KR100385333B1 - 슬러리 공급 장치 - Google Patents
슬러리 공급 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100385333B1 KR100385333B1 KR10-2000-0069419A KR20000069419A KR100385333B1 KR 100385333 B1 KR100385333 B1 KR 100385333B1 KR 20000069419 A KR20000069419 A KR 20000069419A KR 100385333 B1 KR100385333 B1 KR 100385333B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- slurry
- circulation line
- particles
- pipe
- pump
- Prior art date
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B1/00—Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes
- B24B1/04—Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes subjecting the grinding or polishing tools, the abrading or polishing medium or work to vibration, e.g. grinding with ultrasonic frequency
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01F—MIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
- B01F23/00—Mixing according to the phases to be mixed, e.g. dispersing or emulsifying
- B01F23/50—Mixing liquids with solids
- B01F23/55—Mixing liquids with solids the mixture being submitted to electrical, sonic or similar energy
- B01F23/551—Mixing liquids with solids the mixture being submitted to electrical, sonic or similar energy using vibrations
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
- B24B57/02—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01F—MIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
- B01F25/00—Flow mixers; Mixers for falling materials, e.g. solid particles
- B01F25/50—Circulation mixers, e.g. wherein at least part of the mixture is discharged from and reintroduced into a receptacle
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
슬러리를 순환시키는 슬러리 순환 라인(2)은 슬러리를 공급하는 슬러리 공급 유닛(1)의 유입구 및 배출구에 접속된다. 슬러리 순환 라인(2) 내부의 슬러리는 펌프(6)에 의해 순환하고, 슬러리에 초음파를 조사하기 위한 초음파 발진기(3)는 순환 라인(2)에 접속된다. 따라서, 초음파가 슬러리 순환 라인(2) 내부의 슬러리에 조사되면 큰 입자의 응집은 방지되고, 그 결과 슬러리 입자는 미소한 입자로 된다. 이들 미소한 입자만을 포함하는 슬러리는 필터에 의해 여과되어 CMP 장치(5)에 공급된다.
Description
발명의 배경
발명의 분야
본 발명은 예를 들면 반도체 기판을 화학적-기계적 연마(chemical-mechanical polishing)(이하, "CMP"로 언급) 장치로 연마하기 위해 사용되는 슬러리를 제공하기 위한 슬러리 공급 장치에 관한 것으로, 특히, 슬러리에 포함된 슬러리 입자의 응집을 방지하여, 연마 결함(polishing flaws)을 방지하는 슬러리 공급 장치에 관한 것이다.
관련 기술의 설명
반도체 기판을 연마하는데 사용되는 CMP 장치와 같은 설비에 슬러리를 공급하는 슬러리 공급 장치는 종래 기술에서 공지되어 있다. 도 1은 CMP 장치용으로 적합된 종래 기술의 슬러리 공급 장치를 도시하는 개략도이다. 종래 기술의 슬러리 공급 장치에 있어서, 슬러리를 순환시키기 위한 슬러리 순환 라인(101)은 슬러리를 공급하기 위한 슬러리 공급 유닛(100)의 유입구와 배출구에 연결된다. 이 슬러리 순환 라인(101)은 순환 라인(101) 내부의 슬러리를 이동시키기 위한 제 1의 펌프(104)를 구비한다. 파이프(110)는 순환 라인(101)과 CMP 장치(103)를 연결하고, 이 파이프(110)는 슬러리 내에서 응집된 입자를 여과하기 위한 필터(102)를 구비한다. 파이프(11)는 또한 슬러리 순환 라인(101)으로부터 슬러리를 도출하기 위한 제 2의 펌프(106)를 구비한다. 필터(102)와 제 2의 펌퍼(106) 사이에는 CMP(103) 장치에 공급되는 슬러리의 양을 조절하고 동시에 슬러리의 공급과 차단을 제어하기 위한 밸브(105)가 제공된다.
슬러리의 퇴적을 방지하기 위해서 슬러리 공급 유닛(100)에 마련된 슬러리는 제 1의 펌프(104)에 의해 공급되고 슬러리 순환 라인(101)을 통해 순환된다. 이 순환 라인(101) 내부의 슬러리는 펌프(106)에 의해 취출되고, 파이프(110)에 마련된 필터(102)에 의해 여과된 후, CMP 장치(103)로 공급된다.
일본 특개평 제156045/95호에 개시된 초음파 연삭 입자 연마 장치(ultrasonic wave abrasive grain polisher)에 있어서, 초음파 진동자(ultrasonic wave vibrator)는 초음파 전달액(ultrasonic transmission fluid)으로 채워진 초음파 전달 탱크(ultrasonic transmission tank)의 바닥부에 정렬된다. 연마액으로 채워진 연마 탱크는 초음파 전달 탱크의 초음파 전달액에 담궈진다. 그리고, 연마 탱크에 피연마재를 넣고, 초음파 진동자로서 발생시킨 초음파를 초음파 전달액을 통하여 연마액에 전달시킴으로써, 연마액에 포함된 연마 입자의 침강을 방지하는 동시에, 피연마재를 연마한다.
그러나, 도 1에 도시된 상기 상술된 종래의 슬러리 공급 장치의 CMP 장치(103)에서 슬러리를 사용하지 않는 경우에, 밸브(105)가 닫히고, 슬러리가 슬러리 순환 라인(101)을 계속 순환한다. 이 때문에, 슬러리에 함유된 미소한 실리카 응집 입자(슬러리 입자)가 서로 결합하여, 결합력이 약한 3차원 그물코 구조로 되고, 미소한 실리카 응집 입자가 보다 큰 실리카 응집 입자로 된다. 이 큰 실리카 응집 입자는 필터(102)의 막힘을 유발하여, 필터(102)의 여과 수명을 저하시킬 뿐만 아니라, CMP 장치(103)에 있어서는 웨이퍼 표면에 미세한 스크래치를 발생시키는 요인이 된다고 하는 문제점이 있다.
한편, 일본 특개평 제 7-156045호 공보에 기재된 초음파 연삭 입자 연마 장치에 있어서는, 슬러리 입자의 침강을 방지하고, 피연마재를 연마하기 위해서 초음파가 이용되고 있지만, 전술한 종래 기술과 마찬가지로, 슬러리 입자의 응집을 방지할 수 없다고 하는 문제점이 있다.
본 발명은 이러한 문제점을 감안하여 이루어진 것으로서, 슬러리의 응집을 방지하고, 연마 흠집의 발생을 억제할 수 있는 슬러리 공급 장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
본 발명에 따른 슬러리 공급 장치는: 슬러리를 공급하는 슬러리 공급 유닛과; 상기 슬러리 공급 유닛의 유입구 및 배출구에 접속되어 상기 슬러리를 순환시키는 슬러리 순환 라인과; 상기 슬러리 순환 라인 내의 슬러리를 이동시키는 제 1의 펌프와; 상기 슬러리 순환 라인 내의 슬러리에 초음파를 조사하는 초음파 발진기와; 상기 슬러리 순환 라인과 슬러리 사용원 사이에 접속된 파이프; 및 상기 파이프를 통하여 상기 슬러리 순환 라인으로부터 상기 슬러리를 도출하는 제 2의 펌프를 포함한다.
본 발명에 있어서는, 제 1의 펌프에 의해 슬러리가 슬러리 순환 라인 내를 순환하고 있기 때문에, 슬러리의 침강은 방지되지만, 슬러리에 포함된 슬러리 입자는 응집하여 보다 큰 입자가 되고자 한다. 그러나, 본 발명에 있어서, 슬러리 순환 라인 내의 슬러리에 초음파 발진기로부터 초음파를 조사한다. 이로써, 응집된 슬러리 입자의 결합이 풀어져, 다시 미소한 슬러리 입자로 된다. 이 때문에, 슬러리 입자가 큰 응집 입자로 되는 것이 방지된다. 따라서, 제 2의 펌프에 의해 슬러리를 슬러리 순환 라인에서부터 도출할 때, 미소한 입자를 포함하는 슬러리를 안정하게슬러리 사용원에 공급할 수 있다. 이로써, CMP 장치 등의 슬러리 사용원에서, 미세한 스크래치 등의 발생을 억제할 수 있다.
또한, 상기 파이프에 상기 슬러리를 여과하는 필터가 마련되어 있는 것이 바람직하다. 이로써, 슬러리에 함유된 티끌 등이 제거되고, 청정한 슬러리를 슬러리 사용원에 공급할 수 있다. 이 경우에, 본 발명의 슬러리에는 응집된 큰 입자가 포함되지 않기 때문에, 필터의 막힘을 방지할 수 있어, 필터의 수명을 길게 할 수 있다.
또한, 본 발명에 있어서, 상기 파이프는 상기 초음파 발신기의 접속 위치로부터 상기 슬러리의 흐름 방향에서 상기 슬러리 순환 라인 하류측에 접속되는 것이 바람직하다. 이로써, 초음파에 의해 결합이 풀어진 직후의 응집하지 않은 미소한 입자를 포함하는 슬러리를 확실히 슬러리 사용원에 공급할 수 있다.
또한, 상기 슬러리 사용원은, 예를 들면, 화학적-기계적 연마 장치이고, 상기 슬러리는, 예를 들면, 실리카 입자를 포함하는 것이다. 본 발명의 상기 및 다른 목적과, 특징 및 이점은 본 발명의 양호한 실시예를 도시하는 첨부된 도면에 기초한 하기의 설명으로부터 명확해질 것이다.
도 1은 CMP 장치에 적합한 종래 기술의 슬러리 공급 장치를 도시하는 개략도.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 슬러리 공급 장치를 CMP 장치에 적용한 시스템을 도시하는 개략도.
♠도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명♠
1, 100 : 슬러리 공급 유닛 2, 101 : 슬러리 순환 라인
3 : 초음파 발진기 4, 102 : 필터
5, 103 : CMP 장치 6, 104 : 제 1의 펌프
7, 105 : 밸브 8, 106 : 제 2의 펌프
10, 110 : 파이프
이하, 본 발명의 실시예에 따른 슬러리 공급 장치에 관해서 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 슬러리 공급 장치를 CMP 장치에 적용한 시스템을 도시하는 개략도이다.
본 실시예에 있어서, 슬러리를 마련하여 공급하는 슬러리 공급 유닛(1)의 유입구 및 배출구에 슬러리를 순환시키는 슬러리 순환 라인(2)이 접속되어 있다. 슬러리 순환 라인(2)에는 제 1의 펌프(6)가 마련되어 있고, 이 제 1의 펌프(6)에 의해 슬러리는 순환 라인(2) 내부를 순환하게 된다. 그리고, 슬러리 순환 라인(2)에는 슬러리에 초음파를 조사하는 초음파 발진기(3)가 접속되어 있다.
또한, 슬러리 순환 라인(2)은 슬러리 사용원인 CMP 장치(5)에 파이프(10)에 의해 접속된다. 이 파이프(10)는 초음파 발진기(3)의 접속 지점으로부터 슬러리의 흐름 방향에서 하류측 슬러리 순환 라인(2)에 접속된다.
또한, 파이프(10)에는 슬러리 응집 입자를 여과하는 필터(4)가 마련되어 있다. 그리고, 파이프(10)에는 슬러리 순환 라인(2)으로부터 슬러리를 도출하여, CMP 장치(5)에 공급하는 제 2의 펌프(8)가 마련되어 있다. 필터(4)와 제 2의 펌프(8) 사이에는 CMP 장치(5)에 공급되는 슬러리의 양을 조절하는 동시에, CMP 장치(5)에 대한 슬러리의 공급 및 정지를 제어하는 밸브(7)가 마련되어 있다.
상술과 같이 구성된 본 실시예의 슬러리 공급 장치에 있어서, 슬러리 공급 유닛(1)에 의해 마련된 슬러리는 슬러리 순환 라인(2)에 공급되고, 슬러리 입자의 침강 등을 막기 위해, 슬러리는 제 1의 펌프(6)에 의해 슬러리 순환 라인(2) 내부를 순환한다. 순환하는 동안, 슬러리 순환 라인(2) 내에서는 슬러리에 함유된 미소한 실리카 응집 입자는 서로 결합하여 결합력이 약한 3차원 그물코 구조를 형성하여, 큰 응집 입자가 되고자 한다. 그러나, 초음파 발진기(3)에 의해 초음파를 순환 라인(2) 내의 슬러리에 조사함으로써, 큰 응집 입자의 결합이 풀어져, 슬러리 입자는 다시 미소한 입자가 된다. 그리고, 초음파에 의해 분해된 슬러리 순환 라인(2)내의 슬러리는 배관(10)에 도출되고, 필터(4)에 의해 여과된 후, CMP 장치(5)에 공급된다.
이와 같이, 슬러리 순환 라인(2)에 초음파 발진기(3)를 마련하고, 초음파를 슬러리 순환 라인(2) 내의 슬러리에 조사함으로써, 슬러리 입자의 응집을 방지할 수 있다. 이로써, 미소한 입자만을 포함하는 슬러리를 안정하게 CMP 장치(5)에 공급하는 것이 가능해진다. 또한, 필터(4)에 의해 슬러리에 포함되는 티끌 등이 제거되어, 청정한 슬러리를 CMP 장치(5)에 공급할 수 있다. 또한, 슬러리에는 응집한 큰 입자가 포함되지 않기 때문에, 필터(4)의 여과 수명이 향상된다. 또한, 초음파 발진기(3)는 슬러리 순환 라인(2)의 일부로서 통합될 수도 있다.
또한, 본 실시예에 있어서, 파이프(10)는 초음파 발진기(3)보다 슬러리 흐름 방향의 하류측에 접속되어 있기 때문에, 초음파에 의해 분해된 직후의 응집되지 않은 미소한 입자만을 포함하는 슬러리를 순환 라인(2)으로부터 CMP 장치(5)에 확실히 공급할 수 있다.
또한, 본 실시예에 있어서는, 필터(4)를 마련하고 있지만, 이것은 반드시 필요한 것은 아니다. 본 발명에 있어서는, 필터(4)를 마련하지 않아도, 슬러리 입자의 응집을 방지하고, 미소한 입자를 포함하는 슬러리를 CMP 장치(5)에 공급할 수 있다. 이로써, 미세한 스크래치 등의 요인을 제거할 수 있다. 또한, 슬러리 사용원은 CMP 장치(5)에 한정되는 것이 아니라, 그 밖의 슬러리를 사용하는 기기에 본 발명을 적용할 수 있다.
이상 상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 초음파 발진기를 슬러리 순환 라인에 마련하여, 슬러리 순환 라인 내의 슬러리에 초음파를 조사함으로써, 슬러리 입자가 큰 응집 입자가 되는 것이 방지된다. 따라서, 미소한 입자를 포함하는 슬러리를 안정하게 슬러리 사용원에 공급할 수 있다. 이로써, 미세한 스크래치 등의 발생을 억제할 수 있다.
본 발명의 양호한 실시예가 특정 항목을 사용하여 상술되었지만, 이것을 설명을 위한 것이며, 하기의 특허청구범위의 취지 또는 범위를 벗어나지 않는 변형예와 수정예가 행해질 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
Claims (5)
- 슬러리를 공급하는 슬러리 공급 유닛과;상기 슬러리 공급 유닛의 유입구 및 배출구에 접속되어 상기 슬러리를 순환시키는 슬러리 순환 라인과;상기 슬러리 순환 라인 내부의 슬러리를 이동 및 순환시키는 제 1의 펌프와;상기 슬러리 순환 라인 내부의 슬러리에 초음파를 조사하는 초음파 발진기와;상기 슬러리 순환 라인과 슬러리 사용원을 접속하는 파이프; 및상기 파이프를 통해 상기 슬러리 순환 라인으로부터 상기 슬러리를 도출하는 제 2의 펌프를 포함하는 것을 특징으로 하는 슬러리 공급 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 파이프에 상기 슬러리를 여과하는 필터가 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 슬러리 공급 장치.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 파이프는 상기 초음파 발진기의 접속 지점으로부터 슬러리의 흐름 방향에서 하류측에서 상기 슬러리 순환 라인에 접속되는 것을 특징으로 하는 슬러리 공급 장치.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 슬러리 사용원은 화학적-기계적 연마 장치인 것을 특징으로 하는 슬러리 공급 장치.
- 제 1항 또는 제 2 항에 있어서,상기 슬러리는 실리카 입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 슬러리 공급 장치.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33517999A JP2001150346A (ja) | 1999-11-25 | 1999-11-25 | スラリー供給装置 |
JP?11-335179? | 1999-11-25 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20010051860A KR20010051860A (ko) | 2001-06-25 |
KR100385333B1 true KR100385333B1 (ko) | 2003-05-27 |
Family
ID=18285650
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR10-2000-0069419A KR100385333B1 (ko) | 1999-11-25 | 2000-11-22 | 슬러리 공급 장치 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001150346A (ko) |
KR (1) | KR100385333B1 (ko) |
GB (1) | GB2358153A (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100493260B1 (ko) * | 2003-05-07 | 2005-06-02 | 김성천 | 폐수처리장치 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100412336B1 (ko) * | 2001-10-26 | 2003-12-31 | (주)에이에스티 | 씨엠피장비의 슬러리 공급장치 |
KR100412337B1 (ko) * | 2001-10-26 | 2003-12-31 | (주)에이에스티 | 씨엠피장비의 슬러리 침전방지장치 |
KR100428787B1 (ko) * | 2001-11-28 | 2004-04-28 | 삼성전자주식회사 | 슬러리 저장 유니트 및 사용점에서의 혼합 유니트를 갖는슬러리 공급장치 |
JP5488008B2 (ja) * | 2010-02-01 | 2014-05-14 | 日産自動車株式会社 | コンタミネーション分離装置 |
CN105313015B (zh) * | 2014-07-29 | 2019-08-16 | 盛美半导体设备(上海)有限公司 | 抛光液过滤装置 |
KR102433527B1 (ko) * | 2022-01-21 | 2022-08-19 | 웨스글로벌 주식회사 | 씨엠피 슬러리 공급 공정 관리시스템 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10337666A (ja) * | 1997-06-06 | 1998-12-22 | Sony Corp | 化学的機械研磨装置 |
KR100567982B1 (ko) * | 1997-12-08 | 2006-04-05 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 연마액 공급장치 |
-
1999
- 1999-11-25 JP JP33517999A patent/JP2001150346A/ja active Pending
-
2000
- 2000-11-22 GB GB0028486A patent/GB2358153A/en not_active Withdrawn
- 2000-11-22 KR KR10-2000-0069419A patent/KR100385333B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100493260B1 (ko) * | 2003-05-07 | 2005-06-02 | 김성천 | 폐수처리장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20010051860A (ko) | 2001-06-25 |
JP2001150346A (ja) | 2001-06-05 |
GB2358153A (en) | 2001-07-18 |
GB0028486D0 (en) | 2001-01-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6656359B1 (en) | Method and apparatus for reuse of abrasive fluid used in the manufacture of semiconductors | |
TWI433223B (zh) | A grinding liquid supply device, and a polishing method using a semiconductor wafer of the device | |
US6126531A (en) | Slurry recycling system of CMP apparatus and method of same | |
JP3130000B2 (ja) | 半導体ウェハ研磨装置及び研磨方法 | |
EP2301653A1 (en) | Filtration method, method of purifying abrasive composition using the same, method of regenerating filter for use in filtration, and apparatus for regenerating filter | |
KR100385333B1 (ko) | 슬러리 공급 장치 | |
KR100393204B1 (ko) | 씨엠피용 슬러리의 공급 방법 및 장치 | |
TWI244936B (en) | Method for removing waste particle | |
WO1999029505A1 (fr) | Distributeur de solution de polissage | |
US20030095894A1 (en) | Method of filtering | |
JP3619710B2 (ja) | 半導体cmp工程のスラリ供給システム | |
US20010003700A1 (en) | CMP slurry recycling apparatus and method for recycling CMP slurry | |
US5993647A (en) | Circulation system of slurry | |
US7776142B2 (en) | Bubble damper of slurry supply apparatus | |
US20110174745A1 (en) | Apparatus and method for supplying slurry for a semiconductor | |
JP2007073687A (ja) | 半導体ウェハの研磨方法 | |
US20210023678A1 (en) | System and Method of Chemical Mechanical Polishing | |
JPH06106478A (ja) | 研磨装置への研磨剤の供給方法とその供給装置 | |
JP2008028232A (ja) | 半導体基板研磨装置および半導体基板研磨方法、半導体装置の製造方法 | |
CN109352531A (zh) | 一种研磨液供给系统及化学机械研磨液的供给方法 | |
CN114800253A (zh) | 一种碳化硅晶圆的研磨装置及方法 | |
JP2003179012A (ja) | スラリー供給方法およびその装置 | |
CN109427573B (zh) | 晶片的研磨方法 | |
JPS63283862A (ja) | 研摩方法及び研摩装置 | |
CN113001411A (zh) | 磨床用磨削液过滤装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
N231 | Notification of change of applicant | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120423 Year of fee payment: 10 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |