KR100265854B1 - 웨이퍼의 전기적 특성 측정장치 및 측정방법 - Google Patents

웨이퍼의 전기적 특성 측정장치 및 측정방법 Download PDF

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Abstract

1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
웨이퍼의 전기적 특성 측정장치 및 측정방법
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
여러 측정지점 측정, 여러 크기의 소자 측정, 여러 측정항목에서 신속하고 효과적으로 대응하므로써, 측정시간을 단축하여 효율적인 측정작업의 수행이 가능한 반도체 소자에서의 전기적 특성 측정장치 및 측정방법을 제공하고자 함.
3. 발명의 해결방법의 요지
웨이퍼를 안착시켜 접지되게 하는 척수단; 정(+)전원라인에 접속된 제1탐침부 및 부(-)전원라인에 접속되어 접지된 제2탐침부를 가지며, 상기 웨이퍼의 다수의 측정점에 각각 접촉하는 탐침수단; 및 상기 탐침수단의 측정핀이 접촉한 각각 측정점사이 선로의 전기적 특성, 및 상기 제1탐침부와 상기 척수단 사이의 전기적특성을 검출하는 계측수단을 포함하여 이루어진 웨이퍼의 전기적특성 측정장치를 제공함.
4. 발명의 중요한 용도
웨이퍼의 DC 파라미터를 측정하여 전기적 특성을 검사하는 메모리 테스트에 적용되어, 넓은범위의 측정항목 및 측정시간의 단축이라는 경제적 효과가 있다.

Description

웨이퍼의 전기적 특성 측정장치 및 측정방법{A device and a method for estimating electrical characteristic of wafer}
본 발명은 웨이퍼의 전기적 특성을 측정하기 위한 장치 및 그 장치를 이용한 측정방법에 관한 것으로, 특히, 특성 테스트 중에서 DC-파라미터를 신속하게 여러 지점 또는 동시에 측정할 수 있는 측정 장치 및 측정방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 제조공정에서는 반도체 소자를 검사하기 위하여 여러 가지 테스트가 이용되고 있다. 그 중에서 본 발명에 관련된 것으로 특성 테스트가 있으며, 이는 웨이퍼 또는 패키지 레벨에서 AC 또는 DC 파라미터를 측정하여 소자의 특성을 검사하는 방법이며, 이하의 설명에서는 상기한 특성 테스트 중에서 DC 파라미터를 측정하여 소자의 특성을 검사하는 장치 및 방법을 주로 하여 설명한다.
종래의 경우, 상기한 소자에서의 DC 파라미터를 측정하기 위한 장치로는 오토 프로빙(AUTO PROBING) 장비가 주로 이용되었다. 상기 장비에서의 구성 및 DC-파라미터 측정방법을 도1을 참조하여 간단하게 설명하면, 상기 장비는 프로브 카드(Probe Card)(11)를 이용하여 소자가 전기적 특성을 검사하는 것으로, 도시된 바와 같이, 장치 본체(1)의 상부에 구비되어 패드(즉, 더트(DUT: Device Under Test))(12)가 안착되는 척(13), 상기 패드(12)를 둘러싸면서 상기 척(13)의 상부에 구비된 프로브 카드(11), 일단이 상기 프로브 카드(11)에 접속되며 측정작업시 다른 일단이 패드(12) 상의 측정점으로의 접촉을 수행하는 탐침(14)을 포함하여 구성되며, 상기 프로브 카드(11)에서의 탐침(14)에는 정(+)전원공급라인이 접속되며, 상기 척(13)에는 접지(-)전원라인이 인가된다.
따라서, DC 파라미터를 측정하기 위하여, 탐침(14)은 프로브 카드(11) 상의 소정 위치에 고정되어 있으며, 그의 단부가 측정하고자 하는 패드(12) 상의 측정지점으로 이동하여 촉점하게 되면, 정전원라인과 접지전원라인 사이에서 프로브 카드(11)의 탐침(14), 패드(12) 상의 측정지점, 패드(12) 하면과 접촉하고 있는 척(13)은 통전 상태가 되고 계측 유닛(2)에서 통전된 전류의 전도도를 검사하여 소자의 전기적 특성을 검사하게 된다. 예를 들면, 시스템 헤드와 더트 보드, 프로브 카드와 더트 보드의 접촉여부를 검사하는 웨이퍼 레벨 테스트, 및 시스템 헤드와 더트 보드, 패키지와 더트 보드 사이의 접촉여부를 검사하는 패키지 레벨 테스트 등과 같은 외부 주변기기와 패드의 전기적 접속상태를 검사하게 되며, 또한, 누전 검사 및 소자의 소모전력 측정 등의 또 다른 여러 가지 측정항목을 수행하게 된다.
그러나, 상기한 종래의 전기적 특성측정 장비에서의 DC-파라미터 측정 방법의 경우, 그 위치가 고정된 하나의 탐침(14)이 패드 상의 1개의 측정지점에만 촉점하는 탐침(14) 및 접지된 척(13)만의 단일 구성으로 되어 있으므로, 이전의 측정지점과 다른 지점의 측정이 요구될 때는, 다시 패드를 이동시켜 탐침(14)이 요구된 새로운 측정지점에 촉점할 수 있도록 조정해야만 하였다. 이에 따라, 여러 지점에서의 측정이 요구될 경우에는, 예를 들면, 전기적 파라미터 중에서 CCST(Constant Current Stress Time) 항목의 경우 하나의 측정지점에서 대략 300초가 소요되므로, 상기한 촉점위치 조정은 그 만큼의 시간을 더 요구하게 됨으로써 각 측정지점에서의 측정시간이 더 소요되는 문제점이 있었다. 또한, 예를 들면, 패드 상의 2지점 사이에서의 전기적 특성의 검사 등과 같이, 측정항목이 변화할 경우, 그에 대한 신속한 대응이 불가능하다는 문제점이 있었다.
따라서, 상기한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 본 발명은, 여러 측정지점에서의 측정이 요구되거나, 검사되어야할 소자의 크기가 변화하거나, 또한 새로운 측정항목이 요구되더라도, 이에 대해, 신속하고 효과적으로 대응하므로써, 측정시간을 대폭적으로 단축하여 효율적인 측정작업의 수행이 가능한 웨이퍼에서의 전기적 특성 측정장치 및 그 장치를 이용한 측정방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
도1은 종래 기술에 따른 전기적 특성 측정장치의 일실시예 구성을 나타낸 개략도.
도2는 본 발명에 따른 전기적 특성 측정장치의 일실시예 구성을 나타낸 개략도.
도3은 본 발명에 따른 전기적 특성 측정장치를 개략적으로 나타낸 정면도.
* 도면에서의 주요부분에 대한 부호의 설명
1: 장치 본체 2: 계측 유닛
3: 제어 유닛 11: 프로브 카드
12: 패드 13: 척
14, 22a, 22b: 탐침 21: 탐침장착부
23: 전환 스위치
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 그 상면에 웨이퍼를 안착시켜 접지되게 하는 척수단; 정(+)전원라인에 접속된 측정핀을 갖는 제1탐침부와, 부(-)전원라인에 접속되어 접지되는 측정핀을 갖는 제2탐침부를 구비하며, 상기 웨이퍼 상의 다수의 측정점에 각각 접촉하는 탐침수단; 상기 탐침수단의 제1 및 제2 탐침부를 지지하며, 그들이 소자의 원하는 측정점에 위치될 수 있도록 거리를 임의로 조절하기 위해 그 일단부에 길이조정이 가능한 지지봉이 구비된 지지수단; 상기 탐침수단의 제1 및 제2 탐침부가 접촉한 각각의 측정점 사이 선로에서의 전기적 특성과, 상기 제1탐침부와 상기 척수단 사이에서의 전기적 특성을 검출하고 그 검출값을 출력하기 위하여 상기 정(+)전원라인 및 상기 부(-)전원라인에 접속된 계측수단; 및 상기 부(-)전원라인 상에 구비되어 상기 척수단상의 패드 및 탐침수단의 제2 탐침부와 계측수단 간을 선택적으로 전기접속하기 위한 전환 스위칭수단을 포함하여 이루어진 웨이퍼의 전기적특성 측정장치를 제공한다.
또한, 상기 전기적 특성 측정장치를 이용하여 다수 측정지점에서의 DC 파라미터를 측정하기 위하여, 본 발명은 웨이퍼를 척수단 상면에 안착시켜 접지시키는 단계; 상기 웨이퍼 상의 다수의 측정점에 접촉하는 제1탐침부 및 제2탐침부를 제공하고 상기 제1탐침부를 정(+)전원라인에 접속하고 상기 제2탐침부를 부(-)전원라인에 접속되어 접지시키는 단계; 상기 정전원라인 및 상기 부전원라인에 접속하는 계측수단을 제공하여 제1 및 제2탐침부가 접촉한 각 측정점 사이, 및 상기 제1탐침부의 측정점과 상기 척수단 사이에서의 전기적 특성을 검출하고 그 검출값을 출력하는 단계; 및 상기 검출값을 수신하여 처리하며, 측정 완료 후, 상기 탐침수단과 웨이퍼의 해당 측정점의 접촉을 해제하는 제어신호를 출력하는 단계을 포함하여 이루어진 DC 파라미터 측정방법을 제공한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명의 일실시예의 구성을 상세하게 설명한다.
도2는 본 발명에 따른 전기적 특성 측정장치의 일실시예 구성을 개략적으로 도시한 것이며, 도3은 본 발명에 따른 탐침장착부가 구비된 전기적 특성 측정장치를 개략적으로 나타낸 것이다. 도시된 바와 같이, 본 발명은 여러 측정지점을 측정 가능하게 하기 위하여, 종래의 프로브 카드대신에 복수개의 탐침, 및 상기 복수의 탐침의 위치 조절이 가능하도록 각각 지지하기 위한 복수의 탐침 장착부가 추가로 제공된 것 제외하고는 종래 기술과 유사한 구성을 가지며, 종래의 구성요소와 유사하거나 동일한 작용을 하는 구성에 대하여는 동일한 참조부호를 나타내며, 그에 대한 설명은 생략한다.
본 발명에 따른 전기적 특성 측정장치는, 도2에 도시된 바와 같이, 하나는 후술될 계측 유닛(2)로부터 인입된 정(+)전원라인이 접속되고 다른 것은 후술될 전환 스위치(23)로 인입되는 부(-)전원라인에 접속되며, 측정하고자 하는 패드(12) 상의 두 곳의 측정지점을 촉점하기 위한 두개의 탐침(22a, 22b); 상기 탐침(22a, 22b)을 각각 지지하면서 그들의 거리를 임의로 조절하여 원하는 측정점에 위치되도록 하기 위한 지지봉(31)이 구비된 두개의 탐침장착부(21a, 21b); 측정 대상인 패드(12)가 그 상면에 안착되며, 하면에는 후술되는 전환 스위치(23)로 인입되는 부전원라인에 접속되어 있으며, 상기 패드(12)의 하면을 전기적으로 접지 연결하는 척(13); 다른 탐침(22b) 및 척(13) 각각과 상기 계측 유닛(2) 사이의 부(-)전원라인 선로 상에서 구비되어 탐침(22b) 또는 척(13) 중 어느 하나를 후술될 계측 유닛(2)에 선택적으로 접속하기 위한 전환 스위치(23); 하나의 탐침(22a)(전원공급측)과 접지된 척(13) 사이 또는 하나의 탐침(22a)과 다른 탐침(22b) 사이(측, 두 개의 측정점 사이의 선로)에서의 전기적 특성을 측정하고 그 측정값을 송출하는 계측 유닛(2); 및 상기 계측 유닛(2)으로부터 수신된 측정값을 처리하며, 장치 본체(1)에 제어신호를 송출하여 상기 탐침(22a, 22b)과 측정점의 접촉상태를 해제하거나, 척(13)의 위치를 재설정하는 제어 유닛(3)을 포함하여 구성된다.
이하, 본 발명에 따른 전기적 특성 측정장치의 작용을 설명하면, 상기 탐침 장착부(21a, 21b) 각각은 그의 지지봉(31) 길이를 조절하여 상기 탐침(22a, 22b)을 지지하면서 위치 조절을 가능하게 하며, 그 하면에는 자석 등과 같은 수단이 구비되어, 자력에 의해 장치(1)의 상면에 용이하게 부착된다. 이때, 상기 각 탐침 장착부(21a, 22b)에 지지된 각각의 탐침(22a, 22b)은 지지봉(31)의 길이조절이 따라 원하는 측정지점을 촉점 가능하도록 각 탐침(22a, 22b) 사이의 거리가 조절된 상태로 척(13)의 주위에 정렬된다. 이어서, 척(13)에 안착되어 있는 패드(12)를 위치가 조절된 탐침 아래로 위치시키기 위하여, 제어 유닛(3)은 제어신호를 장치본체(1)로 전송한다. 패드(12)가 촉점가능 위치에 놓여지면, 탐침(22a, 22b)은 측정점에 촉점하게 된다. 이에 따라 하나의 탐침(22a)과 척(13), 또는 하나의 탐침(22a)과 다른 탐침(22b) 사이에는 소정의 전압이 인가되어 통전상태가 되며, 계측 유닛(2)에 의해 인가된 전압에 따른 DC-파라미터를 측정하므로써 소자의 전기적 특성을 검사하게 된다. 즉, 부(-)전원라인 상에 구비된 전환 스위치(23)가 상기 척(13)과 계측 유닛(2)을 전기적으로 연결하게 될 경우, 정(+)전압은 하나의 탐침(22a)과 척(13) 사이에 인가되게 되고, 정(+)전원라인, 탐침(22a), 패드(12)상의 측정점, 척(13), 및 부(-)전원라인(척(13)의 접지선)은 통전 상태가 된다. 그리고, 계측 유닛(2)은 인가된 전압에 따른 전류값을 측정하게 되고 그 측정 결과 값은 제어부(3)에 수신되어 처리되어, 예를 들면, 패드(12)의 전기적 접속상태 및 프로텍션 게이트에서의 다이오드 특성 등을 검사하게 된다. 반면에, 상기 전환 스위치(23)가 상기 다른 탐침(22b)과 계측 유닛(2)을 전기적으로 연결하게 될 경우, 전압은 하나의 탐침(전원공급측 탐침)(22a)과 척(13) 사이에 인가되게 되고 정(+)전원라인, 하나의 탐침(22a), 패드(12), 다른 탐침(22b), 및 부(-)전원라인은 통전상태가 된다. 이때에도 마찬가지로, 계측 유닛(2)은 인가된 전압에 따른 전류값을 측정하게 되고 그 결과는 제어부(3)에 수신되어 처리되어, 예를 들면, 패드(12) 상의 두 측정점 사이의 전기적 특성을 검사하게 된다(즉, 각 탐침 사이 선로이외의 다른 루트를 통한 누전, 또는 각 탐침 사이의 선로에서의 소모전력을 측정 등). 이상의 설명에서는 정전압이 인가된 상태에서 DC 파라미터를 측정하는 경우에 대하여 설명하였으나, 일정 전류의 통전에 따른 다른 DC 파라미터를 측정할 수도 있다.
이상 설명한 바와 같이, 종래의 경우의 프로브 카드를 대신하여 위치 조절이 가능한 탐침을 채용하므로써, 종래의 BV(Breakdown Voltage), CCST(Constant Current Stress Time) 등의 측정항목 이외에도, 예를 들어, 패드 상의 두 측정점 사이의 선로에서의 전기적 특성을 측정하기 위한 브리지(Bridge) 등과 같은 다른 측정항목에도 적용될 수 있다. 또한, 프로브 카드의 사용할 때보다 더 저렴한 경비로 장치를 구성할 수가 있다.
(변형예)
이상의 설명에서, 두 개의 탐침을 구비하여 두 곳의 측정지점에서의 DC 파라미터를 측정하는 전기적 특성 측정장치에 한정하여 설명되었지만, 아래의 설명과 같이 여러 가지 변형이 가능하다.
예를 들어, 다수의 측정점사이의 선로에서의 전기적 특성 검사가 요구될 경우, 전원공급측 탐침이외에 다수의 다른 탐침을 구비할 수 있으며, 이 경우, 다수의 다른 탐침 및 척의 접지선 중의 어느 하나를 계측 유닛과 선택적으로 접속시키도록 전환 스위치를 구성하게 되면, 전원공급측 탐침과 전환 스위치에 의해 선택된 각 탐침 사이(즉, 패드상의 하나의 측정점 및 선택된 다른 측정점 사이의 선로)의 전기적 파라미터의 측정이 가능하게 된다.
또한, 예를 들어, 다수의 측정점 사이의 선로에서의 전기적 특성을 동시에 검사하는 것이 필요할 경우에는, 마찬가지로, 전원공급측 탐침이외에 다수의 다른 탐침 및 다수의 계측 유닛을 구비할 수 있으며, 이 경우, 다수의 계측 유닛을 하나의 전원공급측 탐침과 각각의 다른 탐침 사이를 각각 접속하도록 구비하여 DC 파라미터를 측정하므로써, 전원공급측 탐침과 각각의 다른 탐침 사이의 다수의 선로에서의 전기적 특성을 검사할 수도 있다.
또한, 예를 들어, 다수의 측정점에서의 측정이 요구될 경우에는, 다수의 전원공급측 탐침을 구비하며, 각각의 탐침을 하나의 전환 스위치를 통해 계측기와 선택적으로 접속시키도록 구성할 수도 있다. 이 경우, 전환 스위치에 의해 선택된 각각의 탐침으로의 전압인가에 따른 계측 유닛의 전류값으로 다수의 측정점에서의 패드의 전기적 접속상태의 검사 및 각각의 프로텍션 게이트의 다이오드의 전기적 특성을 순차적으로 검사할 수 있게 된다.
이상의 변형예에서 설명된 바와 같이, 본 발명에 따른 전기적 특성 측정장치는 보다 넓은 범위의 측정항목에 대응할 수가 있게 되고, 또한 새로운 측정점이 요구될 경우에도 언제든지 융통성있게 적용이 가능하게 된다.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능함이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
상기한 구성을 갖는 본 발명에 따르면, 종래 기술에 비해, 보다 넓은 범위의 측정항목에 적용될 수 있으며, 보다 저렴하게 장치를 구성하는 경제적 효과 및 측정시간의 단축으로 인한 생산성의 증대를 도모할 수 있는 효과가 있다.

Claims (4)

  1. 그 상면에 웨이퍼를 안착시켜 접지되게 하는 척수단;
    정(+)전원라인에 접속된 측정핀을 갖는 제1탐침부와, 부(-)전원라인에 접속되어 접지되는 측정핀을 갖는 제2탐침부를 구비하며, 상기 웨이퍼 상의 다수의 측정점에 각각 접촉하는 탐침수단;
    상기 탐침수단의 제1 및 제2 탐침부를 지지하며, 그들이 소자의 원하는 측정점에 위치될 수 있도록 거리를 임의로 조절하기 위해 그 일단부에 길이조정이 가능한 지지봉이 구비된 지지수단;
    상기 탐침수단의 제1 및 제2 탐침부가 접촉한 각각의 측정점 사이 선로에서의 전기적 특성과, 상기 제1탐침부와 상기 척수단 사이에서의 전기적 특성을 검출하고 그 검출값을 출력하기 위하여 상기 정(+)전원라인 및 상기 부(-)전원라인에 접속된 계측수단; 및
    상기 부(-)전원라인 상에 구비되어 상기 척수단상의 패드 및 탐침수단의 제2 탐침부와 계측수단 간을 선택적으로 전기접속하기 위한 전환 스위칭수단
    을 포함하여 이루어진 웨이퍼의 전기적특성 측정장치.
  2. 제1항에 있어서,
    제2탐침부는 다수의 측정핀으로 구성되며, 상기 스위칭 수단에 의해 각각의 측정핀은 상기 계측수단에 선택적으로 접속되는 웨이퍼의 전기적특성 측정장치.
  3. 웨이퍼를 척수단 상면에 안착시켜 접지시키는 단계;
    상기 웨이퍼 상의 다수의 측정점에 접촉하는 측정핀을 각각 갖는 제1탐침부 및 제2탐침부를 제공하고 상기 제1탐침부를 정(+)전원라인에 접속하고 상기 제2탐침부를 부(-)전원라인에 접속하여 접지시키는 단계;
    상기 정(+)전원라인 및 상기 부(-)전원라인에 접속하는 계측수단을 제공하여 제1 및 제2탐침부의 각 측정핀이 접촉한 각 측정점 사이, 및 상기 제1탐침부의 측정점과 상기 척수단 사이에서의 전기적 특성을 검출하고 그 검출값을 출력하는 단계; 및
    상기 검출값을 수신하여 처리하며, 측정 완료 후, 상기 탐침수단과 웨이퍼의 해당 측정점의 접촉을 해제하는 제어신호를 출력하는 단계
    을 포함하여 이루어진 웨이퍼의 전기적특성 측정방법.
  4. 제3항에 있어서,
    부(-)전원라인 상에 스위칭 수단을 제공하여 상기 제2탐침부 및 상기 척 접지부를 계측수단에 각각 접속하는 단계를 더 포함하며,
    상기 전기적 특성 검출 단계는, 상기 스위칭 수단의 절환작용에 의해, 상기 제1탐침부가 접촉한 측정점과 상기 제2탐침부가 접촉한 측정점 사이에서의 전기적 특성의 측정, 및 상기 제1탐침부와 상기 웨이퍼가 안착되어 접지된 척수단 사이에서의 전기적 특성의 측정을 선택적으로 수행하는 웨이퍼의 전기적 특성 측정방법.
KR1019970029675A 1997-06-30 1997-06-30 웨이퍼의 전기적 특성 측정장치 및 측정방법 KR100265854B1 (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH0499355A (ja) * 1990-08-18 1992-03-31 Nec Corp 半導体集積回路装置
JPH05347335A (ja) * 1992-06-15 1993-12-27 Nec Corp プローブカード

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0499355A (ja) * 1990-08-18 1992-03-31 Nec Corp 半導体集積回路装置
JPH05347335A (ja) * 1992-06-15 1993-12-27 Nec Corp プローブカード

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