KR100358588B1 - 연마제및연마방법 - Google Patents

연마제및연마방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100358588B1
KR100358588B1 KR1019950032050A KR19950032050A KR100358588B1 KR 100358588 B1 KR100358588 B1 KR 100358588B1 KR 1019950032050 A KR1019950032050 A KR 1019950032050A KR 19950032050 A KR19950032050 A KR 19950032050A KR 100358588 B1 KR100358588 B1 KR 100358588B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
polishing
cerium oxide
insulating film
less
substrate
Prior art date
Application number
KR1019950032050A
Other languages
English (en)
Inventor
혼마요시오
구스까와기꾸오
모리야마시게오
나가사와마사유끼
Original Assignee
가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 filed Critical 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼
Application granted granted Critical
Publication of KR100358588B1 publication Critical patent/KR100358588B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
    • H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00—Polishing compositions
    • C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
    • C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions

Abstract

반도체집적회로나 광학유리소자등을 구성하는 절연막 또는 도포 절연막의 표면을 연마하는 연마제 및 연마방법에 관한 것으로써, 반도체소자등의 특성을 저하시키지 않고 절연막을 연마할 수 있게 하기 위해, 산화세륨분발에 함유되는 불순물인 Na, Ca, Fe, Cr을 합계한 농도가 10ppm미만의 산화세륨연마제를 사용해서 절연막(13)을 연마한다.
이렇게 한 것에 의해, Na확산에 의한 반도체소자의 특성저하를 일으키지 않고 비교적 저온에서 형성된 부서지기 쉬운 무기절연막이나 유기절연막을 연마할 수 있다.

Description

연마제 및 연마방법
본 발명은 반도체집적회로나 광학유리소자 등을 구성하는 절연막 또는 도포 절연막의 표면을 연마하는 연마제 및 인마방법에 관한 것이다.
실리콘 등으로 이루어지는 배선기판을 사용해서 반도체집적회로 등을 제조할때에는 각종 절연막을 사용하고, 그 표면을 소정의 형상으로 가공하는 것이 필요하게 된다. 연마는 절연막 표면을 평탄하게 또는 매끄럽게 가공하는 유력한 기술로서 널리 사용되고 있다. 특히, 반도체집적회로의 가공에 있어서는 화학기계연마법 (Chemical Mechanical Polishing : 이하, CMP라 한다)이 표면평탄화의 기술로서 검토되고 있다. 예를 들면, 프로시딩 VLSI 멀티레벨 인터커넥션 컨퍼런스 1991년, pp. 20∼26에 기재되어 있는 바와 같이, 코로이달 실리카라 불리우는 미소한 SiO2입자를 수산화칼륨(KOH)수용액에 분산시킨 연마제(이하, 실리카연마제라 한다)를 사용해서 SiO2막을 연마하여 평탄화하는 방법이 개시되어 있다. 액체를 알카리성(pH가 7보다 큰 영역. 단, 실제의 중성역역은 pH가 6.5∼7.5의 범위에서 변동하므로 실용상 알카리성으로서 안정된 것은 pH가 7.5보다 큰 영역이다. 또, 산성으로서 안정된 것은 pH가 6.5보다 작은 영역이다)으로 유지하는 것에 의해 화학반응효과가 가해져 연마속도가 가속되는 것이 공지이다. 또, 렌즈나 액정표시소자의 제조에 사용되는 유리기판 등의 박막 이외의 절연물, 특히 SiO2를 주성분으로 하는 물질을 연마하는 경우에는 산화세륨입자를 사용한 연마제(이하, 산화세륨 연마제라 한다)가 알려져 있다. 산화세륨 연마제에 대해서는 기계의 연마, 제39권 제12호(1987년)의 pp. 1296∼1300이나 일렉트로닉스용 결정재료의 정밀가공기술, 사이엔스포럼사, 1985년 동경의 pp. 251∼256 등에 해설되어 있다. 또, 실제의 연마는 산화세륨 분말을 물과 혼합해서 실행하고 있었다. 산화세륨 연마제에 대해서는 기계와 연구, 제39권 제12호(1987년)의 pp. 1296∼1300이나 일렉트로닉스용 결정 재료의 정밀가공기술,사이엔스포럼사, 1985년 동경의 pp. 251∼256 등에 해설되어 있다. 또, 산화세륨 연마제를 사용한 종래의 연마법에서는 산화세륨 분말을 물과 혼합해서 연마제로서 사용할 뿐이었다. 즉, 산화세륨 연마제는 산이나 알칼리에 의한 화학적효과를 기대하는 것은 아니고 소위 기계연마효과를 인용하는 것으로 되어 있다.
상기 산화세륨 연마제는 광학유리소자 등에도 적용할 수 있지만 예를 들면 반도체집적회로의 제조공정에 적용하면 반도체집적회로의 특성을 저하시킨다. 예를 들면, 바이폴라 트랜지스터상의 절연막을 산화세륨 연마제를 사용해서 연마하고, 반도체제조공정에 필수인 열처리를 실행하면 바이폴라 트랜지스터의 전류증폭율hfe가 현저하게 저하한다. 또, 다이오드상의 절연막을 산화세륨 연마제를 사용해서 연마하면 다이오드의 정류특성 등을 저하시키는 문제가 있었다.
본 발명의 목적은 반도체소자 등의 특성을 저하시키지 않고 절연막을 연마할 수 있도록 하는 것이다.
상기 목적은 산화세륨 분말에 함유되는 불순물인 Na, Ca, Fe, Cr의 함유량이 합계10ppm미만인 산화세륨 연마제를 사용하는 것에 의해 달성된다.
종래의 산화세륨 연마제를 사용해서 연마하면 반도체집적회로의 특성이 저하해 버리는 것은 산화세륨입자의 순도가 낮은 것에 기인한다. 종래의 산화세륨 연마제를 분석한 결과, Na, Ca, Fe, Cr 등의 불순물이 각각 수ppm∼십수ppm, Na, Ca, Fe, Cr을 합계해서 50ppm이나 넘는 물순물이 함유되어 있고, 그 밖의 금속성분도 다량으로 함유되어 있다는 것을 알 수 있었다. 즉, 이들 불순물이 트랜지스터의 전류특성에 영향을 미치는 것이다. 불순물인 Na는 상기 바이폴라 트랜지스터에 확산해서 전류증폭율을 저하시킨다. 예를 들면, 나트륨(Na)가 불과 2ppm함유된 피막이 바이폴라 트랜지스터 등의 반도체소자표면과 접촉하고 있고, 그 소자가 450℃에서 30분정도의 열처리를 받으면, Na의 확산으로 인해 바이폴라 트랜지스터의 전류증폭율hfe가 현저하게 저하해 버리는 것이 전자동경, IEEE 동경섹션, 1981년의 pp, 70∼73에 기재되어 있다. 본 발명의 불순물농도가 10ppm미만이라는 것은 상기의 임계값인 2ppm이하보다 크지만 10ppm미만이면 산화세륨입자를 물에 분산시킨 경우 산화세륨입자 중의 불순물이 액체중에 용해하는 일은 적어 분산시킨 액체중의 불순물농도는 모두 1ppm미만으로 되어 Na확산 등의 문제는 발생하지 않는다. 또, Ca는 Na인 부수해서 혼입하는 즉 Na가 있는 곳에는 Ca도 있는 것이 보통이고, Na농도를 저감하기 위해서는 Ca를 저감시키는 것이 필요불가결하다. 또, Fe나 Cr은 다이오드의 정류특성 등을 저하시킨다. 예를 들면, 쇼트키장벽 다이오드에서는 누설전류가 증대해서 옴특성에 가까워진다.
산화세륨 연마제는 통상 상술한 코로이달 실리카와는 달리 불순물이 많은 광석에서 추출해서 고순도화, 미세입자로의 가공 등을 실행하고 있으므로 광석을 채취한 광산이나 입자가공의 방법 등에 의해서 특성이 변동하는 것이다.
그래서, 산화세륨분말 중의 Na, Ca, Fc, Cr의 농도를 10ppm미만으로 유지하는 것에 의해서 반도체집적회로의 가공 등에 사용해도 악영향의 발생을 방지할 수 있다. 또, 연마를 반복하는 과정에서 연마장치나 용기 등에 이들 불순물이 축적되어 오염원으로 될 가능성도 있으므로 오염물의 농도는 Na에 대해서는 2ppm이하로 억제하는 것이 바람직하다.
불순물농도가 10ppm미만이면 산화세륨입자를 물에 분산시켜서 연마액으로 한 경우 산화세륨입자중의 불순물이 액체중에 용해되는 일은 적고 분산(용매에 섞어서 사용하는 것)시킨 액체중의 불순물농도는 모두 1ppm미만으로 되어 Na확산 등의 문제 발생하지 않는다. 또한, 극도로 오염을 꺼리는 경우에는 분산액중의 Na나 Ca, Fe나 Cr, 그것에 부가해서 K의 농도를 각각 0.1ppm이하로 하는 것이 좋다. 또, 분산액중의 산화세륨입잔의 농도를 5%이상으로 하면, 연마속도의 농도의존성이 적어져 안정된 연마가 가능하다.
또, 종래의 불순물이 다량 함유되어 있는 산화세륨 연마제를 사용해서 연마하면 반도체집적회로용 등의 배선기판의 제조에서는 불량의 원인으로 되는 연마손상이 많이 발생하였다. 예를 들면, 4인치 직경의 영역중에 5∼10개의 눈으로 검지할 수 있는 연마손상이 발생하였다. 연마제중에 포함되는 소수의 큰 입자에 의한 것으로 고려된다. 특히, 500℃미만의 저온의 화학반응에 의한 CVD막이나 유기나 무기의 도포막 등 치밀하지 않아 부서지기 쉬운(무른) 막에 대해서는 연마손상이 더욱 발생하기 쉬운 것을 알 수 있었다. 이것은 종래의 산화세륨입자의 평균입자사이즈가 1㎛를 넘는 것이었던 것에 기인한다. 그래서, 평균입자사이즈를 1㎛미만으로 하면 연마손상의 발생이 억제되는 것을 알 수 있었다. 또, 특히 부서지기 쉽고 부드러운 유기절연막 등에 대해서는 평균입자직경을 0.3㎛이하로 유지하면 좋다. 여기에서, 입자직경은 1차입자 또는 2차입자 중 어느 것인가 큰 쪽의 사이즈를 나타낸다. 또, 평균입자직경은 입자직경의 사이즈분포의 평균값을 말한다. 유기절연막은 일반적으로 유전율이 낮으므로 이 절연막을 연마해서 평탄한 다층배선기술을 형성하는 것이 가능하게 되었으므로 인접 배선간의 용량을 수십% 저감할 수도 있다. 또, 연마손상의 발생의 정도는 연마재료 뿐만 아니라 일반적으로 연마량 모두 관계가 있으며, 연마량을 많게 하면 연마손상도 발생하기 쉬운 경향을 보였지만, 본 발명의 연마제를 사용하면 연마량을 많게 해도 손상은 작아 불량의 원인으로 되는 심각한 것은 거의 볼 수 없다. 또한, 연마시에 수지연마패드를 사용하는 것에 의해 연마손상의 발생을 방지할 수 있다.
또, 산화세륨 연마제에 대해서 산화세륨입자에는 연마특성이 대폭으로 다른 2종류의 것이 존재하는 것을 발견하였다. 즉, 과산화수소액에 분말을 섞은 경우에 발포하면서 빠르게 짙은 황색으로 변색하는 것(산화세륨A)과 약간 발포할 뿐 거의 변색하지 않는 것(산화세륨B)가 존재한다. 양자의 화학조성은 거의 동일하지만 개개의 입자의 결정성에 큰 차가 존재한다. X선 회절분석의 결과에서 전자는 개개의 입자의 결정성이 약해서 미세결정의 집합으로 되어 있고, 후자에서는 개개의 입자가 거의 결정으로 이루어져 있는 것으로 추정된다. 예를 들면, 결정방위(111), (200), (220) 등에 대한 회절피크의 반값폭은 산화세륨A에서는 0.5이상인 것에 대해 산화세륨B에 대해서는 0.3이하이다. 또, 상기의 결정방위의 결정자의 크기는 산화세륨A에서는 30nm이하인 것에 대해 산화세륨B에서는 60nm이상으로 대폭으로 크게 되어 있다.
산화세륨A는 유기절연막(본 명세서에서는 유기절연막이라는 것은 유기성분을 막중에 1%이상 함유하는 규소화합물의 막을 말한다. 또, 유기절연막의 유기성분의 비율은 탄소와 수소를 합한 무게의 전체 무게에 대한 비율을 중량%로 나타낸 것이다.)을 선택적으로 연마하는 경우와 유기절연막과 도프드(doped) 또는 논도프드 (non-doped) 절연막을 거의 동일한 속도로 연마하는데 적합하다. 유기절연막의 비유전율이 3.5이하이면 보다 선택적으로 유기절연막을 연마할 수 있다. 또, 유기성분을 10%이상으로 하면 흡습성이 낮게 되는 효과가 있다. 또한, 예를 들면 산화세륨A를 사용해서 폴리이미드막을 연마하면 손상이 생겨 양호한 연마면이 얻어지지 않았다. 또, 본 명세서에서 도프드 절연막이라는 것은 보론이나 인 또는 다른 금속불순물의 함유량이 0.1%보다 많이 함유되는 무기절연막을 말한다. 또, 논도프드 절연막이라는 것은 규소산화물을 주성분으로 함유하고, 유기성분을 구성요소로서 함유하지 않는 무기절연막이며, 또한 보론 또는 인의 함유량이 0.1%이하인 규소화합물막을 말한다. 이 유기절연나 도프드절연막을 도포법에 의해 형성할 수 있다. 또, 산화세륨B는 주로 도프드 및 논도프드 절연막을 고속으로 연마하는데 적합하다.
이들 용도에 사용하기 위해 산화세륨입자의 분산액의 pH를 제어하는 방법을 검토하였다. 종래, 산화세륨 연마제는 거의 중성으로 사용되어 왔다. 단, 중성이라는 것은 실용상 중성은 수소이온농도pH가 6.5∼7.5정도의 범위를 가리킨다. 즉, 분산액에는 의도적으로 산이나 알칼리성분을 첨가하지 않고 사용하는 것을 나타내고 있다. 이와 같이 폭이 있는 것은 수용액의 수소이온농도는 용액을 공기중에 보존하고 있는 동안에 탄산가스나 산소 등을 흡수해서 서서히 약간의 산성(pH가 6.5∼7)로 되거나 알칼리성의 가스를 함유하는 분위기에 방치하면 그것을 흡수해서 약간의 염기성(pH가 7∼7.5)를 나타내는 등 수소이온농도는 pH가 6.5∼7.5의 범위에서는 분위기에 의해서 변동하기 쉽기 때문이다.
이것에 의해서 본 발명에서는 산화세륨임자를 물에 분산시킬 뿐만 아니라 액체중에 산이나 알칼리를 첨가해서 pH를 제어하였다. 또, 필요에 따라서 산이나 알칼리 이외에 Na를 함유하지 않는 계면활성제를 첨가해도 좋다. 산화세륨 연마제를 알칼리로 유지하기 위해서 수소이온농도로서는 pH가 7.5를 안정하게 넘는 상태이면 좋지만 바람직하게는 pH가 8이상으로 유지되어 있는 것이 바람직하다. 암모니아나 물을 함유한 히드라진, 아민 등의 Na나 K를 함유하지 않는 알칼리성 재료가 적합하다. 또, 산성으로 유지하는 경우에는 부식성이 약한 산을 첨가해서 pH를 6.5이하로 하는 것이 바람직하다. 수산, 술포민산, 인산, 호박산, 구연산 등의 금속을 구성요소로서 함유하지 않는 것이 적합하다. 필요에 따라서 염산이나 질산, 과산화수소 등을 첨가해도 좋다. 상기한 바와 같은 고순도이고 평균입자직경이 제어된 산화세륨입자A, B를 사용하고, 또 분삭액을 산성 또는 알카리성으로 유지하는 것에 의해 고속으로 안정되며 또한 선택성도 갖는 연마특성을 부여한다.
산화세륨A를 사용한 산화세륨 연마제의 pH를 제어해서 알칼리성으로 하는 것에 의해, 도 4의 (a)와 같이 유기질연막의 연마속도를 도프드, 논도프드에 관계없이 무기절연막의 속도보다 대폭으로 크게 하는 것을 가능하게 하였다. 또, 이 산화세륨A를 사용한 산화세륨 연마제를 산업영역에서 사용하면 도프드절연막이나 논도프트절연막의 연마속도를 유기절연막의 속도와 거의 동일하게 할 수 있다. 한편, 도 4의 (b)와 같이 산화세륨B를 사용한 산화세륨 연마제의 경우에는 약산성에서 알칼리성영역에 걸쳐서 무기절연막의 연마속도를 유기절연막의 속도보다 크게 할 수 있다. 또, 도프드절연막의 연마속도를 논도프드절연막의 속도보다 크게 할 수도 있다.
본 발명의 산화세륨 연마제를 사온하면 예를 들면 무기절연막이 표면에 형성된 단차를 갖는 배선기판상에 유기절연막을 형성해서 이것을 본 발명의 알칼리성의 산화세륨A를 사용해서 연마하면 무기절연막을 거의 손상시키지 않고 단차의 오목부분에 유기절연막을 남겨서 표면을 평탄화하는 것이 고속이며 또한 용이하게 된다. 무기절연막을 소위 연마의 스토퍼층으로서 사용하는 것이 가능하게 된다.
또, 무기절연막과 유기절연막의 양자의 연마속도를 동일하게 할 수도 있으므로 그들의 공존하는 배선기판의 오목볼록을 평탄성을 저하시키지 않고 연마할 수 있다. 반대로, 마찬가지로 표면에 오목볼록을 갖는 논도프드 절연막상에 형성된 도프드 절연막을 연마하고, 논도프드 절연막 표면이 노출된 시점에서 연마를 종료하고자 하는 경우에는 pH3이상의 산화세륨B를 사용한 산화세륨 연마제를 사용하는 것이 효율적인 것은 물론이다. 특히, pH가 알칼리성인 경우에 그 효과는 안정적이다. 산화세륨B에 의한 산화세륨 연마제를 사용하는 것에 의해서 유기절연막을 무기절연막의 연마스토퍼층으로서 사용하거나 논도프드 절연막을 도프드 절연막의 연마스토퍼층으로서 사용할 수도 있다. 또, 도프드 또는 논도프드 절연막이 유기 절연막상에 형성된 2층 절연막을 연마할 때 산화세륨B를 함유하며 또한 pH가 3이상이고 14이하의 중성이 아닌 산화세륨 연마제를 사용하면 좋다.
또, 종래에는 연마후에 부착된 산화세륨 연마제를 제거하는 유효한 세정법이 알려져 있지 않았다. 종래의 광학부품의 제조 등에서는 부드러운 천이나 브러시등에 의해서 물리적으로 닦아내거나 희석 플루오르화 수소산액에 의해서 피연마층 표면을 에칭해서 산화세륨입자를 유리시키는 등의 방법밖에 알려져 있지 않았었다. 전자와 같은 방법에서는 상기의 부서지기 쉽고 치밀하지 않은 막을 갖는 배선기판의 표면에 손상을 발생시켜 버린다. 후자의 방법에서는 피연마층을 구성하는 절연층이 SiO2를 주성분으로 하므로 플루오르화 수소산에 침투하기 쉬운 경우가 많아 적용이 한정되어 있었다. 그러나, 산화세륨 연마제를 사용한 연마후에 배선기판을 합산, 질산의 원액 또는 수용액 또는 혼합용액, 탄산암모늄의 수용액, 암모니아의 원액 또는 수용액 또는 탄산암모늄과 암모니아의 혼합용액에 침지해서 산화세륨입자를 배선기판 표면에서 제거하는 것에 의해 손상의 발생 등을 방지할 수 있는 것을 알 수 있었다. 단, 이들 액체에 의한 제거효과는 상당히 늦어 처리능력의 면에서 문제로 되는 경우도 많으므로 필요에 따라서 액체온도를 50℃이상으로 높이거나 과산화수소를 첨가하거나 또는 오존을 버블링시킨 액체로서 사용한다. 이들 체리액은 산화세륨입자 그 자체와 반응해서 그것을 용해시키는 효과를 가지므로 입자의 제거효과가 배선기판 표면의 재료에 의해서 영향을 받는 일이 적다. 또, 배선기판표면의 재료에 손상을 주지 않도록 상기 처리액중에서 선택해서 사용할 수 있다. 물론, 단지 침지할 뿐만 아니라 초음파를 가하거나 액체를 교반하는 것은 그 세정효과를 높인다.
<실시예1>
도 1의 (a) 및 도 1의 (b)를 사용해서 실시예1을 설명한다. 도 1의 (a)는 실리콘으로 이루어지는 배선기판(10)표면에 두께10nm의 실리콘산화막으로 이루어지는제1 무기절연막(11)과 두께10nm의 실리콘질화막(12)의 중첩막이 소정의 형상으로 가공되어 설치되고, 이 중첩막으로 덮여져 있지 않은 부분의 기선기판(10)이 0.5㎛의 길이까지 에칭되고 또 그 오목부에 CVD법에 의한 실리콘산화물로 이루어지는 두께0.7㎛의 매립층(13)이 형성되어 있다. 다음에, 도 1의 (b)와 같이 산화세륨B를 사용한 알칼리성 산화세륨 연마제(pH10)에 의해서 매립층(13)을 연마하였다. 연마하중으로서 0.15kg/㎠를 사용했지만, 0.1∼0.5kg/㎠의 범위이면 특별히 장치는 연마크로스 등을 변경하지 않고 연마하는 것이 가능하였다. 연마하중이 낮으면 연마속도는 저하하지만 평탄성은 향상하는 것으로 말해지고 있으므로 이 조건을 사용하였다. 연마정반이나 연마제(도시하지 않음)모두 실온으로 유지하였다. 배선기판 (10)과 연마정반의 상대이동속도는 약 30m/min이었다. 이 연마조건하에서 종래의 코로이달 실리카 연마제를 사각한 경우, 연마속도는 고작 10∼20nm/min정도이지만, 본 발명의 산화세륨 연마제를 사용한 경우에는 50∼150nm/min의 연마속도가 얻어졌다. 연마가 진행되어 실리콘질화막(12)가 노출된 시점에서 그 이상 연마가 거의 진행되지 않게 되어 연마를 종료시켰다. 이와 같이 해서 매립층(13)에 의해 분리된 배선기판(10)의 영역에 트랜지스터 등의 소자를 형성하였다. 또한, 이 실시예에서는 산화세륨B에 의한 알칼리성 산화세륨 연마제를 사용했지만 산화세륨A에 의한 산성 산화세륨 연마제를 사용해도 좋다. 이 경우, 연마속도는 약간 저하하지만 매립층(13)의 막질에 의존하지 않고 연마속도가 안정하다는 이점이 있다. 실리콘질화막 (12)는 산화세륨 연마제에 의해서 거의 연마되지 않으므로 선택성이 높은 연마를 실행할 수 있다. 연마종료후에는 황산과 과산화수소의 혼합액에 배선 기판(10)을침지하였다. 산화세륨입자는 빠르게 에칭되어 배선기판(10)의 표면은 충분히 평탄화되었다.
<실시예2>
도 2의 (a)와 도 2의 (b)를 사용해서 실시예2를 설명한다. 우선, 도 2의 (a)에는 두께 약 1㎛의 알루미늄합금(이하, Aℓ이라 한다) 배선(21)상에 두께 0.2㎛의 PECVD법에 의한 SiO2막으로 이루어지는 제1 절연막(22)를 형성한 배선기판(20)을 도시한다. 다음에, 도포법에 의해서 유기절연막(23)을 두께 1.2㎛로 형성하였다. 단, 오목볼록이 존재하는 기판상에서 도포막의 두께는 일정하지 않고 여기에서는 오목볼록이 없는 기판상에 도포한 경우에 1.2㎛로 되는 조건을 이용해서 오목볼록이 있는 기판에 도포한 것을 의미한다. 또, 특별히 언급하지 않는 한 막두께는 도포후에 건조되어 용매가 거의 제거된 이후의 상태에서의 측정값을 나타낸다. 여기에서, 유기절연막(23)의 재료로서는 HSG R7(히다치 가세이고교 상품명)을 사용하였다. 도포후에 최고 450℃의 열처리를 실행하였다. 다음에, 폴리우레탄수지 또는 플루오르화수소 수지 등으로 이루어지는 시트를 부착한 회전기판상(도시하지 않음)에 산화세륨A를 사용하고, pH를 10으로 유지한 산화제륨 연마제(도시하지 않음)을 부으면서 배선기판(20)을 자전시키면서 압압해서 유기도포절연막(23)을 연마하였다. 연마조건은 실시예1과 거의 동등한 것으로 하였다. 이 때의 유기도포절연막(23)의 연마속도는 동일조건에서 종래의 코로이달 실리카 연마제를 사용한 경우의 약 5배이었다. 또한, PECVD SiO2막으로 이루어지는 제1 절연막(22)는 이산화산화세륨 연마제에 의해서는 거의 연마되지 않으므로 연마의 종료판정의 마진은 충분히 크다. 유기절연막(23)으로서 사용하기 위해서는 유기성분이 5%이상 함유되어 있는 재료이면 좋다. 무기절연막(22)의 재료로서는 도프드 무기절연이라도 좋고 논도프드 무기절연이라도 좋다.
연마종료후에 배선기판을 질산과 과산화수소의 혼합액에 0.5분이상 침지하였다. 이 액체에 의해서 산화세륨은 에칭되는 효과를 갖고, 이것에 의해서 배선기판 (20) 표면의 산화세륨 연마계는 배선기판(20)에서 유리되어 세정이 유효하게 실행되었다. 그후, 필요에 따라서 암모니아계의 알칼리용액에 의한 중화처리 또는 유기용제에 의한 산화세륨 연마제 이외의 부착물의 세정처리를 실시하였다. 계속해서 필요에 따라서 마찬가지로 PECVD법에 의한 SiO2막으로 이루어지는 두께0.4㎛의 제2 무기절연막(24)를 형성하였다.
또한, 무기절연막(22)는 Aℓ배선(21)의 전면에 형성하는 것은 아니고 Aℓ배선(21)의 상면에만 형성해도 좋다. 유기절연막(23)의 연마가 진행되어 제1 절연층 (22)가 노출되면 역시 연마는 정지하고, 표면평탄화와 오목부로의 유기절연막(23)의 매립을 실현할 수 있다.
<실시예3>
도 3의 (a) 및 도 3의 (b)를 사용해서 실시예3을 설명한다. 도 3의 (a)는 소위 기억유지동작을 필요로 하는 메모리집적회로(Dynamic Random Access Memory ; 이하, DRAM이라 한다)의 소자단면에서 트랜지스터의 금속전극 등을 형성하기 직전의 상태를 도시한 것이다. 또한, 동일 도면 좌측에는 메모리정보를 축적하기 위한 소위 메모리셀부를, 우측에서는 그것을 구동하기 위한 주변회로부의 트랜지스터부를 개략적으로 도시한다. 1칩당 16M비트이상으로 DRAM을 고집적화하기 위해서는 적층형 용량셀(Stacked Capacitor Cell)이라 불리우는 구조가 일반적으로 사용된다. 동일도면에 있어서, 배선기판(30) 표면의 소자분리를 위한 제1 절연막(31)과 CVD법에 의한 SiO2막으로 이루어지는 제2 절연막(33)에 의해 둘러싸인 트랜지스터의 게이트(32), 용량축적을 위한 절연막(도시하지 않음)을 거쳐서 용량 축적을 위한 제1 및 제2 캐패시터전극(34), (35)가 마련되어 있다. 이들 상부를 두께0.3㎛의 논도프 절연막으로 이루어지는 제3 절연막(36)이 덮고 있다. 이 상부에 인을 4%, 보론을 10% 함유하는 두께 1.5㎛의 도프드 절연막으로 이루어지는 제4 절연막(27)을 형성하였다. 상술한 캐패시터전극의 존재로 인해 메모리셀부(도3의 (a)의 좌측부)는 주변회로부(도면의 우측부)에 대해서 제4 절연막(37)의 표면의 높이가 평균 1.0㎛높게 되었다. 이와 같은 큰 단차가 생기면 리도그래피나 드라이에칭의 공정에 있어서 가공정밀도의 저하를 초래하는 원인으로 된다. 그래서, 산화세륨B를 사용한 알카리성 산화세륨 연마제를 사용해서 제4 절연막(37) 표면을 연마하였다. 연마조건은 지금까지의 실시예와 거의 동일한 것으로 하였다. 인이나 보론을 함유하는 SiO2막의 연마속도는 논도프드 절연막의 연마속도보다 2배이상 크기 때문에 메모리셀부의 제4 절연막(37)하부의 제3 절연막(36)과 볼록부표면(36a)가 노출된 시점에서 연마를 정지시키는 것은 용이하였다. 단, 코로이달 실리카를 사용한 경우에도 도프드절연막의 연마속도는 크게 되므로 코로이달 실리카와 본 발명의 산화세륨 연마제에서의 연마속도의 비율은 역시 5배정도이다.
연마종료후에 10% 탄산암모늄액을 사용해서 배선기판(30)을 세정하고, 접속구멍의 형성, 트랜지스터 등의 금속전극형성(모두 도시하지 않음)공정으로 진행하였다.
연마에 의해서 메모리셀부와 주변회로부의 단차는 0.3㎛이하로 되었으므로 리도그래피 및 드라이에칭공정에서의 가공정밀도는 충분히 크게 유지되었다.
또한, 본 실시예의 도면에서 제4 절연막(37)은 충분히 높은 온도의 열처리에 의해서 표면이 평활화되어 있는 경우를 도시했지만 본 실시예에서는 평활화를 실행하지 않아도 좋다는 것도 명확하게 되었다. 상기의 평활화는 우선 인과 보론을 함유하는 도프드 절연막을 일반적으로 350∼400℃정도의 기판온도에서 CVD법을 이용해서 형성하고, 다음에 850∼900℃의 열처리를 실시하는 것에 의해서 인의 안정화와 막표면의 유동화를 일으키는 것에 의해서 실현된다. 또, 미세화된 트랜지스터 소자나 용량절연막(도시하지 않음)의 특성을 손상시키기 않기 위해서는 이 열처리온도를 800℃보다 낮은 온도로 저하시키는 것이 요망되고 있다. 그런데, 현재까지의 결과, 850℃보다 낮은 온도에서는 도프드 절연막(37)중의 인이나 보론은 안정화시켜도 막표면의 평활화는 곤란하고, 이 유동화를 필요로 하는 기술은 한계에 이르렀다고 고려되고 있었다. 본 발명에서는 이 도프드 절연막(37)에 450℃이상의 열처리를 실시하면 인의 안정화가 가능하므로 유동화에 의한 표면평탄성이 실행되고 있지 않아도 연마에 의해서 역시 잔류단차가 0.3㎛이하인 평탄화를 실현할 수 있었다.
연마종료후에 배선기판(30)을 10%의 탄산암모늄 수용액과 과산화수소액이 1 : 1로 이루어지는 액체에 침지하였다. 이것에 의해서 산화세륨 인마제는 용해되거나 또는 기선기판(30)에서 유리되어 청정화되었다.
본 발명에 의하면, Na확산 등에 의한 반도체소자의 전류특성저하를 일으키지 않고 비교적 저온에서 형성된 부서지기 쉬운 무기절연막이나 유기절연막을 연마할 수 있게 되었다.
도 1은 배선기판의 소자분리용 매립층 표면을 평탄화하는 방법을 설명하는 도면,
도 2는 배선기판 표면의 유기절연막을 평탄화하는 방법을 설명하는 도면,
도 3은 DRAM표면의 도프드 절연막 표면을 평탄화하는 방법을 설명하는 도면,
도 4는 산화세륨 연마제의 연마속도와 pH의 관계를 도시한 도면.
[부호의 설명]
10,20,30 : 배선기판, 11,22,31 : 제1 절연막, 12 : 실리콘질화막, 13 : 매립층, 21 : Al배선층 23 : 유기절연막, 24,33 : 제2 절연막, 32 : 트랜지스터의 게이트전극, 34 : 제1 캐패시터전극, 35 : 제2 캐패시터전극, 36 : 제3 절연막, 37 : 제4 절연막

Claims (40)

  1. 결정자의 크기가 30nm이하인 산화세륨입자를 함유하는 연마액을 사용해서 기판상의 절연막으로서 유기성분을 1중량%이상 함유하는 규소화합물의 절연막을 화학기계적으로 연마하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 연마방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 연마는 알칼리성 영역에서 실행하는 것을 특징으로 하는 연마방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 연마는 상기 유기절연막의 선택연마인 것을 특징으로 하는 연마방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 유기절연막에 함유되는 유기성분은 10%이상인 것을 특징으로 하는 연마방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 유기절연막의 비유전율은 3.5이하인 것을 특징으로 하는 연마방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 산화세륨 분말에 함유되는 나트륨의 농도가 2ppm이하인 것을 특징으로 하는 연마방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 산화세륨 분말에 함유되는 나트륨, 칼슘, 철, 크롬의 함유량이 합계 10ppm미만인 것을 특징으로 하는 연마방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 산화세륨의 평균입자직경은 0.3㎛이하인 것을 특징으로 하는 연마방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 기판의 상기 유기절연막이 형성된 면과 반대의 면을 수지연마패드에 의해 지지하면서 연마하는 것을 특징으로 하는 연마방법.
  10. 오목볼록한 주표면을 갖는 배선기판상에 유기성분을 1중량% 함유하는 규소화합물의 절연막을 형성하는 공정 및;
    결정자의 크기가 30nm이하인 산화세륨 입자를 연마액을 사용해서 상기 절연막을 화학기계적으로 연마하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 연마방법.
  11. 산화세륨을 사용해서 연마한 후의 배설기판에서 황산, 질산 중 적어도 하나를 함유하는 용액에 오존을 함유하는 가스를 버블링시켜서 상기 산화세륨을 제거하는 것을 특징으로 하는 연마제의 처리방법.
  12. 산화세륨을 사용해서 연마한 후의 배선기판에서 탄산암모늄, 암모니아 중 적어도 하나를 함유하는 용액에 오존을 함유하는 가스를 버블링시켜서 상기 산화세륨을 제거하는 것을 특징으로 하는 연마제의 처리방법.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 연마액 중의 산화세륨 입자의 농도는 5%이상인 것을 특징으로 하는 연마방법.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 연마액은 수중에 분산된 산화세륨 입자를 함유하는 것을 특징으로 하는 연마방법.
  15. 제1항에 있어서,
    황산, 질산, 탄산 암모늄, 암모니아 중에서 선택된 재료를 함유하는 용액에 화학적기계적 연마가 이루어진 기판을 침지시키는 공정을 더 갖는 것을 특징으로 하는 연마방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 용액은 과산화수소도 포함하고, 상기 기판을 침지시키는 공정중에 있어서의 상기 용액은 50℃이상인 것을 특징으로 하는 연마방법.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 용액은 오존에서 버블링되고, 상기 기판을 침지시키는 공정중에 있어서의 상기 용액은 50℃이상인 것을 특징으로 하는 연마방법.
  18. 제10항에 있어서,
    상기 산화세륨 입자는 결정자의 크기가 30nm이하인 것을 특징으로 하는 연마방법.
  19. 결정자의 크기가 30nm이하인 산화세륨 입자를 함유하는 연마액을 사용해서 비유기층상의 유기성분을 1중량%이상 함유하는 규소화합물막의 표면을 선택적으로 화학기계 연마하는 것을 특징으로 하는 연마방법.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 산화세륨 입자는 결정자치 크기가 30nm이하인 것을 특징으로 하는 연마방법.
  21. 제1항에 있어서,
    상기 연마액의 pH는 적어도 7.5로서 알칼리성이거나 또는 pH는 높아도 6.5로서 산성인 것을 특징으로 하는 연마방법.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 연마액의 pH는 적어도 7.5인 것을 특징으로 하는 연마방법.
  23. 제22항에 있어서,
    상기 연마액의 pH는 적어도 8.0인 것을 특징으로 하는 연마방법.
  24. 제21항에 있어서,
    상기 연마액의 pH는 높아도 6.5인 것을 특징으로 하는 연마방법.
  25. 제15항에 있어서,
    상기 용액은 질산과 과산화수소를 함유하는 것을 특징으로 하는 연마방법.
  26. 제15항에 있어서,
    상기 용액은 탄산암모늄과 과산화수소를 함유하는 것을 폭징으로 하는 연마방법.
  27. 표면에 절연체를 갖는 기판을 준비하는 공정 및;
    결정자의 크기가 60nm이상인 산화세륨 입자를 포함하고, 불순물농도가 10ppm미만인 연마액을 사용해서 상기 절연체를 연마하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  28. 제27항에 있어서,
    상기 절연체는 무기절연체인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  29. 제27항에 있어서,
    상기 불순물은 Na, Ca, Fe, Cr 중에서 적어도 하나를 함유하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  30. 제27항에 있어서,
    상기 산화세륨 입자의 평균입자직경은 1㎛미만인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  31. 제27항에 있어서,
    상기 연마액의 pH는 적어도 3인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  32. 제27항에 있어서,
    상기 연마하는 공정의 연마하중은 0.1 내지 0. 5kg/㎠의 범위인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  33. 제27항에 있어서,
    상기 기판은 트랜지스터영역을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  34. 표면에 절연체를 갖는 기판을 준비하는 공정 및;
    결정방위에 대한 회절피크의 반값폭이 0.3이하인 산화세륨 입자를 포함하고, 불순물농도가 10ppm미만인 연마액을 사용해서 상기 절연체를 연마하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  35. 제34항에 있어서,
    상기 절연체는 무기절연체인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  36. 제34항에 있어서,
    상기 불순물은 Na, Ca, Fe, Cr중에서 적어도 하나를 함유하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  37. 제34항에 있어서,
    상기 산화세륨 입자의 평균입자직경은 1㎛미만인 것을 특징으로 하는 반도체장치 의 제조방법.
  38. 제34항에 있어서,
    상기 연마액의 pH는 적어도 3인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 재조방법.
  39. 제34항에 있어서,
    상기 연마하는 공정의 연마하중은 0.1 내지 0.5kg/㎠의 범위인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  40. 제34항에 있어서,
    상기 기판은 트랜지스터영역을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
KR1019950032050A 1994-09-30 1995-09-27 연마제및연마방법 KR100358588B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP94-236445 1994-09-30
JP23644594 1994-09-30

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100358588B1 true KR100358588B1 (ko) 2003-02-14

Family

ID=17000861

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950032050A KR100358588B1 (ko) 1994-09-30 1995-09-27 연마제및연마방법

Country Status (3)

Country Link
US (4) US5772780A (ko)
KR (1) KR100358588B1 (ko)
TW (1) TW274625B (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014171766A1 (ko) * 2013-04-17 2014-10-23 제일모직 주식회사 유기막 ｃｍｐ 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마방법
US10723916B2 (en) 2013-04-17 2020-07-28 Samsung Sdi Co., Ltd. Organic film CMP slurry composition and polishing method using same

Families Citing this family (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3552845B2 (ja) * 1996-04-25 2004-08-11 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法
JPH11181403A (ja) * 1997-12-18 1999-07-06 Hitachi Chem Co Ltd 酸化セリウム研磨剤及び基板の研磨法
US6200901B1 (en) * 1998-06-10 2001-03-13 Micron Technology, Inc. Polishing polymer surfaces on non-porous CMP pads
US6270395B1 (en) * 1998-09-24 2001-08-07 Alliedsignal, Inc. Oxidizing polishing slurries for low dielectric constant materials
US6245690B1 (en) * 1998-11-04 2001-06-12 Applied Materials, Inc. Method of improving moisture resistance of low dielectric constant films
US6169034B1 (en) * 1998-11-25 2001-01-02 Advanced Micro Devices, Inc. Chemically removable Cu CMP slurry abrasive
WO2001000744A1 (fr) * 1999-06-28 2001-01-04 Nissan Chemical Industries, Ltd. Compose abrasif pour plateau en verre de disque dur
US6417098B1 (en) * 1999-12-09 2002-07-09 Intel Corporation Enhanced surface modification of low K carbon-doped oxide
US6841470B2 (en) * 1999-12-31 2005-01-11 Intel Corporation Removal of residue from a substrate
US6736992B2 (en) * 2000-04-11 2004-05-18 Honeywell International Inc. Chemical mechanical planarization of low dielectric constant materials
US6416685B1 (en) * 2000-04-11 2002-07-09 Honeywell International Inc. Chemical mechanical planarization of low dielectric constant materials
US6733553B2 (en) * 2000-04-13 2004-05-11 Showa Denko Kabushiki Kaisha Abrasive composition for polishing semiconductor device and method for producing semiconductor device using the same
US6402851B1 (en) * 2000-05-19 2002-06-11 International Business Machines Corporation Lanthanide oxide dissolution from glass surface
US6653242B1 (en) 2000-06-30 2003-11-25 Applied Materials, Inc. Solution to metal re-deposition during substrate planarization
CN1177012C (zh) * 2000-10-02 2004-11-24 三井金属鉱业株式会社 铈基磨料和铈基磨料的制造方法
US6569349B1 (en) 2000-10-23 2003-05-27 Applied Materials Inc. Additives to CMP slurry to polish dielectric films
US6326305B1 (en) * 2000-12-05 2001-12-04 Advanced Micro Devices, Inc. Ceria removal in chemical-mechanical polishing of integrated circuits
US20040192172A1 (en) * 2001-06-14 2004-09-30 Dan Towery Oxidizing polishing slurries for low dielectric constant materials
US6592742B2 (en) 2001-07-13 2003-07-15 Applied Materials Inc. Electrochemically assisted chemical polish
US6811470B2 (en) 2001-07-16 2004-11-02 Applied Materials Inc. Methods and compositions for chemical mechanical polishing shallow trench isolation substrates
US6677239B2 (en) 2001-08-24 2004-01-13 Applied Materials Inc. Methods and compositions for chemical mechanical polishing
US6638145B2 (en) * 2001-08-31 2003-10-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. Constant pH polish and scrub
US6585567B1 (en) 2001-08-31 2003-07-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. Short CMP polish method
US6580586B1 (en) 2001-11-21 2003-06-17 International Business Machines Corporation Magnetic transducer with recessed magnetic elements
KR100445760B1 (ko) * 2001-12-28 2004-08-25 제일모직주식회사 금속오염이 적은 금속배선 연마용 슬러리 조성물
US7199056B2 (en) * 2002-02-08 2007-04-03 Applied Materials, Inc. Low cost and low dishing slurry for polysilicon CMP
US6774042B1 (en) * 2002-02-26 2004-08-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Planarization method for deep sub micron shallow trench isolation process
US6974777B2 (en) * 2002-06-07 2005-12-13 Cabot Microelectronics Corporation CMP compositions for low-k dielectric materials
US6936543B2 (en) * 2002-06-07 2005-08-30 Cabot Microelectronics Corporation CMP method utilizing amphiphilic nonionic surfactants
US7063597B2 (en) 2002-10-25 2006-06-20 Applied Materials Polishing processes for shallow trench isolation substrates
EP1586386A4 (en) * 2002-12-03 2010-04-21 Nikon Corp METHOD AND DEVICE FOR REMOVING CONTAMINATION AND EXPOSURE METHOD AND DEVICE
JP2004228519A (ja) * 2003-01-27 2004-08-12 Elpida Memory Inc 半導体装置、及びその製造方法
KR100532427B1 (ko) * 2003-03-27 2005-11-30 삼성전자주식회사 강유전체 메모리 소자의 제조 방법
KR100539983B1 (ko) * 2003-05-15 2006-01-10 학교법인 한양학원 Ｃｍｐ용 세리아 연마제 및 그 제조 방법
US20050028450A1 (en) * 2003-08-07 2005-02-10 Wen-Qing Xu CMP slurry
TWI286567B (en) * 2003-09-12 2007-09-11 Hitachi Chemical Co Ltd Cerium salt and fabricating method thereof, cerium oxide and cerium polishing agent
US7129151B2 (en) * 2003-11-04 2006-10-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Planarizing method employing hydrogenated silicon nitride planarizing stop layer
US20050108947A1 (en) * 2003-11-26 2005-05-26 Mueller Brian L. Compositions and methods for chemical mechanical polishing silica and silicon nitride
TWI334882B (en) * 2004-03-12 2010-12-21 K C Tech Co Ltd Polishing slurry and method of producing same
TWI283008B (en) * 2004-05-11 2007-06-21 K C Tech Co Ltd Slurry for CMP and method of producing the same
KR100599329B1 (ko) * 2004-05-11 2006-07-14 주식회사 케이씨텍 연마용 슬러리 및 기판 연마 방법
TWI273632B (en) * 2004-07-28 2007-02-11 K C Tech Co Ltd Polishing slurry, method of producing same, and method of polishing substrate
US20060021972A1 (en) * 2004-07-28 2006-02-02 Lane Sarah J Compositions and methods for chemical mechanical polishing silicon dioxide and silicon nitride
US20060088976A1 (en) * 2004-10-22 2006-04-27 Applied Materials, Inc. Methods and compositions for chemical mechanical polishing substrates
US7504044B2 (en) 2004-11-05 2009-03-17 Cabot Microelectronics Corporation Polishing composition and method for high silicon nitride to silicon oxide removal rate ratios
US7531105B2 (en) * 2004-11-05 2009-05-12 Cabot Microelectronics Corporation Polishing composition and method for high silicon nitride to silicon oxide removal rate ratios
TWI323741B (en) * 2004-12-16 2010-04-21 K C Tech Co Ltd Abrasive particles, polishing slurry, and producing method thereof
US7208325B2 (en) * 2005-01-18 2007-04-24 Applied Materials, Inc. Refreshing wafers having low-k dielectric materials
KR100641348B1 (ko) * 2005-06-03 2006-11-03 주식회사 케이씨텍 Ｃｍｐ용 슬러리와 이의 제조 방법 및 기판의 연마 방법
US20090075093A1 (en) * 2007-08-14 2009-03-19 Scf Technologies A/S Method and compositions for producing optically clear photocatalytic coatings
US20090047870A1 (en) * 2007-08-16 2009-02-19 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Reverse Shallow Trench Isolation Process
US8366959B2 (en) * 2008-09-26 2013-02-05 Rhodia Operations Abrasive compositions for chemical mechanical polishing and methods for using same
JP6808731B2 (ja) * 2016-06-06 2021-01-06 富士フイルム株式会社 研磨液、化学的機械的研磨方法
CN109716508B (zh) * 2016-06-24 2023-08-15 克罗米斯有限公司 多晶陶瓷衬底及其制造方法

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4057939A (en) * 1975-12-05 1977-11-15 International Business Machines Corporation Silicon wafer polishing
US4483107A (en) * 1980-06-17 1984-11-20 Konishiroku Photo Industry Co., Ltd. Polishing method for electrophotographic photoconductive member
US4795497A (en) * 1985-08-13 1989-01-03 Mcconnell Christopher F Method and system for fluid treatment of semiconductor wafers
US4944836A (en) * 1985-10-28 1990-07-31 International Business Machines Corporation Chem-mech polishing method for producing coplanar metal/insulator films on a substrate
US4671851A (en) * 1985-10-28 1987-06-09 International Business Machines Corporation Method for removing protuberances at the surface of a semiconductor wafer using a chem-mech polishing technique
US4910155A (en) * 1988-10-28 1990-03-20 International Business Machines Corporation Wafer flood polishing
US4954142A (en) * 1989-03-07 1990-09-04 International Business Machines Corporation Method of chemical-mechanical polishing an electronic component substrate and polishing slurry therefor
US5084071A (en) * 1989-03-07 1992-01-28 International Business Machines Corporation Method of chemical-mechanical polishing an electronic component substrate and polishing slurry therefor
DE3934268A1 (de) * 1989-10-13 1991-04-25 Mtu Muenchen Gmbh Turbinen-staustrahltriebwerk
US5036015A (en) * 1990-09-24 1991-07-30 Micron Technology, Inc. Method of endpoint detection during chemical/mechanical planarization of semiconductor wafers
US5064683A (en) * 1990-10-29 1991-11-12 Motorola, Inc. Method for polish planarizing a semiconductor substrate by using a boron nitride polish stop
US5139571A (en) * 1991-04-24 1992-08-18 Motorola, Inc. Non-contaminating wafer polishing slurry
US5245790A (en) * 1992-02-14 1993-09-21 Lsi Logic Corporation Ultrasonic energy enhanced chemi-mechanical polishing of silicon wafers
US5264010A (en) * 1992-04-27 1993-11-23 Rodel, Inc. Compositions and methods for polishing and planarizing surfaces
US5445996A (en) * 1992-05-26 1995-08-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for planarizing a semiconductor device having a amorphous layer
JPH0697132A (ja) * 1992-07-10 1994-04-08 Lsi Logic Corp 半導体ウェハの化学機械的研磨装置、同装置のプラテンへの半導体ウェハ研磨用パッドの取付け方法、および同装置の研磨用複合パッド
US5265378A (en) * 1992-07-10 1993-11-30 Lsi Logic Corporation Detecting the endpoint of chem-mech polishing and resulting semiconductor device
US5439569A (en) * 1993-02-12 1995-08-08 Sematech, Inc. Concentration measurement and control of hydrogen peroxide and acid/base component in a semiconductor bath
US5607718A (en) * 1993-03-26 1997-03-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Polishing method and polishing apparatus
US5532191A (en) * 1993-03-26 1996-07-02 Kawasaki Steel Corporation Method of chemical mechanical polishing planarization of an insulating film using an etching stop
US5356513A (en) * 1993-04-22 1994-10-18 International Business Machines Corporation Polishstop planarization method and structure
US5389352A (en) * 1993-07-21 1995-02-14 Rodel, Inc. Oxide particles and method for producing them
US5567661A (en) * 1993-08-26 1996-10-22 Fujitsu Limited Formation of planarized insulating film by plasma-enhanced CVD of organic silicon compound
US5382272A (en) * 1993-09-03 1995-01-17 Rodel, Inc. Activated polishing compositions
US5952243A (en) * 1995-06-26 1999-09-14 Alliedsignal Inc. Removal rate behavior of spin-on dielectrics with chemical mechanical polish

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014171766A1 (ko) * 2013-04-17 2014-10-23 제일모직 주식회사 유기막 ｃｍｐ 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마방법
US10723916B2 (en) 2013-04-17 2020-07-28 Samsung Sdi Co., Ltd. Organic film CMP slurry composition and polishing method using same

Also Published As

Publication number Publication date
US20030203634A1 (en) 2003-10-30
US7026245B2 (en) 2006-04-11
US6043155A (en) 2000-03-28
TW274625B (ko) 1996-04-21
US20020068452A1 (en) 2002-06-06
US5772780A (en) 1998-06-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100358588B1 (ko) 연마제및연마방법
EP2188344B1 (en) Polishing composition and method utilizing abrasive particles treated with an aminosilane
KR101371850B1 (ko) 폴리에테르 아민을 함유하는 연마 조성물
Oliver Chemical-mechanical planarization of semiconductor materials
US6267909B1 (en) Planarization composition for removing metal films
US6811470B2 (en) Methods and compositions for chemical mechanical polishing shallow trench isolation substrates
US6325705B2 (en) Chemical-mechanical polishing slurry that reduces wafer defects and polishing system
US6114249A (en) Chemical mechanical polishing of multiple material substrates and slurry having improved selectivity
WO2011081109A1 (ja) Ｃｍｐ用研磨液及びこれを用いた研磨方法
US20030060126A1 (en) System and method of defect optimization for chemical mechanical planarization of polysilicon
JP3430733B2 (ja) 研磨剤及び研磨方法
US20080220610A1 (en) Silicon oxide polishing method utilizing colloidal silica
KR102322420B1 (ko) 저결점의 화학적 기계적 폴리싱 조성물
WO2018181901A9 (ja) 洗浄液組成物
US7637270B2 (en) Method of washing a polished object
US20110062115A1 (en) Composition and method for polishing bulk silicon
US6277746B1 (en) Methods of reducing corrosion of materials, methods of protecting aluminum within aluminum-comprising layers from electrochemical degradation during semiconductor processing, and semicoductor processing methods of forming aluminum-comprising lines
CN111944428B (zh) 化学机械抛光组合物以及优先于二氧化硅抛光氮化硅并同时抑制对二氧化硅的损伤的方法
CN113528028A (zh) 化学机械抛光液、半导体结构及其制备方法
EP4038155A1 (en) Low dishing copper chemical mechanical planarization
EP0967259A1 (en) A polishing compound and a method for polishing
US6350692B1 (en) Increased polish removal rate of dielectric layers using fixed abrasive pads
CN111378373A (zh) 一种用于抛光钨的化学机械抛光液
US20230365863A1 (en) Silicon nitride etching compositions and method
Doi 7 Chemical Polishing and Mechanical Its Applications

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20110920

Year of fee payment: 10

LAPS Lapse due to unpaid annual fee