absorption coefficient and transmission depth according to wavelength.
*도면의 주요부분에 대한 도면 부호의 설명** Description of reference numerals for the main parts of the drawings *
34A, 34B, 34C, 45A, 45B, 45C: 포토다이오드34A, 34B, 34C, 45A, 45B, 45C: photodiode
44A, 44B, 44C: 절연막44A, 44B, 44C: insulating film
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 레드 색을 구현하기 위한 제1 픽셀, 그린 색을 구현하기 위한 제2 픽셀, 블루 색을 구현하기 위한 제3 픽셀을 포함하는 이미지 센서 제조 방법에 있어서, 상기 제1 픽셀의 포토다이오드 영역을 이루는 반도체 기판에 제1 절연막을 형성하는 단계; 상기 제2 픽셀의 포토다이오드 영역을 이루는 반도체 기판에 상기 제1 절연막 보다 두꺼운 제2 절연막을 형성하는 단계; 상기 제3 픽셀의 포토다이오드 영역을 이루는 반도체 기판에 상기 제2 절연막 보다 두꺼운 제3 절연막을 형성하는 단계; 및 상기 제1 절연막, 상기 제2 절연막 및 상기 제3 절연막 각각의 하부의 상기 반도체 기판 내에 이온을 주입하여 상기 제1 픽셀 상기 제3 픽셀 각각에 그 깊이가 각기 다른 제1 포토다이오드, 제2 포토다이오드 및 제3 포토다이오드를 형성하는 단계를 포함하는 이미지 센서 제조 방법을 제공한다.The present invention for achieving the above object, in the image sensor manufacturing method comprising a first pixel for implementing a red color, a second pixel for implementing a green color, a third pixel for implementing a blue color Forming a first insulating film on a semiconductor substrate forming a photodiode region of the first pixel; Forming a second insulating film thicker than the first insulating film on the semiconductor substrate forming the photodiode region of the second pixel; Forming a third insulating film thicker than the second insulating film on the semiconductor substrate forming the photodiode region of the third pixel; And a first photodiode and a second photo having different depths in each of the first pixel and the third pixel by implanting ions into the semiconductor substrate under each of the first insulating film, the second insulating film, and the third insulating film. It provides a method of manufacturing an image sensor comprising the step of forming a diode and a third photodiode.
서로 다른 색의 픽셀내에 각기 다른 깊이의 포토다이오드를 구비하여 색 변별력을 향상시킬 수 있는 이미지 센서를 제조하기 위하여, 본 발명의 일실시예에서는 픽셀의 색에 따라 각기 다른 에너지로 이온을 주입하여 각기 다른 깊이의 포토다이오드를 형성하는 방법을 제시하며, 본 발명의 다른 실시예에서는 포토다이오드가 형성되는 반도체 기판에 픽셀의 색에 따라 각기 다른 두께의 산화막을 형성하고 동시에 같은 에너지로 이온을 주입함으로써 각기 다른 깊이의 포토다이오드를 형성하는 방법을 제시한다.In order to fabricate an image sensor having photodiodes of different depths in pixels of different colors to improve color discrimination, in an embodiment of the present invention, by injecting ions at different energies according to the color of the pixels, In another embodiment of the present invention, an oxide film having a different thickness is formed on a semiconductor substrate on which a photodiode is formed according to the color of a pixel, and at the same time, ions are implanted with the same energy. A method of forming photodiodes of different depths is presented.
이하, 도 3a 내지 도 3d를 참조하여 본 발명의 일실시예에 따른 이미지 센서제조 방법을 설명한다.Hereinafter, an image sensor manufacturing method according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 3A to 3D.
먼저 도 3a에 도시한 바와 같이, p형 에피택셜층(31), 소자분리막(32) 및 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 전극(33) 형성이 완료된 p형 반도체 기판(30)을 마련하고, 레드 픽셀(R)의 포토다이오드 영역을 노출시키는 제1 포토레지스트 패턴(PR1)을 형성한 다음, 이를 이온주입 마스크로 이용하여 제1 이온주입 조건으로 불순물을 주입해서 레드 픽셀(R)에 제1 포토다이오드(34A)를 형성한다. 이때, 레드(R) 광은 장파장이므로 300 KeV 보다 높은 고에너지로 이온을 주입하여 상대적으로 그 깊이가 깊은 제1 포토다이오드(34A)를 형성한다.First, as shown in FIG. 3A, the p-type semiconductor substrate 30 on which the p-type epitaxial layer 31, the device isolation layer 32, and the gate electrode 33 of the transfer transistor are formed is provided, and the red pixel R is provided. The first photoresist pattern PR1 exposing the photodiode region of the photovoltaic region is formed, and then an impurity is implanted under the first ion implantation condition by using the first photoresist pattern PR1 as an ion implantation mask to form the first photodiode 34A in the red pixel R. ). At this time, since the red (R) light has a long wavelength, ions are implanted with high energy higher than 300 KeV to form a first photodiode 34A having a relatively deep depth.
다음으로 제1 포토레지스트 패턴(PR1)을 제거하고, 도 3b에 보이는 바와 같이 그린 픽셀(G)의 포토다이오드 영역을 노출시키는 제2 포토레지스트 패턴(PR2)을 형성한 다음, 이를 이온주입 마스크로 이용하여 제2 이온주입 조건으로 불순물을 주입해서 그린 픽셀(G)에 제2 포토다이오드(34B)를 형성한다. 이때, 그린 광은 레드 광보다 파장이 짧으므로 180 KeV 내지 220 KeV 정도의 에너지로 이온을 주입하여 상기 제1 포토다이오드(34A) 보다 상대적으로 그 깊이가 얕은 제2 포토다이오드(34B)를 형성한다.Next, the first photoresist pattern PR1 is removed, and as shown in FIG. 3B, a second photoresist pattern PR2 exposing the photodiode region of the green pixel G is formed. The second photodiode 34B is formed in the green pixel G by implanting impurities under the second ion implantation conditions. At this time, since the green light has a shorter wavelength than the red light, ions are implanted with energy of about 180 KeV to about 220 KeV to form a second photodiode 34B having a depth smaller than that of the first photodiode 34A. .
이어서 제2 포토레지스트 패턴(PR2)을 제거하고, 도 3c에 도시한 바와 같이 블루 픽셀(B)의 포토다이오드 영역을 노출시키는 제3 포토레지스트 패턴(PR3)을 형성한 다음, 이를 이온주입 마스크로 이용하여 제3 이온주입 조건으로 불순물을 주입해서 블루 픽셀(B)에 제3 포토다이오드(34C)를 형성한다. 이때, 블루 광은 레드 광이나 그린 보다 파장이 짧으므로 100 KeV 보다 낮은 에너지로 이온을 주입하여상기 제2 포토다이오드(34B) 보다 상대적으로 그 깊이가 얕은 제3 포토다이오드(34C)를 형성한다.Subsequently, the second photoresist pattern PR2 is removed, and as shown in FIG. 3C, a third photoresist pattern PR3 exposing the photodiode region of the blue pixel B is formed, and then, as the ion implantation mask. The third photodiode 34C is formed in the blue pixel B by implanting impurities under the third ion implantation conditions. At this time, since blue light has a shorter wavelength than red light or green, ions are implanted with energy lower than 100 KeV to form a third photodiode 34C having a relatively shallower depth than the second photodiode 34B.
다음으로 제3 포토레지스트 패턴(PR3)을 제거하고, 열처리 공정을 실시해서 제1 포토다이오드(34A), 제2 포토다이오드(34B) 및 제2 포토다이오드(34C) 각각의 불순물을 확산 및 활성화시킨다.Next, the third photoresist pattern PR3 is removed and a heat treatment process is performed to diffuse and activate impurities of each of the first photodiode 34A, the second photodiode 34B, and the second photodiode 34C. .
이하, 도 4a 및 도 4b를 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 이미지 센서 제조 방법을 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing an image sensor according to another exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 4A and 4B.
먼저 도 4a에 도시한 바와 같이, p형 에피택셜층(41), 소자분리막(42) 및 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 전극(43) 형성이 완료된 p형 반도체 기판(40)을 마련하고, 레드 픽셀(R), 그린 픽셀(G) 및 블루 픽셀(B) 각각의 포토다이오드 영역을 이루는 반도체 기판(40)에 각기 다른 두께의 산화막(44A, 44B, 44C)를 형성한다. 이때, 상대적으로 가장 깊은 포토다이오드를 형성하고자 하는 레드 픽셀(R)에 가장 얇은 산화막(44A)을 형성하고, 상대적으로 가장 얕은 포토다이오드를 형성하고자 하는 블루 픽셀(B)에 가장 두꺼운 산화막(44C)을 형성한다.First, as shown in FIG. 4A, the p-type semiconductor substrate 40 on which the p-type epitaxial layer 41, the device isolation layer 42, and the gate electrode 43 of the transfer transistor are formed is provided, and the red pixel R is provided. ), Oxide films 44A, 44B, and 44C having different thicknesses are formed on the semiconductor substrate 40 forming the photodiode regions of each of the green pixel G and the blue pixel B. FIG. At this time, the thinnest oxide film 44A is formed in the red pixel R to form the relatively deepest photodiode, and the thickest oxide film 44C is formed in the blue pixel B to form the relatively shallowest photodiode. To form.
이어서 산화막(44A, 44B, 44C) 각각을 노출시키는 포토레지스트 패턴(PR1)을 형성하고 이를 이온주입 마스크로 이용해서 300 KeV 보다 높은 에너지로 불순물을 이온주입해서 산화막(44A, 44B, 44C) 각각의 하부에 위치하는 반도체 기판(40)에 각기 다른 깊이의 포토다이오드(45A, 45B, 45C)를 형성한다. 이러한 과정에 따라 레드 픽셀(R)에 가장 깊은 제1 포토다이오드(45A)가 형성되고, 그린 픽셀(G)에는제1 포토다이오드(45A) 보다 얕은 제2 포토다이오드(45B)가 형성되며 레드 픽셀(G)에는 가장 얕은 제3 포토다이오드(45C)가 형성된다.Next, the photoresist pattern PR1 exposing each of the oxide films 44A, 44B, and 44C is formed, and using this as an ion implantation mask, ion implantation is performed at an energy higher than 300 KeV so that each of the oxide films 44A, 44B, 44C is formed. Photodiodes 45A, 45B, and 45C having different depths are formed on the semiconductor substrate 40 located below. As a result, a first photodiode 45A deepest is formed in the red pixel R, a second photodiode 45B shallower than the first photodiode 45A is formed in the green pixel G, and a red pixel is formed. The shallowest third photodiode 45C is formed in (G).
다음으로 상기 포토레지스트 패턴(PR1) 및 산화막(45A, 45B, 45C)을 제거한 다음, 열처리 공정을 실시해서 제1 포토다이오드(34A), 제2 포토다이오드(34B) 및 제2 포토다이오드(34C) 각각의 불순물을 확산 및 활성화시킨다.Next, the photoresist pattern PR1 and the oxide layers 45A, 45B, and 45C are removed, and then a heat treatment process is performed to form the first photodiode 34A, the second photodiode 34B, and the second photodiode 34C. Each impurity is diffused and activated.
도 5는 실리콘 기판에서 파장에 따른 흡수계수와 투과깊이 변화를 보이는 그래프로서, 레드는 장파장으로서 3 ㎛까지 침투하고, 그린은 중파장으로서 1 ㎛까지 침투하며 블루는 단파장으로서 0.3 ㎛ 침투할 수 있음을 보인다. 따라서 레드, 그린, 블루 픽셀 각각의 포토다이오드를 실리콘 기판상의 침투깊이에 맞추어 각기 다른 깊이로 형성함으로써 이미지 센서의 색 변별력을 증가시킬 수 있다.FIG. 5 is a graph showing changes in absorption coefficient and depth of penetration in a silicon substrate according to wavelengths, red penetrates up to 3 μm as long wavelength, green penetrates up to 1 μm as medium wavelength, and blue penetrates 0.3 μm as short wavelength. Seems. Therefore, by forming the photodiodes of each of the red, green, and blue pixels at different depths according to the penetration depth on the silicon substrate, the color discrimination power of the image sensor can be increased.
전술한 본 발명의 실시예에서는 하나의 반도체 기판 내에 한번의 불순물 이온주입 공정을 실시하여 PN 포토다이오드를 형성하는 것을 예로서 설명하였지만, PNP 포토다이오드를 형성하기 위해서는 두번의 불순물 이온주입 공정을 실시하여야 한다.In the above-described embodiment of the present invention, a single impurity ion implantation process is performed in one semiconductor substrate to form a PN photodiode as an example. However, two impurity ion implantation processes must be performed to form a PNP photodiode. do.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.The present invention described above is not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings, and various substitutions, modifications, and changes are possible in the art without departing from the technical spirit of the present invention. It will be apparent to those of ordinary knowledge.
상기와 같이 이루어지는 본 발명은 픽셀이 구현하는 색에 따라 각 픽셀 내에 각기 다른 깊이의 포토다이오드를 구비함으로써 칼라필터 뿐만 아니라 포토다이오드에 의해서도 색을 변별할 수 있어, 이미지 센서의 색변별력을 보다 향상시키리 수 있다. 이에 따라 고화질의 칼라 특성을 필요로하는 이미지 센서에 적용할 수 있다.According to the present invention as described above, by providing photodiodes of different depths within each pixel according to the color implemented by the pixels, the color can be discriminated not only by the color filter but also by the photodiode, thereby improving the color discrimination power of the image sensor. Can be Kiri. Accordingly, the present invention can be applied to an image sensor requiring high quality color characteristics.
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