KR100326758B1 - 펄스전압 승압회로 - Google Patents

Abstract

본 발명은 저입력전압에서 고압으로 승압된 펄스전압을 생성하되, 그 승압된 펄스전압의 출력레벨 조절이 가능하도록 된 펄스전압 승압회로에 관한 것으로서, 상기 전원(100)의 양(+)의 단자에 양극이 연결된 제 1 다이오드(d1-1)와, 상기 전원(100)의 음(-)의 단자에 양극이 연결된 제 2 다이오드(d1-2)와, 상기 제 1 다이오드(d1-1)의 음극에 일단이 연결되고 타단은 상기 제 2 다이오드(d1-2)의 양극에 연결된 커패시터(C1)와, 상기 제 1 다이오드(d1-1)와 상기 커패시터(C1)의 공통접점에 콜렉터가 연결되고 에미터는 상기 제 2 다이오드(d1-2)의 음극에 연결된 절연게이트 바이폴라 트랜지스터(IGBT)(S1)로 구성된 제 1 단위 승압회로부(200); 및 상기 제 1 단위 승압회로부(200)와 동일한 구성의 단위 승압회로부(300,400)를 복수개 연결 구비하여 구성되어, 장치의 수명이 획기적으로 증대될 수 있으며 펄스폭 조작이 간편하고, 입력단의 고압직류전원이 없어도 회로의 구성에 의해 자연스럽게 저압에서 고전압으로 승압된 펄스를 얻을 수 있으며, 상기 복수의 단위 승압회로부 중 일부만 선택적으로 동작시켜 원하는 레벨의 전압만이 출력으로 나타나도록 하여 출력전압의 조절까지 동시에 가능한 획기적인 구조이다.

Description

펄스전압 승압회로{A step-up circuit of pulse voltage}

본 발명은 고전압 펄스 발생회로에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 저입력전압에서 고압으로 승압된 펄스전압을 생성하되, 그 승압된 펄스전압의 출력레벨 조절이 가능하도록 된 펄스전압 승압회로에 관한 것이다.

일반적으로, 고전압 펄스 발생회로는 각종 시험장비와 플라즈마 발생장치, 레이저 전원등 고전압 펄스 전계를 필요로 하는 특수한 용도에 널리 사용되고 있다. 현재까지는 각 용도에 맞추어 산업계에서 여러 가지 펄스 발생회로를 사용하고 있는 데, 종래의 고전압 펄스 발생회로는 장치의 수명 문제, 펄스폭 가변, 동작 주파수의 증대, 펄스전압의 조절, 직류 고전압전원의 필요성 등의 측면에 있어서 많은 문제점이 발견되고 있다.

즉, 기존의 펄스발생장치는 스파크 갭을 이용한 막스 제네레이터(Marx generator)를 이용하는 방식과 고압 직류전원을 이용하여 충전소자에 에너지를 저장한 뒤에 이를 고압 스위치로 스위칭하여 펄스를 성형하는 방식 또는 펄스변압기를 이용하여 저압 펄스를 고압으로 승압하는 방식등이 있는 데, 이러한 스파크 갭을 이용하거나 진공관 스위치를 이용하는 기존의 방식은 장치의 수명이 짧으며 직류 고압전원회로가 필요하므로 회로가 복잡한 단점을 가진다. 펄스변압기를 이용하는 방식은 승압비가 클수록 필요한 상승시간을 얻는데에 많은 어려움이 있다.

도 1은 스파크 갭을 이용한 종래의 펄스전압 발생회로를 도시한 것이고, 도 2는 싸이라트론을 이용한 종래의 펄스전압 발생회로를 도시한 것으로서, 도 1의 펄스전압 발생회로는 수 메가볼트(MV) 및 메가암페어(MA) 급의 대전력 분야에 사용되고 있으며, 도 2의 펄스전압 발생회로는 싸이라트론과 같은 진공관식 고압 스위치를 이용하여 에너지 저장회로에 충전된 고전압을 방전시키므로써 출력단에 고전압 펄스를 만들어내는 것으로, 주로 중용량급 펄스 발생회로에 사용되고 있다.

도 1 및 도2와 같은 종래의 펄스전압 발생회로는 간단한 구조로 손쉽게 고전압 대전력 펄스를 만들 수 있는 장점이 있으나, 도 1의 구조는 기본적으로 스파크 갭의 동작을 위하여 입력단에 직류고전압이 반드시 필요하며 펄스전압의 발생시점을 정확히 맞추기 위해서는 특수한 트리거 회로가 요구된다. 도 2의 회로는 진공관 스위치를 이용한 방식으로 수십 kV, 수 kA급의 펄스 발생에 주로 이용되는 데, 이러한 회로는 소용량의 펄스 발생회로에는 적합하지가 않고, 특히 장치의 수명이 매우 짧으며 구형파 펄스를 얻으려면 펄스성형회로가 부가되어야 하고 입력단에 반드시 고전압 직류전원이 필요로 한다.

또한, 이외에 펄스 발생회로로는 단순히 펄스 변압기에 의한 승압방식이 있으나, 승압비가 크면 변압기의 누설인덕턴스가 커지므로 펄스변압기의 특성을 만족시키지 못하는 단점을 가진다. 그리고 펄스 압축회로를 이용한 방식은 펄스 폭은 줄이고 전류 크기를 키우는 방식으로 손실이 비교적 크고 현실적으로 수 단계의 압축만이 가능하며 수십단계로 압축하는 것은 불가능하므로 역시 입력전압이 고전압이어야 할 필요를 가지며, 또한 출력 펄스폭이 고정될 수 밖에 없었다.

상기에서 언급한 종래의 펄스발생 회로들에서의 문제점을 간단히 요약하면 다음과 같다.

도 1의 회로는 스파크 갭의 손상에 의한 장치 수명이 짧은 단점이 있고, 도 2의 회로는 진공관 소자의 수명이 반도체소자에 비해 상대적으로 많이 짧은 단점을 가지며, 도 1 및 도 2의 회로 모두 반드시 고전압 직류전원이 입력전원으로 필요하다. 또한 도 1 및 도 2에 사용된 스위치들은 턴 온만이 가능한 구조이므로 구형파 펄스를 얻기 위해서는 펄스성형회로가 부가되어야 하며, 출력 펄스의 폭을 가변할 수가 없는 문제가 있었다. 이외에 자주 이용되는 펄스 변압기를 이용한 방식 역시 승압비가 큰 구조에서는 느린 상승시간으로 인해 원하는 펄스를 얻을 수가 없다. 이외에 펄스 압축회로를 이용한 펄스 발생기등이 있으나 펄스폭 가변이 불가능하고 직류 고전압 회로가 입력단에 필요되는 단점등이 있었다.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 창작된 것으로서, 그 목적은 수명이 길고, 출력 펄스폭 가변이 가능하고, 입력단 전원을 상용전압으로 사용할 수 있도록 하되 특수하게 출력단에 대단히 높은 전압이 요구될 경우엔 고전압의 입력전원을 사용할 수 있으며, 빠른 전압상승을 얻을 수 있고, 원하는 크기의 출력전압을 자유로이 얻을 수 있으며, 입력전압과 출력 펄스전압에 대한 절연 내력만을 고려하면 되도록 하여 장치의 크기를 보다 소형화하도록 된, 펄스전압 승압회로를 제공하고자 하는 것이다.

도 1은 스파크 갭을 이용한 종래의 펄스전압 발생회로를 도시한 도면이고,

도 2는 싸이라트론을 이용한 종래의 펄스전압 발생회로를 도시한 도면이고,

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 펄스전압 승압을 위한 회로도이고,

도 4a,4b 및 4c는 본 발명의 회로 동작을 설명하기 위해 동작모드별로 구분하여 도시한 것이고,

도 5는 본 발명 회로의 주요 동작 파형도를 나타낸 것이고,

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 펄스전압 승압 회로도이고,

도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 펄스전압 승압 회로도이다.

※ 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

100 : 전원 200,300,400 : 단위 승압회로부

500 : 부하 d1-1,d1-2,d2-1,d2-2,...,dn-1,dn-2 : 다이오드

C1,C2,...,Cn : 커패시터 S1,S2,...,Sn : 반도체 스위치 소자(IGBT)

101,102,103 : 펄스성형회로 S1',S2',...Sn' : 사이리스터

Ls,Lc : 인덕터 SW : 스위치

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 펄스전압 승압회로는, 입력전원의 양의 단자에 전류유입단자가 연결된 제 1 다이오드와, 상기 입력전원의 음의 단자에 전류 유입단자가 연결된 제 2 다이오드와, 상기 제 1 다이오드의 전류 유출단자에 일단이 연결되고 타단은 상기 제 2 다이오드의 전류 유입단자에 연결된 용량성 소자와, 상기 제 1 다이오드와 상기 용량성 소자의 공통접점에 전류유입단자가 연결되고 전류 유출단자는 상기 제 2 다이오드의 전류유출단자에 연결(되고 가동단자는 제어수단에 연결)된 전력용 반도체 스위치 소자를 포함하여 구성된 최초단의 단위 승압회로부; 및 상기 최초단의 단위 승압회로부와 동일한 구성의 단위 승압회로부를 복수개 연결 구비하되, 상기 복수개의 단위 승압회로부에서, 임의의 단위 승압회로부의 상기 반도체 스위치 소자의 전류유입단자 및 전류유출단자에, 이웃하는 단위 승압회로부의 상기 제 1 다이오드의 전류유입단자 및 상기 제 2 다이오드와 상기 용량성소자간의 공통접점이 각각 연결되어 있다.

이와 같이 본 발명에 따른 펄스전압 승압회로에서는, 먼저, 제어신호에 의해 손쉽게 제어가능한 전력용 반도체 스위치 소자를 이용하여 동작주파수, 수명, 펄스폭 가변 문제를 해소하였다. 특히, 전압을 승압하기 위해서 상기 복수개의 단위 승압 회로부에서 상기 반도체 스위치 소자들이 동시에 켜지는 순간에 상기 용량성 소자가 모두 직렬로 연결되는 구조가 되도록 함과 아울러, 다이오드들을 사용하여 승압되는 전압이 전원측으로 방전하는 것을 막도록 하였다. 이때 회로는 다이오드들이 직렬로 구성되도록 하여 전체 출력 고전압이 입력전압으로 분배되도록 하였으며 스위치가 직렬이 되는 순간에 동작의 차이에 따른 과전압은 회로의 구조에 의해 자연스럽게 다이오드와 커패시터로 클램프되게 하여 스위치의 과전압이 나타나지 않게 막고 직렬동작이 손쉽게 이뤄지도록 하였다. 그리고 펄스 출력전압이 발생하지 않을 때, 즉, 스위치들이 턴 오프될 때는 다이오드들이 모두 켜지면서 용량성소자들을 입력전압으로 충전시킨다.

이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 펄스전압 승압회로에 대하여 상세히 설명하기로 한다.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 펄스전압 승압을 위한 회로도로서, 상용전압을 정류하여 입력으로 제공하는 전원(100); 상기 전원(100)의 양(+)의 단자에 양극이 연결된 제 1 다이오드(d1-1)와, 상기 전원(100)의 음(-)의 단자에 양극이 연결된 제 2 다이오드(d1-2)와, 상기 제 1 다이오드(d1-1)의 음극에 일단이 연결되고 타단은 상기 제 2 다이오드(d1-2)의 양극에 연결된 커패시터(C1)와, 상기 제 1 다이오드(d1-1)와 상기 커패시터(C1)의 공통접점에 콜렉터가 연결되고 에미터는 상기 제 2 다이오드(d1-2)의 음극에 연결되고 베이스는 제어부(미도시)에 연결된 전력용 반도체 스위치 소자로서의 절연게이트 바이폴라 트랜지스터(IGBT)(S1)로 구성된 제 1 단위 승압회로부(200); 및 상기 제 1 단위 승압회로부(200)와 동일한 구성의 제 2 단위 승압회로부(300)를 연결 구비하되, 상기 제 1 단위 승압회로부(200)와 상기 제 2 단위 승압회로부(300)와의 연결관계를 보면, 상기 제 1 단위 승압회로부(200)의 상기 IGBT(S1)의 콜렉터 및 에미터에, 이웃하는 제 2 단위 승압회로부(300)의 제 1 다이오드(d2-1)의 양극단자 및 제 2 다이오드(d2-2)와 커패시터(C2)의 공통접점이 각각 연결되어 있으며, 상기 제 2 단위 승압회로부(300)에 연이어 상기 제 1 및 제 2 단위 승압회로부(200,300)와 동일 구성 및 동일 연결관계로 복수개의 단위 승압회로부가 최종단인 제 n번째 단위 승압회로부(400)까지 연결 구비되어 있고, 상기 최종단의 단위 승압회로부(400)의 제 2다이오드(dn-2)와 IGBT(Sn)의 공통접점 및 상기 전원(100)의 음(-)의 단자 사이에 부하(500)의 양단이 연결되어 있다. 또한, 상기에서 설명한 기본 동작에는 영향을 주지 않고 특성을 보완하기 위해 상기 전원(100)의 출력단과 상기 제 1 단위 승압회로부(200)의 상기 제 1 다이오드(d1-1) 사이에 인덕터(Ls)가 연결되어 있고, 상기 부하(500)에 병렬로 인덕터(Lc)가 연결되어 있으며, 상기 제 1 단위 승압회로부(200)의 전단의 상기 전원(100)의 양단에 정류 커패시터(Cs)가 연결되어 있다. 또한, 상기 IGBT(S1,S2,...Sn) 소자는 전계효과트랜지스터(MOSFET) 또는 게이트 턴오프 사이리스터(GTO) 등의 전력용 반도체 스위치 소자로 대체 구성 가능하며, 상기 인덕터(Ls,Lc)는 각각 저항소자로 대체 구성 가능하다.

이어, 도 4 및 도 5를 참조하여 도 3과 같이 구성된 본 발명의 동작을 설명한다.

도 4a,4b 및 4c는 본 발명의 회로 동작을 설명하기 위해 동작모드별로 구분하여 도시한 것이고, 도 5는 본 발명 회로의 주요 동작 파형도를 나타낸 것으로서, 동 도면을 참조하여 도 3과 같이 구성된 본 발명의 동작을 설명하기로 하되, 설명의 편의를 위해 도 3에서 복수개 구비되는 단위 승압회로부 중 상기 제 1 및 제 2 단위 승압회로부(200,300) 만이 구비된 예에 대해서 설명하기로 한다. 참고로 도 5에서 V_GS는 IGBT(S1,S2)의 구동전압, Vout는 최종 출력전압, Id1은 다이오드 d1의 입력전류, Iout는 부하 출력전류의 파형을 나타낸다.

먼저, 도 4a의 제 1 모드(Mode 1)는 초기 동작시로 상기 제 1 및 제 2 승압회로부(200,300)의 각 IGBT(S1,S2)가 오프되어 있는 상태이다. 이때 상기 전원(100)으로부터 제공되는 입력전압으로 상기 제 1 및 제 2 단위 승압회로부(200,300)의 각 커패시터(C1.C2)의 전압이 충전되는 바, 충전 경로는 상기 제 1 단위 승압회로부(200)의 다이오드(d1-1,d1-2)와 상기 제 2 단위 승압회로부(300)의 다이오드(d2-1,d2-2)가 차례로 켜지므로써, 커패시터(C1)에서부터 충전되기 시작하여 종단의 커패시터(여기서는 C2, 도 3에서는 Cn)까지 각 단위 승압회로부의 각 다이오드의 전압 강하분 만큼의 전압차로 충전된다. 이때, 상기 부하(500)로 흐르는 충전전류는 펄스에너지에 비례해서 커지지만 그 충전전류는 상기 부하(500)에 병렬로 연결된 인덕터(Lc)에 의해 감소되므로 효율이 향상된다.

이어, 도 4b의 제 2 모드(Mode 2)는 상기 제 1 모드에서 상기 커패시터들(C1,C2)의 충전이 모두 끝나면 상기 다이오드들(d1-1,d1-2,d2-1,d2-2)은 모두 턴 오프되고, 이때 상기 커패시터들(C1.C2)은 각각 상용의 입력전압과 동일한크기로 충전된 상태이므로, 본 발명의 회로 전압은 고전압 상태가 아닌 상용의 저압 상태로 유지된다.

이어, 상기와 같이 상기 커패시터들(C1,C2)이 입력전압으로 충전된 상태에서, 도 4c의 제 3 모드(Mode 3)와 같이 제어부(미도시)의 제어에 따라 상기 IGBT(S1,S2)이 동시에 턴-온되면, 상기 커패시터들(C1,C2)은 상호 직렬 연결되어, 상기 단위 승압회로부의 수 만큼 입력전압이 승압되어 상기 부하(500) 나타나게 된다. 즉, 여기서는 제 1 및 제2 단위 승압회로부(200,300) 2개를 설치하였으므로, 상기 전원(100)으로부터 제공되는 입력전압의 2배의 전압이 상기 부하(500)에 인가된다.

이후, 상기 제 3 모드에서 온 상태이던 상기 IGBT(S1,S2)가 다시 턴-오프되면, 상기 제 1 모드부터 동작이 반복된다.

상기 IGBT(S1,S2,...Sn)의 동작은 미세한 차이가 있어서 일반적인 단순한 직렬 스위치 구성에서는 가장 동작이 늦은 스위치 소자에 과도한 전압이 집중되어 해당 스위치 소자의 파괴를 초래하지만, 도 3과 같은 본 발명의 회로에서 단위 승압회로부(100)는 상기 IGBT스위치(S1)에 대하여 병렬로 다이오드(d1-1,d1-2)와 커패시터(C1)가 연결되어 있기 때문에, 상기 IGBT스위치(S1) 전압이 커패시터(C1) 전압으로 상승하면 저절로 상기 다이오드(d1-1,d1-2)가 켜져서 커패시터(C1)의 충전경로가 형성되므로 그 커패시터(C1) 전압으로 상기 IGBT스위치(S1) 전압이 묶이게 되어 소자의 파괴를 방지하면서 스위치의 직렬 온/오프 동작이 매우 자연스럽게 이루어지게 된다. 또한, 상기 인덕터(Ls)에 의해 상기 각 단위승압회로부(100,200,300)내의 커패시터(C1,C2,Cn)의 충전전류의 첨두치가 완화되며, 상기 인덕터(Lc)는 상기 각 커패시터(C1,C2,Cn)의 충전상태에서 상기 부하(500)로 흐르는 전류를 그 분담시켜서 손실을 줄이도록 한 것이다.

한편, 도 3에는 도시되어 있지 않았으나, 입력전원(100)을 상용이 아닌 고압으로 사용할 경우에는, 하나의 단위 승압회로부내에 구비되는 다이오드와 전력용 반도체스위치를 다수개 직렬 연결한 구조로 만들고, 커패시터는 복수개를 직렬연결하거나 정격에 맞는 소자를 설치하여 구성하면 된다.

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 펄스전압 승압 회로도로서, 도 3에 도시된 본 발명의 일 실시예의 구성과 대비하여 볼 때, 도 3의 상기 커패시터(C1,C2,...Cn) 및 상기 IGBT(S1,S2,...Sn)를 대신하여 도 6에는 펄스성형회로(101,102,..,103) 및 사이리스터(S1',S2',...,Sn')를 설치함과 아울러, 상기 사이리스터(S1',S2',...,Sn')로 된 스위치 소자는 펄스전류용량이 크고 가격이 저렴한 장점을 가지나 자기 소호 기능이 없으므로 상기 인덕터(Ls)의 후단에 스위치(SW)를 설치하여 상기 전원(100)으로부터 상기 제 1 승압회로부(100)로 제공되는 입력전원을 단속함으로써 상기 사이리스터가 턴온 할 때는 상기 스위치(SW)가 오프하도록 한다. 한편, 상기 펄스성형회로(101,102,...,103)는 인덕터(Lp)와 커패시터(Cp)를 구비하여 스위치 소자를 사이리스터 소자로 구성할 경우 출력전압을 구형파로 얻을 수 있도록 하는 것인데, 만일 출력전압이 지수함수형으로 감소하는 파형이어도 무방한 경우 그 펄스성형회로를 배제하고 도 3과 같이 커패시터만으로 구성하여도 무방하다.

도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 펄스전압 승압 회로도로서, 부하(500) 양단에 걸리는 출력 전압이 음(-)의 값으로 요구될 때 구현되는 회로인 바, 도 3과 비교하여 부하의 결선 상태만 다르고 그 외의 구성은 모두 동일하다. 즉, 전원(100)의 음(-)의 단자와 상기 제 1 단위 승압회로부(200)의 상기 제 2 다이오드(d1-2) 사이에 부하(500)의 양단이 연결되고, 최종단의 단위 승압회로부(400)의 제 2 다이오드(dn-2)와 IGBT(Sn) 에미터와의 공통접점 및 상기 전원(100)의 음(-)의 단자와 상기 부하(500)와의 공통접점이 상호 연결되어 있다. 여기서 인덕터 Ls는 IGBT(S1,S2,...,Sn)가 턴온되어서 음의 고전압이 부하 양단에 나타날 때, 이 전압이 각 소자들에 가해지는 것을 막기 위해 사용된 것이다.

이상 상세히 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 펄스전압 승압 회로에 의하면 다음과 같은 효과가 있다.

첫째 고전압 직류전원의 사용없이 상용 입력 직류전원을 사용하면서 단위 승압회로부의 설치 수를 늘림으로써 고전압 펄스를 발생할 수 있다.

둘째, 필요에 따라 고전압 직류전원을 사용하고 상기 단위 승압회로부내의 구성 소자의 정격을 직렬 구조로 증가시켜 그 단위 승압회로부의 정격을 키우므로서 소수의 단위 승압회로부의 설치로도 고전압 펄스를 얻을 수 있다.

셋째, 전력용 반도체 스위치의 사용으로 그 상승시간에 해당하는 수 ns 내지 수십 ns의 빠른 펄스전압 상승시간을 얻을 수 있으며, 펄스전압의 폭을 자유로이가변할 수 있고, 동작주파수를 수 kHz로 증가시킬 수 있고, 장치의 수명을 반영구적으로 할 수 있다

넷째, 동작을 하지 않는 구간에서는 본 발명의 회로에 고전압이 아닌 상용 입력전압이 모든 소자에 인가되어 있으므로, 전체 장치의 절연등급은 펄스전압을 기준으로 결정하면 된다. 따라서 절연내력은 훨씬 낮아도 되며 전체 크기의 최소화가 가능하다.

마지막으로, 반도체 스위치의 구동 제어에 따라 복수의 단위 승압회로부 중에 일부만을 선택적으로 동작시키면, 동작된 단위 승압회로부들만이 상호 직렬 구조로 연결되어 출력단에 동작된 승압회로부의 수에 비례하는 크기의 펄스 전압이 나타나게 되어 출력 레벨의 조절이 용이한 효과가 있다.

Claims (10)

1. 고전압 펄스 발생 회로에 있어서,

   입력전원의 양의 단자에 전류유입단자가 연결된 제 1 다이오드와, 상기 입력전원의 음의 단자에 전류 유입단자가 연결된 제 2 다이오드와, 상기 제 1 다이오드의 전류 유출단자에 일단이 연결되고 타단은 상기 제 2 다이오드의 전류 유입단자에 연결된 용량성 소자와, 상기 제 1 다이오드와 상기 용량성 소자의 공통접점에 전류유입단자가 연결되고 전류 유출단자는 상기 제 2 다이오드의 전류유출단자에 연결(되고 가동단자는 제어수단에 연결)된 전력용 반도체 스위치 소자를 포함하여 구성된 최초단의 단위 승압회로부; 및

   상기 최초단의 단위 승압회로부와 동일한 구성의 단위 승압회로부를 복수개 구비하되,

   상기 복수개의 단위 승압회로부에서, 임의의 단위 승압회로부의 상기 반도체 스위치 소자의 전류유입단자 및 전류유출단자에, 이웃하는 단위 승압회로부의 상기 제 1 다이오드의 전류유입단자 및 상기 제 2 다이오드와 상기 용량성소자간의 공통접점이 각각 연결된 것을 특징으로 하는 펄스전압 승압회로.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 복수개의 단위 승압회로부에서, 최종단의 단위 승압회로부의 상기 제 2 다이오드와 상기 반도체 스위치 소자간의 공통접점 및 상기 입력전원의 음의 단자사이에 부하의 양단이 연결된 것을 특징으로 하는 펄스전압 승압회로.
3. 제 1 항에 있어서,

   상기 입력전원의 음의 단자와 상기 최초단의 단위 승압회로부의 상기 제 2 다이오드 사이에 부하의 양단이 연결되고, 최종단의 단위 승압회로부의 상기 제 2 다이오드와 상기 반도체 스위치 소자간의 공통접점 및 상기 입력전원의 음의 단자와 상기 부하와의 공통접점이 상호 연결된 것을 특징으로 하는 펄스전압 승압회로.
4. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,

   상기 부하에 대하여 병렬 연결된 충전용 회로를 더 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 펄스전압 승압회로.
5. 제 4 항에 있어서,

   상기 충전용 회로는 인덕터 또는 저항으로 구성된 것을 특징으로 하는 펄스전압 승압회로.
6. 제 1 항에 있어서,

   상기 입력전원의 양의 단자와 최초단의 단위 승압회로부의 제 1 다이오드의 전류유입단 사이에 양단이 연결된 인덕터를 더 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 펄스전압 승압회로.
7. 제 1 항에 있어서,

   상기 반도체 스위치 소자는 사이리스터로 구성되고, 상기 최초단의 단위 승압회로부 전단에 상기 입력전원을 단속하는 스위치를 더 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 펄스전압 승압회로.
8. 제 7 항에 있어서,

   상기 용량성 소자를 그 용량성 소자가 포함된 펄스성형회로로 구성한 것을 특징으로 하는 펄스전압 승압회로.
9. 제 1 항에 있어서,

   상기 단위 승압회로부내의 상기 제 1 및 제 2 다이오드와 상기 반도체 스위치 소자는 각각 복수개의 소자로 구성되어 직렬연결된 것을 특징으로 하는 펄스전압 승압회로.
10. 제 9 항에 있어서,

    상기 단위 승압회로부내의 상기 커패시터는 복수개로 구성되어 상호 직렬연결된 것을 특징으로 하는 펄스전압 승압회로.