KR100366196B1 - 발진기 - Google Patents

발진기 Download PDF

Info

Publication number
KR100366196B1
KR100366196B1 KR1019930029378A KR930029378A KR100366196B1 KR 100366196 B1 KR100366196 B1 KR 100366196B1 KR 1019930029378 A KR1019930029378 A KR 1019930029378A KR 930029378 A KR930029378 A KR 930029378A KR 100366196 B1 KR100366196 B1 KR 100366196B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
transistor
circuit
oscillation
collector
input
Prior art date
Application number
KR1019930029378A
Other languages
English (en)
Other versions
KR940017101A (ko
Inventor
기타노조시니치
이시카와후미오
추추미시니치
가모우나오야수
Original Assignee
소니 가부시끼 가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP36217492A external-priority patent/JP3271343B2/ja
Priority claimed from JP36217692A external-priority patent/JP3303380B2/ja
Priority claimed from JP4362175A external-priority patent/JPH06204744A/ja
Application filed by 소니 가부시끼 가이샤 filed Critical 소니 가부시끼 가이샤
Publication of KR940017101A publication Critical patent/KR940017101A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100366196B1 publication Critical patent/KR100366196B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N5/00—Details of television systems
    • H04N5/44—Receiver circuitry for the reception of television signals according to analogue transmission standards
    • H04N5/4446—IF amplifier circuits specially adapted for B&W TV
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
    • H03D7/00—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1206—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification
    • H03B5/1209—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification the amplifier having two current paths operating in a differential manner and a current source or degeneration circuit in common to both paths, e.g. a long-tailed pair.
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1206—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification
    • H03B5/1218—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification the generator being of the balanced type
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1206—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification
    • H03B5/1221—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification the amplifier comprising multiple amplification stages connected in cascade
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1231—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier comprising one or more bipolar transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1237—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
    • H03B5/124—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance
    • H03B5/1243—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance the means comprising voltage variable capacitance diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
    • H03D7/00—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
    • H03D7/14—Balanced arrangements
    • H03D7/1408—Balanced arrangements with diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
    • H03D7/00—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
    • H03D7/14—Balanced arrangements
    • H03D7/1425—Balanced arrangements with transistors
    • H03D7/1433—Balanced arrangements with transistors using bipolar transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
    • H03D7/00—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
    • H03D7/14—Balanced arrangements
    • H03D7/1425—Balanced arrangements with transistors
    • H03D7/1441—Balanced arrangements with transistors using field-effect transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
    • H03D7/00—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
    • H03D7/14—Balanced arrangements
    • H03D7/1425—Balanced arrangements with transistors
    • H03D7/1458—Double balanced arrangements, i.e. where both input signals are differential
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
    • H03B2200/0014—Structural aspects of oscillators
    • H03B2200/0026—Structural aspects of oscillators relating to the pins of integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
    • H03B2200/003—Circuit elements of oscillators
    • H03B2200/004—Circuit elements of oscillators including a variable capacitance, e.g. a varicap, a varactor or a variable capacitance of a diode or transistor
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
    • H03B2200/003—Circuit elements of oscillators
    • H03B2200/0048—Circuit elements of oscillators including measures to switch the frequency band, e.g. by harmonic selection
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
    • H03B2200/006—Functional aspects of oscillators
    • H03B2200/0098—Functional aspects of oscillators having a balanced output signal
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
    • H03D2200/00—Indexing scheme relating to details of demodulation or transference of modulation from one carrier to another covered by H03D
    • H03D2200/0001—Circuit elements of demodulators
    • H03D2200/0007—Dual gate field effect transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
    • H03D2200/00—Indexing scheme relating to details of demodulation or transference of modulation from one carrier to another covered by H03D
    • H03D2200/0001—Circuit elements of demodulators
    • H03D2200/0025—Gain control circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
  • Superheterodyne Receivers (AREA)

Abstract

UHF주파수변환과 VHF주파수변환의 주파수변환용 집적 발진회로가 일반적인 IF증폭기를 사용하기 위해 선택적으로 에너지화된다. 발진기는 제 1공진회로와 제 1부하소자에 연결되고, 제 1주파수를 가지는 제 1발진신호를 출력하는 제 1트랜지스터를 포함하는 제 1발진회로와, 제 2공진회로와 제 2부하소자에 연결되고, 제 2주파수를 가지는 제 2발진신호를 출력하는 제 2트랜지스터를 포함하는 제 2발진회로를 포함하고, 상기 제 1트랜지스터와 상기 제 2트랜지스터는 공통 부하소자에 연결되고, 상기 제 1, 제 2부하소자는 상기 공통 부하소자에 연결되어 있다. 혼합기는 제 1부하소자에 연결된 제 1트랜지스터를 포함하고 상기 제 1트랜지스터로부터 혼합된 결과의 신호를 출력하기 위해 적어도 2개의 신호에서 혼합하는 제 1혼합회로와, 제 2부하소자에 연결된 제 2트랜지스터를 포함하고 상기 제 2트랜지스터로부터 혼합된 결과의 신호를 출력하기 위해 적어도 2개의 신호에서 혼합하는 제 2혼합회로를 포함하고, 상기 제 1트랜지스터와 상기 제 2트랜지스터는 상기 제 1부하소자와 상기 제 2부하소자를 포함하는 상기 공통 부하소자에 연결되어 있다. 집적화 발진회로는 국부발진회로용으로 사용된다. 외부공진회로에 연결된 연결단자와 동작모드에 따라서 다른 레벨로 설정된 모드스위칭신호의 입력선과, 발진소자와 상기 연결단자에 연결된 바이어스 단자와, 발진소자의 바이어스단자에 인가된 상기 모드스위칭신호의 레벨을 검출하는 검출회로와, 상기 검출회로에서 검출된 레벨에 따라서 발진소자를 구동하는 전원을 온/오프 변환하는 스위칭회로를 포함한다.

Description

발진기, 혼합기 및 집적화 발진회로
본 발명은 광대역 수신 등을 수행하는 텔레비젼 튜너에 적용할 수 있는 발진기와 혼합기에 관한 것이다.
먼저, 도면을 참조하여 관련기술을 설명한다.
제 1도는 UHF/VHF용 일상의 텔레비젼 튜너 회로의 시스템 블럭 다이어그램이다.
제 1도에서, ANT는 UHF/VHF의 안테나, STCU는 UHF 단일 동조회로, STCVH은 VHF "High" 단일 동조회로, STCVL은 VHF "Low" 단일 동조회로, AMPU는 UHF RF 증폭기, AMPV는 VHF RF 증폭기, DTCU는 UHF 이중 동조회로, DTCVH와 DTCLH는 VHF 이중 동조회로, IC는 집적주파수 변환회로를 나타낸다.
VHF방송이 수신되는 VHF동작모드에서, 안테나(ATN)를 통하여 수신된 텔레비젼 신호는 단일 동조회로(STCVH, STCVL) 로 입력된다. 단일 동조회로(STCVH, STCVL)에서, 입력 텔레비젼신호는 원하는 채널의 주파수로 동조되고 RF 증폭기(AMPV)로 입력된다. RF 증폭기(AMPV)는 일예로 이중 게이트 MOSFET(metal oxide semiconductor field effect transistor:금속 산화 반도체 전계효과 트랜지스터)에 의해 구성되고, 단일 동조회로(STCVH, STCVL)의 출력은 한 게이트의 출력이고, AGC전압은 다른 게이트의 입력이고, 고주파수출력을 얻는다. RF 증폭기(AMPV)의 고주파수 출력은 이중 동조회로(DTCVH, DTCVL)에 의해 소정의 동조기능을 하게 되고, 집적 주파수 변환회로(IC)의 혼합회로(MIXV)로 입력된다. 혼합회로(MIXV)에서, 선택된 채널의 비디오 영상 반송파 신호(RFV)의 주파수보다 높은 주파수를 가지는 국부 발진회로(OSCV)에 의한 국부발진주파수신호(SLV)와 소정의 주파수에 의한 혼합이 행해지므로, 그것과 다른 주파수인 중간주파수신호(IFV)가 얻어진다. 이것은 UHF와 VHF에서 공통으로 사용되는 IF증폭기(AMPIF)로 출력된다. IF증폭기(AMPIF)에서, 소정의 증폭기능이 실행되므로, VHF의 IF출력이 얻어진다.
UHF동작모드에서, UHF방송이 수신될 때, 안테나(ATN)를 통하여 수신된 UHF대역의 텔레비젼 신호는 단일 동조회로(STCU)로 입력된다. 단일 동조회로(STCU)에서, 입력 텔레비젼신호는 원하는 채널의 주파수로 동조되고, RF 증폭기(AMPV)로 입력된다. RF 증폭기(AMPU)는 일예로 이중 게이트 MOSFET로 구성된다. 한 게이트로 단일 동조회로(STCU)의 출력이 입력되고, 다른 게이트로 AGC전압이 입력되므로, 고주파출력이 얻어진다. RF증폭기(AMPV)의 고레벨 주파수출력은 이중 동조회로(DTCU)에 의해 소정의 동조기능을 하고, 집적주파수변환회로(IC)의 혼합회로(MIXU)로 입력된다. 혼합회로(MIXU)에서, 선택된 채널의 비디오 영상 반송파 주파수보다 높은 주파수를 가지는 국부 발진회로(OSCU)에 의한 국부발진주파수신호(SLU)와 소정의 주파수에 의한 혼합이 행해지므로, 그것과 다른 주파수인 중간주파수 신호(IFU)가 얻어진다. 이것은 UHF와 VHF에서 공통으로 사용되는 IF증폭기(AMPIF)로 출력된다. IF증폭기(AMPIF)에서, 소정의 증폭기능이 실행되므로, UHF의 IF출력이 얻어진다.
집적 주파수변환회로(IC)는 VHF국부발진회로(OSCV)와 혼합회로(MIXV)의 VHF회로, UHF국부발진회로(OSCU)와 혼합회로(MIXU)의 UHF회로, VHF혼합회로(MIXV)로부터의 중간주파수신호(IFV)를 증폭하고 UHF혼합회로(MIXU)로부터의 중간주파수신호(IFU)를 증폭하는 IF증폭기(AMPIF)로 구성된다.
상기 동조회로의 집적주파수변환회로(IC)에서, 전력소비의 감소를 얻고, 회로구조를 단순화하기 위해 IF증폭기(AMPIF)가 공통으로 사용되고, 그러므로 VHF국부발진회로(OSCV)와 혼합회로(MIXV)의 VHF회로와 UHF국부발진회로(OSCV)와 혼합회로(MIXU)의 UHF회로가 VHF혹은 UHF모드에 따라 선택적으로 동작된다. 더 상세히는, UHF/VHF모드 변환신호(도시생략)는 집적주파수변환회로로 외부 제어시스템으로부터 스위칭회로(도시생략)를 구동하기 위해 입력되는 한편, UHF회로의 각각의 회로 혹은 VHF회로의 각각의 회로를 구동하기 위한 전류원이 온/오프로 변환된다.
다음은 제 2도∼제 4도를 참조하여 집적주파수변환회로(IC)에서 일반적인VHF국부발진회로(OSCV), UHF국부발진회로(OSCU), 스위칭회로, VHF혼합회로(MIXV), UHF 혼합회로(MIXU)의 구체적인 회로구조를 설명한다.
제 2도는 VHF국부발진회로(OSCV)와 출력버퍼의 회로구조의 일예를 나타내는 회로도이다. OSCV는 VHF국부발진회로, RSN은 외부가변공진회로, BUFV는 출력버퍼를 각각 나타낸다.
VHF국부발진회로(OSCV)와 출력버퍼는 집적된다. VHF국부발진회로(OSCV)는 외부회로등과의 연결단자인 3개의 입출력단자(T1∼T3)를 통하여 외부가변공진회로(RSNV)로 연결된다.
VHF국부발진회로(OSCV)는 발진기로 기능하는 npn형 트랜지스터(Q1,Q2)로 구성되는 정귀환차동증폭기형 발진회로와 npn형 트랜지스터(Q1,Q2)를 바이어스하는 정전압원(V1)과 저항소자(R1,R2,R3)와 정전류원(I1)으로 구성된다.
발진트랜지스터(Q1)의 베이스는 저항소자(R1)를 통하여 정전압원(V1)에 연결되는 입출력단자(T1)에 연결되고, 또한 출력버퍼(BUFV)의 npn형 트랜지스터(Q4)의 베이스에 연결된다. 발진트랜지스터(Q1)의 에미터는 정전류원(I1)에 연결되고, 정전류원(I1)의 다른 단자는 접지된다. 발진트랜지스터(Q1)의 콜렉터는 전원전압(VCC)공급선에 연결된다.
발진트랜지스터(Q2)의 베이스는 저항소자(R2)를 통하여 정전압원(V1)에 연결되는 입출력단자(T3)에 연결되고, 또한 출력버퍼(BUFV)의 npn형 트랜지스터(Q3)의 베이스에 연결된다. 발진트랜지스터(Q2)의 에미터는 정전류원(I1)에 연결되고, 콜렉터는 입출력단자(T2)에 연결된다. 또한, 저항소자(R3)는 발진트랜지스터(Q2)의 콜렉터와 전원전압(VCC)선 사이에 연결된다.
외부가변공진회로(RSN1)는 병렬로 연결된 가변정전용량(CV1)과 코일(L2)에 의해 구성된다. 외부가변공진회로(RSN1)의 코일(L2)의 일단과 가변정전용량 커패시터(CV1)의 한 전극의 연결점이 접지된다. 코일(L2)의 타단과 가변정전용량 커패시터(CV1)의 다른 전극의 연결점이 커패시터(C1)와 입출력단자(T1)을 통하여 발진트랜지스터(Q1)의 베이스에 연결되고, 커패시터(C2)와 입출력단자(T2)를 통하여 발진트랜지스터(Q2)의 콜렉터에 연결된다. 또한, 커패시터(C3)의 한 전극은 입출력단자(T3)에 연결되고, 커패시터(C3)의 다른 전극은 접지된다.
VHF국부발진회로(OSCV)가 입출력단자(T1,T2)를 통하여 발진트랜지스터(Q1)의 베이스에 연결된 외부부착커패시터(C1)의 정귀환으로 된다. 외부 가변공진회로(RSN1)의 공진주파수에서 발진하고, 출력버퍼(BUFV)로 공진신호를 출력한다.
출력버퍼(BUFV)는 npn형 트랜지스터(Q3,Q4), 부하저항으로 기능하는 저항소자(R5∼R7), 저항소자(R8∼R11), 정전류원(I2)으로 구성된다.
트랜지스터(Q3)의 베이스는 상기에서처럼 국부발진회로(OSCV)의 발진트랜지스터(Q2)의 베이스에 연결되고, 에미터는 직렬로 연결된 저항소자(R8,R9)를 통하여 정전류원(I2)에 연결되고, 정전류원(I2)의 다른 단자는 접지된다. 트랜지스터(Q3)의 콜렉터는 직렬연결된 부하 저항소자(R6,R5)를 통하여 전원전압(VCC)에 연결된다.
VHF용 국부발진회로의 출력단자(OUT1V)가 저항소자(R8)와 저항소자(R9)의 연결점으로 구성되는 것에 유의한다. 이 출력단자(OUT1V)는 제 1도에서 집적 VHF혼합회로(MIXV)에 연결된다.
트랜지스터(Q4)의 베이스는 상기에서처럼 국부발진회로(OSCV)의 발진트랜지스터(Q1)의 베이스에 연결되고, 에미터는 직렬로 연결된 저항소자(R10,R11)를 통하여 정전류원(I2)에 연결된다. 트랜지스터(Q4)의 콜렉터는 직렬연결된 부하 저항소자(R7,R5)의 연결점에 연결된다.
VHF용 국부발진회로(OUTV)의 출력단자(OUT2V)가 저항소자(R10)와 저항소자(R11)의 연결점으로 구성되는 것에 유의한다. 이 출력단자(OUT2V)는 제 1도에서 집적 VHF혼합회로(MIXV)에 연결된다.
제 3도는 UHF용 국부발진회로(OUTU)와 스위칭회로의 구조의 일예를 나타내는 회로다이어그램이다. 제 3도에서, OSCU는 UHF국부발진회로, SW는 스위칭회로, RSN2는 외부가변공진회로를 각각 나타낸다.
UHF국부발진회로(OSCU)와 스위칭회로(SW)는 집적된다. UHF국부발진회로(OSCU)는 외부회로등과의 연결단자인 4개의 입출력단자(T5∼T8)를 통하여 외부가변공진회로(RSN2)로 연결된다.
또한, UHF/VHF모드변환신호(SSW)는 입출력단자(T5∼T8)로부터 각각 설치된 스위칭단자(T4)를 통하여 스위칭회로(SW)에 인가된다.
UHF국부발진회로(OSCU)는 발진에 사용되는 npn형 트랜지스터(Q7,Q8)로 구성되는 차동연산형 콜피츠발진회로와 npn형 발진트랜지스터(Q7,Q8)를 바이어스하는 정전압원(V2)과 저항소자(R13, R14)와 npn형 발진트랜지스터(Q7,Q8)의 부하저항으로 기능하는 저항소자(R15,R16)와 정전류원(I3,I4)로 구성된다.
발진트랜지스터(Q7)의 베이스는 입출력단자(T5)에 연결되고, 저항소자(R13)를 통하여 정전압원(V2)에 연결된다. 발진트랜지스터(Q7)의 에미터는 입출력단자(T6)에 연결되고 정전류원(I3)에 연결되고, 정전류원(I3)의 다른 단자는 접지된다. 발진트랜지스터(Q7)의 콜렉터는 부하저항소자(R15)를 통하여 전원전압(VCC)선에 연결되고, 차동연산형 콜피츠발진회로의 출력단자(OUT1U)는 발진트랜지스터(Q7)의 콜렉터와 부하저항소자(R15)의 연결점으로 구성된다. 이 출력단자(OUT1U)는 제 1도에서 집적혼합회로(MIXU)에 연결된다.
발진트랜지스터(Q8)의 베이스는 입출력단자(T8)에 연결되고, 저항소자(R14)를 통하여 정전압원(V2)에 연결된다. 발진트랜지스터(Q8)의 에미터는 입출력단자(T7)에 연결되고 정전류원(I4)에 연결되고, 정전류원(I4)의 다른단자는 접지된다. 발진트랜지스터(Q8)의 콜렉터는 부하저항소자(R16)를 통하여 전원전압(VCC)선에 연결되고, 차동연산형 콜피츠발진회로의 출력단자(OUT2U)는 발진트랜지스터(Q8)의 콜렉터와 부하저항소자(R16)의 연결점으로 구성된다. 이 출력단자(OUT2U)는 집적혼합회로(MIXU)에 연결된다.
외부가변공진회로(RSN2)는 가변정전용량(CV2)과 코일(L3)의 직렬회로에 커패시터(C5)를 병렬로 연결함으로써 구성된다. 외부가변공진회로(RSN2)의 코일(L3)과 커패시터(C5)의 연결점이 DC차단커패시터(C6)와 입출력단자(T5)를 통하여 발진트랜지스터(Q7)의 베이스에 연결되고, 가변정전용량 다이오드(CV2)의 애노드와 커패시터(C5)의 연결점은 DC차단커패시터(C7)와 입출력단자(T8)를 통하여 발진트랜지스터(Q8)의베이스에 연결된다.
또한, 정귀환커패시터(C8)는 커패시터(C6)와 입출력단자(T5)사이의 연결점과 입출력단자(T6)사이에 연결되고, 정귀환커패시터(C9)는 커패시터(C7)와 입출력단자(T8)사이의 연결점과 입출력단자(T7)사이에 연결된다.
더우기, 결합커패시터(C10)는 커패시터(C8)와 입출력단자(T6)사이의 연결점과 커패시터(C9)와 입출력단자(T7)사이의 연결점사이 즉, 발진트랜지스터(C5)의 에미터와 발진트랜지스터(C8)의 에미터사이에 연결된다.
UHF국부발진회로(OSCU)는 입출력단자(T5,T6,T7,T8)를 통하여 발진트랜지스터(Q7,Q8)의 베이스와 에미터에 연결된 외부부착된 커패시터(C8,C9)의 정귀환으로 된다.
이것은 발진트랜지스터(Q7,Q8)의 각각의 베이스에 연결된 외부가변공진회로(RSN2)의 공진주파수로 발진하고, 소정의 주파수를 가지는 국부발진주파수신호(SLU)를 출력단자(OUT1U,OUT2U)로부터 UHF혼합회로(MIXU)로 출력한다.
차동연산형 콜피츠발진회로를 구성하는 발진트랜지스터(Q7,Q8)는 외부가변공진회로(RSN2)를 통하여 각각의 베이스에서 서로 연결되고, 그러므로 위상이 다른 발진동작을 실행한다. 따라서, 서로 위상이 다른 국부발진주파수신호(SLU)가출력단자(OUT1T,OUT2U)로부터 출력된다.
스위칭회로(SW)는 스위칭연산 npn형 트랜지스터(Q5,Q6)와 저항소자(R18,R19,R20)에 의해 구성된다.
스위칭트랜지스터(Q5)의 베이스는 저항소자(R18)를 통하여 스위칭트랜지스터(Q6)의 콜렉터에 연결되고, 에미터는 접지되고, 콜렉터는 도시하지 않은 UHF시스템 전류원에 연결된다. 스위칭트랜지스터(Q6)의 베이스는 저항소자(R20)를 통하여 스위칭단자(T4)에 연결되고, 에미터는 접지되고, 콜렉터와 저항소자(R18)의 연결점은 고저항소자(R19)를 통하여 전원전압(VCC)선에 연결되고, 콜렉터와 저항소자(R18)의 연결점과 고저항소자(R19)와는 도시하지 않은 VHF시스템 전류원에 연결된다.
제 4도는 VHF혼합회로(MIXV)와 UHF혼합회로(MIXU)의 회로구조의 일예를 나타내는 회로다이어그램이다. 이 회로는 집적된다.
VHF혼합회로(MIXV)는 npn형 트랜지스터(Q11∼Q16)와 저항소자(R21∼R23)와 정전류원(I6,I7)으로 구성된다.
트랜지스터(Q11)의 베이스는 VHF국부발진회로(OSCV)의 출력과 트랜지스터(Q14)의 베이스에 연결된다. 트랜지스터(Q11)의 에미터는 트랜지스터(Q12)의 에미터와 트랜지스터(Q15)의 콜렉터에 연결된다. 트랜지스터(Q11)의 콜렉터는 저항소자(Q21)를 통하여 전원전압(VCC)선에 연결되고, 콜렉터와 저항소자(R21)의 연결점은 IF증폭기(AMPIF)의 한 입력에 연결된다.
트랜지스터(Q12)의 베이스는 VHF국부발진회로(OSCV)의 출력과 트랜지스터(Q13)의 베이스에 연결되고, 콜렉터는 IF증폭기(AMPIF)의 다른측 입력에 연결된다.
트랜지스터(Q13)의 에미터는 트랜지스터(Q14)의 에미터와 트랜지스터(Q16)의 콜렉터에 연결된다. 트랜지스터(Q13)의 콜렉터는 IF증폭기(AMPIF)의 한 입력에 연결된다.
트랜지스터(Q14)의 콜렉터는 저항소자(R22)를 통하여 전원전압(VCC)선에 연결되고, 콜렉터와 저항소자(R22)의 연결점은 IF증폭기(AMPIF)의 다른 입력에 연결된다.
트랜지스터(Q15)의 베이스는 제 1도에 나타낸 이중동조회로(DTCVH, DTCVL)의 출력에 연결되고, 에미터는 정전류원(I6)에 연결되고, 정전류원(I6)은 접지된다.
트랜지스터(Q16)의 베이스는 제 1도에 나타낸 이중동조회로(DTCVH, DTCVL)의 출력에 연결되고, 에미터는 정전류원(I7)에 연결되고, 정전류원(I7)은 접지된다.
또한, 저항소자(R23)는 트랜지스터(Q15)의 에미터와 트랜지스터(Q16)의 에미터사이에 연결된다.
VHF혼합회로(MIXV)는 국부발진 주파수신호(SLV)를 예를 들면 58.75MHz의 소정의 주파수에 의해 선택된 채널의 비디오 영상 반송파신호(RFV)의 주파수보다 높은 주파수를 가지는 국부발진회로(OSCV)와 혼합하고, 주파수가 다른 중간주파수신호(IFV)를 추출하고, UHF와 VHF에 공통으로 사용되는 IF증폭기(AMPIF)에 같은 것을 출력한다.
UHF혼합회로(MIXU)가 npn형 트랜지스터(Q18∼Q24), 저항소자(R24∼R26), 정전류원(I8,I9)으로 구성된다.
트랜지스터(Q18)의 베이스는 UHF국부발진회로(OSCU)의 출력과 트랜지스터(Q22)의 베이스에 연결된다. 트랜지스터(Q18)의 에미터는 트랜지스터(Q19)의 에미터와 트랜지스터(Q23)의 콜렉터에 연결된다. 트랜지스터(Q18)의 콜렉터는 저항소자(R24)를 통하여 전원전압(VCC)선에 연결되고, 저항소자(R24)와 콜렉터의 연결점은 IF증폭기(AMPIF)의 한 입력에 연결된다.
트랜지스터(Q19)의 베이스는 UHF국부발진회로(OSCU)의 출력과 트랜지스터(Q21)의 베이스에 연결되고, 콜렉터는 IF증폭기(AMPIF)의 다른 입력에 연결된다.
트랜지스터(Q21)의 에미터는 트랜지스터(Q22)의 에미터와 트랜지스터(Q24)의 콜렉터에 연결된다. 트랜지스터(Q21)의 콜렉터는 IF증폭기(AMPIF)의 한 입력에 연결된다.
트랜지스터(Q22)의 콜렉터는 저항소자(R25)를 통하여 전원전압(VCC)선에 연결되고, 콜렉터와 저항소자(R25)의 연결점은 IF증폭기(AMPIF)의 다른 입력에 연결된다.
트랜지스터(Q23)의 베이스는 제 1도에 나타낸 이중동조회로(DTCU)의 출력에 연결되고, 에미터는 정전류원(I8)에 연결되고, 정전류원(I8)의 다른 단자는 접지된다.
트랜지스터(Q24)의 베이스는 제 1도에 나타낸 이중동조회로(DTCU)의 출력에 연결되고, 에미터는 정전류원(I9)에 연결되고, 정전류원(I9)의 다른 단자는 접지된다.
또한, 저항소자(R26)는 트랜지스터(Q23)의 에미터와 트랜지스터(Q24)의 에미터사이에 연결된다.
UHF혼합회로(MIXU)는 국부발진 주파수신호(SLU)를 예를 들면 58.75MHz의 소정의 주파수에 의해 선택된 채널의 비디오 영상 반송파신호(RFU)의 주파수보다 높은 주파수를 가지는 국부발진회로(OSCU)와 혼합하고, 주파수가 다른 중간주파수신호(IFV)를 추출하고, UHF와 VHF에 공통으로 사용되는 IF증폭기(AMPIF)에 같은 것을 출력한다.
이와 같은 구조에서, VHF동작에서, 저전압레벨 "OV"의 UHF/VHF모드변환신호(SSW)는 일예로 외부제어시스템에 의해 스위칭단자(T4)로 입력된다. 교대로, 스위칭단자(T4)는 개방된다. 이것에 의해, 스위칭트랜지스터(Q6)의 베이스전위는 "OV"로 되고, 그러므로 스위칭트랜지스터(Q6)는 오프상태로 유지된다. 따라서, 고저항 소자(R19)를 통해 생성된 전류는 VHF전류원으로 공급된다. 따라서, 구동전류는 VHF혼합회로(MIXV)와 국부발진회로(OSCV)로 공급된다. 또한, 고저항소자(R19)를 통해 생성된 전류는 저항소자(R18)를 통해 소정의 신호전압으로서 스위칭트랜지스터(Q5)의 베이스에 인가된다. 이것에 의해, 스위칭트랜지스터(Q5)는 온상태로 되고, 콜렉터에 연결된 UHF시스템전류원은 오프로 변한다. 따라서, 구동전류는 UHF혼합회로(MIXU)와 국부발진회로(OSCU)에 공급되지 않는다.
이와 같은 VHF방송이 수신되는 VHF동작모드에서, 안테나(ATN)를 통하여 수신된 텔레비젼신호는 단일동조회로(STCVH,STCVL)로 입력된다. 단일동조회로(STCVH,STCVL)에서, 입력텔레비젼신호는 원하는 채널의 주파수로 동조되고, RF증폭기(AMPV)로 입력된다. RF증폭기(AMPV)는 일예로 이중게이트 MOS FET에 의해 구성되고, 단일동조회로(STCVH,STCVL)의 출력은 하나의 게이트로 출력되고, AGC전압은 다른 게이트로 입력되고, 고주파수출력이 추출된다. RF증폭기(AMPV)의 고주파수출력이 이중동조회로(DTCVH,DTCVL)에 의해 소정의 동조기능을 하게 되고, 집적주파수변환회로(IC)의 혼합회로(MIXV)로 입력된다. 이 혼합회로(MIXV)에서, 국부발진주파수신호(SLV)를 소정의 주파수에 의해 선택된 채널의 비디오영상반송파신호(RFV)의 주파수보다 높은 주파수를 가지는 국부발진회로(OSCV)로 혼합하는 것이 실행되고 그러므로 다른 주파수인 중간주파수신호(IFV)가 추출된다. 이것은 UHF,VHF용으로 공통으로 사용되는 IF증폭기(AMPIF)로 출력된다. IF증폭기(AMPIF)에서, 소정의 증폭기능이 실행되므로, VHF의 IF출력이 얻어진다.
이와는 반대로, UHF동작에서, 전원전압(VCC)과 같은 레벨인 고레벨 "9V"의 UHF/VHF모드변화신호(SSW)가 일예로 외부제어시스템에 의해 스위칭단자(TSW)로 인가된다. 이것에 의해, 스위칭트랜지스터(Q6)의 베이스전위는 고레벨로 되고, 그러므로 스위칭트랜지스터(Q6)는 온상태로 유지된다. 따라서, 고저항소자(R19)를 통해 생성된 전류는 스위칭트랜지스터(Q6)를 통하여 흐르고, VHF전류원으로 공급되지 않으며, 콜렉터측은 스위칭트랜지스터(Q6)에서 "OV"로 유지된다. 이것에 따라, 구동전류는 VHF혼합회로(MIXV)와 국부발진회로(OSCV)로 공급되지 않는다. 또한, 스위칭트랜지스터(Q6)의 콜렉터측은 "OV"로 유지되고, 그러므로 스위칭트랜지스터(Q5)의 베이스단자가 "OV"로 되고, 한편 스위칭트랜지스터(Q5)의 콜렉터는 오프상태로 유지된다. 이것에 의해, 스위칭트랜지스터(Q5)의 콜렉터에 연결된 UHF시스템 전류원은 온으로 된다. 따라서, 구동전류는 UHF혼합회로(MIXU)와 국부발진회로(OSCU)로 공급된다.
이와 같은 UHF동작모드에서, UHF방송이 수신될 때, 안테나(ATN)을 통하여 수신된 UHF대역의 텔레비젼신호는 단일동조회로(STCU)에 입력된다. 단일동조회로(STCU)에서, 입력 텔레비젼신호는 원하는 채널의 주파수로 동조되고, RF증폭기(AMPU)로 입력된다. RF증폭기(AMPU)는 일예로 이중게이트 MOS FET로 구성된다. 한 게이트로 단일동조회로(STCU)의 출력이 입력되고, 다른 게이트로 AGC전압이 입력되므로, 고주파수 출력이 추출된다. RF증폭기(AMPV)의 고레벨 주파수 출력은 이중동조회로(DTCU)에 의해 소정의 동조기능을 하므로, 집적변환회로(IC)의 혼합회로(MIXU)로 입력된다. 혼합회로(MIXU)에서, 국부발진주파수신호(SLU)를 소정의 주파수에 의해 선택된 채널의 비디오영상반송파 주파수보다 높은 주파수를 가지는 국부발진회로(OSCU)로 혼합하는 것이 실행되고 그러므로 다른 주파수인 중간주파수신호(IFU)가 추출된다. 이것은 UHF,VHF용으로 공통으로 사용되는 IF증폭기(AMPIF)로 출력된다. IF증폭기(AMPIF)에서, 소정의 증폭기능이 실행되므로, UHF의 IF출력이 얻어진다.
상기에서처럼, 종래의 회로에서, 단일단자가 UHF,VHF모드 변환단자(TSW)로 사용되었다.
텔레비젼 튜너 등은 고주파수 신호를 취급하므로, 배선의 배선특성은 특성상 많은 영향을 준다.
또한, 집적혼합회로(MIXV,MIXU)와 국부발진회로(OSCV, OSCU)와, IF증폭기(AMPIF)를 포함하는 집적주파수변환회로에서, 패키지가 크게 되고, 베어칩으로부터 출력측으로 내부 리드부분이 길어지고, 기생발진과 기생영향과 기생정전용량으로 인한 이득의 감소의 문제가 발생된다.
따라서, 원하는 튜너용 집적회로는 가능한 작은 수의 단자를 가지고, 작은 패키지안에 장착된다.
제 3도의 상기 종래회로에서, UHF/VHF 모드 변환 단자(TSW)는 국부발진회로(OSCU)의 외부가변공진회로(RSN)를 연결하기 위하여 독립적으로 4개의 단자(T5∼T8)의 옆에 설치되고, 그러므로 단자수의 증가가 야기되고, 또한 패키지의 크기가 커진다. 이와 같은 이유로, 기생발진과 이득이 저하하는 문제가 있고, 따라서 튜너크기의 증가와 비용의 증가라는 결점이 야기된다.
단자수의 감소를 위해, 일반적으로 VHF국부발진회로(OSCV)와 UHF국부발진회로(OSCU)용으로 사용되는 3개의 단자를 사용하는 것이 고려될 수 있으나 UHF국부발진회로는 높은 동작주파수를 가지므로 차동연산형 발진회로가 안정된 동작을 위해 바람직하다.
텔레비젼튜너 등에서, UHF국부발진회로는 높은 동작주파수를 가지므로 안정된 동작을 위해 제 3도처럼 차동연산형 콜피츠발진회로가 광대역에 걸쳐 안정되게 발진할 수 있는 발진기로 사용된다.
따라서, 외부가변공진회로(RSN2)와의 연결을 위한 4개의 단자(T5∼T8)가 감소될 수 없다.
최근, 텔레비젼튜너나 UHF대역이나 서브마이크로파 대역과 같은 비교적 높은 주파수를 취급하는 이동 라디오 주파수 수신기에서, 보다 높은 안전성 국부 발진기가 필요하다.
이 요구를 만족하기 위하여, 일반적으로 일예로 PLL(phase locked loop;위상동기루프)회로를 사용하는 주파수동기 방법이 채택된다. 이것에 사용되는 발진기로서 일예로 텔레비젼 튜너의 주파수변환회로에서, 소위 2출력형이 이상적으로 사용되고, PLL회로와 혼합회로의 양쪽으로 출력할 수 있다. 상기 종래 발진기에서, 그러나 한개의 발진신호출력이 혼합회로로 입력하기 위해 사용되고, 그러므로 PLL회로를 사용하는 주파수동기로의 응용이 어렵다.
여기에서, 혼합회로와 PLL회로가 한 발진신호출력에 의해 구동되는 경우에 대하여 생각하였다. 혼합회로와 PLL회로가 각각 최적의 입력레벨을 가지므로, 레벨을 제어하기 위한 회로가 혼합회로와 PLL회로에 필요하게 되므로, 회로가 복잡하게 되는 등의 문제가 야기된다.
또한, 일예로 텔레비젼튜너를 취하면, RF신호가 국부발진기의 출력에 더하여혼합회로로 입력되지만 이 RF신호가 큰 발진폭으로 입력되면, 혼합회로를 통과하고 PLL회로로 들어갈 염려가 있다. 이 경우에서, RF신호에 기인한 PLL회로의 오동작의 가능성이 있다. 이와 같은 이유로, 신호가 혼합회로로부터 PLL회로로 누설되지 않도록 분리되어야 한다. 이것은 성가신 일이다.
또한, 다수의 발진신호출력을 안정되게 추출하기 위한 방법으로서, 소위 에미터플로워(EF)가 발진기(OSC)의 출력에 더해지는 구조와 버퍼증폭기(BF)가 발진기(OSC)의 출력에 더해지는 구조 혹은 트랜지스터가 종속연결되는 구조가 고려된다. 발진트랜지스터(Q1,Q3)의 부하가 다이오드(D1,D2)를 사용하여 구성될 수 있다는 것에 유의한다.
그러나, 에미터플로워(EP)를 로드하는 구조나 버퍼증폭기(BF)를 더하는 구조는 소비전류의 증가의 문제를 야기한다.
트랜지스터를 종속연결하는 구조에서, 과잉인가전압의 한레벨크기가 필요하고, 그러므로 전압을 낮추기에 적당하지 않다. 특히, 출력의 수가 증가하면, 인가전압이 그 양만큼 커져야 하는 결점이 있다.
더우기, 텔레비젼튜너에서, PLL회로와 혼합회로로의 출력이 가능한 소위 2출력형이 이상적으로 사용된다.
상기의 종래 집적주파수변환회로(IC)에서 사용되는 국부발진회로에서, VHF국부발진회로(OSCV)가 출력버퍼(BUFV)를 통하여 발진신호출력을 얻기 위해 구성되므로, 출력버퍼(BUFV)의 트랜지스터(Q3,Q4)의 에미터측으로부터 혼합회로(MIXV)로의 출력에 더하여 발진신호출력이 트랜지스터(Q3,Q4)의 콜렉터와 부하저항소자(R6,R7)사이의 연결점으로부터 얻어진다. 이 출력은 PLL회로의 출력이 될 수 있다.
그러나, UHF국부발진회로(OSCU)에서, 단지 한개의 발진신호출력이 혼합회로(MIXU)로 입력되므로, PLL회로를 사용한 주파수동조에 응용하는 것이 어렵다.
콜피츠발진회로를 구성하는 다수의 발진트랜지스터가 다수의 출력을 얻기위해 병렬로 연결되는 구조를 또한 고려할 수 있고, 그들중 하나가 PLL회로에 사용되지만, 이 경우에서 PLL회로의 출력시스템의 수가 두개 즉, VHF국부발진회로(OSCV)의 출력버퍼(BUFv)로부터의 신호출력과 UHF국부발진회로(OSCU)로부터의 신호출력이 된다. 기본적으로 한개의 입력을 가지는 PLL회로로 발진신호를 입력하기 위해, PLL회로로의 연결이 번거로와지고 소자수가 증가하게 되는 등의 문제가 일어나기 때문에 스위칭회로등을 제공하는 것이 필요하게 된다.
또한, VHF혼합회로(MIXV)와 UHF혼합회로(MIXU)가 공통 IF증폭기(AMPIF)로의 혼합의 결과 얻어진 중간주파수신호(IFV,IFU)를 출력하는 사실에 관계없이, 제 4도에 나타낸 것처럼, 양회로는 유사한 구조를 가지고, 서로 완전히 분리되어 구성되고, 그러므로 소자수의 증가가 유도되고 비용의 증가와 크기의 증대가 생기는 문제가 있다.
본 발명의 목적은 고주파수 IC등에서 단자의 수의 감소를 얻을 수 있고, 기생발진의 감소와 이득의 감소를 얻을 수 있고, 적용된 튜너등의 크기의 감소와 비용의 감소를 얻을 수 있는 집적 발진회로를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 발진특성에 영향을 가하지 않고 단일회로에 의해 다수의 발진신호의 균형된 출력을 얻을 수 있고, 전력소비의 감소를 얻을 수 있는 집적 발진회로를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 다수의 발진기로부터 발진출력신호를 다수의 혼합기로 얻는 회로를 제공함으로 IC의 단자수를 감소하는 것이다.
본 발명에 따라, 제 1공진회로와 제 1부하소자에 연결되고, 제 1주파수를 가지는 제 1발진신호를 출력하는 제 1트랜지스터를 포함하는 제 1발진회로와, 제 2공진회로와 제 2부하소자에 연결되고, 제 2주파수를 가지는 제 2발진신호를 출력하는 제 2트랜지스터를 포함하는 제 2발진회로를 포함하는 발진기를 제공한다. 상기 제 1, 제 2트랜지스터는 공통 부하소자에 연결되고, 상기 제 1, 제 2부하소자는 집적공통부하소자로서 형성된다.
또한, 본 발명에 따라, 제 1공진회로에 연결된 제 1발진트랜지스터와, 상기 제 1발진트랜지스터와 상기 부하소자에 연결된 버퍼 트랜지스터를 포함하고, 제 1주파수를 가지는 제 1발진신호를 출력하는 제 1발진회로와 제 2발진회로와 제 1부하소자에 연결된 제 2발진트랜지스터를 포함하고, 제 2주파수를 가지는 제 2발진신호를 출력하는 제 2발진회로를 포함하는 발진기가 제공된다.
또한, 본 발명에 따라, 제 1부하소자에 연결된 제 1트랜지스터를 포함하고 상기 제 1트랜지스터로부터 결과 혼합된 신호를 출력하기 위해 적어도 2개의 신호에서 혼합하는 제 1혼합회로와, 제 2부하소자에 연결된 제 2트랜지스터를 포함하고 상기 제 2트랜지스터로부터 결과 혼합된 신호를 출력하기 위해 적어도 2개의 신호에서 혼합하는 제 2혼합회로를 포함하는 혼합기를 제공한다. 제 1트랜지스터와 제 2트랜지스터는 제 1, 제 2부하소자로 구성되는 공통 부하소자에 연결된다.
본 발명에 따라, 콜렉터가 부하소자에 연결된 다수의 트랜지스터와, 상기 트랜지스터의 베이스에 공통으로 연결된 공진회로를 포함하는 발진기를 제공한다. 트랜지스터가 병렬로 연결되고, 발진신호는 트랜지스터의 콜렉터로부터 출력된다.
본 발명에 따라, 콜렉터가 콜피츠발진회로를 형성하도록 부하소자에 각각 연결된 다수의 쌍트랜지스터와, 다수의 쌍 트랜지스터의 베이스사이에 연결된 공통공진회로를 포함하는 발진기를 제공한다. 다수의 쌍 트랜지스터가 병렬로 연결되고, 발진신호의 균형된 출력이 각 트랜지스터의 콜렉터로부터 출력된다.
본 발명에 따라, 외부공진회로에 연결되고 동작모드에 따라서 다른 레벨로 설정되는 모드스위칭신호의 입력선에 연결되는 연결단자와, 발진소자와, 상기 연결단자에 연결된 바이어스 단자와, 발진소자의 바이어스단자에 인가된 상기 모드스위칭신호의 레벨을 검출하는 검출회로와, 상기 검출회로에서 검출된 레벨에 따라서 발진소자를 구동하는 전원을 온/오프 변환하는 스위칭회로를 포함하는 집적발진회로를 제공한다.
(실시예)
본 발명의 실시예에 대하여 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
먼저 본 발명의 제 1실시예에 대하여 설명한다.
제 5도는 텔레비젼 튜너등에 사용되는 주파수변환회로에 적용되는 본 발명에 따른 발진기의 제 1실시예를 나타내는 회로다이어그램이다.
즉, OSCU는 UHF 국부발진회로, T11∼T14는 외부회로등과 연결단자로서 사용되는 입/출력 단자, RSN3은 외부가변공진회로, C12와 C13은 DC차단 커패시터, C14와 C15는 정귀환용 커패시터, C16은 연결용 커패시터를 각각 나타낸다.
이 회로중에서 UHF국부발진회로(OSCU)는 도시하지 않은 UHF혼합회로, VHF혼합회로, 국부발진회로, 공통 IF증폭기와 함께 집적된다. UHF국부발진회로(OSCU)는 4개의 입출력 단자(T11∼T14)를 통하여 외부가변공진회로(RSN3)에 연결된다.
국부발진회로(OSCU)는 발진 NPN형 트랜지스터(Q31,Q33,Q35,Q37), 부하로서 기능하는 NPN형 트랜지스터(Q32,Q34,Q36,Q38), 저항소자(R31,R32), 정전압원(V11∼V13), 정전류원(I11, I12)으로 이루어지는 콜피츠발진회로에 의해 구성된다.
발진트랜지스터(Q31)의 베이스는 발진트랜지스터(Q35)의 베이스와 입출력단자(T11)에 연결되고 저항소자(R31)를 통하여 정전압원(V11)에 연결된다. 발진트랜지스터(Q31)의 에미터는 입출력단자(T12)에 연결되고, 발진트랜지스터(Q35)의 에미터에 연결된다. 발진트랜지스터(Q31)의 에미터와 발진트랜지스터(Q35)의 에미터의 연결점은 정전류원(I11)에 연결되고, 정전류원(I11)의 다른 단자는 접지선(GND)에 연결된다. 발진트랜지스터(Q31)의 콜렉터는 부하용 트랜지스터(Q32)의 에미터에 연결되고, 제 1차동형 콜피츠(Colpitz) 발진회로의 출력단자(OUT11)는 그것의 연결점으로 구성된다. 이 출력단자(OUT11)는 도시하지않은 집적혼합회로(MIXU)에 연결된다.
부하트랜지스터(Q32)의 베이스는 정전압원(V12)에 연결되고, 콜렉터는 전원전압(VCC)에 연결된다.
발진트랜지스터(Q33)의 베이스는 발진트랜지스터(Q37)의 베이스와 입출력단자(T14)에 연결되고, 저항소자(R32)를 통하여 정전압원(V11)에 연결된다. 발진트랜지스터(Q33)의 에미터는 입출력단자(T13)에 연결되고 발진트랜지스터(Q37)의 에미터에 연결되고, 발진트랜지스터(Q33)의 에미터와 발진트랜지스터(Q37)의 연결점은 정전류원(I12)에 연결되고, 정전류원(I12)은 접지선(GND)에 연결된다. 발진트랜지스터(Q33)의 콜렉터는 부하용 트랜지스터(Q34)의 에미터에 연결되고 제 1차동연산형 콜피츠 발진회로의 출력단자(OUT12)는 그 연결점으로 구성된다. 이 출력단자(OUT12)는 도시하지않은 집적혼합회로(MIXU)에 연결된다.
부하트랜지스터(Q34)의 베이스는 정전압원(V12)에 연결되고, 콜렉터는 전원전압(VCC)에 연결된다.
발진트랜지스터(Q35)의 베이스는 상술한 바와같이 발진트랜지스터(Q31)의 베이스에 연결되고 입출력단자(T11)와 저항소자(R31)를 통하여 정전압원(V11)에 연결된다. 발진트랜지스터(Q35)의 에미터는 상술한 바와같이 발진트랜지스터(Q31)의 에미터에 연결되고 입출력단자(T12)에 연결되고, 발진트랜지스터(Q35)의 에미터와 발진트랜지스터(Q31)의 에미터의 연결점은 정전류원(I11)에 연결된다. 발진트랜지스터(Q35)의 콜렉터는 부하트랜지스터(Q36)의 에미터에 연결되고 제 2차동연산형 콜피츠 발진회로의 출력단자(QUT13)는 그 연결점으로 구성된다. 이 출력단자(QUT13)는 일예로 도시하지않은 PLL회로에 연결된다.
부하트랜지스터(Q36)의 베이스는 정전압원(V13)에 연결되고, 콜렉터는 전원전압(VCC)의 선에 연결된다.
발진트랜지스터(Q37)의 베이스는 상술한 바와같이 발진트랜지스터(Q33)의 베이스에 연결되고 입출력단자(T14)와 저항소자(R32)를 통하여 정전압원(V11)에 연결된다. 발진트랜지스터(Q37)의 에미터는 상술한 바와같이 발진트랜지스터(Q33)의 에미터에 연결되고 입출력단자(T13)에 연결되고 발진트랜지스터(Q37)의 에미터와 발진트랜지스터(Q33)의 연결점은 정전류원(I12)에 연결된다. 발진트랜지스터(Q37)의 콜렉터는 부하트랜지스터(Q38)의 에미터에 연결되고 제 2차동형 콜피츠 발진회로의출력단자(QUT14)는 그 연결점으로 구성된다. 이 출력단자(QUT14)는 일예로 도시하지않은 PLL회로에 연결될 수 있다.
부하트랜지스터(Q38)의 베이스는 정전압원(V13)에 연결되고, 콜렉터는 전원전압(VCC)선에 연결된다.
외부가변 공진회로(RSN3)는 커패시터(C11)를 가변정전용량 다이오드(CV3)와 코일(L10)의 직렬회로에 병렬로 연결함으로 구성된다.
외부가변 공진회로(RSN3)의 코일(L10)과 커패시터(C11)의 연결점은 DC차단 커패시터(C12)와 입출력단자(T11)를 통하여 발진트랜지스터(Q31, Q35)의 베이스에 연결되고, 가변정전용량 다이오드(CV3)의 애노드와 커패시터(C11)의 연결점은 DC차단 커패시터(C13)과 입출력단자(T14)를 통하여 발진트랜지스터(Q33, Q37)의 베이스에 연결된다.
또한, 정귀환커패시터(C14)는 커패시터(C12)와 입출력단자(T11)의 연결점과 입출력단자(T12)사이에 연결되고, 또한, 정귀환커패시터(C15)는 커패시터(C13)와 입출력단자(T14)의 연결점과 입출력단자(T13)사이에 연결된다.
또한, 결합커패시터(C16)는 커패시터(C14)와 입출력단자(T12)의 연결점과 커패시터(C15)와 입출력단자(T13)의 연결점에 즉, 발진트랜지스터(Q31, Q35)의 에미터사이와 발진트랜지스터(Q33, Q37)의 에미터사이에 연결된다.
국부발진회로(OSCU)는 입출력단자(T11,T12,T13,T14)를 통하여 발진트랜지스터(Q31, Q33)의 베이스와 에미터사이에 연결된 커패시터(Q14, Q15)에 의해 정귀환된다. 이것은 발진트랜지스터(Q31, Q35, Q33, Q37)의 베이스에 연결된 외부가변 공진회로(RSN3)의 공진주파수에서 발진하고, 소정의 주파수에서 출력단자(QUT11, QUT12, OUT13, OUT14)로부터 도시하지 않은 UHF혼합회로(MIXU)와 PLL회로로 각각 국부발진 주파수신호(SLU1, SLU2)를 출력한다.
제 1차동연산형 콜피츠 발진회로를 구성하는 발진트랜지스터(Q31, Q33)는 그 각각의 베이스에서 외부가변공진회로(RSN3)를 통하여 서로 연결되어 있고 따라서 서로 위상에 관계없이 발진동작을 수행한다.
유사하게 제 2차동연산형 콜피츠 발진회로를 구성하는 발진트랜지스터(Q35, Q37)는 그 각각의 베이스에서 외부가변공진회로(RSN3)를 통하여 서로 연결되어 있고 따라서 서로 위상에 관계없이 발진동작을 수행한다.
따라서 서로 위상이 다른 국부발진 주파수신호(SLU1, SLU2)가 출력단자(QUT11, QUT12, OUT13, OUT14)로 부터 출력된다.
상기와 같이 본 발진기는 기본구성소자로서 두쌍의 발진트랜지스터(Q31, Q33과 Q35, Q37)를 사용하는 두개의 차동형 콜피츠 발진회로를 포함하고 발진트랜지스터(Q31, Q35)의 베이스와 에미터가 연결되고, 발진트랜지스터(Q33, Q37)의 베이스와 에미터가 연결되고, 각각의 발진트랜지스터(Q31, Q33, Q35, Q37)의 콜렉터가 서로 분리되는 구조를 가진다.
본 실시예의 콜피츠 발진회로는 기본적으로 콜렉터 접지발진회로이다. 즉 콜렉터 접지발진은 트랜지스터의 에미터와 베이스사이에서 발진하는 것이다.
따라서, 트랜지스터의 베이스와 에미터가 본 발진기의 발진트랜지스터(Q31, Q33, Q35, Q37)에 공통으로 연결되면, 발진트랜지스터는 증가된다.
이것은 트랜지스터 고주파특성을 감쇄시키는 베이스저항의 감소와 같다. 발진세기는 증가되고 성능은 좋아지게 된다.
또한, 발진트랜지스터(Q31, Q33, Q35, Q37)의 베이스와 에미터가 공통으로 연결될지라도 각각의 콜렉터는 상술한 바와같이 분리되고, 그러므로 예를들면 출력단자(QUT11, QUT12)가 UHF혼합회로(MIXU)에 연결되고, 출력단자(OUT13, OUT14)는 PLL회로에 연결되면, 신호는 혼합회로(MIXU)에서 PLL회로로 직접 순회하지 않는다.
더우기, 발진신호(SLU1, SLU2)의 출력크기는 발진트랜지스터(Q31, Q33, Q35, Q37)의 콜렉터전류와 부하임피던스 사이의 곱으로 결정된다.
정전류원(I11)으로부터의 전류가 발진트랜지스터(Q31, Q33)의 크기에 비례하여분할되는 동안 발진트랜지스터(Q31, Q33, Q35, Q37)의 콜렉터전류가 흐르고, 정전류원(I12)에 의한 전류가 발진트랜지스터(Q35, Q37)의 크기에 비례하여 분할되는 동안 흐르고, 그러므로 발진트랜지스터의 크기비율과 전류원의 값을 적당하게 선택함으로, 발진신호(SLU1, SLU2)의 출력크기는 자유롭게 설정될 수 있다.
상기 설명한 것처럼, 본 실시예에 따라서, 다수의 발진신호의 균형된 출력이 발진특성에 영향을 주지않고 단일회로에 의해 어떠한 크기에서도 얻어지고, 전력소비의 감소가 얻어지는 이점이 있다.
본 실시예에서, 트랜지스터(Q32, Q34, Q36, Q38)가 부하소자로 이용되지만 소자들이 그것에 제한되지않고 저항소자나 다이오드가 사용될지라도 아무런 문제가 발생되지 않는 것이 주목할 만하다.
부하소자는 발진트랜지스터(Q31, Q33, Q35, Q37)의 콜렉터전류를 전압으로 변환시킨다. 더우기, 본 실시예의 콜피츠발진회로는 기본적으로 상술한 바와같이 콜렉터접지 발진회로이다. 그러므로 발진트랜지스터(Q31, Q33, Q35, Q37)의 콜렉터는 낮은 임피던스에서 접지되고, 발진신호출력의 출력임피던스를 낮추는 기능이 있으므로, 임피던스가 낮은 저항소자를 사용하는 것이 또한 가능하다.
또한, 본 실시예에서 다수의 발진트랜지스터쌍을 사용하는 차동연산형 발진기를 보기로 사용하여 설명하였으나, 발진트랜지스터가 차동연산형이 아니고 제 5도에서 발진트랜지스터(Q31, Q33혹은 Q35, Q37)만을 포함하는 소위 단일구조를 가질지라도 상기 효과와 유사한 효과가 얻어진다고 하는 것은 말할 필요도 없다.
다음에 본 발명의 제 2실시예에 대하여 설명한다.
제 6도는 본 발명에 따른 발진기의 제 2실시예를 나타내는 회로도이다.
본 실시예는 발진트랜지스터(Q31, Q33)의 부하소자로서 npn형 트랜지스터의 사용을 대신하여 낮은 임피던스를 가지는 저항소자(R37, R38)가 사용된다는 점에서 상기 기술한 제 1실시예와 다르다.
본 실시예에서 직렬연결된 npn형 트랜지스터(Q49)와 정전류원(I23)과 npn형 트랜지스터(Q50)와 정전류원(I24)이 전원전압(VCC)과 접지선(GND)사이에 병렬로 연결되고, 발진트랜지스터(Q41)의 콜렉터와 저항소자(R37)와의 연결점은 npn형 트랜지스터(Q49)의 베이스에 연결되고, 발진트랜지스터(Q43)의 콜렉터와 저항소자(R38)의 연결점은 npn형 트랜지스터(Q50)의 베이스에 연결되고, npn형 트랜지스터(Q49)의 에미터와 정전류원(I23)의 연결점은 출력단자(QUT16)가 되고, npn형 트랜지스터(Q50)의 에미터와 정전류원(I24)의 연결점은 출력단자(OUT17)가 되므로써, 다수의 출력이 얻어진다.
또한, 이러한 구조를 가지는 본 실시예에 따른 발진기에서, 상기 제 1실시예의 효과와 유사한 효과가 얻어진다.
상기 구조에 더하여, 예를들면 npn형 트랜지스터는 각각 부하저항소자(R37)와출력단자(QUT16)사이의 연결점과 발진트랜지스터(Q41)의 콜렉터사이와, 부하저항소자(R38)와 출력단자(QUT17)사이의 연결점과 발진트랜지스터(Q3)의 콜렉터사이에서 종속접속되고, 종속접속된 npn형 트랜지스터의 베이스가 접지되므로, 출력단자(OUT16, OUT17)측은 낮은 임피던스로 안정되게 유지된다.
본 발명의 제 3실시예를 다음에 설명한다.
제 7도는 본 발명에 따른 발진기의 제 3실시예를 나타내는 회로다이어그램이다.
본 실시예는 발진트랜지스터(Q31, Q33, Q35, Q37)의 부하소자로서 npn형 트랜지스터를 사용하는 대신에 다이오드(D1, D2)와 저항소자(R45, R46)가 사용된다는 점에서 상기 제 1실시예와 다르다.
구체적으로 제 7도에서, 다이오드(D1, D2)가 발진트랜지스터(Q51, Q53)의 부하소자로서 사용되고 다이오드(D1)의 캐소드는 발진트랜지스터(Q51)의 콜렉터에 연결되고, 다이오드(D2)의 캐소드는 발진트랜지스터(D53)의 콜렉터에 연결된다.
또한, 다이오드(D1, D2)의 애노드는 서로 연결되고, 그들사이의 연결점은 저항소자(R47)를 통하여 전원전압(VCC)에 연결되고, 커패시터(C37)의 한쪽전극에 연결된다. 커패시터(C37)의 다른 전극은 접지선(GND)에 연결된다.
더우기, 에미터 저항소자(R49, R50)는 발진트랜지스터(Q51, Q53)에 각각 연결된다.
부하소자가 다이오드인 경우에, 부하소자가 저항소자인 경우와 비교하여 왜곡이 큰입력에서 증가되고, 그러므로 이 에미터 저항소자(R49, R50)는 이 왜곡을 억압하기 위하여 삽입된다.
또한, 발진트랜지스터(Q55, Q57)의 부하소자로서, 저항소자(R45, R46)가 사용된다. 저항소자(R45)의 일단이 발진트랜지스터(Q55)의 콜렉터에 연결되고, 저항소자(R46)의 일단은 발진트랜지스터(Q57)의 콜렉터에 연결된다.
또한, 저항소자(R45, R46)의 타단은 서로 연결되고, 그 사이의 연결점은 저항소자(R48)를 통하여 전원전압(VCC)에 연결되고 커패시터(C38)의 한쪽 전극에 연결된다. 커패시터(C38)의 다른 전극은 접지선(GND)에 연결된다.
부하소자인 저항소자가 왜곡을 조절하기 때문에 부하소자가 저항소자인 발진트랜지스터(Q55, Q57)의 에미터에 저항소자가 연결되지 않는 것에 주의한다.
이러한 구조에서 저항소자(R47)와 커패시터(C37)와 저항소자(R48)과 커패시터(C38)가 저역통과필터의 기능을 가지고 발진의 고주파수를 감소시킨다.
구조의 나머지는 본 발명의 제 1실시예와 유사하다. 또한 본 실시예에 따른 발진기에서 상기 제 1실시예의 효과와 유사한 효과가 얻어진다.
다음에 본 발명의 제 4, 제 5실시예에 대하여 설명한다.
제 8A도와 제 8B도는 본 발명에 따른 발진기의 제 4, 제 5실시예를 나타내는 회로다이어그램이다.
본 실시예는 두쌍의 발진트랜지스터를 사용하여 얻어진 두 차동출력대신에 n(n은 3이상의 정수)쌍(2×n)의 혹은 n개의 발진트랜지스터가 n개 출력을 얻기위해 사용되는 구조에서 상기 설명한 제 1∼제 3실시예와 다르다.
제 8도에서, 제 8A도는 차동연산형 n출력발진기를 나타내고, 제 8B도는 단일형 n출력발진기를 나타낸다.
구체적으로, 제 8A도에 발진트랜지스터(Q61, Q62, Q63)가 그 베이스에 공통으로 연결되고, 그 베이스는 입출력단자(T26)와 저항(R51)을 통하여 정전압원(V19)에 연결된다.
또한 발진트랜지스터(Q61, Q62, Q63)의 에미터는 서로 공통으로 연결되고 입출력단자(T27)와 정전류원(I31)에 연결되고 정전류원(I31)이 접지선(GND)에 연결된다. 발진트랜지스터(Q61)의 콜렉터는 부하다이오드의 캐소드에 연결되고, 제 1출력단자(OUT25)는 그 사이의 연결점으로부터 구성된다.
발진트랜지스터(Q62, Q63)의 콜렉터는 트랜지스터(Q61)와 같은 방법으로 부하다이오드의 캐소드에 각각연결되고, 제 2출력단자(OUT23)와 제 3출력단자(OUT21)는 그들사이의 연결점으로부터 구성된다. 이 부하다이오드의 애노드측은 전원전압(VCC)의 선에 연결된다.
발진트랜지스터(Q64, Q65, Q66)가 그 베이스에 공통으로 연결되고, 그 베이스는 입출력단자(T29)과 저항(R52)을 통하여 정전압원(V19)에 연결된다. 또한 발진트랜지스터(Q64, Q65, Q66)의 에미터는 서로 공통으로 연결되고 입출력단자(T28)와 정전류원(I32)에 연결되고 정전류원(I32)이 접지선(GND)에 연결된다. 발진트랜지스터(Q66)의 콜렉터는 부하다이오드의 캐소드에 연결되고, 제 1출력단자(OUT26)는 그 사이의 연결점으로부터 구성된다.
발진트랜지스터(Q65, Q64)의 콜렉터는 트랜지스터(Q66)와 같은 방법으로 부하다이오드의 캐소드에 각각 연결되고, 제 2출력단자(OUT24)와 제 3출력단자(OUT22)는 그들사이의 연결점으로부터 구성된다. 이 부하다이오드의 애노드측은 전원전압(VCC)의 선에 연결된다.
이러한 구조를 가지는 본 실시예에 따른 발진기에 있어서, 상기의 제 1실시예의 효과와 같은 방법으로 3세트의 차동출력이 얻어진다. 본 실시예에서 3세트의 경우를 나타내었으나 4세트이상의 경우에도 해당됨을 주목할 수 있다.
또한, 본 실시예에서 부하소자로 다이오드가 사용되는 경우이지만 저항이나 npn형 트랜지스터가 제 1∼제 3실시예에서처럼 사용될지라도 아무런 문제가 되지않는다.
다음은 제 8B도를 설명한다.
발진트랜지스터(Q67, Q68, Q69)가 그 베이스에 공통으로 연결되고, 그 베이스는 입출력단자(T31)와 저항(R54)을 통하여 정전압원(V20)에 연결된다. 또한 발진트랜지스터(Q67, Q68, Q69)의 에미터는 서로 공통으로 연결되고 입출력단자(T32)와 정전류원(I34)에 연결되고 정전류원(I34)이 접지선(GND)에 연결된다. 발진트랜지스터(Q67)의 콜렉터는 부하다이오드의 캐소드에 연결되고, 제 1출력단자(OUT29)는 그 사이의 연결점으로부터 구성된다.
발진트랜지스터(Q68, Q69)의 콜렉터는 트랜지스터(Q66)와 같은 방법으로 부하다이오드의 캐소드에 각각 연결되고, 제 2출력단자(OUT27)와 제 3출력단자(OUT28)는 그들사이의 연결점으로부터 구성된다. 이 부하다이오드의 애노드측은 전원전압(VCC)의 선에 연결된다.
외부가변 공진회로는 입출력단자(T31)와 접지사이에 DC차단 커패시터를 통하여 연결된다. 정귀환 커패시터는 입출력단자(T31, T32)사이에 연결되고, 또한 접지커패시터는 입출력단자(T32)와 접지사이에 연결된다.
상기의 구조에 의해 회로는 콜피츠 발진회로로 동작한다.
또한, 본 실시예에서 부하소자가 다이오드인 경우를 지적하였지만 제 1∼제3실시예에서처럼 저항이나 npn형 트랜지스터가 사용될지라도 아무런 문제가 되지않는다.
이와같은 방법으로 본 실시예에서, 3이상의 출력이 얻어지고 그러므로 매우 일반적이고 실용적인 발진기가 실현된다.
상기에 설명한 바와같이 본 발명에 따라, 다수의 발진신호의 균형된 출력이 발진특성에 영향을 주지않고 단일회로에 의해 어떤 크기로도 얻어질 수 있고, 전력소비의 감소를 얻을 수 있는 매우 일반적이고 유용한 발진기가 실현될 수 있다.
다음에 본 발명의 제 6실시예에 대하여 설명한다.
제 9도는 텔레비젼 튜너용 집적주파수 변환회로에 적용되는 본 발명에 따른 UHF/VHF발진기의 일실시예를 나타내는 회로다이어그램이다.
VHF국부발진회로(OSCV)는 정귀환 차동증폭기형 발진회로를 구성하는 발진npn형 트랜지스터(Q71, Q72)와 발진npn형 트랜지스터(Q71, Q72)의 바이어스 정전압원(V21)과 저항소자(R61, R62, R63)와 정전류원(I40)으로 구성된다.
발진트랜지스터(Q71)의 베이스는 입출력단자(T41)에 연결되고 저항소자(R61)를 통하여 정전압원(V21)에 연결되고 출력버퍼(BUFV)의 npn형 트랜지스터(Q74)의 베이스에 또한 연결된다. 발진트랜지스터(Q71)의 에미터는 정전류원(I40)에 연결되고, 정전류원(I40)의 다른 단자는 접지된다. 발진트랜지스터(Q71)의 콜렉터는 전원전압(VCC)선에 연결된다. 단락구분한 발진트랜지스터(Q72)의 베이스는 입출력단자(T43)에 연결되고 저항소자(R62)를 통하여 정전압원(V21)에 연결되고 또한 출력버퍼(BUFV)의 npn형 트랜지스터(Q73)의 베이스에 연결된다. 발진트랜지스터(Q72)의 에미터는 정전류원(I40)에 연결되고, 콜렉터는 입출력단자(T42)에 연결된다. 또한 저항소자(R63)는 발진트랜지스터(Q72)의 콜렉터와 전원전압(VCC)선에 연결된다.
외부가변 공진회로(RSN6)는 가변정전용량 커패시터(CV6)와 병렬로 연결된 코일(L13)에 의해 구성된다.
외부가변 공진회로(RSN6)의 코일(L13)의 일단과 가변정전용량 커패시터(CV6)의 한 전극사이의 연결점은 접지된다. 코일(L13)의 타단과 가변정전용량 커패시터(CV6)의 다른 전극사이의 연결점은 커패시터(C41)와 입출력단자(T41)를 통하여 발진트랜지스터(Q71)의 베이스에 연결되고 커패시터(C42)와 입출력단자(T42)를 통하여 발진트랜지스터(Q72)의 콜렉터에 연결된다.
또한 커패시터(C43)의 한 전극은 입출력단자(T43)에 연결되고, 커패시터(C43)의 다른 전극은 접지된다.
VHF국부발진회로 OSCV는 입출력단자(T42, T41)를 통하여 발진트랜지스터(Q71)의 베이스로 연결된 외부적으로 부착된 커패시터(C41)에 의해 정귀환으로 된다. 이것은 외부가변 공진회로(RSN6)의 공진주파수에서 발진하고 출력버퍼(BUFV)로 출력한다.
출력버퍼(BUPV)는 npn형 트랜지스터(Q73, Q74), 부하저항소자(R64∼R66), 저항소자(R67∼R70), 정전류원(I41)으로 구성된다.
트랜지스터(Q73)의 베이스는 국부발진회로(OSCV)의 발진트랜지스터(Q72)의 베이스에 상기와 같이 연결되고, 그 에미터는 직렬연결된 저항소자(R67∼R68)를 통하여 정전류원(I41)에 연결되고, 정전류원(I41)의 다른 단자는 접지된다. 트랜지스터(Q73)의 콜렉터는 직렬연결된 부하저항소자(R65, R64)를 통하여 전원전압(VCC)선에 연결된다.
VHF 국부발진회로의 출력단자(OUT33)는 저항소자(R67)와 저항소자(R68)의 연결점으로 구성된다. 이 출력단자(OUT33)는 도시하지 않은 집적VHF 혼합회로(MIXV)에 연결되는 것에 주의한다.
또한 도시하지않은 PLL회로로의 발진신호의 출력단자(OUT37)는 트랜지스터(Q73)의 콜렉터와 부하저항소자(R65)의 연결점으로 구성된다.
트랜지스터(Q74)의 베이스는 상기와 같이 국부발진회로(OSCV)의 발진트랜지스터(Q71)의 베이스에 연결되고, 그 에미터는 직렬연결된 저항소자(R69, R70)를 통하여 정전류원(I41)에 연결된다. 트랜지스터(Q74)의 콜렉터는 부하저항소자(R66)를 통하여직렬연결된 부하저항소자(R65, R64)의 연결점에 연결된다.
VHF국부발진회로의 출력단자(OUT34)는 저항소자(R69)와 저항소자(R70)의 연결점으로 구성됨에 유의한다. 이 출력단자(OUT34)는 도시하지않은 VHF집적혼합회로(MIXV)에 연결된다.
또한, 도시하지않은 PLL회로로의 발진신호의 출력단자(OUT32)는 트랜지스터(Q74)의 콜렉터와 부하저항소자(R66)사이의 연결점으로 구성된다.
다음 UHF국부발진회로(OSCU)에 대하여 설명한다. 이것은 차동연산형 콜피츠 발진회로를 구성하는 npn형 발진트랜지스터(Q78, Q79, Q81, Q82)와, npn형 부하트랜지스터(Q80, Q83)와, 저항소자(R74, R75), 바이어스 정전압원(V22, V23)과, 정전류원(I42, I43)으로 구성된다.
발진트랜지스터(Q78)의 베이스는 발진트랜지스터(Q79)의 베이스와 입출력단자(T46)에 연결되고, 저항소자(R74)를 통하여 정전압원(V23)에 연결된다. 발진트랜지스터(Q78)의 에미터는 입출력단자(T47)에 연결되고 발진트랜지스터(Q79)의 에미터에 연결되고, 발진트랜지스터(Q78)의 에미터와 발진트랜지스터(Q79)의 에미터 사이의 연결점이 정전류원(I42)에 연결되고, 정전류원(I42)은 접지선(GND)에 연결된다. 발진트랜지스터(Q78)의 콜렉터는 부하트랜지스터(Q80)의 에미터에 연결되고, 제 1차동연산형 콜피츠 발진회로의 출력단자(OUT35)는 그들 사이의 연결점에 의해 구성된다. 이 출력단자(OUT35)는 도시하지않은 집적혼합회로(MIXU)에 연결된다.
부하트랜지스터(Q80)의 베이스는 정전압원(V22)에 연결되고 콜렉터는 전원전압(VCC)의 선에 연결된다.
발진트랜지스터(Q79)의 콜렉터는 VHF국부발진회로(OSCV)의 출력버퍼(BUFV)의 트랜지스터(Q73)의 콜렉터와 부하저항소자(R65)사이의 연결점인 PLL회로로의 출력단자(OUT31)에 연결된다.
발진트랜지스터(Q82)의 베이스는 발진트랜지스터(Q81)의 베이스와 입출력단자(T49)에 연결되고 저항소자(R75)를 통하여 정전압원(V23)에 연결된다. 발진트랜지스터(Q82)의 에미터는 입출력단자(T48)에 연결되고 발진트랜지스터(Q81)와 에미터에 연결되고, 발진트랜지스터(Q81)의 에미터와 발진트랜지스터(Q82)의 에미터사이의 연결점은 정전류원(I43)에 연결되고 정전류원(I43)은 접지선(GND)에 연결된다. 발진트랜지스터(Q82)의 콜렉터는 부하트랜지스터(Q83)의 에미터에 연결되고, 제 1차동연산형 콜피츠 발진회로의 출력단자(OUT36)는 그들 사이의 연결점으로 구성된다. 이 출력단자(OUT36)는 도시하지않은 집적혼합회로(MIXU)에 연결된다.
부하트랜지스터(Q83)의 베이스는 정전압원(V22)에 연결되고 콜렉터는 전원전압(VCC)의 선에 연결된다.
발진트랜지스터(Q79)의 콜렉터는 VHF국부발진회로(OSCV)의 출력버퍼(BUFV)의 트랜지스터(Q74)의 콜렉터와 부하저항소자(R66)사이의 연결점인 PLL회로로의 출력단자(OUT32)에 연결된다.
이와같은 방법으로 UHF국부발진회로(OSCU)는 발진트랜지스터(Q79, Q81)의 부하소자와 VHF국부발진회로(OSCV)의 출력버퍼(BUFV)의 부하저항소자(R64∼R66)를 공통으로 사용하고, 또한 PLL회로로의 출력단자(OUT31, OUT32)를 공통으로 사용한다.
외부가변 공진회로(RSN7)는 가변정전용량 다이오드(CV7)와 코일(L14)의 직렬회로에 병렬로 커패시터(C44)를 연결함으로 구성된다.
외부가변 공진회로(RSN7)의 코일(L14)과 커패시터(C44) 사이의 연결점은 DC차단 커패시터(C45)를 통하여 발진트랜지스터(Q78, Q79)의 베이스로의 입출력단자(T46)에 연결되고, 가변정전용량 다이오드(CV7)의 애노드와 커패시터(C44)사이의 연결점은 DC차단 커패시터(C46)를 통하여 발진트랜지스터(Q81, Q82)의 베이스로의 입출력단자(T49)에 연결된다.
또한 정귀환 커패시터(C47)는 커패시터(C45)와 입출력단자(T46)사이의 연결점과 입출력단자(T47)사이에 연결되고, 정귀환 커패시터(C49)는 커패시터(C46)와 입출력단자(T49)사이의 연결점과 입출력단자(T48)사이에 연결된다.
더우기, 결합커패시터(C48)는 커패시터(C47)와 입출력단자(T47)사이의 연결점과 커패시터(C49)와 입출력단자(T48)사이의 연결점사이(발진트랜지스터(Q78, Q79)의 에미터와 발진트랜지스터(Q81, Q82)의 에미터사이)에 연결된다.
UHF국부발진회로(OSCU)는 발진트랜지스터(Q78, Q79, Q81, Q82)의 베이스와 에미터사이에 입출력단자(T46, T47, T48, T49)를 통하여 연결된 외부적으로 부착된 커패시터(C47, C49)에 의해 정귀환된다. 이것은 발진트랜지스터(Q78, Q79, Q81, Q82)의 각각의 베이스에 연결된 외부가변 공진회로(RSN7)의 공진주파수로 발진되고 소정의 주파수로 출력단자(OUT35, OUT36)로 부터 UHF혼합회로(MIXU)로 국부발진 주파수신호(SLU)를 출력한다.
차동연산형 콜피츠 발진회로를 구성하는 발진트랜지스터(Q78, Q79, Q81, Q82)는 각각의 베이스가 외부가변 공진회로(RSN7)를 통하여 서로 연결되어있기 때문에 서로 다른 위상의 발진동작을 수행한다.
따라서 서로 다른 위상을 가지는 국부발진 주파수신호는 출력단자(OUT35,OUT36)로부터 출력된다.
스위칭회로(SW)는 스위칭동작 npn형 트랜지스터(Q76, Q77)와 저항소자(R73, R72, R76)에 의해 구성된다.
스위칭 트랜지스터(Q76)의 베이스는 저항소자(R73)를 통하여 스위칭 트랜지스터(Q77)의 콜렉터에 연결되고, 에미터는 접지되고 콜렉터는 도시하지않은 UHF시스템 전류원에 연결된다.
스위칭 트랜지스터(Q77)의 베이스는 (R76)을 통하여 스위칭단자(T44)에 연결되고, 에미터는 접지되고, 콜렉터와 저항소자사이의 연결점은 고저항소자(R72)를 통하여 전원전압(VCC)선에 연결되며, 콜렉터와 저항소자(R73)사이의 연결점과 고저항소자(R72)와의 연결점은 도시하지않은 VHF시스템 전류원에 연결된다.
다음에 제 10도를 사용하여 UHF, VHF혼합회로와 IF증폭기에 대하여 설명한다.
VHF혼합회로(MIXV)는 npn형 트랜지스터(Q84∼Q89), 저항소자(R80∼R82), 정전류원(I45, I46)으로 구성된다.
트랜지스터(Q84)의 베이스는 VHF국부발진회로(OSCV)의 출력과 트랜지스터(Q87)의 베이스에 연결된다. 트랜지스터(Q84)의 에미터는 트랜지스터(Q85)의 에미터와 트랜지스터(Q88)의 콜렉터에 연결된다. 트랜지스터(Q84)의 콜렉터는 저항소자(R80)를 통하여 전원전압선(VCC)에 연결되고, 콜렉터와 저항소자(R80)사이의 연결점은 트랜지스터(Q86)의 콜렉터에 연결되고 IF증폭기(AMPIF)의 한 입력에 연결된다.
트랜지스터(Q85)의 베이스는 VHF국부발진회로(OSCV)의 출력과 트랜지스터(Q86)의 베이스에 연결되고 콜렉터는 IF증폭기(AMPIF)의 다른 입력에 연결된다.
트랜지스터(Q86)의 에미터는 트랜지스터(Q87)의 에미터와 트랜지스터(Q89)의 콜렉터에 연결된다. 트랜지스터(Q86)의 콜렉터는 IF증폭기(AMPIF)의 한 입력에 연결된다.
트랜지스터(Q87)의 콜렉터는 저항소자(R81)를 통하여 전원전압(VCC)선에 연결되고, 콜렉터와 저항소자(R81)사이의 연결점은 트랜지스터(Q85)의 콜렉터에 연결되고 IF증폭기(AMPIF)의 다른 입력에 연결된다.
트랜지스터(Q88)의 베이스는 VHF의 RF신호(RFV)의 입력선에 연결되고, 에미터는 정전류원(I45)에 연결되고, 정전류원(I45)의 다른 단자는 접지된다.
트랜지스터(Q89)의 베이스는 VHF의 RF신호(RFV)의 입력선에 연결되고, 에미터는 정전류원(I46)에 연결되고, 정전류원(I46)의 다른단자는 접지된다.
또한, 저항소자(R82)는 트랜지스터(Q88)의 에미터와 트랜지스터(Q89)의 에미터사이에 연결된다.
이 VHF혼합회로(MIXV)는 국부발진주파수신호(SLV)를 국부발진회로(OSCV)에 의해 일예로 58.75MHZ의 소정의 주파수에 의해 선택된 채널의 VHF대역폭의 비디오영상 반송파신호(RFV)의 주파수보다 높은 주파수로 혼합하고, 그 사이에서 다른 주파수인 중간주파수신호(IFV)를 추출하고 UHF와 VHF에 공통으로 사용되는 IF증폭기(AMPIF)로 같은 것을 출력한다.
UHF혼합회로(MIXU)는 npn형 트랜지스터(Q90∼Q95), 저항소자(R83), 정전류원(I47, I48)으로 구성된다.
트랜지스터(Q90)의 베이스는 UHF 국부발진회로(USCU)의 출력과 트랜지스터(Q93)의 베이스에 연결된다. 트랜지스터(Q90)의 에미터는 트랜지스터(Q91)의 에미터와 트랜지스터(Q94)의 콜렉터에 연결된다. 트랜지스터(Q90)의 콜렉터는 VHF 혼합회로(MIXV)의 트랜지스터(Q84)의 콜렉터와 저항소자(R80)의 연결점과, 트랜지스터(Q86)의 콜렉터와, IF증폭기(AMPIF)의 한쪽입력에 연결된다.
트랜지스터(Q91)의 베이스는 VHF 국부발진회로(OSCV)의 출력과 트랜지스터(Q92)의 베이스에 연결된다. 트랜지스터(Q91)의 콜렉터는 VHF혼합회로(MIXV)의 트랜지스터(Q87)의 콜렉터와 저항소자(R81)사이의 연결점과 트랜지스터(Q85)의 콜렉터와, IF증폭기(AMPIF)의 다른 입력에 연결된다.
트랜지스터(Q92)의 에미터는 트랜지스터(Q93)의 에미터와 트랜지스터(Q95)의 콜렉터에 연결된다. 트랜지스터(Q92)의 콜렉터는 VHF 혼합회로(MIXV)의 트랜지스터(Q84)의 콜렉터와 저항소자(R80)사이의 연결점과, 트랜지스터(Q86)의 콜렉터와, IF증폭기(AMPIF)의 한 입력에 연결된다.
트랜지스터(Q93)의 콜렉터는 VHF 혼합회로(MIXV)의 트랜지스터(Q87)의 콜렉터와 저항소자(R81)의 사이의 연결점과, 트랜지스터(Q85)의 콜렉터, 트랜지스터(Q91)의 콜렉터, IF증폭기(AMPIF)의 다른 입력에 연결된다.
트랜지스터(Q94)의 베이스는 신호(RFU)의 입력선에 연결되고, 에미터는 정전류원(I47)에 연결되고 정전류원(I47)의 다른 단자는 접지된다.
트랜지스터(Q95)의 베이스는 신호(RFU)의 입력선에 연결되고, 에미터는 정전류원(I48)에 연결되고 정전류원(I48)의 다른 단자는 접지된다.
또한 저항소자(R83)는 트랜지스터(Q94)의 에미터와 트랜지스터(Q95)의 에미터 사이에 연결된다.
이와같은 방법으로, VHF 혼합회로(MIXU)는 저항소자로서 VHF 혼합회로(MIXV)의 부하저항소자(R80, R81)를 공통으로 사용한다.
이 UHF 혼합회로(MIXU)는 국부발진 주파수신호(SLU)를 국부발진회로(OSCU)와 예를들면 58.75MHZ의 소정의 주파수로 선택된 채널의 UHF대역폭의 비디오영상 반송파신호(RFU)의 주파수보다 높은 주파수에서 혼합하고, 그 사이에서 다른 주파수인 중간 주파수신호(IFU)를 추출하고, UHF와 VHF용으로 공통으로 사용되는 IF증폭기(AMPIF)로 같은 것을 출력한다.
다음은 상기 구조에 의한 동작에 대하여 설명한다.
VHF동작에서, 저레벨 "OV"의 UHF/VHF모든 변환신호(SSW)는 일예로 외부제어시스템에 의해 스위칭단자(T44)로 입력된다. 교대로, 스위칭단자(T44)는 개방된다.
이것에 의해, 스위칭 트랜지스터(Q77)의 베이스전위는 "OV"로 되고, 그러므로 스위칭 트랜지스터는 오프상태로 유지된다.
따라서 고저항소자(R72)를 통해서 생성된 전류는 VHF전류원으로 공급된다. 이것에 따라 구동전류는 VHF 국부발진회로(OSCV)와 혼합회로(MIXV)로 공급된다.
또한 고저항소자(R72)를 통해서 생성된 전류는 소정의 신호전압으로서 저항소자(R73)를 통하여 스위칭 트랜지스터(Q76)의 베이스에 인가된다.
이것에 의해서 스위칭 트랜지스터(Q76)는 이 상태에서 온으로 되고, 그것의 콜렉터에 연결된 UHF시스템 전류원은 오프로 된다. 따라서 구동전류는UHF혼합회로(MIXU)와 국부발진회로(OSCU)로 공급되지 않는다.
따라서 VHF방송이 수신되는 VHF 동작모드에서 단지 VHF 국부발진회로(OSCV)와 혼합회로(MIXV)만이 구동되고, 소정의 주파수로 VHF 국부발진회로(OSCV)로부터 선택된 채널의 비디오 영상 반송파신호(RFV)의 주파수보다 높은 주파수를 가지는 국부발진주파수신호(SLV)는 출력버퍼(BUFV)로부터 혼합회로(MIXV)로 출력된다.
이것에 의해 혼합회로(MIXV)는 선택된 채널의 비디오영상 반송파신호(RFV)와 국부발진주파수신호(SLV)를 혼합하고, 그것과 다른 주파수인 중간 주파수신호(SLV)를 추출하고, 이것을 UHF와 VHF용으로 공통으로 사용되는 IF증폭기(AMPIF)에 출력한다.
IF증폭기(AMPIF)에서, 소정의 증폭기능이 실행되는 것에 의해서, VHF의 IF출력이 얻어진다.
이것과는 반대로 UHF 동작에서, 전원전압(VCC)과 같은 레벨의 "9V"의 고레벨의 UHF/VHF 모드변환신호(SSW)가 일예로 외부제어 시스템에 의해 스위칭단자(TSW)로 인가된다.
이것에 의해, 스위칭 트랜지스터(Q77)의 베이스 전위는 고레벨로 되므로 스위칭 트랜지스터(Q77)는 온 상태로 유지된다.
따라서, 고저항소자(R72)를 통하여 생성된 전류는 스위칭 트랜지스터(Q77)를통하여 통과되고 VHF전류원으로 공급되지 않고 콜렉터측은 스위칭 트랜지스터(Q72)에서 "OV"로 유지된다. 이것에 따라, 구동전류는 VHF국부발진회로(OSCV), 출력버퍼(BUFV), 혼합회로(MIXV)로 공급되지않는다.
또한, 스위칭 트랜지스터(Q77)의 콜렉터측은 "OV"로 유지되므로, 스위칭트랜지스터(Q70)는 "OV"로 되고, 그러므로 스위칭 트랜지스터(Q76)는 오프상태로 유지된다.
이것에 의해, 스위칭 트랜지스터(Q76)의 콜렉터에 연결된 UHF시스템전류원은 온으로 바뀐다. 따라서, 구동전류는 UHF혼합회로(MIXU)와 국부발진회로(OSCU)에 공급된다.
따라서, UHF동작모드에서, UHF방송이 수신되면, 단지 UHF국부발진회로(OSCU)와 혼합회로(MIXU)만이 구동되고, 소정의 주파수에 의해 선택된 채널의 비디오영상 반송파신호(RFU)의 주파수보다 높은 주파수에서 국부발진 주파수신호(SLU)는 VHF출력버퍼(BUFV)의 부하저항소자(R65, R66)에 연결된 발진트랜지스터(Q78, Q79)의 콜렉터를 가지는 발진트랜지스터(Q78, Q79)로부터 혼합회로(MIXU)로 출력된다.
이때, 상기와 같이 구동전류는 VHF국부발진회로(OSCV)와 출력버퍼(BUFV)에 공급되지 않고, 그러므로 UHF국부발진회로(OSCU)의 발진 동작상에 아무런 영향도 받지않는다.
이것에 의해, 혼합회로(MIXU)는 선택된 채널의 비디오 영상 반송파 신호(RFU)와 국부발진 주파수신호(SLU)를 혼합하고, 그 사이에서 다른 주파수인 중간주파수 신호(IFU)를 추출하고, 이것을 UHF와VHF용으로 공통으로 사용되는 IF증폭기(AMPIF)로 출력한다.
IF증폭기(AMPIF)에서, 소정의 증폭기능이 수행되는 것에 의해서, UHF의 IF출력이 얻어진다.
또한, UHF/VHF동작에 관계없이, 동작모드에 따른 발진신호가 VHF국부발진회로(OSCV)의 출력버퍼(BUFV)의 트랜지스터(Q73, Q74)의 콜렉터와 부하저항소자(R65, R66)사이의 중간연결점인 출력단자(OUT31, OUT32)로부터 PLL회로로 출력된다.
상기처럼, 본 실시예에 따라, UHF국부발진회로(OSCU)에서 발진트랜지스터(Q79, Q81)의 부하소자로서 동시에 구동되지않는 VHF국부발진회로(OSCV)의 출력버퍼(BUFV)의 부하저항소자(R64∼R66)가 공통으로 사용되고, 또한 PLL회로로의 출력단자(OUT31, OUT32)가 공통으로 사용되도록 구성된다. 그러므로, 소자수의 감소가 얻어지고, 기본적으로 한개의 입력을 가지는 PLL회로로의 출력수가 한개가 되고, 스위칭 회로 등을 제공할 필요가 없어지게 된다. 그러므로 PLL회로의 연결이 쉬워지고 소자수가 증가되지 않는 장점이 있다.
또한, 회로가 동시에 구동되지 않고 공통으로 사용되는 IF증폭기(AMPIF)로 혼합의 결과로서 얻어진 중간 주파수신호(IFV, IFU)를 출력하는 VHF혼합회로(MIXV)와 UHF혼합회로(MIXU)의 부하소자가 VHF혼합회로(MIXV)의 부하저항소자(RM80, RM81)로서 공통으로 사용되는 구조이기 때문에, 소자수의 감소가 얻어지고 IF증폭기(AMPIF)로의 연결이 쉬워지는 장점이 있다.
따라서, 본 실시예의 회로에 따른 비용의 절감과 크기의 감소가 얻어질 수 있다.
상기에서 처럼, 본 발명에 따라, 소자수를 감소시킬 수 있고 회로의 단순화, 비용의 절감, 크기의 감소를 얻을 수 있는 발진기와 혼합기가 실현될 수 있다.
본 발명의 제 7실시예에 대하여 다음에 설명한다.
제 11도는 본 발명에 따른 텔레비젼 튜너의 집적 발진 회로부의 제 7실시예를 나타내는 회로도이다.
즉, IC는 집적 주파수 변환회로, OSCU는 UHF국부발진회로, SW는 스위칭회로, LPF는 저역통과 필터, DT는 검출회로, (T51∼T54)는 외부회로 등과의 연결단자로서 사용되는 입출력단자, RSN8는 가변공진회로, R97은 외부에 접속된 저항소자, (C52, C53)는 DC차단 커패시터, (C54, C55)는 정귀환용 커패시터, C56은 연결커패시터를 각각 나타낸다.
이 회로중에서, UHF국부발진회로(OSCU), 저역통과 필터(LPF), 검출회로(DT), 스위칭회로(SW)가 집적되고, UHF국부발진회로(OSCU)가 4개의 입출력단자(T51∼T54)를 통하여 외부가변 공진회로(RSN8)에 연결되고, 입출력단자(T51)를 통하여 UHF/VHF모드변환신호(SSW)의 입력단(T55)에 연결된다.
국부발진회로(OSCU)는 npn형 발진트랜지스터(Q101)로 구성되는 제 1콜피츠 발진회로, 그 부하용 npn형 발진트랜지스터(Q102), npn형 발진트랜지스터(Q103)로 구성되는 제 2콜피츠 발진회로, 그 부하dyd npn형 트랜지스터(Q104), 저항소자(R91, R93, R94), 부하트랜지스터(Q102, Q104)의 바이어스 정전압원(V31), 정전류원(I51, I52)으로 구성된다.
발진트랜지스터(Q101)의 베이스는 입출력단자(T51)에 연결되고 저항소자(R91)를 통하여 접지선(GND)에 연결되고, 그들 사이의 연결점은 저역통과필터(LPF)의 입력에 연결된다.
발진트랜지스터(Q101)의 에미터는 입출력 단자(T52)와 정전류원(I51)에 연결되고, 정전류원(I51)은 접지선(GND)에 연결된다.
발진트랜지스터(Q101)의 콜렉터는 부하용 트랜지스터(Q102)의 에미터에 연결되고, 제 1 콜피츠 발진회로의 출력단자(OUT41)는 그들 사이의 연결점으로 구성된다.이 출력단자(OUT41)는 도시하지 않은 집적혼합회로(MIXU)에 연결된다.
부하 트랜지스터(Q102)의 베이스는 정전압원(V31)에 연결되고, 콜렉터는 전원전압(VCC)선에 연결된다.
발진트랜지스터(Q103)의 베이스는 입출력단자(T54)에 연결되고 저항소자(R93, R94)사이의 연결점에 연결된다. 발진트랜지스터(Q103)의 에미터는 입출력단자(T53)와 정전류원(I52)에 연결되고, 정전류원(I52)는 접지선(GND)에 연결된다. 발진트랜지스터(Q103)의 콜렉터는 부하트랜지스터(Q104)의 에미터에 연결되고, 제 2콜피츠 발진회로의 출력단자(OUT42)는 그들 사이의 연결점으로 구성된다. 이 출력단자(OUT42)는 도시하지않은 집적혼합회로(MIXU)에 연결된다.
부하트랜지스터(Q102)의 베이스는 정전압원(V31)에 연결되고, 콜렉터는 전원전압(VCC)의 선에 연결된다.
발진트랜지스터(Q103)의 베이스 입출력단자(T54)에 연결되며 저항소자(R93, R94)사이의 연결점에 연결된다. 발진트랜지스터(Q103)의 에미터는 입출력단자(T53)에 연결되며 정전류원(I52)에 연결되고, 정전류원(I52)은 접지선(GND)에 연결된다. 발진트랜지스터(Q103)의 콜렉터는 부하트랜지스터(Q104)의 에미터에 연결되고, 제 2콜피츠발진회로의 출력단자(OUT42)는 그들 사이의 연결점으로 구성된다. 이 출력단자(OUT42)는 도시하지않은 집적혼합회로(MIXU)에 연결된다.
부하 트랜지스터(Q104)의 베이스는 정전압원(V31)에 연결되고, 콜렉터는 전원전압(VCC)선에 연결된다.
외부 가변공진회로(RSN8)는 가변정전용량 다이오드(CV8)와 코일(L15)의 직렬회로에 커패시터(C51)를 병렬로 연결함으로 구성된다.
외부 가변공진회로(RSN8)의 코일(L15)과 커패시터(C51)사이의 연결점은 DC차단 커패시터(C52)를 통하여 입출력단자(T51)(발진트랜지스터(Q101)의 베이스)에 연결되고, 가변정전용량 다이오드(CV8)의 애노드와 커패시터(C51)사이의 연결점은 DC차단 커패시터(C53)를 통하여 입출력단자(T54)(발진트랜지스터(Q103)의 베이스)에 연결된다.
또한 정귀환 커패시터(C54)는 커패시터(C52)와 입출력단자(T51)사이의 연결점과 입출력단자(T52)사이에 연결되고, 정귀환 커패시터(C55)는 커패시터(C53)와 입출력단자(T54)사이의 연결점과 입출력단자(T53) 사이에 연결된다.
더우기, 결합 커패시터(C56)는 커패시터(C54)와 입출력단자(T52)사이의 연결점과 커패시터(C55)와 입출력단자(T53)사이의 연결점사이(발진트랜지스터(Q101)의 에미터와 발진트랜지스터(Q103)의 에미터사이)에 연결된다.
국부발진회로(OSCU)는 입출력단자(T51,T52,T53,T54)를 통하여 발진트랜지스터(Q101,Q103)의 베이스와 에미터사이에 연결된 외부부착 커패시터(C54,C55)에 의해 정귀환된다. 발진트랜지스터(Q101,Q103)의 각각의 베이스에 연결된 외부가변 공진회로(RSN8)의 공진주파수에 의해 발진하고, 소정의 주파수에서 출력단자(OUT41,OUT42)에서 UHF혼합회로(MIXU)로 국부발진주파수신호(SLU)를 출력한다.
제 1, 제 2콜피츠 발진회로를 구성하는 발진트랜지스터(Q101,Q103)는 각각의 베이스가 외부 가변공진회로(RSN8)를 통하여 서로 연결되어 있기 때문에 서로 역위상으로 발진동작을 실행하는 것에 유의한다.
따라서, 서로 역위상을 가지는 국부발진주파수신호(SLU)는 외부단자(OUT41, OUT42)로부터 출력된다.
또한, 외부부착된 저항소자(R97)가 입출력단자(T51)와 DC차단 커패시터(C52)사이의 중간 연결점(B)와 UHF/VHF 모드변환신호(SSW)의 입출력단자(TSW)사이에 연결된다.
따라서, 집적주파수변환회로(IC)에서, 발진트랜지스터(Q101)의 베이스와 외부가변공진회로(RSN8)사이의 연결단자와 UHF/VHF 모드 변환 신호(SSW)의 입력단자는 한개의 입출력단자(T51)를 공통으로 사용하게 된다.
외부부착된 저항소자(R97)의 저항치는 내부 저항소자(R94)와 같은 값으로 설정된다.
국부발진회로(OSCU)에서, 그 레벨이 UHF.VHF모드에 따라 스위칭함으로 변화되는 UHF/VHF모드 변환신호(SSW)의 전압을 분할함으로 얻어진 전압이 바이어스 전압으로서 내부저항소자(R91)와 외부부착된 저항소자(R97)에 의해 발진트랜지스터(Q101)의 바이어스 단자로서의 베이스에 인가된다.
또한, 내부 저항소자(R93, R94)는 접지선(GND)과 전원전압선(VCC)에 직렬로 연결되고, 두 저항소자(R93, R94)에 의해 전원전압(VCC)을 분할함으로 얻어진 전압은 바이어스 전압으로서 발진트랜지스터(Q103)의 바이어스단자로서의 베이스에 인가된다.
저역통과필터(LPF)는 저항소자(R96)와 커패시터(C60)로 구성되고, 입출력단자(T51)를 통하여 연결점(A)에서 나타나는 발진신호와 UHF/VHF모드 변환신호(SSW)사이의 발진신호를 감쇄시키고, 같은 것을 검출회로(DT)에 출력한다.
이 저역통과필터(LPF)에서, 저항소자의 일단이 입력단을 구성하고, 이것이 발진트랜지스터(Q101)에 연결되고 입출력단자(T51)와 저항소자(R91)사이의 연결점에 연결되고, 저항소자(R96)의 타단은 커패시터(C60)의 한 전극에 연결되고,커패시터(C60)의 다른 전극은 접지선(GND)에 연결되고, 저항소자(R96)의 타단과 커패시터(C60)의 한 전극 사이의 연결점은 출력단을 구성하고, 이것은 검출회로(DT)의 입력에 연결된다.
검출회로(DT)는 pnp형 트랜지스터(Q108, Q107)로 구성되는 차동연산형 비교기, 정전압원(V32), 정전류원(I53)으로 구성되고, 동작모드에 따른 레벨로 UHF/VHF 모드 변환신호(SSW) 입력레벨을 검출하고, 스위칭회로(SW)로 검출레벨에 따른 레벨의 검출신호(SDT)를 출력한다.
이 검출회로(DT)에서, pnp형 트랜지스터(Q108)의 베이스는 입력단을 구성하고, 이것은 저역통과필터(LPF)의 저항소자(R96)의 타단과 커패시터(C60)의 한 전극 사이의 연결점을 포함하는 출력단에 연결된다. pnp형 트랜지스터(Q108)의 에미터는 정전류원(I53)에 연결되고, 콜렉터는 접지선(GND)에 연결된다. 또한, 정전류원(I53)은 전원전압(VCC)에 연결된다.
pnp형 트랜지스터(Q107)의 베이스는 정전압원(V32)에 연결되고, 에미터는 정전류원(I53)에 연결되고, 콜렉터는 스위칭회로(SW)의 입력에 연결되는 검출신호(SDT)의 출력단을 구성한다.
정전압원(V32)이 UHF/VHF 동작의 문턱전압을 결정하는 것에 유의한다. 그 레벨이 내부저항소자(R91)와 외부 부착 저항소자(R97)의 저항의 분할에 의해 결정되는 발진트랜지스터(Q101)의 베이스전위와 "OV"사이의 중간레벨의 값으로 설정된다.
스위칭회로(SW)는 스위칭연산 npn형 트랜지스터(Q105, Q106), 저항소자(R95), 정전류원(I54)으로 구성되고, 도시하지 않은 UHF 시스템 전류원과 VHF전류원을 검출신호(SDT)의 입력레벨에 따라 온과 오프로 상보적으로 바꾼다.
이 스위칭회로(SW)에서, 스위칭트랜지스터(Q105)의 베이스는 저항소자(R95)를 통하여 스위칭 트랜지스터(Q106)의 콜렉터에 연결되고, 에미터는 접지선(GND)에 연결되고, 콜렉터는 도시하지 않은 UHF 시스템 전류원에 연결된다.
스위칭 트랜지스터(Q106)의 베이스는 검출회로(DT)의 출력단인 pmp형 트랜지스터(Q107)의 콜렉터에 연결된 입력단을 구성한다. 스위칭 트랜지스터(Q106)의 에미터는 접지선(GND)에 연결되고, 콜렉터와 저항소자(R95)사이의 연결점은 정전류원(I54)에 연결되고, 정전류원(I54)는 전원전압(VCC)선에 연결된다. 또한, 콜렉터와 저항소자(R95)사이의 연결점과 정전류원(I54)과의 연결점은 도시하지 않은 VHF시스템 전류원에 연결된다.
다음은 상기 구조에 의한 동작을 설명한다. 여기서, UHF, VHF사이의 모드 변환동작에 대하여 설명하고, 국부발진회로(OSCU)의 발진동작에 대한 설명은 생략하였음에 유의한다.
VHF동작에서, 저레벨"OV"의 UHF/VHF모드 변환신호(SSW)는 일예로 도시하지 않은 외부제어시스템에 의해 입력단(T55)으로 입력된다. 교대로, 입력단(T55)은 개방된다.
입력단(T55)으로 입력된 UHF/VHF모드 변환신호(SSW)는 입출력단자(T51)에서 집적회로(IC)로 외부부착 저항소자(R97)를 통하여 입력되고, 연결점(A)을 통하여 발진트랜지스터(Q101)의 베이스로 입력되고, 저역통과필터(LPF)로 입력된다. 이때, 트랜지스터(Q101)의 베이스는 "OV"가 된다.
저역통과필터(LPF)에서, DC성분이 얻어지고, 이 DC성분은 검출회로(DT)의 pnp형 트랜지스터(Q108)의 베이스로 입력된다. 이 때, UHF/VHF모드 변환신호(SSW)는"OV"이고 그러므로 또한 입력 DC성분은 "OV"이다.
따라서, pnp형 트랜지스터(Q108)의 베이스전위는 pnp형 트랜지스터(Q107)의 베이스전위보다 낮게 되고, pnp형 트랜지스터(Q108)는 온상태로 유지되고, pnp형 트랜지스터(Q107)는 오프상태로 유지된다.
그 결과, 정전류원(I53)의 전류는 모두 pnp형 트랜지스터(Q108)로 통과되고, 그러므로 pnp형 트랜지스터(Q107)의 콜렉터는 "OV"로 된다. 이것에 의해, "OV"(저레벨)의 검출신호(SDT)가 스위칭회로(SW)의 스위칭트랜지스터(Q106)의 베이스로 입력된다.
이것에 따라, 스위칭트랜지스터(Q106)의 베이스전위는 "OV"로 되므로 스위칭트랜지스터(Q106)는 오프상태로 유지된다.
따라서, 정전류원(I54)에 의한 전류가 VHF전류원으로 공급된다. 따라서, 구동전류는 VHF혼합회로(MIXV)와 국부발진회로(OSCV)로 공급된다.
또한, 정전류원(I54)에 의한 전류는 저항소자(R95)를 통해 소정의 전압신호로서 스위칭트랜지스터(Q105)의 베이스에 인가된다.
이것에 의해, 스위칭트랜지스터(Q105)는 온상태로 유지되고, 그 결과 콜렉터에 연결된 UHF시스템 전류원은 오프로 된다.
따라서, 구동전류는 UHF혼합회로(MIXU)와 국부발진회로(OSCU)로 공급되지 않는다.
이것과 반대로, UHF동작에서, 전원전압(VCC)과 같은 레벨의 고레벨인 "9V"의 UHF/VHF모드변환신호(SSW)는 일예로 도시하지 않은 외부제어시스템에 의해 입력단으로 입력된다.
입력단(T55)으로 입력된 UHF/VHF 모드변환신호(SSW)가 입출력단자(T51)로부터집적회로(IC)로 외부부착저항소자(R97)를 통하여 입력되고, 연결점(A)을 통하여 발진트랜지스터(Q101)의 베이스로 입력되고, 동시에 저역통과필터(LPF)로 입력된다. 이때, 발진트랜지스터(Q101)의 베이스는 "9V"를 내부저항소자(R91)와 외부저항소자(R97)에 의해 분할함으로 얻어진 전위로 된다. 상기 점(A)에서 전위는 "VA"로 지정된다.
또한, 외부부착커패시터(C54)에 의해 정귀환으로서 귀환된 발진신호는 연결점(A)에서 입출력단자(T51)를 통하여 나타나고, 저역통과필터(LPF)로 입력된다.
저역통과필터(LPF)에서, 발진신호는 감쇄되므로 DC성분이 얻어지고, DC성분은 검출회로(DT)의 pnp형 트랜지스터(Q108)의 베이스로 입력된다. V32는 "VA"와 "OV"의 중간레벨의 전위로 결정되는 한편, pnp형 트랜지스터(Q108)의 베이스전위는 pnp형 트랜지스터(Q107)의 베이스전위에 대하여 상승되고, pnp형 트랜지스터(Q108)는 오프상태로 유지되고, pnp형 트랜지스터(Q107)는 온상태로 유지된다.
그 결과, 정전류원(I53)의 전류는 pnp형 트랜지스터(Q107)를 통하여 모두 통과되고, 그러므로 pnp형 트랜지스터(Q107)의 콜렉터는 고전위(고레벨)로 된다. 이것에 의해, 고레벨검출신호(SDT)는 스위칭회로(SW)의 스위칭트랜지스터(Q106)의 베이스로 입력된다.
이것에 의해, 스위칭트랜지스터(Q106)의 베이스전위는 고레벨로 되고, 그러므로 스위칭트랜지스터(Q106)는 온상태로 유지된다.
따라서, 정전류원(I54)에 의한 전류는 스위칭트랜지스터(Q106)를 통하여 흐르고, VHF전류원으로 공급되지 않고, 스위칭트랜지스터(Q106)의 콜렉터측은 "OV"로 유지된다. 이에 따라, 구동전류는 VHF혼합회로(MIXV)와 국부발진회로(OSCV)로 공급되지 않는다.
또한, 콜렉터측이 스위칭트랜지스터(Q106)에서 "OV"로 유지되기 때문에, 스위칭트랜지스터(Q105)의 베이스전위는 "OV"로 되고, 그러므로 스위칭트랜지스터(Q105)는 오프상태로 유지된다.
이것에 의해, 스위칭트랜지스터(Q105)의 콜렉터에 연결된 UHF시스템 전류원은 온으로 변한다. 따라서, 구동전류는 UHF혼합회로(MIXU)와 국부발진회로(OSCU)로 공급된다.
상기 설명에서처럼, 본 실시예에 따라서 UHF혼합회로(MIXU)와 국부발진회로(OSCU), VHF혼합회로(MIXV)와 국부발진회로(OSCV), 중간주파수신호를 UHF 혼합회로(MIXU)로 증폭하고 중간주파수신호를 VHF 혼합회로(MIXV)로 증폭하는 IF증폭기를 단일칩으로 형성함으로 구성된 집적주파수변환회로(IC)에서, UHF와 VHF모드사이를 변화시키기 위한 단자로 UHF국부발진회로(OSCU)의 외부가변공진회로(RSN8)와 연결하기 위해 입출력단자(T51)가 공통으로 사용되고, 모드에 따른 레벨에서 입력된 UHF/VHF 모드 변환신호(SSW)의 레벨은 검출회로(DT)에서 검출되고, 검출레벨에 따른 레벨의 검출신호(SDT)가 스위칭 회로(SW)로 입력되고, UHF 시스템전류원과 VHF 시스템전류원이 상보적으로 온과 오프로 변환되고, 그러므로, 단자수의 감소가 얻어지도록 구성된다.
그 결과, 집적주파수변환회로(IC)를 작은 패키지안에 장착할 수 있고, 기생발진의 감소와 이득의 감소가 얻어지고, 튜너등의 크기의 감소와 비용의 감소가 얻어지는 장점이 있다.
제 11도에서, 전압분할용의 저항소자(R94)와 저항소자(R97)가 내부저항과 외부저항이고 따라서 저항값의 차이가 발생하고, 작은 전위차가 때때로 발진트랜지스터(Q101, Q103)사이의 베이스 바이어스에서 발생된다.
그러나, 전류와 콜렉터전위가 IC내에서 같은 조건으로 설정되고, 또한 외부가변공진회로(RSN8)의 DC성분이 정전용량연결에 의해 차단되고, 그러므로 국부발진회로(OSCU)의 차동발진특성에 아무런 영향도 주지 않는다.
상기에 설명한 것처럼, 본 발명에 따라서, 단자수의 감소가 얻어지고, 그 결과 집적회로를 작은 패키지안에 장착하는 것이 가능하고, 기생발진의 감소와 이득의 저하가 얻어지고, 적용된 튜너의 크기의 감소와 비용의 감소가 얻어질 수 있다.
제 1도는 UHF/VHF에 채택된 텔레비젼 튜너 회로의 블럭다이어그램이다.
제 2도는 일반적인 VHF 국부 발진기의 구조의 일예를 나타내는 회로도이다.
제 3도는 일반적인 UHF 국부 발진기의 구조의 일예를 나타내는 회로도이다.
제 4도는 일반적인 혼합기의 구조의 일예를 나타내는 회로도이다.
제 5도는 본 발명의 제 1실시예에 따른 발진기의 회로 다이어그램이다.
제 6도는 본 발명의 제 2실시예에 따른 또 다른 발진기의 회로 다이어그램이다.
제 7도는 본 발명의 제 3실시예에 따른 또 다른 발진기의 회로 타이어그램이다.
제 8A도와 제 8B도는 본 발명의 제 4, 제 5실시예에 따른 또 다른 발진기의 회로 다이어그램이다.
제 9도는 본 발명의 제 6실시예에 따른 발진기와 그것에 사용되는 버퍼회로와 스위치회로를 나타낸다.
제 10도는 본 발명의 제 7실시예에 따른 UHF, VHF혼합기의 회로 다이어그램을 나타낸다.
제 11도는 본 발명의 제 8실시예에 따른 발진기의 스위칭회로의 다이어그램을 나타낸다.

Claims (4)

  1. 발진기에 있어서,
    베이스가 제 1공진회로(RSN6)에 연결되어 있고, 에미터는 제 1출력단자(Out34)에 연결되어 있으며, 콜렉터가 제 1부하소자(R66)에 연결되어 있고, 제 1주파수를 가지는 제 1발진신호를 출력하는 제 1트랜지스터(Q74)를 포함하는 제 1발진회로(OSCv와 BUFv)와,
    베이스가 제 2공진회로(RSN7)에 연결되어 있고, 에미터가 전류원(I43)에 연결되어 있으며, 콜렉터가 제 2부하소자(R66)에 연결되어 있으며, 제 2주파수를 가지는 제 2발진신호를 출력하는 제 2트랜지스터(Q81)를 포함하는 제 2발진회로(OSCu)로 구성되며,
    상기 제 1트랜지스터(Q74)와 상기 제 2트랜지스터(Q81)는 공통 부하소자(R66)에 연결되어 있으며,
    상기 제 2발진회로(OSCu)의 발진 트랜지스터(Q79)의 콜렉터는 제 2출력단자(Out31)에 연결되어 있는 발진기.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1발진회로와 상기 제 2발진회로는 상보적으로 온/오프하는 것을 특징으로하는 발진기.
  3. 발진기에 있어서,
    베이스가 제 1공진회로(RSN6)에 연결되어 있고, 에미터가 전류원(I40)에 연결되어 있으며, 콜렉터가 저항소자(R53, R64)에 연결되어 있는 제 1발진 트랜지스터(Q71)와, 베이스가 상기 제 1발진 트랜지스터(Q71)의 베이스에 연결되어 있고, 에미터가 제 1출력단자(Out34)에 연결되며, 콜렉터가 제 1부하소자(R66)에 연결되어 있는 버퍼 트랜지스터(Q74)를 포함하며, 제 1주파수를 가지는 제 1발진신호를 출력하는 제 1발진회로(OSCv와 BUFv)와,
    베이스가 제 2공진회로(RSN7)에 연결되어 있고, 에미터가 전류원(I43)에 연결되며, 콜렉터가 상기 제 1부하소자(R66)에 연결되어 있으며, 제 2주파수를 가지는 제 2발진신호를 출력하는 제 2발진 트랜지스터(QQ81)를 포함하는 제 2발진회로(OSCu)로 구성되어 있으며,
    상기 버퍼 트랜지스터(Q74)와 상기 제 2트랜지스터(Q81)의 콜랙터들은 공통부하소자(R66)에 연결되어 있으며,
    상기 제 2발진회로(OSCu)의 발진 트랜지스터(Q79)의 콜랙터는 제2출력단자(Out31)에 연결되어 있는 발진기.
  4. 발진기에 있어서,
    콜렉터들이 각각 부하소자들(Q32, Q34, Q36, Q38)에 연결되며, 에미터들이 각각 전류원(I11, I12)에 연결되어 있는 다수의 트랜지스터들의 쌍(Q31, Q33), (Q35, Q37)으로 구성되는 콜핏츠 발진회로와,
    상기 다수의 트랜지스터들의 쌍들의 베이스들 사이에 연결되어 있는 공통의 공진회로(RSN3)를 구비하며,
    상기 다수의 트랜지스터들의 쌍들은 병렬로 연결되어 있으며, 발진신호들의 균형된 출력은 각 트랜지스터의 상기 콜렉터들로부터 출력되는 발진기.
KR1019930029378A 1992-12-28 1993-12-23 발진기 KR100366196B1 (ko)

Applications Claiming Priority (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP36217492A JP3271343B2 (ja) 1992-12-28 1992-12-28 集積化発振回路
JP92-362174 1992-12-28
JP36217692A JP3303380B2 (ja) 1992-12-28 1992-12-28 発振器およびそれを用いた周波数変換回路
JP4362175A JPH06204744A (ja) 1992-12-28 1992-12-28 発振器
JP92-362176 1992-12-28
JP92-362175 1992-12-28
FR92-362174 1992-12-28
FR92-362175 1992-12-28
FR92-362176 1992-12-28

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020000050324A Division KR100378835B1 (ko) 1992-12-28 2000-08-29 혼합기

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR940017101A KR940017101A (ko) 1994-07-25
KR100366196B1 true KR100366196B1 (ko) 2003-03-03

Family

ID=27341663

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019930029378A KR100366196B1 (ko) 1992-12-28 1993-12-23 발진기
KR1020000050324A KR100378835B1 (ko) 1992-12-28 2000-08-29 혼합기

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020000050324A KR100378835B1 (ko) 1992-12-28 2000-08-29 혼합기

Country Status (2)

Country Link
US (2) US5525937A (ko)
KR (2) KR100366196B1 (ko)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11127086A (ja) 1997-08-19 1999-05-11 Alps Electric Co Ltd Ｕｈｆ及びｖｈｆ共用チューナ
US6263199B1 (en) * 1998-12-14 2001-07-17 Motorola, Inc. Circuit and method of signal frequency conversion
JP2000357919A (ja) * 1999-06-16 2000-12-26 Alps Electric Co Ltd 切替型発振回路
JP3450290B2 (ja) * 2000-10-17 2003-09-22 山形日本電気株式会社 液晶パネル駆動回路
US6661297B2 (en) * 2000-12-20 2003-12-09 Tektronix, Inc. Multi-octave wideband voltage controlled oscillator
US20020127992A1 (en) * 2001-03-08 2002-09-12 Fransis Bert L. Wideband local oscillator architecture
US20020127985A1 (en) * 2001-03-08 2002-09-12 Fransis Bert L. Wideband local oscillator architecture
JP4167852B2 (ja) * 2001-10-22 2008-10-22 富士通株式会社 ミキサ回路、受信回路、及び周波数比較回路
TW200904008A (en) * 2007-07-13 2009-01-16 Realtek Semiconductor Corp Voltage control oscillator
US8929840B2 (en) * 2007-09-14 2015-01-06 Qualcomm Incorporated Local oscillator buffer and mixer having adjustable size
US8599938B2 (en) * 2007-09-14 2013-12-03 Qualcomm Incorporated Linear and polar dual mode transmitter circuit
US8639205B2 (en) * 2008-03-20 2014-01-28 Qualcomm Incorporated Reduced power-consumption receivers
TW200950309A (en) * 2008-05-21 2009-12-01 Ralink Technology Corp Resonator circuit and voltage-controlled oscillator using the same

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55112006A (en) * 1979-02-21 1980-08-29 Nec Corp Oscillator
JPS5814603A (ja) * 1981-07-20 1983-01-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電圧制御型発振器
JPH01173908A (ja) * 1987-12-28 1989-07-10 Hitachi Ltd 発振装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55121740A (en) * 1979-03-14 1980-09-19 Alps Electric Co Ltd Television voice receiving tuner
JPS5765904A (en) * 1980-10-13 1982-04-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Frequency converter
US4621241A (en) * 1985-06-07 1986-11-04 Vari-L Company, Inc. Wide range electronic oscillator
JP2580116B2 (ja) * 1985-12-16 1997-02-12 ソニー株式会社 Ｉｃ化高周波可変周波数発振回路
NL8600422A (nl) * 1986-02-20 1987-09-16 Philips Nv Transconductantieversterker.
JPH0642614B2 (ja) * 1987-06-11 1994-06-01 株式会社日立製作所 ミクサ回路
JPH0221709A (ja) * 1988-07-11 1990-01-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 周波数変調器
JPH02130867A (ja) * 1988-11-10 1990-05-18 Seiko Epson Corp 集積回路
US5115317A (en) * 1989-12-22 1992-05-19 Alps Electric Co., Ltd. Tuning apparatus for a television receiver including selectively activated amplifier and local oscillator circuits
DE59107631D1 (de) * 1991-04-19 1996-05-02 Siemens Ag Oszillatorschaltung

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55112006A (en) * 1979-02-21 1980-08-29 Nec Corp Oscillator
JPS5814603A (ja) * 1981-07-20 1983-01-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電圧制御型発振器
JPH01173908A (ja) * 1987-12-28 1989-07-10 Hitachi Ltd 発振装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR940017101A (ko) 1994-07-25
US5841326A (en) 1998-11-24
KR100378835B1 (ko) 2003-04-07
US5525937A (en) 1996-06-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100366196B1 (ko) 발진기
US6392715B1 (en) UHF/VHF turner
US6795128B2 (en) Television tuner capable of receiving FM broadcast
KR960009970B1 (ko) 트랙킹 특성이 개선된 동조 장치
KR960003664B1 (ko) 이중 게이트 튜너블 발진기
KR100424691B1 (ko) Ｖｈｆ대 및 ｕｈｆ대 텔레비젼신호 수신튜너
US4658437A (en) Tuning voltage tracking arrangement
EP0696870B1 (en) Double tuned and band-switchable RF circuit with balanced output signals
KR960003169B1 (ko) 발진기 장치
US6734761B2 (en) Radio-frequency input stage
EP1104103B1 (en) Switchable band filter
JP3271343B2 (ja) 集積化発振回路
US7432989B2 (en) Television tuner in which unnecessary radiation is reduced
KR100406353B1 (ko) 텔레비전 튜너의 입력동조 스위칭회로
US7209726B2 (en) Switch in UHF bandpass
KR890004205B1 (ko) 광대역 수신용 텔레비젼 튜너
JP3303380B2 (ja) 発振器およびそれを用いた周波数変換回路
US7366487B2 (en) Receiving band switching circuit with reduced signal loss upon switching receiving band
KR0178196B1 (ko) 듀얼게이트-모스페트를 이용한 튜너
JPH01170122A (ja) ダブルスーパーテレビジョンチューナ
JPH10242805A (ja) テレビジョンチューナーの同調回路
JPS62149227A (ja) チユ−ナ
JPH1174813A (ja) チューナ回路
JPH07298151A (ja) チューナ

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
A107 Divisional application of patent
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121130

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131129

Year of fee payment: 12

EXPY Expiration of term