KR100300909B1 - 취성재료절단용다이아몬드전착와이어및그제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 실리콘 잉곳, 유리 또는 석영등과 같은 경질 취성재료의 절단용 공구로 사용되는 다이아몬드 전착 와이어에 관한 것이다.

본 발명의 다이아몬드 전착 와이어는, 한가닥의 피아노선으로 이루어진 심선 주위에 일정한 피치의 나선상으로 다이아몬드 입자를 포함하는 2차 도금층이 형성되고, 그 2차 도금층 사이에 역시 나선상의 칩포켓이 형성된 구조로서, 이러한 본 발명의 와이어는 한가닥의 심선 주위에 일정한 피치로 비전도성 필라멘트로 이루어진 적어도 한가닥의 랩핑소선을 감아서 랩핑심선을 얻은 다음 랩핑심선의 표면중 랩핑소선이 감기지 않은 부위를 금속도금액으로 도금하는 과정에서 금속의 석출과 함께 다이아몬드 입자의 전착이 이루어지도록 한 다음 랩핑소선을 제거하여 나선상의 칩포켓이 형성되도록 하는 일련의 공정을 통해서 제조된다.

본 발명의 랩핑 다이아몬드 전착 와이어는 표면부에 나선상으로 요입된 칩포켓이 형성되어 있음에 따라 취성재료 절단시 절단 슬러리의 원활한 배출이 이루어져서 절단능율이 크게 향상되며 또한 큰 직경의 실리콘 잉곳등에 대해서도 와이어의 단선이 발생함이 없이 절단이 가능하다는 이점이 있으며, 절단면에 절단흔적을 최소화함으로써 연마공정에 소요되는 시간을 줄일 수 있는 효과가 있다.

Description

취성재료 절단용 다이아몬드 전착 와이어 및 그 제조방법

본 발명은 경질 취성재료의 절단에 사용되는 다이아몬드 전착 와이어에 관한 것으로, 보다 자세하게는 1차 도금된 스틸 심선 주위에 비전도성 필라멘트로 이루어진 랩핑소선을 나선상으로 감은 상태에서 2차 도금을 행하여 랩핑소선 사이의 나선상 심선 표면부상에 금속도금층의 형성과 함께 다이아몬드 입자의 전착이 이루어지도록 한 후 랩핑심선을 제거하여 그 제거된 부위에 칩포켓이 형성되도록 함에 의해 취성재료의 절단시 피삭재의 절단면 오염이나 절단 슬러리의 막힘이 방지되고 우수한 절단능이 발휘되도록 한 취성재료 절단용 다이아몬드 전착 와이어 및 그 제조방법에 관한 것이다.

일반적으로, 반도체 재료로 사용되는 실리콘, 갈륨-비소 잉곳 또는 유리등과 같은 경질 취성재료(硬質 脆性材料)의 절단에 사용되는 종래의 공구로는 다이아몬드 입자가 고착된 원판상 블레이드 톱, 유리분말등의 절단용 슬러리를 절단부에 공급하면서 다수개의 와이어를 절단면에 통과시키는 멀티와이어 톱 및 피아노선등의 와이어 표면에 다이아몬드 입자를 전착(電着)시킨 다이아몬드 전착 와이어등이 알려져 있다.

상기 종래의 취성재료 절단용 공구중에서 내주인 절단방식의 대표적인 형태인 블레이드 톱은 절단능은 우수하나 다이아몬드 입자의 마모나 절단중 슬러리의 막힘이 심하게 일어나서 가공능율이 떨어지고 또한 절단면에 크랙의 흔적이 크다는 문제점이 있다. 이에 더하여 최근에는 실리콘 잉곳이 대형화 추세를 취하고 있음에 따라 블레이드 톱도 대형화(대직경화)되고 있으며 절단 로스의 감소를 위해 블레이드의 두께도 박판화되고 있는 바, 현재 실리콘 잉곳의 직경이 종래의 6인치에서 8인치로 변화되어 사용되고 있고 앞으로 12인치 이상이 예상되고 있는 실정이어서 이에 부합하는 블레이드의 박판화에는 한계가 따르고 있다.

그리고, 절삭용 슬러리를 사용하는 멀티와이어 톱의 경우에는 큰 면적의 공작물을 1회의 절단작업으로 수십 또는 수백장씩 절단할 수 있다는 장점이 있긴 하나, 슬러리 혼탁액에 경유를 혼합하여 사용하기 때문에 피삭재가 오염되기 쉬우며 절단과정에서 발생된 폐슬러리 혼탁액의 처리가 까다로워 환경오염을 일으키는 문제점과 함께 절단속도가 늦고 절단면이 거칠어지는 단점도 아울러 지적되고 있다. 또한, 상기 멀티와이어 톱의 경우에는 절단작업중 와이어의 단선이 발생하는 경우 실리콘 잉곳 전체가 불량으로 처리되는 큰 문제점이 있어 경제적으로 손실이 크다.

한편, 다이아몬드 전착 와이어는 상기 여타의 취성재료 절단공구에 비해 피삭재의 절단면에 가공크랙을 덜 생성시키며 정밀도가 상대적으로 높다는 특성을 지님에 기인하여 특히 실리콘 잉곳등의 반도체 재료 절단용 공구로서 널리 사용되고 있는 바, 이러한 종래 다이아몬드 전착 와이어의 대표적인 몇가지를 살펴보면 다음과 같다.

먼저, 일본국 특허공보 소62-260006호에는 피아노 선재의 표면을 열처리하여 연한 페라이트 조직으로 변환시킨 상태에서 그 표면에 다이아몬드 입자를 물리적으로 박아넣은 다이아몬드 전착 와이어가 개시되어 있는 바, 이는 와이어 표면에 흠(크랙이나 스크래치)이 많아 절단작업중에 단선이 발생하기 쉬워서 실제 사용상에 문제가 많은 것으로 알려지고 있다.

다음, 피아노 선재의 표면에 1차 도금을 행한 후 2차 니켈 도금과 동시에 다이아몬드 입자가 전착되도록 한 형태의 다이아몬드 전착 와이어로서, 이같은 와이어는 두 개의 롤러 사이에서 엔드레스 와이어(endless wire) 형태로 설치되어 구동롤러의 회전에 의해서 와이어의 연속적인 이송이 이루어지도록 하는 가운데 피절단재를 와이어 이송로상에 접근시켜 피삭재의 절단이 이루어지도록 하고 있다. 상기 형태의 다이아몬드 전착 와이어는 비교적 손쉽게 제작이 가능하고 직경이 큰 피삭재의 절단도 가능하다는 장점을 지니고 있긴 하나, 절단중에 슬러리 막힘 현상이 발생되어 8인치 이상의 잉곳을 절단하는 때에는 절단 도중에 와이어의 파단이 일어나거나 도금층의 박리 및 다이아몬드 입자의 탈락이 발생되어 절단흔적이 크고 거칠은 절단면이 형성되어 절단후 실리콘 웨이퍼의 연마에 많은 시간이 소요되는 등의 문제점이 있다.

또한, 상기 다이아몬드 전착 와이어와는 또 다른 구조로서 일본국 공개특허공보 평7-96455호에는 피아노선에 니켈도금층을 형성한 후 그 위에 불소수지등의 수지층을 코팅한 다음 수지층을 일정폭의 나선상으로 제거하여 노출된 도금층위에 선택적으로 2차 도금층의 형성과 함께 다이아몬드 입자를 전착시킨 나선형 다이아몬드 전착 와이어가 개시되어 있다. 그러나, 상기 형태의 다이아몬드 전착 와이어는 그 제작공정중 수지코팅층을 형성하고 그 수지코팅층을 나선상으로 연삭제거하는 작업을 포함하고 있음에 따라 공정수가 많고 연속공정에서 생산성을 향상시키기가 곤란하여 제조비용이 많이 드는 문제점이 있다.

최근 반도체 및 컴퓨터 산업이 급속도로 발전함에 따라 이에 사용되는 재료의 가공 정밀도 및 가공기술에 대한 향상이 요구되고 있는 바, 특히 반도체 또는 전자 재료로서의 실리콘 단결정, 갈륨-비소, 티탄산바륨(BaTiO₃), 티탄산칼슘(CaTiO₃), 티탄산리튬(LiTiO₃), 알루미나, 살바륨-코발트를 비롯한 각종 세라믹 재료등을 가공하여 반도체 소자등으로 제작함에 있어서는 초기 가공단계로서 이들 재료의 잉곳 절단시 그 절단면이 보다 높은 평활도와 정밀도를 나타낼 것이 요구되고 있다.

따라서, 본 발명은 종래 경질 취성재료의 절단에 사용되는 다이아몬드 전착 와이어에서 지적되고 있는 상기의 제반 문제점을 해결하여 보다 정밀하면서도 높은 평활도를 지닌 절단면을 얻을 수 있도록 한 것으로서, 1차 도금된 금속 소선 혹은 1차도금선 스틸 심선 주위에 비전도성 필라멘트로 이루어진 랩핑소선을 나선상으로 감은 상태에서 2차 도금을 행하여 랩핑소선 사이의 나선상 심선 표면부상에 금속도금층의 형성과 함께 다이아몬드 입자의 전착이 이루어지도록 한 후 랩핑심선을 제거하여 그 제거된 부위에 칩포켓이 형성되도록 함에 의해 취성재료의 절단시 피삭재의 절단면 오염이나 절단 슬러리의 막힘이 방지되고 우수한 절단능이 발휘되도록 한 취성재료 절단용 다이아몬드 전착 와이어 및 그 제조방법을 제공하는 데 발명의 목적을 두고 있다.

도1은 본 발명의 일실시예 다이아몬드 전착 와이어의 외관을 보인 정면도.

도2는 본 발명의 일실시예 랩핑심선 제조과정을 보인 연선장치의 개략구조도.

도3은 본 발명의 일실시예 다이아몬드 전착 와이어의 랩핑소선 제거전 상태의 일부절결 정면도.

도4는 도3의 다이아몬드 전착 와이어에서 랩핑소선이 제거된 상태의 종단면도.

도5는 본 발명의 다른 실시예 다이아몬드 전착 와이어의 일부절결 정면도.

도6은 본 발명의 다른 실시예 다이아몬드 전착 와이어의 랩핑소선 제거전 상태의 일부절결 정면도.

(( 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ))

1. 심선 2. 다이아몬드 입자

3. 2차 도금층 4. 1차 도금층

5. 칩포켓 6. 랩핑소선

7.랩핑심선

본 발명의 상기 목적은, 금속 소선 또는 표면에 1차 금속도금층이 형성된 한가닥의 피아노 선재로 이루어진 직선상의 심선과, 심선의 주위에 일정한 간격을 두고 나선상으로 형성된 다이아몬드 입자를 포함하는 2차 도금층으로 구성된 다이아몬드 전착 와이어 구조에 의해서 달성된다.

이때, 상기 심선의 주위에 나선상으로 형성된 2차 금속도금층의 사이에는 심선의 표면부가 그대로 노출되어 나선상의 요입부를 형성하게 되며, 이 나선상 요입부가 칩포켓을 이루게 된다.

한편, 상기 나선상 요입부 형태의 칩포켓은 심선에 대한 2차 도금시 심선의 주위에 나선상으로 감겨진 비전도성 필라멘트로 이루어진 랩핑소선이 위치하였던 부분으로 2차 도금의 완료 후 랩핑소선이 제거됨으로써 생성된다. 이때, 심선의 주위에 감겨지는 랩핑소선의 직경이 적은 것이 사용되는 경우에는 랩핑소선이 감겨진 그대로의 상태에서도 2차 도금층 사이에는 나선상의 요입부로 이루어진 칩포켓이 형성되므로 랩핑소선을 제거할 필요가 없이 랩핑소선이 감겨진 상태 그대로 절단용 와이어로서 사용이 가능하다.

상기 심선은 주로 고강도의 피아노 와이어가 사용되며 그 직경은 0.05 ∼ 2.0mm 범위가 바람직하고, 비전도성 필라멘트로서의 랩핑소선은 0.002 ∼ 0.2mm의 직경을 갖는 탄소섬유, 아라미드섬유, 보론섬유, 사이잘섬유, 복합섬유, 수지파이버등이 바람직하다.

그리고, 랩핑소선은 한 가닥 또는 2 - 5가닥의 소선이 심선의 주위에 20° ∼ 60°의 연입각도를 유지하면서 심선의 주위에 스파이럴상으로 권회되어 진다.

상기 심선이 스틸 소선인 경우에는 랩핑 전에 주석, 동, 황동 또는 니켈도금으로 1차 하지도금이 행해지는 데, 이같은 1차 도금은 랩핑 후 2차 본도금을 행하기 전에 행하여 질 수도 있다.

심선의 1차 도금방법으로서는 무전해 도금 혹은 전해도금등을 비롯한 여러 도금방법이 사용될 수 있으며, 특별히 도금방법에 대한 제한은 존재하지 않는다. 한편, 랩핑전에 1차 도금을 행하는 경우에는 발청이 없고 1차 도금한 다음 스풀에 권취하여 이후 공정으로서의 랩핑과 함께 2차 도금을 연속적으로 행할 수 있다.

그러나, 랩핑 후에 1차 도금과 2차 도금을 행하는 방식에서는 전 공정이 연속적으로 행해지게 된다. 따라서, 보다 우수한 도금의 밀착성이 요구되는 때에는 1차 도금하여 랩핑한 다음 2차 도금하는 것이 보다 효과적이다.

상기 본 발명의 목적과 기술적 구성 및 그에 따른 작용효과를 비롯한 와이어 제조과정은 본 발명의 바람직한 실시예를 도시하고 있는 도면을 참조한 아래의 상세한 설명에 의해서 명확하게 이해될 것이다.

먼저, 도1은 본 발명의 일실시예 다이아몬드 전착 와이어의 외관을 보인 정면도이다.

도시된 바와같이, 본 발명의 다이아몬드 전착 와이어는, 한가닥의 피아노 선재로 이루어진 직선상의 심선(1) 표면에 형성되는 다이아몬드 입자(2)를 포함하는 2차 도금층(3)이 일정한 피치를 유지한 채 나선상으로 형성된 구조이다.

이때, 상기 심선(1)은 그 전표면에 하지도금층으로서 주석, 동, 황동, 니켈등과 같은 금속으로 1차 도금층(4)이 형성되어 있으며, 이러한 1차 도금층(4)이 형성된 심선(1)의 표면에 일정한 간격을 유지한 상태로 나선상으로 형성되는 2차 도금층(3)은 20 ∼ 80μm의 두께를 지니며, 2차 도금층(3)과 함께 균일하게 전착되는 다이아몬드 입자(2)는 20 ∼ 80μm의 크기를 갖는다.

따라서, 각각의 다이아몬드 입자(2)는 대개 일부가 2차 도금층(3) 내부에 매입되고 나머지는 2차 도금층(3)의 외부로 돌출된 형태를 취하게 된다.

한편, 상기 다이아몬드 입자(2)를 포함하는 2차 도금층(3)의 사이에는 심선(1)의 표면부가 그대로 노출된 나선상의 요입부가 형성되어 칩포켓(5)을 형성한다.

다시말하면, 본 발명의 다이아몬드 전착 와이어는 심선(1)의 외주면에 일정폭의 다이아몬드 입자(2)를 포함하는 나선상 2차 도금층(3)과 칩포켓(5)이 교호로 형성되어 있는 구조를 취하고 있다.

이와같은 본 발명 취성재료 절단용 다이아몬드 전착 와이어의 제조과정을 도2 내지 도4에 의거하여 설명하면 다음과 같다.

먼저, 도2는 본 발명의 일실시예 랩핑심선 제조과정을 보인 연선장치의 개략구조도이고, 도3은 본 발명의 일실시예 다이아몬드 전착 와이어의 비전도성 필라멘트 제거전 상태의 일부절결 정면도이며, 도4는 도3의 다이아몬드 전착 와이어에서 랩핑소선이 제거된 상태의 종단면도이다.

본 발명의 다이아몬드 전착 와이어 제조과정은 크게 심선(1)의 주위에 비전도성 필라멘트로 구성된 랩핑소선(6)을 권회하여 랩핑심선(7)을 제작하는 단계와, 랩핑심선(7)의 전 표면에 대하여 2차 도금과 함께 다이아몬드 입자의 전착이 이루어 지도록 하는 단계 및 2차 도금이 완료된 다이아몬드 전차 와이어로부터 랩핑심선(7)을 제거하여 칩포켓(5)을 형성하는 단계로 이루어진 3단계 공정으로 이루어진다.

먼저, 1단계의 랩핑심선(7) 제작단계는, 심선용 소재 와이어와에 대해 전해탈지, 수세, 산세, 1차 하지도금, 수세, 건조로 이어지는 일련의 공정을 행하여 1차 도금층이 형성된 심선(1)을 마련한 다음 도2에 도시된 바와같이 심선(1)을 공급스풀(8)에 권취함과 아울러 랩핑소선(6)을 스풀(9)에 권취한 상태에서 공급스풀(8)으로부터 인출되어 다수개의 안내롤러(10a -10d) 및 캡스턴(11)을 거쳐 권취스풀(12)에 권취되는 심선(1)의 이동경로상에 상기 랩핑소선(6)이 감겨진 스풀(9)을 설치하여 그 스풀(9)을 이동중에 있는 심선(1)의 주위로 회전시키면서 심선(1)측으로 랩핑소선(6)을 공급함에 의해서 심선(1)의 주위에 일정한 랩핑 피치(P_wrap)로 랩핑소선(6)이 감겨진 랩핑심선(7)이 얻어지게 된다.

이때, 상기 심선(1)에 대한 1차 하지도금은 랩핑심선(7)으로 성형이 완료된 이후에 수행될 수도 있다.

그리고, 랩핑 피치(P_wrap)의 조절은 심선(1)의 이동속도 및 스풀(9)의 회전속도를 조절함에 의해 조정이 가능하게 되며, 심선(1)의 주위에 감겨지는 랩핑소선(2)의 가닥수를 2개 이상으로 하고자 하는 때에는 그에 상응하는 갯수의 스풀(9)을 심선(1)의 이동로상에 설치하면 된다. 이때, 랩핑소선(6)의 가닥수는 1개 또는 2 ∼ 5개가 바람직하다.

이와같은 과정을 거쳐 랩핑심선(7)이 얻어지게 되면 2단계 공정으로서 랩핑심선(7)의 주위에 2차도금을 행하게 되는 데, 그 구체적인 공정을 도3에 의거하여 살펴보면 다음과 같다.

먼저, 공급대로부터 공급되는 랩핑심선(7)에 대하여 전해탈지, 수세, 산세 및 활성화 처리(activation)를 순차적으로 행한 후 다이아몬드 입자가 포함된 도금조에서 2차도금을 행하여 랩핑심선(7)의 주위에 2차 도금층(3)의 형성과 함께 다이아몬드 입자(2)의 전착이 이루어지도록 한 다음 수세 및 건조 과정을 수행함에 의해서 다이아몬드 전착 와이어가 얻어지게 된다.

상기 2차 도금은 도금밀착성 면에서 화학도금 보다는 전기도금이 바람직하다.

이때, 상기 랩핑심선(7)을 구성하는 심선(1)의 직경(dc)은 0.05 ∼ 2.0mm이고, 랩핑소선(2)의 직경(dw)은 0.002 ∼ 0.2mm 범위를 유지하는 바, 이와같은 랩핑심선(7)의 피치(P_wrap)는 아래의 식을 만족하도록 형성하는 것이 바람직하다.

P_wrap= dc × (1.5 ∼ 7.25)

상기 랩핑심선(7)은 심선(1)의 주위로 나선상으로 감겨진 랩핑소선(6)이 비전도성 필라멘트로 구성되어 있음에 따라 랩핑소선(6)이 감겨지지 않은 부위의 심선(1) 표면에만 2차 도금층(3)이 형성된다. 따라서, 2차 도금층(3)은 심선(1)의 주위에 나선상으로 감겨진 랩핑소선(6) 사이에 존재하는 나선상 심선(1) 표면에 국한하여 형성되는 데 그 형상은 심선(1)의 표면부측은 좁고 표면으로부터 멀어질수록 폭이 넓어지는 대략 역삼각형의 단면구조를 취하게 된다.

상기 2차 도금층(3)은 니켈, 동, 주석, 황동등으로 구성되며 그 두께는 20 ∼ 80μm 정도이고, 2차 도금층(3) 형성과정에서 도금 금속과 함께 전착되는 다이아몬드의 입자크기는 대략 20 ∼ 80μm 이다. 따라서, 다이아몬드 입자(2)는 대개 일부가 2차 도금층(3) 내부에 매입되고 나머지는 2차 도금층(3)의 외부로 돌출된 형태를 취하게 된다.

이와같은 2차 도금층(3)은, 20 ∼ 80μm 크기의 다이아몬드 입자(2)를 전기도금조에 첨가한 상태에서 랩핑심선(7)에 음극을 연결하고 도금액에 양극을 연결하여 도금시간과 전류밀도를 적절하게 조절함으로써 얻어지게 된다. 이때, 다이아몬드 입자(2)의 전착은 2차 도금조의 제1번조나 제2번조에서 가능하고, 2차 본 도금의 제1번조와 제2번조 사이에서 다이아몬드 입자를 전착시키고 2번조 이후에서 다시 금속도금액으로부터 금속을 석출시키면서 20 ∼ 80μm 두께로 조절할 수 있고 30 ∼ 50μm 범위에서 다이아몬드 입자를 더욱 견고하게 고착시킬 수 있다.

이어서, 2차 도금층(3)의 형성에 의해서 다이아몬드 입자(2)의 전착이 완료된 다음에는 랩핑소선(6)을 제거함에 의해서 도4에 도시된 바와같이, 다이아몬드 입자(2)를 포함하는 나선상의 2차 도금층(3) 사이에 마치 나선상 도랑과 같은 형태의 칩포켓(5)이 형성된 본 발명의 다이아몬드 전착 와이어가 얻어지게 된다.

상기 랩핑소선(6)의 제거작업은 심선(1)에 랩핑소선(6)을 감는 작업의 역순으로 진행된다.

한편, 도5는 본 발명의 다른 실시예 다이아몬드 전착 와이어의 일부절결 정면도로서, 도시된 바의 본 실시예에서는 심선(1)의 주위에 감겨지는 랩핑소선(6')을 도1 내지 도4의 실시예에서의 랩핑소선(6)에 비해 직경이 적은 것을 선택하여 감음으로써 2차 도금층(2') 형성후 랩핑소선을 제거할 필요없이 랩핑소선(6')이 감겨진 그대로의 상태로 사용이 가능한 구조이다. 즉, 본 실시예의 다이아몬드 전착 와이어는 랩핑소선(6')이 상대적으로 가는 것이 사용되고, 또한 2차 도금층(2')이 도1 내지 도4의 실시예 2차 도금층(2)에 비해 상대적으로 두껍게 형성되기 때문에 2차 도금층(2')의 표면부와 랩핑소선(6')의 정상부 사이에는 일정한 높이차이가 발생하게 되어 2차 도금층(2')의 사이에 나선상 요입부로 이루어진 칩포켓(5')이 형성되어 있는 구조를 취하게 된다. 본 실시예 구조의 다이아몬드 전착 와이어는 랩핑소선(6')의 제거과정을 생략할 수 있음으로 해서 그만큼 제조공정을 단순화할 수 있는 이점이 있다.

다음, 도6은 본 발명의 다른 실시예 다이아몬드 전착 와이어의 랩핑소선(6a)(6b) 제거전 상태의 구조를 보인 일부 절결 정면도로서, 도시된 바의 본 실시예 다이아몬드 전착 와이어는 앞서 살펴본 바의 도1 내지 4도의 실시예 구조에 비해 심선(1)의 주위에 감겨지는 랩핑소선(6a)(6b)이 두가닥인 구성을 제외하고는 그 외의 모든 구조가 동일하다.

이상에서 살펴본 바와같이, 본 발명의 다이아몬드 전착 와이어는 간단한 제조공정을 통해서 제작되므로 제조비용을 절감할 수 있고, 또한 표면부에 나선상으로 요입된 칩포켓이 형성되어 있음에 따라 실리콘 잉곳등의 취성재료 절단시 절단 슬러리의 원활한 배출이 이루어져서 종래의 칩포켓이 없는 전면전착 와이어에 비해 절단능율이 크게 향상되며 또한 큰 직경의 실리콘 잉곳등에 대해서도 와이어의 단선이 발생함이 없이 절단이 가능하다는 이점이 있다.

또한 본 발명의 다이아몬드 전착 와이어를 이용한 취성재료의 절단시에는 절단면에 절단흔적을 최소화함으로써 이후의 연마공정에 소요되는 시간 및 노력을 줄일 수 있는 효과와 함께 절단시 경유 대신에 수계(水系)의 절삭유 사용이 가능하므로 피삭재의 오염을 피할 수 있음과 아울러 폐수처리를 용이하게 수행할 수 있는 이점도 아울러 지니고 있다.

Claims (7)

1. 0.05 ~ 2.0mm의 직경을 갖는 한가닥의 1차 하지도금된 고강도 강선으로 이루어진 심선의 표면에 다이아몬드 입자를 포함하는 20 ~ 80㎛ 두께의 니켈이나 동 재질의 2차 도금층이 나선상으로 형성되며, 2차 도금층의 사이에는 나선상 칩포켓이 형성되어 이루어짐을 특징으로 하는 취성재료 절단용 다이아몬드 전착 와이어.
2. 제1항에 있어서, 상기 심선은 금속 소선 혹은 피아노선으로서 니켈, 동, 주석 또는 황동등의 전도성 금속으로 1차 하지도금된 것을 특징으로 하는 취성재료 절단용 다이아몬드 전착 와이어.
3. 제1항에 있어서, 상기 칩포켓은 그 저면부가 심선의 표면부인 것을 특징으로 하는 취성재료 절단용 다이아몬드 전착 와이어.
4. 제1항에 있어서, 상기 칩포켓은 그 저면부가 심선의 주위에 감겨진 심선의 직경보다는 적은 직경의 비전도성 필라멘트로 이루어진 랩핑소선의 표면부인 것을 특징으로 하는 취성재료 절단용 다이아몬드 전착 와이어.
5. 한가닥의 심선 주위에 일정한 피치로 적어도 한가닥의 비전도성 필라멘트로 이루어진 랩핑소선을 감아서 랩핑심선을 얻는 단계와, 랩핑심선의 표면을 금속도금액으로 도금하는 과정에서 금속의 석출과 함께 다이아몬드 입자의 전착이 이루어지도록 하여 랩핑심선이 감기지 않은 랩핑심선의 표면부에 2차 도금층을 형성하는 단계 및 랩핑심선으로부터 랩핑소선을 제거하여 나선상의 칩포켓을 형성하는 단계로 이루어짐을 특징으로 하는 취성재료 절단용 다이아몬드 전착 와이어의 제조방법.
6. 제5항에 있어서, 상기 심선은 랩핑 전 또는 랩핑 후에 니켈, 동, 주석 또는 황동등으로 1차 하지도금이 행해짐을 특징으로 하는 취성재료 절단용 다이아몬드 전착 와이어의 제조방법.
7. 제5항에 있어서, 상기 랩핑소선은 탄소섬유, 아라미드섬유, 보론섬유, 사이잘섬유, 복합섬유 또는 수지파이버인 것을 특징으로 하는 취성재료 절단용 다이아몬드 전착 와이어.