KR100274934B1 - 반도체 웨이퍼 보트 - Google Patents

반도체 웨이퍼 보트 Download PDF

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    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67303—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements

Abstract

본 발명은 상부와 하부를 일체형으로 제작하여 파티클의 발생을 방지하게 하는 반도체 웨이퍼 보트에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 보트는, 히터에 의해 가열되는 석영관에 웨이퍼가 이송되어 상기 웨이퍼에 공정이 이루어지도록 상부에는 슬롯이 형성된 복수개 로드에 다수개의 웨이퍼가 적재되고, 하부에는 상기 웨이퍼에 가해지는 열에너지의 손실을 방지하도록 슬롯이 형성된 복수개 로드에 다수개의 열차단플레이트가 설치되는 반도체 웨이퍼 보트에 있어서, 상기 상부의 로드와 상기 하부의 로드 사이의 체결부를 제거한 형태로 상기 상부의 로드와 상기 하부의 로드가 일체를 이루는 것을 특징으로 한다.
따라서, 초기화 테스트의 목표치를 쉽게 달성하여 공정이 빠르게 진행되고, 파티클에 의한 웨이퍼불량을 감소시켜서 웨이퍼 수율을 증가시키며, 제작을 용이하게 하는 효과를 갖는다.

Description

반도체 웨이퍼 보트
본 발명은 반도체 웨이퍼 보트에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 상부와 하부를 일체형으로 제작하여 파티클의 발생을 방지하게 하는 반도체 웨이퍼 보트에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 장비는 공정의 특성에 따라서 웨이퍼가 낱개로 1개씩 가공처리되는 매엽(每葉)식 처리장비가 있고, 이에 반하여 20매, 50매 등의 단위로 다수개의 웨이퍼가 동시에 일괄처리되는 베치(Batch)식 처리장비가 있다.
상기 베치식 처리장비의 경우에는 공정챔버 내로 다수개의 웨이퍼를 적재한 상태로 삽입되어 공정이 이루어지도록 하는 보트(Boat)를 구비한다.
따라서, 공정이 진행되는 반도체 소자 제조설비에 투입되는 보트는, 공정환경의 일부를 이루며 고온 또는 고진공의 공정환경에 영향을 받게 된다.
예를 들면, 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition) 공정에서는, 보트에 적재된 웨이퍼가 반응가스가 공급되는 공정챔버로 투입되어, 고온, 고진공의 상태에서 웨이퍼 상에 텅스텐 실리사이드(WSi2)막 등이 형성된다.
그러므로, 통상 상기 보트의 재료는 내열성이 강하고, 파티클의 발생이 적은 석영(Quartz)을 사용한다.
이러한 종래의 반도체 웨이퍼 보트는, 도1에서와 같이, 웨이퍼가 적재되는 상부(10)와 열차다플레이트(34)가 설치되는 하부(30)로 나뉘어지고 상기 상부(10)와 상기 하부(30)가 조립되도록 상기 상부(10)와 상기 하부(30) 사이에 체결부(20)가 설치된다.
상기 상부(10)에는 슬롯(13)이 형성된 복수개 로드(12)에 다수개의 웨이퍼가 적재되고, 상기 로드(12)의 양단에 각각 상판(10)과, 연결판(14)을 연결하여 상기 로드(12)를 고정한다.
또한, 상기 하부(30)에는 상기 웨이퍼에 가해지는 열에너지의 손실을 방지하도록 슬롯(13)이 형성된 복수개 로드(12)에 다수개의 열차다플레이트(34)가 설치되고, 상기 로드(12)의 양단에 각각 연결판(31)과 하판(36)을 연결하여 상기 로드를 고정한다.
이러한 상기 상부(10)와 상기 하부(30)가 상하로 서로 연결되도록 종래의 반도체 웨이퍼 보트는, 상기 상부(10)의 연결판(14)에 하방으로 설치된 연결다리(21)와, 상기 연결다리(21)가 삽입되어 끼워져서 고정되는 상기 하부(30) 연결판(31)의 삽입홀(22)로 이루어지는 체결부(20)를 구비한다.
따라서, 종래의 반도체 웨이퍼 보트는 상기 상부(10)와 하부(30)가 조립된 상태에서 상기 상부(10)에는, 다수개의 웨이퍼를 적재하고, 상기 하부(30)에는 열차다플레이트(34)를 설치한 상태로 히터에 의해 가열되고, 고진공펌프와 연결된 석영관에 로딩되어 고온, 고진공상태의 환경에서 웨이퍼 가공이 이루어지게 되며, 가공을 마친 상기 웨이퍼를 언로딩하는 과정을 반복하게 된다.
또한, 상기와 같은 과정이 장시간 진행되어 상기 보트에 이물질이 축적되면 이를 제거하기 위하여 정기적으로 설비를 중단한 후 상기 상부(10)와 하부(30)를 분해하여 세척액(SC1, HF, 탈이온수 등)으로 상기 상부(10)와 하부(30)를 각각 세척하는 세척작업을 실시하고 있다.
상기와 같은 세척작업 후에는, 실제 공정을 재수행하기 전에 상기 보트의 세정상태와 설비의 청정도를 확인하도록 테스트용 모니터웨이퍼를 상기 보트에 적재시키고, 실제 가공상태에서 가공하기 전후의 파티클 증가갯수를 검사장치가 검사하여 파티클의 발생이 목표치를 만족하는가를 검증하는 초기화 테스트를 실시하게 된다.
그러나, 최근 웨이퍼의 고밀도화 추세로 웨이퍼 패턴이 미세화되고, 그로 인하여 파티클 발생을 최대한 방지하는 것이 중요시됨에 따라 상기 목표치가 하향조정되고 있으나, 종래의 반도체 웨이퍼 보트는, 초고진공상태에서 상기 상부와 하부에 각각 진동이 발생하고, 이러한 진동으로 상기 체결부에서 파티클이 발생하여 도2에서와 같이, 상기의 목표치를 만족시키는 것이 매우 어렵거나 불가능하여 세정작업을 재차 실시하는 등의 문제점이 있었다.
또한, 상기 열차단플레이트와 상기 하부의 로드 슬롯간의 마찰로 파티클이 발생하는 문제점이 있었다.
도2는 종래의 반도체 웨이퍼 보트의 상부에 6개의 모니터웨이퍼를 상부바닥에서부터 1, 21, 41, 61, 81, 101번째 슬롯에 각각 안착시키고, 공정을 수행하여 상기 각 모니터웨이퍼의 표면상에 검출된 파티클 증가갯수를 사진촬영으로 확인하여 나타낸 그래프이다.
상기 모니터웨이퍼는 처음 사용하는 A급 모니터웨이퍼이고, 진공조건은 10-7내지 10-8토르(TORR)이다.
본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 그 목적은 초기화 테스트의 목표치를 쉽게 달성하여 공정이 빠르게 진행되고, 파티클에 의한 웨이퍼불량을 감소시켜서 웨이퍼 수율을 증가시키며, 제작을 용이하게 하는 반도체 웨이퍼 보트를 제공함에 있다.
도1은 종래의 반도체 웨이퍼 보트를 나타낸 사시도이다.
도2는 도1의 종래의 반도체 웨이퍼 보트에 6개의 모니터웨이퍼를 안착시키고, 공정을 수행하여 상기 각 모니터웨이퍼의 표면상에 검출된 파티클 증가갯수를 나타낸 그래프이다.
도3은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 보트를 나타낸 사시도이다.
도4는 도2의 본 발명의 반도체 웨이퍼 보트에 6개의 모니터웨이퍼를 안착시키고, 공정을 수행하여 상기 각 모니터웨이퍼의 표면상에 검출된 파티클 증가갯수를 나타낸 그래프이다.
※ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
10, 40: 상부 11, 41: 상판
12, 32, 42: 로드 13, 33, 43: 슬롯
14, 31: 연결판 20: 체결부
21: 연결다리 22: 삽입홀
30, 60: 하부 34, 64: 열차단플레이트
35, 65: 열차단판 36, 66: 하판
50: 차단판
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 반도체 웨이퍼 보트는, 히터에 의해 가열되는 석영관에 웨이퍼가 이송되어 상기 웨이퍼에 공정이 이루어지도록 상부에는 슬롯이 형성된 복수개 로드에 다수개의 웨이퍼가 적재되고, 하부에는 상기 웨이퍼에 가해지는 열에너지의 손실을 방지하도록 슬롯이 형성된 복수개 로드에 다수개의 열차단플레이트가 설치되는 반도체 웨이퍼 보트에 있어서, 상기 상부의 로드와 상기 하부의 로드 사이의 체결부를 제거한 형태로 상기 상부의 로드와 상기 하부의 로드가 일체를 이루는 것을 특징으로 한다.
또한, 바람직하기로는, 상기 로드에, 상기 로드의 상단을 서로 연결하여 지지시키는 상판과, 상기 로드의 하단을 서로 연결하여 지지시키는 하판이 설치되고, 상기 로드는, 다수개가 평행하게 설치되고, 상기 웨이퍼가 상기 로드에 대하여 수직으로 삽입되어 슬롯에 고정되도록 일측방이 개방된 형상으로 배치된다.
이러한 상기 로드는, 3개가 설치되고, 석영재질로 제작하는 것이 가능하다.
또한, 본 발명의 반도체 웨이퍼 보트에는, 상기 상기 로드가 관통되고, 상기 상부와 하부 사이에 상기 상부와 상기 하부의 경계를 이루는 차단판이 설치될 수 있다.
한편, 상기 열차단플레이트는, 석영재질의 원판형태로 다수개가 일정간격으로 적층되는 형태로 설치되고, 일정 간격으로 설치된 상기 4개 내지 6개의 열차단플레이트가 격리되어 열손실의 효율적인 방지가 가능하도록 상기 로드가 관통하고, 열손실을 방지하는 열차단판이 열차단플레이트 사이에 설치되는 것이 바람직하다.
이하, 본 발명의 구체적인 일 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도3은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 보트를 나타낸 사시도이다.
도3을 참조하여 설명하면, 히터에 의해 가열되는 석영관에 웨이퍼가 이송되어 상기 웨이퍼에 공정이 이루어지도록 상부(40)에는 슬롯(43)이 형성된 3개의 로드(42)에 101개의 웨이퍼가 적재되고, 하부(60)에는 상기 웨이퍼에 가해지는 열에너지의 손실을 방지하도록 슬롯(43)이 형성된 3개 로드(42)에 다수개의 열차단플레이트(64)가 설치되는 본 발명의 반도체 웨이퍼 보트는, 상기 상부(40)의 로드(42)와 상기 하부(60)의 로드(42) 사이의 체결부를 제거한 형태로 상기 상부(40)의 로드(42)와 상기 하부(60)의 로드(42)가 일체를 이룬다.
상기 로드(42)에는, 상기 3개의 로드(42) 상단을 서로 연결하여 지지시키는 원판형상의 상판(41)과, 상기 로드(42)의 하단을 서로 연결하여 지지시키는 원판형의 하판(66)이 설치된다.
또한, 상기 로드(42)는, 4개도 가능하나 바람직하기로는 3개가 서로 평행하도록 설치하고, 상기 웨이퍼가 상기 로드(42)에 대하여 수직으로 삽입되어 슬롯(43)에 고정되도록 일측방이 개방되는 형태로 배치된다.
상기 로드(42)는, 내열성과 내부식성이 강한 석영재질을 사용한다.
또한, 상기 로드(42)의 길이는 종래의 반도체 웨이퍼 보트의 상부(40) 및 하부(60)의 길이를 합한 길이 만큼으로 제작하고, 상기 로드(42)가 관통되고, 상기 상부(40)와 하부(60) 사이에 상기 상부(40)와 상기 하부(60)의 경계를 이루는 차단판(50)을 상기 로드(42)에 수직으로 설치하여 중간부를 지지하는 역할을 할 수 있도록 한다.
한편, 상기 열차단플레이트(64)는, 석영재질의 원판으로서, 다수개가 일정간격으로 적층되는 형태로 설치되고, 일정 간격으로 설치된 상기 4개 내지 6개의 열차단플레이트(64)가 격리되어 열손실의 효율적인 방지가 가능하도록 상기 로드(42)가 관통하며, 열손실을 방지하는 열차단판(65)이 열차단플레이트(64) 사이에 설치된다.
상기 열차단플레이트(64)는, 종래의 10mm 의 피치 간격에서 더 넓혀 13mm 내지 17mm 의 범위내에서 선택된 간격의 피치로 설치되는 것이 가능하고, 바람직하기로는, 15mm 간격의 피치로 설치되도록 한다.
따라서, 본 발명의 반도체 웨이퍼 보트의 작동관계를 설명하면, 상기 상부(40)와 상기 하부(60)가 일체형으로 제작된 본 발명의 반도체 웨이퍼 보트가 석영관에 삽입되어 고온의 고진공 상태에서 진공압에 의해 진동하더라도 상기 상부(40)와 상기 하부(60)가 동시에 함께 진동함으로써 마찰부위가 없으므로 마찰에 의한 파티클의 발생을 원천적으로 방지하게 된다.
또한, 상기 하부(60)의 길이가 정해져 있으므로 종래의 열차단플레이트(64)의 피치간격을 증가시켜서 상기 하부(60)의 로드(42)에 형성된 슬롯(43)의 개수를 줄임으로써 상기 슬롯(43)에서 발생하는 파티클도 줄일 수 있다.
그러므로, 도4에서 도시된 바와 같이, 본 발명의 반도체 웨이퍼 보트의 상부에 6개의 모니터웨이퍼를 상부바닥에서부터 1, 21, 41, 61, 81, 101번째 슬롯에 각각 안착시키고, 공정을 수행하여 상기 각 모니터웨이퍼의 표면상에 검출된 파티클 증가갯수를 사진촬영으로 확인하여 이를 그래프로 나타내면 공정의 전후로 모니터웨이퍼에서 검출된 파티클 증가분의 목표치 15개를 모두 만족한다.
만약 하나라도 불만족시키면 조건을 바꾸어 재테스트를 실시하거나 재세척을 실시하여야만 한다.
상기 모니터웨이퍼는 처음 사용하는 A급 모니터웨이퍼이고, 진공조건은 10-7내지 10-8토르(TORR)이다. 이는 도2의 종래 반도체 웨이퍼 보트의 초기화 테스트 조건과 동일하다.
따라서, 파티클의 발생을 현저하게 줄이는 동시에 상기 반도체 웨이퍼 보트에 조립되는 부품의 개수가 적어 제작이 용이하다.
이상에서와 같이 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 보트에 의하면, 초기화 테스트의 목표치를 쉽게 달성하여 공정이 빠르게 진행되고, 파티클에 의한 웨이퍼불량을 감소시켜서 웨이퍼 수율을 증가시키며, 제작을 용이하게 하는 효과를 갖는 것이다.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.

Claims (9)

  1. 웨이퍼가 이송되어 상기 웨이퍼에 공정이 이루어지도록 상단에는는 상판이 구비되고, 상기 상단과 연결되는 상부에는 슬롯이 형성된 복수개 로드에 다수개의 웨이퍼가 적재되고, 하단에는 하판이 구비되고, 상기 하판과 역결되는 하부에는 상기 웨이퍼에 가해지는 열에너지의 손실을 방지하도록 슬롯이 형성된 복수개 로드에 다수개의 열차단플레이트가 설치되는 반도체 웨이퍼 보트에 있어서,
    상기 상부의 로드와 상기 하부의 로드가 일체로 이루어지고, 상기 일체로 이루어지는 로드는 적어도 3개 이상이 평행하게 설치되고, 상기 웨이퍼가 상기 일체로 이루어지는 상기 로드에 대하여 수직으로 삽입되어 슬롯에 고정되도록 일측방이 개방된 형태로 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 보트.
  2. 제 1 항 내지 제 4 항에 있어서,
    상기 로드는,
    재질이 석영재질인 것을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 보트.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 로드가 관통되고, 상기 상부와 하부 사이에 상기 상부와 상기 하부의 경계를 이루는 차단판이 설치되는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 보트.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 열차단플레이트는,
    석영재질의 원판인 것을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 보트.
  5. 제 5 항에 있어서,
    상기 열차단플레이트는,
    다수개가 일정간격으로 적층되는 형태로 설치되는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 보트.
  6. 제 6 항에 있어서,
    일정 간격으로 설치된 상기 4개 내지 6개의 열차단플레이트가 격리되어 열손실의 효율적인 방지가 가능하도록 상기 로드가 관통하고, 열손실을 방지하는 열차단판이 열차단플레이트 사이에 설치되는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 보트.
  7. 제 9 항에 있어서,
    상기 열차단플레이트는,
    13mm 내지 17mm 의 범위내에서 선택된 일정한 간격의 피치로 설치되는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 보트.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 열차단플레이트는,
    15mm 간격의 피치로 설치되는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 보트.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 웨이퍼의 진공조건은,
    10-7내지 10-8토르(TORR)인 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조용 서셉터.
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