KR100316065B1 - 전압강하 변환회로 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 전압강하 변환회로에 관한 것으로서, 기준전압에 의하여 구동되고 내부 전원전압의 변화를 감지하여 출력전압을 변화시키는 미분기와, 그 미분기로부터 인가된 전압과 상기 기준전압을 또다른 기준전압에 응답하여 비교한 후 더 낮은 전압을 비교전압으로 출력하는 비교기와, 그 비교기로부터 인가된 비교전압에 의하여 구동되어 벌크바이어스전압을 발생하는 벌크바이어스전압발생부와, 상기 또다른 기준전압을 상기 비교기에 인가하는 제2기준전압발생부와, 상기 벌크바이어스전압에 응답하여 변하는 상기 기준전압을 발생하는 제1기준전압발생부를 포함한다. 본 발명은 내부 전원전압의 변화에 따라 기준전압의 레벨을 변화시킴으로써, 내부 전원전압의 변화에 대한 반응속도를 개선하고 전류소모를 감소시킬 수 있다.

Description

전압강하 변환회로 { Voltage down converter }
본 발명은 전압강하 변환회로(VDC: Voltage Down Converter)에 관한 것으로, 특히 기준전압발생부에 가변저항 또는 가변저항 역할을 하는 트랜지스터를 구비하여 내부 전원전압의 변화에 따라 기준전압의 레벨을 변화시킴으로써, 내부 전원전압의 변화에 대한 반응속도를 개선하고 전류소모를 감소시킬 수 있는 전압강하 변환회로에 관한 것이다.
현재 DRAM에 포함된 MOS트랜지스터의 동작 신뢰성을 개선하기 위하여, 외부전압을 일정한 내부전압으로 강압시켜 소자내부에 안정적으로 공급하는 전압강하 변환회로가 채택되고 있다. 낮은 전원전압을 사용하면 전력소모를 줄일 수 있고, 특히 내부 전압원을 정전압으로 설정하면 외부의 전원전압이 변동하여도 안정된 전원전압을 확보할 수 있어 칩의 동작이 안정될 수 있다.
도 1은 종래의 전압강하 변환회로의 회로도이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 종래의 전압강하 변환회로는 외부전압(Vext) 및 온도 등에 무관한 기준전압(Vr1)을 발생하는 기준전압발생부(10)와, 그 기준전압발생부(10)로부터 공급된 기준전압(Vr1)을 증폭하는 증폭부(11)와, 그 증폭부(11)에서 증폭되어 출력된 전압(Vr) 및 기준전압(Vr1)에 의하여 구동되어 내부 전원전압(Vint)을 발생하는 구동부(12)로 구성된다. 내부 전원전압(Vint)의 출력라인에는 풀업저항(R)이 병렬연결된다.
상기 기준전압발생부(10)는 전류미러에 의해 서로 연결된 NMOS트랜지스터(101),(102)와, 그 NMOS트랜지스터(101),(102)와 각각 연결되고 전류미러에 의해 서로 연결되며 외부전압(Vext)을 공급받는 PMOS트랜지스터(103),(104)와, 그 PMOS트랜지스터(103),(104)의 게이트전압에 의하여 구동되고 외부전압(Vext)을 공급받는 PMOS트랜지스터(105)와, 그 PMOS트랜지스터(105)와 직렬연결되고 턴온상태인 PMOS트랜지스터(106)로 구성된다. 여기서, PMOS트랜지스터(106)의 기판(미도시)에는 기준전압(Vr1) 라인이 연결된다. 그리고, PMOS트랜지스터(105)와 PMOS트랜지스터(106) 사이의 노드는 기준전압(Vr1) 라인과 연결되고, NMOS트랜지스터(102)는 저항(R1)을 통하여 접지된다.
상기 증폭부(11)는 기준전압발생부(10)로부터 인가된 기준전압(Vr1)에 의하여 구동되는 NMOS트랜지스터(111),(112)와, 그 NMOS트랜지스터(112)와 병렬 연결되고 저항(R2),(R3)을 통하여 분압된 전압에 의하여 구동되는 NMOS트랜지스터(113)와, 그 NMOS트랜지스터(111),(113)와 각각 연결되고 전류미러를 통하여 서로 연결되며 외부전압(Vext)을 공급받는 PMOS트랜지스터(114),(115)와, 그 PMOS트랜지스터(114)와 상기 NMOS트랜지스터(111)사이의 노드의 전압에 의하여 구동되고 외부전압(Vext)을 공급받는 PMOS트랜지스터(116)로 구성된다. 여기서, 증폭된 전압(Vr) 라인은 PMOS트랜지스터(116)와 저항(R2)사이의 노드와 연결된다.
상기 구동부(12)는 상기 증폭부(11)로부터 인가된 증폭전압(Vr) 및 상기 기준전압발생부(10)로부터의 기준전압(Vr1)에 의하여 구동되는 차동증폭부(120)를 포함한다.
이 차동증폭부(120)는 증폭전압(Vr)에 의하여 구동되는 NMOS트랜지스터(121)와, 그 NMOS트랜지스터(121)와 연결되고 기준전압(Vr1)에 의하여 구동되는 NMOS트랜지스터(122)와, 그 NMOS트랜지스터(122)와 병렬연결된 NMOS트랜지스터(122)와, 그 NMOS트랜지스터(121),(123)와 각각 연결되고 전류미러를 통하여 서로 연결되며 외부전압(Vext)을 공급받는 PMOS트랜지스터(124),(125)로 구성된다.
또한, 구동부(12)는 차동증폭부(120)에 포함된 PMOS트랜지스터(121) 및 NMOS트랜지스터(121)사이의 노드의 전압에 의하여 구동되고 외부전압(Vext)을 공급받는 PMOS트랜지스터(126)와, 기준전압(Vr1)에 의하여 구동되는 NMOS트랜지스터(127)로 구성된다.
상기와 같이 구성되는 종래의 전압강하 변환회로의 동작을 도 1을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
먼저, 기준전압발생부(10)는 외부전압(Vext)과 온도의 변화와 무관하게 발생된 기준전압(Vr1)을 증폭부(11) 및 구동부(12)에 공급한다. 즉, PMOS트랜지스터(103),(104)는 전류미러를 통하여 그 게이트들이 서로 연결되어 있기 때문에, PMOS트랜지스터(103)와 PMOS트랜지스터(104)를 통하여 흐르는 전류량은 동일하고, 이때 흐르는 정전류의 량은 PMOS트랜지스터(103)의 크기(width)에 의하여 결정된다. 마찬가지로, NMOS트랜지스터(101),(102)에도 동일한 정전류가 흐르게 된다.
그러므로, 외부전압(Vext)이 PMOS트랜지스터(105),(106)의 턴온저항에 의하여 분압되어 일정 레벨의 기준전압(Vr1)이 발생된다.
증폭부(11)는 기준전압(Vr1)을 증폭시켜 원하는 레벨의 증폭전압(Vr)을 발생하는데, 구동부(12)를 거쳐 최종 발생되는 내부 전원전압(Vint)은 증폭전압(Vr)의레벨을 그대로 따른다. 즉, 증폭부(11)는 전류미러형의 차동증폭기이므로, NMOS트랜지스터(111),(113)를 통하여 NMOS트랜지스터(112)측으로 흐르는 전류량은 각각의 게이트에 인가되는 전압, 즉 기준전압(Vr1)과 저항(R2),(R3)에 의한 분압전압에 의하여 결정된다. 또한, PMOS트랜지스터(114),(115)는 전류미러를 통하여 서로 연결되어 있고, 특히 PMOS트랜지스터(115)는 다이오드형태로 연결되어 있어 매우 작은 턴온저항을 가지므로, 주로 PMOS트랜지스터(114)를 통하여 기준전압(Vr1)의 증폭이 이루어진다. 따라서, PMOS트랜지스터(114)의 드레인 전압에 의하여 PMOS트랜지스터(116)가 구동되어 저항(R2),(R3)과 PMOS트랜지스터(116)의 턴온저항에 의하여 분압된 외부전압(Vext)이 증폭전압(Vr)으로서 발생된다.
구동부(12)의 차동증폭부(120)와 PMOS트랜지스터(126) 및 NMOS트랜지스터(127)는 전술한 증폭부(11)와 동일한 방식으로 동작하는데, 구동부(12)는 외부의 부하와 전류구동능력 등을 고려하여 구비된 회로로서 단순한 구동기능을 수행한다. 즉, 외부요인에 의하여 내부 전원전압(Vint)의 레벨이 변하면, 구동부(12)는 인가되는 증폭전압(Vr)과 출력되는 내부 전원전압(Vint)의 레벨을 비교하는 동작을 수행하여 내부 전원전압(Vint)의 레벨을 변화시킴으로써, 내부 전원전압(Vint)의 레벨을 증폭전압(Vr)의 레벨과 같은 레벨로 만들려고 한다. 이때, 내부 전원전압(Vint)의 레벨이 증폭전압(Vr)의 레벨과 같아지는 반응시간은 차동증폭부(120)에 포함된 트랜지스터들의 크기에 의하여 결정된다.
그런데, 트랜지스터의 크기를 크게하면, 그 반응시간은 빨라질 수 있지만 소모전류가 증가하게 된다. 또한, 외부에서 공급되는 전압이 낮을 때도 반응속도가느려지기 때문에, 낮은 외부전압에서 더 낮은 전압을 만들 경우에는 반응속도가 심각한 문제를 일으킬 수 있다.
따라서, 본 발명은 이와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 기준전압발생부에 가변저항 또는 가변저항 역할을 하는 트랜지스터를 구비하여 내부 전원전압의 변화에 따라 기준전압의 레벨을 변화시킴으로써, 내부 전원전압의 변화에 대한 반응속도를 개선하고 전류소모를 감소시킬 수 있는 전압강하 변환회로를 제공하는 데 그 목적이 있다.
도 1은 종래의 전압강하 변환회로의 회로도.
도 2는 본 발명에 따른 전압강하 변환회로의 구성을 보인 블록도.
도 3은 도 2의 전압강하 변환회로의 구성을 보인 상세 회로도.
도 4는 도 3의 제1기준전압발생부에 대한 등가회로도.
도 5는 도 3의 미분기의 동작을 시뮬레이션한 결과를 보여주는 그래프.
도 6은 본 발명에 따른 전압강하 변환회로에서 발생되는 신호의 파형도.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
10:기준전압발생부 11,21:증폭부
12,22:구동부 20:제1기준전압발생부
23:미분기 24:비교기
25:벌크(bulk)바이어스전압 발생부
26:제2기준전압발생부
이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은 기준전압을 증폭하는 증폭부와, 그 증폭부에서 증폭되어 출력된 전압 및 상기 기준전압에 의하여 구동되어 내부 전원전압을 발생하는 구동부를 구비한 전압강하 변환회로에 있어서, 상기 기준전압에 의하여 구동되고, 상기 내부 전원전압의 변화를 감지하여 출력전압을 변화시키는 미분기; 그 미분기로부터 인가된 전압과 상기 기준전압을 또다른 기준전압에 응답하여 비교한 후 더 낮은 전압을 비교전압으로 출력하는 비교기; 그 비교기로부터 인가된 비교전압에 의하여 구동되어 벌크바이어스전압을 발생하는 벌크바이어스전압발생부; 상기 또다른 기준전압을 상기 비교기에 인가하는 제2기준전압발생부; 및 상기 벌크바이어스전압에 응답하여 변하는 상기 기준전압을 발생하는 제1기준전압발생부;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
본 발명에 따른 전압강하 변환회로는 도 2에 도시된 바와 같이, 기준전압(Vr1)을 발생하는 제1기준전압발생부(20)와, 그 제1기준전압발생부(20)로부터 공급된 기준전압(Vr1)을 증폭하는 증폭부(21)와, 그 증폭부(21)에서 증폭되어 출력된 전압(Vr) 및 제1기준전압발생부(20)로부터의 기준전압(Vr1)에 의하여 구동되어 내부 전원전압(Vint)을 발생하는 구동부(22)를 포함한다. 내부 전원전압(Vint)의 출력라인에는 풀업저항(R)이 병렬연결된다.
또한, 본 발명에 따른 전압강하 변환회로는 상기 제1기준전압발생부(20)로부터 인가된 기준전압(Vr1)에 의하여 구동되고, 내부 전원전압(Vint)의 변화를 감지하여 출력전압(Vdiff)을 변화시키는 미분기(23)와, 그 미분기(23)로부터 인가된 출력전압(Vdiff)과 기준전압(Vr1)을 기준전압(Vr2)에 응답하여 비교한 후 더 낮은 전압을 비교전압(Vcomp)으로 출력하는 비교기(24)와, 그 비교기(24)로부터 인가된 전압(Vcomp)에 의하여 구동되어 벌크바이어스(bulk bias)전압(Vc)을 상기 제1기준전압발생부(20)에 인가하는 벌크바이어스전압발생부(25)와. 기준전압(Vr2)을 발생하여 비교기(24)에 인가하는 제2기준전압발생부(26)를 구비한다. 여기서, 제2기준전압발생부(26)는 비교기(24)의 구현방법에 따라 구비되지 않아도 무방하다.
상기 제1기준전압발생부(20)는 PMOS트랜지스터(206)를 제외고는 도 1의 기준전압발생부(10)와 동일하게 구성된다. 즉, NMOS트랜지스터(201),(202) 및 PMOS트랜지스터(203),(204),(205)는 도 1의 NMOS트랜지스터(101),(102) 및 PMOS트랜지스터(103),(104),(105)와 동일한 방식으로 구성된다.
그리고, PMOS트랜지스터(206)의 기판(미도시)에는 벌크바이어스전압발생부(25)로부터의 벌크바이어스전압(Vc)이 인가되고, 이에 따라 PMOS트랜지스터(206)의 턴온저항값이 변하게 된다.
이러한 PMOS트랜지스터(206)는 도 4에 도시된 바와 같이, 벌크바이어스전압(Vc)에 따라 서로다른 저항값을 갖는 가변저항(VR)으로 표시될 수 있다.
상기 증폭부(21)와 구동부(22)는 도 1의 증폭부(11) 및 구동부(12)와 각각 동일하게 구성되고, 제2기준전압발생부(26)는 도 1의 기준전압발생부(10)와 동일하게 구성된다.
상기 제1기준전압발생부(20)는 전류미러에 의해 서로 연결된 NMOS트랜지스터(201),(202)와, 그 NMOS트랜지스터(201),(202)와 각각 연결되고 전류미러에 의해 서로 연결되며 외부전압(Vext)을 공급받는 PMOS트랜지스터(203),(204)와, 그 PMOS트랜지스터(203),(204)의 게이트전압에 의하여 구동되고 외부전압(Vext)을 공급받는 PMOS트랜지스터(205)와, 그 PMOS트랜지스터(205)와 직렬연결되고 턴온상태인 PMOS트랜지스터(206)로 구성된다. 여기서, PMOS트랜지스터(206)의 기판(미도시)에는 벌크바이어스전압발생부(25)로부터 벌크바이어스전압(Vc)이 인가된다. PMOS트랜지스터(205)와 PMOS트랜지스터(206) 사이의 노드는 기준전압(Vr1) 라인과 연결되고, NMOS트랜지스터(202)는 저항(R1)을 통하여접지된다.
상기 미분기(23)는 상기 제1기준전압발생부(20)로부터의 기준전압(Vr1)에 의하여 구동되는 NMOS트랜지스터(231)와, 저항(235)을 통하여 공급된 기준전압(Vr1)에 의하여 구동되는 NMOS트랜지스터(232)와, 전원전압, 즉 내부 전원전압(Vint)을 공급받고 전류미러에 의해 서로 연결된 PMOS트랜지스터(233),(234)로 구성된다. 여기서. NMOS트랜지스터(231)와 PMOS트랜지스터(233)사이의 노드에서 출력전압(Vdiff)이 발생된다. NMOS트랜지스터(232)와 저항(235) 사이에는 전원전압에 의하여 충전되는 커패시터(236)이 병렬연결된다. 그리고, PMOS트랜지스터(234)는 다이오드형태로 연결되어 있다.
상기 비교기(24)는 상기 미분기(23)로부터의 출력전압(Vdiff)에 의하여 구동되고 PMOS트랜지스터(P2)와 병렬연결된 PMOS트랜지스터(P1)와, 제2기준전압발생부(26)로부터의 기준전압(Vr2)에 의하여 구동되고 외부전압(Vext)을 공급받는 PMOS트랜지스터(P2),(P4),(P5),(P8)와, 그 PMOS트랜지스터(P4)를 통하여 공급된 전압에 의하여 구동되고 PMOS트랜지스터(P2)와 병렬연결된 PMOS트랜지스터(P3)와, PMOS트랜지스터(P1),(P3)와 각각 직렬연결되고 전류미러에 의하여 서로 연결된 NMOS트랜지스터(N1),(N3)와, PMOS트랜지스터(P1) 및 NMOS트랜지스터(N1)사이의 노드전압에 의하여 구동되고 PMOS트랜지스터(P4)와 직렬연결된 NMOS트랜지스터(N3)를 포함한다.
또한, 상기 비교기(24)는 상기 PMOS트랜지스터(P5)와 직렬연결된 NMOS트랜지스터(N4)와, 그 NMOS트랜지스터(N4)와 PMOS트랜지스터(P5)사이의 노드전압에 의하여 구동되고 PMOS트랜지스터(P8)와 병렬연결된 PMOS트랜지스터(P6)와, 제1기준전압발생부(20)로부터의 기준전압(Vr1)에 의하여 구동되고 PMOS트랜지스터(P8)와 병렬연결된 PMOS트랜지스터(P7)와, PMOS트랜지스터(P6),(P7)와 각각 직렬연결되고 전류미러에 의하여 서로 연결된 NMOS트랜지스터(N5),(N6)를 포함한다. 여기서, 상기 PMOS트랜지스터(P4)와 NMOS트랜지스터(N3)사이의 노드 및 PMOS트랜지스터(P5)와 NMOS트랜지스터(N4)사이의 노드는 비교전압(Vcomp) 라인이 병렬연결된다. 그리고, NMOS트랜지스터(N2),(N5)는 다이오드 형태로 연결되어 있다.
상기 벌크바이어스전압발생부(25)는 전원전압을 공급받는 PMOS트랜지스터(251) 및 기준전압(Vr1) 라인과 연결된 드레인을 갖는 NMOS트랜지스터(252)로 이루어진 인버터로 구성된다.
이와 같이 구성되는 본 발명에 따른 전압강하 변환회로의 동작을 도 2 내지 도 6을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
제1기준전압발생부(20)에서 발생되는 기준전압(Vr1)이 미세하게 변하더라도 최종 출력단, 즉 구동부(22)에서 발생되는 내부 전원전압(Vint)은 아주 크게 변화될 수 있다. 따라서, 기준전압(Vr1)은 미세하게 변화듸는 것이 바람직하다. 즉, 도 4의 가변저항(VR)값은 아주 작은 범위내에서 변화되어야 한다.
이를 위하여 본 발명은 PMOS트랜지스터(206)의 기판에 벌크 바이어스전압(Vc)을 인가하는 방식을 사용하고, 이때 그 벌크 바이어스전압(Vc)이 변하면 PMOS트랜지스터(206)의 문턱전압도 변하여 결국 PMOS트랜지스터(206)의 턴온저항값이 변하게 된다. 이러한 현상을 일반적으로 보디 효과(body effect)라고부른다.
먼저, 전술한 바와 같은 동작에 따라 기준전압(Vr1)과 증폭전압(Vr) 그리고 내부 전원전압(Vint)이 발생된다.
그 후, 도 5에 도시된 바와 같이, 미분기(23)의 PMOS트랜지스터(233),(234)에 공급되는 전원전압(Vcc), 즉 내부 전원전압(Vint)의 레벨이 낮아지면, 미분기(23)는 이를 감지하여 출력전압(Vdiff)을 발생한다. 이때, 미분기(23)는 차동 증폭기와 유사하게 동작된다. 즉, NMOS트랜지스터(231)의 게이트에는 기준전압(Vr1)이 그대로 공급되는데 비하여 NMOS트랜지스터(232)의 게이트에는 저항(235)에 의하여 강하된 기준전압(Vr1)이 인가되기때문에, NMOS트랜지스터(231)를 통하여 흐르는 전류량이 NMOS트랜지스터(232)를 통하여 흐르는 전류량보다 많아져서 결과적으로 증폭된 출력전압(Vdiff)이 발생된다.
비교기(24)는 미분기(24)의 출력전압(Vdiff)과 제1기준전압발생부(20)로부터의 기준전압(Vr1)을 비교하여 더 낮은 전압을 비교전압(Vcomp)으로서 출력한다. 즉, PMOS트랜지스터(P2),(P4),(P5),(P8)는 제2기준전압발생부(26)로부터의 기준전압(Vr2)에 의하여 구동되는데, 이때 PMOS트랜지스터(P1),(P3),(P6),(P7)의 소오스측으로 흐르는 전류량을 조절하는 역할을 한다. 그리고, PMOS트랜지스터(P1),(P7)는 미분기(24)의 출력전압(Vdiff)과 제1기준전압발생부(20)로부터의 기준전압(Vr1)에 의하여 각각 구동되며, NMOS트랜지스터(N1),(N2),(N5),(N6)는 전류미러동작에 따라 구동된다. 결과적으로, 도 6에 도시된 바와 같이, 비교기(24)는 출력전압(Vdiff)의 레벨을 갖는 비교전압(Vcomp)을 발생시킨다.
벌크바이어스전압발생부(25)는 비교기(24)로부터의 비교전압(Vcomp)을 반전시켜 도 6에 도시된 바와 같은 하이레벨의 벌크바이어스전압(Vc)을 제1기준전압발생부(20)의 PMOS트랜지스터(206)에 인가한다. 이에 따라, PMOS트랜지스터(206)의 문턱전압이 상승하게 되어 기준전압(Vr1)의 레벨이 증가된다. 결과적으로, 도 6에 도시된 바와 같은 전압(Vr)이 증폭부(21)에서 출력되어 내부 전원전압(Vint)의 레벨이 상승하게 된다.
상기와 같이 본 발명은 종래의 VDC보다 반응속도가 빨라 안정적인 내부전압의 공급이 가능하다. 즉, 종래의 VDC회로에서는 증폭전압(Vr)과 기준전압(Vr1)의 레벨이 고정적인 반면에, 본 발명에서는 가변저항(VR) 또는 가변저항의 역할을 하는 PMOS트랜지스터(206)가 사용되므로 증폭전압(Vr)과 기준전압(Vr1)이 내부 전원전압(Vint)의 변화에 대응하여 반대위상으로 변하여 내부 전원전압(Vint)이 빠른 회복 및 반응시간을 갖게 된다. 이와 같이, 본 발명에서는 반응시간을 줄임으로써 종래와 같이 트랜지스터의 크기를 키우는 방식에서 나타나는 소비전류가 증가하는 현상도 없앨 수 있다.
이상에서 살펴 본 바와 같이, 본 발명은 기준전압발생부(20)에 가변저항(VR) 또는 가변저항 역할을 하는 트랜지스터(206)를 구비하여 내부 전원전압(Vint)의 변화에 따라 기준전압(Vr1)의 레벨을 변화시킴으로써, 내부 전원전압(Vint)의 변화에 대한 반응속도를 개선하고 전류소모를 감소시킬 수 있다.

Claims (4)

  1. 기준전압을 증폭하는 증폭부와, 그 증폭부에서 증폭되어 출력된 전압 및 상기 기준전압에 의하여 구동되어 내부 전원전압을 발생하는 구동부를 구비한 전압강하 변환회로에 있어서,
    상기 기준전압에 의하여 구동되고, 상기 내부 전원전압의 변화를 감지하여 출력전압을 변화시키는 미분기;
    그 미분기로부터 인가된 전압과 상기 기준전압을 또다른 기준전압에 응답하여 비교한 후 더 낮은 전압을 비교전압으로 출력하는 비교기;
    그 비교기로부터 인가된 비교전압에 의하여 구동되어 벌크바이어스전압을 발생하는 벌크바이어스전압발생부;
    상기 또다른 기준전압을 상기 비교기에 인가하는 제2기준전압발생부; 및
    상기 벌크바이어스전압에 응답하여 변하는 상기 기준전압을 발생하는 제1기준전압발생부;를 포함하여 구성되는 전압강하 변환회로.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 제1기준전압발생부는
    상기 벌크바이어스전압에 따라 가변되는 가변저항 또는 가변저항값을 갖는 PMOS트랜지스터를 구비한 것을 특징으로 하는 전압강하 변환회로.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 미분기는
    상기 제1기준전압발생부로부터의 기준전압에 의하여 구동되는 제1NMOS트랜지스터;
    저항을 통하여 공급된 상기 기준전압에 의하여 구동되는 제2NMOS트랜지스터; 및
    내부 전원전압을 공급받고 전류미러에 의해 서로 연결된 제1 및 제2PMOS트랜지스터;를 포함하여 구성되고, 상기 제1NMOS트랜지스터와 제1PMOS트랜지스터사이의 노드에서 출력전압을 발생시키는 것을 특징으로 하는 전압강하 변환회로.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 벌크바이어스전압발생부는
    내부 전원전압을 공급받는 PMOS트랜지스터 및 상기 기준전압 라인과 연결된 드레인을 갖는 NMOS트랜지스터로 이루어진 인버터로 구성되는 것을 특징으로 하는 전압강하 변환회로.
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