KR100272339B1 - 홀로그램을이용한위치측정장치 - Google Patents

Abstract

이 발명은 홀로그램을 이용한 위치 측정 장치에 관한 것으로, 제1정렬 마크가 형성된 제1마스크와; 상기 제1마스크로 레이저를 입사시켜 홀로그램 정렬 마크를 형성하는 홀로그램 형성 수단과; 상기에서 형성된 홀로그램이 기록되고 전사시키고자 하는 회로 패턴이 형성되어 있는 제2마스크와; 상기 제2마스크로 레이저를 입사시켜 홀로그램 정렬 마크를 재생하는 재생 수단과; 상기 재생된 홀로그램 정렬 마크와 상호 작용하여 회절광을 발생시키는 제2정렬 마크가 형성되어 있는 웨이퍼와; 상기에서 발생된 회절광을 검출하여 그에 정렬 신호를 출력하는 신호 검출 수단과: 상기 신호 검출부에서 출력되는 정렬 신호에 따라 상기 제2마스크와 웨이퍼의 위치를 산출하는 위치 산출 수단을 포함하여 이루어짐으로써, 반도체 노광 장비에 있어서 홀로그램 방식에 따라 웨이퍼와 마스크의 정확한 위치 검출이 가능하며, 그에 따라 웨이퍼와 마스크의 위치가 일치하도록 정렬시킬 수 있다.

Description

홀로그램을 이용한 위치 측정 장치{DEVICE FOR FINDING A POSITION USING A HOLOGRAM}

이 발명은 홀로그램(hollogram)을 이용한 위치 측정 장치에 관한 것으로 더욱 상세하게 말하자면, 반도체의 노광 장비에 있어서, 홀로그램을 이용하여 마스크(mask)와 웨이퍼(wafer)의 상대적인 위치 측정을 수행하는 홀로그램을 이용한 위치 측정 장치에 관한 것이다.

종래의 근접식 노광 장비에 있어서, 회로 패턴이 형성되어 있는 마스크와 상기 회로 패턴이 조사되는 웨이퍼의 위치를 정렬시키기 위하여, 임의 광원에서 정렬광을 마스크로 조사하고, 조사되는 정렬광이 마스크에 새겨진 정렬 마크로 입사됨에 따라 회절이 발생하게 된다.

상기 회절에 따라 발생된 회절광중에서 +/- 1차 회절광은 다시 웨이퍼에 새겨진 정렬 마크로 입사하여 다시 회절이 일어난다. 따라서, 웨이퍼에 새겨진 정렬 마크에서 발생한 회절광 중의 일부를 검출하여 정렬 신호로서 사용하고, 상기 정렬 신호에 따라 웨이퍼의 현재 위치를 검출하였다.

이 발명의 목적은 상기한 종래 기술과는 달리, 반도체 노광 장비에 있어서 홀로그램 방식에 따라 마스크에 정렬 마크를 기록하고, 기록된 홀로그램 정렬 마크와 웨이퍼상의 정렬 마크의 상호 작용으로 인한 정렬 신호의 강도 변화를 측정함으로써, 마스크와 웨이퍼의 위치를 정밀하게 측정하기 위한 홀로그램을 이용한 위치 측정 장치를 제공하고자 하는데 있다.

또한 이 발명의 다른 목적은 반도체 노광 장비에 있어서, 홀로그램을 이용하여 마스크와 웨이퍼의 정확한 위치를 측정하여 그에 따라 마스크와 웨이퍼의 위치가 일치하도록 정렬시키기 위한 홀로그램을 이용한 위치 측정 장치를 제공하고자 하는데 있다.

상기의 목적을 달성하기 위한 이 발명의 구성은,

제1정렬 마크가 형성된 제1마스크와;

상기 제1마스크로 레이저를 입사시켜 홀로그램 정렬 마크를 형성하는 홀로그램 형성 수단과;

상기에서 형성된 홀로그램이 기록되고, 전사시키고자 하는 회로 패턴이 형성되어 있는 제2마스크와;

상기 제2마스크로 레이저를 입사시켜 홀로그램 정렬 마크를 재생하는 재생 수단과;

상기 재생된 홀로그램 정렬 마크와 상호 작용하여 회절광을 발생시키는 제2정렬 마크가 형성되어 있는 웨이퍼와;

상기에서 발생된 회절광을 검출하여 그에 정렬 신호를 출력하는 신호 검출 수단과;

상기 신호 검출부에서 출력되는 정렬 신호에 따라 상기 제2마스크와 웨이퍼의 위치를 산출하는 위치 산출 수단을 포함하고,

상기 제1 정렬 마크는 빛이 통과하는 제1 부분과 빛이 투과하지 않는 제2 부분으로 이루어지는 투과형 정렬 마크이며, 상기 제1 부분 및 제2 부분은 일정하기 않은 간격으로 형성되어 있다.

도1은 이 발명의 실시예에 따른 홀로그램을 이용한 위치 측정 장치의 홀로그램 형성 과정을 나타낸 도이고,

도2는 이 발명의 실시예에 따른 홀로그램을 이용한 위치 측정 장치의 홀로그램 정렬 마크 재생 과정을 나타낸 도이고,

도3은 이 발명의 실시예에 따른 웨이퍼와 마스크의 위치 측정 과정을 나타낸 도이고,

도4a는 이 발명의 실시예에 따른 마스크의 정렬 마크의 구성도이고,

도4b는 이 발명의 실시예에 따른 웨이퍼의 정렬 마크의 구성도이고,

도5는 이 발명의 실시예에 따른 패턴 전사 과정을 나타낸 도이고,

도6은 이 발명의 실시예에 따른 정렬 신호 출력을 나타낸 그래프이고,

도7a와 도7b는 회절 격자에 따른 회절광 발생을 나타낸 상태도이고,

도8은 정렬광과 정렬 마크의 중첩 정도에 따른 강도 변화를 나타낸 상태도이다.

상기한 구성에 의하여, 이 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 이 발명을 용이하게 실시할 수 있는 가장 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조로 하여 상세히 설명한다.

도1은 이 발명의 실시예에 따른 홀로그램을 이용한 위치 측정 장치의 홀로그램 형성 과정을 나타낸 도이고,

도2는 이 발명의 실시예에 따른 홀로그램을 이용한 위치 측정 장치의 홀로그램 정렬 마크 재생 과정을 나타낸 도이고,

도3은 이 발명의 실시예에 따른 웨이퍼와 마스크의 위치 측정 과정을 나타낸 도이고,

도4a는 이 발명의 실시예에 따른 마스크의 정렬 마크의 구성도이고,

도4b는 이 발명의 실시예에 따른 웨이퍼의 정렬 마크 구성도이고,

도5는 이 발명의 실시예에 따른 패턴 전사 과정을 나타낸 도이고,

도6은 이 발명의 실시예에 따른 정렬 신호 출력을 나타낸 그래프이고,

도7a와 도7b는 회절 격자에 따른 회절광 발생을 나타낸 상태도이고,

도8은 정렬광과 정렬 마크의 중첩 정도에 따른 강도 변화를 나타낸 상태도이다.

첨부한 도1내지 도3에 도시되어 있듯이 이 발명의 실시예에 따른 홀로그램을 이용한 위치 검출 장치의 구성은, 제1정렬 마크(11)가 형성된 제1마스크(1)와, 상기 제1마스크(1)로 레이저를 입사시켜 홀로그램 정렬 마크를 형성하는 홀로그램 형성부(3)와, 상기에서 형성된 홀로그램 정렬 마크가 기록되고, 전사시키고자 하는 회로 패턴이 형성되어 있는 제2마스크(2)와, 상기 제2마스크로 레이저를 입사시켜 홀로그램 정렬 마크를 재생하는 재생부(4)와, 상기 재생된 정렬 마크와 상호 작용하여 회절광을 발생시키는 제2정렬 마크(51)가 형성되어 있는 웨이퍼(5)와, 상기에서 발생된 회절광에 해당하는 정렬 신호를 검출하여 출력하는 신호 검출부(6)와, 상기 신호 검출부(6)에서 출력되는 신호에 따라 상기 제2마스크(2)와 웨이퍼(5)의 위치를 산출하는 제어부(7)로 이루어진다.

상기 홀로그램 형성부(3)는 첨부한 도1에 도시되어 있듯이, 레이저를 발생시키는 레이저 발생부(31)와, 상기 레이저 발생부(31)에서 출력되는 레이저를 제1마스크(1)상으로 반사시켜 물체광을 형성하는 제1미러(35)와, 상기 레이저 발생부(31)에서 출력되는 레이저를 나누어 제2마스크(2)상으로 입사되는 참조광을 형성하는 빔 스플리터(33)로 이루어진다.

상기 재생부(4)는 첨부한 도2에 도시되어 있듯이, 상기 빔 스플리터(33)에 의하여 나뉘어진 레이저를 반사시키는 제2미러(41)와, 상기 제2미러(41)에 의하여 반사된 레이저를 반사시키는 제3미러(43)와, 상기 제3미러(43)에 의하여 반사된 레이저를 다시 반사시켜 참조광이 입사되는 반대 방향에서 제2마스크(2)상으로 입사되는 재생광을 형성하는 제4미러(45)로 이루어진다.

상기 제1마스크(1)상에 형성된 제1정렬 마크(11)는 첨부한 도4A에 도시되어 있듯이 투과형 정렬 마크로서, 빗금친 부분은 빛이 투과할 수 없는 불투명한 부분이고, 다른 부분은 빛이 투과할 수 있는 부분이다.

또한 제1정렬 마크(11)는 첨부한 도4A에 도시되어 있듯이, 광포착 영역(c아파트ure range)의 증가가 가능하고 정확한 위치 측정이 가능하도록, 격자간의 간격이 랜덤(random)한 형태로 이루어진다.

그리고 웨이퍼(5)상에 기록된 제2정렬 마크(51)는 첨부한 도4B에 도시되어 있듯이 반사형 회절 격자로서, 요철형으로 이루어진다.

상기 제2마스크(2)에는 웨이퍼(5)상에 전사시키고자 하는 패턴이 기록되어 있으며, 표면에 감광 물질이 도포되어 있다.

이 발명의 다른 구성으로서, 상기 제어부(7)의 출력단에 연결되어 제2마스크의 위치를 가변시키는 마스크 스테이지 구동부(9)와, 웨이퍼의 위치를 가변시키는 웨이퍼 스테이지 구동부(8)를 더 포함하여 이루어진다.

상기 구성에 의한 이 발명의 실시예에 따른 홀로그램을 이용한 위치 측정 장치의 작용을 설명하면 다음과 같다.

홀로그램이란, 물체로부터 투과광이나 산란광과 참조광과의 간섭 무늬를 필름이나 건판 등의 기록 재료에 기록하는 것이다.

일반적으로 사진에 나타나는 이미지는 물체로부터 반사된 빛의 세기의 변화를 기록한 것으로, 즉, 빛에 덜 반사된 부분은 검은 영역을 형성하고 빛이 많이 반사되면 밝은 영역을 형성함으로써, 빛의 세기 변화를 기록하는 것이다. 그러나 홀로그래피(holography)는 빛의 세기 뿐만 아니라 빛의 위상까지도 기록이 가능한 것으로, 다시 말하자면, 빛의 밝고 어두운 정보(빛의 세기)와 함께 물체로부터 반사된 빛을 만들고 있는 파동면이 물체의 위치에 따라 다르게 보이는 정도(빛의 위상)까지도 기록이 되는 것이며, 기록에 사용되는 광원으로는 레이저(laser)가 사용된다.

이 발명에 사용되는 광원인 레이저는 홀로그램에 사용되는 레이저와 동일하다.

이 발명에서는 홀로그램 방식으로 회로 패턴이 기록되어 있는 마스크에 홀로그램 정렬 마크를 기록한 다음, 이 때 사용된 참조파의 복소 공액파를 입사시켜 기록된 정렬 마크를 원래의 위치에 재생시키고, 상기 재생된 패턴을 정렬광으로 이용하여 상기 마스크에 형성된 회로 패턴을 전사시키고자 하는 웨이퍼에 새겨진 정렬 마크와 상호 작용시켜 회절광을 발생시키고, 발생된 회절광에 해당하는 정렬 신호를 검출하여 웨이퍼와 마스크의 위치를 측정하는 것이다.

상기한 원리에 따라 이 발명의 작용을 보다 상세하게 설명하고자 한다.

패턴이 전사되는 웨이퍼와, 웨이퍼에 전사시키고자 하는 패턴이 기록되어 있는 마스크의 위치를 측정하기 위하여, 먼저 첨부한 도1에 도시되어 있듯이 홀로그램 정렬 마크를 형성한다.

홀로그램 정렬 마크를 형성하기 위하여, 웨이퍼(5)가 놓일 위치에 제1정렬 마크(11)가 기록되어 있는 제1마스크(1)를 위치시킨다. 상기와 같이 제1마스크(1)가 해당 위치에 위치한 다음 전원이 인가되면 상기 홀로그램 형성부(3)의 레이저 발생부(31)는 레이저를 발사한다.

상기 레이저 발생부(31)에서 발사된 레이저(이하 광이라 명명함)는 빔 스플리터(33)에 의하여 나뉘어지며, 상기 빔 스플리터(33)에 의하여 나뉘어진 광 중에서, 빔 스플리터(33)를 통과한 광은 제1미러(35)에 의하여 반사되어 물체광으로서 제1마스크(1)로 입사된다.

상기 제1미러(35)에 의하여 제1마스크(1)상으로 입사되는 물체광이 제1마스크(1)상에 형성된 투과형 제1정렬 마크(11)를 통과함에 따라 회절이 발생하고, 이 때 발생한 회절광이 감광 물질이 도포되어 있는 제2마스크(2)의 임의 영역(A)으로 입사된다.

이와 동시에, 레이저 발생부(31)에서 출력되고 상기 빔 스플리터(33)에 의하여 나뉘어진 광의 일부가 제1마스크(1)를 통과하지 않고 다른 경로를 통하여, 첨부한 도1에 도시되어 있듯이 참조광으로서 제2마스크(2)의 임의 영역(A)으로 입사된다.

따라서 제1마스크(1)를 통과한 광과 상기 참조광의 간섭이 발생하고, 상기 간섭에 따라 발생된 간섭 무늬가 감광 물질에 노광되어 홀로그램 정렬 마크가 형성된다.

상기와 같이 형성된 홀로그램 정렬 마크는 현상, 에칭 등의 과정을 통하여 투과형 홀로그램으로 제2마스크(2)에 기록된다.

상기한 바와 같이 홀로그램 정렬 마크를 형성한 다음, 형성된 홀로그램으로부터 정렬 마크를 재생시켜 웨이퍼와 마스크를 정렬시킨다.

도1에서와 같이 형성된 홀로그램에 참조광과 진행 방향이 반대인 복소 공액광 즉, 재생광을 입사시키면 물체광의 위상 공액광이 형성되며, 이 위상 공액광은 물체광이 입사한 경로를 그대로 되돌아가면서 원래의 물체광이 지나온 패턴을 재생한다. 이와 같은 원리에 따라 제1마스크(1)의 위치에 홀로그램 정렬 마크 즉, 제1정렬 마크(11)의 상을 그대로 재생시킬 수 있다.

웨이퍼(5)를 정렬하기 위하여, 도3 및 도5에 도시되어 있듯이, 상기 제1마스크(1)가 놓여졌던 위치에 웨이퍼(5)를 위치시킨다.

다음에, 첨부한 도2에 도시되어 있듯이 레이저 발생부(31)에서 발사되어 빔 스플리터(33)에 의하여 나뉘어진 광의 일부가 재생부(4)로 입사된다.

상기 재생부(4)로 입사된 광은 먼저 제2미러(41)에 의하여 반사되고, 다시 제3미러(43)에 의하여 반사되어 제4미러(45)로 입사된다. 제4미러(45)로 입사된 광은 첨부한 도2에 도시되어 있듯이 재생광으로서, 상기 참조광이 입사되는 반대 방향에서 제2마스크(2)의 임의 영역(A)으로 입사된다.

재생광의 입사에 따라 홀로그램 형성시에 제1마스크(1)를 통과하였던 물체광의 위상 공액광이 형성되고, 이 위상 공액광은 물체광이 입사한 경로를 그대로 되돌아가면서 원래의 물체광이 지나온 제1정렬 마크(11)를 재생한다. 즉, 제2마스크(2)에 기록된 정렬 마크가 재생된다.

상기와 같이 재생된 정렬 마크 상은 첨부한 도3에 도시되어 있듯이 웨이퍼(5)로 입사됨에 따라, 웨이퍼(5)상에 형성된 제2정렬 마크(51)에 의하여 회절이 발생한다.

보다 상세하게 말하자면, 제1정렬 마크에 해당하는 정렬 마크 상이 첨부한 도4B에 도시되어 있는 웨이퍼(5)상의 요철형 제2정렬 마크(51)위에 중첩되어 회절이 발생하게 된다.

상기 회절광은 홀로그램에 의하여 재생된 제1정렬 마크(11)의 상과 웨이퍼(5)에 형성된 제2정렬 마크(51)와의 중첩된 정도에 따라 강도가 가변되고, 신호 검출부(6)가 상기 회절광의 +/- 1차 광을 검출하여 그에 해당하는 정렬 신호를 출력한다.

일반적으로 광이 회절 격자를 통과하면 첨부한 도7a와 도7b에 도시되어 있듯이, 회절이 발생하게 되는데, 원래 광이 진행하던 방향으로 진행하는 광을 0차 회절광이라 하고, 좌, 우 첫 번째 회절광을 +/-1차 회절광, 두 번째 회절광을 +/-2차 회절광이라고 한다.

상기 회절 격자에는 광이 회절 격자를 투과하면서 회절이 일어나는 경우의 투과형과, 광이 회절 격자에서 반사되면서 회절이 일어나는 반사형이 있다.

이 발명에서는 격자의 주기가 랜덤한 경우임으로, 한 개의 격자와 정렬 마크만으로 설명하면 첨부한 도8에 도시된 바와 같다.

정렬광과 정렬 마크의 일부분만 중첩된 경우에는 강도가 작았다가 점차 정렬광과 정렬 마크가 많이 중첩되면 강도가 증가하게 된다. 다시 정렬광과 정렬 마크의 중첩된 부분이 줄어들게 되면 강도가 다시 감소하게 된다. 동일한 강도의 광이 입사되어 회절이 일어나면 상기와 같이 여러 차수의 광으로 나뉘어짐으로, +/-1차 회절광과 같은 특정 차수의 광의 강도 변화를 검출하면, 광과 정렬 마크와의 상대적인 변위를 알 수 있다.

즉, 광과 정렬 마크가 완전히 겹쳐진 경우에는 +/- 1차 회절광의 강도가 가장 크며, 광과 정렬 마크가 어긋나 있는 경우에는 회절이 부분적으로 일어남으로 강도가 줄어들게 된다.

반대로, 0차 회절광을 정렬 신호로 검출하면, 광과 정렬 마크가 완전히 겹쳐진 경우에는 강도가 가장 약하며, 광과 정렬 마크가 어긋나 있는 경우에는 반사되는 광이 많고 일부만 회절이 일어남으로 신호의 강도가 증가하게 된다.

이 발명에 있어서, 상기 제1정렬 마크(11)와 제2정렬 마크(51)가 완전히 중첩되었을 때 정렬 신호의 강도가 최대값을 가지며, 제1정렬 마크(11)와 제2정렬 마크(51)가 어긋날수록 정렬 신호의 강도가 감소된다.

상기 신호 검출부(6)에서 회절광의 검출에 따라 출력되는 정렬 신호는 첨부한 도6에 도시되어 있는 바와 같다.

그런데, 홀로그램 형성시에 사용된 정렬 마크(제1정렬 마크)의 주기가 일정한 주기를 가지는 경우에는 즉, 첨부한 도4A의 투명한 부분이 일정하게 형성되는 경우에는, 홀로그램에 의하여 형성된 정렬 마크와 웨이퍼(5)의 정렬 마크(제2정렬 마크)가 한 주기만큼 쉬프트되더라도 정렬 신호값에 크게 변화가 발생하지 않게 된다.

따라서 이 발명에서는 첨부한 도4A와 같이, 제1정렬 마크(11)의 주기가 랜덤하도록 즉, 투명한 부분의 랜덤하게 형성되도록 제1정렬 마크(11)를 구성하였다.

이에 따라, 빛의 포착 영역을 크게 할 수 있을 뿐만 아니라, 정확한 위치 정보를 획득할 수 있다.

상기에서 신호 검출부(6)에서 출력된 정렬 신호는 제어부(7)로 입력되고, 상기 제어부(7)는 입력되는 정렬 신호에 따라 현재 웨이퍼(5) 또는 제2마스크(2)의 위치를 측정한다.

상기와 같이 홀로그램을 이용하여 웨이퍼(5)와 제2 마스크(2)의 위치를 측정한 다음, 제어부(7)는 측정된 위치에 따라 웨이퍼(5)와 제2 마스크(2)를 정확한 위치로 정렬시킨다.

현재 웨이퍼(5)가 정확한 위치에 놓여져 있지 않은 경우에는, 상기 제어부(7)는 웨이퍼 스테이지 구동부(8)를 작동시켜, 웨이퍼가 놓여져 있는 스테이지를 X방향, 또는 Y방향으로 이동시켜 웨이퍼(5)가 정확한 위치에 놓이도록 제어한다.

이 때, 웨이퍼 스테이지를 이동시키지 않고, 마스크 스테이지 구동부(9)를 작동시켜 제2마스크가 놓이는 스테이지를 X방향 또는 Y방향으로 이동시켜, 제2마스크(2)와 웨이퍼(5)의 상대적인 위치 변화에 따른 정렬 신호 변화를 검출할 수도 있다.

상기에서 웨이퍼(5)와 제2마스크(2)의 정확한 위치에 놓인 경우 즉, 홀로그램에 의하여 재생된 제1정렬 마크(11)의 상과 웨이퍼(5)에 형성된 제2정렬 마크(51)가 일치하는 경우에는, 첨부한 도6에 도시되어 있듯이 신호 검출부(6)에서 출력되는 정렬 신호가 최대값을 가지게 된다.

상기 제어부(7)는 신호 검출부(6)로부터 최대값을 가지는 정렬 신호가 출력되는 경우는, 웨이퍼(5)와 제2마스크(2)가 정확한 위치로 정렬된 상태로 판단하여, 그 때 웨이퍼 스테이지 구동부(8) 또는 마스크 스테이지 구동부(9)의 작동을 정지시킨다.

상기한 동작에 따라 웨이퍼(5)와 마스크(2)가 정확한 위치로 정렬된 다음에는, 노광 공정이 수행되어 마스크(2)에 형성된 패턴 즉, 회로 등의 패턴이 웨이퍼(5)상에 전사된다.

이상에서와 같이 이 발명의 실시예에 따라, 반도체의 노광 장비에 있어서, 홀로그램 방식에 따라 웨이퍼와 마스크의 정확한 위치 검출이 가능하며, 그에 따라 웨이퍼와 마스크의 위치가 일치하도록 정렬시킬 수 있다.

또한 정렬 마크를 랜덤한 주기로 형성함에 따라, 광 포착 영역을 크게 할 수 있으며 그에 따라 보다 정확한 위치 정렬이 가능한 효과를 가지는 홀로그램을 이용한 위치 측정 장치를 제공할 수 있다.

Claims (9)

1. 제1정렬 마크가 형성된 제1마스크와;

   상기 제1마스크로 레이저를 입사시켜 홀로그램 정렬 마크를 형성하는 홀로그램 형성 수단과;

   상기에서 형성된 홀로그램이 기록되고, 전사시키고자 하는 회로 패턴이 형성되어 있는 제2마스크와;

   상기 제2마스크로 레이저를 입사시켜 홀로그램 정렬 마크를 재생하는 재생 수단과;

   상기 재생된 홀로그램 정렬 마크와 상호 작용하여 회절광을 발생시키는 제2정렬 마크가 형성되어 있는 웨이퍼와;

   상기에서 발생된 회절광을 검출하여 그에 정렬 신호를 출력하는 신호 검출 수단과;

   상기 신호 검출부에서 출력되는 정렬 신호에 따라 상기 제2마스크와 웨이퍼의 위치를 산출하는 위치 산출 수단을 포함하고,

   상기 제1 정렬 마크는 빛이 통과하는 제1 부분과 빛이 투과하지 않는 제2 부분으로 이루어지는 투과형 정렬 마크이며, 상기 제1 부분 및 제2 부분은 일정하기 않은 간격으로 형성되어 있는 홀로그램을 이용한 위치 측정 장치.
2. 제1항에 있어서, 상기 홀로그램 형성 수단은,

   레이저를 발사하는 레이저 발생부와;

   상기 레이저 발생부에서 출력되는 레이저를 제1마스크상으로 반사시켜 물체광을 형성하는 제1미러와;

   상기 레이저 발생부에서 출력되는 레이저를 분산시켜 상기 제1마스크를 통하지 않고 제2마스크상으로 입사되는 참조광을 형성하는 빔 스플리터로 이루어지는 홀로그램을 이용한 위치 측정 장치.
3. 제2항에 있어서, 상기 재생 수단은,

   상기 빔 스플리터에 의하여 분산된 레이저의 일부를 반사시키는 제2미러와;

   상기 제2미러에 의하여 반사된 레이저를 반사시키는 제3미러와;

   상기 제3미러에 의하여 반사된 레이저를 다시 반사시켜 참조광이 입사되는 반대 방향에서 제2마스크상으로 입사되는 재생광을 형성하는 제4미러로 이루어지는 홀로그램을 이용한 위치 측정 장치.
4. 제1항에 있어서,

   상기 웨이퍼상에 기록된 제2정렬 마크는 반사형 회절 격자로서, 요철형으로 이루어지는 홀로그램을 이용한 위치 측정 장치.
5. 제1항에 있어서,

   상기 제2마스크에는 웨이퍼상에 전사시키고자 하는 패턴이 기록되어 있으며, 표면에 감광 물질이 도포되어 있는 홀로그램을 이용한 위치 측정 장치.
6. 제1항에 있어서, 상기 신호 검출 수단은,

   상기 회절광의 +/- 1차 광을 검출하여 그에 해당하는 정렬 신호를 출력하는 홀로그램을 이용한 위치 측정 장치.
7. 제6항에 있어서, 상기한 신호 검출 수단은,

   상기 홀로그램 정렬 마크와 상기 웨이퍼에 형성된 제2정렬 마크가 일치하는 경우에 최대 정렬 신호를 출력하는 홀로그램을 이용한 위치 측정 장치.
8. 제1항에 있어서,

   상기 산출 수단의 출력단에 연결되어 제2마스크의 위치를 가변시키는 마스크 스테이지 구동부와;

   상기 산출 수단의 출력단에 연결되어 웨이퍼의 위치를 가변시키는 웨이퍼 스테이지 구동부를 더 포함하여 이루어지는 홀로그램을 이용한 위치 측정 장치.
9. 제8항에 있어서, 상기한 산출 수단은,

   상기한 신호 검출 수단으로부터 최대 정렬 신호가 출력될 때까지 상기 웨이퍼 스테이지 구동부 또는 마스크 스테이지 구동부를 X방향, Y방향, Z방향으로 이동시켜, 웨이퍼와 마스크를 정렬시키는 홀로그램을 이용한 위치 측정 장치.

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