KR100275166B1 - 화학 습식 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

적어도 하나의 기판 캐리어(17) 및 기판을 삽입 및 배출시키기 위한 리프팅 장치(1)를 포함하는, 처리 유체(23)를 함유한 탱크(21)에서 기판(25)을 화학 습식 처리하는 장치(20)에서, 연속 배출 및 삽입은 상기 기판(25)을 위한 제 1이송 캐리지 및 기판 캐리어(17)를 위한 제 2이송 캐리지를 포함하는 상기 리프팅 장치에 의하여 달성 된다.

Description

화학 습식 처리 장치
현재, 자동 습식 처리 장치는 일련의 화학 습식 처리를 위한 다수의 용기 또는 탱크를 포함한다. 화학 처리 시퀀스의 완료 후에 또는 처리 단계 사이에서, 예를 들어 카세트에 배열된 실리콘 웨이퍼와 같은 기판은 세정 탱크에 침지되고 다음에 건조된다.
예를 들어 기판의 건조는 세정 탱크로부터 기판을 천천히 빼내면서 원심분리기에 의하여 수행될 수 있다.
유립특허 제 0 385 536호에서는 기판을 천천히 빼내는 것 이외에, 배스(bath)로부터 발생된 증기가 기판에 가해지고 증기는 기판 위에 응축되지 않고 액체로 확산되도록 하는 건조 방법이 공지되어 있다. 기판 표면상의 메니스커스에서 농도 기울기가 형성되어 표면 장력 기울기가 형성되며, 상기 표면 장력 기울기는 기판으로부터 멀리 액체가 이동되도록 하고 따라서 잔류물 없이 기판이 건조되도록 한다. 화학 습식 처리, 즉 각각의 세정 및 건조 중에, 기판은 소위 웨이퍼 카세트라고 하는 캐리어에 고정되며, 상기 카세트의 슬롯은 카세트의 측벽의 내부 표면위에 형성된다. 상기와 같은 표준 캐리어는 특히 에지 및 모서리와 함께 상대적으로 큰 표면을 가지며, 따라서 상대적으로 많은 양의 화학 제품이 하나의 처리 탱크에서 다른 처리 탱크 그리고 각각 하나의 배스에서 다른 배스로 전달되어 건조 처리가 곤란하게 되도록 한다. 통상적인 캐리지의 에지 및 큰 표면영역은 처리 중에 각각의 세척, 세정 및 건조 단계의 시간을 연장시키는데, 왜냐하면 상대적으로 많은 양의 액체가 표면, 에지 및 모서리에 부착되고 세정에 의한 화학 제품의 제거가 더욱 복잡하기 때문이다. 그러나, 캐리어가 측면 가이드를 가지지 않으면, 리프팅중에 기판에 대하여 측면 안내를 제공하지 않는다. 공지된 장치에서 측면 캐리어 가이드는 캐리어로부터 기판을 리프팅할 때 기판이 뒤집어 지는 것을 방지하기 위하여 배스로부터 기판을 리프팅할 때 기판을 고정하기 위하여 이용된다.
일본 출원 제 5-27 06 60(A)호에서, 기판 및 기판 캐리어를 화학 습식 처리용 용기로 삽입하고 상기 용기로부터 빼내는 이송 캐리지를 가진 리프팅 부재를 가진 전술한 종류의 장치가 공지되어 있다. 유럽 출원 제 0 385 536A호의 장치와 관련하여 설명된 삽입 및 배출의 경우에, 기판은 캐리어와 함께 배출 및 삽입되도록 캐리어 내에 유지된다.
미국특허 제 5,299,901호에는, 제 1이송 캐리지가 기판용 캐리어를 이동시키고 제 2이송 캐리어가 상기 캐리어에 대하여 기판을 이동시키는 기판 조종 장치가 공지되어 있다. 기판의 삽입 및 배출, 기판의 화학 습식 처리용 용기에 대한 기판 캐리어 및 관련 필요조건과 곤란성에 대하여는 기술되어 있지 않다.
미국특허 제 4,963,069호에는 기판 캐리어가 리프팅 장치에 의하여 상승 및 하강되고 그리고 리프팅 로드에 대한 결합부를 가진 피스톤-실린더 유니트가 리프팅 이동으로부터 기판 캐리어의 연결을 풀기 위하여 제공되는 기판 조종 장치가 공지된다.
독일특허 제 34 25 267호에는 기판 캐리어 내의 기판이 리프팅되고 상기 기판이 캐리어의 외부로 리프팅될 수 있는 기판 이송 및 기판 개별 조종 장치가 공지되어 있다.
미국특허 제 3, 493, 093호에는 제어 커브가 사용되도록 대상물이 리프팅되고 이송될 수 있는 이송 및 조종 장치가 도시되고 개시되어 있다.
본 발명은 적어도 하나의 기판 캐리어 및 기판을 삽입하고 빼내는 리프팅 장치를 구비하고, 처리 유체를 포함하는 탱크에서 기판을 화학 습식 처리하는 장치 및 리프팅 부재를 이용하는 건조 방법에 관한 것이다.
제1도는 본 발명의 건조 시스템용 리프팅 장치의 실시예의 후면도이다.
제2도는 제1도의 리프팅 장치의 측면도이다.
제3도는 화학 습식 처리용 건조 장치의 단면도로서, 동시에 본 발명의 건조방법의 제 1단계를 도시한다.
제4도는 본 발명의 건조 방법의 제 2단계를 도시한다.
제5도는 본 발명의 건조 방법의 제 3단계를 도시한다.
제6도는 본 발명의 건조 방법의 제 4단계를 도시한다.
제7도는 본 발명의 건조 방법의 제 5단계를 도시한다.
제8도는 본 발명의 건조 방법의 제 6단계를 도시한다.
제9도는 본 발명의 건조 방법의 제 7단계를 도시한다.
제10도는 본 발명의 건조 방법의 제 8단계를 도시한다.
제11도는 후드에서 적하 플레이트가 계략적으로 도시된 본 발명에 따른 장치의 실시예.
제12도는 후드를 감싸고 있는 칼라 형태로 적하 보호 장치를 가진 본 발명에 따른 장치의 다른 실시예이다.
제13도는 제12도에 따른 실시예의 평면도이다.
제14도는 탱크에 세척 개구부를 가진 본 발명에 따른 장치의 실시예에 대한 측면도이다.
제15도는 제14도에서 라인 I-I을 따른 단면도이다.
제16도는 이온화 장치를 가진 후드 실시예에 대한 계략도이다.
본 발명의 목적은 기판의 연속 안정 상향 하향 이동이 가능하도록 하는 세정 및/또는 건조를 위한 화학 습식 처리용 장치 및 방법을 제공하는 것이다.
상기 목적은 기판용 이송 캐리지 및 기판 캐리어용 이송 캐리지를 가진 리프팅 장치를 제공함으로써 본 발명에 의하여 달성되며, 상기 이송 캐리지는 서로 이음 접속부에 의하여 접속된다. 상기 실시예에서 기판 및 기판 캐리어를 위한 별도의 리프팅 제어 및 이에 의한 각각의 공정에 대한 이동의 최적 조정이 가능하다.
이와 같이 서로에 대한 캐리지의 상대 이동의 가능성과의 결합에 의하여 두개의 캐리지의 이동 및 이에 따른 기판 및 기판 캐리어의 이동의 최적 조종이 이루어진다.
본 발명의 특징 및 방법은 리프팅될 캐리어의 정지 및 과도한 감소 없이 전체 공정중에, 특히 캐리어와 관련된 기판 이동에 대한 캐리어 자체의 이동 사이의 전환 중에 기판을 수용하고 있는 캐리어의 연속적인 배출 및 캐리어로부터의 기판의 다음 리프팅이 가능하도륵 한다. 웨이퍼 캐리어 처리에 있어서, 처리 , 세정 또는 세척 배스로부터 웨이퍼를 리프팅하는 중에 정지가 발생하지 않는 것은 매우 중요한데, 왜냐하면 만약 리프팅 중에 정지되면, 액체로부터 액체 표면상의 공간으로의 전이영역에서, 입자가 웨이퍼 위에 부착될 수 있기 때문이다. 본 발명에 의하여 제공되는 캐리어 및 기판 상의 스트로크 차이 때문에, 특히 액체 표면을 통과하는 동안, 액체 외부로의 기판의 연속 이동이 가능하다.
본 발명의 바람직한 실시예는 종속항에 기술되어 있다.
바람직하게, 제 1이송 캐리지는 구동 장치에 연결된다. 제 2이송 캐리지는 독립적으로 구동되지 않지만 대신 상기 제 1이송 캐리지에 결합된다.
본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따르면, 이음 접속부는 두개의 레그를 포함하며, 제 1레그는 제 1이송 캐리지에 연결되고 제 2레그는 제 2이송 캐리지에 피보트적으로 연결된다. 이송 캐리지로부터 멀리 인접하는 상기 레그의 단부는 핀에 의하여 서로 피보트적으로 연결된다.
바람직하게, 두개의 레그를 연결하는 핀의 돌출부분은 제어 커브를 따라 이어진다. 따라서 상기 제어 커브는 두개의 레그의 접속점의 이동경로를 결정한다. 제어 커브를 적합하게 선택함으로써 , 제 1 및 제 2이송 캐리지의 이동에 서로 또는 독립적으로 영향을 미치는 것이 가능하다. 이는 초기에 기판 캐리어 및 기판이 동일 속도에서 서로 이동하고, 기판이 더 많이 이동하는 동안 기판 캐리어의 이동을 정지시키는 스트로크 차이를 구현한다. 상기와 같은 리프팅 메커니즘의 차이로 인하여 “저중량 캐리어” 또는 “소형 캐리어”라고 알려진 측면 가이드 없는 기판 캐리어의 접속 때문에, 용기 내의 고정 설치된 기판 캐리어 수납부는 종래 캐리어에서는 필요하였지만, 본 발명에서는 더이상 필요치 않다.
바람직하게, 제어 커브는 이동 방향과 평행하게 연장되는 직선 부분 및 상기 직선 부분에 연결된 인접 커브부분을 포함한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 제 1이송 캐리지 및 제 2이송 캐리지 사이의 거리, 따라서 기판 및 기판 캐리어 사이의 간격은 핀이 커브 부분을 따라 이동할 때 증가된다. 기판 및 기판 캐리어 사이의 간격 증가 때문에, 기판은 기판 캐리어로부터 리프팅 된다.
바람직하게, 커브 부분의 형상은 제 1 이송 캐리지 및 제 2이송 캐리지 사이의 간격이 일정하게 증가되도록 선택된다. 이는 기판의 일정한 리프팅 속도를 보장하여 조화되지 않는 이동 또는 정치 때문에 기판에 발생하는 건조 스포트 및 입자 부착이 안정되게 방지되도록 할 수 있도록 한다.
바람직하게, 단부 부분에서의 커브 부분의 형성은 제 2이송 캐리지가 완전하게 정지될 때까지 제 2이송 캐리지가 천천히 제동되도록 선택된다. 제 2이송 캐리지가 정지하는 포인트는 기판이 기판 캐리어 외부의 가이드에 맞물리 때 제 2이송캐리지가 바람직하게 정지되도록, 그러나 기판 캐리어가 탱크 외부에 위치한 기판 가이드와 충돌하지 않도록 선택된다.
바람직하게, 제 1이송 캐리지에는 간단히 “브레이드”라고 불리는 브레이드형 리프팅 부재가 제공되며, 상기 리프팅 부재는 하나의 포인트 접촉만이 발생하도록 하나의 포인트에서 기판을 지지한다. 이러한 기판 접촉 포인트는 리프팅중에 유체가 남지 않도록 한다. 브레이드 형상은 기판 상의 이 위치에 남아 있는 유체가 브레이드, 끝이 뽀족한 형상에 의하여 쉽게 비켜 나가게 될 수 있도록 하는 장점을 가진다. 브레이드에는 기판의 활주를 방지하는 노치가 제공된다.
편의상, 브레이드형 리프팅 부재 및 기판 캐리어는 핀이 제어 커브의 직선부분을 따라 이동할 때 동일 속도에서 리프팅된다. 이는 리프팅 중에 기판이 여전히 기판 캐리어 내에 수용될 때이다. 제 2이송 캐리지는 기판이 기판 캐리어 외부의 가이드와 맞물릴 때만 정지된다.
후드가 용기 위에 배치될 경우에, 특히 건조 공정 중에, 가이드가 후드의 내부 측변에 제공되면 특히 바람직하다. 일차적으로는 용기 및 탱크를 덮기 위하여 제공되는 후드는 또한 기판이 더이상 기판 캐리어에 의하여 맞물리지 않을 때 기판을 안내하는 역할을 한다. 바람직하게, 후드의 상부는 건조 공정을 개선하기 위한 이소프로필 알콜(IPA)/N2대기를 발생시키기 위하여 확산 플레이트에 연결된다.
바람직하게, 본 발명의 리프팅 장치에는 해제 및 록킹가능한 록킹 기구가 제공되며, 상기 록킹 기구는 제 1 및 제 2이송 캐리지를 견고하게 연결한다. 제 1이송 캐리지 및 제 2이송 캐리지 사이의 견고한 연결은 이동 방향에 평행한 제어 커브의 직선 부분을 따른 이음 접속부의 핀 이동과 일치한다. 록킹 기구가 록킹되면, 기판 캐리어는 예를 들어 기판 캐리어의 이송 위치가 탱크의 상부 부분에 위치할 때, 특히 기판을 가진 기판 캐리어가 탱크로 삽입 또는 탱크로부터 리프팅될때, 기판과 함께 완전히 탱크 밖으로 리프팅될 수 있다. 바람직하게, 특히 자동적으로 적재될 처리 시스템 내의 모듈로서 사용될 때 간단한 제어를 위하여 상기 록킹 기구를 록킹 또는 해제하는 실린더가 제공된다. 해제가능한 록킹 기구에 의하여 이송 캐리지들이 상부 위치로 로딩 및 언로딩하기 위하여 함께 이동될 수 있지만 기판 캐리어로부터 기판을 리프팅하기 위하여 분리될 수 있는 것이 가능하도록한다.
본 발명의 다른 목적은 방법의 시퀀스를 간단히 하고 제품 품질을 개선하기 위한 상기 장치에 의하여 반도체 칩 및/또는 웨이퍼의 제조 수율을 증가시키는 것이다.
상기 목적은 후드가 탱크 위에 제공되고 후드에 적하(drip) 보호 장치가 제공되는 시스템용 상기 장치와 연결되어 달성된다. 특히 기판 처리를 위한 적어도 2개 이상의 탱크가 서로 인접하게 배치될 때, 습식 기판 및/또는 기판 캐리어의 삽입 또는 배출 중에 문제가 발생하는 종래의 장치에서는 작은 물방울이 인접 처리탱크의 후드로 떨어진다. 다음에 후드가 예를 들어 탱크 내에서 건조된 기판 및/또는 기판 캐리어를 탱크로부터 배출하기 위하여 탱크 위로 이동될 때, 작은 물방울이 후드를 따라 떨어질 위험성이 많으며 그리고 이미 건조된 기판 위로 떨어질 위험성이 농후하다. 이러한 단점은 후드에 적하 보호 장치가 제공되는 본 발명에 의하여 해소된다.
바람직하게, 적하 보호 후드는 후드의 상부 측에 연결되거나 또는 후드의 주변에 연결된 칼라(collar) 형태인 적하 플레이트를 포함한다. 적하 플레이트 및 칼라의 배열은 공간 상태에 의존하며 이용가능한 공간에 따라 선택된다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 플레이트 및 칼라는 후드의 외경 너머로 돌출하여, 본 발명의 바람직한 실시예에 따라, 적하 플레이트 및/또는 칼라는 탱크의 개방시 후드가 배치되는 후드 측면으로 하방향으로 경사지게 된다. 이러한 방식으로, 개방된 탱크 사이로 이동되는 후드측면 상에서 어떠한 액체도 상기 탱크로 떨어지거나 낙하되지 않는데, 이는 적하 플레이트와 칼라가 후드의 측벽을 넘어 돌출하고 상기 후드의 측벽 및 상부면으로부터 상방향으로 연장되어 액체가 떨어질수 없기 때문이다. 후드 위에 존재하는 액체 및 상기 측벽을 따라 칼라로 떨어지는 작은 물방울은 탱크의 개방 및 폐쇄 중에 개방된 탱크 위에 배치되지 않는 후드의 측면에 대하여 소정 기울기에서 적하 플레이트 및 칼라에 의하여 안내된다.
또한 전술한 목적은 세척 개구부를 탱크에 제공함으로써 전술한 장치 및 시스템과 연관되어 달성된다. 기판, 특히 탱크 내의 웨이퍼 처리 중에, 웨이퍼 처리중에 또는 웨이퍼 조종 중에, 웨이퍼가 파손되거나 일부분이 분쇄되어 탱크 내에 잔류된다. 이들 잔류물은 상부로부터 복잡한 방식으로 제거되어야 한다. 탱크에 세척 개구부가 제공되는 본 발명에 의하여, 잔류물 또는 파손된 웨이퍼의 제거가 용이하게 된다. 따라서, 세척 개구부는 분리될 수 있고, 바람직하게 스크류 조립가능하며, 상기 세척 개구부는 바람직하게 탱크 바닥 또는 그 근방에서 탱크의 한쪽에 연결된다. 따라서, 탱크 내의 잔류물 및 웨이퍼 조각에 대한 직접 접근이 간단하고 빠르게 가능하다.
또한 전술한 목적은 증기 영역에 정전기 하전을 방지하는 이온화 장치를 제공함으로써 전술한 장치와 연관되어 달성될 수 있다. 증기 영역에서 또한 공정 중에 그리고 증류수 등과 같은 처리 유체를 흘리는 동안에 발생하는 전하 때문에, 이온이 웨이퍼 표면 상부 및 상방향으로 탱크를 닫는 후드 내의 처리 공간에 존재하며, 상기 이온은 기판에 정전기 하전 및 손상을 발생시킨다. 정전기 하전 때문에, 기판을 돌파하여 기판에 손상을 입히는 매우 높은 정전기 전압을 가지는 것이 가능하다. 이온을 발생시킴으로써 정전기 하전은 감소되고 정전기 하전에 의한 웨이퍼 손상은 더이상 발생하지 않는다. 바람직하게 증기 영역 내에 질소 및/또는 이소프로필 알콜이 존재한다.
바람직한 시스템 실시예에 따르면, 이온화 장치는 증기 영역에 제공되며, 상기 이온화 장치는 후드의 적어도 하나의 내부벽에 적어도 하나의 이온화 로드를 포함한다. 바람직하게, 이온화 장치는 적어도 하나의 카운터 전극을 포함하며, 상기 카운터 전극은 바람직하게 이온화 로드, 각각의 이온화 로드에 대하여 선택된 간격으로 후드의 내부벽에 배열된다. 상기 카운터 전극은 바람직하게 접지 및 고전압원 단자에 연결되며, 다른 단자는 이온화 로드에 연결된다.
이온화 로드는 바람직하게 5 내지 25kV, 더욱 바람직하게 10 내지 15kV의 고전압이 인가된다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 고전압은 펄스이다. 상기 펄스는 바람직하게 10 내지 100ms 더욱 바람직하게 10 내지 40ms의 펄스 길이를 가진다. 바람직하게, 펄스의 펄스 듀티비는 1:8 내지 1:12 및 바람직하게 약 1:10의 범위이다.
제품 품질의 개선은 증기 영역 내의 가스 농도, 가스 혼합 비율 및/또는 가스 함유량과 가스 혼합물 함유량을 감시하는 적어도 하나의 측정 프로브가 제공되는 전술한 장치에 의하여 달성될 수 있다. 바람직하게, 측정 프로브에 의하여 측정된 데이터는 증기 영역 내의 가스 농도, 가스 혼합비율 및/또는 가스 함유량과 가스 혼합물 함유량을 제어하기 위하여 이용된다. 이러한 방식으로, 진공 영역 내에서 전체 제조 및 처리 시퀀스에 대하여 최적의 상태를 유지하는 것이 가능하여 높은 제조 품질 및 낮은 폐기 처리율이 달성된다.
전술한 장치의 실시예에 따른 적정 제품 품질은 처리 유체가 회수되는 라인내에 처리 유체의 처리량을 결정하는 유량계를 배치함으로써 달성될 수 있다. 따라서 처리량의 편차를 빠르게 결정하고 그리고/또는 유입되거나 회수될 유체량을 제어하기 위하여 유량계에 의하여 측정된 데이터를 이용하는 것이 가능하다. 인입 라인 및/또는 출구 라인에 밸브, 특히 모터 제어 밸브를 제공하는 것이 바람직하며, 상기 모터 및 밸브는 유량계의 측정 데이터 함수로서 제어된다.
전술한 장치에서 제조 비용은 본 발명에 따라 재생 장치에서 탱크 외부로 흐르는 처리 유체를 재생시킴으로써 최소화된다. 이는 제조 비용을 감소시킬 뿐만 아니라 공정의 환경적인 만족도도 증가시킨다. 재생된 유체는 바람직하게 유체 탱크에서 재사용된다. 전체 재생 유체 또는 그 일부는 또한 재생 후에 사용된 물 하수 시스템으로 방출될 수 있다. 이는 특히 유체가 기판의 건조 공정으로부터 발생된 증류수일 때 바람직하며, 상기 증류수는 별문제 없이 공동 하수 시스템으로 유입될 수 있다.
바람직하게, 본 발명의 리프팅 장치는 건조 공정에 이용된다. 여기서, 기판은 세정 액체 외부로 리프팅되고 기판 캐리어는 탱크 내에 남는다. 다음에, 액체 레벨은 예를 들어 출구를 개방함으로써 영향을 받을 수 있는 기판 캐리어 밑으로 낮아진다. 다음에, 건조 기판은 다시 건조 기판 캐리어로 낮아진다. 기판 건조는 탱크로부터 기판을 리프팅하는 동안 이루어지면 기판 캐리어는 세정 유체의 액체 레벨을 낮춤으로 인해 건조된다.
이하 첨부된 도면을 참조로 본 발명을 설명한다.
제1도 및 2도에서 제3도에 따라 웨이퍼(25)를 건조시키기 위한 본 발명에 따른 장치(20)의 리프팅 장치(1)가 도시된다. 리프팅 장치(1)는 블레이드형 리프팅 부재(16)용 지지 암(14)을 가진 제 1이송 캐리지(2) 및 이음 접속부(4)에 의하여 연결된 기판 캐리어(17)용 지지 암(15)을 가진 제2 이송 캐리지(3)를 포함한다. 이음 접속부(4)는 제 1이송 캐리지(2) 및 제 2이송 캐리지(3)를 이음매로 연결하는 제 1레그(5) 및 제 2레그(6)를 포함한다. 두개의 레그(5, 6)는 핀(7)에 의하여 서로 연결된다. 제 1이송 캐리지(2)는 도시되지 않은 모터에 의하여 구동되고 이음 접속부(4)를 통하여 리프팅하는 동안에 가이드 트랙(10)을 따라 제 2이송 캐리지(3)를 상방향(10)으로 당긴다. 핀(7)은 직선 부분(12) 및 커브 부분(13)을 가진 제어 커브(11)를 따라 이동한다.
핀(7)이 직선 부분(12)을 따라 이동할 때, 이음 접속부(4)는 제 1 이송 캐리지 및 제 2이송 캐리지(2, 3) 사이에 견고한 접속을 형성한다. 이러한 상태에서, 웨이퍼(25)를 수용하는 기판 캐리어(17)는 리프팅되고, 블레이드형 리프팅 부재(16)는 웨이퍼(25)와 아직 접촉되지 않는다. 제어 커브(11)의 커브 부분(13)의 시작 부분에서 제 2이송 캐리지(3)는 제 1이송 캐리지(2)에 대하여 점진적으로 완만해진다. 따라서, 블레이드형 리프팅 부재(16)는 웨이퍼(25)와 접촉하고 기판 캐리어(17) 내의 지지부로부터 웨이퍼(25)를 리프팅한다. 이점에서 웨이퍼(25)는 이미 후드(22) 내의 가이드(39)에 의하여 지지되는데, 이는 이하에 설명될 제5도에 도시된다. 그러나, 이송 캐리지(3)는 완전하게 정지하지 않지만 커브 부분(13)의 커브를 따라 제 1이송 캐리지(2)의 이동을 따르는데, 이는 레그(5, 6)가 핀(7)을 중심으로 회전할 수 있어 레그 사이의 각도를 연속적으로 확장하기 때문이다. 제 2이송 캐리지(3)의 정지 시점은 핀의 축 및 제 2레그와 제 2이송 캐리지(3) 사이의 접속점의 회전축 사이의 간격에 상응하는 반경이 아아크로의 전이에 제공되는 커브 부분(13)의 위치에 도달될 때이다.
직선 부분(12) 및 정지가 발생하는 포인트 사이에 위치한 커브 부분(13) 영역의 반경은 정지가 발생하는 상기 포인트 다음에 커브 부분(13) 영역 반경 보다 크다.
제3도 내지 10도에서, 이들 도면에서 도시되지 않은 리프팅 장치(1)를 이용하여 건조 공정 시퀀스가 도시된다. 제3도 내지 10도에서, 동일 부호는 동일 부재를 나타낸다.
제3도에 따르면, 본 발명의 장치(20)는 후드(22)가 그 사이에서 측면으로 이동될 수 있는 용기 또는 탱크(21)를 포함한다. 탱크(21) 내에서 기판 암(14)에 의하여 지지되는 블레이드형 리프팅 부재(16)가 도시된다. 웨이퍼(25)가 배치된 기판 캐리어(17)는 그의 가장 낮은 단부 위치에 배치된 리프팅 장치(1) 위에 장치 조정기(24)에 의하여 배치된다. 세정 유체(23)는 바닥으로부터 탱크(23)로 유입되고 방수로(spillway) 모서리(28)를 통해 외부 용기(29)로 유입된다. 리프팅 장치(1)는 가장 낮은 단부 위치에 배치되기 때문에, 웨이퍼(25)는 세정 유체(23)에 완전하게 잠긴다.
바람직하게, 본 발명의 리프팅 장치에는 해제 및 록킹가능한 록킹 기구가 제공되며, 상기 록킹 기구는 제 1 및 제 2이송 캐리지를 견고하게 연결한다. 제 1이송 캐리지 및 제 2이송 캐리지 사이의 견고한 연결은 이동 방향에 평행한 제어 커브의 직선 부분을 따른 이음 접속부의 핀 이동과 일치한다. 록킹 기구가 록킹되면, 기판 캐리어는 예를 들어 기판 캐리어의 이송 위치가 탱크의 상부 부분에 위치할 때, 특히 기판을 가진 기판 캐리어가 탱크로 삽입 또는 탱크로부터 리프팅될때, 기판과 함께 완전히 탱크 밖으로 리프팅될 수 있다. 바람직하게, 특히 자동적으로 적재될 처리 시스템 내의 모듈로서 사용될 때 간단한 제어를 위하여 상기 록킹 기구를 록킹 또는 해제하는 실린더가 제공된다. 해제가능한 록킹 기구에 의하여 이송 캐리지들이 상부 위치로 로딩 및 언로딩하기 위하여 함께 이동될 수 있지만 기판 캐리어로부터 기판을 리프팅하기 위하여 분리될 수 있는 것이 가능하도록 한다.
기판 캐리어(17)는 두개의 평행 측면 플레이트를 포함하는데 상기 플레이트중 하나만(30)이 제3도에 도시되어 있다. 상기 측면 플레이트 사이에는 웨이퍼(25)를 수용하기 위한 가로 슬롯을 가진 4개의 로드(31, 32, 33, 34)가 연결되어 있다. 저중량 캐리어에 대한 상세한 설명은 독일 공개공보 44 28 169에 개시되어 있으며; 상기 설명 내용은 반복을 피하기 위하여 결합된다.
상부로부터 후드(22)로 가스가 유입되며, 상기 가스는 탱크의 방수로 개구부를 통하여 건조 공간으로 배출된다.
건조를 위하여 제공되는 가스의 유입은 후드(22)의 상부 덮개 부분 내이 종방향 튜브를 통하여 이루어진다. 상기 종방향 튜브 및 덮개의 내부 볼륨 사이에 배치된 확산 플레이트는 한정된 구멍 배열을 포함하며, 상기 구멍 배열은 덮개의 폭과 길이 전체에 균일한 가스를 분배한다. 동시에 다수의 기판 캐리어(17)가 건조 장치(20)에서 가공될 때, 개별 웨이퍼 패키지를 위한 후드(22) 내의 전체 공간에 대하여 가스를 균일하게 분배하도록 하는 웨이퍼 패키지의 앞쪽에서 덮개 내에 칸막이가 제공된다. 바람직하게, 상기 가스는 IPA/N2혼합물이다. 그렇지 않으면, 여러 가지 흐름 조건이 발생하여 패키지의 개별 웨이퍼(25)가 여러 가지 건조 결과를 발생할 수 있다. 양쪽으로 배치된 내부측 표면에서 웨이퍼(25)를 안내하기 위하여, 가이드 슬롯(39)이 제공된다. 후드(22)내의 가이드 슬롯(39)은 약 5°로 경사져 있다. 따라서 기판 캐리어(17)는 상기 경사 각도에 의하여 탱크(21)쪽으로 낮아진다. 따라서, 웨이퍼(25) 위치는 전체 건조 공정 중에 한정되며, 기판 캐리어의 건조 역시 개선된다.
제4도에 따른 본 발명의 장치는 후드(22)가 탱크(21) 사이에서 이동된다는 것만이 제3도의 장치와 다르다. 그 결과, 웨이퍼(25)를 가진 기판 캐리어(17)가 리프팅 된다.
제 1이송 캐리지(2)의 구동 때문에, 핀(7)은 제어 커브(11)의 직선 부분(12)을 따른다.
제5도에서, 핀(7)이 제어 커브(11)의 직선 부분(12)을 떠나 제어 커브(11)의 커브 부분(13)에 들어가는 이동 포인트에 도달된다. 제어 커브(11)의 형상 및 크기는 웨이퍼(25)가 후드(22)의 측면 가이드(39)와 맞물려 기판 캐리어(17)가 더이상 웨이퍼(25)를 안내할 필요가 없을 때 상기 포인트에 도달하도록 선택된다. 웨이퍼(25)는 블레이드형 리프팅 부재(16)에 의하여 리프팅된다.
세정 유체(23)로부터 웨이퍼(25)를 배출한 후에, 웨이퍼(25)가 건조된다. 건조 공정은 탱크(21) 위의 IPA/N2환경에 의하여 지원 받는데, 이는 가스가 기판(25)위의 세정 유체(23)와 혼합되기 때문이며, 그리고 표면 장력 내에 존재하는 경사도 때문에 기판(25) 상에 액체 막이 남아 있는 것을 방지하기 때문이다.
제7도에서, 기판 캐리어(17)는 블레이드형 리프팅 부재(16)에 대하여 아래 방향으로 점진적으로 완만해진다. 따라서, 블레이드형 리프팅 부재(16)는 탱크(21)로부터 웨이퍼(25)를 추가로 리프팅시킨다.
제6도에서, 기판 캐리어(17)가 완전하게 정지하고 블레이드형 리프팅 부재(16)만이 상방향으로 이동되는 기판 캐리어(17) 위치가 도시된다. 따라서, 기판 캐리어(17)는 후드(22)의 가이드(39) 쪽을 밀리지 않는데, 그렇지 않으면, 가이드에 손상을 주고 또한 기판 캐리어(17)가 파손된다.
제8도는 기판(25)의 건조 공정 마지막을 도시한다. 웨이퍼(25)는 가장 높은 이동 포인트에 도달되며 액체 레벨(27) 위의 위치로 더이상 리프팅되지 않는다.
기판 캐리어(17)를 건조시키기 위하여, 액체 레벨은 출구를 개방시킴으로써 낮아진다. 웨이퍼(25) 및 기판 캐리어(17)는 이제 IPA/N2환경 내에 있다.
제9도에서, 세정 유체(23)의 액체 레벨(27)은 기판 캐리어(17) 보다 더 낮아진다. 그 사이에, 제4도 내지 7과 관련하여 이미 설명된 이동은 역 시퀀스로 수행되어 기판 암(14) 및 기판 캐리어 암(15)이 다시 낮은 말단 위치에 오도록 한다. 웨이퍼(25) 및 기판 캐리어(17)는 이제 건조되었다.
제10도에서, 후드(22)는 측방향으로 전치되어 웨이퍼(25)를 가진 기판 캐리어(17)는 장치 조종기(24)에 의하여 탱크(21)로부터 배출될 수 있다.
기판을 화학적으로 처리하는 장치에 대한 제11도에 도시된 실시예에서, 후드(42)의 상부벽(41) 위에, 적하 플레이트(43) 형태의 적하 보호 장치가 제공되며, 이는 예를 들어 후드(42)의 상부벽(41)에 대하여 5°각도로 배치된다. 커버 플레이트(43)는 그의 측방향 단부(44, 45)에 의하여 후드(42)의 측벽(46, 47)을 지나 연장된다. 특히 적어도 두개의 처리 탱크가 서로 인접할 때, 액체에 의하여 젖은 기판 및 기판 캐리어는 후드(42) 사이에서 이송되어 액체가 후드(42) 위로 그리고 본 발명에 따라 적하 플레이트(43) 위에 떨어지는 것이 방지될 수 있다. 적하 플레이트(43)가 없으면, 이러한 액체는 후드(42)의 측면(46, 47)을 따라 흐르고 그리고 후드(42)가 개방될 때, 예를 들어 좌측으로 이동됨에 의하여 측벽(47)에서 탱크(48)로 떨어질 것이다(계략적으로만 도시됨). 상기 탱크에는 다른 처리 유체 또는 이미 건조된 기판 및/또는 기판 캐리어가 존재하여 처리 유체가 오염되거나, 또는 이미 건조된 기판 또는 기판 캐리어가 다시 젖을 것이다. 이에 의하여 발생하는 단점, 예를 들어 웨이퍼가 다시 젖기 때문에 발생하는 처리 유체의 빈번한 교환 또는 많은 수의 제품 폐기 문제는 적하 플레이트(43)에 의하여 방지된다. 적하 플레이트(43)는 후드(42)의 측벽(46, 47)을 따라 작은 물방울이 흐르는 것을 방지하며, 특히 개방 탱크(48) 사이에서 탱크(48)를 개방하기 위하여 후드(42)를 좌측으로 이동시킬 때 측면(47)을 따라 작은 물방울이 흐르는 것을 방지한다. 후드(42)가 이동되는 측면 방향으로 적하 플레이트(43)의 기울어진 하방향 때문에, 액체가 탱크 외부 영역 내로 적하 플레이트(43)로부터 흐르거나 떨어져서, 탱크(48)를 오염시킬 수 없다.
본 실시예에서, 추가 탱크 적하 경사면(49)은 탱크 측면의 탱크 림(50) 위에 연결되며, 상기 탱크 측면 사이에서는 탱크 개방시 후드(42)가 이동되고, 탱크 측면을 통하여 적하 경사면(49) 위로 떨어지는 액체는 비켜 나가서 탱크 림(50)에 도달할 수 없다.
제12도 및 13도에 도시된 실시예는 후드(42)의 측벽(46, 47)의 일부 영역에서 적어도 측벽(46, 47) 영역 내에 후드를 감싸고 있는 칼라(61) 형태로 적하 보호 장치가 형성되어 있다는 것만이 제11도의 실시예와 다르다. 제11도와 관련하여 설명한 바와 같이, 칼라(61)의 돌출 영역(62, 63) 때문에, 후드(42)를 도면에 대하여 좌측으로 이동시킴으로써 탱크를 개방할 때 상부로부터 후드(42)로 떨어지는 액체는 측벽(46, 47)에 도달할 수 없으며 개방된 탱크(43)로 떨어질 수 없다. 제12도에 도시된 경사부분(49)은 제11도의 경사 부분과 거의 일치하며 동일한 기능을 가진다.
제14도 및 제15도에 도시된 실시예에서 좁은 면(72)에 세척 개구부(73)를 가진 탱크(71)가 제공되는데, 상기 세척 개구부는 탱크 바닥 근처의 하부 단부에서 절단된다.
제15도와 관련하여 특히 알 수 있는 바와 같이, 세척 개구부(73)는 이동가능 플랜지(74)에 의하여 닫히고 스크류(75)에 의하여 탱크(71)에 연결될 수 있다. 본 실시예에서는 플랜지(74) 및 탱크(71) 사이에는 중간 플랜지(76)가 제공된다. 플랜지(74) 및/또는 중간 플랜지(76)의 모서리를 밀봉하기 위하여, 주변 밀봉부(77)가 제공된다.
탱크(71)의 세척 개구부(73)는 탱크 바닥의 간단한 세척 및 잔류물 또는 파손된 기판의 용이한 배출을 가능하게 한다.
제16도에 도시된 실시예는 후드(42)의 양측면(46, 47)에 이온화 로드(91, 92)를 가진 이온화 장치를 도시하며, 본 실시예에서, 후드(42)의 상부 모서리 부분에서 고정 장치(93, 94)에 의하여 고정된다.
이온화 로드(91, 92) 하부의 선택된 간격으로, 카운터 전극(95, 96)이 제공되며, 이는 예를 들어 접지되거나 또는 매스에 연결된다,
각각의 이온화 로드(91, 92) 및 관련된 전극(95, 96) 사이에 고전압을 인가함으로써, 기판, 기판 캐리어 및/또는 처리 장치 부품의 정전기 하전을 방지하는 이온이 발생된다. 상기 고전압은 5 내지 25kV, 바람직하게 10 내지 15kV의 고전압이고, 펄스이며, 상기 펄스는 1 내지 10ms, 바람직하게 10 내지 40ms의 펄스 길이를 가지며, 상기 고전압의 펄스 듀티비는 1:8 내지 1:12 범위에 있으며, 바람직하게 약 1:10의 펄스 듀티비를 가진다. 이러한 방식에서, 돌파 또는 스파크와 같은 정전기 하전과 관련된 문제점이 발생하지 않으며 기판에 대한 손상이 발생하지 않는다.
제품 품질의 개선은 증기 영역 내의 가스 농도, 가스 혼합 비율 및/또는 가스 함유량과 가스 혼합물 함유량을 감시하는 적어도 하나의 측정 프로브가 제공되는 전술한 장치에 의하여 달성될 수 있다. 바람직하게 측정 프로브에 의하여 측정된 데이터는 증기 영역 내의 가스 농도, 가스 혼합비율 및/또는 가스 함유량과 가스 혼합물 함유량을 제어하기 위하여 이용된다. 이러한 방식으로, 진공 영역 내에서 전체 제조 및 처리 시퀀스에 대하여 최적의 상태를 유지하는 것이 가능하여 높은 제조 품질 및 낮은 폐기 처리율이 달성된다.
전술한 장치의 실시예에 따른 적정 제품 품질은 처리 유체가 회수되는 라인내에 처리 유체의 처리량을 결정하는 유량계를 배치함으로써 달성될 수 있다. 따라서 처리량의 편차를 빠르게 결정하고 그리고/또는 유입되거나 회수될 유체량을 제어하기 위하여 유량계에 의하여 측정된 데이터를 이용하는 것이 가능하다. 인입라인 및/또는 출구 라인에 밸브, 특히 모터 제어 밸브를 제공하는 것이 바람직하며, 상기 모터 및 밸브는 유량계의 측정 데이터 함수로서 제어된다.
전술한 장치에서 제조 비용은 본 발명에 따라 재생 장치에서 탱크 외부로 흐르는 처리 유체를 재생시킴으로써 최소화된다. 이는 제조 비용을 감소시킬 뿐만 아니라 공정의 환경적인 만족도도 증가시킨다. 재생된 유체는 바람직하게 유체 탱크에서 재사용된다. 전체 재생 유체 또는 그 일부는 또한 재생 후에 사용된 물 하수 시스템으로 방출될 수 있다. 이는 특히 유체가 기판의 건조 공정으로부터 발생된 증류수일 때 바람직하며, 상기 증류수는 별문제 없이 공동 하수 시스템으로 유입될 수 있다.
본 발명은 바람직한 실시예를 참조로 설명되었다. 그러나, 여러 가지 변형 및 변경이 본 발명의 기본 사상을 벗어나지 않고 이루어 질 수 있다는 것은 당업자에게 명백하다. 예를 들어, 각각의 공간 요구조건에 따라 적하 플레이트(43) 또는 칼라(61) 형태의 적하 보호 장치를 다소 높거나 낮은 위치에서 후드(42)에 배치하거나 각각의 요구조건에 따라 경사도의 크기를 선택하는 것이 가능하다. 또한 예를 들어 후드(42) 내에 최적의 균일한 이온화를 제공하기 위하여 다수의 이온화 로드(91,92) 및 다수의 카운터 전극(95,96)을 제공하여 처리 챔버 전체에 이들을 분산시키는 것이 가능하다.

Claims (16)

  1. 적어도 하나의 기판 캐리어(17) 및 기판(25)을 삽입 및 배출시키고 기판(16)을 위한 제 1이송 캐리지(2)를 포함하는 리프팅 장치(1)를 포함하며, 처리 유체(23)를 함유한 탱크(21)에서 기판(25)을 화학 습식 처리하는 장치(20)에 있어서, 기판 리프팅 부재(16)는 기판 캐리어 홀더(17)를 위한 제 2이송 캐리지(3)를 포함하며, 상기 제 1이송 캐리지 및 제 2이송 캐리지는 이음 접속부(4)에 의하여 서로 연결되는 것을 특징으로 하는 화학 습식 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 이음 접속부(4)는 두개의 레그(5, 6)를 포함하며, 제 1레그(5)는 제 1이송 캐리지(2)에 연결되고 제 2레그(6)는 제 2이송 캐리지(3)에 피보트적으로 연결되며, 상기 이송 캐리지(2, 3)와 멀리 접하는 상기 제 1 및 제 2레그(5, 6)는 피보트 방식으로 핀(7)을 통하여 연결되는 것을 특징으로 하는 화학 습식 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 두 레그(5, 6)를 연결하는 핀의 돌출 부분은 제어 커브(11)를 따라 이동하고, 상기 제어 커브(11)는 이송 캐리지(2, 3)의 이동 방향과 평행하게 연장되는 직선 부분(12) 및 상기 직선 부분에 연결된 커브 부분(13)을 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 습식 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제 1및 제 2이송 캐리지(2, 3)사이의 간격은 핀(7)이 직선 부분(12)을 따라 이동할 때 일정하고, 그리고 상기 제 1 및 제 2이송 캐리지(2, 3) 사이의 간격은 핀(7)이 커브 부분(13)을 따라 이동할 때 증가 되는 것을 특징으로 하는 화학 습식 처리 장치.
  5. 제3항에 있어서, 상기 커브 부분(13)의 형상은 상기 제 1 및 제 2이송 캐리지(2, 3) 사이의 간격이 일정하게 증가하도록 선택되는 것을 특징으로 하는 화학 습식 처리 장치.
  6. 제3항에 있어서, 상기 커브 부분(13)의 단부 형상은 상기 제 2이송 캐리지(3)가 완만하게 정지되도록 선택되는 것을 특징으로 하는 화학 습식 처리 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제 1이송 캐리지(2)는 블레이드형 리프팅 부재(16)에 연결되고, 상기 블레이드형 리프팅 부재(16) 및 기판 캐리어(17)는 상기 핀(7)이 제어 커브(11)의 직선 부분(12)을 따라 이동할 때 동일한 속도로 리프팅되고, 상기 제 2이송 캐리지(3)는 기판(25)이 기판 캐리어(17)의 외부 가이드(39)와 맞물릴 때 정지되고, 상기 가이드는 탱크(21) 위에서 후드(22)에 형성되며, 상기 제 2이송 캐리지(3)의 정지 후에 기판(25)의 리프팅은 블레이드형 리프팅 부재(16)에 의하여 수행되는 것을 특징으로 하는 화학 습식 처리 장치.
  8. 제1항에 있어서. 상기 장치(20)는 기판(25)을 세정 또는 건조하는 것을 특징으로 하는 화학 습식 처리 장치.
  9. 제1항에 있어서, 기판 또는 기판 캐리어는 건조 공정 중에 가스, 특히 이소프로필 알콜 및 질소 가스 혼합물에 노출되는 것을 특징으로 하는 화학 습식 처리 장치.
  10. 제1항에 있어서, 탱크(48)위에 후드(42)가 제공되며, 상기 후드(42)는 적하 보호 장치(43, 61)를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 습식 처리 장치.
  11. 제1항에 있어서, 탱크(71)는 세척 개구부(73)를 포함하고, 상기 세척 개구부(73)는 적어도 하나의 플랜지(74,76)에 의하여 닫히고, 그리고 상기 세척 개구부(73)는 탱크 바닥 근처에서 탱크(71)의 측면(72)에 제공되는 것을 특징으로 하는 화학 습식 처리 장치.
  12. 제1항에 있어서, 이온화 장치가 탱크로부터 배출된 기판이 가스, 바람직하게 질소 또는 이소프로필 알콜에 노출되는 증기 영역에서 상기 탱크(48)위의 후드(42)에 제공되는 것을 특징으로 하는 화학 습식 처리 장치.
  13. 제9항에 있어서, 상기 증기 영역 내의 가스 농도, 가스 혼합물비 또는 가스 함유량 및 가스 혼합물 함유량을 감시하는 적어도 하나의 프로브가 제공되며, 상기 측정 프로브에 의하여 검출된 측정 데이터는 상기 증기 영역 내의 가스 농도, 가스 혼합물비 또는 가스 함유량 및 가스 혼합물 함유량을 제어하기 위하여 이용되는 것을 특징으로 하는 화학 습식 처리 장치.
  14. 제1항에 있어서, 상기 처리 유체가 배출되는 라인에 상기 처리 유체의 처리량을 검출하는 유량계가 제공되며 상기 유량계에 의하여 검출된 측정 데이터는 유입되거나 배출되는 유체량을 제어하기 위해서는 이용되는 것을 특징으로 하는 화학 습식 처리 장치.
  15. 제1항에 있어서, 상기 탱크로부터 배출된 유체는 재생 장치에서 재생되는 것을 특징으로 하는 화학 습식 처리 장치.
  16. 적어도 하나의 기판 캐리어(17) 및 기판을 삽입 및 배출시키며, 기판(25)을 위한 제 1이송 캐리지(2) 및 기판 캐리어(17)를 위한 제 2이송 캐리지(3)를 포함하는 리프팅 장치(1)를 이용하는 건조 방법에 있어서, 세정 유체(23)로부터 기판을 리프팅하고 탱크(21) 내에는 기판 캐리어(17)를 남기는 단계; 상기 기판 캐리어(17) 하부로 세정 유체(23)를 하강시키는 단계; 및 건조 공정을 완료한 후에 기판 캐리어(17)로 기판(25)을 하강시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 건조 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19655219C2 (de) * 1996-04-24 2003-11-06 Steag Micro Tech Gmbh Vorrichtung zum Behandeln von Substraten in einem Fluid-Behälter
DE19616402C2 (de) * 1996-04-24 2001-11-29 Steag Micro Tech Gmbh Vorrichtung zum Behandeln von Substraten in einem Fluid-Behälter
DE19616400C2 (de) * 1996-04-24 2001-08-30 Steag Micro Tech Gmbh Vorrichtung zum Behandeln von Substraten in einem Fluid-Behälter
DE19644779C2 (de) * 1996-10-28 2001-06-28 Steag Micro Tech Gmbh Vorrichtung zum Behandeln von Substraten, insbesondere auch von Halbleiterwafern
DE19640848C2 (de) * 1996-10-03 1998-07-16 Steag Microtech Gmbh Pliezhaus Verfahren und Vorrichtung zum Behandeln von Substraten
DE19644253A1 (de) 1996-10-24 1998-05-07 Steag Micro Tech Gmbh Vorrichtung zum Behandeln von Substraten
DE19644255C1 (de) 1996-10-24 1998-04-30 Steag Micro Tech Gmbh Vorrichtung zum Behandeln von Substraten und Verwendung der Vorrichtung
DE19645425C2 (de) * 1996-11-04 2001-02-08 Steag Micro Tech Gmbh Vorrichtung zum Behandeln von Substraten
DE19648498C1 (de) * 1996-11-22 1998-06-10 Steag Micro Tech Gmbh Vorrichtung zum Behandeln von Substraten, insbesondere von Halbleiter-Wafern
US5954068A (en) * 1996-12-06 1999-09-21 Steag Microtech Gmbh Device and method for treating substrates in a fluid container
DE19706072C1 (de) * 1997-02-17 1998-06-04 Steag Microtech Gmbh Pliezhaus Vorrichtung und Verfahren zum Behandeln von Substraten in einem Fluid-Behälter
JP3043709B2 (ja) * 1997-11-19 2000-05-22 株式会社カイジョー 基板の乾燥装置
US6732750B2 (en) * 2000-04-11 2004-05-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor wafer cleaning apparatus and method of using the same
DE10021329C1 (de) * 2000-05-02 2001-10-11 Steag Microtech Gmbh Pliezhaus Verfahren und Vorrichtung zum Behandeln von scheibenförmigen Substraten
DE10215284B4 (de) * 2002-04-05 2007-05-31 Astec Halbleitertechnologie Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Trocknen von Substraten

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4500407A (en) * 1983-07-19 1985-02-19 Varian Associates, Inc. Disk or wafer handling and coating system
DE3637880C2 (de) * 1986-11-06 1994-09-01 Meissner & Wurst Transportierbares Behältnis zur Handhabung von Halbleiterelementen während ihrer Herstellung sowie Verfahren zur partikelfreien Übergabe von Produkten
NL8900480A (nl) * 1989-02-27 1990-09-17 Philips Nv Werkwijze en inrichting voor het drogen van substraten na behandeling in een vloeistof.
JPH05270660A (ja) * 1992-03-24 1993-10-19 Tokyo Electron Ltd 洗浄処理装置
US5299901A (en) * 1992-04-16 1994-04-05 Texas Instruments Incorporated Wafer transfer machine
DE4232183A1 (de) * 1992-09-25 1994-03-31 Ralf G Helmecke Verfahren und Vorrichtung zur Oberflächenbehandlung von aus einem Tauchbad geführten Festkörpern

Also Published As

Publication number Publication date
DE19546990A1 (de) 1996-07-11
DE19546990C2 (de) 1997-07-03
KR980701133A (ko) 1998-04-30

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