KR100307756B1 - 전자기파 검출장치의 감지센서 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 밀리미터파 대역 이상의 전자기파를 검출하기 위한 검출장치의 감지센서를 개시한다.
본 발명은 기판 상에 열전쌍으로 이용할 수 있는 서로 다른 이종금속 중 어느 하나의 금속물질로 다이폴 안테나를 형성하고, 다이폴 안테나의 급전부에 나머지 금속으로 전기적 저항체를 형성하되 안테나의 입력임피던스와 같도록 한다. 두 금속이 만나는 접점 중 한 접점은 안테나를 형성한 금속이 연장되고 다른 접점에서는 저항체를 형성한 금속이 연장되어 열전쌍 온도센서가 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 밀리미터파 대역 이상의 전자기파를 검출할 수 있으면서도 제작이 용이한 새로운 방식 즉, 열전쌍(thermo-couple)과 안테나 소자를 조합한 전자기파 검출장치의 감지센서와 CMOS 구동소자의 제조공정을 동시에 수행할 수 있어 공정이 단축되는 효과를 얻을 수 있다.
Description
본 발명은 밀리미터파 대역 이상의 전자기파를 검출할 수 있는 검출장치의 감지센서에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 열전쌍(thermo-couple)과 안테나 소자를 조합한 전자기파 검출장치의 감지센서에 관한 것이다.
도 1은 다이오드의 정류특성을 이용한 종래의 전자기파 검출장치의 안테나 소자를 도시한 것이다.
통상적으로 전자기파 이미지를 만들기 위한 검출장치의 안테나 소자는 동일 평면내에 상하좌우로 규칙적으로 배열되어 매트릭스 구조를 갖는다. 한편, 예시도면에서 개별 안테나 소자는 반파장 다이폴 안테나(1)와 정류 다이오드(2)로 구성된 것을 도시하고 있다.
이와 같은 종래의 전자기파 검출장치는 반파장 다이폴 안테나(1)로 수신된 파워(power)를 정류 다이오드(2)의 정류특성을 이용하여 전파 신호를 전기적 신호로 변환하여 전자기파를 측정한다.
그런데 현재 기술단계에서 밀리미터파 대역(30G∼300GHz) 이상에서 동작하는 다이오드를 포함하는 비선형 소자의 제작이 어렵기 때문에, 비선형 소자를 이용하는 밀리미터파 대역 이상의 전자기파 검출장치는 고가의 장비로 개발되고 있는 문제점을 갖고 있다.
한편, 밀리미터파 이상의 대역에서 사용할 수 있는 마이크로 볼로메터(micro-bolometer) 방식의 전자기파 검출장치가 개발되어 있다.
도 2는 마이크로 볼로메터를 적용한 종래의 전자기파 검출장치의 감지센서를 도시하고 있다. 도시된 바와 같이, 감지센서는 안테나 소자(3)와 볼로메터 소자(4)의 조합으로 이루어진다. 안테나 소자(3)는 전술한 바와 동일하며, 온도변화에 민감한 열감지 재료(5)로 이루어진 볼로메터 소자(4)는 반파장 다이폴 안테나(1) 사이를 통과하도록 박막구조로 형성된다. 열감지 재료(5)의 양단에는 각각 열감지 재료(5)의 저항변화를 측정하기 위한 단자(6)가 마련된다. 열감지 재료(5)로는 통상적으로 바나듐옥사이드(VOx)를 사용하고 있다. 그런데 이 열감지 재료(5)는 Tc(VO2의 경우 68℃; Tc ; (critical temperature) 전이온도)에서 높은 TCR(temperature coefficient of resistance) 특성을 갖으나 히스테리시스가 존재하여 선형특성이 요구되는 경우 적용하기 어려우며 비교적 비저항이 높아 안테나와 임피던스 매칭이 어렵다. 따라서, 도시된 바와 같이, 다이폴 안테나(1) 사이에 히터(7)를 형성하여 열감지 재료(5)와 접촉하도록 함으로써 임피던스 매칭하는 방식으로 개선되었다.
이와 같은 마이크로 볼로메터를 적용한 종래의 전자기파 검출장치의 감지센서는 안테나(1)로 수신된 전자기파 신호의 파워(power)를 히터(7)를 통해 열로 변환한다. 열 에너지의 변화는 마이크로 볼로메터 소자(4)의 열감지 재료(5)에 의해 저항값의 변화로 감지되어 전자기파를 검출한다.
그런데 이와 같은 마이크로 볼로메터를 적용한 종래의 전자기파 검출장치의감지센서는 도면상 미도시되어 있으나, 각각의 마이크로 볼로메터 소자(4)를 구동하기 위한 CMOS 구동소자와, 열감지 재료(5)로 이용되는 바나듐 옥사이드를 형성하기 위한 공정을 동시에 수행하지 못하는 단점이 있다. 이와 같은 이유는 바나듐 옥사이드를 형성하기 위해서는 대략 500℃ 이상의 열처리 과정을 거쳐야 하는데 이 과정에서 CMOS 구동소자가 열적 손상을 받기 때문이다. 따라서, 마이크로 볼로메터 소자(4)와 이를 구동하기 위한 구동회로를 하이브리드로 연결하는 방법이 제안되어 있으나 공정상 불편함이 많다.
또한, 구동소자를 형성하기 위한 CMOS 공정을 바나듐 옥사이드를 형성하는 공정의 후공정으로 하는 방법이 제안되어 있으나 공정상 쉽지 않다.
따라서 본 발명은 이와같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 밀리미터파 대역 이상의 전자기파를 검출할 수 있으면서도 제작이 용이한 새로운 방식 즉, 열전쌍(thermo-couple)과 안테나 소자를 조합한 전자기파 검출장치의 감지센서를 제공하는데 그 목적이 있다.
이와같은 목적을 실현하기 위한 본 발명은 밀리미터파 대역 이상의 전자기파의 이미지를 검출하기 위해 매트릭스 구조로 배열된 감지센서를 구비한 전자기파 검출장치에 있어서, 감지센서는 기판 상에 열전쌍으로 이용할 수 있는 서로 다른 이종금속 중 어느 하나의 금속물질로 다이폴 안테나를 형성하고, 다이폴 안테나의 급전부에 나머지 금속으로 전기적 저항체를 형성하되 안테나의 입력임피던스와 같도록 한다. 두 금속이 만나는 접점 중 한 접점은 안테나를 형성한 금속이 연장되고다른 접점에서는 저항체를 형성한 금속이 연장되어 열전쌍 온도센서가 형성되는 것을 특징으로 한다.
이와 같은 본 발명은 수신된 밀리미터파 전력이 안테나 사이의 급전부 저항체에 의해 소모되면서 발열하게 되고 급전부 주위의 온도를 상승시킨다. 이 온도 상승은 열전쌍의 온도차를 발생시키고, 이에 따라 열전쌍에서 출력되는 열기전력을 통해 전자기파를 검출할 수 있다.
본 발명의 상기 목적과 여러 가지 장점은 이 기술 분야에 숙련된 사람들에 의해 첨부된 도면을 참조하여 아래에 기술되는 발명의 바람직한 실시 예로부터 더욱 명확하게 될 것이다.
도 1은 다이오드의 정류특성을 이용한 종래의 전자기파 검출장치의 안테나 소자를 도시한 평면도,
도 2는 마이크로 볼로메터를 적용한 종래의 전자기파 검출장치의 감지센서를 도시한 평면도,
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전자기파 검출장치의 감지센서를 도시한 평면도,
도 4a 내지 4b는 본 발명에 따른 감지센서의 제 2 실시예를 도시한 평면도 및 단면도,
도 5a 내지 5b는 본 발명에 따른 감지센서의 제 3 실시예를 도시한 평면도 및 단면도,
도 6은 도 5의 변형된 실시예로써 직렬구조의 급전부를 갖는 감지센서를 도시한 평면도,
도 7은 본 발명에 따른 감지센서의 제 4 실시예를 도시한 단면도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
10 : 안테나 11 : 급전부
12 : 저항체 13 : 히터
14 : 절연막 15 : 에어 갭(또는 멤브레인)
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전자기파 검출장치의 감지센서를 도시한 평면도이며, 도 4 내지 도 7은 본 발명에 따른 감지센서의 다른 실시예들을 도시한 평면도이다.
열전쌍(thermo-couple)은 구조가 간단하고 넓은 온도구간에서 선형성이 뛰어나 온도센서로 널리 사용되고 있다. 열전쌍은 이종금속을 환형(環形)으로 접합하고 양 접합점에 온도차를 주면 열기전력에 의해 전류가 흐르게 되며 한 접점을 개방(open)하면 열기전력에 의한 직류전압이 발생한다. 열전쌍으로 가능한 이종금속의 쌍은 알루미늄(Al)과 P+폴리실리콘(Polysilicon), P+폴리실리콘과 n+폴리실리콘, 니켈(Ni)과 알루미늄(Al) 등으로 CMOS반도체 공정에서 쉽게 공정이 가능한 재료들이다.
이와 같은 열전쌍은 도 3에 도시된 바와 같이, 밀리미터파 대역 이상의 전자기파 검출장치의 감지센서로 반파장 다이폴 안테나와 함께 조합하여 이용할 수 있다.
도시된 바와 같이, 감지센서는 기판 상에 열전쌍으로 이용할 수 있는 서로 다른 이종금속 중 어느 하나의 금속물질로 다이폴 안테나(10)를 형성하고, 각 다이폴 안테나(10)에 접속되는 급전부의 저항체(12)를 이종금속 중 다른 금속으로 형성한다. 바람직하게는 다이폴 안테나(10)는 도체 손실을 작게 하기 위해 비저항이 작은 알루미늄(Al) 금속을 사용하는 것이 유리하다. 한편, 안테나(10)와 저항체(12)가 만나는 두 접점중 한 접점에서는 안테나의 금속을 연장하여 열전쌍의 한 선(11a)을 형성하고 다른 접점에서는 저항체(12)를 형성한 금속을 연장하여 열전쌍의 다른 한 선(11b)를 형성한다. 도 3에서 저항체(12) 및 이와 일체로 형성되는 열전쌍 선(11b)는 P+폴리실리콘(Polysilicon)으로 이루어진 것이다. 한편, 열전쌍을 형성하는 이종금속 선(11a,11b)는 임피던스가 높도록 충분히 가늘게 형성한다. 이와 같은 감지센서 구조는 단지, 2가지의 재료(이종금속)만으로 간단히 안테나 소자와 열발생 소자 및 열전쌍을 동시에 제작할 수 있다. 또한, 전술한 재료들은 CMOS 반도체 공정에서 쉽게 공정이 가능한 재료들로써 CMOS 회로 제작시 감지센서를 동시에 형성할 수 있는 장점이 있다.
안테나 급전부에 형성된 저항체(12)의 주위를 온 접합(Hot juntion)이라 하고 연장된 열전쌍 두 선(11a,11b)의 끝을 냉 접합(Cold junction)이라 하며 열기전력은 온 접합과 냉 접합의 온도차에 의해 발생된다. 한편, 본 발명에 따른 감지센서를 구비한 전자기파 검출장치의 동작은, 수신된 밀리미터파 전력이 안테나(10) 사이의 저항체(12 ; p+폴리실리콘)에 의해 소모되면서 발열하게 되고 주위의 온도를 상승시킨다. 이와 같은 온도 차이는 열전쌍의 열기전력을 발생시키고, 이에 따라 출력되는 직류 전압을 통해 전자기파를 검출하게 된다. 안테나에 수신된 전자기파의 전력이 최대로 저항체(12)에 전달되기 위해서는 임피던스 매칭이 중요하며, 이에 따라 저항체(12)의 크기가 결정된다.
도 4a 내지 4b는 본 발명에 따른 감지센서의 제 2 실시예를 도시한 도면으로, 열전쌍의 접합부 즉, 한쌍의 다이폴 안테나(10) 사이에 열을 발생하는 저항체 예를 들면 니켈크롬(NiCr)등과 같은 히터(13)를 형성하여 연결한 것이다. 이는 열전쌍을 이루는 이종금속의 비저항이 너무 높거나 낮아 임피던스 매칭이 어려운 경우에 적용할 수 있다.
도 5a 내지 5b는 본 발명에 따른 감지센서의 제 3 실시예를 도시한 도면으로, 한쌍의 다이폴 안테나(10) 사이에 열을 발생하는 저항체 예를 들면 니켈크롬(NiCr)등과 같은 히터(13)를 형성하고, 안테나(10) 및 히터(13) 위에 절연막(14)을 삽입한 다음, 그 위에 이종금속으로 된 열전쌍의 한 접점을 형성한 것이다. 이는 절연막(14)을 형성하는 공정이 추가되는 단점은 있으나, 안테나(10)의 급전부(11) 즉, 열전쌍을 이루는 이종금속을 도 6에 도시된 바와 같이, 직렬로 연결하여 감도(sensitivity)를 높일 수 있다. 온 접합과 냉 접합의 온도차이에 의한 발생된 각 열전쌍의 직류전압은 독립적이며 이를 직렬로 연결하면 건전지를 직렬로 연결한 것과 같이 직렬로 연결한 개수의 배만큼 출력전압이 높아진다.
도 7은 본 발명에 따른 감지센서의 제 4 실시예로써, 발열부 즉, 히터(13)의 열적 절연(thermal isolation)을 높이고 안테나(10)의 표면파 손실을 줄이기 위해 에어 갭(15; air-gap)을 형성하거나 얇은 멤브레인 위에 히터를 형성한 것이다. 에어 갭(15)은 표면 마이크로머시닝 공정을 이용하여 형성할 수 있으며, 희생층으로는 SiO2나 PSG(phosphor silicate glass)를 사용할 수 있다. 또한, 멤브레인은 KOH 나 TMAH 등에 의한 Si의 비등방 식각으로 구현할 수 있다.
이상, 상기 내용은 본 발명의 바람직한 실시예를 단지 예시한 것으로 본 발명의 당업자는 본 발명의 요지를 변경시키지 않고 본 발명에 대한 수정 및 변경을 가할 수 있음을 인지해야 한다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 밀리미터파 대역 이상의 전자기파를 검출할 수 있으면서도 제작이 용이한 새로운 방식 즉, 열전쌍(thermo-couple)과 안테나 소자를 조합한 전자기파 검출장치의 감지센서와 CMOS 구동소자의 제조공정을 동시에 수행할 수 있어 공정이 단축되는 효과를 얻을 수 있다.
Claims (5)
- 밀리미터파 대역 이상의 전자기파 이미지를 검출하기 위해 매트릭스 구조로 배열된 감지센서를 구비한 전자기파 검출장치에 있어서,상기 감지센서는 기판 상에 열전쌍으로 이용할 수 있는 서로 다른 이종금속 중 어느 하나의 금속물질로 형성된 다이폴 안테나와;상기 각 다이폴 안테나에 서로 다른 이종금속으로 형성된 급전부 저항체와;상기 서로 다른 이종 금속 중 상기 다이폴 안테나를 형성하는 금속물질과 다른 금속물질로 된 상기 저항체가 연장되어 다이폴 안테나와 열전쌍을 형성하는 전자기파 검출장치의 감지센서.
- 제 1 항에 있어서, 상기 한쌍의 다이폴 안테나 사이에 히터가 형성되는 것을 특징으로 하는 전자기파 검출장치의 감지센서.
- 제 1 항에 있어서, 상기 한쌍의 다이폴 안테나 사이에 히터가 형성되고, 상기 안테나 및 히터 위에 절연막이 형성되며, 상기 절연막 위에 위에 이종금속으로 된 열전쌍이 형성되는 것을 특징으로 하는 전자기파 검출장치의 감지센서.
- 제 2 항에 있어서, 상기 히터의 하부에 에어 갭(air-gap)이 형성된 것을 특징으로 하는 전자기파 검출장치의 감지센서.
- 제 2 항에 있어서, 상기 히터의 하부에 멤브레인이 형성된 것을 특징으로 하는 전자기파 검출장치의 감지센서.
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