KR100368894B1 - 반도체 소자의 콘택 형성 방법 - Google Patents
반도체 소자의 콘택 형성 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100368894B1 KR100368894B1 KR10-1999-0065824A KR19990065824A KR100368894B1 KR 100368894 B1 KR100368894 B1 KR 100368894B1 KR 19990065824 A KR19990065824 A KR 19990065824A KR 100368894 B1 KR100368894 B1 KR 100368894B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- forming
- organic
- contact
- fluorine
- semiconductor device
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 31
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 23
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 26
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 claims 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 abstract description 26
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 19
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- -1 ethyl-methyl groups Chemical group 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002835 noble gases Chemical class 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76897—Formation of self-aligned vias or contact plugs, i.e. involving a lithographically uncritical step
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/427—Stripping or agents therefor using plasma means only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
- H01L21/0206—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers
- H01L21/02063—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers the processing being the formation of vias or contact holes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31144—Etching the insulating layers by chemical or physical means using masks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
- H01L21/76802—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
본 발명은 콘택홀내에 잔류하는 폴리머를 제거하도록 한 반도체 소자의 콘택 형성 방법에 관한 것으로, 이를 위한 본 발명은 소정 공정이 실시된 반도체 기판상에 유기질 층간절연막, 유기질 감광막을 차례로 형성하는 단계, 상기 유기질 감광막을 패터닝하여 유기질 감광막패턴을 형성하는 단계, 상기 유기질 감광막패턴을 식각마스크로 하여 상기 유기질 층간절연막을 식각하여 콘택홀을 형성하는 단계, 플루오린계 가스를 이용하여 상기 콘택홀 형성후 상기 콘택홀내에 잔류하는 식각 부산물을 제거하는 단계, 및 마이크로 웨이브형 감광막 스트립퍼에서 상기 플루오린계 가스로 상기 유기질 감광막패턴을 스트립하는 단계를 포함하여 이루어진다.
Description
본 발명은 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 리프레쉬 특성을 향상시킨 반도체 소자의 콘택 형성 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자에 있어서, ULSI(Ultra Large Scale IC)급 소자에서 자기 정렬 콘택(Self-Aligned Contact;SAC) 및 딥 콘택(Deep Contact)을 형성하기 위해 주로 카본(Carbon)을 함유한 식각제(Etchant)를 이용한다. 이와 같은 카본계 식각제를 이용하여 콘택을 식각하면 콘택홀 내부에 카본계 폴리머(Polymer)가 남게 된다.
그리고 유기질(Organic) 감광막을 마스크로 이용하여 유기질 층간 절연막을 콘택 식각후, 플라즈마를 이용한 감광막 스트립(Photoresist Strip) 공정은 어택 (Attack)을 받게 되어 플라즈마 스트립(Plasma strip) 공정을 이용할 수 없다.
이하 첨부도면을 참조하여 종래기술에 따른 반도체 소자의 콘택 형성 방법에 대해 설명하기로 한다.
도 1 은 종래기술에 따른 반도체 소자의 콘택 형성 방법을 나타낸 도면으로서, 저유전상수를 갖는 층간 절연막을 이용하지 않을 경우의 콘택홀을 도시하고 있다.
먼저 반도체 기판(1)상에 알루미늄(Al)(2), 티타늄나이트라이드(TiN)(3)를 차례로 형성한 후, 선택적으로 패터닝하여 금속 배선(4)을 형성한다.
이어 상기 금속 배선(4)을 포함한 전면에 층간 절연막(5)을 형성한다.
이어 상기 층간 절연막(5)상에 감광막을 도포하고 노광 및 현상 공정으로 패터닝한 후, 상기 패터닝된 감광막(6)을 마스크로 하여 상기 층간 절연막(5)을 선택적으로 제거하여 금속배선(4)의 일정 표면이 드러나도록 콘택홀(7)을 형성한다.
ULSI급 반도체 소자에서, 상기와 같은 콘택 식각시 작은 폭의 콘택홀이 형성되며 카본계 식각제(Carbon-based etchant)를 이용하여 절연막을 식각할 때, 콘택홀 내벽에 카본계 폴리머(Carbon-based Polymer)(8)가 발생된다. 이러한 좁은 콘택홀내의 카본계 폴리머(8)를 제거하는데는 주로 산소(O2)를 포함한 가스를 이용한다.
그리고 상기 층간 절연막(5)으로 저유전상수(low dielectric constant)을 갖는 유전물질을 이용하며, 특히 유기질(Organic material) 절연막을 이용할 경우, 플라즈마(Plasma)를 이용한 감광막 스트립(Photoresist Strip) 공정시 어택 (attack)을 받게 되어 플라즈마 스트립을 사용할 수 없다.
그리고 감광막을 제거하고 세정 공정을 진행한 후, 아민(Amine)계 케미컬 예를 들면, ACT935 케미컬(상품명)을 이용하여 잔류하는 폴리머를 제거한다. 그러나, 이러한 케미컬은 아민(Amine)(-NH) 성분으로 니트로젠(Nitrogen)기의 결합기가 2개인 곳에 에틸-메틸기(-CH3, -C2H5)가 결합하여 착이온(Rigand)를 형성하므로 폴리머(8) 제거에는 어려움이 있다.
이러한 폴리머(8)는 자기 정렬 콘택(Self-Aligned Contact), 딥콘택(Deep contact) 및 노말 비아 콘택(Normal Via contact)뿐만아니라 저유전상수를 갖는 층간 절연막 콘택 식각시에도 발생한다.
도 2 는 도 1의 주사전자현미경(Scanning Electron Microscope) 도면으로서, 카본계 폴리머의 잔막이 남아 있음을 도시하고 있다.
본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 콘택 형성후 마이크로웨이브를 이용하여 감광막을 스트립하고 플루오린계 가스를 이용하여 콘택 내부의 폴리머를 제거하는데 적합한 반도체 소자의 콘택 형성 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1 은 종래기술에 따른 반도체 소자의 콘택 형성 방법을 나타낸 도면,
도 2 는 도 1 에 따른 종래기술의 카본계 폴리머 잔막이 남아있는 상태를 나타낸 도면,
도 3a 내지 도 3c 는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 소자의 콘택 형성 방법을 나타낸 도면,
도 4a 내지 도 4b 는 본 발명의 일실시예에 따른 카본계 폴리머 잔막이 제거된 반도체 소자의 콘택을 나타낸 도면,
도 5a 내지 도 5b 는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 소자의 콘택 형성 방법을 나타낸 도면.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
21 : 반도체 기판 22 : 알루미늄
23 : 티타늄나이트라이드 24 : 금속배선
25 : 제 1 캡산화막 26 : 층간절연막
27 : 제 2 캡산화막 28 : 감광막
29 : 콘택홀 30 : 카본계 폴리머
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체 소자의 콘택 형성 방법은 소정 공정이 실시된 반도체 기판상에 유기질 층간절연막, 유기질 감광막을 차례로 형성하는 단계, 상기 유기질 감광막을 패터닝하여 유기질 감광막패턴을 형성하는 단계, 상기 유기질 감광막패턴을 식각마스크로 하여 상기 유기질 층간절연막을 식각하여 콘택홀을 형성하는 단계, 플루오린계 가스를 이용하여 상기 콘택홀 형성후 상기 콘택홀내에 잔류하는 식각 부산물을 제거하는 단계, 및 마이크로 웨이브형 감광막 스트립퍼에서 상기 플루오린계 가스로 상기 유기질 감광막패턴을 스트립하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
도 3a 내지 도 3c 는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 소자의 콘택 형성 방법을 나타낸 도면으로서, 케미컬의 폴리머 제거 방법 및 유기질(Organic) 층간 절연막 콘택 식각시의 폴리머 제거 방법을 나타낸다.
도 3a에 도시된 바와 같이, 알루미늄(22), 티타늄나이트라이드(23)로 이루어진 금속배선(24)이 형성된 반도체 기판(21)에 있어서, 상기 금속배선(24) 상부에 제 1 캡산화막(25)을 증착한후, 층간절연막(26), 제 2 캡산화막(27)을 형성한다.
이어 상기 층간 절연막(26)상에 감광막을 도포한다. 이어 노광 및 현상 공정으로 패터닝한 후, 상기 패터닝된 감광막(28)을 마스크로 이용한 상기 제 2 캡산화막(27),층간 절연막(26), 제 1 캡산화막(25)을 식각하여 금속배선(24)의 일정 표면이 드러나도록 콘택홀(29)을 형성한다.
이와 같은 콘택홀(29) 형성시 카본계(Carbon-based) 식각 가스를 이용하여 층간 절연막(26)을 식각하며 상기 층간 절연막(26)은 유기질 절연막 예를 들면, 실리콘나이트라이드(SiN)를 이용하고, 또한 상기 감광막(28)도 유기질 감광막을 이용하며 제 1, 2 캡산화막(25,27)은 SiO2를 이용한다.
이처럼 콘택홀(29) 형성후, 콘택홀(29) 내벽에는 식각 부산물(Etch-product)로서 카본계 폴리머(30)가 형성된다.
이어 상기 카본계 폴리머(30)를 제거하기 위한 방법을 설명하기로 한다.
도 3a에 도시된 것처럼, CF4가스를 처리하여 사슬(Chain)이 긴 카본계 폴리머(30)의 선형중합체를 일정한 크기로 잘라내는데, 플루오린(Fluorine)은 전기 음성도가 크므로 카본 체인(Carbon chain)을 쉽게 잘라내게 된다.
이처럼 폴리머(30)의 주성분인 카본 본딩 에너지(Carbon bonding energy)를 끊을 수 있도록 할로겐(Halogen)족 플루오린계의 케미컬을 이용하는바, 이러한 할로겐족 플루오린계 가스로는 상기 CF4이외에도 CHF3,NF3,NHF3,C4F8또는 C5F8등이 이용될 수 있다.
도 3b에 도시된 바와 같이, 콘택 식각 마스크로 이용된 감광막(28)을 스트립하는데, 통상의 기술과 달리 산소(O2)를 포함하지 않는 플루오린계 가스와 수소 (H2), 질소(N2), 헬륨(He) 가스를 조합하여 감광막스트립(Photoresist strip)을 진행하는데 ICP(Inductively Coupled Plasma) 방식이 아닌 마이크로웨이브(Micro wave) 감광막 스트립 공정을 실시한다.
먼저 CF4가스에 N2,NF3가스를 첨가하여 진행하며, 반도체 기판(21)의 접합부분(도시 생략)과 연결되는 콘택은 후처리 공정으로 NF3, H2가스를 조합하여 암모니아(NH4)를 생성시킴과 동시에 콘택 식각으로 인한 반도체 기판(21)의 손실층을 제거하기 위해 암모니아를 이용하여 라이트 식각(Lite etch)을 실시한다.
이러한 마이크로웨이브형 감광막 스트립공정에서 상기 CF4이외에도 CHF3, NF3,NHF3,C4F8또는 C5F8등의 플루오린계 가스를 이용할 수 있다.
이러한 방법은 콘택의 후처리식각(Post Etching Treatment;PET)과 동일한 원리로 손실층을 제거하므로 접합 누설을 감소시켜 누설 전류에 영향을 받는 리프레쉬 특성을 향상시킨다.
도 3c에 도시된 바와 같이, 상기 결과물을 플루오린계 가스를 함유하는 케미컬에 담궈 세정하는데, 이는 통상의 아민계열의 케미컬 딥타임보다 줄여도 공정 수행이 훨씬 우수하게 나타난다.
이어 카본계 폴리머(30) 제거 공정이 진행된 후, 플루오린계 가스 함유 케미컬을 희석시키기 위해 이소프로필알콜(Iso Propyle Alchol;IPA)에 60∼400″동안 담근다 (dipping).
이어 상기 이소프로필알콜(IPA)을 세척하기 위해 샤워(Shower)를 3번 이상 진행한다. 그리고 반도체 기판(21)의 손실층을 제거하는 암모니아(NH4)는 H2O에 대한 용해도(solubility)가 노블 가스(Noble gas) 중에서 가장 크기때문에 증류수 (Deionized water;D.I.water)에 최소 시간으로 담글 수 있으며 빠른 덤프 린스 (Quick Dump Rinse)도 가능하다.
다른 적용으로 메탈계 폴리머(metallic polymer)를 제거하기 위해서 플루오린계 가스를 이용할 경우, 이소프로필알콜(IPA)에 플루오린계 가스를 20℃∼95℃를 유지한 상태에서 300∼1200″동안 담궈 희석시킨다.
도 4a 와 도 4b 는 도 3a 내지 도 3c에 따른 카본계 폴리머를 제거하는 SEM 도면으로서, 콘택홀내부의 카본계 폴리머가 완전히 제거되었음을 나타내고 있다.
도 5a 와 도 5b 는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 소자의 콘택 형성 방법을 나타낸 주사전자현미경(SEM) 도면으로서, 층간절연막으로 저유전상수(low-k)를 갖는 유기질 물질(26)을 이용한 경우를 나타내고 있다.
다시 말하면, 저유전상수를 갖는 유기질 물질이 층간 절연막으로 이용되었을 경우, 산소를 이용하여 콘택홀 내벽에 존재하는 폴리머를 제거할 수 없다. 이와 같이 산소 플라즈마를 이용할 수 없는 유기질 절연막 콘택 식각시에 본 발명의 일실시예에 따른 케미컬들을 이용한다.
본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
상술한 본 발명의 반도체 소자의 콘택 형성 방법은 할로겐족 플루오린계 가스를 이용하여 콘택홀내의 폴리머를 제거하므로써 콘택저항을 확보할 수 있으며, 마이크로웨이브형 감광막 스트립 공정을 이용하므로써 저유전상수를 갖는 층간절연막의 콘택 식각시에도 적용할 수 있다. 또한 소오스/드레인과 같은 접합층에 발생되는 실리콘 손실층을 라이트 식각을 이용하여 제거하므로써, 접합 누설을 방지하여 소자 동작시 리프레쉬 특성 및 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
Claims (6)
- 반도체소자의 제조 방법에 있어서,소정 공정이 실시된 반도체 기판상에 유기질 층간절연막, 유기질 감광막을 차례로 형성하는 단계;상기 유기질 감광막을 패터닝하여 유기질 감광막패턴을 형성하는 단계;상기 유기질 감광막패턴을 식각마스크로 하여 상기 유기질 층간절연막을 식각하여 콘택홀을 형성하는 단계;플루오린계 가스를 이용하여 상기 콘택홀 형성후 상기 콘택홀내에 잔류하는 식각 부산물을 제거하는 단계; 및마이크로 웨이브형 감광막 스트립퍼에서 상기 플루오린계 가스로 상기 유기질 감광막패턴을 스트립하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택 형성 방법.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,상기 식각부산물을 제거하는 단계와 상기 유기질 감광막패턴을 스트립하는 단계에서, 상기 플루오린계 가스는 CF4, CHF3, NF3, NHF3, C4F8또는 C5F8중 어느 하나를 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택 형성 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 유기질 감광막패턴을 스트립하는 단계는,상기 마이크로웨이브형 감광막 스트립퍼에서 상기 플루오린계 가스에 H2,N2, 또는 He 가스중 어느 하나를 첨가하거나 둘 이상의 가스를 조합하여 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택 형성 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 유기질 감광막패턴을 스트립한 후,상기 콘택홀 형성시 발생된 기판의 손실층을 제거하도록 상기 플루오린계 가스를 이용하여 라이트 식각하는 것을 더 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택 형성 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 유기질 감광막패턴을 스트립한 후,플루오린계 가스를 함유하는 케미컬에 담궈 세정한 후, 상기 케미컬을 이소프로필알콜에 60초 내지 400 초동안 담궈 희석시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택 형성 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-1999-0065824A KR100368894B1 (ko) | 1999-12-30 | 1999-12-30 | 반도체 소자의 콘택 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-1999-0065824A KR100368894B1 (ko) | 1999-12-30 | 1999-12-30 | 반도체 소자의 콘택 형성 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20010058491A KR20010058491A (ko) | 2001-07-06 |
| KR100368894B1 true KR100368894B1 (ko) | 2003-01-24 |
Family
ID=19632992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-1999-0065824A KR100368894B1 (ko) | 1999-12-30 | 1999-12-30 | 반도체 소자의 콘택 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100368894B1 (ko) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR940020176A (ko) * | 1993-02-26 | 1994-09-15 | 김주용 | 마이크로파 플라즈마 다운스트림을 이용한 포토레지스트 애셔 시스템 |
| KR970077240A (ko) * | 1996-05-15 | 1997-12-12 | 김광호 | 플라즈마를 이용한 건식식각방법 |
| KR19990026801A (ko) * | 1997-09-26 | 1999-04-15 | 윤종용 | 반도체장치의 hsg 실리콘 막 형성방법 |
| KR20000000680A (ko) * | 1998-06-02 | 2000-01-15 | 김영환 | 포토레지스트 제거방법 |
-
1999
- 1999-12-30 KR KR10-1999-0065824A patent/KR100368894B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR940020176A (ko) * | 1993-02-26 | 1994-09-15 | 김주용 | 마이크로파 플라즈마 다운스트림을 이용한 포토레지스트 애셔 시스템 |
| KR970077240A (ko) * | 1996-05-15 | 1997-12-12 | 김광호 | 플라즈마를 이용한 건식식각방법 |
| KR19990026801A (ko) * | 1997-09-26 | 1999-04-15 | 윤종용 | 반도체장치의 hsg 실리콘 막 형성방법 |
| KR20000000680A (ko) * | 1998-06-02 | 2000-01-15 | 김영환 | 포토레지스트 제거방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20010058491A (ko) | 2001-07-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR19990045590A (ko) | 포토레지스트 및 에칭 잔류물 제거 방법 | |
| US6777334B2 (en) | Method for protecting a wafer backside from etching damage | |
| US6833081B2 (en) | Method of metal etching post cleaning | |
| KR100368894B1 (ko) | 반도체 소자의 콘택 형성 방법 | |
| US7125809B1 (en) | Method and material for removing etch residue from high aspect ratio contact surfaces | |
| US6423646B1 (en) | Method for removing etch-induced polymer film and damaged silicon layer from a silicon surface | |
| KR100596899B1 (ko) | 반도체 소자의 제조 방법 | |
| KR100390814B1 (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 형성 방법 | |
| KR20100077858A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성 방법 | |
| KR100416657B1 (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 제조방법 | |
| US6495472B2 (en) | Method for avoiding erosion of conductor structure during removing etching residues | |
| KR100208450B1 (ko) | 반도체 소자의 다중 금속층 형성 방법 | |
| KR19980044194A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
| KR20030096707A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 세정 방법 | |
| TW472309B (en) | Method to prevent corrosion of a conductor structure | |
| KR20020068621A (ko) | 반도체 소자의 배선 형성방법 | |
| KR100701388B1 (ko) | 반도체 소자의 금속 배선 후처리 방법 | |
| KR100264237B1 (ko) | 홀 형성방법 | |
| KR20020094092A (ko) | 레지스트 코팅을 이용한 잔류물 제거 방법 | |
| KR100332647B1 (ko) | 반도체소자의콘택홀형성방법 | |
| KR20000041403A (ko) | 타이타늄 실리사이드로 이루어진 도전층을 구비한 반도체소자의제조방법 | |
| KR20010065863A (ko) | 중합체 제거를 위한 금속막 패턴 형성방법 | |
| KR19980031852A (ko) | 반도체 장치의 비아홀 식각 후처리 방법 | |
| KR19980052436A (ko) | 반도체 장치 제조 방법 | |
| KR19980056138A (ko) | 반도체 소자의 개구부 형성방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20101224 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |