KR100312685B1 - 빔 인덱스형 음극선관과 이 음극선관에 적합한 광 검출기의 제조 방법 - Google Patents

빔 인덱스형 음극선관과 이 음극선관에 적합한 광 검출기의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

광 입사면 및 입사면과 평행한 면에서의 반사 효율을 증가시키므로써 수광 효율을 극대화한 광 검출기를 갖는 빔 인덱스형 음극선관 및 이 검출기를 효율적으로 제조할 수 있는 제조 방법에 관한 것으로, 빔 인덱스형 음극선관은, 스크린의 내면에 3색의 형광체가 스트라이프상으로 도포되어 전자빔에 의해 여기되어 발광하는 색 재현부와, 상기 색 재현부 표면에 제공된 알루미늄 막상에 도포된 인덱스 형광체와, 상기 인덱스 형광체로부터 반사되는 광 신호를 받아 전기적 신호로 변환시켜 전자빔이 색 재현부에 정확히 랜딩되도록 하기 위한 인덱스 광 검출 수단을 포함하는 빔 인덱스형 음극선관으로서, 상기 광 검출 수단은, 상기 인덱스 형광체에서 발생된 광 신호를 소정 파장의 광 신호로 변환시키기 위한 형광 염료를 소정의 폴리머 매질에 혼합하여 사출 성형한 집광판과; 상기 집광판의 광 입사면에 장치되어 특정 파장대의 빛은 반사하고 다른 빛은 투과시키는 다이크로익 미러와; 상기 광 입사면에 수직한 일측 표면에 장치되어 광 신호를 전기적인 신호로 변환하는 광 센서;를 포함한다. 이로써, 입사면 및 입사면과 평행한 면에서의 반사 효율이 상승되어 수광 효율이 극대화된다.

Description

빔 인덱스형 음극선관과 이 음극선관에 적합한 광 검출기의 제조 방법{BEAM INDEX TYPE CATHODE RAY TUBE AND METHOD FOR MAKING PHOTODETECTOR COMPATIBLE WITH THIS CATHODE RAY TUBE}
본 발명은 고효율의 색 재현을 실현할 수 있는 빔 인덱스형 음극선관과 이음극선관에 적합한 광 검출기를 효율적으로 제조할 수 있는 광 검출기의 제조 방법에 관한 것이다.
빔 인덱스 음극선관은 스크린의 알루미늄 막 위에 대략 420㎚의 파장을 갖는 광을 발생시키는 인덱스 형광체를 일정한 패턴으로 형성하여 색 선별을 하는 장치로서, 도 1에 도시한 바와 같이, 내측 표면에 적색, 녹색 및 청색 형광 스트라이프(102)가 반복적으로 배열되는 스크린(104)을 구비한다.
인접하는 상기 형광 스트라이프(102) 사이의 공간에는 블랙 매트릭스(106)가 형성되고, 알루미늄 막(108)의 표면에는 인덱스 형광체(110)가 일정한 패턴으로 형성되며, 음극선관의 넥크부에는 전자 빔(112)을 주사하는 전자총(114)이 장치되고, 콘부의 수광창(116) 외측에는 인덱스 형광체(110)에서 발생된 광 신호를 검출하여 색 재현을 실현하기 위한 광 검출기가 설치된다.
상기 광 검출기에 사용되는 광 센서로 종래에는 대략 420㎚의 파장의 광에 대해 높은 감도를 가지는 PMT(Photo Multiplier Tube)가 사용되었으나, 이 PMT는 가격이 비싸고 사이즈가 커서 현재에는 실리콘 등을 이용한 감광 다이오드가 주로 사용되고 있다.
그러나, 감광 다이오드는 일반적으로 수광 면적이 매우 작고, 장파장의 빛에 대해 높은 감도를 가지므로, 감광 다이오드를 사용하는 광 검출기에서는 대략 420㎚의 파장의 광 신호를 장파장의 광 신호로 변환하기 위한 집광판이 사용된다.
이하, 종래의 광 검출기를 도 2를 참조로 설명한다.
도시한 바와 같이, 광 검출기(118)는 인덱스 형광체에서 발생된 대략 420㎚의 파장의 광 신호를 감광 다이오드의 반응 감도가 좋은 파장대(600∼900㎚)의 광 신호로 변환한 후, 변환 광을 반사 현상을 이용하여 감광 다이오드로 전달하는 집광판(118a)과, 집광판(118a)에서 변환된 광 신호를 전달받아 전기적인 신호로 변환하도록 집광판(118a)의 일측면에 설치되는 감광 다이오드(118b)로 구성되며, 집광판(118a)은 굴절률이 높은 열가소성 플라스틱의 일종인 PMMA(Poly Methyl MethAcrylate)를 매질로 하고 Hostasol Yellow8G, Hostasol Yellow3G 등의 형광 염료를 혼합하여 사출한 사출물로 제조된다.
여기에서, 집광판(118a)을 고 굴절률, 저 투과율의 매질로 제조하는 것은 입사면을 통해 입사된 광이 입사면에 수직한 일측 출사면을 통해 출사되도록 하기 위한 것이며, 대략 420㎚의 파장을 갖는 광 신호가 장파장의 광 신호로 변환되는 것은 집광판의 내부에 균일하게 분산된 형광 염료에 의해 이루어진다.
그리고, 상기 집광판(118a)의 입사면에 수직한 표면에는 반사 효율을 증가시키므로써 광 손실을 줄일 수 있도록 하기 위해 통상적으로 산화마그네슘(MgO) 또는 알루미늄(Al) 등으로 경면 반사 처리한 전반사 미러(122)가 제공된다.
이에 따라, 인덱스 형광체(110)에 전자 빔(112)이 주사되면, 형광체(110)에서는 대략 420㎚의 파장을 갖는 광 신호(120)가 발생되고, 이 신호는 튜브의 콘부에 구비된 수광창(116)을 통해 집광판(118a)에 도달된 후, 집광판(118a) 내부에 균일하게 분산된 형광 염료에 의해 장파장의 광으로 변환되며, 이 변환 광은 감광 다이오드(118b)에 입사되어 감광 다이오드(118b)에서는 변환 광에 따른 전기적인 신호가 출력된다.
이와 같이 감광 다이오드(118b)에서 출력된 전기 신호는 이후 컨트롤러(미도시)에 입력되고, 컨트롤러는 이 신호를 기초로 하여 스크린상의 해당 형광 스트라이프(102)에 전자빔을 주사하여 색 재현을 실시한다.
그런데, 상기와 같이 구성된 종래의 빔 인덱스형 음극선관에 의하면, 대략 420㎚의 파장을 갖는 광 신호를 감광 다이오드의 감도가 좋은 장파장(600∼900㎚)의 광 신호로 변환한 후 감광 다이오드에 전달하는 집광판의 입사면 및 입사면과 평행한 면에서의 반사 효율이 매우 낮기 때문에 집광판 전체의 수광 효율이 낮다.
따라서, 종래의 빔 인덱스형 음극선관은 상기 이유로 인해 색 재현을 고효율로 실현할 수 없는 문제점이 있다.
본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위한 것으로, 입사면 및 입사면과 평행한 면에서의 반사 효율을 증가시켜 광 검출기의 수광 효율을 극대화 함으로써 고효율의 색 재현을 실현할 수 있는 빔 인덱스형 음극선관을 제공함을 목적으로 한다.
본 발명의 다른 목적은 상기 음극선관에 적합한 광 검출기를 효율적으로 제조하는 제조 방법을 제공하는 것이다.
도 1은 일반적인 빔 인덱스 음극선관의 구성도.
도 2는 종래 기술에 따른 광 검출기의 단면도.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 빔 인덱스형 음극선관의 구성도.
도 4는 도 3의 음극선관에 적용된 광 검출기를 제조하기 위한 제조 방법을 나타내는 공정도.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 빔 인덱스형 음극선관의 구성도.
도 6은 도 5의 음극선관에 적용된 광 검출기를 제조하기 위한 제조 방법을 나타내는 공정도.
도 7은 도 5의 실시예에 적용된 다이크로익 미러의 선택적 반사 현상을 나타내는 도면.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 빔 인덱스형 음극선관은, 스크린의 내면에 3색의 형광체가 스트라이프상으로 도포되어 전자빔에 의해 여기되어 발광하는 색 재현부와, 상기 색 재현부 표면에 제공된 알루미늄 막상에 도포된 인덱스 형광체와, 상기 인덱스 형광체로부터 반사되는 광 신호를 받아 전기적 신호로변환시켜 전자빔이 색 재현부에 정확히 랜딩되도록 하기 위한 인덱스 광 검출 수단을 포함하는 빔 인덱스형 음극선관으로서, 광 검출 수단은, 인덱스 형광체에서 발생된 광 신호를 소정 파장의 광 신호로 변환시키기 위한 형광 염료를 소정의 폴리머 매질에 혼합하여 사출 성형한 집광판과; 집광판의 광 입사면에 장치되어 특정 파장대의 빛은 반사하고 다른 빛은 투과시키는 다이크로익 미러와; 광 입사면에 수직한 일측 표면에 장치되어 광 신호를 전기적인 신호로 변환하는 광 센서;를 포함한다.
본 발명의 바람직한 특징에 의하면, 광 검출 수단은 광 입사면과 상기 광 센서가 부착되는 부착면을 제외한 집광판의 다른 표면에 제공되는 전반사 미러를 더 구비하며, 이 경우, 전반사 미러는 알루미늄 증착막, 또는 산화마그네슘 증착막으로 형성할 수 있다.
상기, 다이크로익 미러는 집광판의 광 입사면에 이산화지르코늄과 이산화규소를 소정 회수로 반복 증착하여 제조하거나, 또는 이산화지르코늄과 이산화규소를 소정의 굴절률을 갖는 글라스 기판의 표면에 소정 회수로 반복 증착하여 제조할 수 있으며, 글라스 기판을 이용하여 다이크로익 미러를 제조할 때에는 글라스 기판을 광 투과도가 90% 이상인 에폭시 수지 접착제에 의해 상기 집광판의 광 입사면에 부착한다.
그리고, 빔 인덱스형 음극선관에 적합한 광 검출기의 제조 방법은, 인덱스 형광체에서 발생된 광 신호를 소정 파장의 광 신호로 변환시키기 위한 형광 염료를 소정의 폴리머 매질에 혼합한 후, 이를 사출하여 집광판을 제조하는 단계와; 집광판의 광 입사면에 고굴절률 물질과 저굴절률 물질을 소정 회수로 반복 증착하여 다이크로익 미러를 제조하는 단계와; 집광판의 광 입사면에 수직한 일측 표면에 광 센서를 부착하는 단계;를 포함하거나, 또는 인덱스 형광체에서 발생된 광 신호를 소정 파장의 광 신호로 변환시키기 위한 형광 염료를 소정의 폴리머 매질에 혼합한 후, 이를 사출하여 집광판을 제조하는 단계와; 글라스 기판 위에 고굴절률 물질과 저굴절률 물질을 소정 회수로 반복 증착하여 다이크로익 미러를 제조하는 단계와; 상기 집광판의 광 입사면에 상기 다이크로익 미러를 부착하는 단계와; 상기 집광판의 광 입사면에 수직한 일측 표면에 광 센서를 부착하는 단계;를 포함한다.
본 발명의 바람직한 특징에 의하면, 상기 제조 방법은, 광 입사면과 집광판의 광 센서 부착면을 제외한 집광판의 다른 표면에 전반사 미러를 제공하는 단계를 상기 광 센서를 부착하는 단계 이전에 더 구비하며, 이 경우, 전반사 미러는 진공 전자빔 증발법 또는 RF 스퍼터링법에 의해 제조한다.
그리고, 다이크로익 미러를 형성하는 고굴절률 물질은 이산화지르코늄이고, 저굴절률 물질은 이산화규소이며, 이산화지르코늄과 이산화규소는 16회씩 반복적으로 증착되고, 이산화지르코늄과 이산화규소의 증착 방법으로는 진공 전자빔 증발법 또는 RF 스퍼터링법이 사용된다.
상기와 같은 특징을 갖는 본 발명에 의하면, 집광판의 광 입사면에는 선택적 반사 특성을 갖는 다이크로익 미러가 제공되고, 광 입사면과 감광 다이오드 부착면을 제외한 표면에는 전반사 미러가 제공되므로, 입사면 및 입사면과 평행한 면에서의 반사 효율이 상승되어 집광판의 수광 효율이 증가되며, 이로 인해 광 검출을 양호하게 수행할 수 있다.
따라서, 본 발명의 음극선관은 고효율의 색 재현을 실현할 수 있다.
이하, 첨부도면을 참조로 하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 빔 인덱스형 음극선관과 이 음극선관에 적합한 광 검출기의 제조 방법에 대해 상세히 설명한다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 빔 인덱스형 음극선관의 구성도를 도시한 것이고, 도 4는 도 3의 음극선관에 적용된 광 검출기를 제조하기 위한 제조 방법을 나타내는 공정도를 도시한 것이다.
도시한 바와 같이, 음극선관에는 내측 표면에 적색, 녹색 및 청색 형광 스트라이프(12)가 반복적으로 배열되는 스크린(14)이 제공되고, 인접하는 상기 형광 스트라이프(12) 사이의 공간에는 블랙 매트릭스(16)가 제공되며, 알루미늄 막(18)의 표면에는 인덱스 형광체(20)가 일정한 패턴으로 형성된다.
그리고, 음극선관의 넥크부에는 전자 빔(22)을 주사하는 전자총(24)이 장치되고, 콘부의 수광창(26) 외측에는 인덱스 형광체(20)에서 발생된 광 신호(28)를 검출하여 색 재현을 실현하기 위한 광 검출기(30)가 설치되며, 광 검출기(30)는 크게 집광판(30a)과 감광 다이오드(30b)로 구성된다.
집광판(30a)은 인덱스 형광체에서 발생된 대략 420㎚의 파장을 갖는 광 신호를 감광 다이오드의 반응 감도가 좋은 파장대(600∼900㎚)의 광 신호로 변환하기 위한 것으로, 굴절률이 높은 열가소성 플라스틱의 일종인 PMMA(Poly Methyl MethAcrylate)를 매질로 하고 Hostasol Yellow8G, Hostasol Yellow3G 등의 형광 염료를 혼합하여 사출한 사출물로 제조된다.
여기에서, 집광판의 매질을 굴절률이 높은 물질로 하는 것은 입사면을 통해 입사된 자외선 영역의 광이 입사면에 수직한 일측 출사면을 통해 출사되도록 하기 위한 것이다.
그리고, 집광판(30a)의 효율을 높이기 위해, 집광판(30a)의 광 입사면에는 다이크로익 미러(30c)가 제공되고, 광 입사면과 감광 다이오드 부착면을 제외한 집광판의 다른 표면에는 전반사 미러(30d)가 제공된다.
다이크로익 미러(30c)는 집광판(30a)의 광 입사면에 고굴절률 물질과 저굴절률 물질을 번갈아 얇은 막으로 증착하여 특정 파장대의 빛은 반사하고 다른 빛은 투과시키도록 하기 위한 것으로, 고굴절률 물질로는 이산화티타늄, 이산화지르코늄 등이 주로 사용되며, 저굴절률 물질로는 이산화규소, 삼산화알루미늄 등이 주로 사용된다.
그런데, 본 실시예에서는 고굴절률 물질과 저굴절률 물질로 증착이 용이하고 상대적으로 흡습성이 적은 이산화지르코늄과 이산화규소가 사용되며, 이들 물질들은 집광판의 광 입사면에 16회씩 반복적으로 번갈아 증착된다.
여기에서, 상기 물질들의 반복 증착 회수를 16회로 설정한 것은, 이산화지르코늄과 이산화규소의 반복 회수가 16회 이상이면 자외선의 투과율이 낮아지고 16회 이하이면 가시광선의 반사율이 낮아지기 때문이다.
한편, 다이크로익 미러(30c)의 입사면과 감광 다이오드 부착면을 제외한 집광판(30a)의 표면에 제공되는 전반사 미러(30d)는 알루미늄 또는 산화마그네슘 막으로 제조되며, 감광 다이오드 부착면에는 형광 염료가 발광됨으로 인해 발생되는 장파장의 광 신호를 전기적인 신호로 변환하는 감광 다이오드(30b)가 투과율 90% 이상의 에폭시 수지 접착제(30e)에 의해 부착된다.
이와 같이 구성된 음극선관은, 인덱스 형광체(20)에 전자 빔(22)이 주사되면, 형광체(20)에서는 대략 420㎚의 파장을 갖는 광 신호(28)가 발생되고, 이 신호는 튜브의 콘부에 구비된 수광창(26)을 통해 집광판(30a)에 도달된 후, 집광판(30a) 내부에 균일하게 분산된 형광 염료에 의해 장파장의 광으로 변환되며, 이 변환 광은 감광 다이오드(30b)에 입사되어 감광 다이오드(30b)에서는 변환 광에 따른 전기적인 신호가 출력된다.
이와 같이 감광 다이오드(30b)에서 출력된 전기 신호는 이후 컨트롤러(미도시)에 입력되고, 컨트롤러는 이 신호를 기초로 하여 스크린상의 해당 형광 스트라이프(12)에 전자빔을 주사하여 색 재현을 실시한다.
그런데, 본 실시예에 있어서는, 반사 효율을 증가시키기 위한 다이크로익 미러(30c)와 전반사 미러(30d)가 집광판(30a)에 제공되어 있으므로, 집광판(30a)에 입사된 광(28)이 집광판(30a) 내부에서 장파장의 광으로 변환 및 반사될 때 반사 효율이 증가된다.
이하, 상기와 같이 구성된 음극선관에 적합한 광 검출기의 제조 방법에 대해 설명한다.
먼저, 폴리머(예를 들어 PMMA) 매질에 Hostasol Yellow8G, Hostasol Yellow3G 등의 형광 염료를 혼합한 후 이를 사출하여 집광판(30a)을 제조한다.
다음으로, 집광판(30a)의 광 입사면에 고굴절률 물질인 이산화지르코늄과 저굴절률 물질인 이산화규소를 16회씩 반복 증착하므로써 다이크로익 미러(30c)를 제조한다.
여기에서, 이산화지르코늄과 이산화규소를 증착할 때에는 소스(source) 물질에 고에너지의 전자 빔을 조사하여 증발시킴으로써 박막을 증착하는 진공 전자빔 증발법이나, 또는 소스(source) 물질의 주위에 RF 고주파에 의한 플라즈마를 형성시켜 이온들에 의해 박막이 증착되도록 한 RF 스퍼터링법을 사용한다.
이후, 집광판(30a)의 광 입사면과 감광 다이오드 부착면을 제외한 다른 표면에 상기 진공 전자빔 증발법 또는 RF 스퍼터링법에 의해 알루미늄 막 또는 산화마그네슘 막을 증착하여 전반사 미러(30d)를 구성하고, 마지막으로, 투과율 90% 이상의 에폭시 수지 접착제(30e)를 이용하여 상기 부착면에 감광 다이오드(30b)를 부착하면 광 검출기(30)의 제조가 완료된다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 빔 인덱스형 음극선관과 이 음극선관에 적합한 광 검출기의 제조 방법을 도시한 것으로, 다이크로익 미러를 집광판에 직접 증착하지 않고 글라스 기판에 증착한 후, 이를 집광판에 부착하므로써 도 3 및 도 4의 실시예에 비해 신뢰성을 향상시킨 것이며, 다른 구성은 도 3 및 도 4의 실시예와 동일하다.
즉, 본 실시예의 음극선관에 적용된 광 검출기(30')는 인덱스 형광체에서 발생된 광 신호(28)를 감광 다이오드의 반응 감도가 좋은 파장대(600∼900㎚)의 광 신호로 변환하기 위한 집광판(30a')과, 장파장(600∼900㎚)의 광 신호를 전기적인신호로 변환하는 감광 다이오드(30b')와, 특정 파장대의 빛은 반사하고 다른 빛은 투과시키도록 집광판(30a')의 광 입사면에 제공되는 다이크로익 미러(30c')와, 광 입사면과 감광 다이오드 부착면을 제외한 집광판(30a')의 표면에 제공되는 전반사 미러(30d')로 구성된다.
상기 집광판(30a')은 도 3 및 도 4의 실시예에서와 마찬가지로 굴절률이 높은 열가소성 플라스틱의 일종인 PMMA(Poly Methyl MethAcrylate)를 매질로 하고 Hostasol Yellow8G, Hostasol Yellow3G 등의 형광 염료를 혼합하여 사출한 사출물로 제조된다.
본 실시예에 있어서, 다이크로익 미러(30c')는 구입이 용이한 1.5의 굴절률을 갖는 글라스 기판(32)에 이산화지르코늄과 이산화규소를 16회씩 반복 증착하는 것에 의해 형성되며, 글라스 기판(32)은 입사면에 대해 수직한 면으로의 광 손실을 줄이기 위해 1mm 내외의 두께를 갖는다.
이와 같이 제조된 다이크로익 미러(30c')는 90% 이상의 투과율을 갖는 에폭시 수지 접착제(30e')에 의해 집광판(30a')의 광 입사면에 부착된다.
그리고, 다이크로익 미러(30c')의 입사면과 감광 다이오드 부착면을 제외한 집광판(30a')의 표면에 제공되는 전반사 미러(30d')는 알루미늄 또는 산화마그네슘 막으로 제조되며, 감광 다이오드 부착면에는 감광 다이오드(30b')가 투과율 90% 이상의 에폭시 수지 접착제(30e')에 의해 부착된다.
이와 같이 구성된 음극선관은, 인덱스 형광체(20)에 전자 빔(22)이 주사되면, 형광체(20)에서는 대략 420㎚의 파장을 갖는 광 신호(28)가 발생되고, 이 신호는 튜브의 콘부에 구비된 수광창(26)을 통해 집광판(30a')에 도달된 후, 집광판(30a') 내부에 균일하게 분산된 형광 염료에 의해 장파장의 광으로 변환되며, 이 변환 광은 감광 다이오드(30b')에 입사되어 감광 다이오드(30b')에서는 변환 광에 따른 전기적인 신호가 출력된다.
이와 같이 감광 다이오드(30b')에서 출력된 전기 신호는 이후 컨트롤러(미도시)에 입력되고, 컨트롤러는 이 신호를 기초로 하여 스크린상의 해당 형광 스트라이프(12)에 전자빔을 주사하여 색 재현을 실시한다.
그런데, 본 실시예에 있어서는, 다이크로익 미러(30c')가 글라스 기판(32)에 형성되고, 이 글라스 기판(32)이 집광판(30a')의 광 입사면에 부착되므로, 도 3 및 도 4의 실시예에 비해 다이크로익 미러의 신뢰성이 향상된다.
이하, 상기와 같이 구성된 음극선관에 적합한 광 검출기의 제조 방법에 대해 설명한다.
먼저, 폴리머(예를 들어 PMMA) 매질에 Hostasol Yellow8G, Hostasol Yellow3G 등의 형광 염료를 혼합한 후 이를 사출하여 집광판(30a')을 제조한다.
다음으로, 굴절률 1.5, 두께 1mm 내외의 글라스 기판(32)에 고굴절률 물질인 이산화지르코늄과 저굴절률 물질인 이산화규소를 진공 전자빔 증발법이나 RF 스퍼터링법을 사용하여 16회씩 반복 증착하므로써 다이크로익 미러(30c')를 제조한다.
이와 같이 제조된 다이크로익 미러(30c')는 도 7에 도시한 바와 같이, 대략 420㎚의 파장은 98% 이상을 투과시키는 한편, 600㎚ 영역 이상의 파장은 97% 이상 반사하는 특성을 갖는다.
이후, 다이크로익 미러(30c')가 제공된 글라스 기판(32)과 집광판(30a')을 투과율 90% 이상의 에폭시 수지 접착제(30e')로 부착하고, 광 입사면과 집광판(30a')의 감광 다이오드 부착면을 제외한 다른 표면에 상기 진공 전자빔 증발법 또는 RF 스퍼터링법에 의해 알루미늄 막 또는 산화마그네슘 막을 증착하여 전반사 미러(30d')를 제공하며, 마지막으로, 투과율 90% 이상의 에폭시 수지 접착제(30e')를 이용하여 상기 부착면에 감광 다이오드(30b')를 부착하여 광 검출기(30)를 제조한다.
이와 같이 제조된 광 검출기는 이후 음극선관의 콘부에 제공된 수광창의 외측에 투과율 90% 이상의 에폭시 수지 접착제에 의해 부착된 상태에서 인덱스 형광체에서 발생된 광 신호를 검출하게 된다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.
이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명에 따른 빔 인덱스형 음극선관에 의하면, 집광판의 광 입사면에는 선택적 반사 특성을 갖는 다이크로익 미러가 제공되고, 광 입사면과 감광 다이오드 부착면을 제외한 표면에는 전반사 미러가 제공되므로, 입사면 및 입사면과 평행한 면에서의 반사 효율이 상승되어 집광판의 수광 효율이 증가되며, 이로 인해 광 검출을 양호하게 수행할 수 있다.
따라서, 본 발명의 빔 인덱스형 음극선관은 고효율로 색 재현을 실시할 수 있다.
그리고, 상기 방법에 의하면 수광 효율이 극대화되어 상기 음극선관에 적합한 광 검출기를 효율적으로 제조할 수 있다.

Claims (18)

  1. 스크린의 내면에 3색의 형광체가 스트라이프상으로 도포되어 전자빔에 의해 여기되어 발광하는 색 재현부와, 상기 색 재현부 표면에 제공된 알루미늄 막상에 도포된 인덱스 형광체와, 상기 인덱스 형광체로부터 반사되는 광 신호를 받아 전기적 신호로 변환시켜 전자빔이 색 재현부에 정확히 랜딩되도록 하기 위한 인덱스 광 검출 수단을 포함하는 빔 인덱스형 음극선관으로서,
    상기 광 검출 수단은,
    상기 인덱스 형광체에서 발생된 광 신호를 소정 파장의 광 신호로 변환시키기 위한 형광 염료를 소정의 폴리머 매질에 혼합하여 사출 성형한 집광판과;
    상기 집광판의 광 입사면에 장치되어 특정 파장대의 빛은 반사하고 다른 빛은 투과시키는 다이크로익 미러와;
    상기 광 입사면에 수직한 일측 표면에 장치되어 광 신호를 전기적인 신호로 변환하는 광 센서;
    를 포함하는 빔 인덱스형 음극선관.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 광 검출 수단은 상기 다이크로익 미러의 광 입사면과 상기 광 센서가 부착되는 부착면을 제외한 상기 집광판의 표면에 제공되는 전반사 미러를 더 구비하는 빔 인덱스형 음극선관.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 전반사 미러는 상기 집광판에 증착된 알루미늄 막으로 이루어지는 빔 인덱스형 음극선관.
  4. 제 2항에 있어서, 상기 전반사 미러는 상기 집광판에 증착된 산화마그네슘 막으로 이루어지는 빔 인덱스형 음극선관.
  5. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 다이크로익 미러는 상기 집광판의 광 입사면에 소정 회수로 반복 증착된 이산화지르코늄과 이산화규소로 이루어지는 빔 인덱스형 음극선관.
  6. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 다이크로익 미러는 소정의 굴절률을 갖는 글라스 기판의 표면에 소정 회수로 반복 증착된 이산화지르코늄과 이산화규소로 이루어지는 빔 인덱스형 음극선관.
  7. 제 6항에 있어서, 상기 글라스 기판의 굴절률이 1.5인 빔 인덱스형 음극선관.
  8. 제 6항에 있어서, 상기 다이크로익 미러는 광 투과도가 90% 이상인 에폭시 수지 접착제에 의해 상기 집광판의 광 입사면에 부착되는 빔 인덱스형 음극선관.
  9. 제 1항에 있어서, 상기 광 센서는 광 투과도가 90% 이상인 에폭시 수지 접착제에 의해 부착되는 빔 인덱스형 음극선관.
  10. 인덱스 형광체에서 발생된 광 신호를 소정 파장의 광 신호로 변환시키기 위한 형광 염료를 소정의 폴리머 매질에 혼합한 후, 이를 사출하여 집광판을 제조하는 단계와;
    상기 집광판의 광 입사면에 고굴절률 물질과 저굴절률 물질을 소정 회수로 반복 증착하여 다이크로익 미러를 제조하는 단계와;
    상기 집광판의 광 입사면에 수직한 일측 표면에 광 센서를 부착하는 단계;
    를 포함하는 빔 인덱스형 음극선관에 적합한 광 검출기의 제조 방법.
  11. 인덱스 형광체에서 발생된 광 신호를 소정 파장의 광 신호로 변환시키기 위한 형광 염료를 소정의 폴리머 매질에 혼합한 후, 이를 사출하여 집광판을 제조하는 단계와;
    글라스 기판 위에 고굴절률 물질과 저굴절률 물질을 소정 회수로 반복 증착하여 다이크로익 미러를 제조하는 단계와;
    상기 집광판의 광 입사면에 상기 다이크로익 미러를 부착하는 단계와;
    상기 집광판의 광 입사면에 수직한 일측 표면에 광 센서를 부착하는 단계;
    를 포함하는 빔 인덱스형 음극선관에 적합한 광 검출기의 제조 방법.
  12. 제 10항 또는 제 11항에 있어서, 상기 광 입사면과 집광판의 광 센서 부착면을 제외한 상기 집광판의 다른 표면에 전반사 미러를 제공하는 단계를 상기 광 센서를 부착하는 단계 이전에 더 구비하는 빔 인덱스형 음극선관에 적합한 광 검출기의 제조 방법.
  13. 제 12항에 있어서, 상기 전반사 미러는 진공 전자빔 증발법에 의해 제공되는 빔 인덱스형 음극선관에 적합한 광 검출기의 제조 방법.
  14. 제 12항에 있어서, 상기 전반사 미러는 RF 스퍼터링법에 의해 제공되는 빔 인덱스형 음극선관에 적합한 광 검출기의 제조 방법.
  15. 제 10항 또는 제 11항에 있어서, 상기 고굴절률 물질은 이산화지르코늄이고, 상기 저굴절률 물질은 이산화규소인 빔 인덱스형 음극선관에 적합한 광 검출기의 제조 방법.
  16. 제 15항에 있어서, 상기 이산화지르코늄과 이산화규소는 16회씩 반복적으로 증착되는 빔 인덱스형 음극선관에 적합한 광 검출기의 제조 방법.
  17. 제 15항에 있어서, 상기 이산화지르코늄과 이산화규소는 진공 전자빔 증발법에 의해 증착되는 빔 인덱스형 음극선관에 적합한 광 검출기의 제조 방법.
  18. 제 15항에 있어서, 상기 이산화지르코늄과 이산화규소는 RF 스퍼터링법에 의해 증착되는 빔 인덱스형 음극선관에 적합한 광 검출기의 제조 방법.
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AU2003202799A1 (en) * 2002-03-25 2003-10-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Getter device and cathode ray tube

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR830004008A (ko) * 1980-06-05 1983-06-30 이와마 가즈오 빔인덱스형 칼라텔레비죤수상기
JPH05153605A (ja) * 1991-11-30 1993-06-18 Sony Corp ビームインデツクス形カラーテレビジヨン受像機におけるインデツクス光集光装置及び集光板収納装置
JPH07240164A (ja) * 1994-02-28 1995-09-12 Sony Corp インデックス集光板および当該集光板を用いたビームインデックス形カラー陰極線管装置
JPH0831343A (ja) * 1994-07-11 1996-02-02 Nippon Electric Glass Co Ltd ビームインデックス型陰極線管用ファンネル

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR830004008A (ko) * 1980-06-05 1983-06-30 이와마 가즈오 빔인덱스형 칼라텔레비죤수상기
JPH05153605A (ja) * 1991-11-30 1993-06-18 Sony Corp ビームインデツクス形カラーテレビジヨン受像機におけるインデツクス光集光装置及び集光板収納装置
JPH07240164A (ja) * 1994-02-28 1995-09-12 Sony Corp インデックス集光板および当該集光板を用いたビームインデックス形カラー陰極線管装置
JPH0831343A (ja) * 1994-07-11 1996-02-02 Nippon Electric Glass Co Ltd ビームインデックス型陰極線管用ファンネル

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