KR100358107B1 - 산화환원형 초고용량 커페시터 및 그 제조방법 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title description 12
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 39
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 claims abstract description 32
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 23
- 229910003002 lithium salt Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 159000000002 lithium salts Chemical class 0.000 claims abstract description 21
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 19
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims description 26
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 claims description 22
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 13
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 12
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 claims description 10
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 9
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 7
- 239000006258 conductive agent Substances 0.000 claims description 7
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 7
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 6
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 6
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 claims description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 5
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 4
- OIFBSDVPJOWBCH-UHFFFAOYSA-N Diethyl carbonate Chemical compound CCOC(=O)OCC OIFBSDVPJOWBCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N Ethylene carbonate Chemical compound O=C1OCCO1 KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- IEJIGPNLZYLLBP-UHFFFAOYSA-N dimethyl carbonate Chemical compound COC(=O)OC IEJIGPNLZYLLBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- JBTWLSYIZRCDFO-UHFFFAOYSA-N ethyl methyl carbonate Chemical compound CCOC(=O)OC JBTWLSYIZRCDFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000007524 organic acids Chemical group 0.000 claims description 3
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims 1
- 229920005597 polymer membrane Polymers 0.000 abstract description 6
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 17
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 4
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 4
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 2
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 2
- 238000006479 redox reaction Methods 0.000 description 2
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical class [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910015015 LiAsF 6 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910013063 LiBF 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 LiCF 3 SO 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910013684 LiClO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910013870 LiPF 6 Inorganic materials 0.000 description 1
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/22—Devices using combined reduction and oxidation, e.g. redox arrangement or solion
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/02—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof using combined reduction-oxidation reactions, e.g. redox arrangement or solion
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/22—Electrodes
- H01G11/26—Electrodes characterised by their structure, e.g. multi-layered, porosity or surface features
- H01G11/28—Electrodes characterised by their structure, e.g. multi-layered, porosity or surface features arranged or disposed on a current collector; Layers or phases between electrodes and current collectors, e.g. adhesives
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/22—Electrodes
- H01G11/30—Electrodes characterised by their material
- H01G11/48—Conductive polymers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/52—Separators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/84—Processes for the manufacture of hybrid or EDL capacitors, or components thereof
- H01G11/86—Processes for the manufacture of hybrid or EDL capacitors, or components thereof specially adapted for electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/022—Electrolytes; Absorbents
- H01G9/025—Solid electrolytes
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/22—Electrodes
- H01G11/30—Electrodes characterised by their material
- H01G11/32—Carbon-based
- H01G11/38—Carbon pastes or blends; Binders or additives therein
-
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/13—Energy storage using capacitors
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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Abstract
본 발명은 전극과 분리막이 일체형인 산화환원형 초고용량 커페시터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더 상세하게는 리튬염으로 도핑된 폴리아닐린 분말을 포함하는 활성전극과, 상기 활성전극의 사이에 삽입된 고분자분리막 고분자막을 포함하고, 상기 전극과 분리막이 일체형인 산화환원형 초고용량 커페시터 및 그 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따른 커페시터는 전극과 분리막이 일체형이므로 계면저항이 최소화될 뿐 아니라, 또한 그 제조방법이 보다 간단하고 단순하며 형태에 제약이 줄어든다는 장점을 갖는다.
Description
본 발명은 전극과 분리막이 일체형인 산화환원형 초고용량 커페시터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더 상세하게는 리튬염으로 도핑된 폴리아닐린 분말을 포함하는 활성전극과 상기 활성전극의 사이에 삽입된 고분자분리막을 포함하고, 상기 전극과 분리막이 일체형인 산화환원형 초고용량 커페시터 및 그 제조방법에 관한 것이다.
최근 우리사회가 본격적으로 고도 정보화 사회로 되어감에 따라 신뢰성 높은 정보통신시스템이 요구되고 있으며, 이와 함께 안정적인 전기에너지 확보가 절대적으로 필요하게 되었다. 이에 따라 태양광 발전, 풍력 발전의 도입, 하이브리드 자동차의 개발 등이 활발히 이루어지고 있으며, 이들이 효율적인 시스템이 되기 위해서는 우수한 에너지 축적시스템이 요구되고 있다. 최근 이같은 안정적인 전기에너지의 확보와 우수한 에너지 공급원 시스템의 양자를 만족하는 에너지원 시스템으로서 리튬 2차전지, 초고용량 커페시터 및 태양전지가 관심의 대상이 되고 있다. 그중에서도 특히 초고용량 커페시터는 높은 에너지를 짧은 시간에 방출하는 에너지원으로서, 최근에 가장 각광받고 있는 신개념의 에너지 저장원으로 새롭게 조명되고 있는 전원 시스템이다.
커페시터는 크게 정전 커페시터(electrostatic capacitor), 전해 커페시터(electrolytic capacitor), 전기화학 커페시터(electrochemical capacitor)등으로 나눌 수 있다. 이 중 정전 커페시터는 작은 정전용량으로 고전압 충방전이 가능하며 특히 수 밀리세컨드(millisecond) 이내의 빠른 방전 시간 특성 때문에 고전압 단펄스 전력체계(high voltage short pulse power system)에 사용된다. 또한 전해액 콘덴서라고도 불리는 전해 커페시터가 지금까지는 정전용량이 가장 큰 커페시터로 인식되어 보편적으로 사용되고 있다.
최근 각광받고 있는 전기화학 커페시터(초고용량 커페시터 혹은 울트라 커페시터라고도 불림)는 전극소재 기술의 발전에 힘입어 재래식 콘덴서에 비하여 비축적 용량(specific capacitor: F/g)이 100 배 내지 1000 배 이상 크고, 최신형 2차 전지에 비하여 동력밀도가 10배 이상, 에너지 밀도는 1/10 수준으로 향상되는 등 다량의 에너지를 신속하게 저장할 수 있는 에너지 저장 동력원으로 그 활용분야가 급속히 확대되고 있다. 초고용량 커페시터는 작동 원리에 따라 전기이중층 커페시터(EDLC; electrical double layer capacitor)와 산화환원 혹은 가상 초고용량 커페시터(redox or pseudo super capacitor)로 나눌 수 있다. EDLC는 전하분리(charge separation)에 의해 작동되며 주로 전극물질로는 활성화된 탄소계열을 사용한다. 산화환원 초고용량 커페시터는 전하이동(charge transport)에 의해 작동되는 화학적 커페시터라 할 수 있으며, EDLC와는 달리 경량소형화가 가능하고, 단위 중량당 축전용량도 EDLC보다 5배 내지 10배 정도 크므로 소형화된 고출력 에너지원으로는 가장 유리하다. 산화환원 초고용량 커페시터는 금속산화물과 전도성 고분자 등의 활성전극, 분리막(separator), 전해액(electrolyte), 전하집전체(charge collector) 및 포장재(case, sealing)로 구성된다. 이 중에서 가장 중요한 요소가 활성전극이다. 전하집전체 및 전해액도 커페시터의 성능을 결정하는데 중요한 역할을 하나, 활성전극에 따라 축전용량이 달라지며 전압이 달라지기 때문이다. 또한 전극소재는 전하가 전극에서 최소의 전압강하 분포를 이루도록 전기전도성이 크고 비표면적이 높으며 전기화학적으로 안정하여야 하며, 재료의 가격이 저렴하여야 한다.
전도성 고분자계 전극물질은 아직 많은 연구가 되지 않았으나 금속산화물보다 많은 장점이 있기 때문에 최근에 관심의 대상이 되고 있다. 그 예로서, 폴리피롤(polypyrrole)과 폴리사이오펜(polythiophene)계 전도성 고분자와 이들의 유도체에 대한 연구가 이루어지고 있다. 특히 폴리사이오펜계 유도체 화합물 중 p형 도핑과 n형 도핑이 동시에 가능한 물질을 사용하여 약 3V대의 전압을 나타내면서 약 100F/g정도의 축전용량을 나타내는 물질도 보고된 바 있다.
한편, 정보사회의 발전에 따라 다양한 정보제공이 가능한 미래형 정보통신 단말기들은 고출력 고효율의 소형 전원을 필요로 하고 있다. 가까운 장래에 개발될 IMT-2000 및 위성통신기기 등과 같이 고용량 에너지의 효율적 공급이 더욱 요망되는 현 추세에 맞추어 볼 때 기존 전지의 에너지밀도는 한계에 이르고 있으므로순간 고출력이 가능한 보조 전원용 초소형 고용량 커페시터의 개발이 절실하다. 이 같은 초소형 고용량의 보조 에너지원으로써는 기존 전하분리방식의 EDLC보다 에너지 축적 용량이 훨씬 증대된 산화환원 반응을 이용한 산화환원 초고용량 커페시터가 가장 적절할 것이다.
특히 산화환원 초고용량 커페시터는 산화환원 반응을 이용하므로 전기이중층 커페시터에 비해 수명은 다소 떨어지는 단점이 있지만, 축전용량이 크며 순간 고출력이 가능하고 초소형으로 제조할 수 있는 장점을 가지고 있다. 지금까지의 전기이중층 및 산화환원형 초고용량 커페시터들 모두 전극판과 분리막이 분리된 채로 물리적인 외부 압력(힘)에 의해 접촉되어 있는 형태가 전부였으며, 그 제조방법은 활성탄소 계열이나 무기산화물 혹은 전도성 고분자를 바인더와 잘 섞은 후 전하집전체나 부직포 같은데 도포하여 전하 집전체 및 분리막과 외부의 케이스나 조임장치에 의해 접합시켜 커페시터를 제작하여 왔다. 따라서, 접합을 위하여 단단한 케이스나 말아놓은 형태로 커페시터를 만들어야 했으므로, 그 형태에 제한이 있고 또한 위치를 정렬시키기 위한 공정이 추가적으로 필요하였다.
본 발명은 지금까지의 초고용량 커페시터와는 달리 전도성 고분자를 포함한 전극과 분리막을 포함하고, 전극과 분리막이 일체형이어서 계면저항을 현저하게 줄일 수 있는 산화환원형 초고용량 커페시터를 제조하는 방법을 제공하고자 한다. 또한 본 발명은 종래의 커페시터보다 공정을 단순화시키고 형태의 제약을 줄일 수있는 신규한 커페시터의 제조방법을 제공하고자 한다.
도 1 및 도 2는 본 발명에 따른 전극활물질 슬러리를 제조하는 과정을 보여주는 공정도.
도 3는 본 발명 중 전하집전체에 직접 슬러리를 도포하여 전극판을 제조하는 과정을 보여주는 공정도.
도 4은 본 발명 중 전극물질막을 제조한 후 전하집전체에 양면으로 도포하여 전극판을 제조하는 과정을 보여주는 공정도.
도 5a 및 도 5b는 본 발명에 따라 제조된 일체형 커페시터의 단면도.
도 6는 본 발명에 따라 제조한 초고용량 커페시터의 충방전 100회의 방전곡선을 나타내는 그래프.
도 7은 본 발명에 따라 제조한 초고용량 커페시터의 전류를 달리하면서 충방전 회수 100회까지의 방전용량을 나타내는 그래프.
도 8은 본 발명에 따라 제조한 초고용량 커페시터의 충방전사이클 3500회까지의 방전용량을 나타내는 그래프.
* 도면의 주요 부분의 부호의 설명 *
301: 호일형태의 전하집전체 302: 전극활물질 슬러리
401: 고분자막(바탕지지체 필름) 402: 메쉬형태의 전하집전체
501: 고분자분리막
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명은
리튬염으로 도핑된 폴리아닐린 분말을 포함하는 전극활물질을 제조하는 제 1단계; 제조된 전극활물질을 전하집전체에 접합시켜 전극판을 제조하는 제 2단계; 및 제조된 전극판을 양측면에 위치시키고 그 사이에 고분자분리막을 위치시킨 후 접합시키는 제 3단계를 포함하여 이루어진 전극판과 분리막 일체형의 산화환원형 커페시터를 제조하는 방법을 제공한다.
이 때, 상기 전극판을 제조하는 제 2단계의 접합은 제조된 전극활물질을 전하집전체에 직접 도포 및 건조하는 방법을 이용할 수도 있고, 전극활물질을 고분자 막상에서 제조하여 건조시킨 후, 고분자막과 분리하여 메쉬 형태의 전하집전체에 접합시키는 방법을 이용할 수도 있다.
또한 고분자분리막과의 접합단계에서의 상기 고분자분리막은 폴리비닐리덴다이플로라이드(PVDF)를 아세톤에 용해시킨 혼합물을 코팅기를 사용하여 제조하는 것이 바람직하며, 이러한 방법에 의하여 PVDF를 아세톤에 용해시킨 혼합물을 코팅기를 사용하여 제조한 분리막은 다공성 기공을 가지게 되며, 기계적인 강도가 증대된다.
또한 상기 전극활물질을 제조하는 단계가 폴리아닐린 분말을 유기용매하에서 리튬염용액과 혼합하여 10시간 이상 교반한 후 여과, 세척 및 건조시켜 폴리아닐린을 리튬염으로 도핑시키는 제 1단계; 상기 결과물을 도전제와 혼합하는 제 2단계; 상기 혼합물을 폴리비닐리덴디플로라이드(PVDF) 및 결착제가 용해된 유기용액에 넣고 교반하는 제 3단계; 이후 24시간 동안 볼밀을 행하는 제 4단계로 이루어진 것이 바람직하다. 이 때, 제 1 단계에서의 유기용매는 에틸렌카보네이트, 프로필렌 카보네이트, 디메틸 카보네이트, 디에틸 카보네이트 및 에틸메틸 카보네이트 중 선택된 적어도 하나를 사용하는 것이, 제 2단계에서 상기 혼합시의 결과물의 상태는 고체분말상태이며, 제 3단계에서 상기 결착제는 유기산이고, 유기용액은 NMP인 것이 바람직하며, 또한 상기 리튬염으로 도핑된 폴리아닐린 분말 : 도전제 : PVDF : NMP의 중량비는 1:1:1:15 인 것이 바람직하다. 본 발명은 또한 리튬염으로 코팅된 폴리아닐린 분말을 포함하는 활성전극과, 상기 활성전극을 양면으로 하고 그 사이에 삽입된 고분자분리막을 포함하는, 구조를 갖는 커페시터를 제공하며, 이때, 고분자분리막은 PVDF를 포함하는 것이 바람직하다.
이하, 본 발명을 실시예에 따라 자세히 설명하기로 한다.
실시예 1 내지 6: 전하집전체에 직접 코팅하기 위한 전극활물질 슬러리의 제조
(1) 폴리아닐린의 준비
우선 1M 염산과 산화제인 (NH4)2S2O8의 혼합용액에 아닐린 모노머(단량체)를 넣고 0℃에서 저어주어 산에 의해 도핑된 폴리아닐린(진녹색 가루) 즉, 전도성을 갖는 폴리아닐린을 제조하였다. 이때 온도를 0℃로 유지해야 하는데, 이는 온도가달라지면 제조되는 폴리아닐린의 평균분자량이 다르기 때문이다. 이렇게 만들어진 폴리아닐린을 1M 염산으로 여러 번 세척하고, 다시 산으로 도핑되지 않은 상태의 폴리아닐린(진청색)을 만들기 위해서 0.1N NH4OH 로 세척하였다.
(2) 리튬염으로 도핑된 폴리아닐린의 제조
리튬염 용액의 리튬이온으로 폴리아닐린 분말을 도핑하기 위해 에틸렌 카보네이트(ethylene carbonate), 프로필렌 카보네이트(propylene carbonate), 디메틸 카보네이트(dimethyl carbonate), 디에틸 카보네이트(diethyl carbonate), 에틸메틸 카보네이트(ethylmethyl carbonate) 중 적어도 하나의 유기용매에 LiPF6, LiBF4, LiClO4, LiAsF6, LiCF3SO3, LiN(CF3SO2)2, LiC(CF3SO2)3중 적어도 어느 하나가 녹아 있는 리튬염 용액을 혼합하였다.
먼저 도핑되지 않은 폴리아닐린 분말이 혼합된 리튬염 용액을 자석젓개로 저어주었다. 이 과정은 모두 상대습도가 0.05 % 이하인 건조상자나 건조룸 안에서 이루어져야 한다. 리튬염에 의한 폴리아닐린의 도핑은 적어도 10 시간이 지나야 완전히 일어나기 때문에 20 시간 이상 교반하여 주었다. 시간이 지난 후 대기중에서 거름종이를 이용하여 폴리아닐린 분말을 거른 다음, 걸러진 폴리아닐린 분말을 비극성 유기용매로 여러 번 세척하고 진공오븐에서 건조시켜 리튬염이 도핑된 폴리아닐린 분말을 얻었다.
(2) 전극활물질 슬러리의 제조
상기 (1)에서 제조된 리튬염으로 도핑된 폴리아닐린 분말과 도전제를 골고루 섞기 위해 미리 고체분말 상태에서 먼저 섞어주었다. 이렇게 혼합된 분말을 폴리비닐리덴다이플로라이드(PVDF) 및 유기산인 결착제가 녹아 있는 유기용액(NMP)에 넣고 교반기를 이용하여 골고루 교반시켰다. 유기용액으로 슬러리의 점도를 조절해서 도포하기 적당한 점도를 갖는 슬러리를 형성한 다음, 볼(ball)을 사용한 볼밀(ball mill) 작업으로 상기 슬러리에 다시 골고루 섞어 주었다. 이러한 볼밀 작업을 2일 동안 실시한 후, 볼을 제거하여 전극활물질 슬러리를 제조하였다. 상기 제조방법을 첨부한 도 1에 나타내었다.
각 실시예에 따른 조성비와 도포후의 상태를 하기 표 1에 나타내었다.
리튬도핑된 폴리아닐린분말 | 도전제 | 결착제 | NMP | 두께(㎛) | 결과 | |||
PVDF | 전체 | 용매 | 전체 | |||||
실시예1 | 0.2g | 0.2g | 0.8g | 6.15g | 0g | 5.3505g | 600->84 | 호일에 구김이 심하다. |
실시예2 | 0.2g | 0.2g | 0.6g | 4.62g | 1g | 5.0194g | 600->98 | 구김이 있다. |
실시예3 | 0.2g | 0.2g | 0.4g | 3.08g | 2g | 4.677g | 600->75 | 구김이 아직 남아있으나 조금씩 나아짐. |
실시예4 | 0.2g | 0.2g | 0.2g | 1.54g | 3g | 4.3398g | 600->156 | 가장 좋은 결과를 얻음. |
실시예5 | 0.2g | 0.2g | 0.2g | 1.54g | 2g | 3.3398g | 600->230 | 표면이 고르지 못함. |
실시예6 | 0.2g | 0.2g | 0.1g | 0.77g | 3g | 3.6692g | 600->135 | 호일에서 활물질이 떨어짐. |
도포시의 도포두께는 600㎛ 로 하였고, 도포후 건조시의 온도는 80℃ 로 하였다. 상기 표 1 에서의 결과로부터 최적 조건은 활물질전극 : 도전제 : PVDF : NMP 의 중량비는 1: 1: 1: 15 임을 알 수 있었다.
실시예 7 내지 11: 고분자막에 도포하기 위한 활물질 슬러리의 제조
(1) 리튬염으로 도핑된 폴리아닐린의 제조
상기 실시예 1내지 6의 (1)과 같은 방법으로 폴리아닐린을 리튬염으로 도핑하였다.
(2) 고분자막에 도포하기 위한 전극활물질의 제조
상기 (1)에서 제조된 리튬염으로 도핑된 폴리아닐린 분말 및 도전제를 골고루 섞기 위해 미리 고체분말 상태에서 먼저 섞어준 후 아세톤 용액과 혼합하였다. 혼합된 분말을 PVDF가 녹아 있는 아세톤에 넣고 교반기를 이용하여 5시간동안 골고루 교반시켜 주었다. 유기용액으로 슬러리의 점도를 조절해서 도포하기 적당한 점도(흘러내리지 않을 정도)를 갖는 슬러리를 형성한 다음, 볼(ball)을 사용한 볼밀(ball mill) 작업으로 상기 슬러리에 다시 골고루 섞어 주었다. 이러한 볼밀작업을 2일 동안 실시한 후, 볼을 제거하여 전극활물질 슬러리를 제조하였다. 이상과 같은 제조방법을 첨부한 도 2에 나타내었다.
이 때 각 실시예에 따른 각 물질의 조성을 하기 표 2에 나타내었다.
리튬도핑된 폴리아닐린분말 | 도전제 | 결착제 | 두께 | 결 과 | |
실시예7 | 0.2g | 0.2g | 0.2g | 600㎛ -> 140㎛ | PVDF양이 많아 모양이 오므라든다 |
실시예8 | 0.2g | 0.2g | 0.15g | 600㎛ -> 95㎛ | 오므라드는 정도가 남아있으나 아직도 PVDF양을 줄일수 있다. |
실시예9 | 0.2g | 0.2g | 0.1g | 600㎛ -> 140㎛ | 필름이 약간 오므라드나 가장 좋은 결과물이며 표면도 매끄럽다 |
실시예10 | 0.2g | 0.2g | 0.08g | 600㎛ -> 150㎛ | 표면에 구멍이 나기 시작한다. |
실시예11 | 0.2g | 0.2g | 0.06g | 600㎛ -> 110㎛ | 표면에 구멍이 나며 필름의 접착성도 떨어지지만 모양은 유지가 된다. |
도포시의 두께는 600㎛로 하였고, 80℃에서 건조시켰다.
상기 결과로부터 최적 조건은 고분자 활물질 : 도전제 : PVDF의 중량비를 2: 2: 1로 하는 것임을 알 수 있었다. 특히 이때 PVDF를 녹일 때 사용되는 아세톤은 슬러리의 점도를 도포하기에 적당하게(흘러내리지 않을 정도)사용해야 하고 휘발성이 높기 때문에 양을 결정하기가 어렵다.
실시예 12: 커페시터의 제조
(1) 전하집전체에 직접 도포된 전극판의 제조
첨부한 도 3과 같이 상기 실시예 1 내지 6에서 제조된 전극활물질 슬러리(302)를 코팅기를 사용하여 호일(foil)형태의 전하집전체(301)에 일정한 간격으로 도포한 후 건조하여 전하집전체에 직접 도포된 전극판을 얻었다.
(2) 전극물질막을 제조하여 전하집전체에 접합시킨 전극판의 제조
첨부한 도 4와 같이 상기 실시예 7 내지 11에서 제조된 전극활물질 슬러리(302)를 준비된 고분자막(401)에 일정간격으로 도포한 후 건조하였다. 건조된 상태에서 이를 고분자막(401)으로부터 박리시킨 후, 메쉬형태의 전하집전체(402)를 중간에 두고 그 상하부분에 위치시킨 후, 롤프레스를 통과시켜 메쉬형태의 전하집전체(402)의 양면에 전극활물질(302)이 접합된 형태의 전극판을 얻었다.
(3) 고분자 분리막의 제조
PVDF 고분자를 아세톤에 녹인 고분자 용액을 코팅기기를 사용하여 일정한 두께로 지지체 고분자필름에 도포한 후 건조시키고, 이를 고분자 필름에서 박리시켜 고분자 분리막(501)을 얻었다. 이렇게 제작된 고분자 분리막은 양쪽의 전극판을 접합시킬 수 있을 뿐만 아니라 이온전도를 할 수 있게 다공성을 가진 특성이 있어 분리막으로 사용하기에 적합하다. 제조된 고분자분리막(501)을 원하는 크기로 재단하였다.
(4) 커페시터의 제조
첨부한 도 5에서와 같이 상기 (1) 또는 (2)에서 얻은 전극판을 원하는 크기로 재단한 후, 고분자분리막(501)을 중간에 위치시키고, 전극판을 고분자분리막(501)의 상하에 위치시킨 후 롤프레스를 통과시켰다. 이렇게 하여 전극과 분리막이 일체형인 본 발명에서의 초고용량 커페시터를 제조하였다.
이후 상기 결과물을 포장지에 넣고 Et4NBF41몰을 아세토니트릴에 녹인 전해액을 주입한 후 밀봉하였다.
이렇게 만들어진 완전접합형 초고용량 커페시터의 성능을 측정하였다. 크기는 3x6cm, 전극판의 두께는 약 35㎛정도, 고분자분리막의 두께는 약 20㎛정도이었으며, 충방전은 1.0V~0.01V 사이의 조건으로 테스트하였다.
측정결과를 첨부한 도 6 내지 8에 나타내었다.
도 6은 본 발명에 따라 제조한 초고용량 커페시터의 충방전 100번째 방전곡선을 나타내는 그래프이다. 4mA의 방전전류 하에서는 약 260초 동안 방전하고, 8mA의 방전전류 하에서는 약 100초 동안 방전하는 것을 알 수 있으며 또한 방전 전류가 증가할 수록 방전 시간이 짧아지는 것을 알 수 있다. ESR값은 1KHz에서 3.56m 로 매우 낮았다.
도 7는 본 발명에 따라 제조한 초고용량 커페시터의 전류를 달리하면서 충방전 회수 100회까지의 방전용량을 나타내는 그래프이다. 방전전류가 4mA인 경우는 약 75F/g을 나타내었으며, 8mA인 경우에는 약 70F/g을 나타내었다.
도 8은 본 발명에 따라 제조한 초고용량 커페시터의 충방전사이클 3500회까지의 방전용량을 나타내는 그래프로서, 방전전류가 8mA인 경우에는 약 3500회 방전시에는 약 60F/g을 나타내는 것을 알 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
상기한 바와 같은 본 발명에 따른 초고용량 커페시터는, 전극판과 분리막이 분리되어 물리적인 외부압력에 의하여 접촉되어 있는 형태의 기존의 전기이중층 및 산화환원형 초고용량 커페시터와 달리 전도성 고분자의 일종인 폴리아닐린 분말을 사용하여 전극과 분리막이 일체형인 산화환원형 초고용량 커페시터로서 계면저항을 최소화할 수 있고, 박막형태의 얇은 초고용량 커페시터를 보다 간단하고 단순한 공정으로 제조할 수 있을 뿐만 아니라, 종래의 커페시터에 비하여 그 형태에 제약이 거의 없으므로 이를 기초로 여러가지 형태의 초고용량 커페시터에 이용하는 것이 가능하다.
Claims (10)
- 리튬염으로 도핑된 폴리아닐린 분말을 포함하는 전극활물질을 제조하는 제 1단계;제조된 전극활물질을 전하집전체에 접합시켜 전극판을 제조하는 제 2단계; 및제조된 전극판을 양측면에 위치시키고 그 사이에 고분자분리막을 위치시킨 후 접합시키는 제 3단계를 포함하여 이루어진 전극판과 분리막 일체형의 산화환원형 커페시터 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,전극판을 제조하는 제 2단계의 접합은 제조된 전극활물질을 전하집전체에 직접 도포 및 건조하는 것으로 이루어짐을 특징으로 하는 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,전극판을 제조하는 제 2단계의 접합은 제조된 전극활물질을 고분자 막상에서 제조하여 건조시킨 후, 고분자막과 분리하여 메쉬형태의 전하집전체에 접합시키는 것으로 이루어짐을 특징으로 하는 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 고분자분리막은 폴리비닐리덴다이플로라이드(PVDF)를 아세톤에 용해시킨 혼합물을 코팅기를 사용하여 제조하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 전극활물질을 제조하는 단계는폴리아닐린 분말을 유기용매하에서 리튬염용액과 혼합하여 10시간 이상 교반한 후 여과, 세척 및 건조시켜 폴리아닐린을 리튬염으로 도핑시키는 제 1단계;상기 결과물을 도전제와 혼합하는 제 2단계;상기 혼합물을 PVDF 및 결착제가 용해된 유기용액에 넣고 교반하는 제 3단계;이후 24시간 정도 볼밀을 행하는 제 4단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 제조방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 제 1 단계에서의 유기용매는 에틸렌카보네이트, 프로필렌 카보네이트, 디메틸 카보네이트, 디에틸 카보네이트 및 에틸메틸 카보네이트 중 선택된 적어도하나인 것을 특징으로 하는 제조방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 제 2단계에서 상기 혼합시의 결과물의 상태는 고체분말상태이며, 상기 제 3단계에서 상기 결착제는 유기산이고, 유기용액은 NMP인 것을 특징으로 하는 제조방법.
- 제 5 항에 있어서,리튬도핑된 폴리아닐린 분말 : 도전제 : PVDF : NMP 의 중량비는 1:1:1:15 인 것을 특징으로 하는 제조방법.
- 리튬염으로 코팅된 폴리아닐린 분말을 포함하는 활성전극과, 상기 활성전극을 양면으로 하고 그 사이에 삽입된 고분자분리막을 포함하는, 전극과 분리막이 일체형인 산화환원형 초고용량 커페시터.
- 제 9 항에 있어서,상기 고분자분리막은 PVDF를 포함하는 것을 특징으로 하는 커페시터.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020000077836A KR100358107B1 (ko) | 2000-12-18 | 2000-12-18 | 산화환원형 초고용량 커페시터 및 그 제조방법 |
US10/015,890 US20020114128A1 (en) | 2000-12-18 | 2001-12-17 | Redox supercapacitor and manufacturing method thereof |
JP2001385082A JP2002237430A (ja) | 2000-12-18 | 2001-12-18 | 酸化還元型超高容量キャパシタ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020000077836A KR100358107B1 (ko) | 2000-12-18 | 2000-12-18 | 산화환원형 초고용량 커페시터 및 그 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20020048624A KR20020048624A (ko) | 2002-06-24 |
KR100358107B1 true KR100358107B1 (ko) | 2002-10-25 |
Family
ID=19703202
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020000077836A KR100358107B1 (ko) | 2000-12-18 | 2000-12-18 | 산화환원형 초고용량 커페시터 및 그 제조방법 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20020114128A1 (ko) |
JP (1) | JP2002237430A (ko) |
KR (1) | KR100358107B1 (ko) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10248752A1 (de) * | 2002-10-18 | 2004-05-13 | Epcos Ag | Kondensator, dessen Verwendung sowie ein Verfahren zur Erhöhung der maximalen Ladungen von Kondensator-Elektroden |
US7508650B1 (en) | 2003-06-03 | 2009-03-24 | More Energy Ltd. | Electrode for electrochemical capacitor |
CN101790792A (zh) | 2007-11-02 | 2010-07-28 | 第一太阳能有限公司 | 包括掺杂的半导体膜的光伏器件 |
CN101577272B (zh) * | 2008-05-06 | 2013-04-10 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 发光模组 |
JP5293383B2 (ja) * | 2008-12-25 | 2013-09-18 | 日本ゼオン株式会社 | 支持体付電極組成物層及び電気化学素子用電極の製造方法 |
JP5481922B2 (ja) * | 2009-01-26 | 2014-04-23 | 日本ゼオン株式会社 | 鉛蓄電池用支持体付キャパシタ電極組成物層及び鉛蓄電池用電極の製造方法 |
KR101141481B1 (ko) * | 2010-06-10 | 2012-05-04 | 삼성전기주식회사 | 2차 전원의 제조방법 |
EP2603921A1 (en) * | 2010-08-12 | 2013-06-19 | Massachusetts Institute Of Technology | Flexible conducting polymer energy storage device |
KR101570983B1 (ko) * | 2014-11-11 | 2015-11-23 | 한국에너지기술연구원 | 블록형 슈퍼커패시터와 그 제조방법 및 전극재료로서 적합한 복합재료와 그 제조방법 |
FR3030497B1 (fr) * | 2014-12-23 | 2019-06-07 | Saint-Gobain Weber | Liant a base de compose mineral solide riche en oxyde alcalino-terreux avec activateurs phosphates |
CN112908726B (zh) * | 2021-02-03 | 2022-11-15 | 沈阳大学 | 一种双网络全水凝胶可拉伸固态超级电容器的制备方法 |
-
2000
- 2000-12-18 KR KR1020000077836A patent/KR100358107B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2001
- 2001-12-17 US US10/015,890 patent/US20020114128A1/en not_active Abandoned
- 2001-12-18 JP JP2001385082A patent/JP2002237430A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20020048624A (ko) | 2002-06-24 |
US20020114128A1 (en) | 2002-08-22 |
JP2002237430A (ja) | 2002-08-23 |
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