KR100281985B1 - Tb계거대자기변형합금박막 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 Tb 및 Fe를 주성분으로 하는 Tb계 거대 자기변형 합금 박막에 관한 것으로, 그 조성이 TbxFeyBz(여기서, x, y, z는 원자%로서, 42.74 ≤ x ≤ 55.28, 43.47 ≤ y ≤ 54.1, 0.4 ≤ z ≤ 5.59이며, 단 x + y + z = 100이다)와, TbxFeySmz(여기서, x, y, z는 원자%로서, 38.44 ≤ x ≤ 45.90, 53.72 ≤ y ≤ 60.93, 0.33 ≤ z ≤ 2.19이며, 단 x + y + z = 100이다)으로 된 거대 자기변형 합금 박막을 제공한다.
본 발명의 거대 자기변형 합금 박막은 반응속도가 빠르고, 자기변형이 큼은 물론, 낮은 Tb 함량에서도 자기변형 특성이 우수하기 때문에, 마이크로 디바이스의 구동체로서 우수한 특성을 가진다.

Description

Ｔｂ계 거대 자기변형 합금 박막{Thin Films of Tb Based Highly Magnetostrictive Alloys}
본 발명은 Tb 및 Fe를 주성분으로 하는 Tb계 거대 자기변형 합금 박막에 관한 것으로, 더욱 구체적으로는 Tb 및 Fe를 주성분으로 하는 합금에 제3의 합금 원소가 첨가됨으로써 우수한 자기변형 특성, 특히 낮은 자기장에서 큰 자기변형 특성이 달성되는 거대 자기변형 합금 박막에 관한 것이다.
자기변형은 자기장을 인가함에 따라 길이가 늘어나는 현상을 말하는데, 이러한 자기변형을 나타내는 재료 중에서도 Tb 및 Fe를 주성분으로 하는 합금은 자기변형이 매우 크기 때문에 통상 거대 자기변형 합금이라 일컫는다.
이와 같은 거대 자기변형 합금은 Si 등 영율(Young's modulus)이 큰 재료를 기반으로 하는 마이크로 디바이스의 구동용 재료로 응용될 수 있다. 그동안 마이크로 디바이스의 핵심 부품인 구동체로는 정전력, 압전, 열팽창 또는 형상기억 현상 등을 이용한 소재들이 사용되고 있거나 검토되어 왔는데, 이러한 현상들을 이용한 구동체는 출력이 작거나 반응속도가 느리고, 디바이스의 설계가 복잡한 단점이 있었다. 이에 반해, 희토류계 거대 자기변형 합금은 반응속도가 빠르고 자기변형이 크기 때문에, 마이크로 디바이스의 구동체로서 우수한 고유 특성을 가지고 있으며, 따라서 희토류계 거대 자기변형 합금 박막을 마이크로 디바이스의 구동체로 응용하려는 노력이 1990년대 초반부터 활발하게 진행되어 왔다.
그러나, 이러한 거대 자기변형 재료는 그 고유의 거대 자기변형이 매우 큰 자기장을 인가하는 경우에만 달성되기 때문에, 인가되는 자기장의 크기가 통상 수 백 Oe 이하인 마이크로 디바이스에의 응용에는 결정적인 문제점이 남아 있었다. 따라서, 거대 자기변형 재료를 마이크로 디바이스에 적절히 응용하기 위해서는 낮은 자기장에서 큰 자기변형이 달성되는 재료의 개발이 절실히 요구되어 왔던 것이다.
이러한 요구에 부응하여, 본 발명자들은 낮은 자기장에서 큰 자기변형을 달성하기 위한 하나의 방법으로서 비정질화를 한국 특허출원 제 97-6944호에 보고한 바 있는데, 이는 통상의 스파터링 공정에 의해 쉽게 얻어지는 것으로, 이에 의해 얻어진 비정질 Tb-Fe 이원계 합금 박막과 0.4 원자% 이하의 B가 소량 첨가된 비정질 Tb-Fe-B 삼원계 합금 박막은 우수한 자기변형 특성을 나타내었다. 동 특허출원 발명에서 우수한 자기변형 특성은 높은 Tb 함량에서 얻어졌는 바, 이는 우수한 자기변형 특성의 달성에 필수적인 잘 발달된 면내 이방성이 낮은 Tb 함량에서는 얻어지지 않기 때문이다.
그러나, 응용 측면에서 볼 때, 낮은 Tb 함량에서서 우수한 특성이 얻어지는 것이 바람직하다. 왜냐하면, Tb가 Fe에 비해 가격이 매우 비싸고, 또한 Tb가 Fe 보다 부식성이 매우 크기 때문에 Tb-Fe 계 합금에서 Tb 함량이 낮아짐에 따라 가격이 저감되고 부식 특성이 향상될 것으로 예상되기 때문이다.
따라서, 본 발명은 낮은 자기장에서 큰 자기변형이 달성되는 재료의 개발이라는 요구에 부응하여, 낮은 Tb 함량에서도 면내 이방성이 잘 발달되어 우수한 자기변형 특성이 달성되는 Tb계 거대 자기변형 합금 박막을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
도 1은 비교예 1에 따른 이원계 Tb-Fe 합금 박막의 자기이력 곡선을 나타낸 그래프이다.
도 2는 실시예 1에 따른 Tb-Fe-B 합금 박막의 자기이력 곡선을 나타낸 그래프이다.
도 3은 비교예 3에 따른 이원계 Tb-Fe 합금 박막의 자기이력 곡선을 나타낸 그래프이다.
도 4는 실시예 8에 따른 Tb-Fe-Sm 합금 박막의 자기이력 곡선을 나타낸 그래프이다.
도 5는 실시예 9에 따른 Tb-Fe-Sm 합금 박막의 자기이력 곡선을 나타낸 그래프이다.
도 6은 실시예 10에 따른 Tb-Fe-Sm 합금 박막의 자기이력 곡선을 나타낸 그래프이다.
도 7은 실시예 11에 따른 Tb-Fe-Sm 합금 박막의 자기이력 곡선을 나타낸 그래프이다.
상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 Tb계 거대 자기변형 합금 박막은 Tb-Fe 합금 재료에 제3의 원소인 B 또는 Sm이 첨가된 구성을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에 의해 Tb계 거대 자기변형 합금 박막은 2가지 형태가 제공되는데, 제1 형태의 합금 박막은 TbxFeyBz(여기서, x, y, z는 원자%로서, 42.74 ≤ x ≤ 55.28, 43.47 ≤ y ≤ 54.1, 0.4 ≤ z ≤ 5.59이며, 단 x + y + z = 100이다)의 조성을 가지고, 제2 형태의 합금 박막은 TbxFeySmz(여기서, x, y, z는 원자%로서, 38.44 ≤ x ≤ 45.90, 53.72 ≤ y ≤ 60.93, 0.33 ≤ z ≤ 2.19이며, 단 x + y + z = 100이다)의 조성을 가진다.
이와 같은 조성으로 이루어진 본 발명의 합금 박막은 스파터링 또는 물리적인 기상증착법 등과 같은 통상의 박막 제조방법으로 제조할 수 있는데, 일례로 스파터링에 의한 제조방법은, 모 금속 성분을 포함하는 타겟을 사용하여 불활성 분위기 하에서 스파터링하는 방법이다. 이때 타겟으로는 복합 타겟이나 합금 타겟 모두를 사용할 수 있다.
즉, 본 발명의 Tb-Fe-B 합금 박막은, 순철 또는 Fe-B 합금 타겟 위에 Tb 및 B의 소편을 배치하거나, 또는 Tb-Fe-B 합금 타겟을 사용하여 불활성 분위기 하에서 스파터링하여 제조하고, 본 발명의 Tb-Fe-Sm 합금 박막은 순철 타겟 위에 Tb와 Sm 소편을 배치하거나, 또는 Tb-Fe-Sm 합금 타겟을 사용하여 불활성 분위기하에서 스파터링하여 제조한다.
상기와 같은 조성으로 이루어진 본 발명의 합금 박막은 주로 자성상인 비정질상으로 되어 있는데, 다만 Tb의 함량이 높은 경우에는 비자성상인 소량의 α Tb 결정상이 비정질상 기지(matrix)에 석출됨으로써, 비정질상과 α Tb 결정상의 혼합상으로 되어 있다.
이하, 본 발명에 따른 합금 박막 및 그의 제조방법을 구체적인 여러 실시예들을 들어 설명한다. 다음의 실시예들은 단지 예시적인 것일 뿐, 이들 실시예와 다른 변경예들이 본 발명의 범위내에서 다양하게 이루어질 수 있음은 물론이다.
〈실시예 1〉
고주파 마그네트론 스파터링 장치에 의해 본 발명의 Tb-Fe-B 합금 박막을 약 1 ㎛ 두께로 제조하였는데, 이때 스파터링 가스로는 Ar을 사용하였고, 스파터링 압력은 1 내지 10 mTorr 의 범위내에서 변화시켰으며, 스파터링 가스를 도입하기전 챔버 내부의 압력은 7 × 10-7Torr 이하의 진공도를 유지하였다. 그리고 기판과 타겟 사이의 간격은 60 mm로 하였고, 고주파 출력은 300 W로 하였으며, 스파터링 도중 기판은 가열하지 않았으며, 스파터링 시간은 10 내지 20분 정도로 하였다. 타겟 방법으로는 직경 4 인치, 두께 2 mm인 순철 타겟 위에 5mm × 5mm × 1mm 크기의 Tb와 B의 소편을 배치한 복합 타겟 방법을 사용하였으며, 사용된 소편들은 환상으로 배치하였다. 또한, 박막의 조성을 변화시키기 위하여 사용된 Tb와 B 소편의 개수를 변화시켰는 바, 40 내지 70 개의 범위내에서 개수를 변화시켰다. 이와 같이 하여 얻은 박막의 조성은 표 1에 기재된 바와 같았는데, Tb/(Tb+Fe)의 비는 0.46 정도이고, B의 함량은 5.59 원자%이었다.
〈비교예 1〉
비교예 1에서는 제3의 원소인 B가 첨가되지 않은 Tb-Fe 합금 박막을 제조하였는데, 타겟 방법으로 순철 타겟 위에 Tb 소편을 배치한 복합 타겟 방법을 사용한 점을 제외하고는, 실시예 1에서와 동일한 방법으로 제조하였다. 제조된 박막의 조성은 표 1에 기재된 바와 같았으며, B의 함량은 0이었다.
이상과 같은 실시예 1 및 비교예 1에서 얻은 합금 박막에 대하여 레이저를 이용한 캔티레버(cantilever)법에 의해 실온에서 최대 5 kOe의 자기장을 가하면서 자기변형의 크기(λ)를 측정하였다. 진동시료형 자속계(VSM)를 이용하여 실온에서 최대 15 kOe의 자기장을 인가하면서 면에 평행한 방향과 면에 수직인 방향에 대하여 자기이력곡선을 구하고, 이를 비교함으로써 자기이방성의 방향을 예측하였다. 각 합금 박막들에 대한 인가 자기장에 따른 자기변형의 크기는 표 1에 나타내었고, 자기이력 곡선은 도 1 및 2에 나타내었는데, 도 1은 비교예 1의 이원계 Tb-Fe 합금 박막에 대하여, 도 2는 실시예 1의 Tb-Fe-B 합금 박막에 대하여 자기이력 곡선을 나타낸 그래프이다. 각 그래프에서 세로축은 자화(M)를 15 kOe의 인가 자기장에서 얻은 자화(M15)로 나눈 수치이고, 가로축은 kOe 단위의 인가 자기장(H)를 나타내며, "//" 및 "┻" 표시는 각각 박막의 면에 평행한 방향과 수직인 방향으로 자기장을 인가한 경우를 나타낸다(이는 도 3 내지 7의 그래프에도 적용됨).
실시예 1 및 비교예 1에 따른 합금 박막의 조성 및 자기변형의 크기
시료 박막 조성(원자%) 인가 자기장(Oe)에 따른 자기변형(ppm)의 크기
Tb Fe B 30 100 200 500 1000 2000 3000 4000 5000
비교예1 45.90 54.10 - 29 39 63 125 202 270 308 328 347
실시예1 42.74 51.67 5.59 144 144 168 188 211 232 248 265 268
표 1에서 보는 바와 같이, B가 다량 첨가된 실시예 1의 합금 박막은, 포화 자기변형의 크기가 비교예 1에 비해 감소하였으나, 낮은 자기장에서 달성되는 자기변형은 크게 증가하였다. 이는 마이크로 디바이스에서 인가할 수 있는 자기장의 크기가 수백 Oe인 점을 고려할 때, B가 첨가된 본 발명의 실시예 1에 따른 합금 박막이 마이크로 디바이스의 구동체로서 매우 우수한 특성을 나타낼 것이라는 것을 예상할 수 있다.
또한, 자기이력 곡선을 나타낸 도 1과 2의 그래프에서 보듯이, Tb/(Tb+Fe)의 비가 0.46 정도로 동일함에도 불구하고 B가 첨가된 실시예 1의 합금 박막에서 B가 첨가되지 않은 비교예 1에 비하여 매우 잘 발달된 면내 이방성이 관찰되었다.
〈실시예 2-7 및 비교예 2〉
직경 4 인치 두께 2 mm인 순철 또는 B가 1 내지 8 원자% 함유된 Fe-B 합금 타겟 위에 크기가 5mm × 5mm × 1mm인 Tb의 소편을 배치한 복합 타겟 방법을 사용하여, 박막의 조성을 Tb/(Tb+Fe)의 비가 0.55 정도이고, B의 함량이 0 내지 3.21 원자% 범위에서 변화시킨 것을 제외하고는, 실시예 1에서와 동일한 방법으로 합금 박막을 제조하였다. 본 실시예 및 비교예에 따라 제조된 합금 박막에 대하여 합금 박막의 조성 및 인가 자기장에 따른 자기변형의 크기를 표 2에 나타내었다.
실시예 2-7 및 비교예 2에 따른 합금 박막의 조성 및 자기변형의 크기
시료 박막 조성(원자%) 인가 자기장(Oe)에 따른 자기변형(ppm)의 크기
Tb Fe B 30 100 500 1000 3000 5000
비교예 2 54.17 45.83 - 108 119 171 188 239 256
실시예 2 55.28 44.32 0.40 143 152 230 261 320 361
실시예 3 53.87 45.15 0.98 102 102 166 185 238 264
실시예 4 53.68 44.68 1.64 106 122 177 203 254 279
실시예 5 54.24 43.47 2.29 107 110 155 172 226 244
실시예 6 52.11 45.14 2.75 99 107 138 159 195 218
실시예 7 52.48 44.31 3.21 82 85 113 136 158 192
상기 표 2에서 알 수 있는 바와 같이, B의 첨가에 의해 낮은 자기장 영역에서의 자기변형 특성이 높은 자기장 영역에 비해 상대적으로 증가하였다, 그러나 실시예 1에서 나타낸 바와 같이 Tb/(Tb+Fe) 비가 낮은 합금에 비해 B 첨가의 효과는 현저하지 않다.
〈실시예 8-11〉
고주파 마그네트론 스파터링 장치에 의해 본 발명의 Tb-Fe-Sm 합금 박막을 약 1 ㎛ 두께로 제조하였는데, 이때 스파터링 가스로는 Ar을 사용하였고, 스파터링 압력은 1 내지 10 mTorr 의 범위내에서 변화시켰으며, 스파터링 가스를 도입하기전 챔버 내부의 압력은 7 × 10-7Torr 이하의 진공도를 유지하였다. 그리고 기판과 타겟 사이의 간격은 60 mm로 하였고, 고주파 출력은 300 W로 하였으며, 스파터링 도중 기판은 가열하지 않았으며, 스파터링 시간은 10 내지 20분 정도로 하였다. 타겟 방법으로는 직경 4 인치, 두께 2 mm인 순철 타겟 위에 5mm × 5mm × 1mm 크기의 Tb와 Sm의 소편을 배치한 복합 타겟 방법을 사용하였으며, 사용된 소편들은 환상으로 배치하였다. 또한, 박막의 조성을 변화시키기 위하여 사용된 Tb와 B 소편의 개수를 변화시켰는 바, 40 내지 70 개의 범위내에서 개수를 변화시켰다. 이와 같이 하여 얻은 박막의 조성은 표 3에 기재된 바와 같았는데, 전체 희토류 원소의 함량 (Tb+Sm)/(Tb+Fe+Sm)의 비는 0.437 정도이고, Sm의 함량은 0.33 내지 1.68 원자%이었다.
〈비교예 3〉
비교예 3에서는 제3의 원소인 Sm이 첨가되지 않은 Tb-Fe 합금 박막을 제조하였는데, 타겟 방법으로 순철 타겟 위에 Tb 소편을 배치한 복합 타겟 방법을 사용한 점을 제외하고는, 제조방법을 상기 실시예 8 - 11에서와 동일하게 하였다. 제조된 박막의 조성은 표 3에 기재된 바와 같았으며, Sm의 함량은 0이었다.
이상과 같은 실시예 8 - 11 및 비교예 3에서 얻은 합금 박막에 대하여 상기 실시예 1에서 설명한 방법으로 자기변형의 크기(λ)와 자기이력곡선을 측정하였는 바, 각 합금 박막들에 대한 인가 자기장에 따른 자기변형의 크기는 표 3에는 나타내었고, 자기이력 곡선은 도 3 내지 7에 나타내었다. 도 3은 비교예 3의 이원계 Tb-Fe 합금 박막에 대하여, 도 4는 실시예 8의 Tb-Fe-Sm 합금 박막, 도 5는 실시예 9의 Tb-Fe-Sm 합금 박막, 도 6은 실시예 10의 Tb-Fe-Sm 합금 박막, 도 7은 실시예 11의 Tb-Fe-Sm 합금 박막에 대하여 자기이력 곡선을 각각 나타낸 그래프이다.
실시예 8-11 및 비교예 3에 따른 합금 박막의 조성 및 자기변형의 크기
시료 박막 조성(원자%) 인가 자기장(Oe)에 따른 자기변형(ppm)의 크기
Tb Fe Sm 30 100 500 1000 3000 5000
비교예 3 43.0 57.0 - 10 16 52 99 289 388
실시예 8 42.97 56.70 0.33 28 30 149 251 405 446
실시예 9 43.17 56.25 0.58 80 83 233 293 376 410
실시예 10 42.01 56.56 1.43 119 147 306 358 440 471
실시예 11 42.56 55.76 1.68 105 126 271 323 389 418
표 3에서 보는 바와 같이, 희토류 원소의 함량이 43.7 원자% 정도로 일정할 때, 마이크로 디바이스에의 응용에서 중요한 낮은 자기장 영역에서 자기변형은 Sm의 첨가에 의해 증가하여 1.43 Sm 원자%에서 최대치를 나타낸다. 자기이력 곡선에 대한 도 3 내지 7의 그래프로부터 보듯이, Sm의 첨가에 의해 면내 이방성 형성이 촉진되었다. 이러한 결과로부터 Tb-Fe 합금 박막에 Sm이 첨가되면 면내 이방성이 향상되고, 면내 이방성이 잘 발달된 Tb-Fe-Sm 합금 박막은 낮은 자기장에서 큰 자기변형이 달성됨을 알 수 있다.
〈실시예 12-16 및 비교예 4〉
직경 4 인치 두께 2 mm인 순철 타겟 위에 크기가 5mm × 5mm × 1mm인 Tb와 Sm의 소편을 배치한 복합 타겟 방법을 사용하여, 박막의 조성을 (Tb+Sm)/(Tb+Fe+Sm)의 비가 0.398 정도이고, Sm의 함량이 0 내지 1.79 원자% 범위에서 변화시킨 것을 제외하고는 실시예 8 - 11에서와 동일한 방법으로 합금 박막을 제조하였다. 본 실시예 및 비교예에 따라 제조된 합금 박막에 대하여 합금 박막의 조성 및 인가 자기장에 따른 자기변형의 크기를 표 4에 나타내었다.
실시예 12-16 및 비교예 4에 따른 합금 박막의 조성 및 자기변형의 크기
시료 박막 조성(원자%) 인가 자기장(Oe)에 따른 자기변형(ppm)의 크기
Tb Fe Sm 30 100 500 1000 3000 5000
비교예 4 39.07 60.93 - 0 0 16 102 173 311
실시예 12 38.44 60.89 0.67 0 0 0 65 109 218
실시예 13 39.75 59.46 0.79 57 59 486 289 444 496
실시예 14 38.69 60.50 0.81 13 13 54 108 314 397
실시예 15 38.63 60.28 1.09 0 0 37 66 248 397
실시예 16 38.70 59.51 1.79 0 0 29 69 277 415
표 4에서 보는 바와 같이, 희토류 원소의 함량이 39.8 원자% 정도로 일정할 때, 마이크로 디바이스에의 응용에서 중요한 낮은 자기장 영역에서 자기변형의 크기는 Sm의 첨가에 의해 증가하여 0.79 Sm 원자%에서 최대치를 나타낸다.
〈실시예 17-19 및 비교예 5〉
직경 4 인치 두께 2 mm인 순철 타겟 위에 크기가 5mm × 5mm × 1mm인 Tb와 Sm의 소편을 배치한 복합 타겟 방법을 사용하여, 박막의 조성을 (Tb+Sm)/(Tb+Fe+Sm)의 비가 0.419 정도이고, Sm의 함량이 0 내지 1.68 원자% 범위에서 변화시킨 것을 제외하고는 실시예 8 - 11에서와 동일한 방법으로 합금 박막을 제조하였다. 본 실시예 및 비교예에 따라 제조된 합금 박막에 대하여 합금 박막의 조성 및 인가 자기장에 따른 자기변형의 크기를 표 5에 나타내었다.
실시예 17-19 및 비교예 5에 따른 합금 박막의 조성 및 자기변형의 크기
시료 박막 조성(원자%) 인가 자기장(Oe)에 따른 자기변형(ppm)의 크기
Tb Fe Sm 30 100 500 1000 3000 5000
비교예 5 42.40 57.60 - 17 17 100 192 404 457
실시예 17 41.15 58.32 0.52 27 30 119 200 368 443
실시예 18 41.23 57.61 1.16 94 97 252 321 416 449
실시예 19 39.46 58.36 2.19 9 18 101 192 412 485
표 5서 보는 바와 같이, 희토류 원소의 함량이 41.9 원자% 정도로 일정할 때, 마이크로 디바이스에의 응용에서 중요한 낮은 자기장 영역에서 자기변형의 크기는 Sm의 첨가에 의해 증가하여 1.16 Sm 원자%에서 최대치를 나타낸다.
〈실시예 20-22 및 비교예 6〉
직경 4 인치 두께 2 mm인 순철 타겟 위에 크기가 5mm × 5mm × 1mm인 Tb와 Sm의 소편을 배치한 복합 타겟 방법을 사용하여, 박막의 조성을 (Tb+Sm)/(Tb+Fe+Sm)의 비가 0.458 정도이고, Sm의 함량이 0 내지 2.17 원자% 범위에서 변화시킨 것을 제외하고는 실시예 8 - 11에서와 동일한 방법으로 합금 박막을 제조하였다. 본 실시예 및 비교예에 따라 제조된 합금 박막에 대하여 합금 박막의 조성 및 인가 자기장에 따른 자기변형의 크기를 표 6에 나타내었다.
실시예 20-22 및 비교예 6에 따른 합금 박막의 조성 및 자기변형의 크기
시료 박막 조성(원자%) 인가 자기장(Oe)에 따른 자기변형(ppm)의 크기
Tb Fe Sm 30 100 500 1000 3000 5000
비교예 6 45.90 54.10 - 29 39 125 202 308 347
실시예 20 45.37 53.72 0.92 117 129 234 277 327 358
실시예 21 44.14 54.67 1.20 77 87 220 287 368 401
실시예 22 43.74 53.86 2.17 31 49 187 270 374 409
표 6에서 보는 바와 같이, 희토류 원소의 함량이 45.8 원자% 정도로 일정할 때, 마이크로 디바이스에의 응용에서 중요한 낮은 자기장 영역에서 자기변형의 크기는 Sm의 첨가에 의해 증가하여 0.92 Sm 원자%에서 최대치를 나타낸다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 희토류계 거대 자기변형 합금 박막은 반응속도가 빠르고, 자기변형이 큼은 물론(종래의 자기변형 재료보다 최고 40배 정도 큼), 낮은 Tb 함량에서도 자기변형 특성이 우수하기 때문에, 마이크로 디바이스의 구동체로서 우수한 특성을 가지고 있다. 즉, Tb-Fe-B 합금 박막의 경우 Tb/Fe 비가 일정할 때 B의 첨가에 의해 자기변형 특성이 향상되고, Tb-Fe-Sm 합금 박막의 경우 전체 원소들에 대한 희토류 원소의 비 (Tb+Sm)/(Tb+Fe+Sm)가 일정할 때 자기변형 특성이 Sm의 첨가에 의해 향상된다.

Claims (2)

  1. 하기 조성식으로 표시되는 거대 자기 변형 합금 박막.
    TbxFeyBz
    상기 식에서,
    x, y 및 z는 원자%로서,
    42.74≤x≤55.28, 43.47≤y≤54.10, 및 0.4〈z≤5.59(단, x + y + z = 100임)이다.
  2. 하기 조성식으로 표시되는 거대 자기 변형 합금 박막.
    TbxFeySmz
    상기 식에서,
    x, y 및 z는 원자%로서,
    38.44≤x≤45.90, 53.72≤y≤60.93, 및 0.33≤z≤2.19(단, x + y + z = 100임)이다.
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