KR100270104B1 - 충진층형 환원로의 충진층 상부내에서 발생되는 과열방지장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 일반탄 및 괴광석을 이용하여 용철을 제조하는 장치에 있어서 충진층을 형성하여 철광석을 환원하는 충진층형 환원로에 관한 것으로서, 환원로의 상부에서 과도한 탄소석출반응 및 국부적이고 집중적인 광석의 환원반응등에 의해 야기되는 과열현상을 방지할 수 있는 충진층형 환원로의 충진층상부내에서 발생되는 과열방지장치를 제공하고자 하는데, 그 목적이 있다.

본 발명은 충진층형 환원로에 있어서, 상기 환원로의 상부를 일정간격을 두고 에워싸도록 구성되는 환상관; 상기 수집진장치에서 냉각된 환원로 배가스를 상기 환상관으로 공급하도록 구성되는 냉각가스도관; 상기 환상관에 가스소통관계로 연결되어 냉각 배가스를 상기 환원로의 상부에 공급하도록 구성되는 다수 개의 풍구; 상기 환원로 상부내의 충진층 온도를 측정 하도록 구성되는 온도계; 상기 냉각가스도관에 구비되어 상기 온도계에서 측정된 환원로 상부내의 충진층 온도와 연계하여 작동되도록 구성되는 가스유량조절밸브; 상기 배가스 배출관과 가스유량조절밸브사이의 냉각가스도관에 설치되어 냉각가스를 승압시키기 위한 승압기; 및 상기 환상관과 가스유량조절밸브사이의 냉각가스도관에 구비되어 환원로내의 환원가스가 냉각가스도관을 통해 역류하는 것을 차단하기 위한 가스 역류 차단수단을 포함하여 구성되는 충진층형 환원로의 충진층상부내에서 발생되는 과열방지장치를 그 요지로 한다.

Description

충진층형 환원로의 충진층상부내에서 발생되는 과열방지장치

본 발명은 일반탄 및 괴광석을 이용하여 용철을 제조하는 장치에 있어서 충진층을 형성하여 철광석을 환원하는 충진층형 환원로에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 과도한 탄소석출반응 및 국부적이고 집중적인 광석의 환원반응등에 의해 충진층형 환원로 상부내의 충진층에서 발생되는 과열현상을 방지하는 장치에 관한 것이다.

일반적으로 용철생산설비의 대종을 이루고 있는 고로법은 그 반응기 특성상 일정수준이상의 강도를 보유하고 있으며, 로내 통기성확보를 보장할 수 있는 입도를 보유한 원료를 요구하는 바, 연료및 환원제로 사용하는 탄소원으로서는 특정 원료탄을 가공처리한 코우크스에 의존하고 있으며, 철원으로서는 일련의 괴상화 공정을 거친 소결광에 주로 의존하고 있다.

이에 따라 현행 고로법은 코우크스 제조설비및 소결설비등의 원료예비처리설비가 반드시 수반되는 바, 상기한 부대설비 구축에 필요한 제반비용 및 상기 부대설비에서 발생하는 제반 환경오염물질에 대한 전세계적인 규제를 극복하기 위한 막대한 투자비용등에 의해 현행 고로법의 경쟁력은 급속히 잠식되고 있는 상황이다.

상기한 상황에 대처하기 위하여 세계 각국은 연료및 환원제로서 일반탄을 직접사용하며, 철원으로서는 제조과정중 환경오염물질의 배출이 비교적 적은 펠레트와 괴광석등을 사용하거나 더 나아가서는 분철광석을 직접사용하여 용철을 제조하는 신제철공법의 개발에 박차를 가하고 있다.

상기한 신제철공법들중에 있어서 일반탄 및 펠레트/괴광석을 사용하여 용철을 제조하는 기술로는 미국특허제4,978,387호 등이 알려져 있다.

상기 특허에 제시되어 있는 용철제조장치는 도 1에 나타나 있는 바와 같이, 환원로(2)상부에서 장입되는 상온의 펠레트/광석(1)은 로내에 충진층을 형성하게 되며, 상기 충진층(3)을 강하하면서 상기 환원로(2)하부로 공급되어 상승하는 용융가스화로(4)에서 배출되는 880-850℃정도의 환원가스(5)에 의해 90%이상의 환원도까지 가스환원이 일어나고 800℃ 이상의 온도까지 승온된 후 상기 용융가스화로(4)에 장입된다.

상기 환원로(2)상부에서 배출되는 배가스(6)는 수집진장치(7)를 거치면서 집진및 냉각이 이루어지고, 배가스조절밸브(8)를 통과하게 된다.

그리고, 상기 용융가스화로(4)에서는 일반탄을 산소로서 연소및 가스화시키므로서 상기 예비환원로(2)에서 로내로 장입되는 환원된 광석을 최종적으로 용융환원시키고 또한, 상기한 환원가스(5)를 발생시켜 상기 환원로(2)로 공급하게 된다.

한편, 상기 환원로 내부에 형성되어 있는 충진층내에 있어서 상부로 부터 충진층 전체길이의 10-20%정도의 깊이에 걸친 구역에서 일어나는 주요반응들을 기술하면 다음과 같다.

FeO + CO → Fe + CO₂ΔH = -19 kj/mole

FeO + H₂→ Fe + H₂O ΔH = +53 kj/mole

CO₂+ H₂→ CO + H₂O ΔH = +36 kj/mole

2CO → C + CO₂ΔH = -264 kj/mole

상기한 반응들에 있어서 상기 식(1)과(4)의 반응은 타반응들과 달리 발열반응이며, 또한, 상기 식(1)의 반응즉, 산화철의 CO가스환원반응은 그 반응량이 타 반응들에 비해 현저하게 많으며 상기 식(4)의 반응 즉, 탄소석출반응은 그 반응발열량이 타반응에 비해 현저하게 높은 바, 상기한 충진층 상부지역이 충진층 전체에 있어서 가장온도가 높게 된다.

또한, 상기 식(4)의 반응 즉, 탄소석출반응은 상기식(1) 또는 (2) 반응등에 의해 형성되는 Fe에 의해 그 반응속도가 촉진되게 되는 바, 충진층의 강하속도가 낮은 저생산조업 및 고 환원성펠레트 사용조업에 있어서는 상기한 충진층 상부지역에 있어서 상기식(1) 및 (2)의 반응 즉, 산화철의 산화반응량이 현저하게 증가하여 다량의 Fe가 형성되며, 이에 따라 상기 식(4)의 반응, 즉 탄소석출반응이 집중적으로 일어나게 된다.

이와 같은 경우에는 탄소석출반응량이 증가함에 따라 상기한 환원로 상부지역에서 1000℃이상의 과열영역이 형성되며, 이 과열영역에서 펠레트 및 광석사이에서 상당한 점착현상이 야기되는 문제점이 있게된다.

상기한 점착현상은 상기한 환원로 상부지역에 있어서 통기성을 크게 악화시키게 되며 또한, 전체 충진층내에 있어서 원활한 광석흐름을 방해하게 되므로서, 환원로내 광석환원도저하 및 환원로에서의 광석배출 불량등의 로황이상을 초래하여 조업중단을 야기할 수 있게 되는 것이다.

본 발명자들은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위하여 연구및실험을 행하고, 그 결과에 근거하여 본 발명을 제안하게 된것으로서, 본 발명은 충진층형 환원로를 사용하여 내부에 충진층을 형성하면서 철광석을 환원하는 장치에 있어서 상기 환원로의 상부에 적정량의 냉각가스를 공급하므로서, 환원로의 상부에서 과도한 탄소석출반응 및 국부적이고 집중적인 광석의 환원반응등에 의해 야기되는 과열현상을 방지할 수 있는 충진층형 환원로의 충진층상부내에서 발생되는 과열방지장치를 제공하고자 하는데, 그 목적이 있다.

도 1은 일반탄및펠레트/괴광석을 환원하는 충진층형 환원로및 일반탄을 사용하여

철광석을 용융환원하여 용철을 제조하는 용융가스화로를 이루어진 용철제조장치의 개략도

도 2는 본 발명에 부합되는 과열방지장치가 설치된 용철제조장치의 일례 구성도

도 3은 본 발명에 부합되는 과열방지장치에 있어 풍구의 배열상태의 일례를 나타내는 확대도

도 4는 냉각가스를 취입하지 않은 경우와 본 발명에 따라 냉각가스를 취입한 경우에 대한 충진층 표면으로 부터의 거리 변화에 따른 온도변화를 나타내는 그래프

도 5는 탄소석출반응량비율에 따른 온도변화를 나타내는 그래프

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *

2. . . . . 환원로 3. . . . .충진층

4. . . . . 용융가스화로 10 . . . . 과열방지장치

11. . . . 환상관 12 . . . . 냉각가스도관

13. . . . 풍구 14 . . . . 온도계

15. . . . 가스유량조절밸브 16. . . . . 승압기

17. . . . 가스역류차단수단

이하, 본 발명을 설명한다.

본 발명은 하부에서 공급되는 환원가스를 철광석 충진층을 통과시켜 철광석을 환원하고, 철광석 충진층을 통과한 환원가스는 상부로 배출시키고, 배출된 배가스는 배가스 배출관을 통해 수집진장치로 이송되어 집진및 냉각이 이루어진 다음, 배가스 배출관을 통해 배출 되도록 구성되는 충진층형 환원로에 있어서,

상기 환원로의 상부를 일정간격을 두고 에워싸도록 구성되는 환상관;

그 일단은 상기 환원로 배가스의 이동방향으로 보아 상기 수집진장치를 지난 배가스 배출관부위에 가스소통관계로 연결되고, 그 타단은 상기 환상관에 가스소통관계로 연결되어 상기 수집진장치에서 냉각된 환원로 배가스를 상기 환상관으로 공급하도록 구성되는 냉각가스도관;

상기 환상관에 가스소통관계로 연결되어 냉각 배가스를 상기 환원로의 상부에 공급하도록 구성되는 다수 개의 풍구;

상기 환원로 상부내의 충진층 온도를 측정 하도록 구성되는 온도계;

상기 냉각가스도관에 구비되어 상기 온도계에서 측정된 환원로 상부내의 충진층 온도와 연계하여 작동되도록 구성되는 가스유량조절밸브;

상기 배가스 배출관과 가스유량조절밸브사이의 냉각가스도관에 설치되어 냉각가스를 승압시키기 위한 승압기; 및

상기 환상관과 가스유량조절밸브사이의 냉각가스도관에 구비되어 환원로내의 환원가스가 냉각가스도관을 통해 역류하는 것을 차단하기 위한 가스 역류 차단수단을 포함하여 구성되는 충진층형 환원로의 충진층상부내에서 발생되는 과열방지장치에 관한 것이다.

이하, 본 발명을 도면을 통해 상세히 설명한다.

도 2에는 본 발명에 부합되는 충진층형 환원로의 충진층상부내에서 발생되는 과열방지장치의 일례가 나타나 있다.

도 2에 나타난 바와 같이, 본 발명의 과열방지장치(10)는 하부에서 공급되는 환원가스를 철광석 충진층(3)을 통과시켜 철광석을 환원하고, 철광석 충진층(3)을 통과한 환원가스(배가스)는 그 상부에 가스소통관계로 연결된 배가스 배출관(6)을 통해 수집진장치(7)로 배출되어 집진및 냉각이 이루어진 다음, 배가스 배출관(6)을 통해 배출 되도록 구성되는 충진층형 환원로에 적용된다.

보다 바람직하게는,본 발명의 과열방지장치는 하부에서 공급되는 환원가스를 철광석 충진층(3)을 통과시켜 철광석을 환원하고, 철광석 충진층(3)을 통과한 환원가스(배가스)는 그 상부에 가스소통관계로 연결된 배가스 배출관(6)을 통해 수집진장치(7)로 배출되어 집진및 냉각이 이루어진 다음, 배가스 배출관을 통해 배출 되도록 구성되는 환원로(2), 및 이 환원로에서 환원되어 배출되는 환원광석을 공급받아 용융환원하여 용철을 제조하도록 구성되는 용융가스화로(4)를 포함하는 용철제조장치에 있어 충진층형 환원로에 적용된다.

본 발명의 과열방지장치(10)는 상기 환원로(2)의 상부를 일정간격을 두고 에워싸도록 구성되는 환상관(11);

그 일단은 상기 환원로 배가스의 이동방향으로 보아 상기 수집진장치(7)를 지난 배가스 배출관(6)부위에 가스소통관계로 연결되고, 그 타단은 상기 환상관(11)에 가스소통관계로 연결되어 상기 수집진장치(7)에서 냉각된 환원로 배가스를 상기 환상관(11)으로 공급하도록 구성되는 냉각가스도관(12);

상기 환상관(11)에 가스소통관계로 연결되어 냉각 배가스를 상기 환원로(2)의 상부에 공급하도록 구성되는 다수 개의 풍구(13);

상기 환원로 상부내의 충진층 온도를 측정 하도록 구성되는 온도계(14);

상기 냉각가스도관(12)에 구비되어 상기 온도계(14)에서 측정된 환원로 상부내의 충진층 온도와 연계하여 작동되도록 구성되는 가스유량조절밸브(15);

상기 배가스 배출관(15)과 가스유량조절밸브(15)사이의 냉각가스도관에 설치되어 냉각가스를 승압시키기 위한 승압기(16); 및

상기 환상관(11)과 가스유량조절밸브(15)사이의 냉각가스도관(12)에 구비되어 환원로내의 환원가스가 냉각가스도관(12)을 통해 역류하는 것을 차단하기 위한 가스 역류 차단수단(17)을 포함하여 구성된다.

상기 풍구(13)는 도 3에 나타난 바와 같이, 환원로 주위에 서로 등간격으로 설치되는 것이 바람직하며, 풍구(13)의 수는 환원로 과열구역의 균일한 냉각이라는 측면을 고려하여 적절히 선정되는 것으로서, 6-8개정도가 바람직하다.

또한, 상기 풍구의 위치는 적어도 환원로내애서 과열이 일어날 수 있는 위치 보다는 하부에 위치시키는 것이 바람직하다.

그러나, 상기 풍구가 너무 낮은 위치에 설치되는 경우에는 환원로내 과열구역의 하부에서 일어나는 환원반응에 악영향을 미치게 되므로, 이러한 점을 고려하여 상기 풍구의 위치는 선정되어야 한다.

보다 바람직한 풍구의 위치는 충진층 표면으로부터 하부방향으로 충진층 전체길이의 15-20%가 되는 위치이다.

또한, 상기 풍구의 충진층 측면으로 부터 충진층 중심방향으로의 삽입깊이(환원로의 내벽으로 부터 환원로 중심방향으로의 삽입깊이)는 취입되는 냉각가스가 충진층내에서 중심류를 형성하도록 선정되는 것이 바람직하며, 보다 바람직한 삽입깊이는 충진층반경의 5-10%정도이다.

그리고, 상기 풍구의 재질은 충진층내에 형성되어 있는 고온의 펠레트 및 광석과 접촉하게 되는 것을 고려하여 고온성질이 우수한 내열강으로 하는 것이 바람직하다.

상기 온도계(14)는 충진층형 환원로내의 과열영역의 온도를 측정하도록 설치되며, 충진층 표면으로 부터 충진층 전체길이의 10-20%가 되는 지점까지 충진층내부로 삽입되는 것이 바람직하며, 본 발명에서 사용될 수 있는 온도계로는 열전대형 온도계가 바람직하다.

상기한 온도계는 충진층내의 과열영역의 온도에 따른 가스유량조절밸브(15)의 개도를 구하는 연산기(141)에 연결되어 있으며, 이 연산기(141)는 상기 가스유량조절밸브(15)를 제어하는 밸브제어기(151)에 연결되어 있으며, 이 밸브제어기(151)는 연산기(141)로 부터 받은 가스유량조절밸브(15)의 개도값에 따라 가스유량조절밸브(15)의 개도를 제어하도록 구성된다.

상기 승압기(16)와 가스유량조절밸브(15)사이의 냉각가스도관(12)에는 유량계(18)를 구비시키는 것이 바람직하다.

상기 가스역류차단수단(17)으로는 자동차단밸브(171), 수동차단밸브(172), 및 체크밸브(173)중 하나 또는 둘 이상을 들수 있다.

즉, 가스역류차단을 위하여 환상관(11)과 가스유량조절밸브(15)사이의 냉각가스도관(12)에 자동차단밸브(171), 수동차단밸브(172), 및 체크밸브(173)중 하나 또는 둘 이상을 설치한다.

도2에서 미설명 부호 '8'은 배가스 조절밸브를 나타낸다.

이하, 상기와 같이 구성되는 과열방지장치를 사용하여 충진층형 환원로에서 철광석의 환원시 발생되는 과열을 방지하는 방법에 대하여 설명한다.

환원로내 충진층(3)상부에서 상기한 산화철의 환원반응 및 탄소석출반응에 의한 과열영역의 형성여부는 충진층표면으로부터 임의의 지점까지 삽입되어 있는 온도계(14)에 의해 감지되며, 상기한 과열영역의 판단여부는 충진층을 구성하고 있는 펠보는 것이 타레트및 광석의 점착현상이 일어나는 온도를 기준으로 정하게 되는데, 일반적으로 온도지시값이 850℃이상이 되는 경우에 과열영역이 형성되는 것으로 본다.

상기한 온도지시값에 의해 과열영역이 형성되는 것으로 판단되면, 상기 냉각가스도관(12)상에 있는 온도조절밸브(15)가 연산기(141)에서 구해진 개도값 만큼 밸브제어기(151)에 의해서 열리고, 또한, 자동차단밸브(171)가 열리면서 환상관(11)과 연결된 복수개의 풍구(13)를 통하여 냉각가스가 충진층내로 취입되게 된다.

한편, 이 과정에서 냉각가스는 배가스 배출관(6) 후단에서 분기되어 공급되는 바, 그 공급압이 환원로 충진층내부에 비해 현저하게 낮으므로 승압기(16)를 이용하여 승압을 하게 되는데, 승압기(16)의 토출압은 상기 복수개이 풍구선단에서의 냉각가스 취입속도가 환원로(2)하부에서 취입되는 환원가스의 취입선단속도의 25-35%정도로 유지할 수 있도록 하는 것이 바람직하며, 상기 토출압이 환원로 충진층 내부압력의 105-110%정도가 되도록 하는 것이 보다 바람직하다.

상기와 같이 충진층(3)내로 취입되는 냉각가스는 상기 과열영역을 펠레트 및 광석의 점착현상이 일어나는 온도 , 일반적으로 850℃미만의 온도로 냉각하게 되며, 또한, 상기 냉각가스내 CO₂분압을 증가시켜 상기한 탄소석출반응이 과도하게 일어나는 것을 억제함으로서 상기 반응에 의한 과열영역의 형성을 억제하는 역활을 하게 되는 것이다.

상기와 같은 역할을 하는 냉각가스의 유량은 상기한 온도계에서 측정된 충진층내의 과열영역의 온도에 따른 가스유량조절밸브(15)의 개도와 연동하여 조절 된다.

상기 냉각가스의 유량은 상기 온도계의 온도지시값이 850℃미만의 온도가 되도록 하며, 지나친 냉각을 방지하기 위하여 750℃이상의 온도가 되도록 제어하는 것이 바람직하다.

또한, 상기 냉각가스도관(12)에 설치되어 있는 냉각가스 유량계(18)를 이용하여 냉각가스 소요유량을 측정하게 된다.

이하, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다.

[실시예]

충진층형 환원로 조업에 있어서 고 환원성펠레트 및 광석을 사용하거나 또는 저생산조업등의 조업조건 변동에 따라 충진층 상부에서의 집중적인 산화철의 환원반응에 의해 충진층 상부에 과열영역이 형성되는데, 그 예가 도 4의 파선(냉각가스를 취입하지 않은 경우)으로 나타나 있다.

도 4의 파선으로 나타나는 충진층 표면으로부터의 거리에 따른 온도변화를 갖는 환원조업에 있어 본 발명에 따라 냉각가스를 취입하는 경우에는 도 4에서의 실선과 같은 온도패턴을 갖게된다.

냉각가스의 취입시 6개의 풍구를 설치하였으며, 승압기 토출 압력은 3.1bar-g로 하였다.

도 4에서 알 수 있는 바와 같이, 본 발명에 따라 상기 과열영역의 측벽을 통해 냉각가스를 취입하므로서 상기 과열영역의 온도를 하강시키는 효과를 얻을 수 있다.

한편, 도 5에는 상기 충진층 상부에서 일어나는 전체반응의 총량대비 탄소석출반응의 반응량변화에 따른 과열양상이 나타나 있는데, 도 5에 나타난 바와 같이 상기한 탄소석출반응의 반응량을 약 0.7%이하로 낮춤으로서 과열영역의 온도를 850℃이하로 낮출 수 있음을 알 수 있다.

본 발명에서는 이러한 과열을 방지하기 위하여 바람직하게 CO₂의 농도가 40-45%에 이르는 냉각가스를 환원로 충진층내로 취입하는데, 이렇게 함으로서 상기 과열영역의 CO₂분압을 증가시킴으로서 탄소석출반응을 억제즉, 그 반응량 비율을 감소시킴으로서 상기한 탄소석출반응에 의한 과열을 방지할 수 있게 된다.

상술한 바와 같이, 본 발명은 일반탄 및 펠레트/괴광석을 사용하여 용철을 제조하는 공정에 있어서, 충진층형 환원로내에서 과도한 탄소석출반응및 국부적이고 집중적인 광석의 환원반응등에 의해 상기 환원로 상부에서 발생하는 과열현상을 방지하므로서 상기 충진층형 환원로의 조업을 보다 원활히 할 뿐만 아니라 충진층형 환원로에서 환원된 환원광석을 용융가스화로에 연속적으로 장입하여 용철을 제조하는 공정에 있어 조업효율을 크게 향상시킬 수 있는 효과가 있는 것이다.

Claims (7)

1. 하부에서 공급되는 환원가스를 철광석 충진층(3)을 통과시켜 철광석을 환원하고, 철광석 충진층(3)을 통과한 환원가스(배가스)는 그 상부에 가스소통관계로 연결된 배가스 배출관(6)을 통해 수집진장치(7)로 배출되어 집진및 냉각이 이루어진 다음, 배가스 배출관을 통해 배출 되도록 구성되는 충진층형 환원로에 있어서,

   상기 환원로(2)의 상부를 일정간격을 두고 에워싸도록 구성되는 환상관(11);

   그 일단은 상기 환원로 배가스의 이동방향으로 보아 상기 수집진장치(7)를 지난 배가스 배출관(6)부위에 가스소통관계로 연결되고, 그 타단은 상기 환상관(11)에 가스소통관계로 연결되어 상기 수집진장치(7)에서 냉각된 환원로 배가스를 상기 환상관(11)으로 공급하도록 구성되는 냉각가스도관(12);

   상기 환상관(11)에 가스소통관계로 연결되어 냉각 배가스를 상기 환원로(2)의 상부에 공급하도록 구성되는 다수 개의 풍구(13);

   상기 환원로 상부내의 충진층 온도를 측정 하도록 구성되는 온도계(14);

   상기 냉각가스도관(12)에 구비되어 상기 온도계(14)에서 측정된 환원로 상부내의 충진층 온도와 연계하여 작동되도록 구성되는 가스유량조절밸브(15);

   상기 배가스 배출관(15)과 가스유량조절밸브(15)사이의 냉각가스도관에 설치되어 냉각가스를 승압시키기 위한 승압기(16); 및

   상기 환상관(11)과 가스유량조절밸브(15)사이의 냉각가스도관(12)에 구비되어 환원로내의 환원가스가 냉각가스도관(12)을 통해 역류하는 것을 차단하기 위한 가스 역류 차단수단(17)을 포함하여 구성됨을 특징으로하는 충진층형 환원로의 충진층상부내에서 발생되는 과열방지장치
2. 제1항에 있어서, 가스 역류 차단수단(17)은 자동차단밸브(171), 수동차단밸브(172), 및 체크밸브(173)로 이루어진 그룹중에서 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로하는 충진층형 환원로의 충진층상부내에서 발생되는 과열방지장치
3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 풍구의 수는 6-8개이고, 그리고 풍구는 충진층 표면으로부터 하부방향으로 충진층 전체길이의 15-20%가 되는 위치의 환원로 측벽에 설치되는 것을 특징으로하는 충진층형 환원로의 충진층상부내에서 발생되는 과열방지장치
4. 제3항에 있어서, 풍구의 삽입깊이가 충진층반경의 5-10%인 것을 특징으로하는 충진층형 환원로의 충진층상부내에서 발생되는 과열방지장치
5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 온도계가 충진층 표면으로 부터 충진층 전체길이의 10-20%가 되는 지점까지 충진층내부로 삽입되는 것을 특징으로하는 충진층형 환원로의 충진층상부내에서 발생되는 과열방지장치
6. 제3항에 있어서, 온도계가 충진층 표면으로 부터 충진층 전체길이의 10-20%가 되는 지점까지 충진층내부로 삽입되는 것을 특징으로하는 충진층형 환원로의 충진층상부내에서 발생되는 과열방지장치
7. 제4항에 있어서, 온도계가 충진층 표면으로 부터 충진층 전체길이의 10-20%가 되는 지점까지 충진층내부로 삽입되는 것을 특징으로하는 충진층형 환원로의 충진층상부내에서 발생되는 과열방지장치