KR100346071B1 - 반도체 공정을 이용한 충격센싱장치 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 공정을 이용하는 충격센서에 관한 것이다. 본 발명에 의한 반도체 충격센서는, 다결정실리콘으로 형성되는 충격센싱장치로써, 중심부분에 형성되는 중심전극과; 상기 중심전극에서 빔에 의하여 지지되고, 중심전극을 중심으로 원형으로배치되는 복수개의 이동평판; 상기 이동평판 사이에 각각 배치되는 복수개의 고정평판; 상기 이동평판은 고정평판 사이에서 떠 있는 상태로 지지되고, 충격에 의하여 상기 고정평판과 접촉시 전류가 도통하는 것에 의하여 충격을 감지하는 것을 특징으로 한다. 그리고 이러한 충격센서는 반도체 공정을 이용하여 제조되고, MEMS기술을 이용하여 소형이면서도, xy평면 상에서 어떠한 방향으로의 충격도 신뢰성을 가지고 판별하는 것이 가능한 충격센서를 제공하는 것이 가능하게 되는 잇점을 기대할 수 있게 된다

Description

반도체 공정을 이용한 충격센싱장치 및 그 제조방법{Shock sensing device using semiconductor fabrication process and method for manufacturing the same}

본 발명은 외부에서의 일정한 충격을 감지할 수 있는 충격감지센서에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 박막가공기술(Surface micromachining)을 이용하여 평면상에 대한 모든 방향의 충격을 감지할 수 있는 충격센서에 관한 것이다.

충격감지센서는 예를 들면 자동차의 에어백의 작동을 위한 것으로 사용될 수 있으며, 그 외에도 외부에서의 일정한 충격을 감지하고 이러한 감지신호에 기초하여 소정의 전기적 또는 기계적 작동을 필요로 하는 부분에 적용될 수 있다.

먼저 종래의 충격감지센서의 일반적인 문제점에 대하여 살펴보기로 한다. 기존의 충격센서는, 대부분 기전 복합식 센서를 사용하는 것으로, 스프링 또는 코일과, 일정한 질량을 가지는 질량체 및 몸체로 구성되는 것이 일반적이다. 코일 또는 스프링의 단부에 부착되는 질량체는, 외부의 충격, 또는 소정값 이상의 가속도가 가해지면 그 변위가 발생하게 되고, 이러한 질량체의 변위에 의하여 내부의 전극의 접촉으로 충격을 감지하게 된다.

그 외의 충격감지센서로써는, 자장의 변화로 인한 자석의 이동상태, 구슬과 미끄럼면 사이의 변위, 전도성 물체 사이의 액체의 유동에 의한 접촉과 그로 인한 전기적 신호의 감지 등과 같은 방법으로 외부에서의 충격을 감지할 수 있도록 구성되어 있다.

이와 같은 종래의 충격감지센서의 대부분은, 기계적인 요소를 사용하고 이러한 기계적인 요소의 위치변화에 의하여 전기적 신호를 발생시키도록 하고 있다. 따라서 대부분의 충격센서는, 기계적인 요소를 사용하고 있기 때문에, 그 크기와 무게에 있어서, 일정한 한계를 가지게 된다. 따라서 예를 들어 자동차 에어백에 응용을 목적으로 하는 경우, 센서를 부착할 공간을 차량 설계시 부터 별도로 확보해야 하는 등 전체적인 장치의 설계에 일정한 제한을 가하는 결과를 가져오는 단점이 있다.

그리고 상대적으로 고가의 것임에도 불구하고, 그 내구성과 정도가 낮은 단점과, xy평면상에서 단방향에 대한 충격만을 감지하고 있다는 단점 등이 문제점으로 대두된다. 특히 하나의 평면상에 모든 방향에 대하여 충격을 감지할 수 있도록 하기 위해서는, 내부 구성이 복잡하게 됨은 물론이고, 이로 인한 크기 및 질량에 있어서도 상대적으로 대형화되는 단점이 있다.

최근에는 MEMS(Micro Electromechanical System)에 의하여, 그 형상을 최소화하고 있으나, 일축 방향에 대한 감속도만 감지하는 형태로 설계되고 있어서, 하나의 칩을 이용하여 이축방향의 충격을 감지하기 위해서는 두개의 감지센서가 내장되어야 하는 단점이 뒤따른다.

본 발명의 목적은 가장 경화량 및 소형화 가능한 충격센서를 제공하는 것이다. 그리고 본 발명의 다른 목적은 하나의 평면상에서 2축방향의 충격을 동시에 감지하는 것에 의하여, 충격감지에 대한 신뢰성이 높은 충격센서를 제공하는 것이다.

도 1은 본 발명의 충격센서의 전체 사시도.

도 2는 본 발명의 충격센서의 부분 사시도.

도 3은 본 발명의 충격센서의 단면도.

도 4a 내지 도 4f는 본 발명의 충격센서의 형성에 사용되는 마스크의 예시도.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *

1 ..... 하부 다결정실리콘층 2 ..... 앵커

3 ..... 빔 4 ..... 이동평판

5 ..... 고정평판 7, 8 ..... 금속패드

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 반도체 충격센서는, 다결정실리콘으로 형성되는 충격센싱장치로써, 중심부분에 형성되는 중심전극과; 상기 중심전극에서 빔에 의하여 지지되고, 중심전극을 중심으로 원형으로배치되는 복수개의 이동평판; 상기 이동평판 사이에 각각 배치되는 복수개의 고정평판; 상기 이동평판은고정평판 사이에서 떠 있는 상태로 지지되고, 충격에 의하여 상기 고정평판과 접촉시 전류가 도통하는 것에 의하여 충격을 감지하는 것을 특징으로 한다.

그리고 상기 고정평판에 전기적으로 연결되는 금속패턴과, 상기 중심전극에 전기적으로 연결되는 금속패턴을 더 포함하여 구성될 수 있다.

본 발명에 의한 방법에 의하면,실리콘웨이퍼 기판상에 하부 다결정실리콘층을 형성하는 과정; 그 상부에 희생층을 형성하는 과정; 상기 희생층을 선택적으로 패터닝하여, 하부 다결정실리콘과 연결되는 연결부를 선택적으로 형성하는 과정; 상기 연결부와 연결되는 상부 다결정실리콘층을 형성하는 과정; 그리고 상기 희생층을 제거하는 과정을 포함하여 구성된다.

이와 같은 본 발명에 의하면, MEMS기술을 이용하여 소형이면서도, xy평면 상에서 어떠한 방향으로의 충격도 신뢰성을 가지고 판별하는 것이 가능한 충격센서를 제공하는 것이 가능하게 되는 잇점을 기대할 수 있게 된다.

다음에는 도면에 도시한 실시예에 기초하면서 본 발명에 대하여 더욱 상세하게 설명하기로 한다.

본 발명에 의한 충격센서 구조물은, 낮은 저항을 가지는 다결정 실리콘으로 형성하게 된다. 도 1 및 도 2에 도시한 실시예에 기초하면서 본 발명을 설명하기로 한다. 도시한 바와 같이, 본 발명에 의한 충격센서는, 상부 다결정실리콘층과 하부 다결정실리콘층으로 크게 구분할 수 있다.

하부 다결정실리콘층(1)은 기본적인 베이스 층이 되는 것이다. 도 2에 도시한 바와 같이, 하부 다결정실리콘층(1)은, 중심부분(1a)과 상기 중심부분(1a)의 외측에 원형으로 배열되는 외부(1b)로 구성된다. 상기 중심부분(1a)은, 후술하는 중심전극을 적층하기 위한 부분이고, 외부(1b)는 고정평판(5)을 적층하기 위한 부분이다. 상기 하부 다결정실리콘층(1)의 중심부분(1a)과 외부(1b)는, 서로 이격되어 있어서, 전기적으로 절연된 상태이다. 또한 상기 하부 다결정실리콘층(1) 및 후술하는 본 발명에 의한 충격센서구조물은, 화학 기상 증착에 의하여 형성되는 것이고, 다결정실리콘으로 만들어지는데, 이러한 제조과정에 대해서는 후술한다.

상기 하부 다결정실리콘층(1)의 외부(1b)의 상부로는 앵커(2)를 통하여 고정평판(5)이 형성되어 있다. 따라서 상기 하부 다결정실리콘층(1)의 외부(1b)에 전원의 일측이 연결되면, 이러한 전원은 실질적으로는 고정평판(5)으로 연결되는 것으로 된다.

그리고 상부 다결정실리콘층은, 중심전극(6)과 상기 중심전극에서 방사상으로 연장 형성되는 빔(3), 그리고 상기 빔의 외측 단부에서 연결되는 복수개의 이동평판(4)과, 상기 이동평판(4) 사이를 점유하도록 설치되는 고정평판(5)을 포함하고 있다.

여기서 상기 중심전극(6)은, 하부다결정실리콘층의 중심부분(1a)의 상부에 일정한 높이로 증착되는 것이다. 그리고 앵커(2)도 하부 다결정실리콘층의 외부(1b)에서 일정한 높이로 증착된 후, 그 상면에 고정평판(5)을 형성하기 위한 것이다. 따라서 상기 중심전극(6)의 중간부분과, 앵커(2)는, 실질적으로 하부 다결정실리콘층과 상부다결정실리콘층을 서로 전기적으로 연결하는 연결부로써의 기능을 가지게 된다.

상기 이동평판(4)은, 빔(3)에 의하여 중심전극(6)의 상단부와 연결된 상태로서, 실질적으로 하부 다결정실리콘층(1)과는 떠 있는 상태로 지지되고 있다. 그리고 상기 이동평판(4)은, 외부의 충격 및 가속도에 의한 힘에 의하여, 일정한 방향으로 변위를 발생시키는 질량체로서의 기능을 수행하게 된다.

도시한 실시예에 있어서, 상기 중심전극(6)에서 빔(3)에 의하여 연결되는 이동평판(4)는, 실질적으로 8개의 것으로 구성하고 있다. 즉, 이동평판(4)은 각각 45도의 각을 가지고 8개가 배치되어 있다. 여기서 상기 이동평판(4)이, 외부의 충격에 의하여 위치가 변화하게 되면, 상기 고정평판(5)와 물리적으로 접촉하게 되는데, 이 때 양자가 서로 도통상태로 되고 이를 감지하는 것에 의하여 일정한 충격을 감지하는 것이 가능하게 되는 것이다.

따라서 상기 고정평판(5)은, 이동평판(4)이 충격에 의하여 위치가 변위하게 되면, 이동평판(4)과 접촉할 수 있도록 배열되어야 할 것이다. 도시한 실시예에 의하면, 상기 이동평판(4)의 각각의 위치 사이를 점유할 수 있도록 고정평판(5)이 배열되어 있음을 알 수 있다. 그리고 상기 고정평판(5)은, 실질적으로 상기 하부 다결정실리콘층(1)의 외부(1b)의 상부에 형성되어 있음은 상술한 바와 같다.

본 발명에 의한 충격센서의 전류의 공급경로에 대하여 간단하게 살펴보기로 한다. 도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명에 의한 층격센서에 전류를 인가하는 부분은 한쌍의 금속패드(7,8)이다. 이러한 금속패드(7,8)는 알미늄으로 형성되는 것으로, 먼저 하나의 금속패드(7)은, 중심전극(6)로 전류를 공급할 수 있도록 전기적으로 연결되어 있다. 상기 중심전극(6)은, 실질적으로 빔(3)을 이동하여이동평판(4)과 전기적으로 연결되어 있는 상태임은 상술한 바와 같다.

그리고 다른 금속패드(8)는, 상기 고정평판(5)의 외주면에서 동일한 갯수를 가지고 원형으로 배치되어 있으며, 이는 상기 복수개의 고정평판(5)과 전기적으로 연결되어 있다.

이와 같은 상태로 되면, 상기 고정평판(5)은 복수개의 금속패드(8)에 의하여, 그리고 이동평판(4)는 중심전극(6)과 연결된 금속패드(7)에 의하여 전기적으로 연결될 수 있는 상태이다. 단, 고정평판(5)과 이동평판(4)은, 서로 이격되어 있는 상태이기 때문에, 실질적으로 충격이 없는 상태에서는 어떠한 전기적 신호를 발생시킬 수 없는 상태이다. 이러한 상태에서 외부에서 충격이 가해지면, 이동평판(4)이 일정한 방향으로 이동하게 되면서, 고정평판(5)에 접촉하게 되어, 전기적으로 서로 도통하는 상태가 되고, 이러한 전기의 도통에 의하여 실질적으로 충격의 발생여부를 감지하는 것이 가능하게 된다.

그리고 도 3은, 본 발명의 충격센서의 단면도를 도시한 것이고, 이러한 상태에서는 상술한 바와 같은 구조물을 화학 기상 증착법에 의하여 적층형성하는 경우, 희생층(11)을 제거하지 않은 상태를 보이고 있다.

상기 고정평판(5)은, 상기 이동평판(4)은 빔(3)과 연결된 상태로 하부다결정실리콘층에서 떠 있는 상태이기 때문에, 상술한 구조물에 대하여 외부에서의 충격이 가해지면 일정한 방향으로 이동하게 된다. 이러한 이동에 의하여 이동평판(4)과 접촉하는 것에 의하여 접점이 형성되고, 이러한 접점에 전류가 도통하는 것을 감지하여, 실질적인 충격을 감지하는 것이 가능하게 될 것이다.

예를 들어, 일정한 힘(F)이 일정한 질량을 가지는 이동평판(4)에 가속도(a)가 주어질 때(이것은 실질적으로 일정한 충격을 받는다는 것을 의미한다), 그 변위는 동일한 평면상에서 가속도의 방향과 빔(3)이 직각이 될 때, 최대의 변위를 가지게 되며, 빔(3)과 일직선상이 될 때는 빔(3)이 좌굴될 가능성이 있다. 그러나 폴리실리콘의 특성상 좌굴에 대한 저항성이 큰 특성을 가지기 때문에, 충격을 충분하게 감지하는 것이 가능하게 된다. 그리고 이러한 가속도와 빔(3)이 이루는 각도(θ)와의 관계에 있어서, 실질적으로 빔(3)과직각이 되는 가속도 성분인 a x sinθ 성분만이 이동평판(4)과 고정평판의 접촉에 관여하게 되는 요소가 될 것이다.

이와 같은 원리로 인하여, 본 발명에서는 상기 빔(3)이 8개로 구성되기 때문에, 가속도의 방향에 무관하여 어떠한 방향에서의 충격도 충분히 감지할 수 있게 된다.

본 발명에 의한 충격센서의 다른 측면에서의 기능을 살펴보기로 한다. 상술한 바와 같이, 상기 이동평판(4)과 고정평판(5)은, 일정한 간격을 가지고 이격된 상태로 형성되어 있다. 이와 같이 도체 사이에 일정한 간격을 가지도록 하는 것에 의하여 커패시터로서의 기능을 가지게 된다. 실제로 후술하는 화학 기상 증착법에 의하여, 본 발명에 의한 구조물이 완성될 때, 상기 이동평판(4)과 고정평판(5) 사이의 간격은 수 ㎛(구체적으로는 7 내지 10㎛ 정도) 정도가 된다. 따라서 이를 이용한 회로설계에 따라서는, 고정평판(5)과 이동편판(4)의 간격 차이로 인한 커패시턴스의 변화를 감지하여, 단계별 가속도의 감지가 아닌 연속적인 가속도의 변화를 감지하는 것도 가능하게 된다.

이와 같은 충격센서는 MEMS기술로 제작되는 것으로 이와 같은 제작에는 실리콘 웨이퍼(Si,100,p-Type), PSG(7 wt%; Photosilicate glass), 다결정실리콘(Poly silicon), 실리콘라이드(Si₃N₄), 알미늄 등이다. 본 발명의 충격센서에 사용되는 구조물은, 기계적, 전기적 성질이 잘 파악되어 있으며, 제작공정상의 용이함과 도전율이 비교적 양호한 다결정실리콘을 사용하고, 그 영계수(E)는 160GPa, 밀도는 2330Kg/m³이다. 그리고 제작을 위한 공정은 MEMS(Micro Electro Mechanical System) 기술 중에서 박막 가공기술(Surface maching)을 이용하고 있다.

다음에는 이상과 같은 충격센서를 제조할 경우의 전체적인 공정에 대하여 도 3 및 도 4를 참조하면서 살펴보기로 한다.

먼저 실리콘 웨이퍼 기판상에 열산화공정을 통하여 예를 들면 0.05㎛ 두께의 산화층(Buffer Oxide)(A)을 증착한다. 이러한 산화층을 형성하는 것은, 정전기로부터 본 발명에 의한 구조물의 전기적 절연을 위한 것이다.

그리고 다음에는 화학 기상 증착을 통하여 0.25㎛ 두께의 질화물(Nitride)(B)을 증착한다. 그 상부에 본 발명에 의한 구조물을 적층할 때, 발생할 수 있는 불순물의 확산을 방지하기 위한 것이다.

다음에는 화학 기상증착을 통하여 0.5㎛ 두께의 하부 다결정실리콘층(1)을 형성한다. 하부 다결정실리콘층(1)의 형성에 있어서는, 상기 절연층으로 작용하는 질화물층(B)의 상부에 일정한 두께로 실리콘을 전면에 증착한 다음, 도 4a에 도시한 마스크를 이용하여, 그 부분만을 패터닝하는 것에 의하여 수행된다. 그리고 하부 다결정실리콘층(1)의 구조는 도 2를 참조하여 상술한 바와 같다.

그리고 이와 같이 하부 다결정실리콘층(1)이 형성되고 나면, 그것과 상부 다결정 실리콘층과의 절연을 위하여, 다시 질화물(Nitride)(C)을 일정한 두께(예를 들면 0.25㎛)의 두께로 증착하게 된다.

다음에는 화학 기상증착을 통하여, 일정한 두께(예를 들면 2㎛)의 희생층(Sacrificial Layer)(D)을 증착하게 되고, 이러한 희생층의 형성에는 상술한 PSG를 사용하게 된다.

이와 같이 하여 희생층(D)의 형성이 완료된 다음에는, 도 4b의 마스크를 이용하여 희생층(D)의 상면을 둥근 홈 형상으로 제거하여 딤플(9)을 형성하게 된다. 이러한 딤플을 형성하는 것은, 다음 공정인 상부 다결정실리콘 증착시 돌기 형상을 가질 수 있도록 제작하기 위한 것으로, 증착공정 완료후 희생층을 제거하는 과정에서, 상부 다결정실리콘이 하부 다결정실리콘(1)에 부착되는 것을 방지하는 기능을 수행하게 된다.

그리고 다음에는 도 4c에 도시한 바와 같은 마스크를 이용하여, 상부 다결정실리콘(1)의 윗면까지 희생층(D)에 홈을 형성하여, 중심전극(6)과 앵커(2)와 같이, 하부 다결정실리콘(1)과 상부 다결정실리콘층을 전기적으로 연결하는 기능을 수행할 연결부(앵커 및 중심전극의 중간부분)를 형성하기 위하여, 희생층을 패터닝하게 된다. 이와 같이 희생층을 패터닝한 후에는, 상기 중심전극(6) 및 앵커(2)를 상술한 화학 기상증착을 통하여 형성하게 된다.

이와 같이 하여 중심전극(6)과 앵커(2)가 형성된 다음에는, 상부 다결정실리콘층을 형성하게 되는데, 이는 이동평판(4)과 고정평판(5)를 형성하게 되는 것을 의미한다. 이러한 이동평판(4) 및 고정평판(5)의 형성에는 2㎛ 두께로, 희생층(D)의 상부 전체에 다결정실리콘층을 형성하고, 도 4d에 도시한 바와 같은 마스크를 이용하여 패터닝하는 것에 의하여, 이동평판(4) 및 고정평판(5)이 형성될 것이다.

다음에는 금속패드(7,8)을 형성하는 과정이 수행된다. 상술한 바와 같이 금속패드(7)는 중심전극(6)과 전기적으로 연결하기 위한 것이고, 금속패드(8)는 하부 다결정실리콘층(1)과 전기적으로 연결하기 위한 것이다.

이와 같은 금속패드의 형성에 있어서는, 도 4e에 도시한 마스크를 이용하여 하부다결정실리콘층(1)의 상면에 금속패드의 형성을 위한 스퍼터링이 수행될 수 있도록 희생층(D)의 일부를 제거한다. 마스크(4e)를 이용하여 해당 부분(금속패드가 위치하게 되는 부분)을 제거하는 것에 의하여, 금속패드(7,8)이 위치하게 될 부분을 형성하게 된다. 그리고 다음에는 희생층(D)을 포함하는 전체 상면을 스퍼터링에 의하여 일정한 두께의 알미늄층을 형성하게 된다.

이렇게 알미늄층이 형성된 다음에는, 도 4f에 도시한 마스크를 이용하여 실제로 금속패드로 형성되어야 하는 부분을 제외한 이외의 부분을 제거하는 공정이 수행될 것이다. 이러한 제거공정은, 예를 들면 일반적으로 널리 알려진 포토레지스터를 이용하는 에칭공법에 의하여 진행될 수 있을 것이다. 즉, 전면에 알미늄 스퍼터링을 한 다음에, 이러한 알미늄을 마스크를 이용하여 패터닝하는 것에 의하여 금속패드(7,8)가 완전하게 형성될 것이다.

이와 같이 하여, 상하부 다결정실리콘층 및 금속패드(7,8)가 완성된 다음에는, 상술한 희생층(D)을 제거하는 과정이 진행되어야 한다. PSG로 채워진 상기 희생층(D)은, 실질적으로 상술한 바와 같은 상하부 다결정실리콘층 및 금속패드(7,8)가 완성된 다음에 제거되어야 한다. 상기 희생층을 제거하는 것에 의하여, 실질적으로 빔(3)에 의하여 외팔보형태로 지지되는 복수개의 이동평판(4)은 외부의 충격에 의하여 일정한 변위를 가질 수 있을 것이다.

상기 희생층(D)의 제거는 PSG를 녹일 수 있는 용제를 이용하여, 희생층을 녹여서 희생층을 제거하게 된다. 이렇게 희생층이 제거되는 것에 의하여, 다결정 실리콘으로 형성되는 본 발명에 의한 충격센서가 완성될 수 있을 것이다. 그리고 상기 희생층(D)이 용제에 의하여 제거되는 과정에서, 상기 이동평판(4)의 하방에 형성되는 엠보싱(4a)에 의하여, 이동평판(4)과 하부 다결정실리콘이 서로 접착되는 것이 방지된다.

이상에서 살펴본 바와 같은 본 발명에 의하면, 실리콘 웨이퍼 상에 전도성이 우수한 다결정실리콘을 이용하여 외부의 충격을 감지할 수 있는 충격센서를 구성하는 것을 기본적인 기술적 사상으로 하고 있음을 알 수 있다. 이와 같은 본 발명의 기본적인 기술적 사상의 범주 내에서, 당업계의 통상의 기술자에게 있어서는 다른 많은 변형이 가능함은 물론이고, 본 발명의 범위는 첨부한 특허청구의 범위에 의하여 해석되어야 할 것이다.

이상에서 살펴본 바와 같은 본 발명에 의하면 복수개의 이동평판과 고정평판 사이의 전기적 접촉에 의하여, 외부의 충격을 감지하는 것에 의하여, 신뢰성 높은충격감지가 가능하게 되는 잇점을 기대할 수 있게 된다. 또한 본 발명에 의한 장치는, MEMS기술을 이용하는 것으로, xy 평면상에서 어떠한 방향에서의 충격도 정확하게 감지하는 것이 가능하게 된다. 더욱이 종래의 충격센서에 비하여 상대적으로 매우 소형이기 때문에 충격감지센서를 필요로 하는 공간에 구애되지 않고, 어떠한 위치에도 설치될 수 있는 장점을 가진다. 그리고 본 발명에 의한 충격감지센서에 있어서, 이동평판과 고정평판 사이의 커패시턴스의 변화를 감지하도록 응용하는 것에 의하여, 연속적인 가속도의 변화를 감지할 수 있는 응용성을 가지는 장점도 기대된다.

Claims (5)

1. 다결정실리콘으로 형성되는 충격센싱장치로써,

   중심부분에 형성되는 중심전극(6)과;

   상기 중심전극에서 빔(3)에 의하여 지지되고, 중심전극을 중심으로 원형으로배치되는 복수개의 이동평판(4); 그리고

   상기 이동평판(4) 사이에 각각 배치되는 복수개의 고정평판(5)을 포함하고;

   상기 이동평판(4)은 고정평판 사이에서 떠 있는 상태로 지지되고, 충격에 의하여 상기 고정평판과 접촉시 전류가 도통하는 것에 의하여 충격을 감지하는 것을 특징으로 하는 충격센싱장치.
2. 제1항에 있어서, 상기 고정평판은, 하부실리콘층(1)의 상부에서 연결 형성되는 것을 특징으로 하는 충격센싱장치.
3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 고정평판에 전기적으로 연결되는 금속패턴과, 상기 중심전극에 전기적으로 연결되는 금속패턴을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 충격센싱장치.
4. 실리콘웨이퍼 기판상에 하부 다결정실리콘층을 형성하는 과정;

   그 상부에 희생층을 형성하는 과정;

   상기 희생층을 선택적으로 패터닝하여, 하부 다결정실리콘과 연결되는 연결부를 선택적으로 형성하는 과정;

   상기 연결부와 연결되는 상부 다결정실리콘층을 형성하는 과정; 그리고

   상기 희생층을 제거하는 과정을 포함하여 구성되고;

   상기 연결부는 중심부의 중심전극을 포함하고;

   상기 상부 다결정실리콘층은, 상기 중심전극에서 방사상으로 연장된 복수개의 빔과, 상기 빔의 단부에서 지지되고 원형으로 배열되는 복수개의 이동평판과, 상기 이동평판 사이에 배치되고, 하부 다결정실리콘과 연결되는 고정평판을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 충격센싱장치의 제조방법.
5. 제4항에 있어서, 상기 하부 다결정실리콘층의 형성 전에, 산화층과 질화물층을 형성하는 것을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 충격센싱장치의 제조방법.