KR100306619B1 - 높은개구수를갖는반사굴절식광학축소시스템 - Google Patents
높은개구수를갖는반사굴절식광학축소시스템 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100306619B1 KR100306619B1 KR1019940001285A KR19940001285A KR100306619B1 KR 100306619 B1 KR100306619 B1 KR 100306619B1 KR 1019940001285 A KR1019940001285 A KR 1019940001285A KR 19940001285 A KR19940001285 A KR 19940001285A KR 100306619 B1 KR100306619 B1 KR 100306619B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- lens
- magnification
- reduction system
- optical reduction
- lens group
- Prior art date
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 67
- 230000009467 reduction Effects 0.000 title claims abstract description 54
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 claims abstract description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 claims description 13
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 12
- 230000004075 alteration Effects 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 206010010071 Coma Diseases 0.000 claims description 2
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 claims description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 abstract description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 abstract description 3
- 239000002243 precursor Substances 0.000 abstract 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 5
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 2
- VZPPHXVFMVZRTE-UHFFFAOYSA-N [Kr]F Chemical compound [Kr]F VZPPHXVFMVZRTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 150000001485 argon Chemical class 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000010076 replication Effects 0.000 description 1
- 230000003362 replicative effect Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
- G02B17/08—Catadioptric systems
- G02B17/0892—Catadioptric systems specially adapted for the UV
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
- G02B17/08—Catadioptric systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70225—Optical aspects of catadioptric systems, i.e. comprising reflective and refractive elements
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Lenses (AREA)
Abstract
Description
Claims (30)
- 비교적 높은 개구수 (high numerical aperture)를 지니는 반사굴절식 광학축소 시스템 (catadioptric optical reduction system)에 있어서, 긴 공역단부 (long conjugate end)로부터 짧은 공역단부까지, 부배율 (negative power)을 제공하기 위한 제1 렌즈수단 ; 비임분할기 (beamsplitter) ; 요면경 (concave mirror) ; 및 정배율 (positive power)을 제공하기 위한 제2 렌즈수단을 포함하며, 상기 제1 렌즈수단의 부배율은, 상기 요면경 또는 그 근처에 위치한 개구조리개에, 무한대에 위치한 입사동공 (entrance pupil)의 상이 맺히게 하며, 상기 제2 렌즈수단의 정배율이 시스템의 실질적으로 모든 배율을 제공하고 출사동공 (exit pupil)의 상이 무한대에 맺히게 하는 것을 특징으로 하는 반사굴절식 광학축소 시스템.
- 긴 공역단부로부터 짧은 공역단부까지, 정배율의 제1 렌즈그룹 ; 부배율의 제2 렌즈그룹 ; 비임분할기 ; 1/4 파장판 ; 요면경 ; 및 정배율의 제3 렌즈그룹을 포함하며, 상기 제1 렌즈 그룹의 정배율은 상기 요면경 또는 그 근처에 위치한 개구조리개에, 상기 제2 렌즈그룹을 통해, 무한대에 위치한 입사동공의 상이 맺히게 하며, 상기 제2 렌즈그룹의 부배율이 상기 요면경을 위한 필요공역을 제공하며, 상기 제3 렌즈그룹의 정배율은 전체시스템 배율의 나머지를 제공하고 출사동공의 상이 무한대에서 맺히게 하는 것을 특징으로 하는 반사굴절식 광학축소 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 비임분할기와 상기 요면경 사이에 배치된 제1의 1/4 파장판을 더 포함하는 광학축소 시스템.
- 제3항에 있어서, 상기 비임분할기와 상기 제3 렌즈그룹 사이에 배치된 제2의 1/4 파장판을 더 포함하는 광학축소 시스템.
- 제2항에 있어서, 상기 제1 렌즈그룹은 적어도 2개의 다른 재료로 형성된 반사요소들을 포함하며 ; 상기 제2 렌즈그룹은 적어도 2개의 다른 재료로 형성된 반사요소들을 포함하는 광학축소 시스템.
- 제2항에 있어서, 상기 제1 렌즈그룹은 적어도 하나의 정배율렌즈 ; 실질적으로 영 배율의 제1 렌즈 ; 및 제1의 2중렌즈를 포함하므로써, 상기 적어도 하나의 정배율렌즈는 상기 요면경 근처의 개구조리개에, 무한대에 위치한 입사동공의 상이 맺히게 하며, 상기 실질적으로 영배율의 제1 렌즈 및 상기 제1의 2중렌즈는 비점수차, 시야 굴곡 (field curvature), 및 뒤틀림과 같은 수차를 교정하는데 도움을 주는 광학축소 시스템.
- 제6항에 있어서, 상기 제1 렌즈는 공기 이격된 2중렌즈인 광학축소 시스템.
- 제6항에 있어서, 상기 제2 렌즈그룹은 적어도 하나의 부배율 렌즈 ; 정렌즈 ; 및 제2의 2중렌즈를 포함하므로써, 상기 적어도 하나의 부배율렌즈는 상기 비임분할기 및 상기 요면경에 대하여 발산하는 비임을 제공하며, 상기 정렌즈는 측면 색채 교정을 제공하며, 상기 제2의 2중렌즈는 구면수차 및 코마(coma)를 교정하는데 도움을 주는 광학축소 시스템.
- 제8항에 있어서, 상기 제3 렌즈그룹은 적어도 하나의 제1 정배율렌즈 ; 실질적으로 영배율의 제2 렌즈 ; 및 상기 적어도 하나의 제1 정배율렌즈보다 배율이 약한, 적어도 2개의 제2 정배율렌즈를 포함하므로써, 상기 적어도 하나의 제1 정배율렌즈는 상 및 출사동공 및 무한대에 높은 개구수를 제공하며, 상기 실질적으로 영배율의 제2 렌즈 및 상기 적어도 2개의 제2 정배율렌즈는 고차의 수차교정을 제공하는 광학축소 시스템.
- 제9항에 있어서, 상기 제2 렌즈는 초경 2중렌즈인 광학축소 시스템.
- 제2항에 있어서, 상기 제1 렌즈그룹과 상기 제2 렌즈그룹 사이에 배치된 접안경 (folding mirror)을 더 포함하는 광학축소 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 요면경은 비구면인 광학축소 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 렌즈수단 및 상기 제2 렌즈수단은 적어도 2개의 다른 재료로 형성된 반사요소들을 포함하는 광학축소 시스템.
- 하기 표 1의 구성 데이타에 따른 구조를 포함하는 광학축소 시스템.
- 비교적 높은 개구수를 지니는 반사굴절식 광학축소 시스템에 있어서, 긴 공역단부로부터 짧은 공역단부까지, 제1의 2중 렌즈 ; 제1 정렌즈 ; 제2 정렌즈 ; 셸 ; 제3 정렌즈 ; 제1 부렌즈 ; 제4 정렌즈 ; 제2 부렌즈 ; 비임분할기 입방체 ; 제1의 1/4 파장판 ; 요면경 ; 제2의 1/4 파장판 ; 제5의 정렌즈 ; 제2의 2중 렌즈 ; 제6 정렌즈 ; 및 제3의 2중 렌즈를 포함하며, 상기 구성요소들은 시스템으로 입사하는 방사선이 상기 제1의 2중렌즈, 상기 제1 정렌즈, 상기 제2 정렌즈, 상기 셸, 상기 제3 정렌즈, 상기 제1 부렌즈, 상기 제2 부렌즈, 상기 비임분할기 입방체, 상기 제1의 1/4 파장판을 통과하고, 상기 요면경에 의해 반사되고, 다시 상기 제1의 1/4 파장판 및 상기 비임분할기 입방체를 통과하고, 상기 제2의 1/4 파장판, 상기 제5 정렌즈, 상기 제2의 2중 렌즈, 상기 제6 정렌즈 및 상기 제3의 2중 렌즈를 통과하도록 배치되는 반사굴절식 광학축소 시스템.
- 제15항에 있어서, 상기 셸과 상기 제3 정렌즈 사이에 배치된 접안경을 더 포함하는 광학축소 시스템.
- 제16항에 있어서, 하기 표 2의 구성 데이타에 따른 구조를 지니는 광학축소 시스템.
- 비교적 높은 개구수를 지니는 반사굴절식 광학축소 시스템에 있어서, 긴 공역단부로부터 짧은 공역단부까지, 제1의 2중 렌즈 ; 제2의 2중 렌즈 ; 제1 정렌즈 ; 제2 정렌즈 ; 제1 부렌즈 ; 제3 정렌즈 ; 제2 부렌즈 ; 비임분할기 입방체 ; 제1의 1/4 파장판 ; 요면경 ; 제2의 1/4 파장판 ; 제4 정렌즈 ; 제3의 2중 렌즈 ; 제5 정렌즈 ; 셸 ; 및 제6 정렌즈를 포함하며, 상기 구성요소들은, 시스템내로 입사하는 방사선이 상기 제1의 2중렌즈, 상기 제2의 2중렌즈, 상기 제1 정렌즈, 상기 제2 정렌즈, 상기 제1 부렌즈, 상기 제3 정렌즈, 상기 제2 부렌즈, 상기 비임분할기 입방체, 상기 제1의 1/4 파장판을 통과하고, 상기 요면경에 의해 반사되고, 다시 상기 제1의 1/4 파장판 및 상기 비임분할기 입방체를 통과하고, 상기 제2의 1/4 파장판, 상기 제4 정렌즈, 상기 제3의 2중 렌즈, 상기 제5 정렌즈, 상기 셸 및 상기 제6 정렌즈를 통과하도록 배치되는 반사굴절식 광학축소 시스템.
- 제18항에 있어서, 상기 제1 정렌즈와 상기 제2 정렌즈 사이에 배치된 접안경을 더 포함하는 광학축소 시스템.
- 제19항에 있어서, 하기 표 3의 구성 데이타에 따른 구조를 지니는 광학축소 시스템.
- 제1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13 또는 14항중 어느 한 항에 있어서, 상기 비임분할기는 입방체인 광학축소 시스템.
- 제1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13 또는 14항중 어느 한 항에 있어서, 상기 개구조리개는 상기 비임분할기와 상기 요면경 사이에 있는 광학축소 시스템.
- 제22항에 있어서, 가변성 개구가 상기 비임분할기와 상기 요면경 사이에 배치되는 광학축소 시스템.
- 제1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13 또는 14항중 어느 한 항에 있어서, 상기 요면경은 전체 시스템 축소비의 1.6 내지 2.7배의 축소비를 포함하는 광학축소 시스템.
- 비교적 높은 개구수를 지니는 반사 굴절식 광학축소 시스템에 있어서, 긴 공역단부로부터 짧은 공역단부까지, 정배율의 제1 렌즈그룹 ; 부배율의 제2 렌즈그룹 ; 비임분할기 ; 요면경 ; 정배율의 제3 렌즈그룹 ; 상기 비임분할기 입방체와 상기 요면경 사이에 배치된 제1의 1/4 파장판 ; 및 상기 비임분할기 입방체와 상기 제3 렌즈그룹 사이에 배치된 제2의 1/4 파장판을 포함하며, 상기 제1 및 제2 렌즈그룹의 정배율은 조합하여 상기 요면경 또는 그 근처에 위치한 개구조리개에, 무한대에 위치한 입사동공의 상이 맺히게 하며, 상기 제2 렌즈그룹의 부배율은 상기 요면경에 대한 정확한 공역을 제공하며, 상기 제3 렌즈그룹의 정배율은 전체 시스템 배율의 잔여부를 제공하고 출사동공의 상이 무한대에 맺히게 하는 것을 특징으로 하는 반사 굴절식 광학축소 시스템.
- 제25항에 있어서, 상기 제1의 1/4 파장판 및/또는 제2의 1/4 파장판은 정 영 (true zero) 등급 1/4 파장판들인 광학축소 시스템.
- 비교적 높은 개구수를 지니는 반사 굴절식 광학축소 시스템에 있어서, 긴 공역단부로부터 짧은 공역단부까지, 정배율의 제1 렌즈그룹 ; 부배율의 제2 렌즈그룹 ; 비임분할기 ; 요면경 ; 정배율의 제3 렌즈그룹을 포함하며, 상기 구성요소들은 시스템에 입사하는 방사선이 상기 제1 렌즈그룹, 상기 제2 렌즈그룹, 상기 비임분할기 입방체를 통과하며, 상기 요면경에 의해 반사되고, 상기 비임분할기를 통과하고, 상기 제3 렌즈그룹을 통과하도록 배치되는 반사굴절식 광학축소 시스템.
- 제2항에 있어서, 하기 표 4의 데이타에 따른 구조를 지니는 광학축소 시스템.
- 제2항에 있어서, 하기 표 5의 데이타에 따른 구조를 지니는 광학축소 시스템.
- 물체 공간 (object space) 개구수를 지니는 반사굴절식 광학축소 시스템에 있어서, 긴 공역단부로부터 짧은 공역단부까지, 노출 (emerging) 개구수를 가지는 부배율을 제공하기 위한 제1 렌즈수단으로서, 상기 노출 개구수는 물체 공간 개구수보다 큰 제1 렌즈수단; 비임분할기; 요면경; 및 정배율을 제공하기 위한 제2 렌즈수단으로서, 상기 제2 렌즈수단의 정배율이 실질적으로 시스템의 모든 배율을 제공하고, 시스템의 출사동공의 상이 무한대에서 맺히게 하는 제2 렌즈수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 반사굴절식 광학축소 시스템.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US928493A | 1993-01-26 | 1993-01-26 | |
US93-08/009,284 | 1993-01-26 | ||
US08/134,505 US5537260A (en) | 1993-01-26 | 1993-10-08 | Catadioptric optical reduction system with high numerical aperture |
US93-08/134,505 | 1993-10-08 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR940018910A KR940018910A (ko) | 1994-08-19 |
KR100306619B1 true KR100306619B1 (ko) | 2001-11-30 |
Family
ID=26679289
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019940001285A KR100306619B1 (ko) | 1993-01-26 | 1994-01-25 | 높은개구수를갖는반사굴절식광학축소시스템 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5537260A (ko) |
EP (2) | EP0608572B1 (ko) |
JP (1) | JP3636212B2 (ko) |
KR (1) | KR100306619B1 (ko) |
CA (1) | CA2112828A1 (ko) |
DE (1) | DE69332924T2 (ko) |
Families Citing this family (73)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3235077B2 (ja) * | 1991-09-28 | 2001-12-04 | 株式会社ニコン | 露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた半導体素子製造方法 |
JP2698521B2 (ja) * | 1992-12-14 | 1998-01-19 | キヤノン株式会社 | 反射屈折型光学系及び該光学系を備える投影露光装置 |
JPH09311278A (ja) | 1996-05-20 | 1997-12-02 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
US5638218A (en) * | 1993-12-07 | 1997-06-10 | Nikon Corporation | Catadioptric projection apparatus |
JP3395801B2 (ja) * | 1994-04-28 | 2003-04-14 | 株式会社ニコン | 反射屈折投影光学系、走査型投影露光装置、及び走査投影露光方法 |
USRE38438E1 (en) | 1994-08-23 | 2004-02-24 | Nikon Corporation | Catadioptric reduction projection optical system and exposure apparatus having the same |
JPH08179204A (ja) | 1994-11-10 | 1996-07-12 | Nikon Corp | 投影光学系及び投影露光装置 |
JPH08171054A (ja) * | 1994-12-16 | 1996-07-02 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
US5644323A (en) * | 1994-12-21 | 1997-07-01 | Siliscape, Inc. | Miniature synthesized virtual image electronic display |
US5684497A (en) * | 1994-12-21 | 1997-11-04 | Siliscape, Inc. | Twice folded compound magnified virtual image electronic display |
JP3454390B2 (ja) | 1995-01-06 | 2003-10-06 | 株式会社ニコン | 投影光学系、投影露光装置及び投影露光方法 |
US6229595B1 (en) * | 1995-05-12 | 2001-05-08 | The B. F. Goodrich Company | Lithography system and method with mask image enlargement |
DE19535392A1 (de) | 1995-09-23 | 1997-03-27 | Zeiss Carl Fa | Radial polarisationsdrehende optische Anordnung und Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage damit |
DE19616922A1 (de) * | 1996-04-27 | 1997-10-30 | Zeiss Carl Fa | Hochauflösendes lichtstarkes Objektiv |
JPH103039A (ja) * | 1996-06-14 | 1998-01-06 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
US5771124A (en) * | 1996-07-02 | 1998-06-23 | Siliscape | Compact display system with two stage magnification and immersed beam splitter |
US6433935B2 (en) | 1996-07-02 | 2002-08-13 | Three-Five Systems, Inc. | Display illumination system |
JPH1184248A (ja) * | 1997-09-12 | 1999-03-26 | Nikon Corp | 反射屈折縮小光学系 |
US20010003028A1 (en) | 1997-09-19 | 2001-06-07 | Nikon Corporation | Scanning Exposure Method |
EP1293830A1 (en) | 1998-06-08 | 2003-03-19 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method |
US5969803A (en) * | 1998-06-30 | 1999-10-19 | Nikon Corporation | Large NA projection lens for excimer laser lithographic systems |
TW538256B (en) * | 2000-01-14 | 2003-06-21 | Zeiss Stiftung | Microlithographic reduction projection catadioptric objective |
WO2002044786A2 (en) * | 2000-11-28 | 2002-06-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection system for 157 nm lithography |
JP4532647B2 (ja) * | 2000-02-23 | 2010-08-25 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
US7414785B2 (en) * | 2000-02-24 | 2008-08-19 | Asml Holding N.V. | Ultraviolet polarization beam splitter with minimum apodization |
US6480330B1 (en) * | 2000-02-24 | 2002-11-12 | Silicon Valley Group, Inc. | Ultraviolet polarization beam splitter for microlithography |
US6680798B2 (en) | 2000-04-25 | 2004-01-20 | Asml Holding N.V. | Optical reduction system with control of illumination polarization |
JP2003532282A (ja) * | 2000-04-25 | 2003-10-28 | エーエスエムエル ユーエス,インコーポレイテッド | レチクル回折誘起バイアスのない光学縮小システム |
US6486940B1 (en) * | 2000-07-21 | 2002-11-26 | Svg Lithography Systems, Inc. | High numerical aperture catadioptric lens |
US6747611B1 (en) * | 2000-07-27 | 2004-06-08 | International Business Machines Corporation | Compact optical system and packaging for head mounted display |
US20020085185A1 (en) * | 2000-11-07 | 2002-07-04 | Silicon Valley Group, Inc. | Method and system of varying optical imaging performance in the presence of refractive index variations |
US7031069B2 (en) * | 2001-05-19 | 2006-04-18 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithographic illumination method and a projection lens for carrying out the method |
DE10124474A1 (de) * | 2001-05-19 | 2002-11-21 | Zeiss Carl | Mikrolithographisches Belichtungsverfahren sowie Projektionsobjektiv zur Durchführung des Verfahrens |
US6683710B2 (en) * | 2001-06-01 | 2004-01-27 | Optical Research Associates | Correction of birefringence in cubic crystalline optical systems |
US7136220B2 (en) * | 2001-08-21 | 2006-11-14 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric reduction lens |
TW575904B (en) * | 2001-08-21 | 2004-02-11 | Asml Us Inc | Optical projection for microlithography |
US7453641B2 (en) * | 2001-10-30 | 2008-11-18 | Asml Netherlands B.V. | Structures and methods for reducing aberration in optical systems |
US6844972B2 (en) | 2001-10-30 | 2005-01-18 | Mcguire, Jr. James P. | Reducing aberration in optical systems comprising cubic crystalline optical elements |
AU2002360329A1 (en) * | 2001-10-30 | 2003-05-12 | Optical Research Associates | Structures and methods for reducing aberration in optical systems |
US6970232B2 (en) * | 2001-10-30 | 2005-11-29 | Asml Netherlands B.V. | Structures and methods for reducing aberration in integrated circuit fabrication systems |
US6995908B2 (en) * | 2001-10-30 | 2006-02-07 | Asml Netherlands B.V. | Methods for reducing aberration in optical systems |
DE10220324A1 (de) * | 2002-04-29 | 2003-11-13 | Zeiss Carl Smt Ag | Projektionsverfahren mit Pupillenfilterung und Projektionsobjektiv hierfür |
US6757110B2 (en) | 2002-05-29 | 2004-06-29 | Asml Holding N.V. | Catadioptric lithography system and method with reticle stage orthogonal to wafer stage |
US20050190446A1 (en) * | 2002-06-25 | 2005-09-01 | Carl Zeiss Amt Ag | Catadioptric reduction objective |
WO2004019105A1 (en) * | 2002-08-19 | 2004-03-04 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric reduction lens having a polarization beamsplitter |
US7072102B2 (en) | 2002-08-22 | 2006-07-04 | Asml Netherlands B.V. | Methods for reducing polarization aberration in optical systems |
TWI247339B (en) | 2003-02-21 | 2006-01-11 | Asml Holding Nv | Lithographic printing with polarized light |
US7085075B2 (en) * | 2003-08-12 | 2006-08-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3 |
US8208198B2 (en) | 2004-01-14 | 2012-06-26 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Catadioptric projection objective |
US7408616B2 (en) * | 2003-09-26 | 2008-08-05 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithographic exposure method as well as a projection exposure system for carrying out the method |
US20080151364A1 (en) * | 2004-01-14 | 2008-06-26 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective |
US7463422B2 (en) * | 2004-01-14 | 2008-12-09 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection exposure apparatus |
KR20140043485A (ko) | 2004-05-17 | 2014-04-09 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 중간이미지를 갖는 카타디옵트릭 투사 대물렌즈 |
US7271874B2 (en) * | 2004-11-02 | 2007-09-18 | Asml Holding N.V. | Method and apparatus for variable polarization control in a lithography system |
US10073264B2 (en) | 2007-08-03 | 2018-09-11 | Lumus Ltd. | Substrate-guide optical device |
US7324185B2 (en) | 2005-03-04 | 2008-01-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8248577B2 (en) | 2005-05-03 | 2012-08-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7738692B2 (en) | 2006-07-20 | 2010-06-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Methods of determining quality of a light source |
US7995832B2 (en) * | 2007-01-11 | 2011-08-09 | Kla-Tencor Corporation | Photomask inspection and verification by lithography image reconstruction using imaging pupil filters |
EP2142953B1 (en) * | 2007-04-22 | 2019-06-05 | Lumus Ltd | A collimating optical device and system |
US7760425B2 (en) * | 2007-09-05 | 2010-07-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Chromatically corrected catadioptric objective and projection exposure apparatus including the same |
IL232197B (en) | 2014-04-23 | 2018-04-30 | Lumus Ltd | Compact head-up display system |
EP4080269A1 (en) | 2016-10-09 | 2022-10-26 | Lumus Ltd. | Optical arrangement of an image projector, a depolarizer and an aperture multiplier using a rectangular waveguide |
AU2017356702B2 (en) | 2016-11-08 | 2021-04-15 | Lumus Ltd | Light-guide device with optical cutoff edge and corresponding production methods |
TWI770234B (zh) | 2017-07-19 | 2022-07-11 | 以色列商魯姆斯有限公司 | 通過光導光學元件的矽基液晶照明器 |
IL259518B2 (en) | 2018-05-22 | 2023-04-01 | Lumus Ltd | Optical system and method for improving light field uniformity |
US11415812B2 (en) | 2018-06-26 | 2022-08-16 | Lumus Ltd. | Compact collimating optical device and system |
TWI800657B (zh) | 2019-03-12 | 2023-05-01 | 以色列商魯姆斯有限公司 | 圖像投影儀 |
WO2020202120A1 (en) | 2019-04-04 | 2020-10-08 | Lumus Ltd. | Air-gap free perpendicular near-eye display |
CN110515277B (zh) * | 2019-08-16 | 2021-07-09 | 俞庆平 | 一种适用于激光直写曝光设备的光学系统组件 |
CN110579877B (zh) * | 2019-09-23 | 2024-03-26 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 共轭校正检验非球面镜的光学系统及理论 |
JP7497079B2 (ja) | 2019-12-08 | 2024-06-10 | ルーマス リミテッド | コンパクト画像プロジェクタを備える光学系 |
CN113341559B (zh) * | 2021-08-02 | 2022-08-05 | 深圳纳德光学有限公司 | 一种反射式目镜光学系统及头戴近眼显示装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3917399A (en) * | 1974-10-02 | 1975-11-04 | Tropel | Catadioptric projection printer |
US4896952A (en) * | 1988-04-22 | 1990-01-30 | International Business Machines Corporation | Thin film beamsplitter optical element for use in an image-forming lens system |
US4953960A (en) * | 1988-07-15 | 1990-09-04 | Williamson David M | Optical reduction system |
US5220454A (en) * | 1990-03-30 | 1993-06-15 | Nikon Corporation | Cata-dioptric reduction projection optical system |
JP2847883B2 (ja) * | 1990-03-30 | 1999-01-20 | 株式会社ニコン | 反射屈折縮小投影光学系 |
US5089913A (en) * | 1990-07-11 | 1992-02-18 | International Business Machines Corporation | High resolution reduction catadioptric relay lens |
DE4203464B4 (de) * | 1991-02-08 | 2007-02-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Katadioptrisches Reduktionsobjektiv |
JP3235077B2 (ja) * | 1991-09-28 | 2001-12-04 | 株式会社ニコン | 露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた半導体素子製造方法 |
US5212593A (en) * | 1992-02-06 | 1993-05-18 | Svg Lithography Systems, Inc. | Broad band optical reduction system using matched multiple refractive element materials |
-
1993
- 1993-10-08 US US08/134,505 patent/US5537260A/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-12-30 DE DE69332924T patent/DE69332924T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1993-12-30 EP EP93121146A patent/EP0608572B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-12-30 EP EP02024584A patent/EP1291695A3/en not_active Withdrawn
-
1994
- 1994-01-05 CA CA002112828A patent/CA2112828A1/en not_active Abandoned
- 1994-01-25 KR KR1019940001285A patent/KR100306619B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1994-01-25 JP JP00614694A patent/JP3636212B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CA2112828A1 (en) | 1994-07-27 |
EP1291695A2 (en) | 2003-03-12 |
EP1291695A3 (en) | 2004-11-03 |
KR940018910A (ko) | 1994-08-19 |
EP0608572B1 (en) | 2003-05-02 |
EP0608572A3 (en) | 1994-11-17 |
JPH06300973A (ja) | 1994-10-28 |
DE69332924T2 (de) | 2003-11-13 |
EP0608572A2 (en) | 1994-08-03 |
DE69332924D1 (de) | 2003-06-05 |
JP3636212B2 (ja) | 2005-04-06 |
US5537260A (en) | 1996-07-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100306619B1 (ko) | 높은개구수를갖는반사굴절식광학축소시스템 | |
USRE38421E1 (en) | Exposure apparatus having catadioptric projection optical system | |
KR100783669B1 (ko) | 바이어스에 의해 유도된 레티클 회절을 제거한 광학 축소시스템 | |
KR100894303B1 (ko) | 조사 편광 제어부를 구비한 광학 축소 시스템 | |
EP0554994B1 (en) | Broad band optical reduction system using matched refractive materials | |
US7190530B2 (en) | Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3 | |
EP0964282B1 (en) | Projection exposure apparatus with a catadioptric projection optical system | |
EP0350955B1 (en) | Optical reduction system | |
US4469414A (en) | Restrictive off-axis field optical system | |
TWI420249B (zh) | 投影曝光裝置、投影曝光方法及投影物 | |
US5805334A (en) | Catadioptric projection systems | |
JPH1048526A (ja) | 高分解能高光度対物レンズ | |
JP2007508591A (ja) | 反射屈折投影対物レンズ | |
KR20040005677A (ko) | 리소그래피 시스템의 조명 시스템에서 사용되는 릴레이 렌즈 | |
JPH10301058A (ja) | 反射屈折投影光学系 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 19940125 |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
A201 | Request for examination | ||
PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 19990112 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 19940125 Comment text: Patent Application |
|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20001027 Patent event code: PE09021S01D |
|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20010518 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20010811 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20010813 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration | ||
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20040802 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20050728 Start annual number: 5 End annual number: 5 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20060728 Start annual number: 6 End annual number: 6 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20070731 Start annual number: 7 End annual number: 7 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20080728 Start annual number: 8 End annual number: 8 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20090804 Start annual number: 9 End annual number: 9 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20100803 Start annual number: 10 End annual number: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20110729 Year of fee payment: 11 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20110729 Start annual number: 11 End annual number: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120803 Year of fee payment: 12 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20120803 Start annual number: 12 End annual number: 12 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee | ||
PC1903 | Unpaid annual fee |
Termination category: Default of registration fee Termination date: 20140709 |