KR100298831B1 - 웨이퍼뒷면공정을위한마스크정렬마크패턴: - Google Patents
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Abstract
본 발명은 뒷면 공정을 위한 마스크 정렬 마크 패턴에 관한 것으로서, 특히, 뒷면 가공용 마스크 플레이트의 앞면에 형성된 마크(21)보다 중심에서부터 바깥쪽으로 넓어지도록 구성하였으며, 이 때, 상기 뒷면 공정을 위한 마스크 정렬 마크 패턴(22)은 바깥쪽으로 갈수록 5 um까지 넓어지도록 구성되였으며, 크롬막의 식각에 의해 형성되어, 개구면적이 목표 마크보다 크기 때문에 휘도가 나쁘더라도 용이하게 앞면의 마크를 찾을 수 있을 뿐만 아니라, 웨이퍼의 각도가 맞지 않았더라도 조작자가 용이하게 회전할 방향을 알 수 있으며, 중심은 앞면 마크와 일치하기 때문에 최종적으로는 중심부에서 정렬을 하면 정렬의 정확도도 향상된다는 효과가 있다.
Description
본 발명은 마스크 정렬 마크 패턴에 관한 것으로서, 특히, 접촉식 적외선 정렬기를 사용할 때 정렬을 용이하게 하기 위하여 앞면에 정의한 마크보다 바깥쪽으로 갈수록 넓게 구성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 뒷면 공정을 위한 마스크 정렬 마크 패턴에 관한 것이다.
일반적으로 마스크는 앞장과 뒷장의 마크가 일치하도록 제작한다.
도 1은 종래의 마스크 정렬 마크 패턴에 대한 구성도로서, 도 1을 참조하면, 종래의 마스크 정렬 마크 패턴은 앞면에 형성 시킨 마크(11)와 뒷면 마스크에 형성된 패턴(12)을 동일하게 구성하였다.
이러한 종래의 마스크 정렬 마크 패턴은 반도체 웨이퍼의 앞면 공정에서는 정렬 정확도가 우수하나 접촉식 적외선 정렬기를 사용하는 웨이퍼 뒷면 가공공정의 경우 콘트라스트와 휘도가 나빠 정렬이 어렵게 된다. 또한, 조작자가 손으로 정렬하기 때문에 방향성을 분간하기 어려워 정렬하는데 시간이 많이 소모 된다는 단점이 있다.
따라서, 본 발명에서는 상기와 같은 단점을 해소하기 위해, 접촉식 적외선 정렬기를 사용할 때 정렬을 용이하게 하기 위하여 앞면에 정의한 마크보다 바깥쪽으로 갈수록 넓게 구성된 웨이퍼 뒷면 공정을 위한 마스크 정렬 마크 패턴을 제공하고자 한다.
도 1은 종래의 마스크 정렬 마크 패턴에 대한 구성도,
도 2는 본 발명에 의한 마스크 정렬 마크 패턴에 대한 구성도.
〈도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉
11,21 : 앞면 정렬 마크 12,22 : 뒷면 정렬 마크
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 마스크 정렬 마크 패턴을 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 발명에 의한 웨이퍼의 뒷면 공정을 위한 마스크 정렬 마크 패턴에 대한 구성도로서, 도 2를 참조하면, 본 발명의 웨이퍼의 뒷면 공정을 위한 마스크 정렬 마크 패턴(22)은 뒷면 가공용 마스크 플레이트의 앞면에 형성된 마크(21)보다 중심에서부터 바깥쪽으로 넓어지도록 구성하였는데, 이 때, 상기 웨이퍼의 뒷면 공정을 위한 마스크 정렬 마크 패턴(22)은 크롬막의 식각에 의해 바깥쪽으로 갈수록 5 um까지 넓어지도록 구성되었다.
이와 같이 구성된 뒷면 공정을 위한 마스크 정렬 마크 패턴은 개구되었기 때문에 접촉식 적외선 정렬기를 통하여 보면 앞면의 패턴들과 정렬마크를 용이하게 찾아내어 정렬시킬 수 있다는 장점이 있다.
이 때, 상기 웨이퍼의 뒷면 공정을 위한 마스크 정렬 마크 패턴(22)은 도 2에 나타난 형상이외에 바깥쪽으로 갈수록 넓어지는 다른 형태에 의한 구성도 가능하다.
본 발명에 의하면, 정렬패턴의 크기가 중심으로부터 가장자리로 갈수록 점점 크게 넓어져 있습니다. 빛이 입사방향에 따라 x,y축 방향의 오차를 쉽게 줄일 수 있으며, 하나의 정렬 패턴으로 여러개의 정렬패턴이 있는 역할을 할 수 있다. 이렇게 함으로서, 정렬시간을 대폭 줄일 수 있고, 정렬정밀도를 대폭 향상시킬 수 있어 경비 절감의 효과를 가져오게 된다.
또한, 상기와 같은 본 발명의 웨이퍼의 뒷면 공정을 위한 마스크 정렬 마크 패턴은 개구면적이 목표 마크보다 크기 때문에 휘도가 나쁘더라도 용이하게 앞면의 마크를 찾을 수 있을 뿐만 아니라, 웨이퍼의 각도가 맞지 않았더라도 조작자가 용이하게 회전할 방향을 알 수 있으며, 중심은 앞면 마크와 일치하기 때문에 최종적으로는 중심부에서 정렬을 하면 정렬의 정확도도 향상된다는 효과가 있다.
Claims (2)
- 접촉식 적외선 정렬기를 사용하는 웨이퍼 뒷면 공정을 위한 마스크 정렬 마크 패턴에 있어서,앞면의 정렬 마크와 중심에서는 일치하고,바깥쪽으로 갈수록 넓어지는 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 뒷면 공정을 위한 마스크 정렬 마크 패턴.
- 제 1 항에 있어서, 상기 웨이퍼 뒷면 공정을 위한 마스크 정렬 마크 패턴은상기 바깥쪽이 중심쪽의 넓이보다 5㎛까지 넓어지도록 구성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 뒷면 공정을 위한 마스크 정렬 마크 패턴.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019980053145A KR100298831B1 (ko) | 1998-12-04 | 1998-12-04 | 웨이퍼뒷면공정을위한마스크정렬마크패턴: |
Applications Claiming Priority (1)
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| KR1019980053145A KR100298831B1 (ko) | 1998-12-04 | 1998-12-04 | 웨이퍼뒷면공정을위한마스크정렬마크패턴: |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20000038237A KR20000038237A (ko) | 2000-07-05 |
| KR100298831B1 true KR100298831B1 (ko) | 2001-11-30 |
Family
ID=19561437
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1019980053145A KR100298831B1 (ko) | 1998-12-04 | 1998-12-04 | 웨이퍼뒷면공정을위한마스크정렬마크패턴: |
Country Status (1)
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| KR (1) | KR100298831B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112965349A (zh) * | 2021-01-29 | 2021-06-15 | 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 | 晶圆对准方法及晶圆双面测量系统 |
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1998
- 1998-12-04 KR KR1019980053145A patent/KR100298831B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| KR20000038237A (ko) | 2000-07-05 |
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