JP3944990B2 - マイクロメカニカルスイッチの製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、加速度の変化により動作するマイクロメカニカルスイッチの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
この種のマイクロメカニカルスイッチとしては、例えば特開平2−260333号公報に記載されたものがある。このものは、犠牲層エッチングプロセスを使用したマイクロマシニング技術によって、シリコンより成る基板上に加速度の印加に応じて変形する片持ち梁を形成し、この片持ち梁を可動接点とし、且つ基板側に設けた金属メッキ層を固定接点とした加速度スイッチを構成するようにしている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
例えば、ガス用の流量メータに内蔵され、地震などの振動を感知したときにガス配管のバルブを閉塞する用途などには、そのシステムの小型化に適したマイクロメカニカルスイッチを採用することが行われている。このような用途には、二次元平面(水平面)内において等方的に加速度を検知できるスイッチを使用することが行われるが、前記従来構成のマイクロメカニカルスイッチにあっては、基板に対し垂直な方向の加速度しか検知できず、用途が限定されるという問題点がある。
【0004】
このような用途に適応できるマイクロメカニカルスイッチとしては、特開平9−145740号公報に記載されたものがある。即ち、この公報に記載されたスイッチも、犠牲層エッチングプロセスを使用したマイクロマシニング技術によって製造されるもので、支持基板上に固定されたアンカー部と、このアンカー部に梁部を介して連結されて上記支持基板の表面と平行な方向へ変位可能に設けられた環状のおもり可動電極と、このおもり可動電極を包囲するように配置された環状の固定電極とを備えた構成となっている。上記可動電極の外周面及び固定電極の内周面は、微小な検出ギャップを存して面対向された電極面として機能するようになっており、所定レベルを越える加速度が作用したときには、おもり可動電極が変位して両電極面が接触し、その接触状態の有無に応じて水平方向に作用する加速度を等方的に検出できるようになっている。
【0005】
しかしながら、このものでは、可動部分である梁部及びおもり可動電極を形成するために、複雑な形状のシリコン加工が要求されるため、その製造が難しくなるとという問題点があり、また、犠牲層エッチング工程でのエッチング液に起因して、梁部が固定部分に張り付くという所謂スティキングが発生することがあり、これが製造時における歩留まりの悪化を招くという問題点もあった。
【0006】
本発明は上記のような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、水平方向に作用する加速度を等方的に検出できると共に、歩留まり並びに製造性の向上を容易に実現できるようになるマイクロメカニカルスイッチの製造方法を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために請求項1に記載した手段を採用できる。この手段により製造したマイクロメカニカルスイッチによれば、半導体基板と平行した水平方向の加速度が作用したときには、凹部内で導電体が回転移動するようになるが、その凹部は半球状に形成されたものであるから、導電体の回転移動方向に指向性はない。そして、作用する加速度が所定レベルを越えたときには、その導電体が上記凹部の上面開口縁部まで上昇するようになって、当該凹部の周縁部の上方に位置する環状の電極部と当接するようになり、これに応じて、導電体が電極部と半導体基板との間を橋絡した状態となってスイッチング出力が得られるようになる。
【0008】
従って、このような手段により製造したマイクロメカニカルスイッチにあっては、水平方向に作用する加速度を等方的に検出できることになり、また、球状の導電体は凹部の表面に対して点接触されるものであると共に、最終段階で凹部内に収納するだけで良いものであるから、その導電体がスティキングを起こすことがなくなって、製造時における歩留まりの向上を容易に実現できるようになる。しかも、斯様な構成のマイクロメカニカルスイッチを製造するに当たっては、半導体基板にその上面で開口する半球形状の凹部を形成すると共に、その半導体基板上に単純な形状の導電膜を絶縁膜を介して形成した上で、凹部内に導電体を収納するだけで済むから、その製造性が大幅に向上するようになる。
【0009】
この場合、前記半導体基板を、その上面側に不純物高濃度層を形成した構成とした場合には、導電体と半導体基板との間の接触抵抗、並びに半導体基板とこれから信号を取り出すために必要となる電極との間の接触抵抗が小さくなると共に、半導体基板自体の抵抗値も小さくなるから、スイッチング出力が安定するようになって検出信頼性の向上を実現できるようになる。
【0010】
前記目的を達成するために、請求項1に記載したような製造方法を採用できる。この製造方法によれば、半導体基板上に犠牲層用薄膜として機能可能な絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程、開口部を有した導電膜を上記絶縁膜上に形成する導電膜形成工程、前記絶縁膜における前記導電膜の開口部周縁と対応した部分を犠牲層エッチングして環状の電極部を形成する電極部形成工程、前記半導体基板に対し前記開口部との対向部分から等方性エッチングを施して半球形状の凹部を形成する凹部形成工程、上記凹部内に前記開口部を通じて球状の導電体を収納する導電体収納工程を実行するだけで、前述したような効果を奏するマイクロメカニカルスイッチを製造できることになる。
【0011】
【発明の実施の形態】
(第1の実施の形態)
以下、本発明の第1実施例について図1ないし図3を参照しながら説明する。図1及び図2には、本実施例によるマイクロメカニカルスイッチ1の摸式的な縦断面構造及び平面構造がそれぞれ示されている。
【0012】
図1及び図2において、マイクロメカニカルスイッチ1のベースとなる矩形状のシリコン基板2(本発明でいう半導体基板に相当:伝導型はN及びPの何れでも可)の中央部分には、その上面で開口した半径50〜1000μm程度の半球形状の凹部3が形成されている。また、シリコン基板2上には、上記凹部3及び後述するコンタクト部8a以外の部分にシリコン酸化膜より成る絶縁膜4が成膜されている。この絶縁膜4上には、前記凹部3の上面開口縁部から当該凹部3の中心方向へ庇状に延出した状態の環状の電極部5aを有した導電膜5が形成されている。尚、上記導電膜5は、TiW、Ptなどの金属材料により形成されるもので、上記電極部5aの中心部には円形の開口部5bが形成された状態となっている。
【0013】
前記凹部3内には、樹脂ビーズの表面にAu、Niなどを材料とした金属膜を被覆して構成された直径10〜500μm程度の球状の導電体6が回転移動可能に収納されている。これにより、図1に二点鎖線で示すように、導電体6が凹部3の上面開口縁部まで上昇して電極部5aに接触した状態では、当該導電体6により電極部5aとシリコン基板2との間が橋絡された状態となるものであり、これによりスイッチング出力が得られるものである。
【0014】
そして、シリコン基板2上には、当該シリコン基板2及び前記電極部5aに対しそれぞれ電気的に接続されたボンディングパッド7及び8が設けられる。これらボンディングパッド7及び8は、前記導電膜5と同じ材料により形成されるもので、一方のボンディングパッド7(図2のみに図示)は、シリコン基板2上に形成された配線パターン7aを介して導電膜5に一体的に接続され、他方のボンディングパッド8は、絶縁膜4を貫通するように一体に形成された前記コンタクト部8aを介してシリコン基板2にオーミック接続される。
【0015】
上記のように構成されたマイクロメカニカルスイッチ1にあっては、シリコン基板2に対して平行した水平方向の加速度が作用したときには、凹部3内で導電体6が回転移動するようになるが、その凹部3は半球状に形成されたものであるから、導電体6の回転移動方向は、作用した加速度に応じた方向となって指向性が出ることはない。そして、作用する加速度が所定レベルを越えたときには、図1に二点鎖線示すように、導電体6が、凹部3の上面開口縁部まで上昇して導電膜5に形成された電極部5aと当接するようになり、これに応じて、導電体6が電極部5aとシリコン基板2との間を橋絡した状態となる。従って、ボンディングパッド7及び8間に電圧を印加した状態としておけば、上記のような橋絡状態が発生した瞬間に、導電膜5、導電体6及びシリコン基板2を通じて電流が流れるというスイッチング出力が、ボンディングパッド7及び8間を通じて得られることになる。
【0016】
従って、本実施例によるマイクロメカニカルスイッチ1によれば、水平方向に作用する加速度を等方的に検出できることになる。また、球状の導電体6は凹部3の表面に対して点接触されるものであると共に、最終段階で凹部3内に収納するだけで良いものであるから、その導電体6が凹部3の表面或いは電極部5aの下面に張り付くというスティキングを起こすことがなくなって、製造時における歩留まりの向上を容易に実現できるようになる。この場合、導電体6は直径10〜500μm程度の球状に設定されるものであるが、凹部3の表面凹凸は、これを0.001μm程度とすることができるから、導電体6の回転移動が阻害されることはない。
【0017】
しかも、斯様な構成のマイクロメカニカルスイッチ1を製造するに当たっては、シリコン基板2にその上面で開口する半球形状の凹部3を形成すると共に、そのシリコン基板2上に単純な形状の導電膜5を絶縁膜4を介して形成した上で、凹部3内に導電体6を収納するだけで済むから、その製造性が大幅に向上するようになる。
【0018】
図3には、上記のような効果を奏するマイクロメカニカルスイッチ1の製造工程例が摸式的な断面図により示されており、以下これについて説明する。
まず、図3(a)に示すように、最終的にマイクロメカニカルスイッチ1のシリコン基板2となるシリコンウェハ9(本発明でいう半導体基板に相当)を用意する。この場合、シリコンウェハ9の面方位は(100)、(110)、(111)の何れでも良い。また、その伝導型は問わない。
【0019】
そして、最初に図3(b)に示す絶縁膜形成工程を実行する。この工程では、シリコンウェハ9の表面に、膜厚0.1〜1μm程度のシリコン酸化膜10(本発明でいう絶縁膜に相当)を形成した後に、そのシリコン酸化膜10をパターニングすることにより、最終的にボンディングパッド8のコンタクト部8aと対応される領域に開口部10aを形成する。このシリコン酸化膜10は、最終的にシリコン基板2上の絶縁膜4となる。
【0020】
次いで、図3(c)に示す導電膜形成工程を実行する。この工程では、シリコンウェハ9上に、TiW、Ptなどより成る金属材料膜を堆積した後に、その金属材料膜をパターニングすることによって、前記シリコン酸化膜10上に、予め決められた位置に開口部5bを有した導電膜5を形成すると共に、前記ボンディングパッド7及び8(配線パターン7a及びコンタクト部8aを含む)を形成する。尚、図3では、ボンディングパッド7は図示されていない。
【0021】
この後、図3(d)に示す電極部形成工程を実行する。この工程では、まず、シリコン酸化膜10及び導電膜5上に、その導電膜5の開口部5bに対応した部分のみ開口したレジストパターン(図示せず)を形成し、このレジストパターンの開口部分及び上記開口部5bを通じてシリコン酸化膜10をエッチングする。つまり、シリコン酸化膜10における導電膜5の開口部5bの周縁と対応した部分を犠牲層エッチングするものであり、これにより、当該導電膜5における上記開口部5bの周囲にシリコンウェハ9から浮いた状態の環状の電極部5aを形成する。尚、上記犠牲層エッチングは、フッ酸系のエッチング液を用いて時間制御により行う。また、犠牲層エッチングの終了後には、前記レジストパターンを除去する。
【0022】
次に、図3(e)に示す凹部形成工程を実行する。この工程では、シリコンウェハ9に対し前記開口部5bとの対向部分から等方性エッチングを施すことにより、当該シリコンウェハ9にその上面で開口し且つ周縁部が前記電極部5aに下方から臨んだ状態の半球形状の凹部3を形成する。尚、このときのエッチング液は、HF:HNO3 :CH3 COOH液を用いる。
【0023】
次いで、図3(f)に示す導電体収納工程を実行する。この工程では、前記凹部3内に前記開口部5bを通じて導電体6を収納するものであり、この収納時には、作業者或いはサーボ機構により操作されるピンセットを使用する。尚、マイクロメカニカルスイッチ1を完成させるためには、シリコンウェハ9のダイシング工程が必要となるが、このダイシング工程は、例えば上記導電体収納工程の前の段階で行うことができる。
【0024】
このような製造方法によれば、半導体ウェハ9上に犠牲層用薄膜として機能可能なシリコン酸化膜10を形成する絶縁膜形成工程、開口部5bを有した導電膜5を上記シリコン酸化膜10上に形成する導電膜形成工程、前記シリコン酸化膜10における前記導電膜5の開口部5b周縁と対応した部分を犠牲層エッチングして環状の電極部5aを形成する電極部形成工程、前記シリコンウェハ10に対し前記開口部5bとの対向部分から等方性エッチングを施して半球形状の凹部3を形成する凹部形成工程、上記凹部3内に前記開口部5bを通じて球状の導電体6を収納する導電体収納工程を実行するだけで、前述したような効果を奏するマイクロメカニカルスイッチを極めて容易に製造できることになる。
【0025】
(第2の実施の形態)
図4には、本発明の第2実施例が示されており、以下これについて前記第1実施例と異なる部分のみ説明する。
即ち、この第2実施例によるマイクロメカニカルスイッチ1′は、シリコン基板2の上面側に、例えば当該シリコン基板2と同じ伝導型の不純物高濃度層2aを積層状態で設けた構成となっている。この場合、上記不純物高濃度層2aの膜厚は、導電体6が凹部3の上面開口縁部まで上昇して電極部5aに接触した状態において、その導電体6が不純物高濃度層2aにも接触した状態となるような値に設定される。尚、このようなマイクロメカニカルスイッチ1′を製造するに当たっては、前述した絶縁膜形成工程(図3(b)参照)に先立って、シリコンウェハ9(シリコン基板2)の上面側に不純物高濃度層2aを例えば貼り合わせ法により形成する不純物高濃度層形成工程を実行することになる。
【0026】
これにより、導電体6は、その回転移動に応じて不純物高濃度層2aと電極部5aとの間を橋絡可能に設けられるものであり、斯様な構成によれば、導電体6とシリコン基板2との間の接触抵抗、並びにボンディングパッド8のコンタクト部8aとシリコン基板2との間の接触抵抗が小さくなると共に、シリコン基板2自体の抵抗値が小さくなる。このため、導電体6が電極部5aとシリコン基板2(不純物高濃度層2a)との間を橋絡した状態時において、当該シリコン基板2を通じて流れる電流が大きくなってスイッチング出力が安定するようになるから、検出信頼性の向上を実現できるようになる。また、不純物高濃度層2aの不純物濃度を変えることによって、上記のように流れる電流値を所望に調整することが可能となる。
【0027】
(第3の実施の形態)
図5には、本発明の第3実施例が示されており、以下これについて前記第1実施例と異なる部分のみ説明する。
即ち、この第2実施例によるマイクロメカニカルスイッチ1″は、ボンディングパッド8のコンタクト部8aとシリコン基板2との間の接触抵抗を下げるために、当該シリコン基板2側に、これと同じ伝導型の不純物を導入した不純物高濃度領域11を設けた構成に特徴を有する。
【0028】
(その他の実施の形態)
尚、本発明は上記した実施例に限定されるものではなく、次のような変形または拡張が可能である。
導電体6として、樹脂ビーズの表面に金属膜を被覆したものを使用したが、金属ビーズにより導電体を構成することも可能である。ボンディングパッド8のコンタクト部8aとシリコン基板2との界面に、TiN膜などより成るバリアメタル層を形成すること構成とすれば、ボンディングパッド7及び8或いは導電膜5の材料として、Alのような安価なものを利用できるようになる。
【0029】
電極部形成工程において、シリコン酸化膜10を犠牲層エッチングする際に時間制御を行う構成としたが、その電極部形成工程に先立って、最終的に凹部3の上面開口縁部と対応した状態となる位置に、当該電極部形成工程での犠牲層エッチングの際にエッチングストッパとして機能する環状のストッパ膜(例えばSiN膜)を形成するストッパ膜形成工程を実行する構成としても良く、この構成によれば、電極部5aを初期に想定した形状に確実に形成できることになる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例を示すマイクロメカニカルスイッチの平面図
【図2】同マイクロメカニカルスイッチの縦断面図
【図3】製造工程を示す摸式的な断面図
【図4】本発明の第2実施例を示す図2相当図。
【図5】本発明の第3実施例を示す図2相当図。
【符号の説明】
1、1′、1″はマイクロメカニカルスイッチ、2はシリコン基板(半導体基板)、2aは不純物高濃度層、3は凹部、4は絶縁膜、5は導電膜、5aは電極部、5bは開口部、6は導電体、9はシリコンウェハ(半導体基板)、10はシリコン酸化膜(絶縁膜)を示す。
Claims (3)
- 半導体基板上に犠牲層用薄膜として機能可能な絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
開口部を有した導電膜を前記絶縁膜上に形成する導電膜形成工程と、
前記絶縁膜における前記導電膜の開口部周縁と対応した部分を犠牲層エッチングすることにより、当該導電膜における上記開口部の周囲に前記半導体基板から浮いた状態の環状の電極部を形成する電極部形成工程と、
前記半導体基板に対し前記開口部との対向部分から等方性エッチングを施すことにより、当該半導体基板にその上面で開口し且つ周縁部が前記電極部に下方から臨んだ状態の半球形状の凹部を形成する凹部形成工程と、
前記凹部内に前記開口部を通じて球状の導電体を収納する導電体収納工程とを実行することを特徴とするマイクロメカニカルスイッチの製造方法。 - 前記電極部形成工程に先立って、最終的に前記凹部の上面開口縁部と対応した状態となる位置に、当該電極部形成工程での犠牲層エッチングの際にエッチングストッパとして機能するストッパ膜を形成するストッパ膜形成工程を実行することを特徴とする請求項1記載のマイクロメカニカルスイッチの製造方法。
- 前記絶縁膜形成工程に先立って、前記半導体基板の上面側に不純物高濃度層を形成する不純物高濃度層形成工程を実行することを特徴とする請求項1または2記載のマイクロメカニカルスイッチの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP02079898A JP3944990B2 (ja) | 1998-02-02 | 1998-02-02 | マイクロメカニカルスイッチの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP02079898A JP3944990B2 (ja) | 1998-02-02 | 1998-02-02 | マイクロメカニカルスイッチの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11219643A JPH11219643A (ja) | 1999-08-10 |
JP3944990B2 true JP3944990B2 (ja) | 2007-07-18 |
Family
ID=12037090
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP02079898A Expired - Fee Related JP3944990B2 (ja) | 1998-02-02 | 1998-02-02 | マイクロメカニカルスイッチの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3944990B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1082740B1 (en) * | 1998-06-04 | 2002-11-13 | Cavendish Kinetics Limited | Micro-mechanical elements |
KR20070015168A (ko) * | 2004-03-12 | 2007-02-01 | 군마켄 | 스위치 기능을 가지는 센서, 그 제조방법 및 이들을 포함한전자 기기 |
US20110165719A1 (en) * | 2008-03-13 | 2011-07-07 | Florian Solzbacher | Methods of forming an embedded cavity for sensors |
US20110260163A1 (en) * | 2008-03-13 | 2011-10-27 | University Of Utah Research Foundation | Permeable diaphragm piezoresistive based sensors |
GB2539631A (en) * | 2015-04-09 | 2016-12-28 | Continental automotive systems inc | Symmetrical piezoresistive pressure sensor with stacking ICs |
-
1998
- 1998-02-02 JP JP02079898A patent/JP3944990B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH11219643A (ja) | 1999-08-10 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040427 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060725 |
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A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060912 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070221 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070402 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100420 Year of fee payment: 3 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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