KR100283315B1 - Wiring pattern film and its manufacturing method - Google Patents
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Abstract
본 발명은 수지 필름에 개구된 와인드부를 건너지른 금 리드에 절결부를 소정 위치에 용이하게 형성할 수 있고, 또한 금제의 리드의 소정 장소를 용이하게 연신할 수 있는 배선 패턴 부착 필름을 제공한다.This invention provides the film with a wiring pattern which can easily form a notch in a predetermined position in the gold lead which crossed the wind part opened to the resin film, and can extend easily the predetermined place of a gold lead.
반도체 소자의 전극 단자의 형성면에 접착되는 수지 필름의 접착면측에 형성된 배선 패턴으로부터 연출(延出)됨과 동시에, 상기 수지 필름에 개구된 와인드부를 건너지른 금제의 리드(18)가 상기 와인드부에 면하는 소정 장소에서 잡아당겨져 구부러져서 리드 끝이 상기 전극 단자에 접합되는 배선 패턴 부착 필름에 있어서, 상기 금제의 리드(18)를 잘록하게 하기 쉽도록 상기 와인드부를 건너지른 금제의 리드(18)의 소정 장소에 절결부가 형성되고, 또한 적어도 절결부(42a)의 가장 좁은 부분이 그 와인드부에 면하는 이면에 대한 표면이 상방으로 돌출하는 볼록형 곡면으로 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.The gold lead 18, which is drawn out from the wiring pattern formed on the adhesive surface side of the resin film adhered to the forming surface of the electrode terminal of the semiconductor element and crosses the wind portion opened in the resin film, is formed in the wind portion. In a film with a wiring pattern in which a face end is pulled and bent at a predetermined place and the lead end is joined to the electrode terminal, the gold lead 18 that has crossed the winder part so as to easily cut off the gold lead 18. A cutout portion is formed at a predetermined place, and at least the narrowest portion of the cutout portion 42a is formed as a convex curved surface protruding upward from the surface of the cutout portion 42a.
Description
본 발명은 패턴 부착 필름 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 소자의 전극 단자의 형성면에 접착되는 수지 필름의 접착면 측에 형성된 배선 패턴으로부터 연출됨과 동시에, 상기 수지 필름에 개구된 와인드부에 건너지른 금제의 리드가 상기 와인드부에 면하는 소정 장소에서 잘록하게 되어 구부러져서 리드 끝이 상기 전극 단자에 접합되는 배선 패턴 필름 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a film with a pattern and a method of manufacturing the same, and more particularly, the film is produced from a wiring pattern formed on the adhesive surface side of the resin film adhered to the forming surface of the electrode terminal of the semiconductor element, and is opened on the resin film. It relates to a wiring pattern film and a manufacturing method thereof, wherein the gold lead crossing the wind portion is cut off at a predetermined position facing the wind portion and is bent so that the lead end is joined to the electrode terminal.
근년에 와서 휴대 전화 등의 휴대용 전자 기기에 내장하는 반도체 장치로서 소형이고 또한 설치 면적을 소면적으로 할 수 있는, 도 3에 나타내는 칩 사이즈 패키지(chip size package)의 실용화가 검토되고 있다.In recent years, the practical use of the chip size package shown in FIG. 3 which can be small and a small area can be used as a semiconductor device incorporated in portable electronic devices, such as a mobile telephone.
이 칩 사이즈 패키지는 둘레 가장자리에 전극 단자(20)가 형성된 반도체 소자(10)의 일면측에 탄성 수지층인 에라스토머층(12)을 끼우고, 배선 패턴(14)이 수지 필름(16)의 한쪽 면에 형성된 배선 패턴 필름(11)(이하 단순히 필름(11)으로 칭하는 수가 있다)이 전극 단자(20)가 형성된 영역보다도 내측의 영역에 접착되어 있다. 이 필름(11)은 접착된 반도체 소자(10)의 한 면측보다도 소면적이고, 그 에라스토머층(12)과의 접착면에 형성된 금층과 동층으로 된 배선 패턴(14)의 일단측으로부터는 금제의 리드(이하 금 리드로 칭하는 수가 있다)(18)가 수지 필름(16)의 끝 가장자리 바깥쪽으로 연출되어 있다.In this chip size package, the elastomer layer 12, which is an elastic resin layer, is sandwiched on one side of the semiconductor element 10 having the electrode terminal 20 formed at the circumferential edge thereof, and the wiring pattern 14 is formed of the resin film 16. The wiring pattern film 11 (henceforth simply called the film 11) formed in one surface is adhere | attached on the area | region inside rather than the area | region in which the electrode terminal 20 was formed. The film 11 is smaller in size than one surface side of the bonded semiconductor element 10, and is made of gold lead from one end side of the wiring pattern 14 formed of the same layer as the gold layer formed on the bonding surface with the elastomer layer 12. (Hereinafter, it may be referred to as a gold lead) 18 is directed to the outer edge of the end of the resin film 16.
이 금 리드(18)는 잘록해져서 리드 끝이 반도체 소자(10)의 전극 단자(20)에 접속됨과 동시에, 전극 단자(20) 등과 함께 봉지 수지(封止 樹脂)(22)로 봉지되어 있다.The gold lead 18 is cut off, the lead end is connected to the electrode terminal 20 of the semiconductor element 10, and is sealed with the sealing resin 22 together with the electrode terminal 20 and the like.
또한 수지 필름(16)에 형성된 배선 패턴(14)의 타단측의 이면이 노출하는 개구부(23)에는 도금이나 땜납 볼 등으로 형성된 외부 접속 단자인 범프(24)가 설치되어 있다.Moreover, the bump 24 which is an external connection terminal formed with plating, a solder ball, etc. is provided in the opening part 23 which the back surface of the other end side of the wiring pattern 14 formed in the resin film 16 exposed.
이러한 필름(11)은 도 4에 나타내는 방법으로 제조된다. 도 4에서 수지 필름(16)의 일면측에 접착된 동박(32)에 배선 패턴(14) 및 금 리드(18)를 형성하는 부분의 동박(32)이 노출하도록 유기 고분자 레지스트층(34)(이하 단순히 레지스트(34)로 칭하는 수가 있다)을 도포해서 노광·현상한다[도 4a, 도 4b]. 이 동박(32)이 노출한 장소에 전해 금도금을 하여 금속 도금부(36)를 형성한다[도 4c].This film 11 is manufactured by the method shown in FIG. In FIG. 4, the organic polymer resist layer 34 (to expose the copper foil 32 at the portion forming the wiring pattern 14 and the gold lead 18 to the copper foil 32 bonded to one surface side of the resin film 16 ( The resist 34 may be simply referred to as the following), and is exposed and developed (Figs. 4A and 4B). The metal plating part 36 is formed by electrolytic gold plating in the place which this copper foil 32 exposed (FIG. 4C).
또한 도포한 레지스트층(34)을 제거하고, 수지 필름(16)의 다른 면측의 소정 장소에 동박(32)의 이면이 노출하는 개구부(23, 23)를 형성한 후에, 개구부(23)에 전해 니켈 도금에 의해 범프(24)를 형성한다[도 4d]. 이 때에 수지 필름(16)의 일면측은 마스크로 덮여있다.Furthermore, after apply | coating the resist layer 34 apply | coated and forming opening part 23 and 23 which the back surface of the copper foil 32 exposes in the predetermined place on the other surface side of the resin film 16, it delivers to the opening part 23 The bump 24 is formed by nickel plating (FIG. 4D). At this time, one side of the resin film 16 is covered with a mask.
이어서 금 리드(18)를 형성하는 수지 필름(16) 부분을 레이저광으로 제거하여, 동박(32)의 이면이 노출하는 금 리드 형성부(38)를 형성한다[도 4e].Next, the resin film 16 part which forms the gold lead 18 is removed with a laser beam, and the gold lead formation part 38 which the back surface of the copper foil 32 exposes is formed (FIG. 4E).
그 후에 금 리드 형성부(38)에서 이면이 노출하는 동박(32)을 화학 에칭 등에 의해 제거함으로써, 배선 패턴(14) 및 금 리드(18)를 형성할 수가 있다[도 4f]. 이 공정에서 금 리드 형성부(38)에 이면이 노출하는 동박(32)이 제거되어서 금층만의 금 리드(18)가 걸린 와인드부(40)가 형성된다.After that, the copper foil 32 exposed on the back surface of the gold lead forming portion 38 can be removed by chemical etching or the like to form the wiring pattern 14 and the gold lead 18 (FIG. 4F). In this process, the copper foil 32 which the back surface exposes to the gold lead forming part 38 is removed, and the winding part 40 in which the gold lead 18 only of the gold layer was stuck is formed.
이와 같이 연속해서 형성되어 있는 배선 패턴(14)과 금 리드(18)는 배선 패턴(14)이 동층과 금층의 2층으로 형성되고, 금 리드(18)는 금만으로 형성되어 있다. 이 때문에 금 리드(18)는 용이하게 잘록해질 수 있다.In this way, the wiring pattern 14 and the gold lead 18 which are formed continuously are formed of two layers of the copper layer and the gold layer, and the gold lead 18 is formed only of gold. For this reason, the gold lead 18 can be easily cut off.
또한 도 4f의 공정에서는 수지 필름(16)의 일면측에 배선 패턴(14)이 형성되는 일이 없이 노출하는 동박(32)도 동시에 제거된다.Moreover, in the process of FIG. 4F, the copper foil 32 which exposes without the wiring pattern 14 being formed in the one surface side of the resin film 16 is also removed simultaneously.
이러한 배선 패턴(14)과 금 리드(18)가 형성된 배선 패턴 필름(11)을 사용해서 반도체 장치를 제조할 때에는, 반도체 소자(10)의 전극 단자의 형성면에 수지 필름(16)의 배선 패턴(14)의 형성면을 에라스토머층(12)으로 접착한다.When manufacturing a semiconductor device using the wiring pattern film 11 in which the wiring pattern 14 and the gold lead 18 were formed, the wiring pattern of the resin film 16 was formed in the formation surface of the electrode terminal of the semiconductor element 10. FIG. The formation surface of (14) is bonded by the elastomer layer 12.
이어서 본더(도시하지 않음)로 와인드부(40)를 건너지른 금 리드(18)의 소정 장소를 잘록하게 하여 구부림과 동시에, 잘록하게 된 금 리드(18)의 리드 끝을 반도체 소자(10)의 전극 단자(20)에 접합한 후에, 금 리드(18) 및 전극 단자(20)를 봉지 수지(22)로 봉지한다.Subsequently, a predetermined place of the gold lead 18 that has crossed the winding portion 40 with the bonder (not shown) is cut off, and at the same time, the lead end of the cut gold lead 18 is cut off of the semiconductor element 10. After bonding to the electrode terminal 20, the gold lead 18 and the electrode terminal 20 are sealed with the sealing resin 22.
그리고 와인드부(40)를 건너지른 금 리드(18)를 잘록하게 할 때에, 금 리드(18)를 용이하게 잘록하게 할 수 있도록 도 5에 나타내듯이 금 리드(18)의 소정 장소에 절결부(42)가 형성된다.And when cutting the gold lead 18 which crossed the wind part 40, as shown in FIG. 5 so that the gold lead 18 can be easily cut off, the notch part ( 42) is formed.
이러한 종래의 배선 패턴 필름(11)에서는 금 리드(18)의 잘록해지는 성질을 양호하게 하기 위해서는 절결부(42)의 노치 정도를 금 리드(18)의 폭 방향으로 소정 이상으로 깊게 할 필요가 있다.In such a conventional wiring pattern film 11, in order to improve the lumping property of the gold lead 18, it is necessary to deepen the notch degree of the notch 42 in the width direction of the gold lead 18 more than predetermined. .
그러나 절결부(42)의 노치 정도가 깊어질수록 그 형성이 곤란해지고 또한 금 리드(18)의 기계적 강도가 저하하기 때문에, 절결부(42)의 노치 정도를 얕게 하지 않을 수 없다. 이러한 경우에 금 리드(18)의 잡아당김성은 저하한다.However, as the notch of the notch 42 becomes deeper, the formation thereof becomes more difficult, and the mechanical strength of the gold lead 18 is lowered. Therefore, the notch of the notch 42 is inevitably made shallower. In this case, the pulling property of the gold lead 18 is lowered.
또 반도체 소자(10)의 고집적화 등으로 인한 금 리드(18)의 고밀도화에 수반하여, 금 리드(18)가 미세화될 경우에는, 절결부(42)의 노치 정도는 더욱 얕게 되는 것도 생각할 수 있다.In addition, when the gold lead 18 is miniaturized due to the higher density of the gold lead 18 due to the higher integration of the semiconductor element 10, the notch degree of the cutout portion 42 can be considered to be even shallower.
그래서 본 발명의 과제는 수지 필름에 개구된 와인드부를 건너지른 금 리드에 절결부를 소정 위치에 용이하게 형성할 수 있고, 또한 금제의 리드의 소정 장소를 용이하게 잘록해지도록 할 수 있는 배선 패턴 필름 및 그 제조 방법을 제공하는 것에 있다.Therefore, the subject of this invention can easily form a notch in a predetermined position in the gold lead which crossed the wind part opened to the resin film, and can also make it easy to cut the predetermined place of a gold lead. And a method for producing the same.
도 1은 본 발명에 의한 배선 패턴 필름의 와인드부에 건너 질러진 금 리드의 절결부의 가장 좁은 부분이 형성된 리드 부위를 나타내는 확대도.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The enlarged view which shows the lead part in which the narrowest part of the notch part of the gold lead which crossed across the winding part of the wiring pattern film by this invention was formed.
도 2는 도 1에 나타내는 절결부의 가장 좁은 부분이 형성된 리드 부위의 횡단면 형상을 나타내는 단면도.FIG. 2 is a cross-sectional view showing a cross sectional shape of a lead portion where the narrowest portion of the cutout portion shown in FIG. 1 is formed. FIG.
도 3은 배선 패턴 필름을 이용해서 얻어진 반도체 장치의 개요를 설명하기 위한 부분 단면도.3 is a partial cross-sectional view for illustrating an outline of a semiconductor device obtained by using a wiring pattern film.
도 4는 배선 패턴 필름의 제조 공정을 설명하기 위한 공정도.4 is a flowchart for explaining a step of manufacturing a wiring pattern film;
도 5는 배선 패턴 필름의 와인드부에 건너 질러진 금 리드의 절결부의 가장 좁은 부분이 형성된 리드 부위의 상태를 나타내는 부분 확대 정면도.Fig. 5 is a partially enlarged front view showing a state of a lead portion in which the narrowest portion of the cutout portion of the gold lead across the winding portion of the wiring pattern film is formed;
도 6은 종래의 배선 패턴 필름의 와인드부에 건너 질러진 금 리드에 형성된 절결부의 가장 좁은 부분이 형성된 리드 부위를 나타내는 확대도.6 is an enlarged view showing a lead portion in which the narrowest portion of the cutout portion formed in the gold lead across the winding portion of the conventional wiring pattern film is formed;
도 7은 도 6에 나타내는 절결부의 가장 좁은 부분이 형성된 리드 부위의 횡단면 형상을 나타내는 단면도.FIG. 7 is a cross-sectional view showing a cross sectional shape of a lead portion in which the narrowest portion of the cutout portion shown in FIG. 6 is formed; FIG.
(부호의 설명)(Explanation of the sign)
10 반도체 소자10 semiconductor devices
11 배선 패턴 필름11 wiring pattern film
14 배선 패턴14 Wiring Pattern
18 금 리드18 gold lead
40 와인드부40 Winders
42, 42a 절결부42, 42a cutout
본 발명자는 상기 과제를 해결하기 위해 우선 도 5에 나타내는 절결부(142)의 가장 좁은 부분이 형성된 리드 부위(A)를 현미경으로 관찰하였던 바, 종래의 필름(11)에서는 도 6에 나타내듯이 절결부(142)의 가장 좁은 부분이 형성된 리드 부위가 와인드부(40)에 면하는 평탄한 이면에 대한 표면도 평탄한 판형인 것 및 이 리드 부위의 횡단면 형상은 도 7에 나타내듯이 직사각형인 것을 알았다. 또한 도 6 및 도 7에 나타내는 금 리드(18)의 절결부(142)는 절결부(142)의 금 리드(18)의 폭 방향으로의 노치 정도와 잘록해지는 성질이 비례 관계에 있는 것도 아울러 알았다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM In order to solve the said subject, first, when the lead part A in which the narrowest part of the notch 142 shown in FIG. 5 was formed was observed under the microscope, in the conventional film 11, as shown in FIG. It was found that the lead portion on which the narrowest portion of the tie portion 142 was formed has a flat plate surface with respect to the flat back surface facing the wind portion 40, and the cross sectional shape of the lead portion was rectangular as shown in FIG. 7. 6 and 7 also show that the cutout portion 142 of the gold lead 18 shown in Figs. 6 and 7 has a proportional relationship between the notch degree in the width direction of the gold lead 18 of the cutout portion 142 and the cut-off property. .
이 때문에 본 발명자는 금 리드의 잘록해지는 성질을 향상시키기 위해, 절결부의 가장 좁은 부분이 형성된 리드 부위의 형상에 대해서 다양한 검토를 행한 결과, 절결부의 가장 좁은 부분이 형성된 리드 부위의 횡단면 형상을 반타원 형상으로 함으로써, 이러한 리드 부위의 횡단면 형상이 직사각형 형상의 금 리드보다도 잘록해지는 성질이 향상되는 것, 및 절결부의 가장 좁은 부분이 형성된 리드 부위의 횡단면 형상이 반타원 형상인 금 리드는 결정 제조제를 실질적으로 함유하지 않는 금 도금액에 펄스 파형의 도금 전류를 인가한 전해 금도금에 의해 용이하게 형성할 수 있는 것을 발견하고 본 발명에 도달하였다.For this reason, the present inventors conducted various studies on the shape of the lead portion in which the narrowest portion of the cutout is formed in order to improve the narrowing property of the gold lead. The semi-elliptic shape improves the property that the cross-sectional shape of the lead portion becomes narrower than the rectangular gold lead, and the gold lead whose cross-sectional shape of the lead portion on which the narrowest portion of the cutout is formed is semi-elliptical is determined. It has been found that the present invention has been found to be easily formed by electrolytic gold plating in which a plating current of pulse waveform is applied to a gold plating solution substantially free of a manufacturing agent.
즉 본 발명은 반도체 소자의 전극 단자의 형성면에 접착되는 수지 필름의 접착면 측에 형성된 배선 패턴으로부터 연출함과 동시에, 상기 수지 필름에 개구된 와인드부를 건너지른 금제의 리드가 상기 와인드부에 면하는 소정 장소에서 잡아당겨져 잘록해져서 리드 끝이 상기 전극 단자에 접합되는 배선 패턴 필름에 있어서, 상기 금제의 리드를 잘록하게 하기 쉽도록 상기 와인드부를 건너지른 금제의 리드의 소정 장소에 절결부가 형성되고, 또한 적어도 상기 절결부의 가장 좁은 부분이 그 와인드부에 면하는 이면에 대한 표면이 상방으로 돌출하는 볼록형 곡면으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 배선 패턴 필름이다.In other words, the present invention is produced from a wiring pattern formed on the bonding surface side of the resin film adhered to the forming surface of the electrode terminal of the semiconductor element, and the gold lead crossing the wind portion opened in the resin film faces the wind portion. In the wiring pattern film which is pulled and cut | disconnected in the predetermined place, and a lead end is joined to the said electrode terminal, the cutout part is formed in the predetermined place of the gold lead which crossed the said wind part so that it may be easy to cut the said gold lead, Moreover, at least the narrowest part of the said notch part is formed in the convex-shaped curved surface which protrudes upwards with respect to the back surface which faces the wind part, It is a wiring pattern film characterized by the above-mentioned.
이러한 본 발명에서 금제의 리드를 금도금으로 형성하고, 금제의 리드의 전 길이에 걸쳐서 그 와인드부에 면하는 이면에 대한 표면을 상방으로 돌출하는 볼록형 곡면으로 형성함으로써, 잘록해지는 성질과 금 리드의 유연성을 아울러 갖출 수가 있다.In the present invention, the gold lead is formed of gold plating, and the convex curved surface protruding upward from the surface of the gold lead over the entire surface of the gold lead over the entire length of the gold lead, thereby reducing the constriction and flexibility of the gold lead. It can also be equipped with.
또한 절결부를 포함하는 금제의 리드의 전 길이에 걸쳐서 그 횡단면 형상을 반타원 형상으로 함으로써 더욱 잘록해지는 성질을 향상시킬 수 있다.Furthermore, the cross-sectional shape is made semi-elliptical over the entire length of the golden lead including a notch, and the property which becomes more constricted can be improved.
그리고 본 발명에서 말하는 "리드의 소정 장소에 절결부가 형성되어"란 전극 단자에 접합되는 리드 끝이 형성되는 장소에 리드 측면이 절삭되는 절결부가 형성되어 있는 것을 의미한다.In addition, the "cutting part is formed in the predetermined | prescribed place of a lead" as used in this invention means that the notch part which cut | disconnects a lead side part is formed in the place where the lead tip joined to an electrode terminal is formed.
또 본 발명은 수지 필름의 일면측에 형성된 금속층이 소망하는 패턴으로 노출하도록 상기 금속층의 표면에 레지스트층을 형성한 후에, 상기 금속층이 노출하는 노출부에 전해 금도금을 해서 배선 패턴을 형성하고, 이어서 상기 배선 패턴 중의 잘록하게 되어 구부러져서 리드 끝이 반도체 소자의 전극 단자에 접합되는 금제의 리드를 형성하는 영역의 수지 필름 부분 및 금속층 부분을 제거함으로써, 상기 금제의 리드를 잘록하게 하기 쉽도록 상기 윈도부에 건너지는 금제의 리드가 걸린 와인드부를 개구해서 배선 패턴 필름을 제조할 때에, 상기 금제의 리드의 소정 장소에 절결부를 형성하기 위해, 상기 리드를 형성하는 금속층의 노출부의 소정 장소에 상기 리드 폭보다도 좁은 부분을 상기 레지스트층으로 형성한 후에, 상기 금속층의 노출부에 결정 조정제를 실질적으로 함유하지 않은 금 도금액에 펄스 파형의 도금 전류를 인가해서 전해 금도금을 하는 것을 특징으로 하는 배선 패턴 필름의 제조 방법을 제공한다.In the present invention, after forming a resist layer on the surface of the metal layer so that the metal layer formed on one side of the resin film is exposed in a desired pattern, an electrolytic gold plating is performed on the exposed portion exposed by the metal layer to form a wiring pattern. The window is made to be easily cut off by removing the resin film portion and the metal layer portion in the region where the lead end is cut and bent in the wiring pattern to form a gold lead bonded to the electrode terminal of the semiconductor element. In order to form a cutout portion at a predetermined place of the gold lead when opening a winding portion in which a gold lead across the portion is applied to produce a wiring pattern film, the lead is placed at a predetermined place of an exposed portion of the metal layer forming the lead. After forming a portion narrower than the width of the resist layer, crystals are formed on exposed portions of the metal layer. Provided is a method for producing a wiring pattern film, which is subjected to electrolytic gold plating by applying a plating current of pulse waveform to a gold plating solution substantially free of a regulator.
이러한 본 발명에서 금 도금액으로는 시안화 금속 화합물을 함유하고 또한 알칼리 금속의 함유량이 1.5mol/리터 이하의 금도금 액을 사용함으로써, 레지스트층으로서 유기 고분자 레지스트층을 사용한 때에, 유기 고분자 레지스트층이 전해 금도금 중에서 박리하는 것을 방지할 수 있다.In this invention, when a gold plating solution containing a metal cyanide compound and an alkali metal content of 1.5 mol / liter or less is used, when the organic polymer resist layer is used as the resist layer, the organic polymer resist layer is electroplated. Peeling off can be prevented.
또한 본 발명에서 말하는 "리드의 소정 장소에 절결부를 형성해야 하기 위해"란 전극 단자에 접합되는 리드 끝이 형성되는 장소에 리드 측면을 절삭해서 절결부를 형성하는 것을 의미한다.In addition, the "in order to form a cutout part in a predetermined place of a lead" as used in the present invention means to cut the lead side at a place where a lead end joined to the electrode terminal is formed to form a cutout part.
본 발명에 의한 배선 패턴 필름에 의하면, 금 리드에 형성한 절결부의 가장 좁은 부분이 형성된 리드 부위는 그 와인드부에 면하는 이면에 대한 표면이 상방으로 돌출하는 볼록형 곡면으로 형성되어 있다. 이러한 리드 부위에 형성된 절결부의 가장 좁은 부분은 도 6 및 도 7에 나타내듯이 리드 부위가 판형으로 형성된 절결부의 가장 좁은 부분보다도 가늘게 형성할 수 있고, 금 리드의 잘록해지는 성질을 향상시킬 수 있다.According to the wiring pattern film by this invention, the lead part in which the narrowest part of the notch part formed in the gold lead was formed is formed in the convex curved surface which the surface with respect to the back surface which faces the wind part protrudes upwards. 6 and 7, the narrowest portion of the cutout portion formed in the lead portion can be formed thinner than the narrowest portion of the cutout portion in which the lead portion is formed in a plate shape, and the narrowing property of the gold lead can be improved. .
또 배선 패턴 필름의 배선 패턴 및 금 리드는 전해 금도금으로 형성할 수 있지만, 통상의 전해 금도금에 사용되는 금 도금액에는 탈륨 등의 결정 조정제가 함유되어 있다. 이러한 결정 조정제를 함유한 금 도금액에서는 전해 금도금으로 형성된 절결부의 가장 좁은 부분이 형성된 리드 부위는 판형으로 형성된다.Moreover, although the wiring pattern of a wiring pattern film and a gold lead can be formed by electrolytic gold plating, the crystal plating agent, such as thallium, is contained in the gold plating liquid used for normal electrolytic gold plating. In the gold plating solution containing such a crystal regulator, the lead portion where the narrowest portion of the cutout portion formed of the electrolytic gold plating is formed is formed in a plate shape.
이에 반해 본 발명에서는 탈륨 등의 결정 조정제를 실질적으로 함유하지 않은 금 도금액에 펄스 파형의 도금 전류를 인가해서 전해 금도금을 함으로써, 절결부의 가장 좁은 부분이 형성된 리드 부위를 그 와인드부에 면하는 이면에 대한 표면을 상방으로 돌출하는 볼록형 곡면으로 형성할 수 있다.In contrast, in the present invention, electrolytic gold plating is performed by applying a plating current of a pulse waveform to a gold plating solution substantially free of a crystal regulator such as thallium, so that the lead portion on which the narrowest portion of the cutout is formed faces the wind portion. It can be formed as a convex curved surface protruding upwards the surface for.
(발명의 실시예)(Example of the invention)
본 발명에 의한 배선 패턴 필름은 수지 필름에 개구된 와인드부를 건너지른 금 리드의 소정 장소에 절결부가 형성되어 있을 필요가 있다. 이러한 절결부는 금 리드를 잘록하게 하는 장소 즉 반도체 소자의 전극 단자에 접합하는 금 리드의 리드 끝을 형성하는 장소의 근방에 형성되는 것이 바람직하다. 이 절결부는 리드 측면에 절결부가 형성된 것이다.In the wiring pattern film by this invention, the notch part needs to be formed in the predetermined | prescribed place of the gold lead which crossed the wind part opened to the resin film. Such cutouts are preferably formed in the vicinity of the place where the gold lead is cut off, that is, the place where the lead end of the gold lead joined to the electrode terminal of the semiconductor element is formed. This cutout is a cutout formed on the side of the lead.
또 이 절결부의 가장 좁은 부분이 형성된 리드 부위는 그 와인드부에 면하는 이면에 대한 표면이 상방으로 볼록형 곡면이 되도록 형성될 필요가 있다. 이 절결부의 가장 좁은 부분이 형성된 리드 부위를 현미경으로 관찰하면, 도 1에 나타내듯이 이러한 리드 부위에는 각(角)부(능선부)가 명확하게 관찰되지 않는다. 이 볼록형 곡면은 도 3에 나타내는 반도체 소자(10)의 전극 단자(20)에 접합되는 면이다.Moreover, the lead part in which the narrowest part of this notch part was formed needs to be formed so that the surface with respect to the back surface which faces the wind part may become a convex curved surface upwards. When the lead part in which the narrowest part of this cutout part was formed is observed under a microscope, as shown in FIG. 1, an angle part (ridgeline part) is not observed clearly in this lead part. This convex curved surface is a surface joined to the electrode terminal 20 of the semiconductor element 10 shown in FIG.
또한 절결부(42a)의 가장 좁은 부분이 형성된 리드 부위는 그 와인드부에 면하는 이면이 평탄면이고, 이 리드 부위의 횡단면 형상은 도 2에 나타내듯이 반타원 형상이다. 이러한 반타원 형상은 도 2a에 나타내듯이 와인드부에 면하는 평탄한 면을 형성하는 변(44a)에 대한 볼록형 곡면을 형성하는 변(44b)이 중고(中高)의 반월형이어도 좋고, 도 2b에 나타내듯이 와인드부에 면하는 평탄한 이면을 형성하는 변(44a)에 대한 볼록형 곡면을 형성하는 변(44b)의 중앙부 근방의 곡률이 변(44b)의 단부측의 곡률보다 작아도 좋다.Moreover, the lead part in which the narrowest part of the cutout part 42a was formed is the back surface which faces the wind part, and the cross-sectional shape of this lead part is a semi-ellipse shape as shown in FIG. As shown in Fig. 2A, the semi-elliptic shape may be a mid-high moon shape, as shown in Fig. 2B, the side 44b forming a convex curved surface with respect to the side 44a forming a flat surface facing the wind portion. The curvature of the vicinity of the center part of the edge 44b which forms the convex curved surface with respect to the edge 44a which forms the flat back surface facing a wind part may be smaller than the curvature of the edge part side of the edge 44b.
이러한 도 1 및 도 2에 나타내듯이 절결부(42a)의 가장 좁은 부분이 형성된 리드 부위의 횡단면 형상이 반타원 형상인 금 리드(18)는 도 6 및 도 7에 나타내듯이 절결부(142)의 가장 좁은 부분이 형성된 리드 부위의 횡단면 형상이 직사각형의 금 리드보다도 그 가장 좁은 부분을 가늘게 형성할 수 있다. 그 결과 도 6 및 도 7에 나타내는 절결부(142)가 형성된 절결부와 비교해서 절결부(42a)가 형성된 금 리드(18)의 잘록해지는 성질을 향상시킬 수 있다.As shown in FIGS. 1 and 2, the gold lead 18 having a semi-elliptic cross-sectional shape of the lead portion in which the narrowest portion of the cutout portion 42a is formed is shown in FIGS. 6 and 7. The cross-sectional shape of the lead part in which the narrowest part was formed can make thinner the narrowest part than a rectangular gold lead. As a result, compared with the notch which formed the notch 142 shown in FIG. 6 and FIG. 7, the property of the gold lead 18 in which the notch 42a was formed can be improved.
또한 금 리드(18)의 전 길이에 걸쳐서 그 횡단면 형상이 반타원 형상이 되도록 형성되어도 좋다.Moreover, you may be formed so that the cross-sectional shape may become semi-elliptical shape over the full length of the gold lead 18. FIG.
도 1 및 도 2에 나타내는 절결부(42a)가 형성된 금 리드(18)를 구비하는 배선 패턴 필름은 도 4에 나타내는 제조 방법으로 제조할 수 있다. 즉 수지 필름(16)의 일면측에 접착된 금속층인 동박(32)이 소망의 패턴으로 노출하도록 동박(32)에 레지스트층(34)을 형성한 후에, 동박(32)이 노출하는 노출 부분에 전해 금도금을 해서 배선 패턴(14)과 배선 패턴(14)의 일단측으로부터 연출되고 또한 반도체 소자의 전극 단자에 일단이 접합되는 금 리드(18)를 형성하는 금 도금부(36)를 형성한다.The wiring pattern film provided with the gold lead 18 in which the notch 42a shown in FIG. 1 and FIG. 2 is formed can be manufactured with the manufacturing method shown in FIG. That is, after forming the resist layer 34 in the copper foil 32 so that the copper foil 32 which is the metal layer adhere | attached on one surface side of the resin film 16 in a desired pattern, it may be exposed to the exposed part which copper foil 32 exposes. The gold plating part 36 which forms the gold lead 18 which is produced from the one end side of the wiring pattern 14 and the wiring pattern 14 by the electrolytic gold plating, and the one end is joined to the electrode terminal of a semiconductor element is formed.
또한 레지스트층(34)을 제거하고, 배선 패턴(14)의 타단측에 대응하는 수지 필름(16)의 부위를 동박(32)의 이면이 노출하도록 수지 필름(16)의 타면측으로부터 개구부(23, 23)를 형성한 후에, 개구부(23)에 범프(24)를 형성한다. 이 범프(24)가 예를 들어 니켈제의 범프일 경우에는 동박(34)을 전극으로 하는 전해 니켈 도금을 함으로써 형성할 수 있다.In addition, the resist layer 34 is removed, and the opening 23 from the other surface side of the resin film 16 is exposed so that the back surface of the copper foil 32 exposes a portion of the resin film 16 corresponding to the other end side of the wiring pattern 14. After the 23 is formed, the bumps 24 are formed in the openings 23. When this bump 24 is a nickel bump, for example, it can form by electrolytic nickel plating which makes the copper foil 34 an electrode.
이어서 금 리드(18)를 형성하는 수지 필름(16)의 부분을 레이저광으로 제거하고, 동박(32)의 이면이 노출하는 금 리드 형성부(38)를 형성한다.Next, the part of the resin film 16 which forms the gold lead 18 is removed with a laser beam, and the gold lead formation part 38 which the back surface of the copper foil 32 exposes is formed.
그 후에 금 리드 형성부(38)에서 이면이 노출하는 동박(32)을 화학 에칭 등으로 제거하고, 배선 패턴(14) 및 금 리드(18)를 형성할 수 있다. 이 공정에서 금 리드 형성부(38)에 이면이 노출하는 동박(32)이 제거되어서 금 리드(18)가 걸린 와인드부(40)가 형성된다.Then, the copper foil 32 which the back surface exposes in the gold lead formation part 38 can be removed by chemical etching etc., and the wiring pattern 14 and the gold lead 18 can be formed. In this process, the copper foil 32 whose back surface is exposed to the gold lead formation part 38 is removed, and the wind part 40 which the gold lead 18 was caught is formed.
또한 수지 필름(16)의 일면측에서 배선 패턴(14)이 형성되는 일이 없이 노출하는 동박(32)도 금 리드 형성부(38)에서 이면이 노출하는 동박(32)을 에칭 등에 의해 제거할 때에 동시에 제거된다.In addition, the copper foil 32 exposed without the wiring pattern 14 being formed on one surface side of the resin film 16 can also be removed by etching or the like. Is removed at the same time.
도 4에 나타내는 배선 패턴 필름의 제조 방법에서는 동박(32)에 레지스트층(34)을 형성할 때에, 금 리드(18)를 잘록하게 하기 쉽도록 와인드부(40)를 건너지른 금 리드(18)의 소정 장소에 절결부(42a)를 형성하기 위해, 금 리드 형성 예정의 동박(32)의 노출부에 금 리드 폭보다도 좁은 부분을 레지스트층(34)으로 형성한다.In the manufacturing method of the wiring pattern film shown in FIG. 4, when forming the resist layer 34 in the copper foil 32, the gold lead 18 which crossed the wind part 40 so that the gold lead 18 may be easily cut off is shown. In order to form the cutout part 42a at the predetermined place of this, the part narrower than the gold lead width is formed by the resist layer 34 in the exposed part of the copper foil 32 by which the gold lead is going to be formed.
또한 동박(32)의 노출부에 전해 금도금을 할 때에, 탈륨 등의 결정 조정제를 실질적으로 함유하지 않은 금 도금액을 사용함과 동시에, 펄스 파형의 도금 전원을 사용한 펄스 도금을 채용할 것이 중요하다.In addition, when electrolytic gold plating is performed on the exposed portion of the copper foil 32, it is important to use a gold plating solution that is substantially free of a crystal regulator such as thallium and to employ pulse plating using a pulse wave plating power source.
여기서 전해 금도금에서 통상으로 사용되는 금 도금액에는 탈륨, 납, 비소 등의 결정 조정제가 포함되어 있다. 이러한 결정 조정제를 함유하는 금 도금액을 사용하면, 도 6 및 도 7에 나타내듯이 절결부(142)의 가장 좁은 부분이 형성된 리드 부위가 판형으로 형성되고, 금 리드의 잘록해지는 성질이 저하한다.Here, the gold plating solution commonly used in electrolytic gold plating contains crystallization agents such as thallium, lead and arsenic. When the gold plating solution containing such a crystal regulator is used, as shown in Figs. 6 and 7, the lead portion in which the narrowest portion of the cutout portion 142 is formed is formed into a plate shape, and the quality of the gold lead is reduced.
또 펄스 도금 대신에 직류 전원을 사용한 직류 도금을 채용하면, 마찬가지로 절결부(142)의 가장 좁은 부분이 형성된 리드 부위가 판형으로 형성된다.If a direct current plating using a direct current power source is used instead of the pulse plating, a lead portion in which the narrowest portion of the cutout portion 142 is formed is similarly formed into a plate shape.
또한 본 발명에서 채용하는 금도금 조건으로서는 전류 밀도를 1∼2.5A/dm2로 하고, 펄스 조건을 통전 시간(ON-Time) 0.1∼3msec이고 또한 차단 시간(OFF-Time) 1msec 이상의 전해 금도금 조건으로 하는 것이 바람직하다.As the gold plating conditions employed in the present invention, the current density is 1 to 2.5 A / dm 2 , and the pulse conditions are the electrolytic gold plating conditions of 0.1 to 3 msec of ON-Time and 1 msec or more of OFF-Time. It is desirable to.
이와 같이 해서 형성된 배선 패턴(14)과 금 리드(18)가 형성된 배선 패턴 필름(11)을 사용해서 반도체 장치를 제조할 때에는, 반도체 소자(10)의 전극 단자의 형성면에 수지 필름(16)의 배선 패턴(14)의 형성면을 에라스토머층(12)으로 접착한다.When manufacturing a semiconductor device using the wiring pattern film 11 formed in this way, and the wiring pattern film 11 in which the gold lead 18 was formed, the resin film 16 was formed in the formation surface of the electrode terminal of the semiconductor element 10. FIG. The formation surface of the wiring pattern 14 is bonded to the elastomer layer 12.
이어서 본더로 와인드부(40)를 건너지른 금 리드(18)를 절결부(42a)의 가장 좁은 부분에서 잘록하게 하고, 이 잘록하게 한 금 리드(18)를 구부리게 하면서 리드 끝을 반도체 소자(10)의 전극 단자(20)에 접합한다. 이 본더에 의한 금 리드(18)의 잘록해지는 성질은 도 6 및 도 7에 나타내듯이 절결부(142)의 가장 좁은 부분이 형성된 리드 부위가 판형으로 형성된 금 리드보다도 양호하다.Subsequently, the gold lead 18 crossing the winder 40 with the bonder is cut off at the narrowest portion of the cutout 42a, and the end of the lead is bent while the bent gold lead 18 is bent. It joins to the electrode terminal 20 of 10). As shown in Figs. 6 and 7, the lead portion in which the narrowest portion of the cutout portion 142 is formed is better than the gold lead formed in the plate shape.
그 후에 금 리드(18) 및 전극 단자(20)를 봉지 수지(22)로 봉지함으로써, 반도체 장치[칩 사이즈 패키지(Chip Size Package)]를 제조할 수 있다.After that, the gold lead 18 and the electrode terminal 20 are sealed with the encapsulating resin 22, whereby a semiconductor device (chip size package) can be manufactured.
그리고 전해 금도금으로는 도금액의 안정성이 양호하고 액의 수명이 긴 시안화 금 화합물을 함유한 시안계 금 도금액이 공업적으로 채용되고 있지만, 도 4에서 금 리드(18) 등을 형성하는 전해 금도금에서는 두께 20㎛ 이상의 금층을 형성하는 두꺼운 도금을 할 필요가 있다. 이와 같은 두꺼운 도금을 시안계 금 도금액을 사용하여 예를 들어 전류 밀도가 1A/dm2의 조건으로 도금하면, 레지스트층(34)에 의해 부분적으로 동박(32)이 마스크된 수지 필름(16)을 60∼70℃의 금 도금액에 약 40분간이나 침지하여 둘 필요가 있다.As the electrolytic gold plating, although a cyanide gold plating solution containing a gold cyanide compound having a good stability of the plating solution and a long lifetime of the liquid is employed industrially, in the electrolytic gold plating forming the gold lead 18 or the like in FIG. It is necessary to perform thick plating to form a gold layer of 20 µm or more. When such thick plating is carried out using a cyan-based gold plating solution, for example, under a condition of a current density of 1 A / dm 2 , the resin film 16 in which the copper foil 32 is partially masked by the resist layer 34 is formed. It is necessary to immerse it for about 40 minutes in 60-70 degreeC gold plating solution.
그러나 이러한 전해 금도금 조건하에서는 레지스트층(34)이 박리하여 금 리드(18) 등의 성형의 정밀도가 저하하는 현상이 발생하기 쉽다.However, under such electrolytic gold plating conditions, a phenomenon in which the resist layer 34 peels off and the precision of molding of the gold lead 18 or the like decreases easily occurs.
이와 같은 레지스트층(34)의 박리 현상은 아황산 금 등을 사용한 비시안계 금 도금액을 사용함으로써 방지할 수 있지만, 비시안계 금 도금액은 시안계 금 도금액과 비교해서 안정성이 떨어지고 액의 수명이 짧기 때문에, 공업적으로는 채용할 수 없는 것이다.Such peeling phenomenon of the resist layer 34 can be prevented by using a non-cyanide gold plating solution containing gold sulfite or the like, but since the non-cyanide gold plating solution is less stable than the cyanide gold plating solution, the life of the liquid is short. Industrially it cannot be adopted.
이러한 레지스트층(34)이 박리하는 박리 현상은 시안계 금 도금액 중에 전도도 염으로서 첨가하는 칼륨염이나 나트륨염 등의 알칼리 금속염의 영향이 대단히 크다.The peeling phenomenon in which the resist layer 34 is peeled off is greatly affected by alkali metal salts such as potassium salt and sodium salt which are added as conductivity salts in the cyan-based gold plating solution.
이 때문에 전도도 염으로는 알칼리 금속염 대신에 인산 1암모늄이나 크엔산 2암모늄 등의 암모늄염을 사용함으로써, 전해 금도금 중에 레지스트층(34)이 박리하는 박리 현상을 방지할 수 있다.For this reason, by using ammonium salts, such as ammonium phosphate and ammonium diammonium phosphate, instead of an alkali metal salt, the peeling phenomenon in which the resist layer 34 peels in electrolytic gold plating can be prevented.
단 금 공급원으로서 첨가되는 시안화금 칼륨[KAu(CN)2] 등으로부터 알칼리 금속이 주입됨과 동시에, 금 도금액 중의 시안화금 칼륨[KAu(CN)2]의 양이 소정량 이하로 감소할 때에는, 시안화금 칼륨[KAu(CN)2]을 공급해서 연속 사용된다. 이 때문에 금 도금액 중에는 알칼리 금속이 점차로 축적된다.Soon as the alkali metal injected from the end cyanide gold potassium is added as a gold source [KAu (CN) 2], etc. At the same time, when the amount of the gold plating solution cyanide gold potassium [KAu (CN) 2] of the reduced below the predetermined amount, cyanide It is used continuously by supplying gold potassium [KAu (CN) 2 ]. For this reason, an alkali metal gradually accumulates in a gold plating liquid.
그러나 금 도금액 중의 알칼리 금속의 함유량이 1.5mol/리터 이하, 바람직하게는 0.3mol/리터 이하로 컨트롤함으로써, 전해 금도금 중의 레지스트층(34)의 박리 현상을 억제할 수 있다.However, by controlling the content of the alkali metal in the gold plating solution to 1.5 mol / liter or less, preferably 0.3 mol / liter or less, the peeling phenomenon of the resist layer 34 in the electrolytic gold plating can be suppressed.
또한 암모늄염으로는 금 도금액의 전기 전도도가 불충분할 경우에는, 알칼리 토류 금속염을 전도도 염으로서 사용할 수가 있다. 이러한 알칼리 토류 금속염을 첨가하여도 전해 금도금 중에 레지스트층(34)의 박리 현상을 방지할 수 있다. 이 알칼리 토류 금속염으로는 마크네슘염 또는 칼륨염, 특히 마그네슘염이 바람직하다. 이러한 마그네슘염으로는 황산 마그네슘, 염화 마그네슘, 초산 마그네슘 등을 들 수가 있다.In addition, when the electrical conductivity of the gold plating solution is insufficient as the ammonium salt, an alkaline earth metal salt can be used as the conductivity salt. Even if such alkaline earth metal salt is added, peeling phenomenon of the resist layer 34 can be prevented in electrolytic gold plating. As this alkaline earth metal salt, a magnesium salt or potassium salt, especially magnesium salt is preferable. Examples of such magnesium salts include magnesium sulfate, magnesium chloride and magnesium acetate.
또한 전도도염으로서 알칼리 토류 금속염과 암모늄염을 병용하여도 좋다.In addition, an alkaline earth metal salt and an ammonium salt may be used together as the conductive salt.
(실시예)(Example)
본 발명을 실시예로 더욱 상세히 설명한다.The present invention will be described in more detail by way of examples.
(실시예 1)(Example 1)
도 4에 나타내는 제조 방법에 의해 배선 패턴 필름(11)을 제조하였다. 우선 수지 필름(16)의 일면측에 접착된 동박(32)이 소망하는 패턴으로 노출하도록 동박(32)에 레지스트층(34)을 형성하였다. 이 때에 금 리드(18)를 형성하는 소정 장소의 동박(32)의 노출부에 금 리드 폭보다도 좁은 부분을 레지스트층(34)으로 형성하였다.The wiring pattern film 11 was manufactured by the manufacturing method shown in FIG. First, the resist layer 34 was formed in the copper foil 32 so that the copper foil 32 adhered to the one surface side of the resin film 16 may be exposed in a desired pattern. At this time, a portion narrower than the gold lead width was formed with the resist layer 34 in the exposed portion of the copper foil 32 at the predetermined place where the gold lead 18 was formed.
또한 동박(32)이 노출하는 노출부에 하기 표 1에 나타내는 금 도금액과 펄스 조건 항에서 전해 금도금을 해서 배선 패턴(14)과 배선 패턴(14)의 일단측으로부터 연출되고 또한 반도체 소자의 전극 단자에 일단이 접합되는 금 리드(18)를 형성하는 두께 30㎛의 금 도금부(36)를 형성한다.The exposed portion exposed by the copper foil 32 is subjected to electrolytic gold plating under the gold plating solution and the pulse condition term shown in Table 1 below, and is produced from one end of the wiring pattern 14 and the wiring pattern 14, and the electrode terminal of the semiconductor element. A gold plated portion 36 having a thickness of 30 µm is formed to form a gold lead 18 to which one end is joined.
표 1에서 인산 1암모늄 및 크엔산 2암모늄은 전도도염으로서 사용하고, 암모니아수는 pH 조정을 위해서 사용하였다.In Table 1, ammonium phosphate and diammonium cyanate were used as conductivity salts, and ammonia water was used for pH adjustment.
이어서 레지스트층(34)을 제거하고 수지 필름(16)의 일면측을 마스크로 피복하면서, 배선 패턴(14)의 타단측에 위치하는 수지 필름(16)의 부위를 동박(32)의 이면이 노출하도록 수지 필름(16)의 타면측으로부터 개구부(23, 23)를 형성한 후에, 동박(34)을 전극으로 하는 전해 니켈 도금을 함으로써, 개구부(23)에 니켈제의 범프(24)를 형성한다. 이 범프(24)의 표면에는 금도금을 한다.Subsequently, the back surface of the copper foil 32 is exposed to the site | part of the resin film 16 located in the other end side of the wiring pattern 14, removing the resist layer 34 and covering one surface side of the resin film 16 with a mask. After forming the openings 23 and 23 from the other surface side of the resin film 16 so as to form electrolytic nickel plating using the copper foil 34 as an electrode, the bumps 24 made of nickel are formed in the openings 23. . The surface of this bump 24 is gold-plated.
그 후에 금 리드(18)를 형성하는 수지 필름(16)의 부 분을 레이저광으로 제거하고, 동박(32)의 이면이 노출하는 금 리드 형성부(38)를 형성한 후에, 금 리드 형성부(38)에서 이면이 노출하는 동박(32)을 화학 에칭에 의해 제거해서, 배선 패턴(14) 및 금 리드(18)를 형성하였다. 이러한 화학 에칭을 할 때에, 수지 필름(16)의 일면측에서 배선 패턴(14)이 형성되는 일이 없이 노출하는 동박(32)도 동시에 제거하였다.Then, the part of the resin film 16 which forms the gold lead 18 is removed with a laser beam, and after forming the gold lead forming part 38 which the back surface of the copper foil 32 exposes, a gold lead forming part The copper foil 32 which the back surface exposes in (38) was removed by chemical etching, and the wiring pattern 14 and the gold lead 18 were formed. When performing such chemical etching, the copper foil 32 exposed without the wiring pattern 14 being formed in the one surface side of the resin film 16 was also removed simultaneously.
형성된 배선 패턴 필름(11)의 와인드부(40)에는 금 리드(18)가 건너지르고 있고, 금 리드(18)에는 도 5에 나타내듯이 금 리드(18)의 폭 방향으로 노치가 형성된 절결부(42a)가 형성되어 있다.A gold lead 18 crosses the winding portion 40 of the formed wiring pattern film 11, and a cutout portion in which the notch is formed in the width direction of the gold lead 18 as illustrated in FIG. 5. 42a) is formed.
이러한 절결부(42a)를 현미경으로 관찰하면 도 1에 나타내듯이 절결부(42a)의 가장 좁은 부분이 형성된 리드 부위에는 각부(능선부)가 명확하게 관찰되지 않고, 또한 절결부(42a)를 포함한 금 리드의 전 길이에 걸쳐서 그 횡단면 형상은 반타원 형상이었다.When the cutout portion 42a is observed under a microscope, as shown in FIG. 1, the corner portion (ridgeline portion) is not clearly observed in the lead portion where the narrowest portion of the cutout portion 42a is formed, and also includes the cutout portion 42a. The cross-sectional shape was semi-elliptical over the entire length of the gold lead.
(비교예 1)(Comparative Example 1)
실시예 1에서 탈륨이 10ppm이 되도록 금 도금액에 황산 탈륨을 첨가한 외에는 실시예 1과 마찬가지로 해서 배선 패턴 필름(11)을 제조하였다.In Example 1, the wiring pattern film 11 was produced like Example 1 except having added thallium sulfate to a gold plating liquid so that thallium might be 10 ppm.
형성된 배선 패턴 필름(11)의 와인드부(40)를 건너지른 있는 금 리드(18)에 형성된 절결부(42)를 현미경으로 관찰하면, 도 6에 나타내듯이 절결부의 가장 좁은 부분이 형성된 리드 부위는 와인드부(40)에 면하는 평탄한 이면에 대한 표면도 평탄한 판형이고, 각부(능선부)가 명확하게 관찰된다.When the cutout portion 42 formed in the gold lead 18 crossing the winding portion 40 of the formed wiring pattern film 11 is observed under a microscope, the lead portion in which the narrowest portion of the cutout portion is formed is shown in FIG. 6. The surface with respect to the flat back surface which faces the wind part 40 is also flat plate shape, and each part (ridgeline part) is observed clearly.
또한 이러한 절결부를 포함한 금 리드의 전 길이에 걸쳐서 그 횡단면 형상은 직사각형이었다.Moreover, the cross-sectional shape was rectangular over the full length of the gold lead including this cutout.
(비교예 2)(Comparative Example 2)
실시예 1에서 펄스 도금 대신에 전류 밀도 1A/dm2의 직류 도금을 사용한 외에는 실시예 1과 마찬가지로 해서 배선 패턴 필름(11)을 제조하였다.The wiring pattern film 11 was produced like Example 1 except having used DC plating of the current density of 1A / dm <2> instead of pulse plating in Example 1.
얻어진 배선 패턴 필름(11)의 와인드부(40)를 건너지른 금 리드(18)에 형성된 절결부(42)를 현미경으로 관찰하면, 도 6에 나타내듯이 절결부의 가장 좁은 부분이 형성된 리드 부위는 와인드부(40)에 면하는 평탄한 이면에 대한 표면도 거의 평탄한 판형이고, 각부(능선부)도 거의 명확하게 관찰된다.When the cutout portion 42 formed in the gold lead 18 crossing the winding portion 40 of the obtained wiring pattern film 11 was observed under a microscope, the lead portion in which the narrowest portion of the cutout portion was formed as shown in FIG. The surface with respect to the flat back surface which faces the wind part 40 is also substantially flat plate shape, and an angle | corner part (ridgeline part) is also observed almost clearly.
또한 절결부를 포함한 금 리드의 전 길이에 걸쳐서 그 횡단면 형상도 거의 직사각형이었다.In addition, the cross-sectional shape was almost rectangular over the entire length of the gold lead including the cutout.
(실시예 2)(Example 2)
실시예 1, 비교예 1 및 비교예 2에서 얻어진 배선 패턴 필름(11)의 각각을 사용해서 반도체 장치[칩 사이즈 패키지(Chip Size Package)]를 제조하였다. 그 때에 반도체 소자(10)의 전극 단자의 형성면에 수지 필름(16)의 배선 패턴(14)의 형성면을 에라스토머층(12)으로 접착한 후에, 본더로 와인드부(40)를 건너지른 금 리드(18)를 절결부의 가장 좁은 부분에서 잘록하게 하고, 이 잘록해진 금 리드(18)를 구부리면서 리드 끝을 반도체 소자(10)의 전극 단자(20)에 접합하고, 이어서 금 리드(18) 및 전극 단자(20)를 봉지 수지(22)로 봉지하였다.Each of the wiring pattern films 11 obtained in Example 1, Comparative Example 1 and Comparative Example 2 was used to manufacture a semiconductor device (Chip Size Package). In that case, after bonding the formation surface of the wiring pattern 14 of the resin film 16 to the formation surface of the electrode terminal of the semiconductor element 10 with the elastomer layer 12, the winding part 40 was crossed with a bonder. The gold lead 18 is cut off at the narrowest portion of the cutout, the lead tip is joined to the electrode terminal 20 of the semiconductor element 10 while bending the cut gold lead 18, and then the gold lead ( 18) and the electrode terminal 20 were sealed with the sealing resin 22.
이 본더에 의한 금 리드(18)의 잘록해지는 성질에 대해서 실시예 1, 비교예 1 및 비교예 2에서 얻어진 배선 패턴 필름(11)의 각각을 비교하였다. 그 결과는 하기 표 2와 같다.Each of the wiring pattern films 11 obtained in Example 1, Comparative Example 1 and Comparative Example 2 was compared with respect to the property of the gold lead 18 by this bonder. The results are shown in Table 2 below.
본 발명에 의하면 배선 패턴 필름의 와인드부를 건너지른 금 리드의 절결부의 잘록해지는 성질을 향상시킬 수 있기 때문에, 절결부의 노치 정도를 얕게 할 수 있고, 절결부의 형성을 용이하게 행할 수가 있다.According to the present invention, it is possible to improve the concave nature of the cutout portion of the gold lead crossing the winding portion of the wiring pattern film, so that the notch degree of the cutout portion can be made shallow, and the cutout portion can be easily formed.
또 이러한 배선 패턴 필름에서는 절결부의 노치 정도가 얕아도 금 리드의 잘록해지는 성질이 양호하기 때문에, 금 리드의 형성 밀도의 고밀도화에 수반하는 금 리드의 미세화가 필요해져도 용이하게 대응할 수 있다.Moreover, in such a wiring pattern film, even if the notch degree of a notch of a notch is shallow, since the gold lead has a favorable property, it can respond easily, even if it becomes necessary to refine | miniaturize the gold lead accompanying the density increase of the formation density of a gold lead.
Claims (5)
Applications Claiming Priority (2)
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