KR100356282B1

KR100356282B1 - 다(多)반응기를 갖고 있는 고분자 막 또는 필름 및 그제조 방법

Info

Publication number: KR100356282B1
Application number: KR1020000042435A
Authority: KR
Inventors: 원종옥; 강용수; 박용순; 차봉준; 박현채; 정범석
Original assignee: 한국과학기술연구원
Priority date: 2000-07-24
Filing date: 2000-07-24
Publication date: 2002-10-18
Also published as: KR20020009107A

Abstract

본 발명은 나노미터 두께의 유기박막이 형성된 고분자 필름 또는 고분자 막에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 간단한 플라즈마나 UV조사 방법을 통해, 고분자 필름이나 고분자 막 위에 말단 반응기가 많은, 덴드리틱 고분자 및 상기 고분자 말단에 활성 물질이 치환된 덴드리틱 고분자 또는 별모양 고분자 등 여러 구조의 고분자를 공유 결합으로 결합시켜 제조된 고분자 필름 또는 고분자 막 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

본 발명의 고분자 필름 또는 고분자 막은 표면에 반응기를 많이 갖고 있으므로 이를 그 목적에 따라 다른 물질들로 부착하면 화학센서, 액체 또는 기체상에서의 흡착막, 분리막, 또는 리쏘그라피 공정(lithography)등에 응용이 가능하다.

Description

다(多)반응기를 갖고 있는 고분자 막 또는 필름 및 그 제조 방법{Polymeric Thin Film Having Multi-Functional Groups on Polymeric Supports and Method Thereof}

본 발명은 나노미터 두께의 유기박막이 형성된 고분자 필름 또는 고분자막에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 간단한 플라즈마나 UV조사 방법을 통해, 고분자 필름이나 고분자 막 위에 말단 반응기가 많은 덴드리틱 고분자 또는 별모양 등 여러 구조의 고분자가 공유결합으로 결합된 고분자 필름 또는 고분자 막 및 그 제조방법에 관한 것이다.

유기박막은 접착, 부식방지, 센서, 광.전소자 및 분리막 등에의 광대한 응용때문에 많은 연구가 행해지고 있고 특히, 덴드리틱 고분자는 나노미터 크기의 고분자로 그 말단에 반응기를 많이 갖고 있기 때문에 그 응용범위가 넓어, 이러한 덴드리틱 고분자로 유기박막을 만드는 연구도 행해지고 있다.

일반적으로 덴드리틱 고분자를 사용한 유기박막은 금속이나 세라믹 같은 무기물 표면 위에 자기조립박막법, 랑미루 브라젯법(Langmuir-Blodgett), 흡착 바인딩 (adsorptive binding)이나, 정전기적 힘을 이용한 법, 또는 표면 위에 융합시켜 제조되고 있다. 예컨대, Tsukruk등은 실리콘 웨이퍼(silicon wafer) 상에 정전기를 걸어주어 반대 전하로 하전된 덴드리머를 흡착시키고, 다시 반대로 정전기를 걸어주어 반대전하로 하전된 덴드리머를 흡착시키는 방법으로 다층 덴드리머 필름을 제조하였다[V. N. Bliznyuk, F. Rinderspacher, V. V. Tsukruk, Polymer, 39, 5249 (1998)]. 또한 Crooks등은 금 표면위에 머캅토운데카노산 (mercaptoundecanoic acid)으로 자기조립막을 제조한 후 화학적으로 덴드리머 표면의 반응기와 반응시켜단층 덴드리머 필름을 제조하였다[M. Wells, R. M. Crook, J. Am. Chem.Sco. 118, 3988, 1996]. 이들은 모두 금속이나 세라믹 표면에 덴드리머를 부착시키는 방법이다.

고분자 필름 표면 상에 유기박막을 제조하면 그 응용성이나 공정의 간편성 등의 장점이 있는 바, 고분자 필름 표면을 개질하는 연구가 꾸준히 진행되고 있으나, 금속이나 세라믹과는 다르게 고분자 표면을 개질하는 데 일반적으로 사용되는 방법은 습식방법이다.

이러한 습식법은 산을 써서 에칭하거나 표면을 산화시키는 방법을 쓰고 있다. 그 외에도 용매에 팽윤시키거나 팽윤된 고분자 표면 위에 코팅을 하여 제조하고 있다. 그러나 이들 방법에 있어서 용매를 사용하는 것은 예컨대, 공정 중에 사용하는 것이 독성이 있거나 부식을 시키거나, 종종 세척이나 중화 등의 여러 공정과정이 있어 경제적이지 못하다는 문제점이 있다. 또한 고분자는 금속과 세라믹과는 달리 여러 화학 물질들에 용해되거나 분해되어 결과적으로 고분자 필름의 손상을 가져오게 된다는 점에서 고분자 필름위에 유기박막을 제조하기 위한 새로운 공정에 대한 필요성이 요구되고 있다.

본 발명은 이러한 사정을 감안하여 안출된 것으로, 본 발명은 종래의 습식공정의 문제점을 해소한 플라즈마를 이용한 건식법을 사용하여 유기박막이 형성된 고분자필름 또는 고분자 막을 제공하고자 하는 것을 목적으로 한다.

본 발명의 또 다른 목적은, 말단 반응기가 많은 덴드리틱 고분자를 공유결합으로 고분자 막 또는 필름에 부착시킴으로서 차후 이 반응기들이 다른 활성기로 치환됨으로서 화학센서, 생체적합물질, 분리막 등 다양한 응용이 가능하도록 한 것에 있다.

본 발명의 또 다른 목적은 고분자 막 표면에 단량체를 사용해서 한층 한층 화학반응을 통해 얻는 Kolluri등이 출원한 중합방법[U. S. Patent, 5,962,138; US Patent 5,723,219]과는 다르게, 이미 제조된 덴드리머나, 별모양이나 가지가 많은 모양으로 제조된 고분자를 간단한 과정을 통해 직접 고분자 표면 위에 부착하는 방법으로 그 간편성과 실용성을 높이고자 하는데 있다.

도 1은 고분자 지지체 상에 공기 플라즈마 처리를 통해 덴드리머를 부착하는 방법에 대한 도면.

도 2는 고분자 지지체 상에 무수말레산 존재하에서의 플라즈마 처리를 해서 덴드리머를 부착하는 방법에 대한 도면.

도 3은 고분자 지지체 상에 무수말레산 존재하에서의 플라즈마 처리를 하고 아자이드 기를 도입 한 후 UV를 조사하여 반응기가 없는 덴드리틱 고분자나 별모양 고분자 들을 부착시키는 방법에 대한 도면.

도 4는 실시예 1-3에서 얻어진 고분자 막 또는 고분자 필름의 표면의 IR 스펙트럼; a) 실시예 1, b)실시예 2, c)실시예 3.

도 5는 실시예 7-9에서 얻어진 고분자 막 또는 고분자 필름의 표면의 IR 스펙트럼; a) 실시예 7, b)실시예 8, c)실시예 9.

도 6은 실시예 13에서 얻어진 고분자 막 또는 고분자 필름의 표면의 IR 스펙트럼.

본 발명은 고분자 막 또는 필름 표면 위에 간단한 플라즈마를 사용하여 다반응기를 갖고 있는 덴드리틱 고분자 즉, 제 2세대 이상의 덴드리머, 하이퍼 브렌치 고분자, 또는 말단기에 활성 물질이 치환된 덴드리틱 고분자, 가지가 많은 별모양의 고분자로 유기 박막을 제조하는 것이다.

즉, 플라즈마를 사용하여 고분자 막 표면 위에 활성을 주고, 고분자 표면 위에 생성된 활성과, 덴드리틱 고분자 최외각의 반응기와 화학결합을 유도하여 덴드리틱 고분자 표면위에 공유결합을 통하여 유기 박막을 형성한다.

이때, 고분자막은 덴스(dense)막이거나, 비대칭막이고 고분자 필름은 폴리다이메틸실리콘(PDMS), 폴리술폰, 폴리이미드, 폴리에테르술폰, 셀룰로우스, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌 등 고분자 필름이 될 수 있는 범용 또는 특수 고분자들을 포함한다.

이하, 본 발명에 대하여 상세히 설명한다.

말단 반응기가 있는 덴드리틱 고분자로 유기박막을 제조 시 공기 플라즈마 또는 무수말레산 존재하에서의 플라즈마 처리를 하여 제조하고, 말단 반응기가 없는 덴드리틱 고분자 또는 별모양의 고분자로 유기박막을 제조하는 데는 앞의 방법에 아자이드(N₃)기가 있는 화합물을 도입하고, UV 조사 과정을 첨가하여 제조한다.

각각에 대해 자세히 설명하기로 한다.

공기 플라즈마 처리에 의한 말단 반응기가 있는 덴드리머로 유기박막 제조 방법은 도 1에서 도시된 바와 같이 고분자 막 또는 필름을 플라즈마 반응기에 넣고 공기 플라즈마 처리를 한다. 이때 표면에서 산화반응이 일어나 카르복시기(carboxyl), 히드록실기(hrdroxyl), 케톤기(ketone), 퍼옥사이드기(peroxide)등 여러 종류의 반응기가 생성된다. 공기 중에서 처리한 고분자 막 또는 필름을 그 표면 위에 생성된 반응기와 화학결합을 할 수 있는 말단 반응기로 되어있는 덴드리틱 고분자가 있는 용액에 담그고 120°C에서 반응을 시키면 덴드리머의 말단 반응기와 고분자 막 표면의 반응기들과 화학적으로 반응하여 고분자 막 표면 위에 덴드리틱 유기박막이 제조된다. 반응은 IR을 통해 확인하였고 실시 예에 자세히 나타내었다.

무수말레산 존재하에서의 말단 반응기가 있는 덴드리틱 고분자로 유기박막 제조 방법은 도 2에서 도시된 바와 같이 플라즈마 반응기에 고분자 막 또는 필름과 함께 일정량의 무수말레산을 넣고 플라즈마 처리를 하면, 무수말레산이 기체상 단량체로 되어 이중결합이 화학반응을 하여 고분자 막 표면 위에 부착이 된다. 따라서 무수물 또는 개환된 반응기가 도입되어 이들과 화학적으로 결합 할 수 있는 말단의 반응기를 가진 덴드리틱 고분자와 화학반응을 통해 고분자 막 표면 위에 덴드리틱 박막이 제조된다.

여기에서 사용 가능한 말단의 반응기들은 아민, 카르복시, 카르복실릭 에스테르, 에폭시, 이소시아네이트, 하이드록시, 설프하이드릴 등이 있다.

말단 반응기가 없는 덴드리머 또는 별모양의 고분자로 유기박막을 제조하는 데는 도 3에 도시된 바와 같이, UV 조사를 이용해 제조하였다.

플라즈마 반응기에 고분자 막 또는 필름과 함께 일정량의 무수말레산을 넣고 플라즈마 처리를 하면, 무수말레산이 기체상 단량체로 되어 이중결합이 화학반응을 하여 무수물기가 고분자 막 또는 필름표면 위에 부착이 된다. 무수물은 pH 8.5에서 파라-아지도아닐린(p-azidoaniline)과 반응시키면 고분자막 또는 필름 위에 아자이드(N₃)가 생긴다. 이 위에 반응성이 없는 덴드리틱 고분자나 별모양 고분자를 놓고 UV를 조사하면 아자이드가 분해하면서 생긴 라디칼을 통하여 덴드리머나 별 모양 고분자가가 고분자 막 또는 필름 표면 위에 부착하게 되어 그 표면 위에 박막이 제조된다.

이러한 고분자 막 또는 필름상의 덴드리틱 고분자는 그 응용 분야에 따라 산소, 질소, 황등이 포함된 물질 등으로 치환될 수 있다.

다음의 실시 예들은 본 발명을 보다 상세히 설명하기 위한 것이지 본 발명이이에 국한되는 것은 아니다.

(실시예 1)

스페셜티 실리콘 프로덕트(Specialty Silicone Product)에서 나온 상표명이 SSPM100인 폴리디메틸실리콘 (PDMS) 막을 고분자 지지체로 사용하였다. 플라즈마 반응기안에 메탄올로 여러 번 잘 씻은 PDMS 지지체를 넣고 진공으로 한 후 1분 동안 플라즈마 처리를 하였다. 플라즈마 장치는 오토일렉트릭(Autoelectric)사의 R-300A 라디오-주파수 생성기(radio- frequency generator)를 50W에서 13.56MHz로 고정해 놓고 처리를 하였다. 처리한 PDMS 지지체 1 cm²당 3.1x10^-11몰의 덴드리머를 올려놓고 120°C에서 1시간동안 두어 반응을 완결 시켰다. 반응 후 반응하지 않은 덴드리머를 씻어내고, 덴드리머가 부착된 PDMS 표면의 IR도면은 도4의 a로 도시되었다.

덴드리머의 특성 피크인 1649와 1551cm^-1가 나타났다.

(실시예 2)

실시예 1과 같은 방법으로 PDMS막을 처리하고 처리한 PDMS 지지체 1 cm²당 3.1x10^-10몰의 덴드리머를 올려놓고 120°C에서 1시간동안 두어 반응을 완결 시켰다. 반응 후 반응하지 않은 덴드리머를 씻어내고, 덴드리머가 부착된 PDMS 표면의 IR도면은 도4의 b로 도시되었다.

(실시예 3)

실시예 1과 같은 방법으로 PDMS막을 처리하고 처리한 PDMS 지지체 1 cm²당 3.1x10^-9몰의 덴드리머를 올려놓고 120°C에서 1시간동안 두어 반응을 완결 시켰다. 반응 후 반응하지 않은 덴드리머를 씻어내고, 덴드리머가 부착된 PDMS 표면의 IR도면은 도4의 c로 도시되었다.

(실시예 4-6)

상기 실시예 1-3에서 제조된 PDMS막 위에 덴드리머가 다른 양으로 부착된 고분자 막의 프로판과 프로필렌 기체 투과도를 버블플로우미터(bubble flow meter)로 측정하였다. 그 결과를 나타내면 표 1과 같다.

[표 1]

	측정막	프로판	프로필렌
실시예 4	실시예 1	8390	7770
실시예 5	실시예 2	6840	6820
실시예 6	실시예 3	7280	6270

(단위=barrer)

(실시예 7)

플라즈마 반응기안에 메탄올로 여러 번 잘 씻은 PDMS 지지체와 머크(Merch)사의 무수말레산을 30mg 같이 넣고 진공으로 한 후 1분 동안 플라즈마 처리를 하였다. 처리한 PDMS 지지체 1㎠당 3.1x10^-11몰의 덴드리머를 올려놓고 120°C에서 1시간동안 두어 반응을 완결 시켰다. 반응 후 반응하지 않은 덴드리머를 씻어내고, 덴드리머가 부착된 PDMS 표면의 IR도면은 도5의 a에 나타내었다. 무수말레산의 특성 피크인 1858과 1782cm^-1가 줄고 덴드리머의 아마이드 특성 피크인 1640와 1550cm^-1가나타났다.

(실시예 8)

실시예 7과 같은 방법으로 PDMS막을 무수말레산 존재하에 처리하고, 처리한 PDMS 지지체 1㎠당 3.1x10^-10몰의 덴드리머를 올려놓고 120°C에서 1시간동안 두어 반응을 완결 시켰다. 반응 후 반응하지 않은 덴드리머를 씻어내고, 덴드리머가 부착된 PDMS 표면의 IR도면은 도5의 b에 도시되었다.

(실시예 9)

실시예 7과 같은 방법으로 PDMS막을 무수말레산 존재하에 처리하고, 처리한 PDMS 지지체 1㎠당 3.1x10^-9몰의 덴드리머를 올려놓고 120°C에서 1시간동안 두어 반응을 완결 시켰다. 반응 후 반응하지 않은 덴드리머를 씻어내고, 덴드리머가 부착된 PDMS 표면의 IR도면은 도5의 c에 도시되었다.

(실시예 10-12)

상기 실시예 7-9에서 제조된 PDMS막 위에 덴드리머가 다른 양으로 부착된 고분자 막의 프로판과 프로필렌 기체 투과도를 버블플로우미터(bubble flow meter)

로 측정하였다. 그 결과를 나타내면 표 2와 같다.

[표 2]

	측정막	프로판	프로필렌
실시예 10	실시예 7	690	1710
실시예 11	실시예 8	-	1650
실시예 12	실시예 9	-	340

(단위 = barrer)

(실시예 13)

실시예 7과 같은 방법으로 PDMS막을 무수말레산 존재하에 처리하고, 처리한 PDMS 지지체를 pH 8.5에서 파라-아지도아닐린 하이드로클로라이드(p-azidoaniline hydrochloride) 5 mM 수용액에 30°C에서 2시간동안 반응을 시킨다. 반응이 끝나면 반응하지 않은 물질들을 제거하기 위해 막을 잘 씻어준다.

위의 막을 잘 말린 후 아세토니트릴에 녹아있는 1 중량 %의 별모양 폴리에틸렌 옥사이드(PEO) 1mL를 넣어주고 암실에서 UV를 20분 동안 조사시켜 반응을 완결시킨다. 이때 얻어진 막의 두께는 400 Å이다. 이때 얻어진 막 표면의 IR 스펙트럼은 도6에 도시되었다. a는 PDMS막, b는 PDMS막에 무수말레산가 부착된 막표면, c는 PDMS막에 N₃가 부착된 막 표면, 그리고 d는 PDMS막에 별 모양 PEO가 부착된 표면의 스펙트럼이다.

(실시예 14)

상기 실시예 13에서 제조된 막의 기체 투과도를 측정하였다. 프로필렌은 3770barrer, 프로판은 3510barrer였다.

(실시예 15)

폴리술폰 비대칭막 (주, 새한) 을 고분자 지지체로 사용하였다. 플라즈마 반응기안에 폴리술폰 지지체와 무수말레산를 30mg 같이 넣고 진공으로 한 후 1분 동안 플라즈마 처리를 하였다. 처리한 폴리술폰 지지체를 pH 8.5에서 파라-아지도아닐린 하이드로클로라이드(p-azidoaniline hydrochloride) 5 mM 수용액에 30°C에서2시간동안 반응을 시킨다. 반응이 끝나면 반응하지 않은 물질들을 제거하기위해 막을 잘 씻어준다.

위의 막을 잘 말린 후 아세토 니트릴에 녹아있는 1 중량 %의 별모양의 PEO 1mL를 넣어주고 암실에서 UV를 20분 동안 조사 시켜 반응을 완결시킨다.

(실시예 16)

실시예 7과 같은 방법으로 PDMS막을 무수말레산 존재하에 처리하고, 처리한 PDMS 지지체를 pH 8.5에서 파라-아지도아닐린 하이드로클로라이드(p-azidoaniline hydrochloride) 5 mM 수용액에 30°C에서 2시간동안 반응을 시킨다. 반응이 끝나면반응하지 않은 물질들을 제거하기위해 막을 잘 씻어준다.

위의 막을 잘 말린 후 아세토 니트릴에 녹아있는 1 중량 %의 폴리(2-에틸-2-옥사졸린)(poly(2-ethyl-2-oxazoline))이 말단에 치환된 PAMAM덴드리머 1mL를 넣어주고 암실에서 UV를 20분 동안 조사 시켜 반응을 완결시킨다.

(실시예 17)

상기 실시예 9에서 제조된 막에 말단 반응기가 카르복시메타크릴레이트 PEG (Shearwater, CM-PEG)를 반응시켜 PDMS막 표면에 부착된 덴드리머의 말단 아민기와 화학반응을 유도해 생체 적합 물질인 PEG로 표면이 치환된 고분자 막을 제조하였다.

(실시예 18)

위의 실시예 9에서 제조된 막에 말단 반응기가 활성 에스터로 치환된 폴리(2-에틸-2-옥사졸린)(poly(2-ethyl-2-oxazoline)) (실험실에서 합성; S.C.Lee, Y. Chang, J.-S. Yoon, C. Kim, I. C. Kwon, Y.-H. Kim, S. Y. Jeong, Macromolecules, 1999, 32, 1847)를 반응시켜 PDMS막 표면에 부착된 덴드리머의 말단 아민기와 화학반응을 유도해 올레핀 촉진 수송 활성이 있는 고분자 막을 제조하였다.

본 발명은 공기 중에서 또는 무수말레산 존재하에서 간단한 플라즈마 처리를 통해 고분자 막 또는 고분자 필름 위에 말단에 반응기가 있는 덴드리틱 고분자를 얇은 박막으로 제조할 수 있고, 반응기가 없는 덴드리틱 고분자나 별모양의 나노미터 크기의 고분자를 간단한 플라즈마 처리 후 아자이드기를 도입하여 UV조사에 의해 역시 고분자 필름이나 고분자 막위에 박막을 제조하였다. 이러한 본 발명은 간단한 플라즈마 방법이나, UV조사등을 사용해서 공정이 수월하고 여러 응용가능성이 높은 고분자 막이나 고분자 필름의 표면을 나노미터 크기의 박막으로 코팅을 할 수 있는 효과를 가진다.

표면의 반응기가 많은 덴드리머 박막인 경우, PEO와 같은 생체 적합물질로 간단하게 제조된 박막은 생체적합 소재로 사용이 가능하고, 용도에 따라 다른 물질들을 첨가 또는 치환시키면 화학 센서, 흡착제, 분리막 등, 광대한 응용 가능성 소재로 사용하기 적합하다.

Claims

플라즈마처리를 통하여 나노미터의 두께의 덴드리틱 고분자나 응용가능한 물질로 치환된 덴드리틱 고분자가 부착된 고분자 막 또는 필름.
제 1항에 있어서, 공기 중에서 또는 무수말레산 존재하에서 플라즈마 처리를 통해서 말단 반응기를 갖는 덴드리틱 고분자가 부착된 것을 특징으로 하는 고분자 막 또는 필름.
제 1항에 있어서, 무수말레산 존재하에 플라즈마처리 후 아자이드기를 도입하고 UV를 조사하여 말단 반응기가 없는 덴드리틱 고분자가 공유결합으로 부착된 것을 특징으로 하는 고분자 막 또는 필름.
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 덴드리틱 고분자의 말단 반응기는 아민, 카르복시, 카르복실릭 에스테르, 에폭시, 이소시아네이트, 하이드록시 및 설프하이드릴에서 선택된 하나 또는 그 이상의 반응기인 것을 특징으로 하는 고분자 막 또는 필름.
제 1항에 있어서, 덴드리틱 고분자는 제 2세대 이상의 덴드리머, 하이퍼 브렌치 고분자, 가지가 많은 별모양의 고분자인 것을 특징으로 하는 고분자 막 또는필름.
제 1항에 있어서, 고분자 필름은 폴리다이메틸실리콘(PDMS), 폴리술폰, 폴리이미드, 폴리에테르술폰, 셀룰로우스, 폴리프로필렌 및 폴리에틸렌등 고분자 필름이 될 수 있는 범용 또는 특수 고분자로 구성된 군에서 선택되고, 고분자 막은 덴스(dense)막이거나 비대칭막인 것을 특징으로 하는 고분자 막 또는 필름.
제 1항에 있어서, 덴드리틱 고분자는 사슬에 산소, 질소 또는 황으로 구성된 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 원소를 갖는 화합물로 치환된 것을 특징으로 하는 고분자 막 또는 필름.
고분자막 또는 필름에 플라즈마 처리를 하여 고분자막 또는 필름 표면에 활성을 주는 공정;

처리된 고분자막 또는 필름을 덴드리틱 고분자 용액에 담그는 공정;

을 포함하는 덴드리틱 고분자가 부착된 고분자막 또는 필름의 제조 방법.
제 8항에 있어서, 플라즈마 처리는 공기 중에서 또는 무수말레산 존재하에서 처리하는 것을 특징으로 하는 고분자막 또는 필름의 제조방법.
제 8항에 있어서, 무수말레산 존재하에 플라즈마처리 후 아자이드기를 도입하고 UV를 조사하여 말단 반응기가 없는 덴드리틱 고분자가 공유결합으로 부착되는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 막 또는 필름의 제조방법.
제 8항에 있어서, 응용 가능한 물질로 치환된 덴드리틱 고분자는 사슬에 산소, 질소 또는 황으로 구성된 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 원소를 갖는 화합물로 치환된 것을 특징으로 하는 고분자 막 또는 필름의 제조방법.
제 1항에 있어서, 덴드리틱 고분자가 부착된 고분자 막 또는 고분자 필름위에 덴드리틱 고분자의 말단 반응기를 이용하여 사슬에 산소, 질소 또는 황으로 구성된 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 원소를 갖는 화합물로 치환된 것을 특징으로 하는 고분자 막 또는 필름.