KR19980034231A - Manufacturing Method of Solid State Imaging Device - Google Patents
Manufacturing Method of Solid State Imaging Device Download PDFInfo
- Publication number
- KR19980034231A KR19980034231A KR1019960052219A KR19960052219A KR19980034231A KR 19980034231 A KR19980034231 A KR 19980034231A KR 1019960052219 A KR1019960052219 A KR 1019960052219A KR 19960052219 A KR19960052219 A KR 19960052219A KR 19980034231 A KR19980034231 A KR 19980034231A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- magenta
- mixed
- solid
- cyan
- Prior art date
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 35
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 239000007787 solid Substances 0.000 title description 3
- 238000004043 dyeing Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 6
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 abstract description 12
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 abstract description 4
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 abstract description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 description 4
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 210000001525 retina Anatomy 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14806—Structural or functional details thereof
Abstract
본 발명은 고체 촬상 소자의 칼라 필터층 형성에 관한 것으로, 복수개의 포토 다이오들을 포함하는 고체 촬상 소자의 임의 포토다이오드 3개의 상측에 각각 하나씩 대응하여 형성되는 마젠타층, 옐로우층, 시안층의 칼라필터층에서 마젠타층과 시안층에 그 층들을 통과하는 빛의 성분중에서 블루(B)성분의 투과율을 낮추는 물질층을 혼합 염색하여 형성하는 것을 특징으로 하여 다음과 같은 효과를 갖는다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to the formation of a color filter layer of a solid-state image pickup device. The magenta layer and the cyan layer are formed by mixing and dyeing a material layer that lowers the transmittance of the blue (B) component among the components of light passing through the layers, and has the following effects.
광감도가 높은 블루층을 함유하는 마젠타층과 시안층을 옐로우와 혼색시켜 형성하여 영상 재현시에 블루 성분을 낮출 수 있다.The magenta layer and cyan layer containing the blue layer having high photosensitivity may be mixed with yellow to reduce the blue component during image reproduction.
즉, 칼라 필터층의 단파장쪽의 분광 특성을 효율적으로 조절할 수 있게 되어 색재현성을 높이는 효과가 있다.That is, the spectral characteristics of the short wavelength side of the color filter layer can be efficiently adjusted, thereby improving the color reproducibility.
Description
본 발명은 고체 촬상 소자에 관한 것으로, 특히 광감도가 높은 블루 성분을 낮추고 칼라 필터층의 분광 특성의 변화를 효율적으로 이룰 수 있도록 한 고체 촬상 소자의 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a solid-state image pickup device, and more particularly, to a method for manufacturing a solid-state image pickup device in which a blue component having high light sensitivity is lowered and a change in spectral characteristics of a color filter layer can be efficiently achieved.
빛은 그 파장이 극히 짧은 일종의 전자파이다. 즉, 주파수가 아주 높다.Light is a kind of electromagnetic wave whose wavelength is extremely short. That is, the frequency is very high.
따라서 전자파가 눈의 망막을 자극함으로써 사람들이 이를 빛으로 느낄 수 있도록 되어 있다.Therefore, electromagnetic waves stimulate the retina of the eye so that people can feel it as light.
가시광선대를 파장별로 크게 나누면 R.G.B로 등분되는데, 흑백 고체 촬상 소자를 컬러화하기 위해서는 컬러필터를 구성해야 한다.Dividing the visible light band by the wavelength is divided into R.G.B. In order to colorize the monochrome solid-state imaging device, a color filter must be configured.
컬러필터는 특정파장대의 빛만을 통과시키는 유기물질로 이루어져 있다.Color filters consist of organic materials that only pass light at a specific wavelength.
예를 들어 블루 필터는 파랑색 대역의 빛만을 통과시키고 나머지 빛은 차단한다.For example, a blue filter passes only light in the blue band and blocks the rest of the light.
초기에는 R.G.B필터를 컬러 고체 촬상 소자에 이용하였으나, 파장대에 따른 투과율이 좋은 시안, 마젠타, 옐로우 및 그린의 복합 칼라 필터 어레이(Complementary Color Filter Array)를 채택하여 광감도를 향상시켰다.Initially, R.G.B filters were used for color solid-state imaging devices, but light sensitivity was improved by adopting a complex color filter array of cyan, magenta, yellow and green with good transmittance according to the wavelength band.
이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명의 고체 촬상 소자의 제조 공정에 관하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a manufacturing process of the solid-state imaging device of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
도1a 내지 도1e는 종래 기술의 고체 촬상 소자의 공정 단면도이고, 도2a와 도2b는 색상 다이어그램 및 칼라필터의 투과율을 나타낸 그래프이다.1A to 1E are cross-sectional views of a solid-state imaging device of the prior art, and FIGS. 2A and 2B are graphs showing color diagrams and transmittances of color filters.
종래 기술의 고체 촬상 소자는 마젠타, 옐로우, 시안 칼라 필터층들을 각각 분리시켜 형성하는 것으로, 먼저, 도1a에서와 같이 빛에 관한 영상 신호를 전기적인 신호로 변환하는 포토 다이오드 영역(2)들과 상기 포토 다이오드 영역(2)들에서 생성된 영상 전하를 수직 방향으로 전송하는 수직 전하 전송 영역(3)들 그리고 수직 방향으로 전송된 영상 전하를 수평 방향으로 전송하는 수평 전하 전송 영역(도면에 도시되지 않음) 등을 구비한 흑백 고체 촬상 소자(1)상에 제 1 평탄층(4)을 형성한다.The conventional solid-state imaging device is formed by separating the magenta, yellow, and cyan color filter layers, respectively. First, as shown in FIG. 1A, photodiode regions 2 for converting an image signal of light into an electrical signal and the Vertical charge transfer regions 3 for transferring the image charges generated in the photodiode regions 2 in the vertical direction and horizontal charge transfer regions for transferring the image charges transferred in the vertical direction in the horizontal direction (not shown in the drawing). The first flat layer 4 is formed on the black and white solid-state imaging device 1 provided with ().
그리고 도1b에서와 같이, 각각의 포토 다이오드 영역(2)들의 상측 제 1 평탄층(4)상에 선택적으로 대응되어 형성되는 각각의 마젠타 칼라필터층(5), 옐로우 칼라필터층(6), 시안 칼라필터층(7)들을 차례로 형성한다.As shown in FIG. 1B, each magenta color filter layer 5, a yellow color filter layer 6, and a cyan color, which are selectively formed on the upper first flat layer 4 of each photodiode region 2, are formed. The filter layers 7 are formed in turn.
이때, 칼라 필터층들은 가염성 레지스트를 도포 및 패터닝하고 패터닝되어진 가염성 레지스트층을 염색 및 고착하는 공정으로 형성한다.In this case, the color filter layers are formed by applying and patterning the salty resist and dyeing and fixing the salted resist layer.
이어, 도1c에서와 같이, 상기의 마젠타, 옐로우, 시안 칼라필터층들(5)(6)(7)을 포함하는 전면에 제 2 평탄층(8)을 형성한다.Subsequently, as shown in FIG. 1C, a second flat layer 8 is formed on the entire surface including the magenta, yellow, and cyan color filter layers 5, 6, and 7.
그리고 도1d에서와 같이, 각각의 포토 다이오드 영역(2)에 일대일 대응하여 제 2 평탄층(8)상에 마이크로 렌즈층(9)을 형성한다.As shown in FIG. 1D, the microlens layer 9 is formed on the second flat layer 8 in a one-to-one correspondence with each photodiode region 2.
이어, 도1e에서와 같이, 제1, 2 평탄층(4)(8)을 선택적으로 제거하여 패드부분을 오픈한다.1E, the pad portions are opened by selectively removing the first and second flat layers 4 and 8.
상기와 같은 공정을 포함하여 형성되는 종래 기술의 고체 촬상 소자의 동작은 다음과 같다.The operation of the solid-state imaging device of the prior art formed by including the above steps is as follows.
고체 촬상 소자에 촬상되는 빛은 마이크로 렌즈층(9)에 의해 집속되어 특정 파장의 빛만을 투과하는 각각의 칼라 필터층(5)(6)(7)들을 통과하여 대응되는 포토 다이오드 영역(2)으로 입사된다.Light captured by the solid-state imaging device is focused by the microlens layer 9 and passes through respective color filter layers 5, 6, 7 passing only light of a specific wavelength to the corresponding photodiode region 2. Incident.
상기 입사되어진 빛은 포토 다이오드 영역(2)에서 전기적인 신호로 변환되어 고체 촬상 소자의 수평, 수직 전하 전송 영역상에 구성되는 게이트들(도면에 도시되지 않음)에 인가되는 클럭 신호에 의해 수직 방향, 수평 방향으로 전송되어 수평 전하 전송 영역의 끝단의 플로우팅 디퓨전 영역(도면에 도시되지 않음)에서 센싱 및 증폭되어 주변회로로 전송된다.The incident light is converted into an electrical signal in the photodiode region 2 and is vertically driven by a clock signal applied to gates (not shown) formed on the horizontal and vertical charge transfer regions of the solid-state imaging device. The signal is transferred in the horizontal direction and sensed and amplified in the floating diffusion region (not shown) at the end of the horizontal charge transfer region and transferred to the peripheral circuit.
상기와 같은 종래 기술의 고체 촬상 소자에서는 각각의 포토 다이오드 영역에 선택적으로 대응하여 마젠타, 시안, 옐로우 칼라필터층의 어느 하나가 구성된다.In the above-described solid-state imaging device of the prior art, any one of magenta, cyan and yellow color filter layers is selectively configured to correspond to each photodiode region.
상기의 마젠타, 시안, 옐로우 칼라필터층들은 각각 분리 구성되어 특정 파장의 빛만을 투과시키게 된다.The magenta, cyan and yellow color filter layers are separately configured to transmit only light having a specific wavelength.
각각의 마젠타, 시안, 옐로우층의 광 투과율 및 RGB 성분은 도2a와 도2b에서와 같다.The light transmittance and RGB components of each magenta, cyan and yellow layer are the same as in Figs. 2A and 2B.
마젠타층의 R : G : B 성분은 0.5 : 0 : 0.5이고, 시안층의 R : G : B 성분은 0 : 0.5 : 0.5 이고, 옐로우층의 R : G : B 성분은 0.5 : 0.5 : 0이다.The R: G: B component of the magenta layer is 0.5: 0: 0.5, the R: G: B component of the cyan layer is 0: 0.5: 0.5, and the R: G: B component of the yellow layer is 0.5: 0.5: 0. .
종래 기술의 고체 촬상 소자는 각각의 칼라필터층들이 분리 구성되어 다음과 같은 문제점이 있다.The conventional solid-state imaging device has the following problems because the respective color filter layers are separated.
칼라 필터의 분광 특성에 변화를 줄 때 가시 광선 파장 영역대의 전체 파장에서는 분광 특성을 변화시키는 것이 가능하나, 단파장이나 장파장 등 어느 한쪽 파장영역에서는 분광 특성을 변화시키는 것이 불가능하다.When changing the spectral characteristics of the color filter It is possible to change the spectral characteristics in the entire wavelength range of the visible light wavelength range, but it is impossible to change the spectral characteristics in either wavelength region such as short wavelength or long wavelength.
그러므로 고체 촬상 소자의 색재현시에 광감도가 가장 높은 블루쪽의 감도를 낮추는 것이 불가능해진다.Therefore, it is impossible to lower the sensitivity of the blue side with the highest light sensitivity at the time of color reproduction of the solid-state imaging device.
이는 단파장 쪽의 분광 특성을 낮추는 것이 불가능하기 때문에 발생하는 것이다.This occurs because it is impossible to lower the spectral characteristics of the short wavelength side.
블루쪽의 광감도가 너무 크면 해당 칼라필터를 통과한 색신호의 분리 특성이 저하된다.If the light sensitivity of the blue side is too large, the separation characteristic of the color signal passing through the corresponding color filter is degraded.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 고체 촬상 소자의 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로, 광감도가 높은 블루 성분을 낮추고 칼라 필터층의 분광 특성의 변화를 효율적으로 이룰 수 있도록 한 고체 촬상 소자의 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems of the solid-state imaging device of the prior art. The present invention provides a method for manufacturing a solid-state imaging device in which a blue component with high photosensitivity is lowered and a change in spectral characteristics of the color filter layer can be efficiently achieved. The purpose is to provide.
도1a 내지 도1e는 종래 기술의 고체 촬상 소자의 공정 단면도1A to 1E are cross-sectional views of a solid state image pickup device of the prior art.
도2a와 도2b는 색상 다이어그램 및 칼라필터의 투과율을 나타낸 그래프2A and 2B are graphs showing the transmittance of a color diagram and a color filter
도3a 내지 도3g는 본 발명에 따른 고체 촬상 소자의 공정 단면도3A to 3G are cross-sectional views of a solid-state imaging device according to the present invention.
도4는 혼색 전후의 마젠타 칼라필터층의 분광 특성을 나타낸 그래프4 is a graph showing the spectral characteristics of the magenta color filter layer before and after mixing
도5는 혼색 전후의 시안 칼라필터층의 분광 특성을 나타낸 그래프5 is a graph showing the spectral characteristics of the cyan color filter layer before and after mixing
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
21 : 흑백 고체 촬상 소자22 : 포토 다이오드21: monochrome solid-state imaging device 22: photodiode
23 : 수직 전하 전송 영역24 : 제 1 평탄층23 vertical charge transfer region 24 first flat layer
25 : 혼색 마젠타 C/F층26 : 옐로우 C/F층25: mixed color magenta C / F layer 26: yellow C / F layer
27 : 혼색 시안 C/F층28 : 제 2 평탄층27: mixed color cyan C / F layer 28: second flat layer
29 : 마이크로 렌즈29 micro lens
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 고체 촬상 소자의 제조 방법은 복수개의 포토 다이오드들을 포함하는 고체 촬상 소자의 임의 포토다이오드 3개의 상측에 각각 하나씩 대응하여 형성되는 마젠타층, 옐로우층, 시안층의 칼라필터층에서 마젠타층과 시안층에 그 층들을 통과하는 빛의 성분중에서 블루(B)성분의 투과율을 낮추는 물질층을 혼합 염색하여 형성하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a method of manufacturing a solid-state imaging device of the present invention includes a magenta layer, a yellow layer, and a cyan layer, each of which is formed to correspond to an upper side of three arbitrary photodiodes of a solid-state imaging device including a plurality of photodiodes. In the color filter layer, a magenta layer and a cyan layer are formed by mixing and dyeing a material layer that lowers the transmittance of the blue (B) component among the components of light passing through the layers.
이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명의 고체 촬상 소자의 제조 방법에 관하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a manufacturing method of the solid-state imaging device of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도3a 내지 도3g는 본 발명에 따른 고체 촬상 소자의 공정 단면도이다.3A to 3G are cross-sectional views of the solid-state imaging device according to the present invention.
본 발명의 고체 촬상 소자는 마젠타와 시안의 칼라 필터층에 옐로우를 혼색시켜 블루쪽의 광 투과율을 낮춘 것으로 그 제조 공정은 다음과 같다.In the solid-state imaging device of the present invention, yellow is mixed in the color filter layer of magenta and cyan to lower the light transmittance of the blue side. The manufacturing process is as follows.
먼저, 도3a에서와 같이, 빛에 관한 신호를 전기적으로 변환하는 포토 다이오드(22)영역들, 그 영역들에서 생성된 영상 전하를 일방향으로 전송하는 수직 전하 전송 영역(23)들을 포함하는 흑백 고체 촬상 소자(21)의 전면에 제 1 평탄층(24)을 형성한다.First, as shown in FIG. 3A, a black and white solid body comprising photodiode 22 regions for electrically converting a signal regarding light and vertical charge transfer regions 23 for transferring image charge generated in the regions in one direction. The first flat layer 24 is formed on the entire surface of the imaging device 21.
이어, 도3b에서와 같이, 상기 포토 다이오드(22) 영역들에서 3개중에 어느 하나에는 반드시 대응되도록 제 1 평탄층(24)상에 마젠타층을 형성하고 상기의 마젠타층에 pH의 농도가 4~14정도 되는 옐로우액을 염색하여 혼색 마젠타 C/F층(25)을 형성한다.3B, a magenta layer is formed on the first flat layer 24 so as to correspond to any one of the three in the photodiode 22 regions, and the concentration of pH is 4 in the magenta layer. A yellow liquid of about 14 is dyed to form a mixed magenta C / F layer 25.
그리고 도3c에서와 같이, 상기 혼색 마젠타 C/F층(25)이 형성되지 않은 포토 다이오드(22)영역들에서 2개중에 어느 하나에는 반드시 대응되도록 제 1 평탄층(24)상에 옐로우 C/F층(26)을 형성한다.3C, yellow C / on the first flat layer 24 so as to correspond to any one of the two in the photodiode 22 regions where the mixed magenta C / F layer 25 is not formed. The F layer 26 is formed.
이어, 도3d에서와 같이, 상기 혼색 마젠타 C/F층(25) 또는 옐로우 C/F층(26)이 형성되지 않은 포토 다이오드(22)영역에 대응되게 제 1 평탄층(24)상에 시안층을 형성하고 상기의 시안층에 pH의 농도가 4~14정도되는 옐로우액을 염색하여 혼색 시안 C/F층(27)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 3D, cyan on the first flat layer 24 corresponds to the region of the photodiode 22 where the mixed magenta C / F layer 25 or the yellow C / F layer 26 is not formed. A layer is formed, and the cyan layer is dyed with a yellow liquid having a pH of about 4 to 14 to form a mixed color cyan C / F layer 27.
이때, 시안층은 옐로우 C/F층(26)상에도 형성된다.At this time, the cyan layer is also formed on the yellow C / F layer 26.
그리고 상기의 마젠타층, 시안층 그리고 옐로우 C/F층들은 가염성 레지스트를 도포하고 선택적으로 패터닝하여 특정의 포토 다이오드 영역상에만 남도록 한후 염색 및 고착 고정을 거쳐 형성한다.The magenta layer, cyan layer and yellow C / F layers are formed by dyeing and fixing fixing after applying and selectively patterning a salt resist so as to remain only on a specific photodiode region.
그리고 도3e에서와 같이, 상기의 C/F층들을 포함하는 제 1 평탄층(24)의 전면에 제 2 평탄층(28)을 형성한다.As shown in FIG. 3E, the second flat layer 28 is formed on the entire surface of the first flat layer 24 including the C / F layers.
제 2 평탄층(28)은 후 공정에서의 마이크로 렌즈를 보다 정확하게 형성하기 위한 것이다.The second flat layer 28 is for forming the micro lens in a later process more accurately.
이어, 도3f에서와 같이, 상기 각각의 포토 다이오드(22)영역에 대응되게 제 2 평탄층(28)상에 마이크로 렌즈(29)를 형성하고, 도2g에서와 같이 패드 영역을 오픈한다.3F, the microlens 29 is formed on the second flat layer 28 corresponding to each photodiode 22 region, and the pad region is opened as shown in FIG. 2G.
상기와 같은 본 발명의 고체 촬상 소자의 동작은 다음과 같다.The operation of the solid-state imaging device of the present invention as described above is as follows.
고체 촬상 소자에 촬상되는 빛은 마이크로 렌즈(29)에 의해 집속되어 특정 파장의 빛만을 투과하는 각각의 C/F층(25)(26)(27)들을 통과하여 대응되는 포토 다이오드(22)영역으로 입사된다.Light captured by the solid-state image pickup device is focused by the microlens 29 to pass through respective C / F layers 25, 26, 27 passing only light of a specific wavelength and corresponding photodiode 22 regions. Incident.
상기 입사되어진 빛은 포토 다이오드(22) 영역에서 전기적인 신호로 변환되어 고체 촬상 소자의 수평, 수직 전하 전송 영역상에 구성되는 게이트들(도면에 도시되지 않음)에 인가되는 클럭 신호에 의해 수직 방향, 수평 방향으로 전송되어 수평 전하 전송 영역의 끝단의 플로우팅 디퓨전 영역(도면에 도시되지 않음)에서 센싱 및 증폭되어 주변회로로 전송된다.The incident light is converted into an electrical signal in the photodiode 22 region and is vertically driven by a clock signal applied to gates (not shown) configured on the horizontal and vertical charge transfer regions of the solid-state imaging device. The signal is transferred in the horizontal direction and sensed and amplified in the floating diffusion region (not shown) at the end of the horizontal charge transfer region and transferred to the peripheral circuit.
상기와 같은 본 발명의 고체 촬상 소자는 칼라 필터층 중에서 마젠타층과 시안층(광감도가 가장 높은 블루성분을 갖는)을 블루 성분 빛의 투과율을 낮추기 위해 옐로우와 혼색시킨 것이다.In the solid-state imaging device of the present invention as described above, the magenta layer and the cyan layer (having the blue component with the highest photosensitivity) among the color filter layers are mixed with yellow to reduce the transmittance of blue component light.
도4와 도5는 블루 성분을 갖는 마젠타층과 시안층의 혼색 전후의 분광 특성을 나타낸 것으로, 블루 성분의 빛의 투과율이 낮아진 것을 보여준다.4 and 5 show the spectral characteristics before and after the color mixture of the magenta layer and cyan layer having a blue component, showing that the light transmittance of the blue component is lowered.
상기와 같은 본 발명의 고체 촬상 소자는 광감도가 높은 블루층을 함유하는 마젠타층과 시안층을 옐로우와 혼색시켜 형성하여 영상 재현시에 블루 성분을 낮출 수 있다.As described above, the solid-state imaging device of the present invention may be formed by mixing a magenta layer and a cyan layer containing a blue layer with high photosensitivity with yellow to reduce the blue component during image reproduction.
즉, 칼라 필터층의 단파장쪽의 분광 특성을 효율적으로 조절할 수 있게 되어 색재현성을 높이는 효과가 있다.That is, the spectral characteristics of the short wavelength side of the color filter layer can be efficiently adjusted, thereby improving the color reproducibility.
상기의 혼색 공정에서 옐로우액의 pH농도를 조절하여 칼라필터층의 단파장쪽의 분광 특성을 자유롭게 조절하는 것이 가능해진다.In the mixed color process described above, it is possible to freely adjust the spectral characteristics of the short wavelength side of the color filter layer by adjusting the pH concentration of the yellow liquid.
Claims (9)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960052219A KR100236068B1 (en) | 1996-11-06 | 1996-11-06 | Method for manufacturing solid state image sensing device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960052219A KR100236068B1 (en) | 1996-11-06 | 1996-11-06 | Method for manufacturing solid state image sensing device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19980034231A true KR19980034231A (en) | 1998-08-05 |
| KR100236068B1 KR100236068B1 (en) | 1999-12-15 |
Family
ID=19480907
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960052219A KR100236068B1 (en) | 1996-11-06 | 1996-11-06 | Method for manufacturing solid state image sensing device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100236068B1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100390823B1 (en) * | 2000-12-30 | 2003-07-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | Method for fabricating image sensor having different depth of photodiodes in each different color pixel |
-
1996
- 1996-11-06 KR KR1019960052219A patent/KR100236068B1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100390823B1 (en) * | 2000-12-30 | 2003-07-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | Method for fabricating image sensor having different depth of photodiodes in each different color pixel |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100236068B1 (en) | 1999-12-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100215878B1 (en) | Method for manufacturing color solid state image pick-up device | |
| US4404586A (en) | Solid-state color imager with stripe or mosaic filters | |
| CN101320743B (en) | Solid-state imaging device, color filter, camera, and method for manufacturing the color filter | |
| CN100413053C (en) | CMOS image sensor and method for fabricating the same | |
| JP2009063777A (en) | Colored microlens array and manufacturing method, collar solid imaging element and manufacturing method, color display device and manufacturing method, and electronic information equipment | |
| CN101908549B (en) | Solid-state image device, manufacturing method thereof and electronic apparatus | |
| KR100832710B1 (en) | Image sensor and method of manufacturing the same | |
| KR0186183B1 (en) | Color solid state imaging device | |
| CN100459139C (en) | Solid-state imaging apparatus and method for producing same | |
| KR100263466B1 (en) | Solid stage image sensor and method of fabricating the same | |
| CN104079903B (en) | High-dynamic-range color and gray image sensor | |
| JP2001267543A (en) | Solid-state image pickup device and camera system using the same | |
| KR100236068B1 (en) | Method for manufacturing solid state image sensing device | |
| KR100236080B1 (en) | Manufacturing method for solid-state image pick-up device | |
| JP3050646B2 (en) | Color solid-state imaging device | |
| KR0155780B1 (en) | Solid state image sensor and fabrication thereof | |
| JPH10112533A (en) | Solid-state image sensing device | |
| KR19990084848A (en) | Manufacturing Method of Solid State Imaging Device | |
| KR0166807B1 (en) | Method for manufacturing color filters for solid state image sensing device | |
| KR100311503B1 (en) | Method for fabricating colar filter in solid state image sensing device | |
| KR100282455B1 (en) | Method for fabricating solid state image sensing device the same | |
| KR0166781B1 (en) | Method of manufacturing color filters for solid-state image sensor | |
| US6646248B2 (en) | Photosensitive imaging apparatus sensitive to orange light | |
| US20010045987A1 (en) | Solid state imaging device with pigment based and dye based color filters | |
| KR0147410B1 (en) | The fabrication mehtod of color filters of charge coupled device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20050824 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |