KR100312613B1 - 평판 네온사인장치 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 평판 네온사인장치에 관한 것이다. 본 발명에 의한 평판네온사인장치는, 하면에 설치되는 방전전극을 구비하는 상판그래스와; 표시하고자 하는 광고패턴이 캐비티로 성형되어 방전공간을 구비하고, 상기 상판그래스의 하면에 밀착되는 하판그래스를 포함한다. 이러한 상판그래스와 하판그래스는 각각 방전전극과 캐비티가 성형된 다음 서로 합착하는 것에 의하여 전체적인 평판네온사인장치가 만들어진다. 그리고 캐비티의 내부에는 형광층이 성형되어 있으며, 캐비티의 내부에 주입되는 불활성 방전가스가 포함되어 있다. 그리고 상기 캐비티는 예를 들면 하판그래스의 상면의 일부분을 음각으로 성형하는 것에 의하여 만들어진다.

Description

평판 네온사인장치 및 그 제조방법{Neon sign device having plain shape and method for manufacturing the same}

본 발명은 네온사인장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 보다 박형의 평면상태를 가질 수 있으며, 보다 정교한 표시가 가능하게 구성되는 네온사인장치에 관한 것이다.

일반적으로 광고 목적을 가지고 사용되는 문자 또는 그림(이하에서는 광고를 위한 문자 또는 로고 등과 같은 디자인을 모두 포함하는 의미로 광고패턴이라는 용어를 사용하기로 한다)을 표시하기 위한 발광장치로써 네온사인을 들 수 있다. 일반적으로 사용되고 있는 네온사인은, 원하는 형태로 유기관을 가열하여 변형한 후, 유리관 내부에 네온 등의 방전가스를 주입하여, 광고하고자 하는 광고패턴의 형상을 완성하게 된다.

즉, 광고하고자 하는 문자 또는 표식등의 광고패턴을 유리관을 이용하여 만들고 있으며, 이러한 유리관이 기본적인 프레임에 의하여 지지되고 있다. 따라서 전체적으로 광고를 위한 구조물의 부피가 크게되는 단점이 지적된다.

그리고 이와 같은 종래의 네온사인은, 상술한 바와 같은 부피가 크다는 단점 이외에도, 유리관 자체의 구조적 취약성에 기인하여 외력에 의하여 파손의 우려가 높다는 단점도 제기되고 있다. 또한 1KV 이상의 고압을 주전원으로 사용하고 있기 때문에, 감전의 위험이 항상 뒤따르고 있는 실정이다.

또한 일정한 직경을 가지는 유리관을 변형시키기 위해서는, 유리관의 일부분을 가열하여 부분적으로 용융상태로 한 다음, 유리관을 벤딩시키는 것에 의하여 소정의 광고패턴 형상을 만들게 된다. 따라서 기존의 네온사인에 의하여 제공될 수 있는 광고패턴은, 상기 유리관의 직경에 의하여 제한될 수 밖에 없다. 즉, 일정한 직경을 가지는 유리관에 의해서는 유리관의 직경보다 세밀한 문자 또는 도형을 만들 수 없음은 물론이다. 또한 벤딩되는 유리관에 의하여 표현할 수 있는 문자 및 도형의 크기도 제한되는 것은 당연한 것이다.

그리고 상술한 바와 같은 일반적인 유리관을 이용하는 네온사인의 단점을 개량한 것으로, 미합중국 특허 제4,703,574호를 들 수 있다. 이러한 미합중국 특허는, 평판상의 발광사인보드를 제공하고 있기는 하나, 구성에 있어서 다소 복잡한 단점이 지적된다.

즉, 발광사인보드를 제공하기 위하여, 상기 미합중국 특허는 상판(front transparent legend plate)과 중간판(center feedthrough plate), 그리고 하판(back crossover cavity plate)의 3매의 판상의 재료를 사용하고 있다. 이러한 3개의 플레이트는, 서로 결합하면서 표현하고자 하는 문자 또는 도형을 표시하는 캐비티를 선택적으로 성형하고 있다. 그리고 이러한 캐비티 내부에서 방전이 이루어지도록 하는 것에 의하여 발광사인보드를 제공하고 있다.

그러나 이러한 미합중국의 특허에 의한 기술도, 전체적인 구성이 복잡하고, 네온사인을 간접 조명인 배면 광원으로 사용하고 있으므로, 네온형광색의 효과가 떨어지게 되는 단점이 있다.

본 발명은 상술한 바와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 보다 박형이고 간단한 구성을 가지는 평판 네온사인장치 및 그 제조방법을 제공하는 것을 제1목적으로 하고 있다.

본 발명의 제2목적은, 소형으로 구현할 수 있음과 동시에, 보다 세밀한 문자또는 기호를 구현할 수 있는 네온사인장치 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 제3목적은, 외력에 대하여 보다 안정적이고 감전의 우려를 해소할 수 있는 네온사인장치 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.

도 1a는 본 발명에 의한 상판그래스의 사시도.

도 1b는 본 발명에 의한 상판그래스의 측면도.

도 2a는 본 발명에 의한 하판그래스의 사시도.

도 2b는 본 발명에 의한 하판그래스의 측면도.

도 3은 본 발명에 의한 평판 네온사인장치의 사시도.

도 4는 본 발명에 의한 평판 네온사인장치의 제조공정을 보인 공정설명도.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *

10 ..... 상판그래스 12 ..... 방전전극

12a ..... 고전도성 전극 12b ..... 투명전극

20 ..... 하판그래스 24 ..... 캐비티

26 ..... 형광층

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 평판 네온사인장치는, 하면에 설치되는 방전전극을 구비하는 상판그래스와; 표시하고자 하는 광고패턴이 캐비티로 성형되어 방전공간을 구비하고, 상기 상판그래스의 하면에 밀착되는 하판그래스를 포함하여 구성된다.

이렇게 두장의 그래스 사이에 방전공간이 캐비티를 형성하고, 이러한 캐비티 내부에서 방전이 이루어질 수 있도록 방전전극을 설치하는 것에 의하여, 아주 간단하면서도, 효율적인 광고패턴의 발광이 가능한 평판 네온사인장치를 제공할 수 있게 되는 장점이 있다.

그리고 상기 캐비티의 내부에는 형광층이 성형되어 있고, 캐비티의 내부에 주입되는 불활성 방전가스가 충진되어 있다.

그리고 상기 캐비티는, 하판그래스의 상면의 일부분을 음각으로 성형하는 것, 예를 들면 에칭 등의 방법에 의하여 만들어질 수 있다.

그리고 상기 방전전극은, 투명전극과, 상기 투명전극에 전류를 인가하기 위한 버스전극으로 구성되는 실시예를 보이고 있다.

본 발명에 의한 평판 네온사인장치의 제조방법은, 상판그래스에 방전전극을 형성하는 과정과; 하판그래스에 방전공간으로 작용하고, 광고패턴에 상응하는 캐비티를 성형하는 과정; 그리고 상기 상판그래스와 하판그래스를 밀착시키는 과정을 포함하는 것을 특징으로 한다.

그리고 상기 방전전극을 형성하는 과정에 대한 실시예에 의하면, ITO로 투명전극을 패터닝하는 과정과, 상기 투명전극과 전기적으로 연결되는 버스전극을 인쇄하는 과정으로 구성된다.

상기 방전전극 상면에 유전체를 인쇄하고 소성하는 과정을 더 포함하여 구성되고, 상기 하판유리의 캐비티 내측에 형광체를 도포하여 소성하는 공정을 더 포함하여 구성된다.

일실시예에 의하면, 상기 상판그래스와 하판그래스를 밀착시키는 과정은, 일측에 그래스페이스트를 인쇄하여 가소성을 수행한 후, 양자를 합착소성하는 것에 의하여 이루어진다.

또한 상판그래스와 하판그래스를 밀착시킨 후, 캐비티의 공기를 배기시키고, 방전가스를 주입하는 과정과, 상기 방전가스의 주입 전후에, 게터물질을 충진하는 것을 더 포함하여 구성된다.

그리고 상판그래스와 하판그래스를 밀착시킨 후, 캐비티에 의하여 형성되는 방전공간에 포함된 이물질을 제거하는 과정을 더 포함하여 구성되고, 이러한 이물질을 제거하는 공정은, 캐비티 내부에 게터물질을 주입한 후, 온도를 상기 게터물질의 활성화온도로 상승시키는 것에 의하여 진행될 수 있다.

그리고 방전전극이 성형된 상판그래스에, 산화마그네슘을 증착하는 과정을 더 포함하여 구성된다.

다음에는 도면에 도시한 실시예에 기초하면서 본 발명에 대하여 더욱 상세하게 설명하기로 한다. 먼저 도 1 및 도 2에 기초하면서 본 발명에 의한 평판 네온사인장치의 구조에 대하여 살펴보기로 한다.

도 1에는 본 발명에 의한 평판 네온사인장치를 구성하는 상판그래스(10)를, 그리고 도 2에는 하판그래스(20)를 도시하고 있다. 이와 같은 상판그래스(10)와 하판그래스(20)가 서로 접착되어, 도 3에 도시한 바와 같은 본 발명에 의한 평판 네온사인을 제공할 수 있게 되는 것이다.

먼저 도 1a 및 도 1b에 도시되어 있는 바와 같이, 본 발명의 상판그래스(10)는 투명한 유리재질을 사용하여 만들어지는 것이고, 그 저면에는 방전전극(12)이 부착되어 있다. 상기 방전전극(12)은, 본 발명에 의한 네온사인장치에 소정 전압의 전류를 인가하는 것에 의하여, 그 사이에서 방전이 일어날 수 있도록 하기 위한 것이다. 그리고 도시한 실시예에 있어서, 상기 방전전극(12)은, 복수개 설치되어 있으며, 이러한 방전전극은 실질적으로 상판그래스(10) 및 그와 밀착되어 고정되는 하판그래스의 외부에서 전기적으로 연결될 수 있다. 이와 같이 상기 방전전극(12)을 복수개 설치하는 것은, 후술하는 바와 같이, 표현하고자 하는 문자 또는 도형을 구성하는 캐비티의 범위가 넓은 경우, 충분한 방전을 일으키기 위한 예시적인 것이다.

그리고 본 발명에 의하면 상기 방전전극(12)은, 투명전극(12b)과, 상기 투명전극(12b)에 전류의 흐름을 원활하게 하기 위한 고전도성 전극(12a)으로 구성되고 있다. 투명전극(12b)는 광학적으로 투명한 도체이나, 전기적으로 전도성이 있는전극을 의미한다. 일반적으로 ITO(Indium Tin Oxide)를 이용할 수 있을 것이다. 그리고 이러한 투명전극(12b)는 일반적으로 저항이 높은 경우가 많기 때문에, 이러한 점을 고려하여 상기 투명전극(12b)에 상기 고전도성 전극(12a)을 설치하고 있다. 이러한 고전도성 전극(12a)은, 방전전력을 투명 전극에 고르게 분배하는 역활을 수행하게 되며, 상기 투명전극(12b)의 저항을 고려하면, 버스(BUS)전극으로 작용하게 되는 것임을 알 수 있다.

그리고 상기 방전전극(12)은, 도시하지는 않았지만 별도의 컨넥터 등을 통하여 전원에 연결되어, 일정한 전압을 가지는 전류를 인가하였을 경우 방전을 일으킬 수 있는 것이어야 하고, 이러한 전기적 연결은 상판그래스(10)와 하판그래스(20)의 외부에서 이루어지도록 하는 것이 가능하다.

다음에는 도 2에 도시되어 있는 본 발명의 하판그래스(20)에 대하여 설명하기로 한다. 상기 하판그래스(20)는, 상술한 상판그래스(10)와 결합하는 것에 의하여 완성된 하나의 네온사인장치를 구현하는 것으로 상판그래스(10)와 동일하게 투명한 유리재질로 성형하는 것이 바람직하다.

도 2a 및 도 2b에 도시한 바와 같이, 하판그래스(20)는 평면을 형성하는 상면(22) 상에 방전 공간을 형성하기 위한 캐비티(24)가 형성된다. 방전을 위한 캐비티(24)는, 실질적으로 상술한 상판그래스(10)와 하판그래스(20)가 밀착되었을 경우, 그 사이에서 일정한 방전 공간을 형성할 수 있도록 구성되는 부분이다. 따라서 방전용 캐비티(24)는, 실질적으로 네온사인에 의하여 광고하고자 하는 문자 또는 디자인 등과 같은 광고패턴을 이루도록 구성된다. 예를 들면 상기 캐비티(24)는, 광고를 수행하고자 하는 회사의 이름을 문자로 성형하거나, 특정 회사의 로고를 형성하도록 하는 것이 가능함을 의미한다.

그리고 이러한 방전용 캐비티(24)는, 도시한 실시예에 있어서는, 하판그래스(20)의 평평한 상면(22)의 일부를 음각으로 성형하는 것에 의하여 만들어지고 있다.

예를 들면 일정한 광고패턴을, 이미 공지된 에칭방법으로 식각하는 것에 의하여, 상기 캐비티(24)를 음각으로 성형하는 것이 가능함은 물론이다. 그리고 에칭 이외의 방법에 있어서도, 샌드 블라스팅(sand blasting), 그라인딩(grinding), 또는 레이저빔에 의한 식각의 방법으로 상기 캐비티(24)를 형성하는 것이 가능함은 물론이다.

그러나 본 발명은, 상기 캐비티(24)의 성형에 있어서 이와 같이 음각에 의하여 성형되는 것에 의하여 제한될 수는 없는 것은 자명하다. 즉, 상판그래스(10)와 하판그래스(20)가 서로 밀착된 상태에서 일정한 방전용 공간을 형성할 수 있는 범위내에서는 어떠한 방법 및 구성으로 캐비티(24)를 형성하는 것이 가능한 것이다. 예를 들면, 상술한 음각에 의한 방법에서는 캐비티(24)에 해당하는 부분을 제거하는 것에 의하여 캐비티를 형성하고 있으나, 상기 캐비티(24) 이외의 상면(22)을 더욱 높이는 양각의 방법으로 캐비티(24)를 성형하는 것도 가능함은 물론이다.

즉, 본 발명에서 방전이 일어나는 공간인 캐비티(24)는, 상술한 방전전극(12)에 의하여 방전이 일어날 수 있는 공간이, 상판그래스(10)와 하판그래스(20)가 서로 밀착된 상태에서 형성되는 것으로 충분한 것이다.

상술한 과정에 의하여 완성된 상기 캐비티(24)의 내측면에는 형광체가 도포된 다음 건조된다. 따라서 형광층(26)이 상기 캐비티(24)의 내측면에 형성되고, 이러한 형광층(26)의 형성에 의하여, 광산란 효과가 방전에 의한 발광에 더해져서 매우 선명하면서도, 색대비가 높은 그림 또는 문자와 같은 광고패턴이 표현될 수 있게 될 것이다.

그리고 상기 상판그래스(10)와 하판그래스(20)가 밀착된 상태에서, 상기 캐비티(24)에 의하여 형성되는 공간에는 소정의 가스가 주입되는데, 이러한 가스는 네온가스, 제온가스, 그리고 헬륨가스 등의 혼합가스가 주입된다. 즉, 상기 방전용 캐비티(24)와 내부에 주입되는 가스는, 주로 불활성 방전가스이고, 가스의 종류에 대해서는 제한될 수 없다.

다음에는 도 4에 도시한 본 발명의 공정도에 기초하면서, 본 발명에 의한 네온사인장치의 제조공정에 대하여 살펴보기로 한다.

먼저 도 4에서, 도면부호 100으로 도시한 블럭은 상판그래스(10)의 제조공정에 해당하는 것이고, 도면부호 200으로 도시한 블럭은 하판그래스(20)의 제조공정을, 그리고 도면부호 300으로 도시한 공정은 상판그래스(10) 및 하판그래스(20)를 서로 밀착시켜 조립하는 공정을 의미한다.

먼저 상판그래스(10)의 제조공정에 대하여 살펴보기로 한다. 제102단계에서, ITO와 같은 투명전극이 부착되어야 하는 상판그래스를 원하는 크기로 가공한 다음 세정하게 된다. 그리고 제104단계에서는, 이와 같이 하여 세정된 상판그래스(104)에 투명전극(12b)을 패터닝하게 된다. 실질적으로 투명전극을 패터닝하는것에 의하여, 도 1에 도시한 투명전극(12b)이 적절한 배열을 가지고 상판그래스(10)의 하면에 실장되는 결과로 될 것이다.

그리고 제106단계에서는, 상기와 같은 투명전극(12b)의 일측면을 따라 고전도성 전극(12a)으로 동작하는 버스전극을 인쇄하고, 건조하는 과정이 진행된다. 그리고 제108단계에서는 상기 버스전극을 소성하는 것에 의하여, 고전도성 전극이 완전하게 상판그래스(10)에 형성될 수 있게 된다. 상술한 과정에 의하여 투명전극(12b)과 고전도성전극(12a)의 형성이 완료되면, 실질적으로 방전전극의 형성이 완료된 것이라고 볼 수 있다.

다음에는 제110단계에서는, 상술한 과정에 의하여 상판그래스(10)의 하면에 형성된 방전전극(12)의 상면에는, 상기 방전전극 사이의 절연을 위한 유전체를 인쇄한 다음 건조하고, 이러한 유전체층을 소성하는 과정이 진행된다(제112단계). 이와 같은 유전체가 도포되어 유전체층이 형성되어 있더라도, 상술한 방전전극에 펄스 또는 사인파 등의 교류전압을 인가하는 것에 의하여, 실질적으로 상술한 방전전극 사이에서 방전이 발생하는 것이 가능하게 된다.

다음에는 제114단계로 진행하여 상기 상판그래스(10)의 주변표면에 저융점 그래스페이스트와 같은 실링재를 인쇄하여 건조시키게 된다. 그리고 제116단계에서는 상기 실링재를 가소성한다. 그래스페이스트와 같은 실링재를 인쇄한 다음 가소성하는 것은, 후술하는 바와 같이 하판그래스(20)와 접착시 서로의 접착면을 충분하면서도 완전하게 접착시키기 위한 것이다.

이와 같이 하여 제116단계를 통하여 실링재의 가소성이 완료된 다음에는제118단계에서 산화마그네슘(MgO)을 표면에 증착하는 공정이 수행된다. 전자방출물질인 산화마그네슘을 증착하는 것에 의하여, 방전전극을 보호함은 물론이고, 방전이 용이하게 일어날 수 있도록 하기 위한 것이다.

이상과 같은 과정을 거쳐서, 상판그래스(10)의 제조공정이 완료된다. 다음에는 하판그래스(20)의 제조공정에 대하여 살펴보기로 한다.

먼저 제202에서 하판그래스를 가공하고 세정하는 과정이 수행된다. 그리고 하판그래스(20)의 상면에, 광고를 원하는 소정의 문구 또는 로고에 대한 패턴을 디자인한 후 패턴을 형성하는 과정이 수행된다(제204단계 및 제206단계). 여기서 패턴은, 도 1에서 광고문안을 알리기 위한 캐비티(24)를 의미한다.

그리고 이러한 캐비티(24)의 내측면에 형광체를 도포하고, 이를 건조시키는 과정이 수행된다(제208단계). 그리고 제210단계에서는 형광체를 소성하는 것에 의하여 형광체가 하판그래스에 완전하게 밀착될 수 있도록 한다.

이상의 과정에 의하여, 하판그래스의 성형과정이 완료된다. 다음에는 이상과 같은 과정을 거쳐서 완성된 상판그래스(10)와 하판그래스(20)를 서로 접착하여 고정하는 것에 의하여 본 발명에 의한 평판 네온사인장치가 완료된다.

즉, 제302단계에서는 상기 상판그래스(10)와 하판그래스(20)를 서로 합성 소성하는 것에 의하여, 도 3에 도시한 네온사인장치가 완성된다. 이렇게 하여 완성된 네온사인장치의 내부에는, 상술한 바와 같은 방전전극(12)이 내장되어 있으며, 또한 소정의 광고문안으로 표현되는 캐비티(24)가 양자의 밀착부분에서 일정한 공간을 가지는 것에 의하여 소정의 방전공간이 형성되어 있는 것이다.

그리고 제302단계에서 합착 소성에 의하여 서로 밀착된 상판그래스(10)와 하판그래스(20) 사이의 캐비티(24)와 연통하는 유리관으로 만들어지는 팁(Tip)(도시 생략)이 양자의 어느 일측에 설치되어 있다. 실질적으로 이러한 팁은 상판그래스(10) 또는 하판그래스(20)를 합착할 때, 같이 일체로 만들어지는 것이다.

그리고 제304과정에서 상기 캐비티(24)와 연통하는 팁을 통하여 방전을 일으키기 위한 가스를 주입하게 되고, 후술하는 바와 같이 산화성이 아주 높은 물질인 게터(getter)를 주입하게 된다.

상기 캐비티(24)의 내부에 주입되는 가스의 예를 들면, 네온, 제온, 헬륨가스가 서로 혼합된 혼합가스를 사용할 수 있다. 실질적으로 이러한 혼합가스는 방전에 의하여 특정한 색깔을 가지지 않는 것이고, 단순히 방전에 의하여 자외선이 방출되면 이러한 자외선이, 캐비티에 도포되어 소성된 형광체를 발광시키게 될 것이다.

그러나 본 발명에 있어서, 상술한 캐비티(24) 내부에 주입되는 가스는, 상기와 같은 혼합가스에 한정될 수는 없는 것이다. 예를 들어, 방전시 특정파장의 빛을 발하는 네온가스를 주입하는 것도 가능하다. 이러한 특정성분의 빛을 발하는 네온가스를 주입하는 경우에도, 캐비티(24)의 내부에 도포된 형광체에 의하여 발하는 빛도 가시적으로 시인할 수 있기 때문에 네온가스에 의한 빛과 형광체의 발광에 의한 빛을 모두 광고 매체로서 이용할 수 있게 되는 것이다.

그리고 제304단계에서 특정한 가스를 상기 캐비티(24) 내부에 주입한 다음에는, 가스 주입을 위한 팁을 자르고(tip off), 연통하는 부분을 막게 된다. 이러한 과정은, 실질적으로 유리관 팁을 녹여서 막는 것에 의하여 진행될 것이다.

그리고 이렇게 하여 상기 캐비티(24) 내부에 특정한 가스의 주입과, 게터의 주입이 완료되어 팁이 봉해지는 것에 의하여 내부가 완전히 구분된 방전공간이 형성된 후에는, 제306단계에서 게터를 활성화하는 과정이 진행된다. 실제로 캐비티로 형성되는 방전공간의 내부에는 산소, 질소 등의 잔류가스와 물이 남아 있는 상태이기 때문에, 제306단계에서는 지르코늄 바나듐 등을 포함하는 산화성이 아주 높은 게터를 활성화시키는 것에 의하여 이러한 불순물을 완전하게 흡착하는 과정을 진행하게 되는 것이다. 이러한 게터의 활성화과정은, 예를 들면 300℃ 정도의 고온분위기로 가열하는 것에 의하여, 상술한 게터가 활성화되면서 잔류가스 및 물과 같은 불순물을 흡착하게 된다.

이상과 같은 게터의 활성화과정이 완료되면 실질적으로 평판네온사인장치의 제조가 완료된다. 제308단계에서는, 이렇게 완료된 평판 네온사인장치를 실제로 실내 또는 실외에 장착할 수 있도록, 평판 네온사인장치의 주변의 구성요소와 조립하게 될 것이다.

이상과 같은 과정을 거쳐서, 본 발명에 의한 평판 네온사인장치가 완성되면, 상기 방전전극(12)을 통하여 소정의 전류를 인가하게 되면, 상기 캐비티(24)의 내부에서, 서로 노출되는 방전전극 사이에는 방전현상이 발생하게 될 것이다.

이러한 방전에 의하여 방출되는 자외선에 의하여, 캐비티의 저면에 도포된 형광체에 의하여 캐비티에 의하여 형성되는 문자 또는 로고와 같은 광고패턴이 발광하면서, 소정의 광고효과를 얻을 수 있게 된다.

이상에서 살펴본 바와 같은 본 발명에 의하면, 상판그래스와 하판그래스로 구성되는 두장의 유리 사이에 방전공간을 형성하고, 이러한 방전공간의 내부에서 투명전극으로 만들어지는 방전전극을 이용하여 방전이 일어나도록 하는 것을 기본적인 기술적 사상으로 하고 있음을 알 수 있다.

그리고 이와 같은 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서, 당업계의 통상의 지식을 가진 자에게 있어서는 다양한 변형이 가능함은 물론이다.

이상에서 살펴본 바와 같은 본 발명에 의하면, 다음과 같은 이점을 제공할 수 있음을 알 수 있을 것이다.

먼저 본 발명에 의한 네온사인장치는 두장의 유리에 의하여 형성되는 평판상의 것임을 알 수 있다. 따라서 종래의 네온사인에 비하여, 상대적으로 박형이고 간단한 구성을 가지게 됨을 알 수 있다. 이러한 외부형상 및 구성상의 잇점은, 어떠한 공간조건에 대해서는 본 발명에 의한 네온사인장치를 쉽게 설치할 수 있다는 것을 의미하게 된다.

그리고 본 발명에 의하면, 실질적으로 방전이 일어나는 공간은 상술한 바와 같은 캐비티라는 공간 내에서 발생하는 것임을 알 수 있다. 따라서 종래의 것에 비하여 아주 작은 방전공간을 구현할 수 있음과 동시에, 보다 세밀한 문자 또는 기호를 구현할 수 있게 된다. 이러한 점은, 보다 작은 공간내에서 보다 세밀하면서도 충분한 광고패턴을 소비자에게 인식시킬 수 있게 되는 장점을 가지게 되는 것을의미하게 된다.

또한 주로 방전전압이 최저 100V에서 600V 사이에 있으므로 저압구동이 가능하므로 주로 최저 1KV에서 15KV사이에서 구동되는 네온사인에 비하여 매우 안전한 방전 사인 장치를 제공할 수 있게 되는 장점도 기대할 수 있게 된다.

Claims (15)

1. 하면에 설치되는 방전전극을 구비하는 상판그래스와;

   표시하고자 하는 광고패턴이 캐비티로 성형되어 방전공간을 구비하고, 상기 상판그래스의 하면에 밀착되는 하판그래스를 포함하여 구성되는 평판 네온사인장치.
2. 제1항에 있어서, 상기 캐비티의 내부에는 형광층이 성형되어 있는 것을 특징으로 하는 평판 네온사인장치.
3. 제1항에 있어서, 상기 캐비티의 내부에 주입되는 불활성 방전가스를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 평판 네온사인장치.
4. 제1항에 있어서, 상기 캐비티는, 하판그래스의 상면의 일부분을 음각으로 성형하는 것에 의하여 만들어지는 것을 특징으로 하는 평판 네온사인장치.
5. 제1항에 있어서, 상기 방전전극은, 투명전극과, 상기 투명전극에 전류를 인가하기 위한 버스전극으로 구성되는 것을 특징으로 하는 평판 네온사인장치.
6. 상판그래스에 방전전극을 형성하는 과정과;

   하판그래스에 방전공간으로 작용하고, 광고패턴에 상응하는 캐비티를 성형하는 과정; 그리고

   상기 상판그래스와 하판그래스를 밀착시키는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 네온사인장치의 제조방법.
7. 제6항에 있어서, 상기 방전전극을 형성하는 과정은;

   ITO로 투명전극을 패터닝하는 과정과,

   상기 투명전극과 전기적으로 연결되는 버스전극을 인쇄하는 과정으로 구성되는 것을 특징으로 하는 평판 네온사인장치의 제조방법.
8. 제6항에 있어서, 상기 방전전극 상면에 유전체를 인쇄하고 소성하는 과정을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 평판 네온사인장치의 제조방법.
9. 제6항에 있어서, 상기 하판유리의 캐비티 내측에 형광체를 도포하여 소성하는 공정을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 평판 네온사인장치의 제조방법.
10. 제6항에 있어서, 상기 상판그래스와 하판그래스를 밀착시키는 과정은, 일측에 그래스페이스트를 인쇄하여 가소성을 수행한 후, 양자를 합착소성하는 것에 의하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 평판 네온사인장치의 제조방법.
11. 제6항에 있어서, 상판그래스와 하판그래스를 밀착시킨 후, 캐비티의 공기를 배기시키고, 방전가스를 주입하는 과정을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 평판 네온사인장치의 제조방법.
12. 제10항에 있어서, 상기 방전가스의 주입 전후에, 게터물질을 충진하는 것을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 평판 네온사인장치의 제조방법.
13. 제6항에 있어서, 상판그래스와 하판그래스를 밀착시킨 후, 캐비티에 의하여 형성되는 방전공간에 포함된 이물질을 제거하는 과정을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 평판 네온사인장치의 제조방법.
14. 제13항에 있어서, 상기 이물질을 제거하는 공정은, 캐비티 내부에 게터물질을 주입한 후, 온도를 상기 게터물질의 활성화온도로 상승시키는 것에 의하여 진행되는 것을 특징으로 하는 평판 네온사인장치의 제조방법.
15. 제6항에 있어서, 상기 방전전극이 성형된 상판그래스에, 산화마그네슘을 증착하는 과정을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 평판 네온사인장치의 제조방법.