KR100269235B1 - Method of lead frame - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 리드프레임 제조방법에 관한 것으로서, 상세하게는 리드프레임 제조과정중 에칭공정이 개선된 리드프레임 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a lead frame, and more particularly, to a method of manufacturing a lead frame in which an etching process is improved during a lead frame manufacturing process.
일반적으로 반도체 장치에 사용되는 리드프레임은 반도체 패키지의 핵심 구성 재료의 하나로서, 반도체 패키지의 내부와 외부를 연결해 주는 도선(lead) 역할과, 반도체 칩을 지지해 주는 지지대 역할을 하는 것이다. 이러한 리드프레임은 반도체 패키지의 종류에 따라 여러 가지 형상으로 제작될 수 있다. 예를 들어, 도 1 및 도 2는 반도체 패키지를 각각 도시한 단면도로서, 도면에 도시된 바와 같이 반도체 패키지의 종류에 따라 이용되는 리드프레임은 구조적으로 다른 형상을 가진다. 이를 상세히 설명하면 다음과 같다.In general, a lead frame used in a semiconductor device is one of the core constituent materials of a semiconductor package, and serves as a lead connecting the inside and the outside of the semiconductor package and a support for supporting the semiconductor chip. The lead frame may be manufactured in various shapes according to the type of semiconductor package. For example, FIGS. 1 and 2 are cross-sectional views illustrating semiconductor packages, respectively, and the lead frames used according to the types of semiconductor packages have structurally different shapes as shown in the drawings. This will be described in detail as follows.
우선, 도 1에 도시된 바와 같은 반도체 패키지(10)에 이용되는 리드프레임은 반도체칩(11)이 탑재되는 패드부(12)와 반도체칩(11)과 와이어본딩되는 내부리드부(13) 및 외부와의 전기적 신호를 전달하기 위하여 내부리드부(13)로부터 연장되어 형성된 외부리드부(14)를 포함한다. 반면, 도 2에 도시된 바와 같은 반도체 패키지(20)는 도 1의 반도체패키지(10)에 비해 실장밀도가 증가된 형태로서, 이에 이용되는 리드프레임은 반도체칩(21)이 탑재되어 와이어본딩되는 리드부(22)와, 외부와 전기적 신호를 전달하기 위해 리드부(22)에 형성된 범프(23)를 포함한다. 도 3은 이러한 리드프레임의 일 예로서 예컨대, 씨에스피(CSP : Chip Scale Package) 패키지에 이용되는 리드프레임을 도시한 평면도이다. 도면에 도시된 바와 같이, 이 리드프레임은 소정 형상의 복수개의 리드부(31)와, 이 리드부(31)의 일단에 돌출 형성된 범프(32)를 포함하여 이루어진다. 통상적으로 이러한 리드프레임은 리드프레임의 소재인 기판에 감광층(PR; Photo resistor)을 형성한 후 노광 및 현상 공정을 거친 다음 에칭하여 소정 패턴의 형상으로 성형하는 에칭방법에 의해 제조된다.First, the lead frame used for the
그리고, 상술한 바와 같은 리드프레임의 제조과정은 통상적으로 리드프레임의 소정 부위에 대해서 특수한 목적을 위하여 실시하는 반에칭공정이 포함된다. 예를 들어, 도 1에 도시된 바와 같은 리드프레임에서 패드부(12)에 딤플(dimple)이나 그루브(groove)를 형성할 경우 또는 도 4는 도 3의 Ⅳ-Ⅳ선의 단면도로서, 리드부(31)로부터 소정 높이로 돌출되게 범프(32)를 형성하기 위해서 반에칭이 실시된다. 하지만, 종래의 기술에서는 이러한 반에칭공정을 실시할 때, 에칭되는 깊이가 균일하게 형성되지 않는다는 문제점이 있었다. 특히 이러한 문제점으로 인해, 반도체패키지가 경박단소화됨에 따라 리드프레임은 직접화된 하이핀 리드프레임으로 제작되어야 하나, 이러한 하이핀 리드프레임에서는 리드가 미세한 폭으로 형성되기 때문에 정확한 반에칭공정이 실시되지 못할 경우 제품의 신뢰성이 나빠진다는 문제점이 있다.In addition, the manufacturing process of the lead frame as described above typically includes a semi-etching process for a specific purpose for a predetermined portion of the lead frame. For example, when dimples or grooves are formed in the
본 발명은 상기와 같은 문제점을 감안하여 창출된 것으로서, 반도체 패키지에 이용되는 리드프레임의 제조시 리드프레임 소재의 소정 부위에 균일하게 반에칭을 실시할 수 있도록 개선된 리드프레임 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and provides an improved leadframe manufacturing method capable of uniformly semi-etching a predetermined portion of a leadframe material during manufacture of a leadframe used in a semiconductor package. There is a purpose.
도 1 및 도 2는 반도체 패키지를 도시한 단면도,1 and 2 are cross-sectional views showing a semiconductor package;
도 3은 도 2의 반도체 패키지에 이용되는 리드프레임의 일예를 도시한 평면도,3 is a plan view illustrating an example of a lead frame used in the semiconductor package of FIG. 2;
도 4는 도 3의 Ⅳ-Ⅳ선의 단면도,4 is a cross-sectional view taken along the line IV-IV of FIG. 3;
도 5는 본 발명에 따른 리드프레임 제조방법 일 실시예를 도시한 공정흐름도,Figure 5 is a process flow diagram showing an embodiment of a lead frame manufacturing method according to the present invention,
도 6 내지 도 10은 본 발명에 따른 리드프레임 제조방법에 적용되는 배리어의 몇가지 실시예를 도시한 도면,6 to 10 are views showing some embodiments of a barrier applied to the lead frame manufacturing method according to the present invention,
그리고, 도 11 및 도 13은 본 발명에 따른 리드프레임 제조방법에 적용되는 패턴의 형상을 도시한 도면이다.11 and 13 illustrate the shape of a pattern applied to the method of manufacturing a lead frame according to the present invention.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
11,21.반도체 칩 12.패드Semiconductor chip 12.Pad
13.내부리드 14.외부리드13.Inner Lead 14.Outer Lead
22,31.리드부 13,32.범프22,31
61,71,81,91.장애물61,71,81,91 obstacles
상기와 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명인 리드프레임 제조방법은, 리드프레임 소재에 감광층을 형성하는 제1단계와, 상기 감광층을 노광, 현상하여 소정 패턴을 형성하며, 상기 리드프레임 소재에서 반에칭이 실시될 부위에 균일한 깊이로 에칭이 이루어질 수 있도록 에칭액의 흐름을 방해하는 배리어를 형성하는 제2단계와, 상기 배리어가 부위에 에칭액을 공급하여 반에칭하는 제3단계를 포함한다.In order to achieve the above object, a method of manufacturing a lead frame according to the present invention includes a first step of forming a photosensitive layer on a lead frame material, and exposing and developing the photosensitive layer to form a predetermined pattern, which is half of the lead frame material. And a second step of forming a barrier that prevents the flow of the etching solution so that the etching can be performed at a uniform depth on the site to be etched, and the third step of supplying the etching solution to the site by half etching.
본 발명에 있어서, 상기 배리어는 에칭액의 속도를 감소시키고 균일한 흐름이 되도록 소정 형상의 장애물이 복수개 배열된 것이며, 상기 제2단계에서 에칭액이 집중되는 굴절부위나 교차부위에 형성된 패턴은 본래의 형상보다 소정 폭 넓게 형성하며, 반에칭이 실시되는 부위에 형성된 패턴 중 반에칭이 실시되는 경계면 부위는 반에칭이 실시되는 부위쪽으로 소정 폭 넓게 형성하는 것을 특징으로 한다.In the present invention, the barrier is a plurality of obstacles of a predetermined shape are arranged so as to reduce the speed of the etching solution and to ensure a uniform flow, the pattern formed at the refraction portion or the intersection portion where the etching solution is concentrated in the second step is the original shape It is formed to a predetermined width wider, and the interface portion where the semi-etching is performed among the patterns formed on the portion where the half etching is performed is characterized in that the predetermined width is formed toward the portion where the half etching is performed.
이하 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 5는 본 발명에 따른 리드프레임 제조방법의 일 실시예를 도시한 공정흐름도이다.5 is a process flow diagram showing an embodiment of a lead frame manufacturing method according to the present invention.
우선, 리드프레임 소재에 대하여 예컨대, 탈지나 산세처리 등 통상적인 소재 전처리를 실시하여 리드프레임 소재의 표면을 활성화시킨다(51). 이어서, 소재 전처리가 실시된 리드프레임 소재의 표면에 광조사에 의해 감광부분이 현상액에 녹거나 녹지 않게 되는 감광층(PR; Photo resistor)을 형성시킨다(52). 이어서, 소정 패턴을 가지는 마스크를 통하여 소정 광을 조사하여 마스크의 패턴을 감광층 상에 노광시키며, 현상공정을 거쳐서 감광층 상에 리드프레임의 형상에 대응하는 소정 패턴을 형성시킨다. 이때, 리드프레임 소재에서 반에칭이 실시될 부위에는 균일한 깊이로 에칭이 이루어질 수 있도록 에칭액의 흐름을 방해하는 배리어를 형성한다. 이러한 배리어는 에칭액의 속도를 감소시키고 균일한 흐름이 되도록 소정 형상의 장애물이 복수개 배열된 것으로, 도 6 내지 도 9에 배리어의 몇가지 실시예를 도시해 보였다.First, the lead frame material is subjected to normal material pretreatment such as degreasing or pickling to activate the surface of the lead frame material (51). Subsequently, a photoresist layer (PR; Photo resistor) is formed on the surface of the lead frame material subjected to the material pretreatment so that the photosensitive portion is not dissolved or dissolved in the developer by light irradiation (52). Subsequently, predetermined light is irradiated through a mask having a predetermined pattern to expose the pattern of the mask on the photosensitive layer, and a predetermined pattern corresponding to the shape of the lead frame is formed on the photosensitive layer through a developing process. In this case, a barrier is formed on the portion of the lead frame material to be etched to prevent the flow of the etching solution so that etching can be performed at a uniform depth. Such a barrier has a plurality of obstacles of a predetermined shape arranged so as to reduce the velocity of the etching solution and achieve a uniform flow. Some embodiments of the barrier are illustrated in FIGS. 6 to 9.
우선, 도 6내지 도 7에 도시된 바와 같이, 상술한 배리어는 소정 직경을 가지는 원형의 장애물(61)(71)이 리드프레임 소재에서 반에칭이 실시될 부위에 복수개 형성된다. 이러한 장애물(61)(71)은 감광층으로 형성되며, 그 형상은 원형뿐만 아니라 타원형 또는 삼각형, 사각형 등 다각형으로 형성될 수 있으며, 소정 간격 이격된 형태로 다양하게 배치될 수 있다. 그리고, 도 8 내지 도 9에 도시된 바와 같이, 배리어는 소정 폭으로 형성된 격벽 형태의 장애물((81)(91)로 에칭액의 흐름방향 또는 에칭액의 흐름방향에 대하여 수직한 방향 및 소정 각도로 다양하게 형성될 수 있다. 상술한 바와 같은 배리어의 역할은 리드프레임 소재의 반에칭 부위에 에칭액을 적용될 때 장애물에 의해 에칭액의 속도가 줄어들게 되며, 흐름을 균일하게 유지시켜서 균일한 깊이로 에칭이 실시될 수 있도록 한다.First, as shown in FIG. 6 to FIG. 7, in the above-described barrier, a plurality of
또한, 도 3에 도시된 바와 같이 리드프레임을 제조시는 리드프레임 소재의 양면에 대하여 동시에 에칭이 실시되는데, 그 일측면에 대하여는 리드부(31)의 형상을 형성하기 위해서 리드프레임 소재를 관통하여 에칭이 이루어지며, 타측면은 반에칭이 이루어져서 리드부(31)로부터 돌출되게 범프(32)가 형성되게 된다. 이때, 리드부(31)로부터 범프(32)를 형성하기 위해서 반에칭을 실시할 때, 소재 두께의 60% 이상을 반에칭할 때는 도 10에 도시된 바와 같이 리드부(31) 사이에 소정 형상의 배리어(110)만을 형성시킬 수 있다. 상술한 바와 같은 배리어는 에칭되는 과정에서 서서히 제거되게 된다.In addition, as shown in FIG. 3, when the lead frame is manufactured, etching is simultaneously performed on both surfaces of the lead frame material, and one side thereof penetrates the lead frame material to form a shape of the
그리고, 감광층에 소정 패턴을 형성시 도 11 내지 도 12에 도시된 바와 같이 에칭액이 집중되는 굴절부위나 교차부위에 형성된 패턴은 본래의 폭 A보다 소정 폭B만큼 넓게 형성한다. 통상적으로 리드프레임 소재에 대하여 굴절되거나 교차되는 형상으로 에칭을 실시하는 과정에서는 굴절부위나 교차부위에 에칭액이 집중되어 원래의 형상보다 과도하게 에칭이 실시되게 된다. 따라서, 이러한 에칭이 실시되는 부위에 형성된 패턴을 제작시 과도하게 에칭되는 양만큼 보정하여 소정 폭 B만큼 넓게 패턴을 형성한다.When forming a predetermined pattern on the photosensitive layer, as shown in FIGS. 11 to 12, the pattern formed at the refraction portion or the intersection portion where the etching solution is concentrated is formed to be wider by the predetermined width B than the original width A. In general, in the process of etching the lead frame material in a shape that is refracted or intersected, the etching solution is concentrated at the refraction or intersection part, and the etching is performed excessively than the original shape. Therefore, the pattern formed on the site where such etching is performed is corrected by the amount that is excessively etched during fabrication to form the pattern as wide as the predetermined width B.
또한, 감광층에 소정 패턴을 형성시 도 13에 도시된 바와 같이, 반에칭이 실시되는 부위(130)에 형성된 패턴 중 반에칭이 실시되는 경계면 부위는 반에칭이 실시되는 부위(130)쪽으로 원래의 폭 A 보다 소정 폭 B 만큼 넓게 형성한다. 예를 들어 도 4에 도시된 바와 같이 리드부(31) 일단에 범프(32)를 형성하기 위해서 반에칭을 실시할 때와 같이, 반에칭을 실시할 때 범프(32)의 일측면이 지속적으로 에칭액에 접촉되며, 에칭액의 흐름이 막히는 부위이므로 그만큼 과도하게 에칭이 이루어지게 된다. 따라서, 범프(31)를 형성하기 위해 반에칭을 실시할 때 과도하게 에칭되는 양만큼 보상할 수 있도록 원래의 범프의 형상보다 소정 폭 B 만큼 크게 형성시킨다(53).In addition, when forming a predetermined pattern on the photosensitive layer, as shown in FIG. 13, the interface portion where the half etching is performed among the patterns formed on the
그리고, 상술한 바와 같이 반에칭 부위에 배리어가 형성되며, 과도하게 에칭되는 부위가 보정된 패턴이 형성된 리드프레임 소재에 대해 통상적인 에칭, 반에칭 공정을 통해 리드프레임 형상을 제작한다(54).As described above, a lead frame shape is formed through a conventional etching and semi-etching process on a lead frame material having a barrier formed on the semi-etched portion and a pattern on which an excessively etched portion is corrected.
그리고, 에칭이 실시된 리드프레임 소재로부터 소정 패턴으로 형성된 감광층을 박리하며, 에칭 후처리를 통하여 리드프레임 제조공정이 완료된다(55).Then, the photosensitive layer formed in a predetermined pattern is peeled from the lead frame material subjected to the etching, and the lead frame manufacturing process is completed through the post-etching treatment (55).
본 발명에 따른 리드프레임 제조방법은, 리드프레임 소재에서 반에칭이 실시될 부위에 에칭액의 속도를 감소시키고 균일한 흐름이 되도록 소정 형상의 배리어를 형성한 상태로 반에칭을 실시함으로써, 에칭되는 깊이를 균일하게 유지시킬 수 있다는 장점이 있다. 또한, 에칭액이 집중되는 굴절부위나 교차부위에 형성된 패턴 및 반에칭이 실시되는 경계면 부위에 형성된 패턴을 소정 폭만큼 보정한 후 에칭함으로써, 정확한 규격으로 에칭이 이루어져서 제품의 신뢰성이 향상된다는 장점이 있다.The method for manufacturing a lead frame according to the present invention includes a depth of etching by performing a half etching in a state in which a barrier having a predetermined shape is formed to reduce the speed of the etching solution in the lead frame material to be subjected to the half etching and to achieve a uniform flow. There is an advantage that can be kept uniform. In addition, by correcting the pattern formed at the refractive or concentrated region where the etching solution is concentrated and the pattern formed at the interface portion where the semi-etching is performed by a predetermined width, the etching is performed to an accurate specification, thereby improving the reliability of the product. .
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